JP2008300778A

JP2008300778A - シリコンウェーハ搬送装置

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Publication number: JP2008300778A
Application number: JP2007148076A
Authority: JP
Inventors: Morimasa Miyazaki; 守正宮崎
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2007-06-04
Filing date: 2007-06-04
Publication date: 2008-12-11
Anticipated expiration: 2027-06-04
Also published as: JP4893481B2

Abstract

【課題】本発明の目的は、シリコンウェーハに不純物を付着させることなく、他の部材とは非接触で安定した搬送が可能なシリコンウェーハの搬送装置を提供することにある。
【解決手段】シリコンウェーハ２を搬送する空間中３に、複数の孔４１および搬送方向と平行に設けた少なくとも１本の直線状溝孔４２を有する搬送テーブル４と、前記孔４１から前記ウェーハ２の裏面にガスを噴出してウェーハを浮上させるウェーハ浮上手段５と、各直線状溝孔４２内に少なくとも１個の第１ノズル６１を有し、前記第１ノズル６１が、搬送前のウェーハ２が位置する直線状溝孔４２の部分よりも搬送方向手前側位置から、前記ウェーハ浮上手段５の孔４１から噴出されるガスより高い圧力のガスを噴出しながら前記直線状溝孔４２を前記搬送方向に移動することにより、浮上状態のウェーハ２の側縁部４ａを押圧して搬送するウェーハ搬送手段６と、前記搬送テーブル４の上方に位置し、前記ウェーハ２の位置を検出するための検出手段７とを具える。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコンウェーハを、接触させることなく搬送するシリコンウェーハ搬送装置に関するものであり、特に前記ウェーハを浮上させた状態で他の部材とは非接触で搬送するシリコンウェーハ搬送装置に関するものである。

従来、シリコンウェーハの製造装置では、半導体単結晶から切り出されたウェーハを搬送する場合、ロボットハンドにより直接ハンドリング方法や、ベルトで搬送する方法が用いられていた。また、前記半導体製造装置の装置間の搬送は、人間が前記ウェーハを専用の箱に入れて移動させる方法が一般的であった。

しかし、上記の搬送方法では、ロボットハンドとの接触によって、シリコンウェーハの表面にキズが生じ、このキズが欠陥の発生原因となる問題があった。また、前記ウェーハを搬送する際に、金属不純物やパーティクルの付着、自然酸化膜が生成する等の問題があった。半導体デバイスの高集積化や微細化が著しく進んでいる現在、欠陥の発生や異物の付着等は、デバイスの性能劣化を引き起こすため、極力なくす必要がある。

そのため、上記のような課題を解決するシリコンウェーハ搬送装置としては、例えば特許文献１に示されているような、前記ウェーハを浮上させて搬送する気流搬送装置が挙げられる。前記気体を噴流するノズルと、前記板状物の通路であり、前記ノズルが設置される搬送路と、前記ノズルへ供給する気体の量を調節するバルブと、前記板状物の位置や移動速度を検知する板状物検出手段とからなり、バルブで調整しながら気体を前記ノズルから噴流することによって、シリコンウェーハを浮上させ、ロボットハンド等と非接触状態で搬送する搬送装置である。

また、他のシリコンウェーハ搬送装置としては、例えば特許文献２に示されているような、シリコンウェーハを所定の搬送室に格納して搬送する搬送装置が挙げられる。前記搬送室中で前記ウェーハを浮上させた状態で、前記搬送室を目的位置まで移動させることで、導入するガス量が少なく、高い真空状態を維持しながら搬送することができるウェーハ搬送装置である。

しかしながら、特許文献１のシリコンウェーハ搬送装置では、前記ウェーハが存在する位置でのみノズルから気体を噴出させるためにはセンサとノズルの制御に高い技術を要するため、安定して前記ウェーハを搬送することが難しいという問題があった。また、特許文献２のウェーハ搬送装置では、搬送室内での前記ウェーハの固定が十分ではないため、前記搬送室内で側壁に前記ウェーハの側縁部が衝突する恐れがあった。
特開平７−２２８３４２号公報特開２００１−１７６９５０号公報

本発明の目的は、シリコンウェーハに不純物を付着させることなく、他の部材とは非接触で安定した搬送が可能なシリコンウェーハの搬送装置を提供することにある。

本発明者は、上記の課題を解決するため検討を重ねた結果、シリコンウェーハ搬送装置が、ウェーハを搬送する空間中に、複数の孔および搬送方向と平行に設けた少なくとも１本の直線状溝孔を有する搬送テーブルと、前記孔から前記ウェーハの裏面にガスを噴出するウェーハ浮上手段と、各直線状溝孔内に少なくとも１個の第１ノズルを有し、前記第１ノズルが、搬送前のウェーハが位置する直線状溝孔の部分よりも搬送方向手前側位置から、前記ウェーハ浮上手段の孔から噴出されるガスより高い圧力のガスを噴出しながら前記直線状溝孔を前記搬送方向に移動するウェーハ搬送手段と、前記搬送テーブルの上方に位置し、前記ウェーハの位置を検出するための検出手段とを具えることで、従来の搬送装置と同様に、シリコンウェーハを浮上させて非接触状態で搬送すること不純物付着の抑制を可能とし、さらに前記ウェーハ搬送手段の第１ノズルから噴出する高圧ガスで浮上状態の前記ウェーハの側縁部を押圧して搬送することで、上記のようなセンサやノズルの制御困難性がなく、前記ウェーハを安定して搬送できることを見出した。

上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）シリコンウェーハを搬送する空間中に、複数の孔および搬送方向と平行に設けた少なくとも１本の直線状溝孔を有する搬送テーブルと、前記孔から前記ウェーハの裏面にガスを噴出してウェーハを浮上させるウェーハ浮上手段と、各直線状溝孔内に少なくとも１個の第１ノズルを有し、前記第１ノズルを、搬送前のウェーハが位置する直線状溝孔の部分よりも搬送方向手前側位置から、前記ウェーハ浮上手段の孔から噴出されるガスより高い圧力のガスを噴出しながら前記直線状溝孔を前記搬送方向に移動させることにより、浮上状態のウェーハの側縁部を押圧して搬送するウェーハ搬送手段と、前記搬送テーブルの上方に位置し、前記ウェーハの位置を検出するための検出手段とを具えることを特徴とするシリコンウェーハ搬送装置。

（２）前記シリコンウェーハ搬送装置は、静電気を発生することで前記搬送空間内の異物を吸着する異物吸着手段をさらに具えることを特徴とする上記（１）記載のシリコンウェーハ搬送装置。

（３）前記シリコンウェーハ搬送装置は、前記直線状溝孔内に、前記ウェーハの搬送方向奥側の側縁部にガスを噴出する少なくとも１個の第２ノズルを有し、該第２ノズルが前記ウェーハ浮上手段より高い圧力のガスを噴出することにより、前記搬送したウェーハが搬送完了位置にあるときに前記ウェーハを停止させるウェーハ停止手段をさらに具えることを特徴とする上記（１）または（２）記載のシリコンウェーハ搬送装置。

（４）前記第２ノズルは、前記直線状溝孔内を移動可能に構成し、前記第１および第２ノズルを、前記ウェーハを挟み込む配置にし、これら第１および第２ノズルならびにウェーハの前記配置関係を維持しながら第１および第２ノズルを移動させることにより、前記ウェーハを安定搬送することを特徴とする上記（３）記載のシリコンウェーハ搬送装置。

（５）前記シリコンウェーハ搬送装置は、前記搬送テーブルの所定位置に円状溝孔をさらに有し、該円状溝孔に少なくとも１つの第３ノズルを有し、該第３ノズルが前記ウェーハ浮上手段の孔から噴出されるガスより高い圧力のガスを噴出しながら前記円状溝孔を移動することにより前記ウェーハを回転させるウェーハ回転手段をさらに具えることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか１項記載のシリコンウェーハ搬送装置。

この発明によれば、シリコンウェーハに不純物を付着させることなく、他の部材とは非接触で安定した搬送が可能なシリコンウェーハの搬送装置を提供することが可能になった。

本発明に従うシリコンウェーハ搬送装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明に従うシリコンウェーハ搬送装置の頂部を取り除いてシリコンウェーハを搬送する空間内部を上方から見た図であり、図２は、前記シリコンウェーハを搬送する空間内部を側方から見た図である。

本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１は、シリコンウェーハ２を搬送する空間３中に、主として、搬送テーブル４と、ウェーハ浮上手段５と、ウェーハ搬送手段６と、検出手段７とを具える。

（搬送テーブル）
本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１は、図１に示すように、複数の孔４１および搬送方向と平行に設けた少なくとも１本の直線状溝孔４２を有する前記搬送テーブル４を具える。前記搬送テーブル４の構成部材としては、例えば、セラミックス、樹脂または金属にSiCをコーティングした部材を用いることが、構造部材からの金属汚染の回避の点で好ましい。さらに、前記搬送テーブル４の幅W4は、大面積のシリコンウェーハについても搬送することができるような幅を有し、長さL4は用途に応じた長さであることが好ましい。

前記孔４１の形状は円状であっても楕円状であっても構わず、図１に示されているように、周期的な間隔で設けられるのが好ましいが、ウェーハを浮上させることができる程度の間隔で設けられていればよく、特に限定はしない。また、前記直線状溝孔４２は、搬送テーブル４上の前記ウェーハ２の進行方向と平行に少なくとも１本（図１中では２本）設けられ、前記溝孔４２の幅Ｗ４２は後述する第１ノズル６１の大きさ等によって決定される。

（ウェーハ浮上手段）
また、本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１は、図１に示すように、前記孔４１から前記ウェーハ２の裏面にガス５０を噴出してウェーハ２を浮上させるウェーハ浮上手段５を有する。図２に示すように、本発明によるウェーハ浮上手段５は、ガス５０を前記ウェーハの裏面に噴出して浮上させることができる構成であればよく、特に限定はされない。ウェーハ浮上手段５は、例えば、前記ガス５０を噴出するガス噴出口５１と、ガス５０の供給量を調整するバルブ５２と、ガスの通り道であるガス供給配管５３と、前記バルブ５２の動きを制御するためのマスフローコントローラ５４と、前記ガス５０を備蓄しているガスタンク（図示せず）とで構成することができる。この構成によって、前記ウェーハは浮上した状態を保つことができるため、前記ウェーハ裏面は、搬送中に前記搬送テーブル４等の他の部材と直接接触することはなく、接触時におけるキズおよび不純物の付着を抑制することができる。

前記噴出するガス５０の種類は、異物等の不純物を含まないガスであれば特に限定はないが、アルゴンガス、窒素ガス等を用いることができ、温度は搬送雰囲気と同程度の温度であることが、ガス導入による温度低下を防止し、雰囲気温度を維持できる点で好ましい。さらに、前記ガスの圧力は、搬送するウェーハを浮上させるのに十分な圧力であることが好ましい。

（ウェーハ搬送手段）
さらに、本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１は、図１に示すように、各直線状溝孔４２内に少なくとも１個の第１ノズル６１を有し、図２に示すように、前記第１ノズル６１が、搬送前のウェーハ２が位置する直線状溝孔の部分よりも搬送方向手前側位置から、前記ウェーハ浮上手段の孔から噴出されるガス５０より高い圧力のガス６０を噴出しながら前記直線状溝孔を前記搬送方向に移動することにより、浮上状態のウェーハ２の側縁部２ａを押圧して搬送するウェーハ搬送手段６を有する。このウェーハ搬送手段６を用いれば、前記高い圧力のガス６０がウェーハ２の側縁部２ａを押圧する構造であるため、従来のガスを用いた搬送方法よりもウェーハ２を搬送方向に指向させる力が強く、前記ウェーハ２を安定して搬送することが可能となり、その結果、接触時におけるシリコンウェーハのキズの発生および不純物の付着を抑制することができる。

ここで、前記ウェーハ搬送手段６は、直線状溝孔４２内に少なくとも１個の第１ノズル６１を有し、高い圧力のガス６０を噴出しながら前記直線状溝孔を前記搬送方向に移動することができればよく、特に限定はされないが、例えば、前記第１ノズル６１と、前記第１ノズルを移動させる移動機構（図示せず）と、前記ガス６０の供給量を調整するバルブ（図示せず）と、前記ガス６０の通り道であるガス供給配管（図示せず）と、前記バルブ５２の動きを制御するためのマスフローコントローラ５４と、前記ガス６０を備蓄しているガスタンク（図示せず）とで構成することができる。

また、前記第１ノズル６１は、上方へ噴出するのが通常であるが、角度調整機能を有し、必要に応じて角度を調整することができれば、前記シリコンウェーハ２をより安定して搬送できる点で好ましい。さらに、第１ノズル６１から噴出するガス６０の圧力は、前記孔４１から噴出するガス５０より高圧である必要があり、前記ウェーハ２を搬送する条件によって変化させることができるが、前記孔から噴出するガス５０の圧力との関係から数％程度高い圧力であることがより好適である。

（検知手段）
さらにまた、本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１は、図２に示すように、前記搬送テーブル４の上方に位置し、前記ウェーハ２の高さ方向の位置及び幅方向の位置を検出するための検出手段７を具える。該検出手段７が前記ウェーハ２の位置を精度よく検出することによって、前記ウェーハ２の浮上高さをバルブ５２を調整することにより一定に保つと共に前記第１ノズルの位置等の制御を正確に行うことができる。

前記検出手段７は、前記ウェーハ２の位置の検出が可能となる構成を有する必要があり、例えば、赤外線センサ７１は、赤外線発光部と赤外線受光部とからなることが好ましい。前記赤外線センサ７１を前記ウェーハ２の位置センサとして用いることで、前記シリコンウェーハ２の位置を精度よく検出できるからである。

（異物吸着手段）
本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１は、さらに、静電気を発生することで前記搬送空間３内の異物を吸着する異物吸着手段８を具えることが好ましい。図２に示すように、横壁や上部および下部に前記異物吸着手段８を設けることにより、前記搬送空間３中に発生したパーティクルなどの異物を吸着し、さらに、前記丸孔４１から噴出するガス５０中に含まれる異物についても吸着できることから、シリコンウェーハへの不純物の吸着をさらに抑制することができるためである。

また、前記異物吸着手段８は、コロナ放電方式を用い電極針（図示せず）と、接地電極（図示せず）と、異物吸着部分８１とからなることが好ましい。この構成を有することで、パーティクル等の異物を効果的に吸着することが可能となるためである。

（ウェーハ停止手段）
さらに、本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１は、図１に示すように、前記直線状溝孔４２内に、前記ウェーハの搬送方向奥側の側縁部にガスを噴出する少なくとも１個の第２ノズル９１を有し、該第２ノズル９１が前記ウェーハ浮上手段５より高い圧力のガスを噴出することにより、前記搬送したウェーハ２が搬送完了位置にあるときに前記ウェーハ２を停止させるウェーハ停止手段９を具えることが好ましい。前記第２ノズル９１からは、前記第１ノズル６１と同程度の圧力でガスが噴出されているため、停止するべき位置に前記ウェーハ２が到達した際に、ウェーハ側縁部２ａに高圧ガスを噴出して押圧することで、ストッパーの役目を果たすことができる結果、確実に前記ウェーハ２を停止させることができるからである。

また、図３は本発明の別の一形態であるシリコンウェーハ搬送装置の頂部を取り除いてシリコンウェーハを搬送する空間内部を上方から見た図である。第２ノズル９１は、図３に示すように、前記直線状溝孔４２内を移動可能に構成し、前記第１ノズル６１および第２ノズル９１を、前記ウェーハ２を挟み込む配置し、これら前記第１ノズル６１および第２ノズル９１ならびにウェーハ２の前記配置関係を維持しながら前記第１ノズル６１および第２ノズル９１を移動させる構成にすれば、前記ウェーハ２を高圧ガス間で挟んでいるため、前記ウェーハ２が高圧ガス間で固定された状態で安定搬送できる点で好ましい。

さらに、図１〜図３に示すように、前記停止手段９とは別に、前記搬送テーブル４の周りを囲むように高圧ガスを噴出させる構成にすれば、前記ウェーハ２が搬送ルートを外れて搬送装置の側壁（図示せず）へ近づいた場合であっても、前記高圧ガスの噴出が空気の壁となり、ウェーハが前記側壁へ衝突するのを防ぐことができる点で好ましい。

（ウェーハ回転手段）
図４および図５は、本発明の別の一形態であるシリコンウェーハ搬送装置の頂部を取り除いてシリコンウェーハを搬送する空間内部を上方から見た図であり、図４はシリコンウェーハを取り除いた図、図５はシリコンウェーハを搬送する図である。本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１は、走査型電子顕微鏡のように真空中で分析する装置で、空気中でウェーハ位置を特定し固定した（アライメントと称する）後、装置内にウェーハを挿入する場合等、搬送したシリコンウェーハ２を回転させることが必要となる場合があるため、図４に示すように、前記搬送テーブル４の所定位置に円状溝孔４３をさらに有し、該円状溝孔４３に少なくとも１つの第３ノズル１０１を有し、該第３ノズル１０１が前記ウェーハ浮上手段５の丸孔４１から噴出されるガス５０より高い圧力のガスを噴出しながら前記円状溝孔４３を移動することにより前記ウェーハ２を回転させるウェーハ回転手段１０を具えることが好ましい。該ウェーハ回転手段１０を具えることにより、前記ウェーハ２をより確実に回転させることができるからである。

また、図５に示すように、前記第３ノズル１０１は、回転させるウェーハ２のノッチ部２ｂに対応する位置に設けることがより好適である。前記第３ノズル１０１をノッチ部２ｂに対応する位置に設ければ、噴出するガスがノッチ部２ｂと連携動作をしながら回転させることができるため、効率的な回転が可能となるからである。

（搬送空間）
なお、本発明によるシリコンウェーハ搬送装置１の搬送空間３は、所定の大きさの空間を有していればよい。また、６面の壁で覆われていることがウェーハへの異物付着防止の点で好ましい。さらに、前記上下の壁は、ヘパフィルターが設けられていることが搬送空間中をクリーンな状態に保つことができる点でより好適である。

なお、上述したところは、この発明の実施形態の一例を示したにすぎず、請求の範囲において種々の変更を加えることができる。

（実施例１）
実施例１は、図１に示すようなサイズ300mmφのシリコンウェーハを搬送する空間中に、複数の丸孔および搬送方向と平行に設けた２本の直線状溝孔を有する搬送テーブルと、前記丸孔から前記ウェーハの裏面にガスを噴出してウェーハを浮上させるウェーハ浮上手段と、各直線状溝孔内に１個の第１ノズルを有し、前記第１ノズルが、搬送前のウェーハが位置する直線状溝孔の部分よりも搬送方向手前側位置から、前記ウェーハ浮上手段の丸孔から噴出されるガスより８％高い圧力のガスを噴出しながら前記直線状溝孔を前記搬送方向に移動することにより、浮上状態のウェーハの側縁部を押圧して搬送するウェーハ搬送手段と、前記搬送テーブルの上方に位置し、前記ウェーハの位置を検出するための検出手段と、前記搬送テーブルの上下に位置し、静電気を発生することで前記搬送空間内の異物を吸着する異物吸着手段とを具えるシリコンウェーハ搬送装置を試作した。その後、前記シリコンウェーハを、前記シリコンウェーハ搬送装置中に１０時間格納し続け、その後前記シリコンウェーハを取り出した。

（実施例２）
実施例２は、前記異物吸着手段を具えないこと以外は全て実施例１と同じ構成のシリコンウェーハ搬送装置を試作し、実施例１と同じく、シリコンウェーハを、前記シリコンウェーハ搬送装置中に１０時間格納し続け、その後前記シリコンウェーハを取り出した。

比較例

（比較例１）
比較例１は、特許文献１に記載されているような、気体の流体力によって半導体ウェハなどの板状物を浮上させ、前記板状物を非接触状態で搬送する気流搬送装置であって、前記気体を噴流するノズルと、前記板状物の通路であり、前記ノズルが設置される搬送路と、前記ノズルへ供給する気体の量を調節するバルブと、前記板状物の位置や移動速度を検知する板状物検出手段とからなり、前記ノズルが前記搬送路に対して垂直方向または斜め方向に設置され、前記バルブが前記ノズルと１対１の対応で設けられていることを特徴とする気流搬送装置を作製した。その後、実施例１と同じく、サイズが300mmであるシリコンウェーハを、前記シリコンウェーハ搬送装置中に１０時間格納し続け、その後前記シリコンウェーハを取り出した。

（評価方法）
上記実施例１および２ならびに比較例１のシリコンウェーハ表面のパーティクル数をパーティクルカウンタを用いて計測し、それぞれの結果を比較した。

表１の結果から、実施例１および実施例２から得られたシリコンウェーハは、比較例１から得られるシリコンウェーハに比べ、パーティクルの数が少なことがわかった。そのため、実施例１および実施例２のシリコンウェーハ搬送装置は、比較例１のシリコンウェーハ搬送装置に比べ、不純物の付着が抑制でき、安定した搬送ができていることがわかった。

本発明に従うシリコンウェーハ搬送装置の実施形態について、シリコンウェーハを搬送する空間内部を、頂部を除去して上方から見た平面図である。図１のシリコンウェーハ搬送装置の、前記シリコンウェーハを搬送する空間内部を、側壁を除去して側方から見た図である。本発明に従うシリコンウェーハ搬送装置の実施形態について、シリコンウェーハを搬送する空間内部を、頂部を除去して上方から見た平面図であって、シリコンウェーハが搬送完了位置にある場合を示す。本発明に従うシリコンウェーハ搬送装置の実施形態について、シリコンウェーハを搬送する空間内部を、頂部を除去して上方から見た平面図であって、シリコンウェーハが存在しない状態を示す。本発明に従うシリコンウェーハ搬送装置の別の実施形態について、シリコンウェーハを搬送する空間内部を、頂部を除去して上方から見た平面図である。

符号の説明

１シリコンウェーハ搬送装置
２シリコンウェーハ
２ａシリコンウェーハ側縁部
２ｂシリコンウェーハノッチ部
３搬送空間
４搬送テーブル
４１丸孔
４２直線状溝孔
４３円状溝孔
５ウェーハ浮上手段
５１噴出口
５２バルブ
５３供給配管
５４マスフローコントローラ
６ウェーハ搬送手段
６０高圧ガス
６１前記第１ノズル
７検出手段
７１赤外線センサ
８ゴミ吸着手段
８１ゴミ吸着部分
９ウェーハ停止手段
９１第２ノズル
１０ウェーハ回転手段
１０１第３ノズル

Claims

シリコンウェーハを搬送する空間中に、複数の孔および搬送方向と平行に設けた少なくとも１本の直線状溝孔を有する搬送テーブルと、前記孔から前記ウェーハの裏面にガスを噴出してウェーハを浮上させるウェーハ浮上手段と、各直線状溝孔内に少なくとも１個の第１ノズルを有し、前記第１ノズルを、搬送前のウェーハが位置する直線状溝孔の部分よりも搬送方向手前側位置から、前記ウェーハ浮上手段の孔から噴出されるガスより高い圧力のガスを噴出しながら前記直線状溝孔を前記搬送方向に移動させることにより、浮上状態のウェーハの側縁部を押圧して搬送するウェーハ搬送手段と、前記搬送テーブルの上方に位置し、前記ウェーハの位置を検出するための検出手段とを具えることを特徴とするシリコンウェーハ搬送装置。
前記シリコンウェーハ搬送装置は、静電気を発生することで前記搬送空間内の異物を吸着する異物吸着手段をさらに具えることを特徴とするシリコンウェーハ搬送装置。
前記シリコンウェーハ搬送装置は、前記直線状溝孔内に、前記ウェーハの搬送方向奥側の側縁部にガスを噴出する少なくとも１個の第２ノズルを有し、該第２ノズルが前記ウェーハ浮上手段より高い圧力のガスを噴出することにより、前記搬送したウェーハが搬送完了位置にあるときに前記ウェーハを停止させるウェーハ停止手段をさらに具えることを特徴とする請求項１または２記載のシリコンウェーハ搬送装置。
前記第２ノズルは、前記直線状溝孔内を移動可能に構成し、前記第１および第２ノズルを、前記ウェーハを挟み込む配置にし、これら第１および第２ノズルならびにウェーハの前記配置関係を維持しながら第１および第２ノズルを移動させることにより、前記ウェーハを安定搬送することを特徴とする請求項３記載のシリコンウェーハ搬送装置。
前記シリコンウェーハ搬送装置は、前記搬送テーブルの所定位置に円状溝孔をさらに有し、該円状溝孔に少なくとも１つの第３ノズルを有し、該第３ノズルが前記ウェーハ浮上手段の孔から噴出されるガスより高い圧力のガスを噴出しながら前記円状溝孔を移動することにより前記ウェーハを回転させるウェーハ回転手段をさらに具えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のシリコンウェーハ搬送装置。