JP5083708B2 - レーザアニール装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板にレーザ光を照射してアニールを行なうレーザアニール装置に関する。

半導体、液晶の分野における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造工程では、基板上に形成されたａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜などの半導体膜にレーザ光を照射し、結晶化又は活性化させることによって半導体膜を改質するレーザアニールが実施される。
一般的にレーザアニールでは、連続発振又はパルス発振されたレーザ光を、光学系を用いて断面が線状又は細長い矩形状のビーム（以下、矩形状ビームという）に加工し、この矩形状ビームを基板上のａ−Ｓｉ膜に対してビームの短手方向に相対移動させながら照射する。なお、一般的には、矩形状ビームの位置を固定し、基板を移動させることにより基板表面全体に矩形状ビームを照射することが行なわれている。

このようなレーザアニールにおいて基板にレーザ光を照射する際、レーザ光の照射部分に大気中の酸素が触れると、基板表面に凹凸が形成されたり、基板表面に酸化膜が形成されたりする等の問題が生じる。このような問題を解決する手法として、装置全体をチャンバーとしてその内部に基板を設置し、チャンバー内を真空あるいは不活性ガス雰囲気とすることで、レーザ照射領域の酸素濃度を下げる方法がある（例えば、下記特許文献１参照）。

しかしながら、上述したチャンバー方式では、チャンバー内を真空あるいは不活性ガス雰囲気とするために、チャンバーの真空引きや不活性ガスの充填に時間を要するため、処理のスループットを向上できないという問題がある。特に最近の大型液晶ディスプレイ用の基板を処理する場合、チャンバーも大型化するため、これらの問題が顕著となっている。また、真空引きを行なう方法では、半導体膜の融点が低く蒸発しやすい環境であるため、アニールの際、半導体膜が蒸発し、レーザ照射系（レンズなど）に蒸発物が付着し、レーザ照射量の低下や不均一につながり、常時メンテナンスが必要となる。

上述したチャンバー方式の問題を解決するための技術が種々提案されている。
下記特許文献２では、レーザ光が通過するスリットとこのスリットの周辺部に設けられた複数の窒素ガス噴出口を有する板状ノズルを有する窒素ガス噴射手段を用い、窒素ガス噴出口から窒素ガスを噴射し、レーザ照射部分近傍のみを窒素雰囲気とすることにより、レーザ照射領域の酸素濃度を下げることを狙ったレーザアニール装置を提案している。

また、下記特許文献３では、矩形状ビームと同一方向に延びる先端開口部を有するノズルから基板に向けて窒素ガスを噴出して、レーザ照射部分近傍のみを窒素雰囲気とすることにより、レーザ照射領域の酸素濃度を下げることを狙ったレーザアニール装置を提案している。

特開２００２−２１７１２４号公報 特許第３５０２９８１号公報 特開２００４−１５２８２３号公報

しかしながら、特許文献２、３の従来技術のように単に不活性ガスを吹き付ける方法では、吹付けノズル領域におけるガス流量分布が均一とならず、十分に酸素濃度が下がらない部分が生じることにより、アニール処理後における基板の面方向にアニール効果のばらつきが生じるという問題がある。あるいは、ガス流用分布の均一性を向上させるために多量の不活性ガスを流す方法も考えられるが、ガス使用量が増大し製造コストが増大するという問題がある。

本発明は上述した問題に鑑みてなされたものであり、レーザ光の照射部分において十分に酸素濃度を下げることによりアニール効果のばらつきを大幅に低減することができるレーザアニール装置を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するため、本発明のレーザアニール装置は、以下の手段を採用する。
（１）本発明は、基板表面において線状又は矩形状のビームに集光したレーザ光を、基板に対して前記ビームの短手方向に相対移動させながら照射してアニールを行なうレーザアニール装置であって、基板を載せる基板ステージと、前記ビームの長手方向に延びる長方形状開口をもち該長方形状開口から不活性ガスを噴き出して基板に吹き付ける吹付けノズルを有し、レーザ光の照射部分より広い範囲に不活性ガスを供給するガス供給機構と、前記基板ステージの基板載置面の外端部から外側に向って延びるスカート部材と、を備え、前記吹付けノズルは、基板の縁部を含む領域にレーザ光が照射される際に、長方形状開口の一部が基板ステージよりも外側に出る位置となり、前記スカート部材は、前記長方形状開口のうち基板ステージよりも外側に出る部分と同じか当該部分よりも外側まで延びていることを特徴とする。

上記構成によれば、ガス供給機構により、レーザ光の照射部分に不活性ガスを吹き付け、レーザ光の照射部分及びその近傍のみを不活性ガス雰囲気とすることができるので、チャンバーの真空引きや不活性ガスの充填をすることなく、レーザ光の照射部分の酸素濃度を下げることができる。
長方形状開口を有する吹付けノズルは、ノズル内壁での流体抵抗の影響により長方形状開口の端部の流量が低下するため、ガス吹き付け領域をレーザ光の照射部分よりも広く取っている。一方基板ステージは、小型軽量であることが駆動上の観点から有利であるため基板載置面が基板に近い面積となるサイズで作られる。この場合、噴射ノズルの長方形状開口の一部がステージの外側にはみ出し、このはみ出した部分は流体抵抗が少なくなる。このため、ガス流量を制御せず一定流量を流す場合、はみ出した部分のガス流量が相対的に多くなることにより、基板側のガス吹き付け領域のガス流量が相対的に少なくなり酸素濃度が十分に下がらない。そこで、本発明は、基板ステージの基板載置面の外端部から外側に向って延びるスカート部材を備える。このスカート部材に不活性ガスが吹き付けられることにより、基板側のガス吹き付け領域のガス流量と基板ステージからはみ出した部分のガス流量との間で流体抵抗に差が生じないので、基板上に常に均一流量の不活性ガスを吹き付けることができ、酸素濃度もレーザ光の照射部分で十分に下げることできるため、レーザ光の照射部分全面に渡って均一なアニール状態を確保し、アニール効果のばらつきを大幅に低減することができる。

（２）また、上記のレーザアニール装置において、前記ガス供給機構は、前記基板に平行に近接対向する下面を有し該下面と基板との間に不活性ガスの流路を形成するとともにレーザ光を透過させる透過窓を有する平行対向体を有し、前記噴射ノズルの長方形状開口は、レーザ光の照射部分から前記短手方向に所定間隔をおいた位置に設けられている。

上記構成によれば、平行対向体と基板との間にビーム長手方向に関して均一なガス流れが形成され、レーザ照射領域に均一に不活性ガスを供給することができるので、レーザ照射領域の酸素濃度を効率的に下げることができる。また、平行対向体と基板との間に形成された微小間隙の流路に不活性ガスを一方向に流すので、多量の不活性ガスを使用しなくても酸素濃度を均一に下げることが可能となる。

（３）また、上記のレーザアニール装置において、前記スカート部材は、前記基板ステージの基板載置面の端部全周に設けられている。

上記構成により、吹付けノズルの長手方向の端部が基板ステージからはみ出す場合および吹付けノズルの短手方向の端部が基板ステージからはみ出す場合のいずれにおいても、基板ステージからはみ出た部分から噴出される不活性ガスはスカート部材に吹き付けられるので、基板上に均一流量の不活性ガスを吹き付け、酸素濃度を十分に下げることができる。

（４）また、上記のレーザアニール装置において、前記基板ステージには、基板ステージとの間で基板の受渡しを行なう基板搬送装置のハンド部が通過可能なように基板載置面及び側面にて開口する切欠部が設けられており、前記スカート部材の前記切欠部に隣接する部分が、前記ハンドと機械的に干渉しないように移動可能に構成されている。

上記構成によれば、スカート部材における基板ステージの切欠部に隣接する部分が、基板搬送装置のハンド部と機械的に干渉しないように移動可能に構成されているので、従来の基板搬送装置をそのまま適用し、基板ステージとの間で基板の受渡しを行なうことができる。

（５）また、上記のレーザアニール装置において、前記基板ステージには、基板ステージとの間で基板の受渡しを行なう基板搬送装置のハンド部が通過可能なように基板載置面及び側面にて開口する切欠部が設けられており、前記スカート部材の全体が、前記ハンド部と機械的に干渉しないように移動可能に構成されている。

上記構成によれば、スカート部材の全体が、基板搬送装置のハンド部と機械的に干渉しないように移動可能に構成されているので、従来の基板搬送装置をそのまま適用し、基板ステージとの間で基板の受渡しを行なうことができる。

本発明によれば、レーザ光の照射部分において十分に酸素濃度を下げることによりアニール効果のばらつきを大幅に低減することができるという優れた効果が得られる。

以下、本発明の好ましい実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。

図１は、本発明の実施形態にかかるレーザアニール装置１の全体概略構成を示す図である。このレーザアニール装置１は、基板２上に形成された半導体膜３（図２参照）の表面において線状又は細長い矩形状のビーム（以下、矩形状ビームという）に集光したレーザ光４を、基板２に対して矩形状ビームの短手方向に相対移動させながら照射して、半導体膜３を改質（多結晶化又は活性化）する装置である。上記の半導体膜３は、例えば、ａ−Ｓｉ膜である。
なお、以下、矩形状ビームの長手方向を「ビーム長手方向」とよび、矩形状ビームの短手方向を「ビーム短手方向」とよぶ。

図１に示すように、レーザアニール装置１は、基板２の表面にパルスレーザ光４を照射するレーザ照射装置５と、基板２を載せる基板ステージ１０とを備えている。
レーザ照射装置５は、パルスレーザ光４を出射するレーザ光源６と、基板２の表面において矩形状ビームとなるようにレーザ光４を成形するビーム成形光学系７と、ビーム成形光学系７からのレーザ光４を基板２に向けて反射するミラー８を備えている。レーザ光源６としては、エキシマレーザ等のガスレーザ、ＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ_４等の固体レーザ、半導体レーザを適用することができる。

基板ステージ１０は図示しないステージ駆動機構によって、水平面内を二次元的に移動可能に構成されている。
したがって、このレーザアニール装置１では、基板ステージ１０によって基板２がビーム短手方向に移動することにより、レーザ光４が基板２に対してビーム短手方向に相対移動する。

符号１２で示したものは、基板ステージ１０との間で基板２の受渡しを行なう基板搬送装置１２である。基板搬送装置１２は、基板２の保持及び解放が可能なハンド部１３を有しており、ハンド部１３を三次元的に移動させて基板ステージ１０との間で基板２の受渡しを行なう。

上記のように構成されたレーザアニール装置１により、基板２の表面において矩形状ビームに集光されたレーザ光４を、基板２をビーム短手方向に移動させながら照射することにより基板２の全面を走査する。これにより、基板２の全面をアニールし、半導体膜３の多結晶化や活性化を行う。

また、本実施形態において処理対象となる基板２のビーム長手方向の寸法は、レーザ光４の照射部分におけるビーム長手方向の長さよりも長い。このため、基板２をビーム短軸方向に一回移動させただけでは基板２の全面をアニールすることはできない。したがって、このような大面積の基板２を処理する場合、ビーム短手方向に基板２を移動させながらレーザ光４を照射し、基板２の端部まで走査したらビーム長手方向にその長さ分だけ基板２を移動させ、続いて前回の移動方向とは逆のビーム短軸方向に基板２を移動させながらレーザ光４を照射し、これを複数回繰り返すことにより、基板２全面をアニールする。

図１に示すように、レーザアニール装置１は、さらに、レーザ光４の照射部分に不活性ガスを供給し、不活性ガスでパージするガス供給機構１６を備えている。
図２は、ガス供給機構１６の構成を示す断面図である。図２では、左右方向がビーム短手方向である。ガス供給機構１６は、ビーム長手方向に延びる長方形状開口１８を持つ吹付けノズル１７を有し、吹付けノズル１７の長方形状開口１８から不活性ガス１９を噴き出して基板２に吹き付ける。不活性ガス１９は、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン、ウンウンオクチウムなどを使用することができる。

図３は、図２における吹付けノズル１７のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図３に示すように、本実施形態における吹付けノズル１７は、下部に長方形状開口１８が形成された中空構造のノズル体２０の内部に、ガス供給管２１から供給された不活性ガス１９をビーム長手方向に分配する分配管２２と、分配管２２からの不活性ガス１９を整流しビーム長手方向とビーム短手方向の流量を均一化する整流抵抗体２３（例えばパンチングメタルのような形状で、材質的には発塵を防ぐアルマイトコート等）とが設けられて構成されたものであり、長方形状開口１８が基板２表面を向くように設置されている。本実施形態では、噴き出された不活性ガス１９が基板２に垂直に衝突するようになっている。

図３の吹付けノズル１７の下側に示したものは、長方形状開口１８から噴出される不活性ガス１９の流量分布であり、この分布に示すように、長方形状開口１８を有する吹付けノズル１７では、ノズル内壁での流体抵抗の影響により長方形状開口１８の長手方向の端部（短辺部）のガス流量が低下する。また、長方形状開口１８の短手方向の端部（長辺部）についても同様にガス流量が低下する。このため、レーザ光４の照射部分に均一な流量のガスが吹きつけられるように、レーザ光４の照射部分よりも長方形状開口１８を長く（広く）取っている。

図２に示すように、本実施形態におけるガス供給機構１６は、さらに基板２との間に不活性ガス１９の流路を形成する平行対向体２６を有する。
平行対向体２６は、基板２に平行に近接対向する下面を有し且つレーザ光４を透過させる透過窓２９を有する。本実施形態では、平行対向体２６は、基板２に平行に対向する対向部２７と、対向部２７のビーム短手方向端部両側から上方に延びる側部２８とからなり、レーザアニール装置１の適宜の部位に取り付けられている。対向部２７には、上記の基板２に平行に近接対向する下面３０が形成され、またその一部が透過窓２９となっている。透過窓２９は、レーザ光４の透過率の良い材料（例えばガラス）からなり、その下面は、周囲の対向部２７の下面３０と面一となっている。

アニール処理を行うときの平行対向体２６の下面３０と基板２との間隔は、両者が接触せず且つその間に不活性ガス１９が通過可能な程度に設定される。上記の間隔は、大きすぎるとその間を流れる不活性ガス１９の流速が遅くなり流路の大気を吹き飛ばすために大量の不活性ガス１９が必要となるので、数ｍｍ〜数ｃｍ程度とするのが良い。

上記の如き構成されたレーザアニール装置１において、吹付けノズル１７から不活性ガス１９が噴き出されると、そのガス流は基板２の表面に衝突して基板２の移動方向の前後に分かれる。一方のガス流は基板２と平行対向体２６との間の流路に流れ込んで、その流れ方向の前方の流路に存在する大気を基板２の表面の境界層ごと吹き飛ばす。他方のガス流はその流れ方向の前方にある大気を基板２の表面の境界層ごと吹き飛ばし、上記流路への大気の進入を阻止する。

このとき、平行対向体２６と基板２との間を流路として、ビーム長手方向に均一化された不活性ガス１９が流れ、しかも、そのガス流により基板２の表面の境界層を取り除いているため、流路におけるガスの流れは一方向に乱れなく流れる。また、平行対向体２６にはレーザ光４を透過させる透過窓２９が設けられているので、矩形状ビームの照射部分におけるガスの流れも一方向に乱れなく流れる。

したがって、レーザ光４の照射部分において不活性ガス１９の流れがビーム長手方向に均一となり、この照射部分を均一にパージし、酸素濃度を十分に下げることができるので、アニール処理後における基板２の面方向に生じるアニール効果のばらつきを大幅に低減することができる。また、不活性ガス１９のガス流によって上記流路への大気の進入を阻止するので、レーザ光４の照射部分を効率的にパージすることができる。また、平行対向体２６と基板２との間を流路として不活性ガス１９を一方向に流すので、多量の不活性ガス１９を使用しなくても均一なパージが可能となる。

図２に示すように、吹付けノズル１７はレーザ光４の照射部分に対して基板２の移動方向上流側に設置されていることが好ましい。このように構成することで、基板２移動方向の下流側に流れる不活性ガス１９のガス流は基板２の移動方向と一致するため、基板２による流れの妨害を受けない。このため、基板２の移動方向の前方に存在する大気を境界層ごと効率よく吹き飛ばすことができるので、より確実に均一なパージが可能となる。

図４は、基板ステージ１０及びスカート部材３２の構成を示す斜視図である。図４に示すように基板ステージ１０には、基板載置面（上面）の外端部から外側に向って延びるスカート部材３２が設けられている。
図５は、基板ステージ１０と吹付けノズル１７の位置関係及びガス流れ状態を示す模式図であり、（Ａ）は本発明のスカート部材３２が設けられた図であり、（Ｂ）はスカート部材３２が設けられていない場合を仮定した図である。

上記の基板ステージ１０は、小型軽量であることが駆動上の観点から有利であるため基板載置面が基板２に近い面積となるサイズで作られる。また上述したように、レーザ光４の照射部分に均一な流量のガスが吹きつけられるように、吹付けノズル１７の長方形状開口１８の大きさは、レーザ光４の照射部分よりも長く（広く）取っている。このため、図５（Ｂ）に示すように、基板２の縁部を含む領域にレーザ光４を照射する際に、吹付けノズル１７の長方形状開口１８の一部が基板ステージ１０の外側にはみ出し、このはみ出した部分は流体抵抗が少なくなる。このため、ガス流量を制御せず一定流量を流す場合、はみ出した部分のガス流量が相対的に多くなることにより、基板２側のガス吹き付け領域のガス流量が相対的に少なくなり酸素濃度が十分に下がらない。

そこで本発明では、図５（Ａ）に示すように、基板載置面の外端部から外側に向って延びるスカート部材３２を設けた。このスカート部材３２は、長方形状開口１８のうち基板ステージ１０よりも外側に出た部分と同じか当該部分よりも外側まで延びている。

上記構成によれば、図５（Ａ）に示すように、スカート部材３２に不活性ガス１９が吹き付けられることにより、基板２側のガス吹き付け領域のガス流量と基板ステージ１０からはみ出した部分のガス流量との間で流体抵抗に差が生じないので、基板２上に常に均一流量の不活性ガス１９を吹き付けることができ、酸素濃度もレーザ光４の照射部分で十分に下げることできるため、レーザ光４の照射部分全面に渡って均一なアニール状態を確保し、アニール効果のばらつきを大幅に低減することができる。
また、スカート部材３２は、軽量の材料で板状に形成することができるので、基板ステージ１０に付加しても、基板ステージ１０の駆動に与える影響は殆どない。

また、基板２側のガス吹き付け領域のガス流量と基板ステージ１０からはみ出した部分のガス流量との間での流体抵抗の差を効果的に無くすために、図５（Ａ）に示すように、上記のスカート部材３２の上面が、基板ステージ１０に載せた基板２の上面と面一となるようにスカート部材３２の配置位置を設定するのが好ましい。

また、図４に示すように、スカート部材３２は、基板ステージ１０の基板載置面の端部全周に設けられているのが好ましい。この構成により、吹付けノズル１７のビーム長手方向の端部が基板ステージ１０からはみ出す場合および吹付けノズル１７のビーム短手方向の端部が基板ステージ１０からはみ出す場合のいずれにおいても、基板ステージ１０からはみ出た部分から噴出される不活性ガス１９はスカート部材３２に吹き付けられるので、基板２上に均一流量の不活性ガス１９を吹き付け、酸素濃度を十分に下げることができる。

図４に示すように、基板ステージ１０には、上述した基板搬送装置１２のハンド部１３が通過可能なように基板載置面及び側面にて開口する切欠部１０ａが設けられている。また、基板ステージ１０は、基板載置面で開口する吸引穴１０ｂが複数設けられており、吸引穴１０ｂ内の空気を吸引して基板２を吸着し固定するようになっている。
図４に示す構成例では、基板搬送装置１２とスカート部材３２との機械的干渉を回避するために、スカート部材３２における基板ステージ１０の切欠部１０ａに隣接する部分が、基板搬送装置１２のハンド部１３と機械的に干渉しないように移動可能に構成されている。

具体的には、スカート部材３２は、切欠部１０ａに隣接する部分以外の部分に設けられた固定部３２ａと、切欠部１０ａに隣接する部分に設けられた可動部３２ｂとから構成されている。可動部３２ｂは、両側に隣接する固定部３２ａの間を閉じる閉鎖位置と、基板搬送装置１２のハンド部１３と機械的に干渉しない退避位置（点線で示した位置）とを、移動可能に構成されている。可動部３２ｂの移動は、図示しない駆動機構によって行なわれる。可動部３２ｂの移動方向は、図４に示すように上下でもよく、水平方向へのスライドや揺動であってもよい。

上記構成によれば、スカート部材３２における基板ステージ１０の切欠部１０ａに隣接する部分が、基板搬送装置１２のハンド部１３と機械的に干渉しないように移動可能に構成されているので、従来の基板搬送装置１２をそのまま適用し、基板ステージ１０との間で基板２の受渡しを行なうことができる。

また、図６に示すように、可動部３２ｂの下部に、隣接する固定部３２ａの下面に対向する張出部３３を設けるのが好ましい。この構成により、吹付けノズル１７からの不活性ガス１９が下面側に漏れ出るのを防止することができる。

図７は、スカート部材３２の別の構成例を示す図である。この構成例では、スカート部材３２の全体が、基板搬送装置１２のハンド部１３と機械的に干渉しないように移動可能に構成されている。具体的には、スカート部材３２は、基板ステージ１０の基板載置面の端部近傍の高さとなる上昇位置と、基板搬送装置１２のハンド部１３と機械的に干渉しない退避位置（点線で示した位置）とを、移動可能に構成されている。上昇位置では、スカート部材３２の上面が、基板ステージ１０に載せた基板２の上面と面一となるのが好ましい。スカート部材３２の移動は、図７に示すように、基板ステージ１０に設けられた例えばエアシリンダ等のリニアアクチュエータ３５によって行なわれる。

上記構成によれば、スカート部材３２の全体が、基板搬送装置１２のハンド部１３と機械的に干渉しないように移動可能に構成されているので、従来の基板搬送装置１２をそのまま適用し、基板ステージ１０との間で基板２の受渡しを行なうことができる。

なお、上記において、本発明の実施形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
例えば、上述した実施形態ではガス供給機構１６は平行対向体２６を備える構成であったが、平行対向体２６をなくして、吹付けノズル１７の長方形状開口１８をレーザ光４の照射部分に向けて配置し、基板２上のレーザ光４の照射部分に不活性ガス１９を直接吹き付けるように構成してもよい。

本発明の実施形態にかかるレーザアニール装置の全体概略構成を示す図である。 本発明の実施形態にかかるレーザアニール装置おけるガス供給機構の構成を示す断面図である。 図２における吹付けノズルのＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。 本発明の実施形態にかかるレーザアニール装置における基板ステージとスカート部材の構成例を示す斜視図である。 本発明の実施形態にかかるレーザアニール装置における基板ステージと吹付けノズルの位置関係及びガス流れ状態を示す模式図である。 本発明の実施形態にかかるレーザアニール装置におけるスカート部材の可動部の好ましい構成例を示す図である。 本発明の実施形態にかかるレーザアニール装置における基板ステージとスカート部材の別の構成例を示す斜視図である。

符号の説明

１ レーザアニール装置
２ 基板
３ 半導体膜
４ レーザ光
５ レーザ照射装置
６ レーザ光源
７ ビーム成形光学系
８ ミラー
１０ 基板ステージ
１０ａ 切欠部
１０ｂ 吸引穴
１２ 基板搬送装置
１３ ハンド部
１６ ガス供給機構
１７ 吹付けノズル
１８ 長方形状開口
１９ 不活性ガス
２０ ノズル体
２１ ガス供給管
２２ 分配管
２３ 整流抵抗体
２６ 平行対向体
２７ 対向部
２８ 側部
２９ 透過窓
３０ 下面
３２ スカート部材
３２ａ 固定部
３２ｂ 可動部
３３ 張出部
３５ リニアアクチュエータ

Claims (5)

1. 基板表面において線状又は矩形状のビームに集光したレーザ光を、基板に対して前記ビームの短手方向に相対移動させながら照射してアニールを行なうレーザアニール装置であって、
   基板を載せる基板ステージと、
   前記ビームの長手方向に延びる長方形状開口をもち該長方形状開口から不活性ガスを噴き出して基板に吹き付ける吹付けノズルを有し、レーザ光の照射部分より広い範囲に不活性ガスを供給するガス供給機構と、
   前記基板ステージの基板載置面の外端部から外側に向って延びるスカート部材と、を備え、
   前記吹付けノズルは、基板の縁部を含む領域にレーザ光が照射される際に、長方形状開口の一部が基板ステージよりも外側に出る位置となり、
   前記スカート部材は、前記長方形状開口のうち基板ステージよりも外側に出る部分と同じか当該部分よりも外側まで延びていることを特徴とするレーザアニール装置。
2. 前記ガス供給機構は、前記基板に平行に近接対向する下面を有し該下面と基板との間に不活性ガスの流路を形成するとともにレーザ光を透過させる透過窓を有する平行対向体を有し、前記噴射ノズルの長方形状開口は、レーザ光の照射部分から前記短手方向に所定間隔をおいた位置に設けられている請求項１記載のレーザアニール装置。
3. 前記スカート部材は、前記基板ステージの基板載置面の端部全周に設けられている請求項１記載のレーザアニール装置。
4. 前記基板ステージには、基板ステージとの間で基板の受渡しを行なう基板搬送装置のハンド部が通過可能なように基板載置面及び側面にて開口する切欠部が設けられており、
   前記スカート部材の前記切欠部に隣接する部分が、前記ハンドと機械的に干渉しないように移動可能に構成されている請求項３記載のレーザアニール装置。
5. 前記基板ステージには、基板ステージとの間で基板の受渡しを行なう基板搬送装置のハンド部が通過可能なように基板載置面及び側面にて開口する切欠部が設けられており、
   前記スカート部材の全体が、前記ハンド部と機械的に干渉しないように移動可能に構成されている請求項３記載のレーザアニール装置。

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