TW201944466A - 雷射處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的一實施形態的雷射處理裝置(1)係具有：雷射光照射部(20)；以及搬送台(40)，可使基板(31)浮起且搬送基板(31)。在此，搬送台(40)係具有：雷射光照射區域(50)，係用以使從雷射光照射部(20)照射的雷射光(21)照射於基板(31)；以及基板搬送區域(60)，係從雷射光照射區域(50)分離；雷射光照射區域(50)中之與基板(31)對向的表面係由可噴出用以使基板(31)浮起的第一氣體之第一構件所構成；基板搬送區域(60)中之與基板(31)對向的表面係由可噴出用以使基板(31)浮起的第二氣體之複數個第二構件所構成；基板搬送區域(60)的複數個第二構件係分別分離配置。

Description

雷射處理裝置
本發明係有關於一種雷射處理裝置以及半導體裝置的製造方法，例如有關於一種用以照射雷射光且製造半導體裝置之雷射處理裝置以及半導體裝置的製造方法。
已知於智慧型手機、電視等的高精細面板的製造工序中，為了形成用以控制面板的畫素的TFT(thin film transistor；薄膜電晶體)而進行由雷射光照射而行的熱處理。於專利文獻1以及專利文獻2揭示有一種雷射處理裝置，係對包含有形成在玻璃基板等的非晶質膜的被處理體照射雷射光且進行退火處理。專利文獻1以及專利文獻2的雷射處理裝置係在藉由噴出氣體而使被處理體浮起的浮起台上進行退火處理。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:國際公開第2015/174347號。
專利文獻2:日本特開2016-162856號公報。
[發明所欲解決之課題]
雷射處理裝置在提升雷射處理的性能的方面仍存在有改善的餘地。例如隨著進行雷射處理的基板搬送中之缺失產生雷射處理性能的降低。
其他的課題與新穎特徵可由本說明書之記載以及圖式明瞭。
[用以解決課題的手段]
本發明之一實施形態的雷射處理裝置係具有：雷射光照射部；以及搬送台，係可使基板浮起且搬送前述基板。在此，前述搬送台係具有：雷射光照射區域，係用以使從前述雷射光照射部照射的雷射光照射於前述基板；以及基板搬送區域，係從前述雷射光照射區域分離；前述雷射光照射區域中之與前述基板對向的表面係由可噴出用以使前述基板浮起的第一氣體之第一構件所構成；前述基板搬送區域中之與前述基板對向的表面係由可噴出用以使前述基板浮起的第二氣體之複數個第二構件所構成；前述基板搬送區域的前述複數個第二構件係分別分離配置。
[發明功效]
依據本發明的前述實施形態，可提供一種可提升雷射處理的性能之雷射處理裝置以及半導體裝置的製造方法。
為了說明的明確化，以下的記載以及圖式係適當實施了省略以及簡略化。另外，於各圖式中，係對同一要件賦予同一符號，且因應需要而省略重複說明。
首先，使用比較例的雷射處理裝置說明雷射處理裝置的課題。之後，與比較例對比且說明實施形態的雷射處理裝置。藉此，令實施形態的雷射處理裝置更為明確。
(比較例)
首先，說明比較例的雷射處理裝置。圖23為例示了將被處理體30配置在比較例的雷射處理裝置101的搬送台40上之狀態的剖面圖。如圖23所示，若在搬送台40上使被處理體30浮起且搬送被處理體30，則存在有噴出氣體滯留於被處理體30的中央部與搬送台40之間且被處理體30成為圓頂(dome)形狀的情形。然後，被處理體30的中央部過度地浮起且撓曲，隨之被處理體30的緣部39以及角部垂下。如此，則被處理體30的緣部39以及角部接觸搬送台40且損傷。結果，由於從損傷的部分發生的粉塵等的影響而產生雷射光的照射不均，降低雷射處理的性能。
(實施形態一)
接下來，說明實施形態一的雷射處理裝置。實施形態一中，被處理體30為例如抑制變形為圓頂形狀的態樣。圖1為例示了實施形態一的雷射處理裝置的剖面圖。圖2為例示了實施形態一的雷射處理裝置的搬送台的俯視圖。圖2中係省略搬送台的一部分。
如圖1以及圖2所示，雷射處理裝置1係具有搬送台40以及雷射光照射部20。雷射處理裝置1亦可進一步包含有未圖示的光源，亦可為雷射光照射部20包含有光源。雷射處理裝置1係用以對被處理體30照射雷射光21且進行進行雷射處理的裝置。
搬送台40係可使被處理體30浮起且搬送被處理體30的台。搬送台40係使被處理體30於搬送台40的上表面40f上浮起且搬送被處理體30。亦可將搬送台40的上表面40f稱為台面。
在此，為了方便說明雷射處理裝置1而導入XYZ正交座標軸系統。將平行於台面的面作為XY平面。將正交於台面的方向作為Z軸方向。例如XY平面為水平面。Z軸方向為鉛直方向，+Z軸方向為上方。
被處理體30係在搬送台40的上表面40f上浮起並且於搬送方向16被搬送。例如，藉由把持機構15使端部被把持了的被處理體30於搬送方向16被搬送。搬送方向16係例如+X軸方向。此外，把持機構15不限於把持被處理體30的端部，亦可為把持被處理體30的中央部分。
被處理體30係包含有例如基板31以及形成於基板31上的半導體膜32。在將基板31的主面保持成平行於台面的狀態下，使基板31從台面浮起且被搬送。基板31係例如玻璃基板等或矽基板等的半導體基板。半導體膜32係例如非晶矽(amorphous silicon)。雷射處理係以被處理體30中的半導體膜32的多結晶化、單結晶化、改質化、雜質的惰性化、雜質的穩定化作為目的。例如藉由雷射光21的照射而使非晶質的半導體膜32的至少一部分變質為多結晶。此外，雷射處理不限於以上述為目的之處理。亦可包含有用以對被處理體30照射雷射光21並進行熱處理的任何處理。另外，被處理體30只要為可被實施雷射處理之被處理體即可，不限於包含有基板31與形成在基板31上的半導體膜32之被處理體。
雷射光照射部20係照射雷射光21。雷射光照射部20係對被處理體30照射例如準分子(excimer)雷射光。此外，雷射光照射部20所照射的雷射光21不限於準分子雷射光，亦可照射與目的之雷射處理因應的雷射光21。
將於搬送台40的上表面中之用以對基板31照射雷射光21的區域稱為雷射光照射區域50，將於搬送台40的上表面中之用以搬送基板31的區域稱為基板搬送區域60。搬送台40係包含有：複數個構件50a，係構成搬送台40的上表面的雷射光照射區域50；以及複數個構件60a，係構成搬送台40的上表面的基板搬送區域60。
搬送台40係除了包含有構件50a以及構件60a之外，還包含有石平盤11、金屬平盤12、架台13、高度調整機構14以及把持機構15。架台13係配置於地面上。石平盤11以及金屬平盤12係配置於架台13上。此外，石平盤11以及金屬平盤12亦可配置在個別的架台13上。為了使圖式易於觀看，圖中係省略了數個符號。另外，於圖中亦有省略陰影線的部分。石平盤11以及金屬平盤12係支持搬送台40。
石平盤11係例如材料以花崗岩(花崗石(granite))等的石材作為主成分。石平盤11為可高精度地加工上表面的平坦性的平盤，在雷射處理中的撓曲亦少且可維持平坦性。然而，幾乎沒有能夠供製作可將構件50a以及構件60a整體予以支持的石平盤11的大型的石材。因此，支持如雷射光照射區域50般的需要平坦性的構件50a。此外，石平盤11的材料不限於包含有花崗岩，只要相較於金屬平盤12能使平坦性成為高精度，則亦可用花崗岩以外的石材作為主成分。
金屬平盤12例如材料以鋁作為主成分。金屬平盤12的材料不限於包含有鋁，亦可為例如不鏽鋼等的金屬。金屬平盤12亦可用足以支持構件50a以及構件60a整體的方式大型化。然而，存在有在金屬平盤12中發生無法無視的下垂的情形，相較於石平盤11而言平坦性低。因此，可以用以下方式組合運用：如雷射光照射區域50般的相較於金屬平盤12更需要平坦性的構件50a係藉由石平盤11支持，除此以外的構件60a則由金屬平盤12支持。
高度調整機構14係設置在架台13、石平盤11以及金屬平盤12之間。因此，石平盤11以及金屬平盤12係經由高度調整機構14配置。另外，雖未圖示，但高度調整機構14亦可設置在架台13與地面之間。高度調整機構14係藉由例如墊板或楔形機構調整Z軸方向的高度。構件50a以及構件60a係分別配置於石平盤11以及金屬平盤12上。藉由調整高度調整機構14，而可以調整石平盤11以及金屬平盤12和搬送台40的上表面40f的高度。此外，亦可在構件50a以及構件60a本身設置高度調整機構14。
如上所述，搬送台40係包含有複數個構件50a以及複數個構件60a。複數個構件60a係配置在金屬平盤12上。因此，複數個構件60a係藉由金屬平盤12而被支持。於圖1中，雖將金屬平盤12上的複數個構件60a整合而作為一個構件顯示，但實際上係在金屬平盤12上配置有複數個構件60a。於以下亦有將複數個構件60a整合而作為一個構件顯示的情形。
複數個構件50a係被配置在石平盤11上。複數個構件50a係藉由石平盤11而被支持。
搬送台40係在俯視觀看亦即從Z軸方向觀看上表面40f時具有雷射光照射區域50以及基板搬送區域60，但於圖2中係省略基板搬送區域60的一部分。由於複數個構件50a被配置於石平盤11上，故雷射光照射區域50亦可稱為石平盤11上的區域。雷射光照射區域50係將從雷射光照射部20照射的雷射光21照射至被處理體30之區域。用更本質的方式來說，雷射光照射區域50係為了照射雷射光21而使被處理體30高精度地浮起之領域。
複數個構件50a係於X軸方向分離配置。分離的間隙係於Y軸方向延伸。雷射光21係以朝向分離的間隙的方式照射。雷射光21的焦點22係成為從Z軸方向觀看時於Y軸方向延伸的線狀。雷射光21的焦點22係位於複數個構件50a分離的間隙。此外，亦可於單體的構件50a形成有在Y軸方向延伸的溝，且溝具有與間隙同樣的功能。亦即雷射光21的焦點22亦可位於溝。
圖3為例示了構成實施形態一的雷射處理裝置1的雷射光照射區域50之構件50a的剖面圖。圖4為例示了構成實施形態一的雷射處理裝置1的雷射光照射區域50之構件50a的俯視圖。如圖3以及圖4所示，構件50a係可噴出用以使被處理體30浮起的預定氣體17。預定氣體17係例如氮氣、空氣、惰性氣體等。構件50a係包含有多孔質體58以及台座59。於台座59上配置有多孔質體58。構件50a係由例如碳(C)、陶瓷、鉻(Cr)等的多孔質體58所構成。台座59係例如由金屬所構成。
於構件50a連接有排氣用配管70。排氣用配管70係貫通台座59而連接至多孔質體58。預定氣體17係通過排氣用配管70而被供給至多孔質體58。於構件50a中，可從多孔質體噴出預定氣體17。預定氣體17係以從多孔質體中的微小的孔洩出的方式排出。經由多孔質體58從構件50a對被處理體30噴出預定氣體17。藉此，可以在構件50a的上表面50f上使被處理體30浮起。雷射光照射區域50中之與被處理體30對向的表面係包含有構件50a的上表面50f。
通過排氣用配管70的預定氣體17的流量或壓力係可以控制。例如於排氣用配管70連接有流量計91、壓力計92以及節流閥93。然後，排氣用配管70係可藉由節流閥93調整預定氣體17的流量或壓力。
另外，於構件50a連接有吸氣用配管80。與排氣用配管70不同，吸氣用配管80係貫通構件50a的多孔質體58以及台座59。可以通過吸氣用配管80吸引在構件50a的上表面50f與被處理體30之間噴出的預定氣體17。
通過吸氣用配管80的預定氣體17的流量或壓力係可以控制。例如於吸氣用配管80連接有流量計91、壓力計92以及節流閥93。然後，吸氣用配管80係可藉由節流閥93調整預定氣體17的流量或壓力。此外，吸氣用配管80中的預定氣體17的流量或壓力亦可為藉由真空調節器94調整。
構件50a係進行排氣以及吸氣的構件。於雷射光照射區域50中，被處理體30從構件50a的上表面50f起的浮起量係設定為例如10μm至30μm。於雷射光照射區域50中，構件50a係可以藉由使用節流閥93等調整排氣以及吸氣而提高浮起量的控制精度。
於雷射光照射區域50中，從雷射光照射部20照射的雷射光21係照射至被處理體30。此時，被處理體30的被處理的部分需要進入雷射光21的焦點深度(Depth of Focus；DOF)的範圍內。焦點深度係例如以雷射光21的焦點作為中心並沿著光軸的30μm的範圍。被處理體30的被處理的部分係例如形成於基板31上的半導體膜32。
於雷射光照射區域50中，在對被處理體30照射雷射光21的情形中，需要以不使被處理體30因熱等的影響變形以及變位的方式拘束被處理體30。如此，雷射光照射區域50中的被處理體30的浮起精度以及浮起剛性變得重要。因此，於雷射光照射區域50中，對被處理體30噴出預定氣體17並且吸引被噴出至被處理體30與構件50a之間的預定氣體17，而成為非接觸吸附狀態。
另外，於雷射光照射區域50中，由於需要使被處理體30進入雷射光21的焦點深度之範圍內的控制精度，故將構件50a配置於石平盤11上。石平盤11係可高精度地加工上表面的平坦性，下垂也少。因此，亦可提升配置於石平盤11上的構件50a的上表面50f的平坦性。
從Z軸方向觀看時，基板搬送區域60係被配置有複數個構件60a之領域。另外，由於複數個構件60a係配置在金屬平盤12上，故基板搬送區域60亦可視為金屬平盤12上的區域。基板搬送區域60係從雷射光照射區域50分離的區域。例如雷射光照射區域50以及基板搬送區域60係在搬送台40的上表面40f中排列於X軸方向。雷射光照射區域50係被基板搬送區域60從X軸方向中的兩側夾住。
從Z軸方向觀看時，複數個構件60a係於金屬平盤12上被配置成例如矩陣狀。複數個構件60a係分別分離配置。各構件60a的X軸方向以及Y軸方向的長度係例如1000mm以及200mm。此外，構件60a的X軸方向以及Y軸方向的長度不限於此，可為例如200mm以及1000mm，亦可為其他的長度。
於X軸方向以及Y軸方向相鄰的構件60a之間的間隙的寬度係例如10mm。此外，間隙的寬度可視構件60a的各邊的長度而變化，例如Y軸方向的間隙為2mm至60mm。將構件60a的Y軸方向的長度設為L，將Y軸方向中的間隙的寬度的最小值設為Lmin，將Y軸方向中的間隙的寬度的最大值設為Lmax。如此，則成立下述的式(1)以及式(2)。
Lmin＝n1×L　　　式(1)
Lmax＝n2×L　　　式(2)
在此， n1以及n2的關係例如0＜n1，n2＜1， n1係例如0.01， n2係例如0.3。構件60a的X軸方向的長度與間隙的寬度之間的關係亦可為成立式(1)以及式(2)。
圖5為例示了構成實施形態一的雷射處理裝置1的基板搬送區域60之構件60a的剖面圖。如圖5所示，搬送台40中的各構件60a係可噴出用以使被處理體30浮起的預定氣體17。各構件60a係分別具有可使預定氣體17噴出的複數個貫通孔90。基板搬送區域60中之與被處理體30對向的表面係包含有複數個構件60a的上表面60f。於圖中，雖為了易於觀看而僅顯示數條貫通孔90，但各構件60a亦可具有多數條貫通孔90。預定氣體17係例如氮氣、空氣、惰性氣體等。構件60a係例如由以鋁等作為主成分的金屬所構成。
通過貫通孔90的預定氣體17的流量或壓力係可以控制。例如於貫通孔連接有未圖示的流量計、壓力計以及節流閥。然後，貫通孔90係可藉由節流閥調整預定氣體17的流量或壓力。
各構件60a係僅進行排氣的構件。基板搬送區域60中，藉由使用節流閥等調整構件60a的排氣而控制浮起量。因此，基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量的控制精度亦可較雷射光照射區域50中的被處理體30的浮起量的控制精度還低。例如在將雷射光照射區域50中的被處理體30的浮起量設定為10μm至30μm的情形中，控制精度係20μm±10μm。在被處理體30從各構件60a的上表面60f起的浮起量設定為例如300μm至500μm的情形中，控制精度係400μm±100μm。
基板搬送區域60中，設置間隙地排列各構件60a。藉此，對被處理體30噴出且排氣至被處理體30與各構件60a之間的預定氣體17係可從間隙逸散至各構件60a的下方。藉此，可消除氣體的滯留且可抑制被處理體30變形為圓頂形狀。藉此，可以獲得被處理體30的角部以及緣部39的適切的浮起量。
於基板搬送區域60中，由於為較雷射光照射區域50中的浮起量的控制精度低的控制精度即可，且所需要的尺寸亦為如對應大型的被處理體30般地大，故採用廉價的金屬平盤12。此外，在基板搬送區域60只要低的控制精度即可，這是因為存在有只要沒有被處理體30與構件60a之間的接觸即可的原因。
於實施形態一的雷射處理裝置1中，可以抑制被處理體30的形狀變形成圓頂狀。
(實施形態二)
接下來，說明實施形態二。首先，說明實施形態一的雷射處理裝置1的另一課題。之後，說明實施形態二的雷射處理裝置2。
圖6為例示了實施形態一的雷射處理裝置1之課題的剖面圖。圖7為例示了實施形態一的雷射處理裝置1之課題的俯視圖。如圖6以及圖7所示，搬送台40係被配置於石平盤11以及金屬平盤12上。從平坦性的觀點來看，搬送台40較佳為遍及整體地配置於石平盤11上。石平盤11係於加工時易於做出上表面平坦性的精度。因此，於石平盤11上的搬送台40可精度佳地處理被處理體30。
然而，幾乎沒有能夠供製作可用以支持搬送台40整體的石平盤11之大型的石材。因此，即使存在有此種材料亦為高價，使加工以及運送變得高價故在價格上有困難。因此，為了照射雷射光21而僅在需要高精度的平坦性的雷射光照射區域50使用石平盤11。
另一方面，基板搬送區域60中，不需要如雷射光照射區域50之程度的平坦性中的精度。再者，由於需要對應了大型化的被處理體30的台面而使用了廉價的金屬平盤12。然而，於金屬平盤12中亦有產生與石平盤11相比無法無視的下垂的情形。然後，存在有在構件50a的上表面50f與複數個構件60a的上表面60f之間產生段差D的情形。段差D係例如構件50a的上表面50f較構件60a的上表面60f低。此外，段差D亦可為上表面60f較上表面50f低。
如圖7所示，由於金屬平盤12易撓曲，故金屬平盤12的石平盤11側的端部係以微級(micro level)撓曲，以俯視觀看時在金屬平盤12與石平盤11之間產生微級的段差D的分佈。例如在金屬平盤12與石平盤11之間中的+Y軸方向側121與中央部122之間、或中央部122與-Y軸方向側123之間係產生Z軸方向的段差D。如此，則金屬平盤12與石平盤11之間的段差D亦會反應在構件60a與構件50a之間。結果，在構件60a的上表面60f與構件50a的上表面50f之間亦會產生段差D。反應於構件60a與構件50a的段差D即使是微級，對於雷射光照射區域50中的浮起量(10μm至30μm)仍為無法無視的段差D。
作為產生段差D的原因，除了金屬平盤12的下垂之外，尚可列舉金屬平盤12的上表面的公差、構件60a的厚度的公差以及高度調整機構的誤差等。
如圖6所示，若在雷射光照射區域50與基板搬送區域60之間產生段差D，則存在有導致被處理體30從基板搬送區域60移動至雷射光照射區域50時與構件60a的端部接觸的可能性。由於雷射光照射區域50中的浮起量低至10μm至30μm，故即使段差D為10[μm]左右仍存在有接觸的可能性。然後，因被處理體30與構件60a之間的接觸而發生被處理體30的破損或粉塵的發生的問題。例如粉塵的發生係引起雷射光21的照射不均，降低雷射照射裝置的性能。
接下來，說明實施形態二的雷射處理裝置2。與實施形態一的雷射處理裝置1相比，不同點在於實施形態二的雷射處理裝置2係在金屬平盤12上具有基板搬送區域60以及轉移(shift)區域61。
圖8為例示了實施形態二的雷射處理裝置2的搬送台40的剖面圖。圖9為例示了實施形態二的雷射處理裝置2的搬送台40的俯視圖。如圖8以及圖9所示，實施形態二的雷射處理裝置2係除了於金屬平盤12上配置有複數個構件60a之外，亦配置有構成轉移區域61之複數個構件61a。此外，圖8中係省略配置於石平盤11之+X軸方向側的金屬平盤12、構件60a以及構件61a等。圖9中係省略該等的一部分。實際上，於石平盤11的+X軸方向側配置有金屬平盤12、複數個構件60a以及複數個構件61a。
複數個構件61a係配置於金屬平盤12上的雷射光照射區域50側。因此，複數個構件61a係配置於複數個構件60a與構件50a之間。各構件61a之外形亦可與構件60a同樣。此外，於圖8中，雖將金屬平盤12上的複數個構件61a整合而顯示為一個構件，實際上於金屬平盤12上配置有複數個構件61a。以下，亦有將複數個構件61a整合而顯示為一個構件的情形。
俯視觀看亦即從Z軸方向觀看時，將配置有構件61a的區域稱為轉移區域61。因此，於金屬平盤12配置有基板搬送區域60以及轉移區域61。如此，搬送台40係進一步具有配置在雷射光照射區域50與基板搬送區域60之間的轉移區域61。轉移區域61係配置在基板搬送區域60與雷射光照射區域50之間。另外，雷射光照射區域50係被轉移區域61夾著。
在相鄰的各構件61a之間以及相鄰的構件61a與構件60a之間設有間隙。間隙亦可具有與相鄰的構件60a之間的間隙同樣的寬度。因此，構件61a的X軸方向以及Y軸方向的長度與間隙的關係滿足式(1)以及式(2)。
與構件60a同樣地，各構件61a係進行排氣的構件。亦即，各構件61a係可噴出用以使被處理體30浮起的預定氣體17。各構件61a係分別具有可噴出預定氣體17的複數個貫通孔(未圖示)。與構件60a同樣地，各構件61a中的貫通孔、流量計、壓力計以及節流閥的功能係可調整預定氣體17的流量或壓力。此外，構件61a亦可進行吸氣。例如構件61a亦可具有與構件50a同樣的構造，並設有排氣用配管以及吸氣用配管。然後，亦可控制通過排氣用配管以及吸氣用配管的預定氣體17的流量或壓力。
轉移區域61中之與被處理體30對向的表面係包含有複數個構件61a的上表面61f。轉移區域61中的被處理體30的浮起量的控制精度係較基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量的控制精度高。例如轉移區域61中的被處理體30的浮起量係被設定為50μm至150μm。例如藉由控制構件61a的預定氣體17的噴出量，可以將浮起量設定為50μm至150μm。因此，浮起量的控制精度為100μm±50μm。相對於此，基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量係被設定為300μm至500μm，浮起量的控制精度係400μm±100μm。實施形態二的雷射處理裝置2的其他的構成則與實施形態一同樣。
本實施形態中，基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量係被設定為300μm至500μm。轉移區域61中的被處理體30的浮起量係被設定為50μm至150μm。雷射光照射區域50中的被處理體30的浮起量係被設定為10μm至30μm。因此，轉移區域61係為了防止被處理體30從基板搬送區域60往雷射光照射區域50移動時被處理體30的浮起量激烈變化而設。
(實施形態三)
接下來，說明實施形態三。首先，說明實施形態二的雷射處理裝置2的課題。之後，說明實施形態三的雷射處理裝置3。
圖10為例示了實施形態二的雷射處理裝置2之課題的剖面圖。如圖10所示，相對於轉移區域61的被處理體30的浮起量為50μm至150μm左右，雷射光照射區域50的被處理體30的浮起量為低至10μm至30μm左右。如此，轉移區域61與雷射光照射區域50之間的段差D即使為10μm左右仍有接觸的可能性。如此，與實施形態一相同地，藉由被處理體30與搬送台40之間的接觸，發生了被處理體30的破損和發生粉塵的問題，而降低雷射照射裝置的性能。
接下來，說明實施形態三的雷射處理裝置3。與實施形態一以及實施形態二的雷射處理裝置相比，不同點在於實施形態三的雷射處理裝置3係在石平盤11上具有低浮起量區域51以及中浮起量區域52。圖11為例示了實施形態三的雷射處理裝置3的剖面圖。圖12為例示了實施形態三的雷射處理裝置3的搬送台40的俯視圖。
如圖11以及圖12所示，實施形態三的雷射處理裝置3中，石平盤11上的構件50a係被區分為低浮起量區域51以及中浮起量區域52。換句話說，低浮起量區域51以及中浮起量區域52係構件50a中的區域。中浮起量區域52係配置在構件50a中的基板搬送區域60側。例如若基板搬送區域60被配置在構件50a的-X軸方向側，中浮起量區域52係配置在構件50a中的-X軸方向側的區域。此外，雖然構件50a被區分為低浮起量區域51以及中浮起量區域52，但構件50a係由一個構件所構成。
在俯視觀看(亦即從Z軸方向觀看(以下亦同))時，雷射光照射區域50係包含有低浮起量區域51以及與低浮起量區域51鄰接的中浮起量區域52。低浮起量區域51以及中浮起量區域52係於X軸方向排列配置。中浮起量區域52係配置在轉移區域61與低浮起量區域51之間。低浮起量區域51與雷射光21的焦點係在俯視觀看時重疊。
低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量係被設定為10μm至30μm。中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量係被設定為50μm至150μm。因此，中浮起量區域52中的基板31的浮起量係較低浮起量區域51中的浮起量大。
圖13為例示了構成實施形態三的雷射處理裝置3的雷射光照射區域50之構件50a的剖面圖。圖14為例示了構成實施形態三的雷射處理裝置3的雷射光照射區域50之構件50a的俯視圖。如圖13以及圖14所示，構件50a係在俯視觀看時包含有低浮起量區域51以及中浮起量區域52。構件50a中的低浮起量區域51以及中浮起量區域52係可噴出用以使被處理體30浮起的預定氣體17。構件50a中的低浮起量區域51以及中浮起量區域52係包含有多孔質體58以及台座59。多孔質體58配置於台座59上。
於低浮起量區域51連接有排氣用配管71，於中浮起量區域52連接有排氣用配管72。具體而言，排氣用配管71係貫通台座59且連接至多孔質體58。預定氣體17通過排氣用配管71而被供給至多孔質體58。於低浮起量區域51中，預定氣體17可從多孔質體58噴出。預定氣體17係以從多孔質體58中的微小的孔洩出的方式排出。從低浮起量區域51經由多孔質體58對被處理體30噴出預定氣體17。
與低浮起量區域51同樣地，在中浮起量區域52中亦從中浮起量區域52經由多孔質體58對被處理體30噴出預定氣體17。如此，預定氣體係通過排氣用配管71以及排氣用配管72而供給至構件50a。例如供給至構件50a的多孔質體。然後，從構件50a對被處理體30噴出預定氣體17。
分別通過排氣用配管71以及排氣用配管72的預定氣體的流量或壓力係可獨立控制。例如於排氣用配管71以及排氣用配管72係連接有流量計91、壓力計92以及節流閥93。然後，排氣用配管71以及排氣用配管72係可藉由節流閥93調整預定氣體17的流量或壓力。
另外，於低浮起量區域51連接有吸氣用配管81，於中浮起量區域52連接有吸氣用配管82。具體而言，與排氣用配管71不同，吸氣用配管81係貫通低浮起量區域51的多孔質體58以及台座59。可以通過吸氣用配管81吸引被噴出至低浮起量區域51的上表面51f與被處理體30之間的預定氣體17。
與低浮起量區域51同樣地，在中浮起量區域52中亦可以通過吸氣用配管82吸引被噴出至中浮起量區域52的上表面52f與被處理體30之間的預定氣體17。如此，預定氣體17通過吸氣用配管81以及吸氣用配管82被吸引至構件50a。
分別通過吸氣用配管81以及吸氣用配管82的預定氣體的流量或壓力係可獨立控制。例如於吸氣用配管81以及吸氣用配管82係連接有流量計91、壓力計92以及節流閥93。然後，吸氣用配管81以及吸氣用配管82係可藉由節流閥93調整預定氣體17的流量或壓力。此外，亦可藉由真空調節器94調整吸氣用配管81以及吸氣用配管82中的預定氣體17的流量或壓力。
本實施形態中，基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量係設定為300μm至500μm。轉移區域61中的被處理體30的浮起量係設定為50μm至150μm。因此，基板搬送區域60中的基板31的浮起量係較轉移區域61中的浮起量大。
雷射光照射區域50的中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量係設定為50μm至150μm。因此，中浮起量區域52中的基板31的浮起量係與轉移區域61中的浮起量大致相同。然後，雷射光照射區域50的低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量係設定為10μm至30μm。因此，轉移區域61中的基板31的浮起量係較低浮起量區域51中的浮起量大。
低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量的控制精度係較中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量的控制精度高。例如低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量設定為10μm至30μm的情形中，控制精度係20μm±10μm。中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量設定為50μm至150μm的情形中，控制精度係100μm±50μm。
轉移區域61中的被處理體30的浮起量的控制精度係較基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量的控制精度高。例如轉移區域61中的被處理體30的浮起量設定為50μm至150μm的情形時，控制精度係100μm±50μm。基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量設定為300μm至500μm的情形時，控制精度係400μm±100μm。
另外，中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量的控制精度係與轉移區域61中的被處理體30的浮起量的控制精度為大致相同的精度。然後，中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量係被設定為與轉移區域61中的被處理體30的浮起量相同的浮起量。
圖15為例示了實施形態三的雷射處理裝置3以及被處理體30的剖面圖。如圖15所示，轉移區域61以及中浮起量區域52係為了防止被處理體30從基板搬送區域60往低浮起量區域51移動時被處理體30的浮起量激烈變化而設。
轉移區域61的被處理體30的浮起量係50μm至150μm左右，中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量亦為50μm至150μm。因此，於金屬平盤12與石平盤11之間的相鄰的端部中，浮起量變得相等。然後，被處理體30的浮起量係較預想的段差D大幅地大。例如端部的浮起量係被設定為較預想的段差D的10μm還大之50μm至150μm。
如此，即使金屬平盤12上的轉移區域61與石平盤11上的雷射光照射區域50之間產生了微小的段差D，仍可抑制被處理體30與構件61a、構件60a以及構件50a接觸。因此，可以抑制因被處理體30與搬送台40之間的接觸而導致被處理體30破損或發生粉塵，而可提升雷射處理裝置3的性能。除此以外的構成以及功效係包含於比較例1以及比較例2的記載。
(實施形態四)
接下來，說明實施形態四的雷射處理裝置4。與實施形態三的雷射處理裝置3相比，不同點在於實施形態四的雷射處理裝置4係在石平盤11上除了具有低浮起量區域51以及中浮起量區域52之外還具有高浮起量區域53。另外，於金屬平盤12上未設置有構件61a。圖16為例示了實施形態四的雷射處理裝置4的剖面圖。圖17為例示了實施形態四的雷射處理裝置4的搬送台40的俯視圖。
如圖16以及圖17所示，於實施形態四的雷射處理裝置4中，石平盤11上的構件50a係被區分為低浮起量區域51、中浮起量區域52以及高浮起量區域53。換句話說，低浮起量區域51、中浮起量區域52以及高浮起量區域53係構件50a中的區域。高浮起量區域53係配置於構件50a中的基板搬送區域60側。因此，中浮起量區域52係配置於高浮起量區域53與低浮起量區域51之間。此外，雖然構件50a被區分為低浮起量區域51、中浮起量區域52以及高浮起量區域53，但構件50a係由一個構件所構成。
於俯視觀看，雷射光照射區域50係包含有：低浮起量區域51、與低浮起量區域51鄰接的中浮起量區域52以及與中浮起量區域52鄰接的高浮起量區域53。
低浮起量區域51、中浮起量區域52以及高浮起量區域53係於X軸方向排列配置。中浮起量區域52係配置於低浮起量區域51與高浮起量區域53之間。低浮起量區域51與雷射光21的焦點22係在俯視觀看時重疊。構件50a係在俯視觀看時包含有低浮起量區域51、中浮起量區域52以及高浮起量區域53。
高浮起量區域53中的被處理體30的浮起量係較中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量大。中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量係較低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量大。
例如低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量係設定為10μm至30μm。中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量係設定為50μm至150μm。高浮起量區域53中的被處理體30的浮起量係設定為300μm至500μm。
圖18為例示了構成實施形態四的雷射處理裝置4的雷射光照射區域50之構件50a的剖面圖。圖19為例示了構成實施形態四的雷射處理裝置4的雷射光照射區域50之構件50a的俯視圖。如圖18以及圖19所示，構件50a中的低浮起量區域51、中浮起量區域52以及高浮起量區域53係可噴出用以使被處理體30浮起的預定氣體17。低浮起量區域51、中浮起量區域52以及高浮起量區域53係包含有多孔質體58以及台座59。於台座59上配置有多孔質體58。
於高浮起量區域53連接有排氣用配管73。如前所述地，於低浮起量區域51以及中浮起量區域52係分別連接有排氣用配管71以及排氣用配管72。與排氣用配管71以及排氣用配管72相同地，排氣用配管73係貫通台座59且連接至多孔質體58。預定氣體17通過排氣用配管73而被供給至高浮起量區域53的多孔質體58。於高浮起量區域53可從多孔質體58噴出預定氣體17。預定氣體17係以從多孔質體58中的微小的孔洩出的方式排出。從高浮起量區域53經由多孔質體58對被處理體30噴出預定氣體17。
如此，預定氣體17係通過排氣用配管71、排氣用配管72以及排氣用配管73而供給至構件50a。例如供給至構件50a的多孔質體58。然後，從構件50a對被處理體30噴出預定氣體17。
分別通過排氣用配管71、排氣用配管72以及排氣用配管73的預定氣體17的流量或壓力係可獨立控制。例如於各排氣用配管連接有流量計91、壓力計92以及節流閥93。然後，各排氣用配管係可藉由節流閥93調整預定氣體17的流量或壓力。
另外，於高浮起量區域53連接有吸氣用配管83。如前所述地，於低浮起量區域51以及中浮起量區域52中係分別連接有吸氣用配管81以及吸氣用配管82。與吸氣用配管81以及吸氣用配管82相同地，吸氣用配管83係貫通高浮起量區域53的多孔質體58以及台座59。可以通過吸氣用配管83吸引被噴出至高浮起量區域53的上表面53f與被處理體30之間的預定氣體17。如此，預定氣體係通過吸氣用配管81、吸氣用配管82以及吸氣用配管83被吸引至構件50a。
分別通過吸氣用配管81、吸氣用配管82以及吸氣用配管83的預定氣體17的流量或壓力係可獨立控制。例如於各吸氣用配管係連接有流量計91、壓力計92以及節流閥93。然後，各吸氣用配管係可藉由節流閥93調整預定氣體17的流量或壓力。此外，亦可藉由真空調節器94調整各吸氣用配管中的預定氣體17的流量或壓力。
本實施形態中，高浮起量區域53中的被處理體30的浮起量係設定為300μm至500μm。中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量係設定為50μm至150μm。低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量係設定為10μm至30μm。因此，高浮起量區域53中的基板31的浮起量係較中浮起量區域52以及低浮起量區域51大。
低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量的控制精度係較中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量的控制精度高。例如低浮起量區域51中的被處理體30的浮起量設定為10μm至30μm的情形中，控制精度係20μm±10μm。中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量設定為50μm至150μm的情形中，控制精度係100μm±50μm。
另外，中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量的控制精度係較高浮起量區域53中的被處理體30的浮起量的控制精度高。例如中浮起量區域52中的被處理體30的浮起量設定為50μm至150μm的情形中，控制精度係100μm±50μm。高浮起量區域53中的被處理體30的浮起量設定為300μm至500μm的情形中，控制精度係400μm±100μm。
高浮起量區域53中的被處理體30的浮起量的控制精度係與基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量的控制精度為大致相同的精度。然後，高浮起量區域53中的被處理體30的浮起量係被設定為與基板搬送區域60中的被處理體30的浮起量相同的浮起量。
高浮起量區域53以及中浮起量區域52係為了防止被處理體30從基板搬送區域60往雷射光照射區域50中的低浮起量區域51移動時被處理體30的浮起量激烈變化而設。
基板搬送區域60的被處理體30的浮起量係300μm至500μm左右，高浮起量區域53的被處理體30的浮起量亦為300μm至500μm。因此，浮起量在金屬平盤12與石平盤11之間的相鄰的端部中係成為相等。然後，不僅是浮起量相等，浮起量的設定亦被設定為300μm至500μm，較在實施形態三中的50μm至150μm高。如此，可抑制被處理體30與構件60a以及構件50a接觸。因此，可抑制因被處理體30與搬送台40之間的接觸而導致被處理體30破損或發生粉塵，且可提升雷射照射裝置4的性能。除此以外的構成以及功效係包含於實施形態一至實施形態三的記載。
(實施形態五)
接下來，說明實施形態五。實施形態五係使用了雷射處理裝置的雷射處理方法。圖20為例示了實施形態五的雷射處理方法的流程圖。如圖20的步驟S11所示，首先，準備雷射處理裝置。所準備的雷射處理裝置較佳為實施形態一至實施形態四之任一實施形態的雷射處理裝置。
具體而言，例如較佳為具有雷射光照射部20以及可使被處理體30浮起且搬送被處理體30的搬送台40。然後，在俯視觀看時，搬送台40係較佳為具有：雷射光照射區域50，用以將從雷射光照射部20照射的雷射光21照射至被處理體30；以及基板搬送區域60，係從雷射光照射區域50分離。較佳為以下的雷射處理裝置：雷射光照射區域50中之與被處理體30對向的表面係包含有構件50a的上表面50f，構件50a的上表面50f係可噴出用以使被處理體30浮起的預定氣體17；基板搬送區域60中之與被處理體30對向的表面係包含有複數個構件60a的上表面60f，複數個構件60a的上表面60f係可噴出用以使被處理體30浮起的預定氣體17；基板搬送區域60的複數個構件60a係分別分離配置。
接下來，如圖20的步驟S12所示，於雷射處理裝置的搬送台40上搬送被處理體30。具體而言，被處理體30係被從基板搬送區域60向雷射光照射區域50搬送。於基板搬送區域60以及雷射光照射區域50中，被處理體30的浮起量係控制為預定的浮起量。於實施形態二以及實施形態三的情形中，於轉移區域61係將被處理體30的浮起量控制為預定的浮起量。
接下來，如圖20的步驟S13所示，對被處理體30照射雷射光21且進行雷射處理。例如，在被處理體30包含有基板31與形成於基板31上的半導體膜32的情形中，對半導體膜32照射雷射光21且進行雷射處理。如此，對被處理體30進行雷射處理。
依據本實施形態的雷射處理方法，由於使用實施形態一至實施形態四之任一實施形態的雷射處理裝置，故可抑制被處理體30變形成圓頂狀。因此，可抑制被處理體30的緣部39以及角部接觸搬送台40而損傷，且抑制因從損傷的部分發生的粉塵等而產生雷射光21的照射不均。藉此，可抑制雷射處理的性能降低。
另外，藉由使用實施形態三以及實施形態四的雷射處理裝置，可使於金屬平盤12與石平盤11之間的相鄰的端部中將被處理體30的浮起量設定為相等。因此，可以抑制被處理體30與構件60a以及構件50a接觸。藉此，可以抑制因被處理體30與搬送台40之間的接觸而導致被處理體30破損或發生粉塵，而可提升雷射處理裝置1至雷射處理裝置4的性能。
＜半導體裝置的製造方法＞
接下來，作為另一實施形態，說明使用了在上述所說明的雷射處理裝置的半導體裝置的製造方法。本實施形態的半導體裝置的製造方法具有：準備雷射處理裝置的工序；將形成有非晶質的半導體膜32的基板31作為被處理體30於搬送台40上搬送的工序；以及對被處理體30照射雷射光而將非晶質的半導體膜32多結晶化的工序。在使非晶質的半導體膜32多結晶化的工序中係實施使用了雷射處理裝置的雷射處理方法。半導體裝置係例如具有薄膜電晶體(TFT)。變質成多結晶的半導體膜32係構成薄膜電晶體的至少一部分。薄膜電晶體係例如使用於顯示器的控制。
圖21係用以說明半導體裝置的製造方法之一例的剖面圖。上述所說明的實施形態一至實施形態四的雷射處理裝置係適合TFT陣列基板的製造。此外，圖中為了不複雜而省略了陰影線的一部分。以下，說明具有TFT的半導體裝置的製造方法。
首先，如圖21中的(a)所示，於玻璃基板201上形成閘極電極202。閘極電極202係例如可使用包含有鋁等的金屬薄膜。接下來，如圖21中的(b)所示，於閘極電極202上形成閘極絕緣膜203。閘極絕緣膜203係以覆蓋閘極電極202的方式形成。之後，如圖21中的(c)所示，於閘極絕緣膜203上形成非晶矽膜204。非晶矽膜204係隔著閘極絕緣膜203而以與閘極電極202重複的方式配置。
閘極絕緣膜203係氮化矽膜(SiNx)、氧化矽膜(SiO2 膜)或該等之積層膜等。具體而言，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)法而連續成膜閘極絕緣膜203與非晶矽膜204。具有非晶矽膜204的玻璃基板201係成為雷射處理裝置1中的被處理體30。
然後，如圖21中的(d)所示，使用在上述所說明的雷射處理裝置對非晶矽膜204照射雷射光而使非晶矽膜204結晶化，形成多晶矽膜205。藉此，在閘極絕緣膜203上形成已矽結晶化的多晶矽膜205。
此時，藉由使用在上述所說明的本實施形態的雷射處理裝置，而可減低雷射照射時中的玻璃基板201之下垂的影響，可抑制從對非晶矽膜204照射的雷射光的焦點深度(DOF)偏離。因此，可以形成已均一地結晶化的多晶矽膜205。
之後，如圖21中的(e)所示，在多晶矽膜205上形成層間絕緣膜206、源極電極207a以及汲極電極207b。層間絕緣膜206、源極電極207a以及汲極電極207b係可使用一般的光刻(Photolithography)法或成膜法而形成。
藉由使用上述所說明的半導體裝置的製造方法，可以製造具有TFT的半導體裝置。此外，對於從此以後的製造工序，由於視最終所製造的器件(device)而不同故省略說明。
＜有機EL顯示器＞
接下來，作為使用了具有TFT的半導體裝置之器件的一例，說明有機EL顯示器。圖22係用以說明有機EL顯示器之概要的剖面圖，將有機EL顯示器的畫素電路簡略化而顯示。於圖22所示的有機EL顯示器300係於各畫素Px配置有TFT的主動矩陣型的顯示裝置。
有機EL顯示器300係具有：基板310、TFT層311、有機層312、彩色濾光片層313以及封裝基板314。於圖22中係顯示有封裝基板314側成為目視側的頂部發光(top emission)方式的有機EL顯示器。此外，以下的說明係顯示了有機EL顯示器之一構成例，本實施形態並不限於以下所說明的構成。例如本實施形態的半導體裝置亦可使用於底部發光(bottom emission)方式的有機EL顯示器。
基板310係玻璃基板或金屬基板。基板310上係設置有TFT層311。TFT層311係具有配置於各畫素Px的TFT 311a。進一步地，TFT層311係具有連接於TFT 311a的配線等。TFT 311a以及配線等係構成畫素電路。此外，TFT層311係對應於在圖19所說明的TFT，且具有閘極電極202、閘極絕緣膜203、多晶矽膜205、層間絕緣膜206、源極電極207a以及汲極電極207b。
於TFT層311上設置有有機層312。有機層312係具有於每個畫素Px配置的有機EL發光元件312a。有機EL發光元件312a係例如具有積層了陽極、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層以及陰極的積層構造。於頂部發光方式的情形中，陽極為金屬電極，陰極為ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)等的透明導電膜。進一步地，於有機層312係在畫素Px間設置有用以分離有機EL發光元件312a的隔壁312b。
於有機層312上設置有彩色濾光片層313。彩色濾光片層313係設置有用以進行彩色顯示的彩色濾光片313a。亦即於各畫素Px設置有被著色為R(紅色)、G(綠色)或B(藍色)的樹脂層作為彩色濾光片313a。從有機層312放出的白色光若通過彩色濾光片313a則被變換為RGB之顏色的光。此外，於有機層312設置有發光RGB之各色的有機EL發光元件的三色方式的情形中，亦可省略彩色濾光片層313。
彩色濾光片層313上係設置有封裝基板314。封裝基板314係玻璃基板等的透明基板，為了防止有機層312的有機EL發光元件的劣化而設置。
於有機層312的有機EL發光元件312a流動的電流係藉由對畫素電路供給的顯示信號而變化。因此，藉由將因應顯示畫像的顯示信號供給至各畫素Px，可以控制在各畫素Px的發光量。藉此，可以顯示所期望的畫像。
此外，於上述雖作為使用具有TFT的半導體裝置之器件的一例而說明了有機EL顯示器，但具有TFT的半導體裝置例如亦可為液晶顯示器。另外，於上述係說明了將本實施形態的雷射處理裝置1應用於雷射退火裝置的情形。但是，本實施形態的雷射處理裝置1亦可應用於雷射退火裝置以外的裝置。
以上，雖基於實施形態具體說明了本發明人所研發的發明，但本發明不被前述實施形態所限定，而可在不逸脫本發明之要旨的範圍進行各種變更，自不待言。
本發明係主張以2018年4月19日申請的日本發明專利申請特願2018-080321為基礎的優先權，並將該揭示內容全部引入於此。
1、2、3、4、101‧‧‧雷射處理裝置
11‧‧‧石平盤
12‧‧‧金屬平盤
13‧‧‧架台
14‧‧‧高度調整機構
15‧‧‧把持機構
16‧‧‧搬送方向
17‧‧‧預定氣體
20‧‧‧雷射光照射部
21‧‧‧雷射光
22‧‧‧焦點
30‧‧‧被處理體
31、300、310‧‧‧基板
32‧‧‧半導體膜
39‧‧‧緣部
40‧‧‧搬送台
40f、50f、51f、52f、60f、61f‧‧‧上表面
50‧‧‧雷射光照射區域
50a、60a、61a‧‧‧構件
51‧‧‧低浮起量區域
52‧‧‧中浮起量區域
53‧‧‧高浮起量區域
58‧‧‧多孔質體
59‧‧‧台座
60‧‧‧基板搬送區域
61‧‧‧轉移區域
70、71、72、73‧‧‧排氣用配管
80、81、82、83‧‧‧吸氣用配管
90‧‧‧貫通孔
91‧‧‧流量計
92‧‧‧壓力計
93‧‧‧節流閥
94‧‧‧真空調節器
121‧‧‧+Y軸方向側
122‧‧‧中央部
123‧‧‧-Y軸方向側
201‧‧‧玻璃基板
202‧‧‧閘極電極
203‧‧‧閘極絕緣膜
204‧‧‧非晶矽膜
205‧‧‧多晶矽膜
206‧‧‧層間絕緣膜
207a‧‧‧源極電極
207b‧‧‧汲極電極
311‧‧‧TFT層
311a‧‧‧TFT
312‧‧‧有機層
312a‧‧‧有機EL發光元件
312b‧‧‧隔壁
313‧‧‧彩色濾光片層
313a‧‧‧彩色濾光片
314‧‧‧封裝基板
D‧‧‧段差
Px‧‧‧畫素
圖1為例示了實施形態一的雷射處理裝置的剖面圖。
圖2為例示了實施形態一的雷射處理裝置的搬送台的俯視圖。
圖3為例示了構成實施形態一的雷射處理裝置的雷射光照射區域之構件的剖面圖。
圖4為例示了構成實施形態一的雷射處理裝置的雷射光照射區域之構件的俯視圖。
圖5為例示了構成實施形態一的雷射處理裝置的基板搬送區域之構件的剖面圖。
圖6為例示了實施形態一的雷射處理裝置的課題的剖面圖。
圖7為例示了實施形態一的雷射處理裝置的課題的俯視圖。
圖8為例示了實施形態二的雷射處理裝置的搬送台的剖面圖。
圖9為例示了實施形態二的雷射處理裝置的搬送台的俯視圖。
圖10為例示了實施形態二的雷射處理裝置的課題的剖面圖。
圖11為例示了實施形態三的雷射處理裝置的剖面圖。
圖12為例示了實施形態三的雷射處理裝置的搬送台的俯視圖。
圖13為例示了構成實施形態三的雷射處理裝置的雷射光照射區域之構件的剖面圖。
圖14為例示了構成實施形態三的雷射處理裝置的雷射光照射區域之構件的俯視圖。
圖15為例示了實施形態三的雷射處理裝置以及被處理體的剖面圖。
圖16為例示了實施形態四的雷射處理裝置的剖面圖。
圖17為例示了實施形態四的雷射處理裝置的搬送台的俯視圖。
圖18為例示了構成實施形態四的雷射處理裝置的雷射光照射區域之構件的剖面圖。
圖19為例示了構成實施形態四的雷射處理裝置的雷射光照射區域之構件的俯視圖。
圖20為例示了實施形態五的雷射處理方法的流程圖。
圖21為用以說明半導體裝置的製造方法之一例的剖面圖。
圖22為用以說明有機EL(organic electroluminescence；有機電致發光)顯示器之概要的剖面圖，且將有機EL顯示器的畫素電路簡略化而顯示。
圖23為例示了將被處理體配置在比較例的雷射處理裝置的搬送台上之狀態的剖面圖。

Claims (24)

  1. 一種雷射處理裝置，係具有： 雷射光照射部；以及 搬送台，係可使基板浮起且搬送前述基板； 前述搬送台係具有： 雷射光照射區域，係用以使從前述雷射光照射部照射的雷射光照射於前述基板；以及 基板搬送區域，係從前述雷射光照射區域分離； 前述雷射光照射區域中之與前述基板對向的表面係由可噴出用以使前述基板浮起的第一氣體之第一構件所構成； 前述基板搬送區域中之與前述基板對向的表面係由可噴出用以使前述基板浮起的第二氣體之複數個第二構件所構成； 前述基板搬送區域的前述複數個第二構件係分別分離配置。
  2. 如請求項1所記載之雷射處理裝置，其中前述第一構件係包含有： 第一區域； 第二區域，係與前述第一區域鄰接；以及 第三區域，係與前述第二區域鄰接； 前述第三區域與前述雷射光的焦點係在俯視觀看時重疊； 前述第二區域中的前述基板的浮起量的控制精度係較前述第一區域中的前述基板的浮起量的控制精度高； 前述第三區域中的前述基板的浮起量的控制精度係較前述第二區域中的前述基板的浮起量的控制精度高。
  3. 如請求項2所記載之雷射處理裝置，其中於前述第一構件係分別在前述第一區域有連接第一排氣用配管、在前述第二區域連接有第二排氣用配管、在前述第三區域連接有第三排氣用配管； 前述第一氣體係通過前述第一排氣用配管、前述第二排氣用配管以及前述第三排氣用配管供給至前述第一構件； 從前述第一構件對前述基板噴出前述第一氣體； 分別通過前述第一排氣用配管、前述第二排氣用配管以及前述第三排氣用配管的前述第一氣體的流量或壓力係可獨立控制。
  4. 如請求項2所記載之雷射處理裝置，其中於前述第一構件係分別在前述第一區域連接有第一吸氣用配管、在前述第二區域連接有第二吸氣用配管、在前述第三區域連接有第三吸氣用配管； 通過前述第一吸氣用配管、前述第二吸氣用配管以及前述第三吸氣用配管吸引前述第一氣體； 分別通過前述第一吸氣用配管、前述第二吸氣用配管以及前述第三吸氣用配管的前述第一氣體的流量或壓力係可獨立控制。
  5. 如請求項2至4中任一項所記載之雷射處理裝置，其中前述第一區域中的前述基板從前述第一構件表面起的浮起量係較前述第二區域中的前述基板從前述第一構件表面起的浮起量大； 前述第二區域中的前述基板從前述第一構件表面起的浮起量係較前述第三區域中的前述基板從前述第一構件表面起的浮起量大。
  6. 如請求項1至4中任一項所記載之雷射處理裝置，其中前述第一構件為多孔質體； 前述第一氣體係可從前述多孔質體噴出。
  7. 如請求項1至4中任一項所記載之雷射處理裝置，其中前述第一構件為陶瓷。
  8. 如請求項1至4中任一項所記載之雷射處理裝置，其中前述複數個第二構件係分別具有可噴出前述第二氣體的複數個貫通孔。
  9. 如請求項1至4中任一項所記載之雷射處理裝置，其中前述複數個第二構件係金屬。
  10. 如請求項9所記載之雷射處理裝置，其中前述複數個第二構件係以鋁作為主成分。
  11. 如請求項1至4中任一項所記載之雷射處理裝置，其中前述基板為玻璃基板。
  12. 如請求項1至4中任一項所記載之雷射處理裝置，其中於前述基板上形成有非晶質的半導體膜； 藉由前述雷射光的照射而使前述非晶質的半導體膜變質為多結晶的半導體膜。
  13. 如請求項12所記載之雷射處理裝置，其中前述多結晶的半導體膜係構成薄膜電晶體。
  14. 如請求項13所記載之雷射處理裝置，其中前述薄膜電晶體係被使用於顯示器的控制。
  15. 一種雷射處理裝置，係具有： 雷射光照射部；以及 搬送台，係可使基板浮起且搬送前述基板； 前述搬送台係具有： 雷射光照射區域，用以使從前述雷射光照射部照射的雷射光照射於前述基板；以及 基板搬送區域，係從前述雷射光照射區域分離； 前述雷射光照射區域中之與前述基板對向的表面係由可噴出用以使前述基板浮起的第一氣體之第一構件所構成； 前述第一構件係包含有： 第一區域； 第二區域，係與前述第一區域鄰接；以及 第三區域，係與前述第二區域鄰接； 前述第三區域與前述雷射光的焦點係在俯視觀看時重疊； 前述第二區域中的前述基板的浮起量的控制精度係較前述第一區域中的前述基板的浮起量的控制精度高； 前述第三區域中的前述基板的浮起量的控制精度係較前述第二區域中的前述基板的浮起量的控制精度高。
  16. 如請求項15所記載之雷射處理裝置，其中於前述第一構件係分別在前述第一區域連接有第一排氣用配管、在前述第二區域連接有第二排氣用配管、在前述第三區域連接有第三排氣用配管； 前述第一氣體係通過前述第一排氣用配管、前述第二排氣用配管以及前述第三排氣用配管供給至前述第一構件； 從前述第一構件對前述基板噴出前述第一氣體； 分別通過前述第一排氣用配管、前述第二排氣用配管以及前述第三排氣用配管的前述第一氣體的流量或壓力係可獨立控制。
  17. 如請求項15或16所記載之雷射處理裝置，其中於前述第一構件係分別在前述第一區域連接有第一吸氣用配管、在前述第二區域連接有第二吸氣用配管、在前述第三區域連接有第三吸氣用配管； 通過前述第一吸氣用配管、前述第二吸氣用配管以及前述第三吸氣用配管吸引前述第一氣體； 分別通過前述第一吸氣用配管、前述第二吸氣用配管以及前述第三吸氣用配管的前述第一氣體的流量或壓力係可獨立控制。
  18. 如請求項15或16所記載之雷射處理裝置，其中前述第一區域中的前述基板從前述第一構件表面起的浮起量係較前述第二區域中的前述基板從前述第一構件表面起的浮起量大； 前述第二區域中的前述基板從前述第一構件表面起的浮起量係較前述第三區域中的前述基板從前述第一構件表面起的浮起量大。
  19. 如請求項15或16所記載之雷射處理裝置，其中前述第一構件為多孔質體； 前述第一氣體係可從前述多孔質體噴出。
  20. 如請求項15或16所記載之雷射處理裝置，其中前述第一構件為陶瓷。
  21. 如請求項15或16所記載之雷射處理裝置，其中前述基板為玻璃基板。
  22. 如請求項15或16所記載之雷射處理裝置，其中於前述基板上形成非晶質的半導體膜； 藉由前述雷射光的照射而使前述非晶質的半導體膜變質為多結晶的半導體膜。
  23. 如請求項22所記載之雷射處理裝置，其中前述多結晶的半導體膜係構成薄膜電晶體。
  24. 如請求項23所記載之雷射處理裝置，其中前述薄膜電晶體係被使用於顯示器的控制。
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