RU2760764C1 - Способ лазерной обработки неметаллических пластин - Google Patents

Способ лазерной обработки неметаллических пластин Download PDF

Info

Publication number
RU2760764C1
RU2760764C1 RU2021108256A RU2021108256A RU2760764C1 RU 2760764 C1 RU2760764 C1 RU 2760764C1 RU 2021108256 A RU2021108256 A RU 2021108256A RU 2021108256 A RU2021108256 A RU 2021108256A RU 2760764 C1 RU2760764 C1 RU 2760764C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
temperature
plate
plates
laser radiation
coefficient
Prior art date
Application number
RU2021108256A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Федорович Коваленко
Original Assignee
Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") filed Critical Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа")
Priority to RU2021108256A priority Critical patent/RU2760764C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2760764C1 publication Critical patent/RU2760764C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/42Bombardment with radiation

Abstract

Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных. Технический результат достигается тем, что в способе лазерной обработки неметаллических пластин осуществляют предварительный их нагрев до температуры, определяемой из условия термопрочности пластин и облучают их поверхность непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, достаточной для достижения на поверхности температуры отжига. 1 ил.

Description

Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.
Известен способ обработки неметаллических материалов, в котором обработка пластин осуществляется путем облучения поверхности импульсом лазерного излучения. Временная форма импульса описывается определенным соотношением в зависимости от плотности потока энергии лазерного излучения, констант b1 и b2, характеризующих фронт и спад лазерного импульса, от длительности лазерного импульса, текущего времени от начала воздействия, плотности энергии и максимального значения плотности потока лазерного излучения в импульсе. Эффект достигается тем, что формируют лазерный импульс, временная форма которого описывается соотношением
Figure 00000001
где q(t) – плотность мощности лазерного излучения, Вт/м2;
τ – длительность импульса лазерного излучения, с;
b1 и b2 – константы, характеризующие фронт и спад лазерного импульса;
е – основание натурального логарифма;
t – текущее время от начала воздействия, с.
Патент РФ № 2211753, МПК H01L 21/42, B23K 26/00, G01N 25/72, 10.09.2003.
Указанный способ позволяет минимизировать термоупругие напряжения в поглощающем слое материала пластины при воздействии лазерных импульсов длительностью менее 10-6 с, когда рассматривается динамическая задача термоупругости [Коваленко А.Ф. Экспериментальная установка для исследования влияния параметров лазерного импульса на разрушение неметаллических материалов // Приборы и техника эксперимента. – 2004. № 4. – С. 119-124]. Но этот способ не работает, когда длительность лазерного импульса составляет ~ 10-2–10-6 с или осуществляется отжиг в непрерывном режиме воздействия лазерного излучения в течение нескольких секунд, когда необходимо рассматривать квазистатическую задачу термоупругости.
Известен способ лазерной обработки, в частности, используемый для лазерного отжига неметаллических пластин излучением непрерывного СО2-лазера, в котором плотность энергии на поверхности пластины определяют по соотношению
Figure 00000002
,
где T f – температура отжига;
T 0 – начальная температура;
h – толщина пластины;
с и ρ – удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
τ=аt/h 2 – критерий Фурье;
а – коэффициент температуропроводности материала пластины;
t –время воздействия лазерного излучения;
n – натуральное число (n=1, 2, …);
е – основание натурального логарифма.
Коваленко А.Ф. Режимы высокотемпературного лазерного отжига оптической керамики КО-1 и КО-5 излучением СО2-лазера // Стекло и керамика. 2014. №9. С. 9–13.
Известен также способ лазерной обработки неметаллических пластин, включающий предварительный нагрев пластин до температуры, определяемой по уравнению
Figure 00000003
,
где σ ВР – предел прочности материала пластины на растяжение;
ν – коэффициент Пуассона;
Е – модуль Юнга;
α Т – коэффициент линейного расширения материала пластины,
и облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, определяемой по уравнению
Figure 00000004
.
Патент РФ № 2649054, МПК H01L 21/42, B23K 26/00, G01N 25/72, 29.03.2018.
Недостатком указанного способа является то, что он не исключает разрушение пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки, когда коэффициент линейного расширения материала пластин зависит от температуры.
Техническим результатом изобретения является повышение выхода годных пластин из неметаллических материалов за счёт исключения их разрушения термоупругими напряжениями при лазерном отжиге.
Технический результат достигается тем, что в способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в предварительном нагреве пластин до некоторой температуры и облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, определяемой по уравнению
Figure 00000005
где W f – плотность энергии лазерного излучения, необходимая для достижения поверхностью пластины температуры отжига;
T f – температура отжига;
T 1 – температура, до которой необходимо нагреть пластины;
h – толщина пластин;
с и ρ – удельная теплоемкость и плотность материала пластин соответственно;
τ=аt/h 2 – критерий Фурье;
а – коэффициент температуропроводности материала пластин;
t –время воздействия лазерного излучения;
е – основание натурального логарифма;
n – натуральное число 1, 2, 3 …;
нагрев пластины производят до температуры, определяемой по уравнению
Figure 00000006
,
где σ ВР – предел прочности материала пластин на растяжение;
ν – коэффициент Пуассона;
Е – модуль Юнга;
Figure 00000007
;
α 0 – коэффициент линейного расширения материала пластин при начальной температуре Т0;
α 1 – коэффициент, определяющий зависимость коэффициента линейного расширения от температуры.
Ниже приводится более подробное описание способа лазерной обработки со ссылкой на рисунок.
Рассмотрим пластину в виде диска толщиной h, ограниченную плоскостями
Figure 00000008
и цилиндрической образующей. На поверхность
Figure 00000009
воздействует лазерное излучение. Будем считать, что плотность мощности лазерного излучения равномерно распределена по площади пучка и постоянна во времени. Поглощение излучения осуществляется в тонком поверхностном слое материала пластины (например, многие оптические стекла, керамические материалы и ситаллы обладают поверхностным поглощением излучения СО2-лазера с длиной волны 10,6 мкм).
Для предотвращения изгиба при обработке пластину, как правило, свободно защемляют по контуру [Коваленко А.Ф. Режимы высокотемпературного лазерного отжига оптической керамики КО-1 и КО-5 излучением СО2-лазера // Стекло и керамика. 2014. №9. С. 9 – 13]. Пластина полностью накрывается лазерным излучением. В этом случае температурное поле в пластине будет изменяться только по ее толщине. Температуру в пластине определяют по уравнению [Коваленко А.Д. Термоупругость. – Киев, Вища школа, 1973. – 216 с.]
Figure 00000010
где ξ=z/h – безразмерная координата. отсчитываемая от облучаемой поверхности пластины вглубь;
z – текущая координата;
λ = асρ – коэффициент теплопроводности;
q – поглощенная плотность мощности лазерного излучения;
Figure 00000011
R – коэффициент отражения лазерного излучения от поверхности пластины;
q 0 – плотность мощности лазерного излучения, падающая на поверхность пластины.
В свободно защемлённой по контуру пластине под действием температурного поля, изменяющегося только по толщине, возникают термоупругие напряжения [Коваленко А.Д. Термоупругость. Киев, «Вища школа», 1973. – 216 с.]:
Figure 00000012
где
Figure 00000013
- термоупругие напряжения в точке с координатой z в момент времени t;
α Т – коэффициент линейного расширения материала пластин
T(z,t) – температура в точке с координатой z в момент времени t.
Подставив (1) в (3) и (4), после проведения математических преобразований, получим соотношение для расчёта термоупругих напряжений в пластине
Figure 00000014
Анализ соотношения (5) показывает, что термоупругие напряжения изменяются по толщине пластины от максимальных сжимающих в сечении пластины ξ=1/2, где температура максимальна, до максимальных растягивающих напряжений в сечении ξ=-1/2, где температура имеет минимальное значение.
Так как неметаллические материалы имеют предел прочности на растяжение примерно в пять раз меньше, чем на сжатие [Феодосьев В.И. Сопротивление материалов. М.: Наука. 1986. – 512 с.], дальнейший анализ проведём для растягивающих напряжений. Из уравнения (5) получим соотношение для максимальных растягивающих напряжений при ξ=-1/2
Figure 00000015
Из (5) найдём поглощенную плотность мощности лазерного излучения, приводящую к разрушению пластины термоупругими напряжениями:
Figure 00000016
Из уравнения (1) найдём поглощенную плотность мощности лазерного излучения, требуемую для достижения на облучаемой поверхности пластины температуры отжига
Figure 00000017
Разделив (12) на (13) и поставив условие q T /q f
Figure 00000018
1, после математических преобразований, получим
Figure 00000019
Учитывая, что для ряда материалов коэффициент линейного расширения линейно зависит от температуры, можно записать
Figure 00000020
где α 0 – коэффициент линейного расширения материала пластин при начальной температуре Т0;
α 1 – коэффициент, определяющий зависимость коэффициента линейного расширения от температуры.
С учетом (10), неравенство (9) примет вид:
Figure 00000021
Неравенство (11) является условием термопрочности пластины для случая линейной зависимости коэффициента линейного расширения материала пластины от температуры. Если оно выполняется, поверхность пластины можно нагреть до температуры отжига за заданное время воздействия лазерного излучения. При этом термоупругие напряжения не превысят предел прочности материала пластины. Левая часть неравенства (11) является константой, характеризующей отношение предела прочности на растяжение материала пластины, свободно защемлённой по контуру, к максимальным растягивающим напряжениям в ней при одностороннем нагреве поверхностным источником тепла. Правая часть неравенства является функцией безразмерного параметра f(τ) (критерия Фурье). В качестве примера на рисунке представлено графическое решение неравенства (11) для пластины из оптического стекла К6. Левая часть неравенства (11) не зависит от τ и представлена на графике прямой линией, параллельными оси абсцисс. Функция f(τ) является выпуклой и достигает максимального значения, равного 0,275, при τ ≈ 0,2. Видно, что условие термопрочности выполняется при при τ1 < 0,018 и τ2 > 1,2. При значениях параметра 0,018 < τ < 1,2 пластина будет разрушена термоупругими напряжениями.
Из неравенства (11) найдем значение температуры, до которой необходимо предварительно нагреть пластину, чтобы она не была разрушена термоупругими напряжениями в процессе лазерной обработки
Figure 00000022
Из уравнений (7) и (8) найдем значение плотности энергии лазерного излучения, необходимой для достижения поверхностью пластины температуры отжига при новом значении начальной температуры Т1
Figure 00000023
и плотности энергии, приводящей к разрушению пластины термоупругими напряжениями
Figure 00000024
Пример реализации способа. Необходимо осуществить отжиг поверхности пластины из оптического стекла К6 излучением СО2-лазера. Толщина пластины равна 1,4 см, время воздействия лазерного излучения – 10 с. Левая часть неравенства (9) составляет 0,11, τ=0,03, f(τ)=0,153. Условие термопрочности пластины не выполняется. Для подтверждения невыполнения условия термопрочности по уравнениям (11) и (12) находим, что Wf=327 Дж/см2, WТ=189 Дж/см2 (без учета температурной зависимости коэффициента линейного расширения WТ=215 Дж/см2). Видно, что разрушение пластины термоупругими напряжениями происходит при меньшей платности энергии лазерного излучения, чем требуется для достижения поверхностью пластины температуры отжига. Расчеты проведены для следующих исходных данных для стекла К6: Е=80 ГПа, α Т =7,2·10-6 + 2,2·10-9f – T0) К-1, Т f =1100 К, Т 0 =300 К, с=760 Дж/(кг·К), ρ=2500 кг/м3, ν=0,2, σ ВР =70 МПа, а=6·10-3 см2/с. Исходные данные взяты из ГОСТ 13659-78. Стекло оптическое бесцветное. Физико-химические характеристики. – М.: Издательство стандартов, 1985, - 48 с. Для предотвращения разрушения пластины термоупругими напряжениями по уравнению (12) рассчитываем температуру, до которой необходимо нагреть пластину. Получаем Т1 ≥ 580 К. Помещаем пластину в муфельную печь, нагреваем до температуры не менее 580 К (в запас возьмем до 590 К), выдерживаем при этой температуре в течение времени ~ 980 с, обеспечивающем равномерное распределение температуры по толщине пластины (время выдержки в печи определяется критерием Фурье
Figure 00000025
). Затем воздействуем в течение 10 с на пластину с плотностью энергии, рассчитанной по уравнению (13) для нового значения начальной температуры Т1=590 К. При этом Wf≈180 Дж/см2, что меньше значения плотности энергии, приводящей к разрушению пластины термоупругими напряжениями. При этом плотность мощности лазерного излучения составит
Figure 00000026
Вт/см2.
Таким образом, реализация предложенного способа лазерной обработки неметаллических пластин непрерывным лазерным излучением позволяет исключить их разрушение термоупругими напряжениями и повысить выход годной продукции.

Claims (20)

  1. Способ лазерной обработки неметаллических пластин, заключающийся в предварительном нагреве пластин до некоторой температуры и облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, определяемой по уравнению
  2. Figure 00000027
    ,
  3. где W f – плотность энергии лазерного излучения, необходимая для достижения поверхностью пластины температуры отжига;
  4. T f – температура отжига;
  5. T 1 – температура, до которой необходимо нагреть пластины;
  6. h – толщина пластин;
  7. с и ρ – удельная теплоемкость и плотность материала пластин соответственно;
  8. τ=аt/h 2 – критерий Фурье;
  9. а – коэффициент температуропроводности материала пластин;
  10. t –время воздействия лазерного излучения;
  11. е – основание натурального логарифма;
  12. n – натуральное число 1, 2, 3 …,
  13. отличающийся тем, что нагрев пластины производят до температуры, определяемой по уравнению
  14. Figure 00000028
    ,
  15. где σ ВР – предел прочности материала пластин на растяжение;
  16. ν – коэффициент Пуассона;
  17. Е – модуль Юнга;
  18. Figure 00000029
    ;
  19. α 0 – коэффициент линейного расширения материала пластин при начальной температуре Т0;
  20. α 1 – коэффициент, определяющий зависимость коэффициента линейного расширения от температуры.
RU2021108256A 2021-03-29 2021-03-29 Способ лазерной обработки неметаллических пластин RU2760764C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021108256A RU2760764C1 (ru) 2021-03-29 2021-03-29 Способ лазерной обработки неметаллических пластин

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021108256A RU2760764C1 (ru) 2021-03-29 2021-03-29 Способ лазерной обработки неметаллических пластин

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2760764C1 true RU2760764C1 (ru) 2021-11-30

Family

ID=79174343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021108256A RU2760764C1 (ru) 2021-03-29 2021-03-29 Способ лазерной обработки неметаллических пластин

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2760764C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214240A (ja) * 2002-12-26 2004-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置およびレーザ処理方法、並びに半導体装置の作製方法
RU2574327C1 (ru) * 2014-11-10 2016-02-10 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации Способ лазерной обработки неметаллических материалов
RU2649054C1 (ru) * 2017-02-03 2018-03-29 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") Способ лазерной обработки неметаллических пластин
JP2019192681A (ja) * 2018-04-19 2019-10-31 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214240A (ja) * 2002-12-26 2004-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置およびレーザ処理方法、並びに半導体装置の作製方法
RU2574327C1 (ru) * 2014-11-10 2016-02-10 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации Способ лазерной обработки неметаллических материалов
RU2649054C1 (ru) * 2017-02-03 2018-03-29 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") Способ лазерной обработки неметаллических пластин
JP2019192681A (ja) * 2018-04-19 2019-10-31 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Correa et al. Influence of pulse sequence and edge material effect on fatigue life of Al2024-T351 specimens treated by laser shock processing
Sano et al. Retardation of crack initiation and growth in austenitic stainless steels by laser peening without protective coating
RU2583870C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2602402C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2573181C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
Zhou et al. Finite element analysis of laser shock peening induced near-surface deformation in engineering metals
RU2630197C1 (ru) Способ лазерного отжига неметаллических пластин
RU2760764C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2649054C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
Chen et al. Comparison of one-dimensional and two-dimensional axisymmetric approaches to the thermomechanical response caused by ultrashort laser heating
RU2633860C1 (ru) Способ лазерного отжига неметаллических материалов
RU2757537C1 (ru) Способ лазерного отжига неметаллических пластин
RU2692004C1 (ru) Способ лазерного отжига неметаллических материалов
Antici et al. Isochoric heating of matter by laser-accelerated high-energy protons
RU2624989C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2685427C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2646177C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических материалов
Kovalenko et al. Method of determining nondestructive pulsed laser annealing modes for dielectric and semiconductor wafers
RU2691923C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2649238C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
Safronov et al. Influence of environment at laser processing on microhardness of amorphous-nanocrystalline metal alloy
RU2624998C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
Arakcheev et al. Status of dynamic diagnostics of plasma material interaction based on synchrotron radiation scattering at the VEPP-4 beamline 8
Sano et al. Dependence of surface residual stress on the coefficient of thermal expansion for materials subjected to laser peening without coating
RU2695440C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических материалов