RU2691923C1 - Способ лазерной обработки неметаллических пластин - Google Patents
Способ лазерной обработки неметаллических пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2691923C1 RU2691923C1 RU2018137702A RU2018137702A RU2691923C1 RU 2691923 C1 RU2691923 C1 RU 2691923C1 RU 2018137702 A RU2018137702 A RU 2018137702A RU 2018137702 A RU2018137702 A RU 2018137702A RU 2691923 C1 RU2691923 C1 RU 2691923C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- laser
- temperature
- plates
- annealing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/355—Texturing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
- H01L21/3247—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering for altering the shape, e.g. smoothing the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/42—Bombardment with radiation
- H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/428—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. В способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, зависящей от температуры отжига, начальной температуры пластины, удельной теплоемкости и плотности материала пластины, а также показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения, осуществляют предварительный нагрев пластины до определенной температуры. Технический результат - исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных пластин. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.
Известен способ лазерной обработки, в частности используемый для лазерного отжига неметаллических пластин, заключающийся в облучении поверхности пластины с плотностью энергии, определяемой по уравнению
где Wf – плотность энергии лазерного излучения, требуемая для нагрева поверхности пластины до температуры отжига;
Tf – температура отжига пластины;
T0 – начальная температура пластины;
с и γ – удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
R – коэффициент отражения материала пластины;
χ – показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения.
Коваленко А. Ф. Неразрушающие режимы импульсного лазерного отжига стеклянных и керамических пластин // Стекло и керамика. 2006. №7. С. 31-33.
Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет исключить режимы воздействия, при которых возможно разрушение пластин термоупругими напряжениями, и повысить выход годных пластин в процессе лазерной обработки.
Известен также способ лазерной обработки неметаллической пластины, заключающийся в предварительном нагреве пластины до температуры, определяемой по уравнению
где σР – предел прочности материала пластины на растяжение;
ν – коэффициент Пуассона материала пластины;
h – толщина пластины;
Е – модуль Юнга;
αТ – коэффициент линейного расширения материала пластины;
е – основание натурального логарифма,
и облучении её поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, определяемой по уравнению
Патент РФ на изобретение № 2602402, МПК H01L 21/428, 20.11.2016.
Недостатком указанного способа является то, что он применим только в том случае, когда поверхность пластины полностью накрывается лазерным излучением. В практике есть случаи, когда необходим лазерный отжиг только центральной части пластины, например, после ионной имплантации. Если радиус лазерного пучка меньше радиуса обрабатываемой пластины, термоупругие напряжения в ней описываются другими уравнениями, и указанный способ применять нельзя.
Известен также способ лазерного отжига неметаллических пластин, заключающийся в облучении центральной части пластины лазерным пучком, плотность энергии в котором определяют по уравнению
а диаметр лазерного пучка меньше диаметра пластины.
Коваленко А. Ф. Лазерный импульсный отжиг стеклянных пластин при частичном их накрытии излучением. Стекло и керамика. 2018. № 2. С. 27–31. Этот способ выбран в качестве прототипа.
Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет исключить режимы воздействия, при которых возможно разрушение пластин термоупругими напряжениями, и повысить выход годных пластин в процессе лазерной обработки.
Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов термоупругими напряжениями в процессе лазерного отжига и повышение выхода годных пластин.
Технический результат достигается тем, что в способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, определяемой по уравнению
где Tf – температура отжига пластины;
T0 – начальная температура пластины;
с и γ – удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
R – коэффициент отражения материала пластины;
χ – показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения,
и диаметром лазерного пучка меньше диаметра пластины, осуществляют предварительный нагрев пластины до температуры, определяемой по уравнению
где σР – предел прочности материала пластины на растяжение;
ν – коэффициент Пуассона материала пластины;
Е – модуль Юнга;
αТ – коэффициент линейного расширения материала пластины;
rp – радиус пучка лазерного излучения на пластине;
h – толщина пластины;
е – основание натурального логарифма.
Ниже приводится более подробное описание заявляемого способа лазерной обработки неметаллических пластин со ссылкой на чертёж.
Рассмотрим пластину толщиной h и радиусом Rpl, ограниченную плоскостями ±h/2. На плоскость –h/2 воздействует пучок лазерного излучения радиусом rp. Будем считать пластину термопрочной, если её поверхность можно нагреть одиночным импульсом лазерного излучения до температуры отжига. Оси пластины и лазерного пучка совпадают, что позволяет рассматривать задачу термоупругости в цилиндрических координатах. Ограничимся длительностью импульса лазерного излучения ~10-2<τ<10-6 c, когда охлаждением поглощающего слоя за счёт теплопроводности за время действия лазерного импульса и динамическими эффектами можно пренебречь [Коваленко А.Ф. Лазерный импульсный отжиг стеклянных пластин при частичном их накрытии излучением. Стекло и керамика. 2018. № 2. С. 27–31]. Потери за счёт конвективного теплообмена и переизлучения по закону Стефана-Больцмана за время действия лазерного импульса будут также пренебрежимо малы. Будем считать свойства материала пластины независимыми от температуры. Тогда температурное поле в пластине в момент окончания лазерного импульса будет описываться соотношением
где Т(z,r) – температура;
z – координата;
r – текущий радиус;
Т0 – начальная температура пластины;
R – коэффициент отражения материала пластины;
χ – показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения;
с и γ – удельная теплоёмкость и плотность материала пластины соответственно;
q – плотность мощности лазерного излучения;
t – время;
τ – длительность лазерного импульса;
h – толщина пластины.
Под действием температурного поля, изменяющегося по толщине и радиусу пластины, в ней возникают термоупругие напряжения, которые приближённо можно представить суммой напряжений плоского напряжённого состояния и напряжений изгиба [Коваленко А.Ф. Лазерный импульсный отжиг стеклянных пластин при частичном их накрытии излучением. Стекло и керамика. 2018. № 2. С. 27–31] соответственно:
где σr(ρ,z), σθ(ρ,z) – термоупругие напряжения;
ρ=r/Rpl – безразмерный радиус;
E – модуль Юнга;
ν – коэффициент Пуассона;
αТ – средний в интервале температур коэффициент линейного расширения материала пластины.
Уравнения (2)–(6) справедливы для тонких пластин, для которых отношение толщины к диаметру составляет менее 0,5. Естественно предположить, что термоупругие напряжения в пластине будут максимальными в момент окончания действия лазерного импульса, когда градиент температуры максимален. Подставив (1) в (3)–(6) и выполнив математические преобразования с учётом (2), получим соотношения для термоупругих напряжений в пластине:
где rp – радиус пятна лазерного излучения на пластине;
Исследования уравнений (7) и (8) показывают, что напряжения σr и σθ имеют максимальные значения в сечении z=-h/2. Напряжения σr являются сжимающими и уменьшаются от максимального значения в области максимальных температур до нуля при r=Rpl. Напряжения σθ являются сжимающими при r≤rp. При r>rp они являются растягивающими, скачком возрастают до максимального значения, а затем уменьшаются, оставаясь растягивающими.
Из (8) получим соотношения для максимальных растягивающих напряжений на поверхности z=-h/2
Из (9) определим плотность энергии лазерного излучения, вызывающую разрушение пластины термоупругими напряжениями
где σВ – предел прочности материала пластины на растяжение.
Плотность энергии, требуемая для достижения облучаемой поверхностью пластины температуры фазового перехода, определяется из (1) и составляет
Разделив (10) на (11) и поставив условие WT/Wf ≥1, получим критерий термопрочности пластины
Левая часть неравенства (12) является константой, характеризующей свойства материала пластины, правая часть – функцией двух безразмерных параметров χh и ρp. Анализ показывает, что функция f(χh,ρp,) является нелинейной и убывающей. Увеличение ρp однозначно приводит к увеличению функции f(χh,ρp). Неравенство (12) является условием термопрочности пластины и позволяет определить неразрушающие режимы импульсного лазерного отжига в рамках квазистатической задачи термоупругости. Анализ целесообразно проводить для пластины из конкретного материала. В качестве примера на чертеже представлено графическое решение неравенства (12) для пластины из оптического стекла ЛК3 при ρp =0,5. Видно, что условие термопрочности пластины выполняется при χh≥10. При меньших значениях χh условие термопрочности не выполняется и пластина будет разрушена термоупругими напряжениями. Для предотвращения разрушения пластины термоупругими напряжениями необходимо повысить её начальную температуру. Из уравнение (12) найдем значение температуры Т0, обеспечивающей выполнение критерия термопрочности пластины
Нагрев пластины осуществляют в муфельной печи до требуемой температуры Т0 и выдерживают необходимое время для выравнивания температуры по толщине пластины. Время выдержки определяют из критерия Фурье, определяющего тепловую инерцию пластины
где а – коэффициент температуропроводности материала пластины;
tB – время выдержки пластины в муфельной печи.
Пример осуществления способа. Необходимо провести лазерный отжиг поверхности пластины из оптического стекла НС12 диаметром 4 см и толщиной 0,5 см. Диаметр лазерного пучка составляет 2 см. Показатель поглощения данной марки стекла для излучения с длиной волны 1,06 мкм составляет 17 см-1 [ГОСТ 9411-90. Стекло цветное оптическое. М.: Изд-во стандартов. 1992. – 48 с.]. Безразмерный параметр χh = 8,5. Начальную температуру пластины примем равной 300 К, температуру отжига – 820 К. Расчет по уравнению (11) показывает, что для отжига пластины потребуется плотность энергии в лазерном импульсе 52 Дж/см2. Расчет по уравнению (10) показывает, что для разрушения термоупругими напряжениями пластины требуется плотность энергии 43 Дж/см2, то есть меньше, чем для отжига. Рассчитаем левую и правую части критерия термопрочности (12). Правая часть неравенства (10) при χh = 8,5 и ρp=0,5 составляет 0,195. Левая часть неравенства (10) составляет 0,177. Видно, что критерий термопрочности не выполнен. Пластина будет разрушена термоупругими напряжениями. Чтобы этого не произошло, необходимо пластину предварительно нагреть в муфельной печи до температуры не менее 348 К и выдержать при этой температуре не менее 125 секунд для выравнивания температуры по толщине пластины. Расчеты выполнены по уравнениям (13) и (14) при следующих исходных данных: σР = 70 МПа, Е = 80 ГПа, ν = 0,2, αТ = 7,6·10-6 К-1, а = 6·10-3 см2/с. Затем воздействуют на пластину лазерным импульсом с плотностью энергии 51 Дж/см2. Расчеты проведены по уравнению (11) для нового значения Т0 = 350 К. Температура поверхности пластины при этом достигает температуры отжига, а термоупругие напряжения не превысят предела прочности материала.
Таким образом, реализация предложенного способа лазерной обработки неметаллических пластин приводит к исключению их разрушения термоупругими напряжениями в процессе лазерного отжига и повышению выхода годных пластин.
Claims (19)
- Способ лазерной обработки неметаллических пластин, заключающийся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, определяемой по уравнению
- где Tf – температура отжига пластины;
- T0 – начальная температура пластины;
- с и γ – удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
- R – коэффициент отражения материала пластины;
- χ – показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения,
- и диаметром лазерного пучка меньше диаметра пластины, отличающийся тем, что осуществляют предварительный нагрев пластины до температуры, определяемой по уравнению
- где σР – предел прочности материала пластины на растяжение;
- ν – коэффициент Пуассона материала пластины;
- E – модуль Юнга;
- αТ – коэффициент линейного расширения материала пластины;
- rp – радиус пучка лазерного излучения на пластине;
- h – толщина пластины;
- e – основание натурального логарифма.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018137702A RU2691923C1 (ru) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018137702A RU2691923C1 (ru) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2691923C1 true RU2691923C1 (ru) | 2019-06-18 |
Family
ID=66947638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018137702A RU2691923C1 (ru) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2691923C1 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2211753C2 (ru) * | 2000-12-22 | 2003-09-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Способ обработки неметаллических материалов |
US8034196B2 (en) * | 2008-02-19 | 2011-10-11 | Nippon Steel Corporation | Low core loss grain-oriented electrical steel plate and method of manufacturing the same |
RU2573181C1 (ru) * | 2014-11-24 | 2016-01-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
US9302348B2 (en) * | 2011-06-07 | 2016-04-05 | Ultratech Inc. | Ultrafast laser annealing with reduced pattern density effects in integrated circuit fabrication |
RU2583870C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-05-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
RU2602402C1 (ru) * | 2015-08-14 | 2016-11-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
-
2018
- 2018-10-25 RU RU2018137702A patent/RU2691923C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2211753C2 (ru) * | 2000-12-22 | 2003-09-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Способ обработки неметаллических материалов |
US8034196B2 (en) * | 2008-02-19 | 2011-10-11 | Nippon Steel Corporation | Low core loss grain-oriented electrical steel plate and method of manufacturing the same |
US9302348B2 (en) * | 2011-06-07 | 2016-04-05 | Ultratech Inc. | Ultrafast laser annealing with reduced pattern density effects in integrated circuit fabrication |
RU2573181C1 (ru) * | 2014-11-24 | 2016-01-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
RU2583870C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-05-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
RU2602402C1 (ru) * | 2015-08-14 | 2016-11-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Коваленко А. Ф., "Лазерный импульсный отжиг стеклянных пластин при частичном их накрытии излучением", Стекло и керамика, 2018, номер 2, с. 27-31. * |
КОВАЛЕНКО А.Ф., ВОРОБЬЕВ А.А., "МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН", ИЗВЕСТИЯ ВУЗОВ. МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ, номер 3, 2014, с.206-210. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2583870C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2602402C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
DK54682A (da) | Fremgangsmaade til undersoegelse af overfladekvaliteten af materialer i fast aggregatform og apparat til udoevelse af fremgangsmaaden | |
RU2573181C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2691923C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2630197C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических пластин | |
RU2757537C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических пластин | |
RU2649054C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2633860C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических материалов | |
Groth et al. | Design of local heat treatment for crack retardation in aluminium alloys | |
RU2760764C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
Kovalenko et al. | Method of determining nondestructive pulsed laser annealing modes for dielectric and semiconductor wafers | |
RU2624989C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2646177C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических материалов | |
RU2692004C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических материалов | |
RU2685427C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2649238C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2695440C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических материалов | |
Kovalenko | Nondestructive regimes of laser pulse annealing of glass and ceramic plates | |
RU2624998C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
Leung | Phase-change heat transfer in laser transformation hardening by moving Gaussian rectangular heat source | |
RU2773255C2 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических материалов | |
Kovalenko | Nondestructive heat-treatment regimes for glass and ceramic plates | |
Chebotareva et al. | Comparative study of CO2 and Er: YAG laser heating of tissue using pulsed photothermal radiometry technique | |
RU2485064C2 (ru) | Способ и установка для лазерной обработки поверхности ситалла |