RU2602402C1 - Способ лазерной обработки неметаллических пластин - Google Patents
Способ лазерной обработки неметаллических пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2602402C1 RU2602402C1 RU2015134118/28A RU2015134118A RU2602402C1 RU 2602402 C1 RU2602402 C1 RU 2602402C1 RU 2015134118/28 A RU2015134118/28 A RU 2015134118/28A RU 2015134118 A RU2015134118 A RU 2015134118A RU 2602402 C1 RU2602402 C1 RU 2602402C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- laser
- temperature
- plate material
- plates
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 3
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/42—Bombardment with radiation
- H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/428—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных пластин. В способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, зависящей от температуры отжига, начальной температуры пластины, удельной теплоемкости и плотности материала пластины, а также показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения, при этом осуществляют предварительный нагрев пластины до определенной температуры. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.
Известен способ обработки неметаллических материалов, применяемый для аморфизации кремния и заключающийся в облучении поверхности пластины импульсом лазерного излучения [1] с плотностью энергии, достаточной для плавления поверхностного слоя. Известен также способ обработки неметаллических материалов, применяемый для отжига ионно-легированного кремния [2]. Недостатком указанных способов является то, что они не учитывают термоупругие напряжения, возникающие в пластинах в процессе обработки и могущие привести к разрушению пластин.
Также известен способ обработки неметаллических материалов [3], в котором обработка пластин осуществляется путем облучения поверхности импульсом лазерного излучения. Временная форма импульса описывается определенным соотношением в зависимости от плотности потока энергии лазерного излучения, констант b1 и b2, характеризующих фронт и спад лазерного импульса, от длительности лазерного импульса, текущего времени от начала воздействия, плотности энергии и максимального значения плотности потока лазерного излучения в импульсе. Эффект достигается тем, что формируют лазерный импульс, временная форма которого описывается соотношением
где q(t) - плотность мощности лазерного излучения, Вт/м2;
τ - длительность импульса лазерного излучения, с;
b1 и b2 - константы, характеризующие фронт и спад лазерного импульса;
е - основание натурального логарифма;
t - текущее время от начала воздействия, с.
Указанный способ позволяет минимизировать термоупругие напряжения в поглощающем слое материала пластины при воздействии лазерных импульсов длительностью менее 10-6 с, когда рассматривается динамическая задача термоупругости [4]. Но этот способ не работает, когда длительность лазерного импульса составляет ~(10-2-10-6) с и необходимо рассматривать квазистатическую задачу термоупругости.
Известен способ лазерной обработки [5], в частности, используемый для лазерного отжига неметаллических пластин, в котором плотность энергии на поверхности пластины определяют по соотношению
где 
- плотность энергии лазерного излучения, требуемая для нагрева поверхности пластины до температуры отжига;
Т0 - начальная температура пластины;
c и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
R - коэффициент отражения материала пластины;
Применение лазерного отжига приводит к релаксации остаточных напряжений в приповерхностном слое пластин, возникающих при их шлифовке и полировке абразивом, а также устраняет неоднородности структуры при напылении тонких пленок, что позволяет повысить лучевую стойкость пластин, используемых в лазерной технике.
Этот способ выбран в качестве прототипа. Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет исключить режимы воздействия, при которых возможно разрушение пластин термоупругими напряжениями и повысить выход годных пластин в процессе лазерной обработки.
Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов термоупругими напряжениями в процессе лазерного отжига и повышение выхода годных пластин.
Технический результат достигается тем, что в способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, определяемой по уравнению
где - температура отжига пластины;
Т0 - начальная температура пластины;
c и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
R - коэффициент отражения материала пластины;
осуществляют предварительный нагрев пластины до температуры, определяемой по уравнению
где σР - предел прочности материала пластины на растяжение;
ν - коэффициент Пуассона материала пластины;
h - толщина пластины;
Е - модуль Юнга;
αT - коэффициент линейного расширения материала пластины;
e - основание натурального логарифма.
Ниже приводится более подробное описание заявляемого способа лазерной обработки неметаллических пластин со ссылкой на фиг. 1. Сущность способа состоит в следующем. Для предотвращения изгиба пластины при обработке ее, как правило, свободно защемляют по контуру [5, 6]. Пластина полностью накрывается лазерным излучением. В этом случае температурное поле в пластине будет изменяться только по ее толщине. В свободно защемленной по контуру пластине под действием температурного поля, изменяющегося только по толщине пластины, возникают термоупругие напряжения [6]:
где 
σx(z,t), σy(z,t) - термоупругие напряжения в пластине, зависящие от координаты z и времени t;
εT - средняя по толщине пластины температура;
x, y, z - координаты, причем z - координата, отсчитываемая от облучаемой поверхности пластины вглубь;
T(z,t) - температура в точке с координатой z в момент времени t.
Анализ уравнения (4) показывает, что термоупругие напряжения в пластине являются сжимающими там, где текущая температура выше средней температуры по толщине пластины, и растягивающими - там, где текущая температура ниже средней по толщине пластины. Так как хрупкие материалы, к которым относятся полупроводниковые, керамические стеклообразные материалы, имеют предел прочности на растяжение в 5-10 раз меньше, чем на сжатие [7], дальнейший анализ проведем для растягивающих напряжений.
Если выполняется условие
то температурное поле в пластине к концу действия лазерного импульса будет определяться уравнением [8]
α - коэффициент температуропроводности материала пластины;
τu - длительность лазерного импульса;
q(t) - плотность мощности лазерного излучения.
Условие (6) для большинства полупроводниковых, стеклообразных и керамических материалов выполняется при τu<0,01 с.
Подставив уравнение (7) в (4) и (5) и выполнив математические преобразования, получим соотношение для расчета термоупругих напряжений в пластине в момент окончания воздействия лазерного импульса, когда градиент температуры и термоупругие напряжения максимальны
Анализ уравнения (8) показывает, что максимальные растягивающие напряжения возникают в сечении z=h, где температура минимальна. Из (8) получим уравнение для расчета плотности энергии, приводящей к разрушению пластины термоупругими напряжениями
Плотность энергии, необходимую для достижения облучаемой поверхностью температуры отжига, рассчитывают по уравнению (1)
Разделив (9) на (1) и поставив условие 
, получим критерий термопрочности свободно защемленной по контуру пластины при ее импульсном нагреве объемным источником
Левая часть неравенства (10) является безразмерной константой, характеризующей отношение предела прочности материала пластины к максимально возможным термоупругим напряжениям в ней. Правая часть - функция безразмерного параметра 
. Если неравенство (10) выполняется, то облучаемая поверхность пластины может быть нагрета до температуры отжига без разрушения пластины термоупругими напряжениями. В противном случае разрушение пластины термоупругими напряжениями произойдет при меньшей плотности энергии, чем требуется для нагрева ее поверхности до температуры отжига. Исследования на экстремум функции 
показывают, что функция является выпуклой и достигает максимального значения, равного 0,3, при 
. Графическое решение неравенства (10) для пластины из цветного оптического стекла ЖЗС12 представлено на фиг. 1. Исходные данные по свойствам оптического стекла ЖЗС12 взяты из [9]. Видно, что существует область изменения безразмерного параметра 
, в которой разрушение пластины термоупругими напряжениями происходит при меньшей плотности энергии, чем требуется для отжига облучаемой поверхности. Следовательно, пластины толщиной от 0,028 см до 0,9 см будут разрушены термоупругими напряжениями при воздействии лазерного излучения с длиной волны 1,06 мкм (показатель поглощения на указанной длине волны для стекла ЖЗС12 составляет 10 см-1 [9]). В этом случае необходимо предварительно нагреть пластину до температуры, при которой критерий термопрочности будет выполняться. Из уравнения (10) найдем значение температуры, до которой необходимо нагреть пластину
Нагрев пластины осуществляют в муфельной печи до требуемой для выполнения критерия термопрочности температуры Т0 и выдерживают необходимое время для выравнивания температуры по толщине пластины. Время выдержки определяют из критерия Фурье [6], определяющего тепловую инерцию пластины
где tB - время выдержки пластины при требуемой для выполнения критерия термопрочности температуре.
После выдержки пластины в муфельной печи осуществляют воздействие на нее лазерного импульса с плотностью энергии, определяемой по уравнению (1). В результате воздействия лазерного импульса температура поверхности пластины достигнет температуры отжига.
Пример осуществления способа. Необходимо провести лазерный отжиг поверхности пластины из цветного оптического стекла ЖЗС12 толщиной 0,7 см. Показатель поглощения данной марки стекла для излучения с длиной волны 1,06 мкм составляет 10 см-1 [9]. Безразмерный параметр χh=7. Начальную температуру пластины примем равной 300 К, температуру отжига - 1100 К. Расчет по уравнению (1) показывает, что для отжига пластины потребуется плотность энергии в лазерном импульсе 146 Дж/см2. Расчет по уравнению (9) показывает, что для разрушения термоупругими напряжениями пластины толщиной 0,7 см требуется плотность энергии 120 Дж/см2, то есть меньше, чем для отжига. Рассчитаем левую и правую части критерия термопрочности (10). Правая часть неравенства (10) при χh=7 составляет 0,14. Левая часть неравенства (10) составляет 0,115. Видно, что критерий термопрочности не выполнен. Пластина будет разрушена термоупругими напряжениями. Чтобы этого не произошло, необходимо пластину предварительно нагреть в муфельной печи до температуры не менее 453 К и выдержать при этой температуре не менее 250 секунд для выравнивания температуры по толщине пластины. Расчеты выполнены по уравнениям (11) и (12) при следующих исходных данных [9, 10]: σP=70 МПа, Е=80 ГПа, ν=0,2, αT=7,6·10-6 К-1, а=6·10-3 см2/с. Затем воздействуют на пластину лазерным импульсом с плотностью энергии не более 120 Дж/см2. Расчеты проведены по уравнению (1). Температура поверхности пластины при этом достигает температуры отжига, а термоупругие напряжения не превысят предела прочности материала.
Таким образом, реализация предложенного способа лазерной обработки неметаллических пластин приводит к исключению их разрушения термоупругими напряжениями в процессе лазерного отжига и повышению выхода годных пластин.
Литература
1. Боязитов P.M. и др. Аморфизация и кристаллизация кремния субнаносекундными лазерными импульсами. Тезисы докладов Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 11-18 марта 1988 г., с 24.
2. Кузменченко Т.А. и др. Лазерный отжиг ионно-легированного кремния излучением с длиной волны 2,94 мкм. Тезисы докладов Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 11-18 марта 1988 г., с 29.
3. Атаманюк В.М., Коваленко А.Ф., Левун И.В., Федичев А.В. Способ обработки неметаллических материалов. Патент RU 2211753 С2. Опубл. 10.09.2003. Бюл. №25.
4. Коваленко А.Ф. Экспериментальная установка для исследования влияния параметров лазерного импульса на разрушение неметаллических материалов // Приборы и техника эксперимента. - 2004. №4. - С. 119-124.
5. Коваленко А.Ф. Неразрушающие режимы импульсного лазерного отжига стеклянных и керамических пластин // Стекло и керамика. 2006. №7. С. 31-33.
6. Коваленко А.Д. Термоупругость. Киев, «Вища школа», 1973. - 216 с.
7. Феодосьев В.И. Сопротивление материалов. М.: Наука. 1986. - 512 с.
8. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: Справочник / Н.Н. Рыкалин, А.А. Углов, И.В. Зуев, А.Н. Кокора. - М.: Машиностроение, 1985. - 496 с.
9. ГОСТ 9411 - 90. Стекло цветное оптическое. М.: Изд-во стандартов, 1992. 48 с.
10. Стекло / Под ред. H.М. Павлушина. М.: Стройиздат, 1973. 280 с.
Claims (1)
- Способ лазерной обработки неметаллических пластин, заключающийся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии
,
где- температура отжига материала пластины;
T0 - начальная температура пластины;
c и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
R - коэффициент отражения материала пластины;
χ - показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения,
отличающийся тем, что осуществляют предварительный нагрев пластины до температуры, определяемой по уравнению
где σP - предел прочности материала пластины на растяжение;
ν - коэффициент Пуассона материала пластины;
E - модуль Юнга;
αТ - коэффициент линейного расширения материала пластины;
e - основание натурального логарифма;
h - толщина пластины.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015134118/28A RU2602402C1 (ru) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015134118/28A RU2602402C1 (ru) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2602402C1 true RU2602402C1 (ru) | 2016-11-20 |
Family
ID=57760216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015134118/28A RU2602402C1 (ru) | 2015-08-14 | 2015-08-14 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2602402C1 (ru) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2685427C1 (ru) * | 2018-06-20 | 2019-04-18 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
| RU2691923C1 (ru) * | 2018-10-25 | 2019-06-18 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
| RU2695440C1 (ru) * | 2018-12-06 | 2019-07-23 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Способ лазерной обработки неметаллических материалов |
| RU2757537C1 (ru) * | 2021-03-29 | 2021-10-18 | Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им.Н.Л.Духова» (ФГУП «ВНИИА») | Способ лазерного отжига неметаллических пластин |
| RU2773255C2 (ru) * | 2020-11-05 | 2022-06-01 | Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им.Н.Л.Духова» (ФГУП «ВНИИА») | Способ лазерной обработки неметаллических материалов |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399506A (en) * | 1992-08-13 | 1995-03-21 | Sony Corporation | Semiconductor fabricating process |
| RU2211753C2 (ru) * | 2000-12-22 | 2003-09-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Способ обработки неметаллических материалов |
| US7553777B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-06-30 | Disco Corporation | Silicon wafer laser processing method and laser beam processing machine |
| RU2486628C1 (ru) * | 2011-12-14 | 2013-06-27 | Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого МО РФ | Способ обработки неметаллических материалов |
-
2015
- 2015-08-14 RU RU2015134118/28A patent/RU2602402C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399506A (en) * | 1992-08-13 | 1995-03-21 | Sony Corporation | Semiconductor fabricating process |
| RU2211753C2 (ru) * | 2000-12-22 | 2003-09-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Способ обработки неметаллических материалов |
| US7553777B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-06-30 | Disco Corporation | Silicon wafer laser processing method and laser beam processing machine |
| RU2486628C1 (ru) * | 2011-12-14 | 2013-06-27 | Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого МО РФ | Способ обработки неметаллических материалов |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Коваленко А.Ф. Неразрушающие режимы импульсного лазерного отжига стеклянных и керамических пластин, Стекло и керамика, 2006, 7, с.31-33. * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2685427C1 (ru) * | 2018-06-20 | 2019-04-18 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
| RU2691923C1 (ru) * | 2018-10-25 | 2019-06-18 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
| RU2695440C1 (ru) * | 2018-12-06 | 2019-07-23 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Способ лазерной обработки неметаллических материалов |
| RU2773255C2 (ru) * | 2020-11-05 | 2022-06-01 | Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им.Н.Л.Духова» (ФГУП «ВНИИА») | Способ лазерной обработки неметаллических материалов |
| RU2757537C1 (ru) * | 2021-03-29 | 2021-10-18 | Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им.Н.Л.Духова» (ФГУП «ВНИИА») | Способ лазерного отжига неметаллических пластин |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2602402C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| RU2583870C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| RU2573181C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| Wang et al. | Laser shock processing of polycrystalline alumina ceramics | |
| RU2630197C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических пластин | |
| RU2624989C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| RU2649054C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| RU2486628C1 (ru) | Способ обработки неметаллических материалов | |
| RU2624998C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| RU2685427C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| RU2633860C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических материалов | |
| RU2760764C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| RU2757537C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических пластин | |
| Gurarie et al. | Crack-arresting compression layers produced by ion implantation | |
| Groth et al. | Design of local heat treatment for crack retardation in aluminium alloys | |
| Kovalenko et al. | Method of determining nondestructive pulsed laser annealing modes for dielectric and semiconductor wafers | |
| RU2649238C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| Arakcheev et al. | Status of dynamic diagnostics of plasma material interaction based on synchrotron radiation scattering at the VEPP-4 beamline 8 | |
| Ocaña et al. | Compressive residual stresses and associated surface modifications induced in Ti6Al4V by laser shock processing | |
| RU2646177C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических материалов | |
| RU2691923C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
| RU2582849C1 (ru) | Способ лазерной пробивки сквозного отверстия в неметаллической пластине | |
| EA036035B1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических материалов | |
| RU2574327C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических материалов | |
| RU2695440C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических материалов |