RU2649238C1 - Способ лазерной обработки неметаллических пластин - Google Patents
Способ лазерной обработки неметаллических пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2649238C1 RU2649238C1 RU2017103665A RU2017103665A RU2649238C1 RU 2649238 C1 RU2649238 C1 RU 2649238C1 RU 2017103665 A RU2017103665 A RU 2017103665A RU 2017103665 A RU2017103665 A RU 2017103665A RU 2649238 C1 RU2649238 C1 RU 2649238C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- laser
- laser radiation
- equation
- temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 34
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 2
- 102220504526 Dolichyl-diphosphooligosaccharide-protein glycosyltransferase subunit 4_V23K_mutation Human genes 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/42—Bombardment with radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных. Технический результат достигается тем, что в способе лазерной обработки неметаллических пластин, имеющих свободную поверхность, заключающемся в облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, достаточной для достижения поверхностью пластины температуры отжига, предварительно рассчитывают условие термопрочности пластины по уравнению, связывающему механические свойства материала и функцию от критерия Фурье, и, при его невыполнении, предварительно нагревают пластину до температуры, определяемой из условия термопрочности. 2 ил.
Description
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.
Известен способ обработки неметаллических материалов, применяемый для аморфизации кремния и заключающийся в облучении поверхности пластины импульсом лазерного излучения [Боязитов P.M. и др. Аморфизация и кристаллизация кремния субнаносекундными лазерными импульсами. Тезисы докладов Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Л., 11-18 марта 1988 г., с 24] с плотностью энергии, достаточной для плавления поверхностного слоя. Известен также способ обработки неметаллических материалов, применяемый для отжига ионно-легированного кремния [Кузменченко Т.А. и др. Лазерный отжиг ионно-легированного кремния излучением с длиной волны 2,94 мкм. Тезисы докладов Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Л., 11-18 марта 1988 г., с 29]. Недостатком указанных способов является то, что они не учитывают термоупругие напряжения, возникающие в пластинах в процессе обработки. Так как обрабатываемые материалы являются частично прозрачными для воздействующего излучения, возможны такие режимы, при которых термоупругие напряжения, способные разрушить пластины, будут определяющими в технологических процессах.
Также известен способ обработки неметаллических материалов [Атаманюк В.М., Коваленко А.Ф., Левун И.В., Федичев А.В. Способ обработки неметаллических материалов. Патент RU 2211753 С2, МПК В23К 26/00. Опубл. 10.09.2003. Бюл. №25], в котором обработка пластин осуществляется путем облучения поверхности импульсом лазерного излучения. Временная форма импульса описывается определенным соотношением в зависимости от плотности потока энергии лазерного излучения, констант b1 и b2, характеризующих фронт и спад лазерного импульса, от длительности лазерного импульса, текущего времени от начала воздействия, плотности энергии и максимального значения плотности потока лазерного излучения в импульсе. Эффект достигается тем, что формируют лазерный импульс, временная форма которого описывается соотношением
где q(t) - плотность мощности лазерного излучения, Вт/м2;
τ - длительность импульса лазерного излучения, с;
b1 и b2 - константы, характеризующие фронт и спад лазерного импульса;
е - основание натурального логарифма;
t - текущее время от начала воздействия, с.
Указанный способ позволяет минимизировать термоупругие напряжения в поглощающем слое материала пластины при воздействии лазерных импульсов длительностью менее 10-6 с, когда рассматривается динамическая задача термоупругости [Коваленко А.Ф. Экспериментальная установка для исследования влияния параметров лазерного импульса на разрушение неметаллических материалов // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - №4. - С. 119-124]. Но этот способ не работает, когда длительность лазерного импульса составляет ~ 10-2-10-6 с или осуществляется отжиг в непрерывном режиме воздействия лазерного излучения в течение нескольких секунд, когда необходимо рассматривать квазистатическую задачу термоупругости.
Известен способ лазерной обработки [Коваленко А.Ф., Воробьев А.А. Метод определения неразрушающих режимов лазерного отжига диэлектрических и полупроводниковых пластин. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2015. - Т. 18, №2. - С. 127-132], в частности, используемый для лазерного отжига неметаллических пластин излучением непрерывного CO2-лазера, в котором плотность энергии на поверхности пластины определяют по соотношению
где Wƒ - плотность энергии лазерного излучения, необходимая для достижения поверхностью пластины температуры отжига;
Тƒ - температура отжига;
Т0 - начальная температура;
h - толщина пластины;
с и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
τ=at/h2 - критерий Фурье;
а - коэффициент температуропроводности материала пластины;
t - время воздействия лазерного излучения;
R - коэффициент отражения материала пластины;
е - основание натурального логарифма;
n - натуральное число 1, 2, 3 … .
Этот способ выбран в качестве прототипа. Недостатком указанного способа является то, что он не исключает разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки.
Техническим результатов изобретения является повышение выхода годных пластин из неметаллических материалов за счет исключения их разрушения термоупругими напряжениями при лазерном отжиге.
Технический результат достигается тем, что в способе лазерной обработки неметаллических пластин, имеющих свободную поверхность, заключающемся в облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, определяемой по уравнению
где Wƒ - плотность энергии лазерного излучения, необходимая для достижения поверхностью пластины температуры отжига;
Тƒ - температура отжига;
Т0 - начальная температура;
h - толщина пластины;
с и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
τ=at/h2 - критерий Фурье;
а - коэффициент температуропроводности материала пластины;
t - время воздействия лазерного излучения;
R - коэффициент отражения материала пластины;
е - основание натурального логарифма;
n - натуральное число 1, 2, 3 … ,
предварительно рассчитывают условие термопрочности пластины по уравнению
где σВР - предел прочности материала пластины на растяжение;
ν - коэффициент Пуассона;
Е - модуль Юнга;
αТ - коэффициент линейного расширения материала пластины;
ξm - безразмерная координата максимальных растягивающих напряжений в пластине, определяемая из трансцендентного уравнения
и, при его невыполнении, перед воздействием лазерного излучения нагревают пластину до температуры, определяемой по уравнению
Ниже приводится более подробное описание изобретение со ссылкой на фиг. 1 и 2.
Рассмотрим пластину со свободной поверхностью толщиной h, ограниченную двумя плоскостями ±h/2 и цилиндрической поверхностью с замкнутой направляющей. Теплофизические, механические и оптические свойства пластины примем независимыми от температуры. На поверхность h/2 воздействует излучение непрерывного лазера. Плотность мощности лазерного излучения равномерно распределена по сечению пучка и постоянна во времени.
Для случая одностороннего воздействия лазерного излучения на пластину температурное поле в ней будет изменяться только по толщине и может быть найдено из уравнения [Коваленко А.Д. Основы термоупругости. Киев, «Наукова думка», 1970. - 240 с.]
где Т(ξ, τ) - температура в точке ξ в момент времени τ;
ξ=z/h - безразмерная координата;
z - координата;
h - толщина пластины;
τ=at/h2 - безразмерное время (критерий Фурье);
а - коэффициент температуропроводности материала пластины;
t - время воздействия;
Т0 - начальная температура;
λ - коэффициент теплопроводности материала пластины;
q - плотность потока лазерного излучения, поглощенного поверхностью пластины (q=q0(1-R));
q0 - плотность потока лазерного излучения, падающего на поверхность пластины;
R - коэффициент отражения материала пластины;
е - основание натурального логарифма;
n - натуральное число (n=1, 2, 3, …).
Наличие градиента температуры по толщине пластины вызывает в ней термоупругие напряжения. Для пластины, имеющей свободную поверхность, в соответствии с принципом Сен-Венана, равнодействующее усилие и равнодействующий момент на контуре должны быть равны нулю. Поэтому термоупругие напряжения, возникающие в пластине, определяются соотношением [10]
Е - модуль Юнга;
ν - коэффициент Пуассона;
αТ - средний в интервале температур коэффициент линейного расширения пластины.
Подставив (1) в (2)-(4) и выполнив преобразования, получим уравнение для расчета термоупругих напряжений в пластине, имеющей свободную поверхность:
Исследование на экстремум уравнения (5) показывает, что максимальные растягивающие напряжения возникают в сечении, определяемом из решения трансцендентного уравнения
Зависимость безразмерной координаты максимальных растягивающих напряжений ξm от параметра τ представлена на фиг. 1. Видно, что увеличение τ приводит к смещению координаты максимальных растягивающих напряжений от облучаемой поверхности к срединной плоскости пластины.
Так как хрупкие материалы имеют предел прочности на растяжение примерно в 5-10 раз меньше, чем на сжатие [Феодосьев В.И. Сопротивление материалов. - М.: Наука, 1986. - 512 с.], дальнейший анализ проведем для растягивающих напряжений.
Плотность мощности лазерного излучения, вызывающая разрушение пластины термоупругими напряжениями, определим из уравнения (5) после подстановки в него координаты ξm, рассчитанной по соотношению (6)
где
Плотность мощности лазерного излучения, необходимая для достижения поверхностью пластины температуры отжига, определяют из уравнения (5) при ξ=1/2
Разделив (7) на (9) и поставив условие qT/qƒ≥1, получим
Неравенство (11) является условием термостойкости пластин со свободной поверхностью при одностороннем их нагреве поверхностным источником и позволяет определять неразрушающие режимы лазерного отжига. Левая часть неравенства (11) является константой, характеризующей отношение предела прочности на растяжение материала пластины к максимальным растягивающим напряжениям, и не зависит от параметра τ. Правая часть неравенства является функцией безразмерного параметра τ (критерия Фурье). Функция ƒ(τ) является выпуклой, возрастает по мере увеличения τ, достигая максимального значения, равного 0,174 при τ≈2⋅10-2, затем уменьшается. На фиг. 2, где показано графическое решение неравенства (11) для пластины из оптического стекла ЛК3, можно выделить три области. В области 1 τ<τ1 и неравенство (11) выполняются. Следовательно, можно осуществлять лазерный отжиг, не опасаясь разрушения пластины термоупругими напряжениями. В области 2 τ1<τ<τ2 неравенство (11) не выполняется. Разрушение пластины термоупругими напряжениями произойдет при меньших плотностях мощности лазерного излучения, чем требуется для достижения ее поверхностью температуры отжига. В области 3 параметр τ>τ2 и неравенство (11) вновь выполняется. Следовательно, можно осуществлять лазерный отжиг пластин. Так как толщина пластины может быть фиксированной, необходимо выбирать время воздействия технологического лазера таким образом, чтобы безразмерный параметр τ позволял осуществлять отжиг в областях, где неравенство (11) выполняется. Если по каким-то причинам обеспечить время воздействия лазерного излучения на пластину, обеспечивающего выполнение условия термопрочности не удается, то необходимо предварительно нагреть пластину до температуры, обеспечивающей выполнение условия термопрочности при заданном времени воздействия лазерного излучения на пластину. Из уравнения (11) найдем значение температуры, до которой необходимо нагреть пластину
Из уравнений (7) и (9) путем несложных математических преобразований получим уравнения для расчета плотности энергии, вызывающей разрушение пластины термоупругими напряжениями
и для расчета плотности энергии, необходимой для достижения поверхностью пластины температуры отжига
где с и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно.
Пример реализации способа
Необходимо осуществить отжиг поверхности пластины из оптического стекла ЛК3 излучением СО2-лазера. Толщина пластины равна 0,95 см, время воздействия лазерного излучения - 10 с. Левая часть неравенства (11) составляет 0,136, τ=0,06, ƒ(τ)=0,146. Условие термопрочности пластины не выполняется. Для подтверждения невыполнения условия термопрочности по уравнениям (13) и (14) находим, что Wf=195 Дж/см2, WT=183 Дж/см2. Видно, что разрушение пластины термоупругими напряжениями происходит при меньшей плотности энергии лазерного излучения, чем требуется для достижения поверхностью пластины температуры отжига. Расчеты проведены для следующих исходных данных для стекла ЛК3: E=63 ГПа, αT=9⋅10-6 К-1, Tƒ=780 К, T0=300 К, с=800 Дж/(кг⋅К), ρ=2460 кг/м3, ν=0,23, σBP=48 МПа, а=5,5⋅10-3 см2/с. Исходные данные взяты из ГОСТ 13659-78. Стекло оптическое бесцветное. Физико-химические характеристики. - М.: Издательство стандартов, 1985. - 48 с. Для предотвращения разрушения пластины термоупругими напряжениями по уравнению (12) рассчитываем температуру, до которой необходимо нагреть пластину. Получаем Т0≥511 К. Помещаем пластину в муфельную печь, нагреваем до температуры не менее 334 К (например, до Т0=335 К, то есть на 35 К), выдерживаем при этой температуре в течение времени ~495 с, обеспечивающем равномерное распределение температуры по толщине пластины (время выдержки в печи определяется критерием Фурье tB≈3h2/а). Затем воздействуем в течение 10 с на пластину с плотностью энергии, рассчитанной по уравнению (14) для нового значения начальной температуры Т0=335 К. При этом Wf=180 Дж/см2, что меньше значения плотности энергии, приводящей к разрушению пластины термоупругими напряжениями. При этом плотность мощности лазерного излучения составит
qƒ=Wƒ/t=18 Вт/см2.
Таким образом, реализация предложенного способа лазерной обработки неметаллических пластин непрерывным лазерным излучением позволяет исключить их разрушение термоупругими напряжениями и повысить выход годной продукции.
Claims (25)
- Способ лазерной обработки неметаллических пластин, имеющих свободную поверхность, заключающийся в облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, определяемой по уравнению
- где Wƒ - плотность энергии лазерного излучения, необходимая для достижения поверхностью пластины температуры отжига;
- Тƒ - температура отжига;
- Т0 - начальная температура;
- h - толщина пластины;
- с и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
- τ=at/h2 - критерий Фурье;
- а - коэффициент температуропроводности материала пластины;
- t - время воздействия лазерного излучения;
- R - коэффициент отражения материала пластины,
- е - основание натурального логарифма;
- n - натуральное число 1, 2, 3 …,
- отличающийся тем, что предварительно рассчитывают условие термопрочности пластины по уравнению
- где σВР - предел прочности материала пластины на растяжение;
- ν - коэффициент Пуассона;
- Е - модуль Юнга;
- αТ - коэффициент линейного расширения материала пластины,
- ξm - безразмерная координата максимальных растягивающих напряжений в пластине, определяемая из трансцендентного уравнения
- и, при его невыполнении, перед воздействием лазерного излучения нагревают пластину до температуры, определяемой по уравнению
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017103665A RU2649238C1 (ru) | 2017-02-03 | 2017-02-03 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017103665A RU2649238C1 (ru) | 2017-02-03 | 2017-02-03 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2649238C1 true RU2649238C1 (ru) | 2018-03-30 |
Family
ID=61867081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017103665A RU2649238C1 (ru) | 2017-02-03 | 2017-02-03 | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2649238C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5567484A (en) * | 1993-11-10 | 1996-10-22 | International Business Machines Corporation | Process for texturing brittle nonmetallic surfaces |
RU2211753C2 (ru) * | 2000-12-22 | 2003-09-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Способ обработки неметаллических материалов |
US20090159580A1 (en) * | 2007-12-24 | 2009-06-25 | Hong Fu Jin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd. | Brittle nonmetallic workpiece and method and device for making same |
RU2573181C1 (ru) * | 2014-11-24 | 2016-01-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
RU2583870C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-05-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
-
2017
- 2017-02-03 RU RU2017103665A patent/RU2649238C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5567484A (en) * | 1993-11-10 | 1996-10-22 | International Business Machines Corporation | Process for texturing brittle nonmetallic surfaces |
RU2211753C2 (ru) * | 2000-12-22 | 2003-09-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Способ обработки неметаллических материалов |
US20090159580A1 (en) * | 2007-12-24 | 2009-06-25 | Hong Fu Jin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd. | Brittle nonmetallic workpiece and method and device for making same |
RU2573181C1 (ru) * | 2014-11-24 | 2016-01-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
RU2583870C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-05-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
КОВАЛЕНКО А.Ф. и др., Метод определения неразрушающих режимов лазерного отжига диэлектрических и полупроводниковых пластин. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники., 2015, т.18, 2, стр.127-132. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2583870C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2566138C2 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических материалов | |
RU2602402C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2573181C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2630197C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических пластин | |
Kononenko et al. | Graphitization wave in diamond bulk induced by ultrashort laser pulses | |
Faenov et al. | X-ray spectroscopy observation of fast ions generation in plasma produced by short low-contrast laser pulse irradiation of solid targets | |
Juodkazis et al. | Thermal accumulation effect in three-dimensional recording by picosecond pulses | |
RU2649238C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2649054C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2486628C1 (ru) | Способ обработки неметаллических материалов | |
RU2633860C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических материалов | |
Rondepierre et al. | Laser interaction in a water tank configuration: Higher confinement breakdown threshold and greater generated pressures for laser shock peening | |
RU2624989C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2692004C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических материалов | |
Antici et al. | Isochoric heating of matter by laser-accelerated high-energy protons | |
RU2760764C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
Kovalenko et al. | Method of determining nondestructive pulsed laser annealing modes for dielectric and semiconductor wafers | |
RU2757537C1 (ru) | Способ лазерного отжига неметаллических пластин | |
Groth et al. | Design of local heat treatment for crack retardation in aluminium alloys | |
RU2646177C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических материалов | |
RU2624998C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
RU2685427C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин | |
Pushkarev et al. | Diagnostics of pulsed beams of electrons, ions, and atoms | |
RU2691923C1 (ru) | Способ лазерной обработки неметаллических пластин |