RU2574327C1 - Способ лазерной обработки неметаллических материалов - Google Patents

Способ лазерной обработки неметаллических материалов Download PDF

Info

Publication number
RU2574327C1
RU2574327C1 RU2014145097/28A RU2014145097A RU2574327C1 RU 2574327 C1 RU2574327 C1 RU 2574327C1 RU 2014145097/28 A RU2014145097/28 A RU 2014145097/28A RU 2014145097 A RU2014145097 A RU 2014145097A RU 2574327 C1 RU2574327 C1 RU 2574327C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plate
laser
metallic materials
laser radiation
plate material
Prior art date
Application number
RU2014145097/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Федорович Коваленко
Михаил Викторович Сахаров
Йонос Ионо Астраускас
Алексей Александрович Воробьев
Original Assignee
Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации filed Critical Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации
Application granted granted Critical
Publication of RU2574327C1 publication Critical patent/RU2574327C1/ru

Links

Images

Abstract

Использование: для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ лазерной обработки неметаллических материалов заключается в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения, формируют лазерный импульс, плотность энергии которого на облучаемой поверхности пластины определяется по представленному соотношению. Технический результат: обеспечение возможности снижения энергетических затрат и уменьшения термоупругих напряжений. 2 ил.

Description

Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.
Известен способ обработки неметаллических материалов, применяемый для аморфизации кремния и заключающийся в облучении поверхности пластины импульсом лазерного излучения [1] с плотностью энергии, достаточной для плавления поверхностного слоя. Известен также способ обработки неметаллических материалов, применяемый для отжига ионно-легированного кремния [2]. Недостатком указанных способов является то, что они не учитывают термоупругие напряжения, возникающие в пластинах в процессе обработки. Так как обрабатываемые материалы являются частично прозрачными для воздействующего излучения, возможны такие режимы, при которых термоупругие напряжения, способные разрушить пластины, будут определяющими в технологических процессах.
Также известен способ обработки неметаллических материалов [3], в котором обработка пластин осуществляется путем облучения поверхности импульсом лазерного излучения. Временная форма импульса описывается определенным соотношением в зависимости от плотности потока энергии лазерного излучения, констант b1 и b2, характеризующих фронт и спад лазерного импульса, от длительности лазерного импульса, текущего времени от начала воздействия, плотности энергии и максимального значения плотности потока лазерного излучения в импульсе. Эффект достигается тем, что формируют лазерный импульс, временная форма которого описывается соотношением
Figure 00000001
где q(t) - плотность потока энергии лазерного излучения, Вт/м2;
τ - длительность импульса лазерного излучения, с;
b1 и b2 - константы, характеризующие фронт и спад лазерного импульса;
t - текущее время от начала воздействия, с.
Указанный способ позволяет минимизировать термоупругие напряжения в поглощающем слое материала пластины при воздействии лазерных импульсов длительностью менее 10-6 с, когда рассматривается динамическая задача термоупругости [4]. Но этот способ не работает, когда длительность лазерного импульса составляет ~10-2-10-6 с, и необходимо рассматривать квазистатическую задачу термоупругости.
Наиболее близкий по существенным признакам является способ лазерной обработки [5], в частности, используемый для лазерного отжига неметаллических пластин, в котором плотность энергии на поверхности пластины определяется по соотношению
Figure 00000002
где Tf - температура отжига;
Т0 - начальная температура;
c и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
R - коэффициент отражения материала пластины;
χ - показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения.
Этот способ выбран в качестве прототипа. Недостатком способа является то, что он не позволяет минимизировать термоупругие напряжения и уменьшить энергетические затраты в процессе обработки.
Целью предлагаемого изобретения является снижение энергетических затрат и уменьшение термоупругих напряжений при лазерном отжиге неметаллических материалов, обладающих объемным поглощением лазерного излучения, например полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.
Поставленная цель достигается тем, что вышедшее из пластины лазерное излучение возвращается в нее при помощи зеркала с коэффициентом отражения ~0,99, а плотность энергии лазерного излучения на облучаемой поверхности пластины рассчитывают по уравнению
Figure 00000003
где h - толщина пластины.
Ниже приводится более подробное описание способа обработки неметаллических материалов с поясняющей схемой на фиг. 1 и основными зависимостями на фиг. 2
Сущность способа состоит в следующем. Для осуществления лазерного отжига пластины 3 из неметаллического материала ее поверхность подвергают воздействию лазерного импульса. Для предотвращения изгиба пластины 3 при обработке ее, как правило, свободно защемляют по контуру [6]. Пластина 3 полностью накрывается лазерным излучением. Полное накрытие лазерным излучением обеспечивается расфокусирующей или собирающей линзой 2 в зависимости от выходной апертуры лазера 1. В этом случае температурное поле в пластине будет изменяться только по ее толщине. В свободно защемленной по контуру пластине под действием температурного поля, изменяющегося только по толщине пластины, возникают термоупругие напряжения [6]:
Figure 00000004
где:
Figure 00000005
E - модуль Юнга материала пластины;
ν - коэффициент Пуассона материала пластины;
αT - коэффициент линейного расширения материала пластины;
z - координата, отсчитываемая от облучаемой поверхности пластины вглубь.
Уравнения (3) и (4) показывают, что максимальные растягивающие напряжения возникают в сечении пластины z=h, где температура минимальна.
Если выполняется условие
Figure 00000006
то температурное поле в пластине к концу действия лазерного импульса будет определяться уравнением [7]
Figure 00000007
a - коэффициент температуропроводности материала пластины;
τu - длительность лазерного импульса;
Figure 00000008
- плотность энергии лазерного излучения.
Условие (5) для большинства полупроводниковых, стеклообразных и керамических материалов выполняется при τu<0,01 с.
Если лазерное излучение, вышедшее из пластины, при помощи зеркала 4 с коэффициентом отражения, близким к 1, направить назад в пластину, то температурное поле в пластине будет определяться соотношением
Figure 00000009
Подставив (6) и (7) в (4) и (3) и выполнив математические преобразования, получим соотношения для расчета максимальных растягивающих термоупругих напряжений, возникающих в сечении пластины z=h, где температура минимальна, для случая традиционного облучения поверхности пластины лазерным излучением
Figure 00000010
и для случая возвращения вышедшего из пластины излучения при помощи зеркала с коэффициентом отражения, близким к единице
Figure 00000011
Если максимальные растягивающие напряжения превысят предел прочности материала пластины на растяжение, она будет разрушена термоупругими напряжениями. Так как предел прочности материала имеет разброс от образца к образцу и в различных партиях пластин вследствие дефектов неизбежен брак в процессе их обработки.
Плотность энергии лазерного излучения, необходимая для достижения облучаемой поверхностью температуры отжига, для первого и второго случаев рассчитывают по уравнениям (1) и (2) соответственно. Для оценки положительного эффекта найдем отношения:
Figure 00000012
Figure 00000013
На фиг. 2 представлены зависимости указанных отношений от безразмерного параметра χh. Видно, что положительный эффект по уменьшению энергетических затрат проявляется при χh<2 и может приводить к экономии до 40% энергии излучения лазера при χh~0,1. Уменьшение максимальных растягивающих напряжений при реализации описанного способа обработки проявляется при χh<8. Максимальные растягивающие напряжения могут быть уменьшены, например, более чем в 10 раз при χh~0,1, что должно существенно повысить выход годных пластин при высокотемпературном лазерном отжиге.
Таким образом, реализация предложенного способа лазерной обработки неметаллических материалов приводит к уменьшению энергетических затрат и снижению максимальных растягивающих напряжений в обрабатываемых пластинах.
Литература
1. Боязитов P.M. и др. Аморфизация и кристаллизация кремния субнаносекундными лазерными импульсами. Тезисы докладов Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 11-18 марта 1988 г., с. 24.
2. Кузменченко Т.А. и др. Лазерный отжиг ионно-легированного кремния излучением с длиной волны 2,94 мкм. Тезисы докладов Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 11-18 марта 1988 г., с. 29.
3. Патент RU 2211753.
4. Коваленко А.Ф. Экспериментальная установка для исследования влияния параметров лазерного импульса на разрушение неметаллических материалов // Приборы и техника эксперимента. - 2004. №4. - С. 119-124.
5. Коваленко А.Ф. Неразрушающие режимы импульсного лазерного отжига стеклянных и керамических пластин // Стекло и керамика. 2006. №7. С. 31-33.
6. Коваленко А.Д. Термоупругость. Киев, «Вища школа», 1973, - 216 с.
7. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: Справочник / Н.Н. Рыкалин, А.А Углов, И.В. Зуев, А.Н. Кокора. - М.: Машиностроение, 1985, - 496 с.

Claims (1)

  1. Способ лазерной обработки неметаллических материалов, заключающийся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения, отличающийся тем, что формируют лазерный импульс, плотность энергии которого на облучаемой поверхности пластины определяется по соотношению
    Figure 00000014

    где T f - температура отжига;
    T 0 - начальная температура;
    c и ρ - удельная теплоемкость и плотность материала пластины соответственно;
    R - коэффициент отражения материала пластины;
    χ - показатель поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения;
    h - толщина пластины,
    а вышедшее через тыльную поверхность пластины лазерное излучение при помощи зеркала с коэффициентом отражения, близким к единице, возвращают в пластину.
RU2014145097/28A 2014-11-10 Способ лазерной обработки неметаллических материалов RU2574327C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2574327C1 true RU2574327C1 (ru) 2016-02-10

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2760764C1 (ru) * 2021-03-29 2021-11-30 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") Способ лазерной обработки неметаллических пластин

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020086532A1 (en) * 1999-04-01 2002-07-04 Joachim Hopfner Method for processing a monocrystalline Si-semiconductor wafer
US20060079069A1 (en) * 2004-10-07 2006-04-13 Disco Corporation Silicon wafer laser processing method and laser beam processing machine
US20080003708A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Hitoshi Hoshino Method of processing sapphire substrate
WO2009114375A2 (en) * 2008-03-07 2009-09-17 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
RU2486628C1 (ru) * 2011-12-14 2013-06-27 Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого МО РФ Способ обработки неметаллических материалов

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020086532A1 (en) * 1999-04-01 2002-07-04 Joachim Hopfner Method for processing a monocrystalline Si-semiconductor wafer
US20060079069A1 (en) * 2004-10-07 2006-04-13 Disco Corporation Silicon wafer laser processing method and laser beam processing machine
US20080003708A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Hitoshi Hoshino Method of processing sapphire substrate
WO2009114375A2 (en) * 2008-03-07 2009-09-17 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
RU2486628C1 (ru) * 2011-12-14 2013-06-27 Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого МО РФ Способ обработки неметаллических материалов

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2760764C1 (ru) * 2021-03-29 2021-11-30 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") Способ лазерной обработки неметаллических пластин

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Miller et al. Laser damage precursors in fused silica
RU2573181C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2583870C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
KR20180055798A (ko) 광전자 수율 및/또는 이차 전자 수율을 감소시키는, 장치 및, 그의 방법
RU2630197C1 (ru) Способ лазерного отжига неметаллических пластин
Lebugle et al. Guidelines for efficient direct ablation of dielectrics with single femtosecond pulses
RU2602402C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
Batani Short-pulse laser ablation of materials at high intensities: Influence of plasma effects
RU2633860C1 (ru) Способ лазерного отжига неметаллических материалов
RU2574327C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических материалов
RU2486628C1 (ru) Способ обработки неметаллических материалов
RU2692004C1 (ru) Способ лазерного отжига неметаллических материалов
RU2582849C1 (ru) Способ лазерной пробивки сквозного отверстия в неметаллической пластине
Arakcheev et al. Status of dynamic diagnostics of plasma material interaction based on synchrotron radiation scattering at the VEPP-4 beamline 8
RU2649054C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
Rusby et al. Escaping electrons from intense laser-solid interactions as a function of laser spot size
Groth et al. Design of local heat treatment for crack retardation in aluminium alloys
RU2624989C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2646177C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических материалов
RU2624998C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
Carr et al. A summary of recent damage-initiation experiments on KDP crystals
Li et al. The damage mechanism and process of metal multi-layer dielectric gratings induced by ps-pulsed laser
RU2760764C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2685427C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических пластин
RU2695440C1 (ru) Способ лазерной обработки неметаллических материалов