JP2018060891A - レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018060891A JP2018060891A JP2016196527A JP2016196527A JP2018060891A JP 2018060891 A JP2018060891 A JP 2018060891A JP 2016196527 A JP2016196527 A JP 2016196527A JP 2016196527 A JP2016196527 A JP 2016196527A JP 2018060891 A JP2018060891 A JP 2018060891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- processed
- levitation
- gas
- rough
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005339 levitation Methods 0.000 claims description 519
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 33
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
以下、図面を用いて実施の形態1にかかるレーザ照射装置について説明する。図1は、実施の形態1にかかるレーザ照射装置を説明するための平面図である。図2は、図1に示すレーザ照射装置の切断線A−Aにおける断面図である。
図1、図2に示すように、レーザ照射装置1は、浮上ユニット10を備える。浮上ユニット10は、被処理体16を浮上させながら搬送する。具体的には、レーザ照射装置1は、浮上ユニット10を用いて被処理体16を浮上させながら、把持部18(図1参照)を用いて被処理体16を把持して搬送方向(x軸方向)に被処理体16を搬送する。被処理体16が搬送される際、浮上ユニット10は被処理体16の上側に配置されている他の機構(不図示)に被処理体16が接触しないように浮上量を調整している。
精密浮上ユニット11a、11bは、被処理体16を精密に浮上させて搬送するユニットであり、搬送時の被処理体16のたわみ量を小さくしながら搬送することができるように構成されている。精密浮上ユニット11a、111bは、被処理体16を浮上させるためのガスの噴出量を精密に制御している。精密浮上領域(精密浮上ユニット)11a、11bは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体16を浮上させるように構成されている。
次に、ラフ浮上ユニット13a〜13fの構成例について説明する。図1、図2に示すラフ浮上ユニット13a〜13jは、被処理体16を浮上させて搬送するユニットであり、搬送時に被処理体16がラフ浮上ユニット13a〜13jに接触しなければよいため、被処理体16を浮上させるためのガスの噴出量は、精密浮上ユニット11a、11bほど精密に制御していない。このため、ラフ浮上ユニット13a〜13jを通過する際の被処理体16のたわみ量は、精密浮上ユニット11a、11bを通過する際の被処理体16のたわみ量よりも大きい。ラフ浮上領域(ラフ浮上ユニット)13a〜13jは、ガスの吸引を用いず、ガスの噴出を用いて被処理体16を浮上させるように構成されている。
図11は、レーザ照射装置1を用いて被処理体16を搬送している状態を説明するための断面図である。図11(a)に示すように、被処理体16がラフ浮上ユニット13a〜13eの上を通過している際は、被処理体16がたわんでいる。しかし本実施の形態ではラフ浮上ユニット13a〜13eの上面に溝17を形成しているので、上記で説明した理由から被処理体16のたわみ量は抑えられている。
次に、浮上ユニットの平面度について説明する。本実施の形態では、精密浮上ユニット11a、11bの被処理体16と対向する面の平面度は、ラフ浮上ユニット13a〜13jの被処理体16と対向する面の平面度よりも小さくなるように構成している。一例を挙げると、精密浮上ユニット11a、11bの平面度は20μm以下であり、ラフ浮上ユニット13a〜13jの平面度は75μm以下である。
図13〜図15は、ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。図1に示したラフ浮上ユニット13a〜13jでは、複数のラフ浮上ユニット13a〜13jを搬送方向(x軸方向)に並ぶように配置し、これらの複数のラフ浮上ユニット13a〜13jの各々に溝17を形成した構成について説明した。しかし、本実施の形態では、図13に示すように、ラフ浮上ユニット13の単位ユニット当たりの面積を大きくし、このラフ浮上ユニット13に溝17を形成してもよい。このように、ラフ浮上ユニット13の単位ユニット当たりの面積を大きくすることで、ラフ浮上領域を形成するためのラフ浮上ユニットの数を少なくすることができる。
次に、実施の形態2にかかるレーザ照射装置について説明する。図17は、実施の形態2にかかるレーザ照射装置2を説明するための平面図である。図18は、図17に示すレーザ照射装置2の切断線B−Bにおける断面図である。図17、図18に示すレーザ照射装置2は、被処理体16を浮上ユニット10を用いて浮上させて搬送しながら被処理体16にレーザ光15を照射する装置である。
図17、図18に示すように、レーザ照射装置2は、浮上ユニット10を備える。浮上ユニット10は、被処理体16を浮上させながら搬送する。具体的には、レーザ照射装置2は、浮上ユニット10を用いて被処理体16を浮上させながら、把持部18(図17参照)を用いて被処理体16を把持して搬送方向(x軸方向)に被処理体16を搬送する。被処理体16が搬送される際、浮上ユニット10は被処理体16の上側に配置されている他の機構(不図示)に被処理体16が接触しないように浮上量を調整している。
図19は、本実施の形態にかかるレーザ照射装置2を用いて被処理体16を搬送している状態を説明するための断面図である。図19(a)に示すように、被処理体16がラフ浮上ユニット13a〜13cの上を通過している際は、被処理体16がたわんでいる。しかし本実施の形態ではラフ浮上ユニット13a〜13cの上面に溝17を形成しているので、上記で説明した理由から被処理体16のたわみ量は抑えられている。
図20〜図22は、精密浮上ユニット(精密浮上領域)11、準精密浮上ユニット(準精密浮上領域)12、及びラフ浮上ユニット(ラフ浮上領域)13の配置例を説明するための平面図である。図20〜図22に示すレーザ照射装置2_1〜2_3のステージ上には、精密浮上ユニット11、準精密浮上ユニット12、及びラフ浮上ユニット13がそれぞれ配置されている。そして、ステージ上において被処理体16を浮上させ、把持部(不図示)を用いて被処理体16をステージ上の矢印の方向に搬送して被処理体16を処理する。
次に、準精密浮上ユニットの他の構成例について説明する。図23は、準精密浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。図23に示す構成例では、ラフ浮上ユニット13、準精密浮上ユニット12、及び精密浮上ユニット11が搬送方向に並ぶように配置されている。ラフ浮上ユニット13、準精密浮上ユニット12、及び精密浮上ユニット11の上面、つまり被処理体16と対向する面側には多孔質体が設けられている。図23に示すラフ浮上ユニット13、準精密浮上ユニット12、及び精密浮上ユニット11においても、多孔質体の上面から上方に圧縮ガスが噴出する。これにより、被処理体16が浮上する。
以下、ラフ浮上ユニットのその他の構成について説明する。本実施の形態では、ラフ浮上ユニット13に形成する溝17の形状は上記で示した形状に限定されることはない。例えば、図24に示すように、ラフ浮上ユニット13に形成する溝の形状を、第1の方向に伸びる溝17_5、第2の方向に伸びる溝17_6、及び第3の方向に伸びる溝17_7が互いに交わるような形状としてもよい。図24に示す場合は、各々の溝17_5〜17_7が三角形の各々の辺に対応している。
次に、その他の実施の形態として、実施の形態1、2で説明したレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置について説明する。
まず、上記で説明したレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態では、レーザ照射装置としてレーザアニール装置を用いることで、基板上に形成した非晶質膜にレーザ光を照射して非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、半導体装置はTFT(Thin Film transistor)を備える半導体装置であり、この場合はアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して結晶化させてポリシリコン膜を形成することができる。
次に、TFTを備える半導体装置を用いたデバイスの一例として、有機ELディスプレイについて説明する。図33は、有機ELディスプレイの概要を説明するための断面図であり、有機ELディスプレイの画素回路を簡略化して示している。図33に示す有機ELディスプレイ300は、各画素PXにTFTが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
10 浮上ユニット
11、11a、11b 精密浮上ユニット
12、12a〜12d 準精密浮上ユニット
13、13a〜13f ラフ浮上ユニット
15 レーザ光、レーザ照射位置
16 被処理体
17、17_1〜17_4 溝
18 把持部
21 台座
22 多孔質体
24_1、24_2 給気ポート
25_1、25_2 排気ポート
26 流路
27 吸気孔
31 台座
32 多孔質体
34_1、34_2 給気ポート
Claims (16)
- レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、を備え、
前記浮上ユニットは、第1の領域と第2の領域とを備え、
前記第1の領域および前記第2の領域は、平面視した際に前記レーザ光の焦点と前記第1の領域とが重畳し、前記レーザ光の焦点と前記第2の領域とが重畳しないように配置されており、
前記第1の領域は、ガスの噴出および吸引を用いて前記被処理体を浮上させるように構成されており、
前記第2の領域は、ガスの噴出を用いて前記被処理体を浮上させるように構成されており、
前記第2の領域の前記被処理体と対向する側の面には、前記被処理体と前記第2の領域との間に存在するガスを排出するための溝が形成されている、
レーザ照射装置。 - 前記溝は、前記浮上ユニットを平面視した際に、前記被処理体の搬送方向下流側の辺に対して所定の角度をなすように形成されている、請求項1に記載のレーザ照射装置。
- 前記溝は、前記浮上ユニットを平面視した際に互いに平行に並ぶように形成されている、請求項2に記載のレーザ照射装置。
- 前記溝は、前記浮上ユニットを平面視した際に、第1の方向に伸びる第1の溝と第2の方向に伸びる第2の溝とを備え、
前記第1及び第2の溝は互いに交差するように形成されている、
請求項2に記載のレーザ照射装置。 - 前記第2の領域は、ガスを上方に噴出して前記被処理体を浮上させる第1のガス噴出部を備え、
前記第1のガス噴出部は多孔質体を用いて構成されており、
前記溝は、前記多孔質体の表面に形成されている、
請求項2に記載のレーザ照射装置。 - 前記第2の領域は、ガスを上方に噴出して前記被処理体を浮上させる第1のガス噴出部を備え、
前記第1のガス噴出部は複数の多孔質体を用いて構成されており、
前記溝は、前記複数の多孔質体を配置した際に前記多孔質体間にできる隙間を用いて構成されている、
請求項2に記載のレーザ照射装置。 - 前記第2の領域は、ガスの噴出を用いて前記被処理体を浮上させる複数のラフ浮上ユニットを用いて構成されており、
前記複数のラフ浮上ユニットの各々には前記溝が形成されており、
前記溝は、前記複数のラフ浮上ユニットを並べた際に、前記各々のラフ浮上ユニットに形成された溝が互いに繋がるように形成されている、
請求項2に記載のレーザ照射装置。 - 前記複数のラフ浮上ユニットが隣り合う境界付近の搬送方向上流側の位置であって、前記被処理体の角部の搬送経路と重畳する位置において、前記溝が部分的に取り除かれている、請求項7に記載のレーザ照射装置。
- 前記浮上ユニットは更に、前記第1の領域と前記第2の領域との間に配置された第3の領域を備え、
前記第3の領域は、ガスの噴出および吸引を用いて前記被処理体を浮上させるように構成されており、
前記第1の領域および前記第3の領域は、前記第1の領域における前記ガスの制御と前記第3の領域における前記ガスの制御とが前記第1の領域および前記第3の領域においてそれぞれ独立に制御可能に構成されている、
請求項1に記載のレーザ照射装置。 - 前記第1の領域は、
ガスを上方に噴出して前記被処理体を浮上させる第2のガス噴出部と、
前記被処理体と前記第1の領域との間に存在するガスを吸引する複数の第1の吸気孔と、を備える、
請求項9に記載のレーザ照射装置。 - 前記第2のガス噴出部は多孔質体を用いて構成されており、
前記複数の第1の吸気孔は、前記多孔質体の前記被処理体と対向する面において均一に配置されている、
請求項10に記載のレーザ照射装置。 - 前記第3の領域は、
ガスを上方に噴出して前記被処理体を浮上させる第3のガス噴出部と、
前記被処理体と前記第3の領域との間に存在するガスを吸引する複数の第2の吸気孔と、を備える、
請求項10に記載のレーザ照射装置。 - 前記第3のガス噴出部は多孔質体を用いて構成されており、
前記複数の第2の吸気孔は、前記多孔質体の前記被処理体と対向する面において、前記第2の領域側よりも前記第1の領域側において密になるように配置されている、
請求項12に記載のレーザ照射装置。 - 前記第2のガス噴出部に供給されるガス供給量と前記第3のガス噴出部に供給されるガス供給量とが独立に制御可能に構成されており、
前記第1の吸気孔のガス吸引量と前記第2の吸気孔のガス吸引量とが独立に制御可能に構成されている、
請求項12に記載のレーザ照射装置。 - 被処理体を浮上ユニットを用いて浮上させて搬送しながら前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
前記浮上ユニットは、平面視した際に前記レーザ光の焦点と重畳する第1の領域と、前記レーザ光の焦点と重畳しない第2の領域と、を備え、
前記浮上ユニットを用いて前記被処理体を搬送する際、
前記第1の領域はガスの噴出および吸引を用いて前記被処理体を浮上させて搬送し、
前記第2の領域はガスの噴出を用いて前記被処理体を浮上させて搬送するとともに、前記第2の領域の前記被処理体と対向する側の面に形成された溝を用いて、前記被処理体と前記第2の領域との間に存在するガスを排出する、
レーザ照射方法。 - (a)基板上に非晶質膜を形成するステップと、
(b)前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記(b)のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させて搬送しながら前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
前記浮上ユニットは、平面視した際に前記レーザ光の焦点と重畳する第1の領域と、前記レーザ光の焦点と重畳しない第2の領域と、を備え、
前記浮上ユニットを用いて前記基板を搬送する際、
前記第1の領域はガスの噴出および吸引を用いて前記基板を浮上させて搬送し、
前記第2の領域はガスの噴出を用いて前記基板を浮上させて搬送するとともに、前記第2の領域の前記基板と対向する側の面に形成された溝を用いて、前記基板と前記第2の領域との間に存在するガスを排出する、
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016196527A JP6917691B2 (ja) | 2016-10-04 | 2016-10-04 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016196527A JP6917691B2 (ja) | 2016-10-04 | 2016-10-04 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018060891A true JP2018060891A (ja) | 2018-04-12 |
JP6917691B2 JP6917691B2 (ja) | 2021-08-11 |
Family
ID=61908596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016196527A Active JP6917691B2 (ja) | 2016-10-04 | 2016-10-04 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6917691B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019202923A1 (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2021034679A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2021136285A (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-13 | 株式会社日本製鋼所 | 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 |
WO2024009470A1 (ja) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Jswアクティナシステム株式会社 | 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231654A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザアニール方法及び装置 |
JP2006237097A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Tokyo Electron Ltd | ステージ装置および塗布処理装置 |
JP2007027495A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | 浮上式基板搬送処理装置 |
WO2007145072A1 (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-21 | Nsk Ltd. | 支持装置 |
JP2008029938A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法及び塗布装置 |
JP2009135430A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2016162856A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 株式会社日本製鋼所 | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 |
-
2016
- 2016-10-04 JP JP2016196527A patent/JP6917691B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231654A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザアニール方法及び装置 |
JP2006237097A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Tokyo Electron Ltd | ステージ装置および塗布処理装置 |
JP2007027495A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | 浮上式基板搬送処理装置 |
WO2007145072A1 (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-21 | Nsk Ltd. | 支持装置 |
JP2008029938A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法及び塗布装置 |
JP2009135430A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2016162856A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 株式会社日本製鋼所 | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019202923A1 (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2019192681A (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-31 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
CN111819661A (zh) * | 2018-04-19 | 2020-10-23 | 株式会社日本制钢所 | 激光处理装置和半导体器件制造方法 |
JP7034817B2 (ja) | 2018-04-19 | 2022-03-14 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2021034679A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2021038950A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7412111B2 (ja) | 2019-08-29 | 2024-01-12 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2021136285A (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-13 | 株式会社日本製鋼所 | 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 |
JP7437186B2 (ja) | 2020-02-26 | 2024-02-22 | Jswアクティナシステム株式会社 | 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 |
WO2024009470A1 (ja) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Jswアクティナシステム株式会社 | 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6917691B2 (ja) | 2021-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2018042796A1 (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6983578B2 (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2018060891A (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2018064048A (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2018024014A (ja) | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 | |
WO2019202923A1 (ja) | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
TW201712921A (zh) | 有機發光顯示設備、有機層沉積設備、以及使用有機層沉積設備製造有機發光顯示設備之方法 | |
WO2018055840A1 (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
KR20180033093A (ko) | 도포 장치, 도포 방법, 및 유기 el 디스플레이 | |
KR102390719B1 (ko) | 도포 장치, 도포 방법 및 유기 el 디스플레이 | |
KR20180092876A (ko) | 도포 장치 및 도포 방법 | |
JP7260624B2 (ja) | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 | |
JP7412111B2 (ja) | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
WO2024009470A1 (ja) | 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 | |
WO2022163783A1 (ja) | 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 | |
WO2023199485A1 (ja) | 搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2021184470A (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190703 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201224 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210422 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210422 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210507 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6917691 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |