JP7260624B2 - レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 - Google Patents
レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7260624B2 JP7260624B2 JP2021207816A JP2021207816A JP7260624B2 JP 7260624 B2 JP7260624 B2 JP 7260624B2 JP 2021207816 A JP2021207816 A JP 2021207816A JP 2021207816 A JP2021207816 A JP 2021207816A JP 7260624 B2 JP7260624 B2 JP 7260624B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wall
- chamber
- work
- exhaust
- air supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 163
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 93
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 86
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000032798 delamination Effects 0.000 claims 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 68
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 57
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 17
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/142—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
まず、図1Aを用いて有機EL(Electroluminescence)ディスプレイの構造について説明する。図1Aは、有機ELディスプレイの一例を示す断面図である。図1Aに示す有機ELディスプレイ300は、各画素PXにTFTが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
次に、図1Bを用いて上記で説明した有機ELディスプレイの製造工程について説明する。有機ELディスプレイを製造する際は、まず基板211を準備する(工程A)。例えば、基板211にはレーザ光を透過するガラス基板を用いる。次に、基板211の上に剥離層212を形成する(工程B)。剥離層212には、例えばポリイミドを用いることができる。その後、剥離層212の上に回路素子213を形成する(工程C)。ここで、回路素子213は、図1Aに示すTFT層311、有機層312、カラーフィルタ層313を含む。回路素子213は、フォトリソグラフィ技術や成膜技術を用いて形成することができる。その後、回路素子213の上に、回路素子213を保護するための保護層214を形成する(工程D)。
次に、工程Fで用いられるレーザ剥離装置(比較例)について具体的に説明する。図2は、レーザ剥離装置(レーザリフトオフ装置)を説明するための断面図である。図2に示すように、レーザ剥離装置201は、光学系220とステージ221とを備える。光学系220には、レーザ光源(不図示)からレーザ光が供給される。レーザ光源には、例えばエキシマレーザや紫外(UV)レーザを発生させるレーザ発生装置を用いることができる。光学系220は複数のレンズを用いて構成されている。光学系220は、レーザ光源から供給されたレーザ光の形状をライン状、具体的には焦点がy軸方向に伸びるレーザ光216とする。
以下、図面を参照して実施の形態1について説明する。図7~図9はそれぞれ、実施の形態1にかかるレーザ剥離装置を説明するための断面図、平面図、及び下面図である。図7に示すようにレーザ剥離装置1は、光学系20、ステージ21、噴射ユニット22、及び集塵ユニット23を備える。本実施の形態にかかるレーザ剥離装置1は、基板11と当該基板11上に形成された剥離層12とを少なくとも備えるワーク10に対して、ワーク10を搬送しながら、基板11側から基板11と剥離層12との界面にレーザ光16を照射して剥離層12を基板11から剥離する装置である。レーザ剥離装置1は、レーザ光を照射しながらワーク10を搬送する際、ワーク10上に気体を吹き付け、吹き付けられた気体を吸引して粉塵を集塵する。
次に、実施の形態2について説明する。図11は、実施の形態2にかかるレーザ剥離装置を説明するための断面図である。図11に示すようにレーザ剥離装置2は、光学系20、ステージ21、及び集塵ユニット60を備える。本実施の形態にかかるレーザ剥離装置2は、基板11と当該基板11上に形成された剥離層12とを少なくとも備えるワーク10に対して、ワーク10を搬送しながら、基板11側から基板11と剥離層12との界面にレーザ光16を照射して剥離層12を基板11から剥離する装置である。
次に、実施の形態3について説明する。図14は、実施の形態3にかかるレーザ剥離装置を説明するための断面図である。本実施の形態にかかるレーザ剥離装置3は、実施の形態2で説明したレーザ剥離装置2と比べて集塵ユニット90の底部に底板部材91~94を備える点が異なる。これ以外は実施の形態2で説明したレーザ剥離装置2と同様であるので、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複した説明は省略する。
次に、実施の形態4について説明する。図17は、実施の形態4にかかるレーザ剥離装置5を説明するための断面図である。本実施の形態にかかるレーザ剥離装置5は、実施の形態3で説明したレーザ剥離装置3(図14参照)と比べて集塵ユニット110が給気空間71、72を備えない点が異なる。これ以外は実施の形態3で説明したレーザ剥離装置3と同様であるので、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複した説明は省略する。
次に、実施の形態5について説明する。まず、実施の形態5にかかるレーザ剥離装置の構成を説明する。図19~21は、実施の形態5にかかるレーザ剥離装置を説明するための斜視図である。図22は、実施の形態5にかかるレーザ剥離装置を説明するための側面図である。図19~図22では、内部の構造を説明するために、適宜、構成する部材を省略している。
チャンバ510は、例えば、外形が直方体状であり、チャンバ壁によって囲まれた内部に空間を有している。チャンバ510は、下方から支持台530で支持されている。支持台530は、土台531及び複数の支柱532を有している。土台531は、床面上に平らに設置された平板状の部材であり、チャンバ510の重みを支えている。土台531から上方に延びるように設けられた複数の支柱532によって、チャンバ510は支持されている。
チャンバ510の内部には、ステージ21及び集塵ユニット60が配置される。ステージ21は、底面壁511上に配置された走査装置551上に配置される。ステージ21上にワーク10を配置する。ステージ21に配置されたワーク10は、走査装置551上に配置されることにより、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能である。
次に、チャンバ510の内部の空気の流れを説明する。
図24は、実施の形態5にかかるレーザ剥離装置500において、前面壁513及び後面壁におけるフィルタ542の有無と、チャンバ510の内部の前面壁513側及びステージ21上への空気の到達との関係を例示した図である。
次に、集塵ユニット60への給気量及び集塵ユニット60からの排気量について説明する。図29は、実施の形態5にかかるレーザ剥離装置500において、給気量に対する排気量の比と、排気配管522内のパーティクル濃度を例示したグラフである。パーティクル濃度は、粒径が0.3~1.0μm(グラフ中に丸印で示す。)のパーティクル(以下、小パーティクルという。)濃度、粒径が1.0~10μm(グラフ中に四角印で示す。)のパーティクル(以下、中パーティクルという。)濃度及び粒径が10μm以上(グラフ中に三角印で示す)のパーティクル(以下、大パーティクルという。)濃度を示している。
本実施形態では、チャンバ510の内部の空気の流れと、集塵ユニット60における給気及び排気の経路とは、別経路となっている。本実施形態では、チャンバ510の内部の空気の流れを、給気ファン541及びフィルタ542(FFU)で制御し、集塵ユニット60における給気量及び排気量を集塵ユニット用給排気ファン520で制御している。
次に、チャンバ510のFFUの作動、並びに、集塵ユニット60の給気及び排気の制御について説明する。図31は、実施の形態5にかかるFFUの作動、並びに、集塵ユニット60の給気及び排気の制御方法を例示したブロック図である。
図22に示すように、チャンバ510の内部に配置されたステージ21上にワーク10を配置する。例えば、側面壁515に設けられたワーク出入口515aよりチャンバ510の内部にワーク10を挿入し、ステージ21上に配置する。
本実施形態によれば、チャンバ510の内部の空間に層流を形成することにより、チャンバ510の内部から発生する粉塵が、レーザ光16の照射領域に達するのを抑制することができる。特に、チャンバ510の内部に配置されたステージ21の走行レール、レールに組み込まれたベアリング、ケーブル、ケーブルを支持するケーブルベア(登録商標)、配線配管等から発生する粉塵をワーク10の近傍から除去することができる。
次に、実施の形態6を説明する。まず、実施の形態6にかかるレーザ剥離装置を説明する。図33は、実施の形態6に係るレーザ剥離装置を説明するための斜視図である。
チャンバ610は、例えば、外形が直方体状であり、チャンバ壁によって囲まれた内部に空間を有している。チャンバ610は、例えば、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の長さが5.5m程度、4.5m程度及び2m程度となっている。なお、実施の形態5のチャンバ510は、チャンバ610よりも例えば、小さいものとなっている。チャンバ610は、下方から、複数の支柱632によって、支持されている。
次に、チャンバ610の内部の空気の流れを説明する。
図35は、実施の形態6にかかるレーザ剥離装置600において、チャンバ610の内部の空気の流れを例示した図である。図35に示すように、チャンバ610の内部において、上面壁612から底面壁611に向かうダウンフローが形成されている。特に、チャンバ610の内部におけるY軸方向の両端部には、ダウンフローが形成されている。粉塵等のパーティクルは、基本的に底面壁611上に堆積する。よって、ダウンフローにすることにより、底面壁611上に堆積したパーティクルがステージ21上に巻き上がることを抑制することができる。
10 ワーク
11 基板
12 剥離層
16 レーザ光
20 光学系
21 ステージ
22 噴射ユニット
23 集塵ユニット
31 本体部
32 ノズル
33 給気用配管
41 側壁
42 上板
44、45 板状部材
48 蓋体
51 上部開口部
52 開口部
60 集塵ユニット
61、62 側壁
63、64 板状部材
65 上板
66、67 仕切り板
68 蓋体
70 光路空間
71、72 給気空間
73、74 排気空間
75、76 給気孔
77、77a、77b 排気ポート
78 開口部
81、82 側壁
83、84 板状部材
85 給気ポート
90 集塵ユニット
91、92、93、94 底板部材
95 吸気口
100 集塵ユニット
101、102 底板部材
110 集塵ユニット
111、112 板状部材
113、114 配管
500 レーザ剥離装置
510 チャンバ
511 底面壁
512 上面壁
513 前面壁
514 後面壁
515 側面壁
515a ワーク出入口
516 側面壁
517 空気
520 集塵ユニット用給排気ファン
521 給気配管
522、522a、522b 排気配管
530 支持台
531 土台
532 支柱
541 給気ファン
542 フィルタ
543 排気ダクト用排気口
544 排気ダクト
545 開口部
546 端部
547 デフォーカス
548 排気ファン
551 走査装置
552 コントローラ
600 レーザ剥離装置
610 チャンバ
611 底面壁
611c、611d 辺縁部
612 上面壁
612a、612b 辺縁部
613 前面壁
614 後面壁
615 側面壁
616 側面壁
648 排気ファン
649 可動領域
Claims (9)
- 基板と前記基板上に形成された剥離層とを備えるワークにレーザ光を照射して前記剥離層を前記基板から剥離するレーザ剥離装置であって、
チャンバ壁によって囲まれた内部に空間を有し、ステージ及び前記ステージ上に配置された前記ワークが前記内部に配置されたチャンバを備え、
前記チャンバは、
前記チャンバの外部から前記内部に給気される給気気体を、前記内部に給気する給気ファンと、
前記内部から前記外部に前記給気気体を排気する排気ファンと、
を有し、
前記チャンバ壁は、
前記ワークの表面に平行な平板状の第1の壁と、
前記第1の壁の下方に配置され、前記第1の壁に対向し前記ワークの表面に平行な平板状の第2の壁と、
を備え、
前記給気ファンは、前記第1の壁に設けられ、
前記排気ファンは、前記第2の壁に設けられ、
前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも高くなると、前記チャンバの内部の前記給気気体を外部に通過させ、前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも低くなると、前記チャンバの外部の前記給気気体を内部に通過させるフィルタをさらに備えた、
レーザ剥離装置。 - 前記チャンバ壁は、
前記ワークの表面と平行な第1の方向であって、前記ワークの搬送方向と垂直な前記第1の方向に直交する平板状の第3の壁と、前記第3の壁に対向し前記第1の方向に直交する平板状の第4の壁と、
前記ワークの搬送方向に直交する平板状の第5の壁と、前記第5の壁に対向し前記搬送方向に直交する平板状の第6の壁と、
を含み、
前記フィルタは、前記第3の壁、前記第4の壁、前記第5の壁及び前記第6の壁の少なくともいずれかに設けられた、
請求項1に記載のレーザ剥離装置。 - 基板と前記基板上に形成された剥離層とを備えるワークにレーザ光を照射して前記剥離層を前記基板から剥離するレーザ剥離装置であって、
チャンバ壁によって囲まれた内部に空間を有し、ステージ及び前記ステージ上に配置された前記ワークが前記内部に配置されたチャンバを備え、
前記チャンバは、
前記チャンバの外部から前記内部に給気される給気気体を、前記内部に給気する給気ファンと、
前記内部から前記外部に前記給気気体を排気する排気ファンと、
を有し、
前記チャンバ壁は、
前記ワークの表面に平行な平板状の第1の壁と、
前記第1の壁の下方に配置され、前記第1の壁に対向し前記ワークの表面に平行な平板状の第2の壁と、
前記ワークの表面と平行な第1の方向であって、前記ワークの搬送方向と垂直な前記第1の方向に直交する平板状の第3の壁と、前記第3の壁に対向し前記第1の方向に直交する平板状の第4の壁と、
前記ワークの搬送方向に直交する平板状の第5の壁と、前記第5の壁に対向し前記搬送方向に直交する平板状の第6の壁と、
を含み、
前記給気ファンは、前記第1の壁に設けられ、
前記排気ファンは、前記第3の壁、前記第4の壁、前記第5の壁及び前記第6の壁の少なくともいずれかに設けられ、
前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも高くなると、前記チャンバの内部の前記給気気体を外部に通過させ、前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも低くなると、前記チャンバの外部の前記給気気体を内部に通過させるフィルタをさらに備えた、
レーザ剥離装置。 - 前記レーザ光の照射位置と対応する位置に開口部を有し、前記レーザ光が通過する光路空間と、前記光路空間の外側に配置された排気空間と、を有する集塵ユニットをさらに備え、
前記集塵ユニットは、前記チャンバの内部に配置され、
前記光路空間は、前記開口部の周囲に配置された側壁と、前記側壁の上部を覆うように配置された前記レーザ光を透過する蓋体と、を用いて構成されており、
前記側壁には前記光路空間に気体を供給するための給気孔が形成されており、
前記給気孔から前記光路空間に供給された気体は、前記側壁に沿って前記ワーク側に流れた後、前記側壁の下端と前記ワークとの間を通過して前記排気空間に流れ、
前記開口部は、前記ワークの表面と平行であって前記ワークの搬送方向と垂直な第1の方向に伸びるように配置されており、
前記側壁は、前記ワークの搬送方向上流側に配置された第1の板状部材と、前記ワークの搬送方向下流側に配置された第2の板状部材と、を備え、
前記排気空間は、前記光路空間に対して前記搬送方向上流側に配置された第1の排気空間と、前記光路空間に対して前記搬送方向下流側に配置された第2の排気空間と、を備え、
前記第1の板状部材に形成された給気孔から前記光路空間に供給された気体は、前記第1の板状部材の表面に沿って前記ワーク側に流れた後、前記第1の板状部材の下端と前記ワークとの間を通過して前記第1の排気空間に流れ、
前記第2の板状部材に形成された給気孔から前記光路空間に供給された気体は、前記第2の板状部材の表面に沿って前記ワーク側に流れた後、前記第2の板状部材の下端と前記ワークとの間を通過して前記第2の排気空間に流れ、
前記第1の排気空間の下部には、前記ワークの表面と前記第1の排気空間との間の流路が狭くなるように配置された第1の吸気口が形成されており、
前記第2の排気空間の下部には、前記ワークの表面と前記第2の排気空間との間の流路が狭くなるように配置された第2の吸気口が形成され、
前記第1の吸気口の前記搬送方向下流側には前記第1の方向に伸びる第1の底板部材が設けられており、前記第1の吸気口の前記搬送方向上流側には前記第1の方向に伸びる第2の底板部材が設けられており、
前記第1の底板部材の前記第1の吸気口における断面形状は、前記第1の底板部材の上面との成す角度が鋭角となるような傾斜面を含む形状であり、
前記第2の吸気口の前記搬送方向上流側には前記第1の方向に伸びる第3の底板部材が設けられており、前記第2の吸気口の前記搬送方向下流側には前記第1の方向に伸びる第4の底板部材が設けられており、
前記第3の底板部材の前記第2の吸気口における断面形状は、前記第3の底板部材の上面との成す角度が鋭角となるような傾斜面を含む形状である、
請求項1~3のいずれか1項に記載のレーザ剥離装置。 - 基板と前記基板上に形成された剥離層とを備えるワークにレーザ光を照射して前記剥離層を前記基板から剥離するレーザ剥離方法であって、
チャンバ壁によって囲まれた内部に空間を有し、ステージ及び前記ステージ上に配置された前記ワークが前記内部に配置されたチャンバを用いるレーザ剥離方法であって、
前記チャンバは、
前記チャンバの外部から前記内部に給気される給気気体を、前記内部に給気する給気ファンと、
前記内部から前記外部に前記給気気体を排気する排気ファンと、
を有し、
前記チャンバ壁は、
前記ワークの表面に平行な平板状の第1の壁と、
前記第1の壁の下方に配置され、前記第1の壁に対向し前記ワークの表面に平行な平板状の第2の壁と、
を備え、
前記給気ファンは、前記第1の壁に設けられ、
前記排気ファンは、前記第2の壁に設けられ、
前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも高くなると、前記チャンバの内部の前記給気気体を外部に通過させ、前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも低くなると、前記チャンバの外部の前記給気気体を内部に通過させるフィルタをさらに備えた、
レーザ剥離方法。 - 前記チャンバ壁は、
前記ワークの表面と平行な第1の方向であって、前記ワークの搬送方向と垂直な前記第1の方向に直交する平板状の第3の壁と、前記第3の壁に対向し前記第1の方向に直交する平板状の第4の壁と、
前記ワークの搬送方向に直交する平板状の第5の壁と、前記第5の壁に対向し前記搬送方向に直交する平板状の第6の壁と、
を含み、
前記フィルタは、前記第3の壁、前記第4の壁、前記第5の壁及び前記第6の壁の少なくともいずれかに設けられた、
請求項5に記載のレーザ剥離方法。 - 基板と前記基板上に形成された剥離層とを備えるワークにレーザ光を照射して前記剥離層を前記基板から剥離するレーザ剥離方法であって、
チャンバ壁によって囲まれた内部に空間を有し、ステージ及び前記ステージ上に配置された前記ワークが前記内部に配置されたチャンバを用いるレーザ剥離方法であって、
前記チャンバは、
前記チャンバの外部から前記内部に給気される給気気体を、前記内部に給気する給気ファンと、
前記内部から前記外部に前記給気気体を排気する排気ファンと、
を有し、
前記チャンバ壁は、
前記ワークの表面に平行な平板状の第1の壁と、
前記第1の壁の下方に配置され、前記第1の壁に対向し前記ワークの表面に平行な平板状の第2の壁と、
前記ワークの表面と平行な第1の方向であって、前記ワークの搬送方向と垂直な前記第1の方向に直交する平板状の第3の壁と、前記第3の壁に対向し前記第1の方向に直交する平板状の第4の壁と、
前記ワークの搬送方向に直交する平板状の第5の壁と、前記第5の壁に対向し前記搬送方向に直交する平板状の第6の壁と、
を含み、
前記給気ファンは、前記第1の壁に設けられ、
前記排気ファンは、前記第3の壁、前記第4の壁、前記第5の壁及び前記第6の壁の少なくともいずれかに設けられ、
前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも高くなると、前記チャンバの内部の前記給気気体を外部に通過させ、前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも低くなると、前記チャンバの外部の前記給気気体を内部に通過させるフィルタをさらに備えた、
レーザ剥離方法。 - 前記レーザ光の照射位置と対応する位置に開口部を有し、前記レーザ光が通過する光路空間と、前記光路空間の外側に配置された排気空間と、を有する集塵ユニットをさらに備え、
前記集塵ユニットは、前記チャンバの内部に配置され、
前記光路空間は、前記開口部の周囲に配置された側壁と、前記側壁の上部を覆うように配置された前記レーザ光を透過する蓋体と、を用いて構成されており、
前記側壁には前記光路空間に気体を供給するための給気孔が形成されており、
前記給気孔から前記光路空間に供給された気体は、前記側壁に沿って前記ワーク側に流れた後、前記側壁の下端と前記ワークとの間を通過して前記排気空間に流れ、
前記開口部は、前記ワークの表面と平行であって前記ワークの搬送方向と垂直な第1の方向に伸びるように配置されており、
前記側壁は、前記ワークの搬送方向上流側に配置された第1の板状部材と、前記ワークの搬送方向下流側に配置された第2の板状部材と、を備え、
前記排気空間は、前記光路空間に対して前記搬送方向上流側に配置された第1の排気空間と、前記光路空間に対して前記搬送方向下流側に配置された第2の排気空間と、を備え、
前記第1の板状部材に形成された給気孔から前記光路空間に供給された気体は、前記第1の板状部材の表面に沿って前記ワーク側に流れた後、前記第1の板状部材の下端と前記ワークとの間を通過して前記第1の排気空間に流れ、
前記第2の板状部材に形成された給気孔から前記光路空間に供給された気体は、前記第2の板状部材の表面に沿って前記ワーク側に流れた後、前記第2の板状部材の下端と前記ワークとの間を通過して前記第2の排気空間に流れ、
前記第1の排気空間の下部には、前記ワークの表面と前記第1の排気空間との間の流路が狭くなるように配置された第1の吸気口が形成されており、
前記第2の排気空間の下部には、前記ワークの表面と前記第2の排気空間との間の流路が狭くなるように配置された第2の吸気口が形成され、
前記第1の吸気口の前記搬送方向下流側には前記第1の方向に伸びる第1の底板部材が設けられており、前記第1の吸気口の前記搬送方向上流側には前記第1の方向に伸びる第2の底板部材が設けられており、
前記第1の底板部材の前記第1の吸気口における断面形状は、前記第1の底板部材の上面との成す角度が鋭角となるような傾斜面を含む形状であり、
前記第2の吸気口の前記搬送方向上流側には前記第1の方向に伸びる第3の底板部材が設けられており、前記第2の吸気口の前記搬送方向下流側には前記第1の方向に伸びる第4の底板部材が設けられており、
前記第3の底板部材の前記第2の吸気口における断面形状は、前記第3の底板部材の上面との成す角度が鋭角となるような傾斜面を含む形状である、
請求項5~7のいずれか1項に記載のレーザ剥離方法。 - (A)基板上に剥離層を形成する工程と、
(B)前記剥離層上に駆動素子及び有機EL素子を形成する工程と、
(C)前記基板と前記剥離層とを分離する工程と、
(D)前記剥離層にフィルムを積層する工程と、を含む有機ELディスプレイの製造方法であって、
(C)前記基板と前記剥離層とを分離する工程は、前記基板と前記剥離層とを含むワークにレーザ光を照射して前記剥離層を前記基板から剥離する工程であり、
チャンバ壁によって囲まれた内部に空間を有し、ステージ及び前記ステージ上に配置された前記ワークが前記内部に配置されたチャンバを用いる有機ELディスプレイの製造方法であって、
前記チャンバは、
前記チャンバの外部から前記内部に給気される給気気体を、前記内部に給気する給気ファンと、
前記内部から前記外部に前記給気気体を排気する排気ファンと、
を有し、
前記チャンバ壁は、
前記ワークの表面に平行な平板状の第1の壁と、
前記第1の壁の下方に配置され、前記第1の壁に対向し前記ワークの表面に平行な平板状の第2の壁と、
を備え、
前記給気ファンは、前記第1の壁に設けられ、
前記排気ファンは、前記第2の壁に設けられ、
前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも高くなると、前記チャンバの内部の前記給気気体を外部に通過させ、前記チャンバの内部の圧力が前記チャンバの外部の圧力よりも低くなると、前記チャンバの外部の前記給気気体を内部に通過させるフィルタをさらに備えた、
有機ELディスプレイの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016153341 | 2016-08-04 | ||
JP2016153341 | 2016-08-04 | ||
JP2016246571A JP6999264B2 (ja) | 2016-08-04 | 2016-12-20 | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016246571A Division JP6999264B2 (ja) | 2016-08-04 | 2016-12-20 | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022043196A JP2022043196A (ja) | 2022-03-15 |
JP7260624B2 true JP7260624B2 (ja) | 2023-04-18 |
Family
ID=61073359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021207816A Active JP7260624B2 (ja) | 2016-08-04 | 2021-12-22 | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7260624B2 (ja) |
WO (1) | WO2018025495A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110571362B (zh) * | 2019-09-18 | 2022-02-22 | 云谷(固安)科技有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
CN118591431A (zh) * | 2022-04-26 | 2024-09-03 | 日本制铁株式会社 | 激光加工装置及激光加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011040670A (ja) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Tokyo Electron Ltd | ポリマー除去装置およびポリマー除去方法 |
JP2012191112A (ja) | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Ushio Inc | レーザリフトオフ装置 |
JP2015159114A (ja) | 2005-08-31 | 2015-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH116086A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ光を用いた表面不要物除去装置 |
JP2001353589A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-25 | Aomori Prefecture | レーザ溶接方法および装置 |
JP2003077658A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機el素子製造用ドナーフィルムおよび有機el素子用基板 |
JP2010184245A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Toyokoh Co Ltd | 塗膜剥離装置 |
JP5500914B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ照射装置 |
JP3204585U (ja) * | 2016-03-25 | 2016-06-02 | 株式会社日誠cfc | 被覆材剥離システム |
-
2017
- 2017-06-07 WO PCT/JP2017/021215 patent/WO2018025495A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-12-22 JP JP2021207816A patent/JP7260624B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015159114A (ja) | 2005-08-31 | 2015-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2011040670A (ja) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Tokyo Electron Ltd | ポリマー除去装置およびポリマー除去方法 |
JP2012191112A (ja) | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Ushio Inc | レーザリフトオフ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018025495A1 (ja) | 2018-02-08 |
JP2022043196A (ja) | 2022-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6999264B2 (ja) | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 | |
JP7260624B2 (ja) | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機elディスプレイの製造方法 | |
JP6854605B2 (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
TWI565643B (zh) | 上浮用空氣板 | |
JP6983578B2 (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6968243B2 (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2018064048A (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
WO2018168002A1 (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6917691B2 (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
US11355343B2 (en) | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device | |
WO2018097087A1 (ja) | レーザアニール装置 | |
KR20100089770A (ko) | 기판 버퍼 유닛 | |
JP4062437B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板処理施設 | |
TW202245956A (zh) | 用於雷射加工的抽吸裝置以及具有此裝置的雷射加工裝置 | |
JP6641663B2 (ja) | ガラス板の製造方法及びその製造装置 | |
WO2023032037A1 (ja) | ワーク分離装置及びワーク分離方法 | |
WO2021038950A1 (ja) | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
TW200902810A (en) | Clean room of air cleaning system | |
JP2021184470A (ja) | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 | |
KR101377996B1 (ko) | 플라즈마 에칭 장치 및 마스크 장치 | |
TW202000563A (zh) | 具備遮蔽構件的貼合裝置 | |
JPWO2023032037A5 (ja) | ||
JP2019025814A (ja) | 帯電防止装置並びにこの帯電防止装置を備えた基板加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211222 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20220317 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20220518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20220518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7260624 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |