JP7110005B2 - 基板回転装置、基板回転方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法 - Google Patents

基板回転装置、基板回転方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、基板回転装置、基板回転方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法に関する。
半導体デバイスや液晶表示装置等の物品を製造する工程の一つであるリソグラフィ工程において、投影光学系を介して基板上の露光領域にマスクのパターンを転写する露光装置が用いられている。１個の基板に対し、複数種類のパターンを転写することがある。これに対し、特許文献１では、基板ステージ上で基板を回転させる機構を設けることで、露光装置内で基板を回転させるシステムを開示している。
特開２０１３－２１９０６８号公報
しかしながら、基板ステージ上で基板を回転させる場合、基板ステージ上に基板を回転させるための空間が必要となるため、基板ステージが大型化しうる。また、基板ステージが大型化すると、基板ステージの駆動速度が低下するため、スループットが低下しうる。
そこで、本発明は、例えば、基板ステージの大型化を抑制し、かつ、スループットの点で有利な基板回転装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、保持面上で矩形の基板を保持する基板ステージと、前記基板ステージに設けられた計測用のミラーと、前記基板の上面を吸引することで、前記基板を前記基板ステージから浮上させた状態で支持する吸引部と、前記吸引部により支持された前記基板を前記保持面に直交する軸回りに回転させる駆動機構と、を備える。
本発明によれば、例えば、基板ステージの大型化を抑制し、かつ、スループットの点で有利な基板回転装置を提供することができる。
第１実施形態に係る基板回転装置の構成を示す概略図である。 第１実施形態に係る吸引部を説明する図である。 第１実施形態に係る基板の回転処理が適応されうるパターンレイアウトの一例である。 第１実施形態に係る基板の回転処理の流れを示すフローチャートである。 第１実施形態に係る基板の回転処理を示す図である。 第２実施形態に係る吸引部の構成を示す概略図である。 第２実施形態に係る基板の回転処理を示す図である。 第１および第２実施形態に係る基板回転装置を適用した露光装置の構成を示す概略図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
（第１実施形態）
本発明に係る第１実施形態の基板回転装置１００について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板回転装置１００の構成を示す概略図である。図１（Ａ）は、基板回転装置１００を＋Ｚ方向から見た上面図である。図１（Ｂ）は、基板回転装置１００を－Ｙ方向から見た断面図である。以下の実施形態では、マスクのパターンを基板に転写する露光装置に基板回転装置１００を適用する例を説明するが、それに限られるものではない。例えば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などの他のリソグラフィ装置においても、本発明の基板回転装置を適用することができる。
第１実施形態の基板回転装置１００は、露光装置の内部において、基板を回転させるために用いられうる。基板回転装置１００は、保持面上で基板Ｐを保持して移動する基板ステージ１と、基板Ｐを基板ステージ１から浮上させて支持する吸引部１０と、を含む。以下、基板ステージ１が基板Ｐを保持する保持面に沿う平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向をＺ軸とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。
基板ステージ１は、露光対象物である矩形（角型）のガラス基板Ｐを保持し、水平面（ＸＹ平面）に沿って移動する。基板ステージ１は、リニアモータ等の駆動系（不図示）により駆動される。基板ステージ１上には基板ステージ１とともに移動するミラー６ｘおよびミラー６ｙが設けられている。このミラー６ｘおよびミラー６ｙに対向する位置にはそれぞれＸ方向を計測するためのレーザ干渉計４ｘ、および、Ｙ方向を計測するためのレーザ干渉計４ｙが設けられている。基板ステージ１のＸ方向およびＹ方向の位置は、レーザ干渉計４ｘおよびレーザ干渉計４ｙにより計測される。基板ステージ１は、レーザ干渉計４ｘおよびレーザ干渉計４ｙの計測結果に基づいて駆動する。基板ステージ１は、昇降部３、チャックベース５、保持部材２、および、駆動機構７を備えうる。
昇降部３は、基板ステージ１の保持面に直交する方向（Ｚ方向）に沿って昇降可能である。昇降部３は、基板ステージ１上に載置された基板Ｐを吸引部１０が基板Ｐを吸引可能な位置（受け渡し位置）に移動させる。昇降部３は、基板Ｐと接触する面に基板Ｐを吸着保持する第１吸着部（付図示）を備えうる。また、昇降部３先端部の表面には、吸引部１０との距離を計測するためのセンサ３ａが配置されている。チャックベース５は、基板ステージ１上に載置された基板Ｐを吸着保持する。保持部材２は、基板ステージ１の中央部に配置され、基板Ｐの下面の中央部を吸着保持する。保持部材２は、駆動機構７によって、Ｚ方向の昇降駆動、θｚ方向の回転駆動が可能である。保持部材２は、基板Ｐの下面との接触面に、吸着パッドなどの第２吸着部２ａを複数備える。
吸引部１０は、露光装置内であって、基板ステージ１に対して、上側（＋Ｚ側）に配置される。吸引部１０は、基板Ｐの上面を吸引し、かつ、基板Ｐの上面に対し、気体を噴出することで、基板Ｐを基板ステージ１から浮上させた状態で、基板Ｐの上面と接触することなく基板Ｐを支持する。
図２は、第１実施形態に係る吸引部１０を説明する図である。本図は、吸引部１０を－Ｚ方向からみた図である。吸引部１０の表面は、基板Ｐを吸引するための無数の微小孔１０ｂを設けた多孔質パッド１０ａとなっている。吸引部１０は、多孔質パッド１０ａから気体を噴出し、微小孔１０ｂから吸引することにより、吸引部１０から離間する力と吸引部１０に引き寄せられる力の釣り合いをとり、基板Ｐの上面と接触することなく、基板Ｐを浮上させた状態で支持する。なお、吸引部１０に引き寄せられる力と重力の釣り合いをとり、基板Ｐを浮上支持しても良い。本明細書において、「浮上支持」とは、吸引部１０が、基板Ｐを基板ステージ１から浮上させた状態で、多孔質パッド１０ａと基板Ｐの上面とが接触することなく基板Ｐを支持することをいう。
多孔質パッド１０ａとしては、通気性の良い多孔質材料、例えば、多孔質カーボン、ポーラスＳＩＣなどが用いられる。多孔質パッド１０ａは、回転した基板Ｐが収まる大きさであることが望ましい。よって、基板Ｐの全面に対して気体の噴出および吸引を行う場合、多孔質パッド１０ａは、基板Ｐの大きさよりも大きいことが望ましい。回転中においても、基板Ｐの全面に対して、吸引および気体の噴出を行うことで、薄い基板に対しても、撓みを発生させて破損させることなく、回転させることが可能となる。なお、本実施形態においては、吸引部１０および多孔質パッド１０ａを、一例として矩形としているが、吸引部１０をおよび多孔質パッドの形状はこれに限られない。吸引部１０および多孔質パッド１０ａは、円形であっても良いし、矩形以外の多角形であっても良い。基板Ｐを回転させる際、基板ステージ１は、吸引部１０の直下であって、吸引部１０の多孔質パッド１０ａ内に基板Ｐが収まる位置（吸引位置）に移動する。
次に、第１実施形態に係る基板Ｐの回転処理について説明する。図３は、第１実施形態に係る基板の回転処理が適応されうるパターンレイアウトの一例を示す図である。本実施形態に係る基板Ｐの回転処理は、例えば、図３に示すように、１個の基板Ｐに対し、第１パターンＡおよび第２パターンＢの複数種類のパターンを転写する場合に用いられうる。このような場合、第１パターンＡを転写した後、第２パターンＢを転写するために、基板Ｐを回転させる必要がある。本実施形態では、露光装置内において基板Ｐを回転させる。
図４は、第１実施形態に係る基板Ｐの回転処理の流れを示すフローチャートである。まず、基板Ｐに対して第１パターンＡの転写を行い、第１パターンＡの転写を完了させる（Ｓ４０１）。次に、基板ステージ１を駆動し、基板Ｐを吸引位置へ移動させる（Ｓ４０２）。図５は、第１実施形態に係る基板Ｐの回転処理を示す図である。図５（Ａ）は、基板ステージ１によって、基板Ｐが吸引位置に移動された状態を示している。
図４に戻り、基板Ｐを吸引位置へ移動させたら、昇降部３および保持部材２を＋Ｚ方向へ上昇駆動させて基板Ｐを受け渡し位置まで移動させる（Ｓ４０３）。図５（Ｂ）は、基板Ｐを受け渡し位置まで移動させた状態を示している。この時、昇降部３および保持部材２は、第１吸着部および第２吸着部２ａにより基板Ｐの下面を吸着保持している。よって、基板Ｐに撓みを発生させることなく、受け渡し位置まで移動させることができる。受け渡し位置は、例えば、基板Ｐが昇降部３によって吸着保持されている状態で、吸引部１０が基板Ｐを吸引し、昇降部３から基板Ｐを浮上させ支持することが可能な吸引部１０と昇降部３との距離を予め計測することで設定しても良い。この場合、例えば、昇降部３先端部の表面に備えられた複数のセンサ３ａによって、昇降部３と吸引部１０との距離を計測し、昇降部３と吸引部１０との距離が目標の値になるように制御する。
図４に戻り、吸引部１０は、基板Ｐが受け渡し位置に移動したところで（Ｓ４０４、Ｙｅｓ）、基板Ｐに対し吸引および気体の噴出を開始する（Ｓ４０５）。吸引および気体の噴出による浮上支持で基板Ｐの位置が安定したら、昇降部３は、第１吸着部による基板Ｐの吸着を停止し、下降する（Ｓ４０６）。このとき、基板Ｐを吸着保持するのは基板Ｐの下面の中央部を吸着保持する保持部材２のみとなるため、保持部材２の第２吸着部２ａは複数配置することが望ましい。第２吸着部２ａを複数配置することにより、Ｘ、Ｙ方向の基板Ｐの吸着ずれ抑制することが可能となる。
吸引部１０は、多孔質パッド１０ａからの空気の噴出圧力と吸引圧力のバランスで基板Ｐを浮上支持している。そのため、あらかじめ設定した受け渡し位置まで上昇した保持部材２上の基板Ｐと吸引部１０と距離は、吸引部１０に浮上支持された状態の基板Ｐと吸引部１０の距離と等しくなければ、基板Ｐは中心が撓んだ状態で浮上支持されてしまう。よって、受け渡し位置は基板Ｐの重量、つまり、基板Ｐのサイズや厚さによって、変更する必要がある。なお、吸引部１０の空気の噴出圧力と吸引圧力を基板Ｐの重量によって変更しても良い。例えば、基板Ｐの重量と噴出圧力と吸引圧力を関連付けて不図示の圧力制御部に記憶し、搬入された基板Ｐの重量によって、噴出圧力と吸引圧力を変更しても良い。または、噴出圧力と吸引圧力は変更せず、保持部材２内部にダンパー機構を設け、基板Ｐの中心が撓むことなく浮上支持される位置まで保持部材２のＺ方向の位置を微調整する方法でも良い。このように構成することがで、基板Ｐの重量によらず、受け渡し位置を常に同じ位置に設定することが可能となる。
浮上支持が成立した後、駆動機構７による保持部材２のθz方向への回転を開始する（Ｓ４０７）。図５（Ｃ）は、保持部材２を回転させている状態を示している。例えば、駆動機構７に備えられている回転エンコーダによって駆動機構７の回転量を計測しながら、保持部材２を回転駆動させることにより、保持部材２の回転中心を中心として正確に任意の角度、基板Ｐを回転させることができる。以下、駆動機構７に備えられている回転エンコーダにて回転量を計測しながら、保持部材２を回転駆動させることにより、基板Ｐを回転させることを回転動作という。本実施形態においては、一例として、基板Ｐを９０度回転させる。
図４に戻り、回転エンコーダの回転量が９０度となったら（Ｓ４０８、Ｙｅｓ）回転動作を終了する（Ｓ４０９）。基板Ｐの回転が完了した後、昇降部３を再び上昇させる（Ｓ４１０）。昇降部３が受け渡し位置まで上昇したら（Ｓ４１１、Ｙｅｓ）、昇降部３の第１吸着部により、基板Ｐを吸着保持する。昇降部３の第１吸着部によって、基板Ｐが吸着保持されたら、吸引部１０の吸引および気体の噴出を停止する（Ｓ４１２）。その後、昇降部３および保持部材２を下降駆動させ、チャックベース５上に基板Ｐが載置される位置まで基板Ｐを移動させて、チャックベース５に基板Ｐを吸着保持させる（Ｓ４１３）。
チャックベース５による基板Ｐの吸着保持が完了したら、基板ステージ１を駆動し、基板Ｐをパターンの転写処理位置へと移動させる（Ｓ４１４）。その後、基板Ｐに対して第２パターンＢの転写をを開始する（Ｓ４１５）。基板ステージ１上で基板Ｐを回転させる場合、例えば、基板ステージ１設けられたミラー６ｘ、６ｙを、基板Ｐを回転させる際に干渉しない位置に配置しなければならないため、基板ステージ１が大型化しうる。しかし、本実施形態では、基板Ｐを基板ステージ１から浮上させ、吸引部１０によって浮上支持された状態で回転させるため、基板ステージ１を大型化させる必要がない。よって、本実施形態によれば、基板ステージを大型させず、かつ、装置内において例えば正確に９０度、基板Ｐを回転させることが可能となる。よって、基板ステージの大型化を抑制し、かつ、スループットの点で有利な基板回転装置を提供することが可能となる。
なお、吸引部１０は、本実施形態のように、噴出圧力と吸引圧力を組み合わせたタイプでも良いし、空気を放射状に供給するベルヌーイの法則を使ったタイプでも良い。また、吸引部１０は、基板Ｐに撓みを発生させることなく基板Ｐを浮上支持できれば良く、分割して配置されても良い。例えば、１個の吸引部１０に対し１個の多孔質パッド１０ａでなくても良いし、吸引部１０は基板Ｐの全面ではなく一部に対し気体の噴出および吸引を行っても良い。例えば、吸引部１０は、基板Ｐの四角のみを浮上支持しても良いし、基板Ｐの縁部のみを浮上支持しても良い。吸引部１０および多孔質パッド１０ａを基板Ｐよりも小さくすることが可能である。また、センサ３ａは吸引部１０側に配置され、吸引部１０と基板Ｐとの距離を計測してもよい。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図６は、第２実施形態に係る吸引部１０の構成を示す概略図である。第２実施形態に係る基板回転装置の吸引部１０は、駆動機構２０を備える。なお、本実施形態において、センサ３ａは吸引部１０に備えられる。
図６（Ａ）は、第２実施形態に係る吸引部１０の側面図である。吸引部１０は、駆動機構２０、および、当接部材２１を備える。駆動機構２０は、吸引部１０のＺ方向の昇降駆動およびθｚ方向の回転駆動を行う。図６（Ｂ）は、第２実施形態に係る吸引部１０を－Ｚ方向から見た図である。当接部材２１は、基板Ｐを回転させる際に、吸引部１０によって浮上支持された基板Ｐが吸引位置からずれないように、基板Ｐの端部と当接することで基板Ｐを支持する。よって、当接部材２１は、吸引部１０に浮上支持された基板Ｐの端部と当接可能な位置に配置される。例えば、本図に示すように、当接部材２１が、Ｌ字型である場合、２つの当接部材２１ａ、２１ｂを矩形の基板Ｐの四角のうち、対角線上に位置する２つの角に対応する位置の外側に配置する。露光装置における基板Ｐの基板ステージ１への配置誤差は、Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ数ｍｍ程度である。当接部材２１ａ、２１ｂは、その配置誤差分外側に配置する。一方の当接部材２１ｂは、対角線上に位置する当接部材２１ａ方向即ち、基板Ｐの中心方向へ駆動可能となっている。このような構成とすることで、当接部材２１ａおよび当接部材２１ｂを基板Ｐの端部に当接させ、基板Ｐ位置を固定させることが可能となり、基板Ｐの水平面（ＸＹ平面）方向の動きを制限できる。よって、基板Ｐを回転させる際に基板Ｐが吸引位置からずれることを抑制することが可能となる。
なお、当接部材２１は、基板Ｐを回転させる際に基板Ｐが吸引位置からずれないように支持できれば良く、この構成に限られない。例えば、４個のＬ字型の当接部材２１を、基板Ｐの四角それぞれに対応する位置の外側に配置しても良い。また、４個の当接部材２１を、矩形の基板Ｐのそれぞれの辺の中心と対応する位置の外側に配置しても良い。この場合、当接部材２１は、ピン形状であっても良い。なお、これらの場合においても、複数の当接部材２１のうちの一部が駆動可能なように構成することが望ましい。
図７は、第２実施形態に係る基板Ｐの回転処理を示す図である。なお、本図に示す吸引部１０には、ピン形状の４個の当接部材２１が、矩形の基板Ｐのそれぞれの辺の中心と対応する位置の外側に配置されている。露光装置を含むリソグラフィ装置においては、基板Ｐの搬入および搬出のために基板ステージ１の上部に空間を空けておく必要がある。よって、吸引部１０は、例えば、基板Ｐの回転処理を実行する際以外は、基板Ｐの搬入および搬出を行うハンドとの干渉エリア外に待機している。基板Ｐを回転させる際には、吸引部１０は、基板ステージ１の上部の吸引位置へと移動し、駆動機構２０によって、受け渡し位置まで下降する。図７（Ａ）は、吸引部１０を受け渡し位置まで下降させた状態を示す図である。この際、吸引部１０は、ミラー６ｘ、６ｙと干渉しない大きさである必要がある。下降駆動時には、吸引部１０に備えられたセンサ３ａを用いて、基板Ｐと吸引部１０との距離を計測し、吸引部１０と基板Ｐとの距離が目標の値になるように制御する。
受け渡し位置への下降が完了したら、吸引部１０は、基板Ｐに対し気体の噴出および吸引を開始し、基板Ｐを浮上支持する。吸引部１０の下降駆動後に、吸引部１０が基板Ｐに対して吸引を行う際、基板ステージ１の例えばチャックベース５から加圧エアを基板Ｐの下面へ供給することで、基板Ｐと基板ステージ１との剥離を補助しても良い。基板Ｐを浮上支持した後、少なくとも２個以上の当接部材２１を基板Ｐの中心方向へ駆動して基板Ｐにすべての当接部材２１を基板Ｐの端部と当接させる。図７（Ｂ）は、一部の当接部材２１を駆動して、全ての当接部材２１が基板Ｐの端部と当接している状態を示す図である。これにより、基板Ｐと当接部材２１とが当接し、吸引部１０を回転させることにより基板Ｐを回転させることが可能となる。また、吸引部１０によって基板Ｐを回転させる際に基板Ｐが吸引位置からずれることを抑制することが可能となる。
当接部材２１により基板Ｐの水平面（ＸＹ平面）方向を固定した後、駆動機構２０により吸引部１０をθｚ方向に回転させる。これにより、当接部材２１と当接する基板Ｐも、吸引部１０回転に従い、θｚ方向に回転する。このとき、吸引部１０と基板ステージ１に干渉するものがないことが望ましいが、干渉のおそれがある物体がある場合には、吸引部１０を干渉エリア外へ上昇駆動させてから回転させても良い。第２の実施例においては、吸引部１０と基板Ｐを同時に回転させることから、吸引部１０の大きさを基板Ｐと同程度の大きさとすることが可能である。そのため、吸引部１０の小型化が可能となる。
（リソグラフィ装置に係る実施形態）
図８を参照して、第１および第２実施形態に係る基板回転装置を適用したリソグラフィ装置について説明する。本実施形態では、リソグラフィ装置として、基板を露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置を用いる。図８は、第１および第２実施形態に係る基板回転装置を適用した露光装置の構成を示す概略図である。露光装置５０は、照明光学系ＩＬと、投影光学系ＰＯと、マスク５５を保持して移動可能なマスクステージＭＳと、基板５６を保持して移動可能な基板ステージＷＳと、基板５６を露光する処理を制御する制御部５１とを有する。以下の図において、上下方向（鉛直方向）にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。
照明光学系ＩＬは、光源およびスリット（いずれも不図示）を含む。光源からの光は、照明光学系ＩＬに含まれるスリットを介して、例えば、Ｙ軸方向に長い円弧状の照明領域をマスク上に形成する。マスク５５及び基板５６のそれぞれは、マスクステージＭＳ及び基板ステージＷＳに保持され、投影光学系ＰＯを介して、光学的にほぼ共役な位置（投影光学系ＰＯの物体面及び像面の位置）に配置されている。投影光学系ＰＯは、所定の投影倍率（例えば、１／２倍）を有し、マスク５５に形成されたパターンを基板５６に投影する。そして、マスクステージＭＳ及び基板ステージＷＳを、投影光学系ＰＯの物体面と平行な方向（例えば、図７のＸ軸方向）に、投影光学系ＰＯの投影倍率に応じた速度比で走査する。これにより、マスク５５に形成されたパターンを基板５６に転写することができる。
投影光学系ＰＯは、例えば、図７に示すように、平面ミラー５２と、凹面ミラー５３と、凸面ミラー５４とを含む。照明光学系ＩＬから射出され、マスク５５を通過した光は、平面ミラー５２の第１面５２ａで反射され、凹面ミラー５３の第１面５３ａに入射する。凹面ミラー５３の第１面５３ａで反射した光は、凸面ミラー５４で反射され、凹面ミラー５３の第２面５３ｂに入射する。凹面ミラー５３の第２面５３ｂで反射した光は、平面ミラー５２の第２面５２ｂで反射され、基板上に結像する。投影光学系ＰＯでは、凸面ミラー５４が光学的な瞳となる。
上述した露光装置の構成において、第１および第２実施形態に記載の基板回転装置は、例えば、１個の基板５６に対し、複数種類のパターンを転写する際に、露光装置内で基板５６を回転させる場合に用いられうる。第１または第２実施形態の基板回転装置を備えた露光装置に用いることにより、基板ステージを大型させず、かつ、装置内において例えば正確に９０度、基板を回転させることが可能となる。よって、基板ステージの大型化およびスループットの低下を抑制することができる。
（物品製造方法に係る実施形態）
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス、表示デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。例えば、物品として、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置（露光装置やインプリント装置、描画装置など）を用いてを用いて基板に原版のパターンを転写する工程と、かかる工程でパターンが転写された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
１、ＷＳ 基板ステージ
２ 保持部材
３ 昇降部
１０ 吸引部
１０ａ 多孔質パッド
１０ｂ 微小孔
２１ 当接部材
Ｐ、５６ 基板
１００ 基板回転装置

Claims (19)

  1. 保持面上で矩形の基板を保持する基板ステージと、
    前記基板ステージに設けられた計測用のミラーと、
    前記基板の上面を吸引することで、前記基板を前記基板ステージから浮上させた状態で支持する吸引部と、
    前記吸引部により支持された前記基板を前記保持面に直交する軸回りに回転させる駆動機構と、
    を備えることを特徴とする基板回転装置。
  2. 前記吸引部は、前記基板の上面に対し、気体を噴出することで、前記基板を前記基板ステージから浮上させた状態で支持する、ことを特徴とする請求項１に記載の基板回転装置。
  3. 前記吸引部は、前記基板を吸引するための微小孔が形成された多孔質パッドを含む、ことを特徴とする請求項１または２に記載の基板回転装置。
  4. 前記多孔質パッドは、前記基板の大きさと同程度またはそれよりも大きい、ことを特徴とする請求項３に記載の基板回転装置。
  5. 前記基板ステージは、前記吸引部が前記基板を吸引可能な位置に前記基板を移動させるために、前記保持面に直交する方向に沿って昇降可能な昇降部を備える、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板回転装置。
  6. 前記昇降部は、前記基板と接触する面に前記基板を吸着保持する第１吸着部を備える、ことを特徴とする請求項５に記載の基板回転装置。
  7. 前記第１吸着部は、前記吸引部による前記基板の吸引が開始された後に吸着を停止する、ことを特徴とする請求項６に記載の基板回転装置。
  8. 前記駆動機構は、前記基板ステージに備えられる、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板回転装置。
  9. 前記基板ステージは、前記基板の下面の中央部を吸着保持する保持部材を備え、
    前記駆動機構は、前記保持部材を回転させることにより、前記保持部材によって吸着保持された前記基板を回転させる、ことを特徴とする請求項８に記載の基板回転装置。
  10. 前記保持部材は、前記基板の下面と接触する面に複数の第２吸着部を備える、ことを特徴とする請求項９に記載の基板回転装置。
  11. 前記駆動機構は、前記吸引部に備えられる、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板回転装置。
  12. 前記吸引部は、前記基板の端部と当接することで、前記基板を支持する当接部材を備え、
    前記駆動機構は、前記吸引部を回転させることにより、前記当接部材によって支持された前記基板を回転させる、ことを特徴とする請求項１１に記載の基板回転装置。
  13. 前記駆動機構は、前記基板を前記保持面に直交する軸回りに９０度回転させることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の基板回転装置。
  14. 前記計測用のミラーは、前記基板ステージの上面に設けられ、前記基板ステージにより保持される前記基板の側面に対して離間して設けられることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板回転装置。
  15. 前記計測用のミラーの位置を検出する干渉計を更に有することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の基板回転装置。
  16. 保持面上で矩形の基板を保持する保持工程と、
    前記基板の上面を吸引することで、前記基板を計測用のミラーが設けられた基板ステージから浮上させた状態で支持する支持工程と、
    前記支持する工程において支持された前記基板を前記保持面に直交する軸回りに回転させる工程と、
    を含むことを特徴とする基板回転方法。
  17. 前記回転工程は、前記基板を前記保持面に直交する軸回りに９０度回転させることを特徴とする請求項１６に記載の基板回転方法。
  18. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の基板回転装置を含む、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
  19. 請求項１８に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記工程でパターンが形成された前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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