JP2023077671A - 接合装置、及び接合方法 - Google Patents

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Abstract

Figure 2023077671000001
【課題】基板同士の接合精度を向上する、技術を提供する。
【解決手段】接合装置は、第１基板と第２基板を接合する。前記接合装置は、第１保持部と、第２保持部と、移動部と、第１変形部と、第２変形部と、制御部と、を備える。前記第１保持部は、前記第１基板を上方から吸着保持する。前記第２保持部は、前記第１保持部よりも下方にて、前記第２基板を下方から吸着保持する。前記移動部は、前記第１保持部と前記第２保持部を相対的に移動させる。前記第１変形部は、前記第１保持部に保持されている前記第１基板の中央部を下方に突出させる。前記第２変形部は、前記第２保持部に保持されている前記第２基板の中央部を上方に突出させる。前記制御部は、前記移動部、前記第１変形部、及び前記第２変形部を制御することで、前記第１基板と前記第２基板の中央部同士を接触させる制御を行う。前記制御部は、前記第２基板の中央部の突出量に応じて、前記第１基板の中央部の突出量を変更する制御を行う。
【選択図】図１２

Description

本開示は、接合装置、及び接合方法に関する。
特許文献１に記載の接合装置は、上ウェハと下ウェハを接合する際に、上ウェハの中央部を下方に変形させて、上ウェハと下ウェハの中央部同士を接触させ、上ウェハと下ウェハの接触する領域を中央部から周縁部に広げる。
特開２０１４－２２９７８７号公報
本開示の一態様は、基板同士の接合精度を向上する、技術を提供する。
本開示の一態様に係る接合装置は、第１基板と第２基板を接合する。前記接合装置は、第１保持部と、第２保持部と、移動部と、第１変形部と、第２変形部と、制御部と、を備える。前記第１保持部は、前記第１基板を上方から吸着保持する。前記第２保持部は、前記第１保持部よりも下方にて、前記第２基板を下方から吸着保持する。前記移動部は、前記第１保持部と前記第２保持部を相対的に移動させる。前記第１変形部は、前記第１保持部に保持されている前記第１基板の中央部を下方に突出させる。前記第２変形部は、前記第２保持部に保持されている前記第２基板の中央部を上方に突出させる。前記制御部は、前記移動部、前記第１変形部、及び前記第２変形部を制御することで、前記第１基板と前記第２基板の中央部同士を接触させる制御を行う。前記制御部は、前記第２基板の中央部の突出量に応じて、前記第１基板の中央部の突出量を変更する制御を行う。
本開示の一態様によれば、基板同士の接合精度を向上できる。
図１は、一実施形態に係る接合システムを示す平面図である。 図２は、図１の接合システムの側面図である。 図３は、第１基板及び第２基板の一例を示す側面図である。 図４は、一実施形態に係る接合方法を示すフローチャートである。 図５は、接合装置の一例を示す側面図である。 図６は、上チャック及び下チャックの一例を示す断面図である。 図７は、図４のステップＳ１０９の詳細を示すフローチャートである。 図８（Ａ）はステップＳ１１２における動作の一例を示す側面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）に続く動作を示す側面図であり、図８（Ｃ）は図８（Ｂ）に続く動作を示す側面図である。 図９は、ステップＳ１１２の完了時の状態の一例を示す断面図である。 図１０は、ステップＳ１１３の完了時の状態の一例を示す断面図である。 図１１は、ステップＳ１１４の完了時の状態の一例を示す断面図である。 図１２は、ステップＳ１１４とステップＳ１１５の途中の状態の一例を示す断面図である。 図１３は、ステップＳ１１５の完了時の状態の一例を示す断面図である。 図１４は、ΔＺ１とΔＺ２とΔＺ３の関係の一例を示す図である。 図１５は、上ウェハの反りの一例を示す斜視図である。 図１６は、下チャックの吸着面の一例を示す平面図である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。また、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る接合システム１について説明する。接合システム１は、図３に示す第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合し、重合基板Ｔを作製する。第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２の少なくとも１つは、例えばシリコンウェハ又は化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数のデバイスが形成された基板である。デバイスは、電子回路を含む。第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２の１つは、デバイスが形成されていないベアウェハであってもよい。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とは、略同径を有する。化合物半導体ウェハは、特に限定されないが、例えばＧａＡｓウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＮウェハ、又はＩｎＰウェハである。なお、半導体基板の代わりに、ガラス基板が用いられてもよい。
以下、第１基板Ｗ１を「上ウェハＷ１」と記載し、第２基板Ｗ２を「下ウェハＷ２」、重合基板Ｔを「重合ウェハＴ」と記載する場合がある。図３に示すように、上ウェハＷ１の板面のうち、下ウェハＷ２と接合される側の板面を「接合面Ｗ１ｊ」と記載し、接合面Ｗ１ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ１ｎ」と記載する。また、下ウェハＷ２の板面のうち、上ウェハＷ１と接合される側の板面を「接合面Ｗ２ｊ」と記載し、接合面Ｗ２ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ２ｎ」と記載する。
図１に示すように、接合システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、Ｙ軸負方向に沿って、搬入出ステーション２及び処理ステーション３の順番で並べて配置される。また、搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、一体的に接続される。
搬入出ステーション２は、載置台１０と、搬送領域２０とを備える。載置台１０は、複数の載置板１１を備える。各載置板１１には、複数枚（例えば、２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣ１、Ｃ２、Ｃ３がそれぞれ載置される。カセットＣ１は上ウェハＷ１を収容するカセットであり、カセットＣ２は下ウェハＷ２を収容するカセットであり、カセットＣ３は重合ウェハＴを収容するカセットである。なお、カセットＣ１、Ｃ２において、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２は、それぞれ接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊを上面にした状態で向きを揃えて収容される。
搬送領域２０は、載置台１０のＹ軸負方向側に隣接して配置される。かかる搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延在する搬送路２１と、この搬送路２１に沿って移動可能な搬送装置２２とが設けられる。搬送装置２２は、Ｙ軸方向にも移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、載置台１０上に載置されたカセットＣ１～Ｃ３と、後述する処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３との間で、上ウェハＷ１、下ウェハＷ２及び重合ウェハＴの搬送を行う。
なお、載置台１０上に載置されるカセットＣ１～Ｃ３の個数は、図示のものに限定されない。また、載置台１０上には、カセットＣ１、Ｃ２、Ｃ３以外に、不具合が生じた基板を回収するためのカセット等が載置されてもよい。
処理ステーション３には、例えば３つの処理ブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３が設けられる。例えば処理ステーション３の背面側（図１のＸ軸正方向側）には、第１処理ブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の正面側（図１のＸ軸負方向側）には、第２処理ブロックＧ２が設けられる。また、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図１のＹ軸正方向側）には、第３処理ブロックＧ３が設けられる。
また、第１処理ブロックＧ１～第３処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、搬送領域６０が形成される。搬送領域６０には、搬送装置６１が配置される。搬送装置６１は、例えば鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有する。
搬送装置６１は、搬送領域６０内を移動し、搬送領域６０に隣接する第１処理ブロックＧ１、第２処理ブロックＧ２及び第３処理ブロックＧ３内の所定の装置に上ウェハＷ１、下ウェハＷ２及び重合ウェハＴを搬送する。
第１処理ブロックＧ１には、例えば、表面改質装置３３と、表面親水化装置３４と、が配置される。表面改質装置３３は、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊ及び下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを改質する。表面親水化装置３４は、改質された上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊ及び下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを親水化する。
例えば、表面改質装置３３は、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊにおけるＳｉＯ２の結合を切断し、Ｓｉの未結合手を形成し、その後の親水化を可能にする。表面改質装置３３では、例えば減圧雰囲気下において処理ガスである酸素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。そして、酸素イオンが、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊ及び下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊに照射されることにより、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊがプラズマ処理されて改質される。処理ガスは、酸素ガスには限定されず、例えば窒素ガスなどでもよい。
表面親水化装置３４は、例えば純水等の親水化処理液によって上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊ及び下ウェハＷ２のＷ２ｊを親水化する。表面親水化装置３４は、例えばスピンチャックに保持されている上ウェハＷ１又は下ウェハＷ２を回転させながら、当該上ウェハＷ１又は下ウェハＷ２上に純水を供給する。純水は、遠心力によって接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ上を拡散し、Ｓｉの未結合手にＯＨ基を付与し、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊを親水化する。表面親水化装置３４は、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊを洗浄する役割も有する。
第２処理ブロックＧ２には、例えば、接合装置４１と、第１温度調節装置４２と、第２温度調節装置４３と、が配置される。接合装置４１は、親水化された上ウェハＷ１と下ウェハＷ２とを接合し、重合ウェハＴを作製する。第１温度調節装置４２は、接合前、つまり、下ウェハＷ２との接触前に、上ウェハＷ１の温度分布を調節する。第２温度調節装置４３は、接合前、つまり、上ウェハＷ１との接触前に、下ウェハＷ２の温度分布を調節する。なお、本実施形態では、第１温度調節装置４２及び第２温度調節装置４３は、接合装置４１とは別に設けられるが、接合装置４１の一部として設けられてもよい。
第３処理ブロックＧ３には、例えば、上方から下方に向けて、第１位置調節装置５１、第２位置調節装置５２、及びトランジション装置５３、５４がこの順で積層されて配置される（図２参照）。なお、第３処理ブロックＧ３における各装置の配置場所は、図２に示す配置場所には限定されない。第１位置調節装置５１は、上ウェハＷ１を鉛直軸周りに回転することで上ウェハＷ１の水平方向の向きを調節し、上ウェハＷ１を上下反転することで上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを下向きにする。第２位置調節装置５２は、下ウェハＷ２を鉛直軸周りに回転することで下ウェハＷ２の水平方向の向きを調節する。トランジション装置５３には、上ウェハＷ１が一時的に載置される。また、トランジション装置５４には、下ウェハＷ２や重合ウェハＴが一時的に載置される。なお、本実施形態では、第１位置調節装置５１及び第２位置調節装置５２が、接合装置４１とは別に設けられるが、接合装置４１の一部として設けられてもよい。
接合システム１は、制御装置９０を備える。制御装置９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、接合システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、接合システム１の動作を制御する。
次に、図４を参照して、本実施形態の接合方法について説明する。接合方法は、例えばステップＳ１０１～Ｓ１０９を有する。ステップＳ１０１～Ｓ１０９は、制御装置９０による制御下で実施される。なお、接合方法は、ステップＳ１０１～Ｓ１０９の全てを有しなくてもよく、例えば、ステップＳ１０４及びＳ１０８を有しなくてもよい。また、接合方法は、ステップＳ１０１～Ｓ１０９以外の処理を有してもよい。
先ず、複数枚の上ウェハＷ１を収容したカセットＣ１、複数枚の下ウェハＷ２を収容したカセットＣ２、及び空のカセットＣ３が、搬入出ステーション２の載置台１０上に載置される。
次に、搬送装置２２が、カセットＣ１内の上ウェハＷ１を取り出し、処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３のトランジション装置５３に搬送する。その後、搬送装置６１が、トランジション装置５３から上ウェハＷ１を取り出し、第１処理ブロックＧ１の表面改質装置３３に搬送する。
次に、表面改質装置３３が、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを改質する（ステップＳ１０１）。接合面Ｗ１ｊの改質は、接合面Ｗ１ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、表面改質装置３３から上ウェハＷ１を取り出し、表面親水化装置３４に搬送する。
次に、表面親水化装置３４が、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを親水化する（ステップＳ１０２）。接合面Ｗ１ｊの親水化は、接合面Ｗ１ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、表面親水化装置３４から上ウェハＷ１を取り出し、第３処理ブロックＧ３の第１位置調節装置５１に搬送する。
次に、第１位置調節装置５１が、上ウェハＷ１を鉛直軸周りに回転することで上ウェハＷ１の水平方向の向きを調節し、上ウェハＷ１の上下を反転する（ステップＳ１０３）。その結果、上ウェハＷ１のノッチが所定の方位に向けられ、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊが下に向けられる。その後、搬送装置６１が、第１位置調節装置５１から上ウェハＷ１を取り出し、第２処理ブロックＧ２の第１温度調節装置４２に搬送する。
次に、第１温度調節装置４２が、上ウェハＷ１の温度を調節する（ステップＳ１０４）。上ウェハＷ１の温調は、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを下に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、第１温度調節装置４２から上ウェハＷ１を取り出し、接合装置４１に搬送する。
上ウェハＷ１に対する上記の処理と並行して、下ウェハＷ２に対する下記の処理が実施される。先ず、搬送装置２２が、カセットＣ２内の下ウェハＷ２を取り出し、処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３のトランジション装置５４に搬送する。その後、搬送装置６１が、トランジション装置５４から下ウェハＷ２を取り出し、第１処理ブロックＧ１の表面改質装置３３に搬送する。
次に、表面改質装置３３が、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを改質する（ステップＳ１０５）。接合面Ｗ２ｊの改質は、接合面Ｗ２ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、表面改質装置３３から下ウェハＷ２を取り出し、表面親水化装置３４に搬送する。
次に、表面親水化装置３４が、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを親水化する（ステップＳ１０６）。接合面Ｗ２ｊの親水化は、接合面Ｗ２ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、表面親水化装置３４から下ウェハＷ２を取り出し、第３処理ブロックＧ３の第２位置調節装置５２に搬送する。
次に、第２位置調節装置５２が、下ウェハＷ２を鉛直軸周りに回転することで下ウェハＷ２の水平方向の向きを調節する（ステップＳ１０７）。その結果、下ウェハＷ２のノッチが所定の方位に向けられる。その後、搬送装置６１が、第２位置調節装置５２から下ウェハＷ２を取り出し、第２処理ブロックＧ２の第２温度調節装置４３に搬送する。
次に、第２温度調節装置４３が、下ウェハＷ２の温度を調節する（ステップＳ１０８）。下ウェハＷ２の温調は、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、第２温度調節装置４３から下ウェハＷ２を取り出し、接合装置４１に搬送する。
次に、接合装置４１が、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を接合し、重合ウェハＴを製造する（ステップＳ１０９）。その後、搬送装置６１が、接合装置４１から重合ウェハＴを取り出し、第３処理ブロックＧ３のトランジション装置５４に搬送する。
最後に、搬送装置２２が、トランジション装置５４から重合ウェハＴを取り出し、載置台１０上のカセットＣ３に搬送する。これにより、一連の処理が終了する。
次に、図５を参照して、接合装置４１の一例について説明する。図５に示すように、接合装置４１は、例えば、支持フレーム１０１と、上チャック１１０と、下チャック１２０と、移動部１３０と、を備える。上チャック１１０が特許請求の範囲に記載の第１保持部に相当し、下チャック１２０が特許請求の範囲に記載の第２保持部に相当する。
支持フレーム１０１は、例えば、上チャック１１０、下チャック１２０、及び移動部１３０を支持する。支持フレーム１０１は、載置台１０２と、載置台１０２の上面に立設された複数の支柱１０３と、複数の支柱１０３の上端に固定された上部フレーム１０４と、含む。
上部フレーム１０４は、上チャック１１０を上方から支持する。上チャック１１０は、上ウェハＷ１を上方から吸着保持する。一方、下チャック１２０は、上チャック１１０よりも下方に設けられ、下ウェハＷ２を下方から吸着保持する。
移動部１３０は、上チャック１１０と下チャック１２０を相対的に移動させる。例えば、移動部１３０は、下チャック１２０をＸ軸方向に移動させる第１移動部１３１を備える。また、移動部１３０は、下チャック１２０をＹ軸方向に移動させる第２移動部１３２を備える。
第１移動部１３１は、Ｘ軸方向に延在する一対の第１レール１３１ａに沿って移動するように構成されている。一対の第１レール１３１ａは、第２移動部１３２の上面に設けられる。移動部１３０は、第１移動部１３１をＸ軸方向に移動させることにより、下チャック１２０をＸ軸方向に移動させる。
第２移動部１３２は、Ｙ軸方向に延在する一対の第２レール１３２ａに沿って移動するように構成されている。一対の第２レール１３２ａは、載置台１０２の上面に設けられる。移動部１３０は、第２移動部１３２をＹ軸方向に移動させることで、第１移動部１３１及び下チャック１２０をＹ軸方向に移動させる。
下チャック１２０は、第１移動部１３１に取り付けられており、第１移動部１３１と共にＸ軸方向及びＹ軸方向に移動する。なお、第１移動部１３１は、下チャック１２０を鉛直方向に移動するように構成されてもよい。さらに、第１移動部１３１は、下チャック１２０を鉛直軸周りに回転するように構成されてもよい。鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
移動部１３０は、下チャック１２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向に移動させることにより、上チャック１１０に保持されている上ウェハＷ１と、下チャック１２０に保持されている下ウェハＷ２との水平方向における位置合わせを行う。また、移動部１３０は、下チャック１２０をＺ軸方向に移動させることにより、上チャック１１０に保持されている上ウェハＷ１と、下チャック１２０に保持されている下ウェハＷ２との鉛直方向における位置合わせを行う。
なお、移動部１３０は、上チャック１１０と下チャック１２０とを相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向に移動させることができればよい。例えば、移動部１３０は、上チャック１１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向に移動させてもよい。また、移動部１３０は、下チャック１２０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させると共に、上チャック１１０をθ方向に移動させてもよい。
移動部１３０は、上チャック１１０と下チャック１２０の相対位置を、基板受渡位置と、接合位置との間で移動させる。基板受渡位置は、上チャック１１０が上ウェハＷ１を搬送装置６１から受け取り、また、下チャック１２０が下ウェハＷ２を搬送装置６１から受け取り、下チャック１２０が重合ウェハＴを搬送装置６１に渡す位置である。基板受渡位置は、ｎ（ｎは１以上の自然数）回目の接合で作製された重合ウェハＴの搬出と、ｎ＋１回目の接合で接合される上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の搬入とが連続して行われる位置である。
搬送装置６１は、上ウェハＷ１を上チャック１１０に渡す際に、上チャック１１０の真下に進入する。また、搬送装置６１は、重合ウェハＴを下チャック１２０から受け取り、下ウェハＷ２を下チャック１２０に渡す際に、下チャック１２０の真上に進入する。搬送装置６１が進入しやすいように、上チャック１１０と下チャック１２０とは横にずらされており、上チャック１１０と下チャック１２０の鉛直方向の間隔も大きい。
一方、接合位置は、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２とを所定の間隔をおいて向かい合わせ、接合する位置である。接合位置は、例えば図９に示す位置である。接合位置では、基板受渡位置に比べて、鉛直方向における上ウェハＷ１と下ウェハＷ２との間隔Ｇが狭い。また、接合位置では、基板受渡位置とは異なり、鉛直方向視にて上ウェハＷ１と下ウェハＷ２とが重なる。
次に、図６を参照して、上チャック１１０と下チャック１２０について説明する。上チャック１１０は、径方向に、複数（例えば２つ）の領域１１０ａ、１１０ｂに区画される。これら領域１１０ａ、１１０ｂは、上チャック１１０の中心部から周縁部に向けてこの順で設けられる。領域１１０ａは平面視において円形状を有し、領域１１０ｂは平面視において環状形状を有する。各領域１１０ａ、１１０ｂには、異なる真空ポンプ１１２ａ、１１２ｂがそれぞれ接続される。上チャック１１０は、各領域１１０ａ、１１０ｂ毎に、上ウェハＷ１を真空吸着可能である。上チャック１１０は、真空ポンプ１１２ａ、１１２ｂの作動によって、上ウェハＷ１を水平に真空吸着する。
接合装置４１は、上チャック１１０に保持されている上ウェハＷ１を変形させることで、上ウェハＷ１の中央部を下方に突出させる第１変形部１８０を備える。第１変形部１８０は、例えば、押動ピン１８１と、当該押動ピン１８１を昇降させる駆動部１８２とを有する。押動ピン１８１は、上チャック１１０の中心部を鉛直方向に貫通する貫通孔１１３に挿通される。駆動部１８２は、押動ピン１８１を下降させることで、上ウェハＷ１の中央部を下方に突出させる。上ウェハＷ１の中央部は、上ウェハＷ１の周縁部よりも下方に突出させられる。上ウェハＷ１の中央部の突出量ΔＺ１（図１１参照）は、押動ピン１８１の位置で調整可能である。
下チャック１２０は、径方向に、複数（例えば３つ）の領域１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃに区画される。これら領域１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃは、下チャック１２０の中心部から周縁部に向けてこの順で設けられる。そして、領域１２０ａは平面視において円形状を有し、領域１２０ｂ、１２０ｃは平面視において環状形状を有する。各領域１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃには、異なる真空ポンプ１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃがそれぞれ接続される。下チャック１２０は、各領域１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ毎に、下ウェハＷ２を真空吸着可能である。下チャック１２０は、真空ポンプ１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃの作動によって、下ウェハＷ２を水平に真空吸着する。
下チャック１２０は、例えば、基台部１２３と、吸着部１２４と、を備える。吸着部１２４は、基台部１２３の上方に設けられ、下ウェハＷ２を下方から吸着保持する。上方から見て、吸着部１２４は、例えば円形である。吸着部１２４の周囲には、固定リング１２６が設けられる。吸着部１２４の周縁部は、固定リング１２６によって基台部１２３に固定される。基台部１２３の上面と吸着部１２４の下面との間には、圧力可変空間１２５が形成される。圧力可変空間１２５は密閉されている。
吸着部１２４は、下ウェハＷ２の直径よりも大きい円形の上面を有する。吸着部１２４の上面には、リブ１２７が設けられる。リブ１２７は、複数の領域１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃを区画する。リブ１２７は、環状形状の領域１２０ｂ、１２０ｃを、周方向に沿って複数（例えば８つ）の扇形状のサブ領域に区画してもよい（図１６参照）。サブ領域ごとに、下ウェハＷ２の吸着圧を変更可能である。なお、リブ１２７の数及び配置は、図１６に示す数及び配置には限定されない。
接合装置４１は、下チャック１２０に保持されている下ウェハＷ２を変形させることで、下ウェハＷ２の中央部を上方に突出させる第２変形部１９０を備える。第２変形部１９０は、圧力可変空間１２５の圧力を変更することで、吸着部１２４を弾性変形させる。吸着部１２４の材質は、例えば、アルミナ又は炭化ケイ素などのセラミックである。第２変形部１９０は、真空ポンプ１９１と、電空レギュレータ１９２とを備える。第２変形部１９０は、切替バルブ１９３をも備えてもよい。
真空ポンプ１９１は、圧力可変空間１２５のガスを排出することで、圧力可変空間１２５を減圧する。圧力可変空間１２５の減圧によって、吸着部１２４の上面が水平面になり、吸着部１２４に吸着されている下ウェハＷ２が水平になる。電空レギュレータ１９２は、圧力可変空間１２５にガスを供給することで、圧力可変空間１２５を加圧する。圧力可変空間１２５の加圧によって、吸着部１２４の上面が上に凸の曲面になり、吸着部１２４に吸着されている下ウェハＷ２が上に凸になる。切替バルブ１９３は、圧力可変空間１２５を、真空ポンプ１９１に接続した状態と、電空レギュレータ１９２に接続した状態とに切り替える。
第２変形部１９０は、圧力可変空間１２５を加圧することで、下チャック１２０に保持されている下ウェハＷ２の中央部を上方に向けて突出させる。下ウェハＷ２の中央部は、下ウェハＷ２の周縁部よりも上方に突出させられる。下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２（図１０参照）は、圧力可変空間１２５の圧力で調整可能である。
測定部１４０は、下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２を測定する。測定部１４０の測定ターゲット１４１は、下ウェハＷ２の中央部と共に昇降する。測定部１４０は、例えば、静電容量センサである。静電容量センサは、測定ターゲット１４１との距離に応じて変化する静電容量を検出することで、突出量ΔＺ２を測定する。基台部１２３には、測定部１４０を収容する収容室１２３ａと、測定ターゲット１４１が挿入される挿入穴１２３ｂとが形成される。収容室１２３ａと挿入穴１２３ｂは、基台部１２３の中央に形成される。測定ターゲット１４１は、吸着部１２４の下面中央に固定されており、挿入穴１２３ｂの内部で昇降する。
次に、図７～図１４を参照して、図４のステップＳ１０９の詳細について説明する。先ず、搬送装置６１が、接合装置４１に対する上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の搬入を行う（ステップＳ１１１）。ステップＳ１１１の際、上チャック１１０と下チャック１２０の相対位置は、図５に示す基板受渡位置である。上チャック１１０が上ウェハＷ１を上方から水平に吸着保持すると共に、下チャック１２０が下ウェハＷ２を下方から水平に吸着保持する。
次に、移動部１３０が、上チャック１１０と下チャック１２０の相対位置を、図５に示す基板受渡位置から、図９に示す接合位置に移動する（ステップＳ１１２）。ステップＳ１１２では、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の位置合わせが行われる。位置合わせには、図８に示すように第１カメラＳ１と第２カメラＳ２が用いられる。
第１カメラＳ１は、上チャック１１０に対して固定されており、下チャック１２０に保持されている下ウェハＷ２を撮像する。下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊには、予め複数の基準点Ｐ２１～Ｐ２３が形成される。基準点Ｐ２１～Ｐ２３としては、電子回路等のパターンが用いられる。基準点の数は、任意に設定可能である。
一方、第２カメラＳ２は、下チャック１２０に対して固定されており、上チャック１１０に保持されている上ウェハＷ１を撮像する。上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊには、予め複数の基準点Ｐ１１～Ｐ１３が形成されている。基準点Ｐ１１～Ｐ１３としては、電子回路等のパターンが用いられる。基準点の数は、任意に設定可能である。
先ず、図８（Ａ）に示すように、移動部１３０が、第１カメラＳ１と第２カメラＳ２の相対的な水平方向位置の調節を行う。具体的には、第２カメラＳ２が第１カメラＳ１の略真下に位置するように、移動部１３０が下チャック１２０を水平方向に移動させる。そして、第１カメラＳ１と第２カメラＳ２とが共通のターゲットＸを撮像し、第１カメラＳ１と第２カメラＳ２の水平方向位置が一致するように、移動部１３０が第２カメラＳ２の水平方向位置を微調節する。これにより、第１カメラＳ１と第２カメラＳ２の位置合わせが完了する。
次に、図８（Ｂ）に示すように、移動部１３０が、下チャック１２０を鉛直上方に移動させ、続いて、上チャック１１０と下チャック１２０の水平方向位置を調節する。具体的には、移動部１３０が下チャック１２０を水平方向に移動させながら、第１カメラＳ１が下ウェハＷ２の基準点Ｐ２１～Ｐ２３を順次撮像すると共に、第２カメラＳ２が上ウェハＷ１の基準点Ｐ１１～Ｐ１３を順次撮像する。なお、図８（Ｂ）は、第１カメラＳ１が下ウェハＷ２の基準点Ｐ２１を撮像すると共に、第２カメラＳ２が上ウェハＷ１の基準点Ｐ１１を撮像する様子を示している。
第１カメラＳ１及び第２カメラＳ２は、撮像した画像データを、制御装置９０に送信する。制御装置９０は、第１カメラＳ１で撮像した画像データと第２カメラＳ２で撮像した画像データとに基づいて移動部１３０を制御し、鉛直方向視にて上ウェハＷ１の基準点Ｐ１１～Ｐ１３と下ウェハＷ２の基準点Ｐ２１～Ｐ２３とが合致するように下チャック１２０の水平方向位置を調節する。
次に、図８（Ｃ）に示すように、移動部１３０が下チャック１２０を鉛直上方に移動させる。その結果、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊと上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊとの間隔Ｇ（図９参照）は、予め定められた距離、例えば８０μｍ～２００μｍになる。間隔Ｇの調節には、第１変位計Ｓ３と、第２変位計Ｓ４とが用いられる。
第１変位計Ｓ３は、第１カメラＳ１と同様に、上チャック１１０に対して固定されており、下チャック１２０に保持されている下ウェハＷ２の厚みを測定する。第１変位計Ｓ３は、例えば下ウェハＷ２に対して光を照射し、下ウェハＷ２の上下両面で反射された反射光を受光し、下ウェハＷ２の厚みを測定する。その厚みの測定は、例えば移動部１３０が下チャック１２０を水平方向に移動させる際に実施される。第１変位計Ｓ３の測定方式は、例えば共焦点方式、分光干渉方式、又は三角測距方式等である。第１変位計Ｓ３の光源は、ＬＥＤ又はレーザである。
一方、第２変位計Ｓ４は、第２カメラＳ２と同様に、下チャック１２０に対して固定されており、上チャック１１０に保持されている上ウェハＷ１の厚みを測定する。第２変位計Ｓ４は、例えば上ウェハＷ１に対して光を照射し、上ウェハＷ１の上下両面で反射された反射光を受光し、上ウェハＷ１の厚みを測定する。その厚みの測定は、例えば移動部１３０が下チャック１２０を水平方向に移動させる際に実施される。第２変位計Ｓ４の測定方式は、例えば共焦点方式、分光干渉方式、又は三角測距方式等である。第２変位計Ｓ４の光源は、ＬＥＤ又はレーザである。
第１変位計Ｓ３及び第２変位計Ｓ４は、測定したデータを、制御装置９０に送信する。制御装置９０は、第１変位計Ｓ３で測定したデータと第２変位計Ｓ４で測定したデータとに基づいて移動部１３０を制御し、間隔Ｇが設定値ΔＺ３（ΔＺ３＝ΔＺ１＋ΔＺ２）になるように下チャック１２０の鉛直方向位置を調節する。ここで、ΔＺ１はステップＳ１１３における下ウェハＷ２の中央部の突出量であり、ΔＺ２はステップＳ１１４における上ウェハＷ１の中央部の突出量である。
次に、図１０に示すように、制御装置９０は、第２変形部１９０を制御することで、下ウェハＷ２の中央部を上方に突出させる（ステップＳ１１３）。制御装置９０は、圧力可変空間１２５を加圧することで、吸着部１２４に保持されている下ウェハＷ２の中央部を上方に向けて突出させる。測定部１４０によって突出量ΔＺ２を測定し、その測定値が設定値になるように圧力可変空間１２５の圧力を制御する。
なお、本実施形態では下ウェハＷ２を下チャック１２０に吸着した後に下チャック１２０を変形させるが、下チャック１２０を変形させた後に下ウェハＷ２を下チャック１２０に吸着してもよい。後者の場合、前者の場合に比べて、下ウェハＷ２の曲げ精度を向上でき、下ウェハＷ２の基準点Ｐ２１～Ｐ２３の意図しない位置ずれを抑制でき、接合精度を向上できる。
次に、図１１に示すように、制御装置９０は、真空ポンプ１１２ａの作動を停止させ、領域１１０ａにおける上ウェハＷ１の真空吸着を解除させる。その後、制御装置９０は、第１変形部１８０の押動ピン１８１を下降させることで、上ウェハＷ１の中央部を下方に突出させる（ステップＳ１１４）。その結果、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の中央部同士が接触し、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の中央部同士が接合される。なお、ステップＳ１１３とステップＳ１１４の順序は逆でもよい。
上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊと下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊはそれぞれ改質されているため、まず、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ間にファンデルワールス力（分子間力）が生じ、当該接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ同士が接合される。さらに、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊと下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊはそれぞれ親水化済みであるので、親水基（例えばＯＨ基）が水素結合し、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊ同士が強固に接合される。
ファンデルワールス力は、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の間に隙間の存在する状態でも生じる。隙間が狭いほど、ファンデルワールス力が大きい。ファンデルワールス力は、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を引き付け合う。従って、図１１に示すように上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の中央部同士が接触した後、図１２に示すように上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の互いに接触する領域Ａが広がる。但し、上ウェハＷ１の周縁部は上チャック１１０に吸着保持されているので、領域Ａの拡大は上ウェハＷ１の中央部から周縁部の途中で一時停止する。
次に、図１３に示すように、制御装置９０は、真空ポンプ１１２ｂの作動を停止させ、領域１１０ｂにおける上ウェハＷ１の真空吸着を解除させることで、上ウェハＷ１の周縁部を落下させる（ステップＳ１１５）。その結果、領域Ａが周縁部にまで拡大し、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊと下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊが全面で当接し、重合ウェハＴが得られる。
本実施形態によれば、図１１に示すように、上ウェハＷ１の中央部を上ウェハＷ１の周縁部よりも下方に突出させることで上ウェハＷ１を下に凸の形状に反らせると共に、下ウェハＷ２の中央部を下ウェハＷ２の周縁部よりも上方に突出させることで下ウェハＷ２を上に凸の形状に反らせる。上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を上下対称の形状に反らせることで、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の伸び率の差を小さくできる。その結果、接合後に、鉛直方向視にて上ウェハＷ１の基準点Ｐ１１～Ｐ１３と下ウェハＷ２の基準点Ｐ２１～Ｐ２３とのずれを小さくできる。
重合ウェハＴが得られた後、制御装置９０は、第１変形部１８０の押動ピン１８１を上昇させる。また、制御装置９０は、下チャック１２０の圧力可変空間１２５を減圧し、下ウェハＷ２の変形を解除する。下チャック１２０は、重合ウェハＴを下方から水平に吸着保持する。
次に、移動部１３０が、上チャック１１０と下チャック１２０の相対位置を、接合位置から基板受渡位置に移動する（ステップＳ１１６）。例えば、移動部１３０は、先ず下チャック１２０を下降させ、下チャック１２０と上チャック１１０の鉛直方向の間隔を広げる。続いて、移動部１３０は、下チャック１２０を横に移動させ、下チャック１２０と上チャック１１０を横にずらす。
次に、搬送装置６１が、接合装置４１に対する重合ウェハＴの搬出を行う（ステップＳ１１７）。具体的には、先ず、下チャック１２０が、重合ウェハＴの吸着保持を解除する。続いて、搬送装置６１が、下チャック１２０から重合ウェハＴを受け取り、接合装置４１の外部に搬出する。
ところで、下ウェハＷ２の伸び率などを変更する目的などで、下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２を変更することがある。なお、突出量ΔＺ２を変更する目的は、特に限定されない。突出量ΔＺ２を変更する際に、上ウェハＷ１の中央部の突出量ΔＺ１を変更することなく一定に維持すると、領域Ａの拡大の挙動が変わってしまう。
例えば、ΔＺ１が同じままで、ΔＺ２が小さくなると、ΔＺ１とΔＺ２の合計ΔＺ３が小さくなる。従って、図１１に示すように上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の中央部同士が接触した時の、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の周縁部同士の隙間が狭くなる。その隙間が狭いほど、ファンデルワールス力が大きく、領域Ａが広がりやすい。従って、図１２に示すように領域Ａの拡大が一時停止した時の領域Ａの大きさが大きくなる。
このように、ΔＺ２を変更する際に、ΔＺ１を変更することなく一定に維持すると、領域Ａの拡大の挙動が変わってしまう。領域Ａの拡大の挙動が変わってしまうと、接合精度が低下してしまい、接合後に、鉛直方向視にて上ウェハＷ１の基準点Ｐ１１～Ｐ１３と下ウェハＷ２の基準点Ｐ２１～Ｐ２３とのずれが大きくなってしまうことがある。
本実施形態の制御装置９０は、下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２に応じて、上ウェハＷ１の中央部の突出量ΔＺ１を変更する。これによって、領域Ａの拡大の挙動を一定に維持でき、接合精度を向上できる。制御装置９０は、ΔＺ２に応じて、ΔＺ１とΔＺ２の合計ΔＺ３（ΔＺ３＝ΔＺ１＋ΔＺ２）を変更してもよい。
次に、図１４を参照して、ΔＺ１、ΔＺ２及びΔＺ３の関係の一例について説明する。制御装置９０は、図１４に示すように、例えば、ΔＺ２が大きくなるほど、ΔＺ１を小さくする制御を行う。これにより、ΔＺ１とΔＺ２の合計ΔＺ３の変化を抑制でき、図１２に示すように領域Ａの拡大が一時停止した時の領域Ａの大きさを一定に維持できる。領域Ａの拡大の挙動を一定に維持でき、接合精度を向上できる。
制御装置９０は、下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２が大きくなるほど、ΔＺ１とΔＺ２の合計ΔＺ３を大きくする制御を行ってもよい。ΔＺ２の増加率に比べて、ΔＺ１の減少率が小さければ、ΔＺ３が大きくなる。これにより、上下ウェハの隙間に起因するファンデルワールス力の変化を抑制でき、図１２に示すように領域Ａの拡大が一時停止した時の領域Ａの大きさを一定に維持できる。領域Ａの拡大の挙動を一定に維持でき、接合精度を向上できる。
制御装置９０は、下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２の設定を変更する機能を有してもよい。例えば、制御装置９０は、図１５に示すような無負荷での上ウェハＷ１の反りのデータを取得し、無負荷での上ウェハＷ１の反りに応じて下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２を変更してもよい。無負荷とは、基板表面の応力が実質的にゼロの状態を意味し、例えば吸着圧力が生じていない状態を意味する。なお、図１５において、グレースケールは高低差を表す。無負荷での上ウェハＷ１の反りは、図１５に示す反りには限定されない。
図１１に示すように上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の中央部同士が接触した時の、上ウェハＷ１の中央部から周縁部までの断面形状は、無負荷での上ウェハＷ１の反りに応じて変わる。従って、無負荷での上ウェハＷ１の反りが変われば、領域Ａの拡大の挙動が変わりうる。
制御装置９０が無負荷での上ウェハＷ１の反りに応じて下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２を変更すれば、領域Ａの拡大の挙動を一定に維持でき、接合精度を向上できる。なお、無負荷での上ウェハＷ１の反りと、下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２の関係は、予め実験などで決められ、予め記憶媒体９２に記憶媒体に記憶されたものを読み出して用いる。
無負荷での上ウェハＷ１の反りは、不図示の測定装置で測定すればよい。測定装置としては、市販の三次元形状測定器などが用いられる。測定装置は、接合システム１の内部に設けられてもよいし、接合システム１の外部に設けられてもよい。測定装置が反りの測定データを制御装置９０に送信し、測定装置の送信した反りの測定データを制御装置９０が受信する。
制御装置９０は、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊに形成された基準点Ｐ１１～Ｐ１３の位置ずれのデータを取得し、基準点Ｐ１１～Ｐ１３の位置ずれに応じて下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２を変更してもよい。基準点Ｐ１１～Ｐ１３の位置ずれは、基準点Ｐ１１～Ｐ１３を接合面Ｗ１ｊに形成する時の目標位置からの位置ずれでもよいし、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊに形成された基準点Ｐ２１～Ｐ２３に対する位置ずれでもよい。前者の場合、位置ずれのデータは、基準点Ｐ１１～Ｐ１３を形成する装置、例えば電子回路を形成する装置から取得する。後者の場合、位置ずれのデータは、第１カメラＳ１と第２カメラＳ２を用いて取得可能である。
同様に、制御装置９０は、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊに形成された基準点Ｐ２１～Ｐ２３の位置ずれのデータを取得し、基準点Ｐ２１～Ｐ２３の位置ずれに応じて下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２を変更してもよい。基準点Ｐ２１～Ｐ２３の位置ずれは、基準点Ｐ２１～Ｐ２３を接合面Ｗ２ｊに形成する時の目標位置からの位置ずれでもよいし、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊに形成された基準点Ｐ１１～Ｐ１３に対する位置ずれでもよい。前者の場合、位置ずれのデータは、基準点Ｐ２１～Ｐ２３を形成する装置、例えば電子回路を形成する装置から取得する。後者の場合、位置ずれのデータは、第１カメラＳ１と第２カメラＳ２を用いて取得可能である。
なお、制御装置９０は、領域Ａの拡大の挙動を一定に維持する制御を行うべく、（Ａ）上ウェハＷ１の中央部の突出量ΔＺ１、又は（Ｂ）下ウェハＷ２の中央部の突出量ΔＺ２の他にも、（Ｃ）上チャック１１０の吸着力、（Ｄ）下チャック１２０の吸着力、又は（Ｅ）押動ピン１８１を下降させる駆動力などを制御してもよい。（Ｄ）下チャック１２０の吸着力は、下チャック１２０の吸着圧力の分布をも含む。
以上、本開示に係る接合装置、及び接合方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
４１ 接合装置
９０ 制御装置（制御部）
１１０ 上チャック（第１保持部）
１２０ 下チャック（第２保持部）
１３０ 移動部
１８０ 第１変形部
１９０ 第２変形部
Ｗ１ 上ウェハ（第１基板）
Ｗ２ 下ウェハ（第２基板）

Claims (12)

  1. 第１基板と第２基板を接合する、接合装置であって、
    前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
    前記第１保持部よりも下方にて、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
    前記第１保持部と前記第２保持部を相対的に移動させる移動部と、
    前記第１保持部に保持されている前記第１基板の中央部を下方に突出させる第１変形部と、
    前記第２保持部に保持されている前記第２基板の中央部を上方に突出させる第２変形部と、
    前記移動部、前記第１変形部、及び前記第２変形部を制御することで、前記第１基板と前記第２基板の中央部同士を接触させる制御を行う制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記第２基板の中央部の突出量に応じて、前記第１基板の中央部の突出量を変更する制御を行う、接合装置。
  2. 前記制御部は、前記第２基板の中央部の突出量が大きくなるほど、前記第１基板の中央部の突出量を小さくする制御を行う、請求項１に記載の接合装置。
  3. 前記制御部は、前記第２基板の中央部の突出量に応じて、前記第１基板の中央部の突出量と前記第２基板の中央部の突出量の合計を変更する制御を行う、請求項１又は２に記載の接合装置。
  4. 前記制御部は、前記第２基板の中央部の突出量が大きくなるほど、前記第１基板の中央部の突出量と前記第２基板の中央部の突出量の合計を大きくする制御を行う、請求項３に記載の接合装置。
  5. 前記制御部は、無負荷での前記第１基板の反りのデータを取得し、無負荷での前記第１基板の反りに応じて前記第２基板の中央部の突出量を変更する、請求項１～４のいずれか１項に記載の接合装置。
  6. 前記制御部は、前記第１基板又は前記第２基板の接合面に形成された基準点の位置ずれのデータを取得し、前記基準点の位置ずれに応じて前記第２基板の中央部の突出量を変更する、請求項１～５のいずれか１項に記載の接合装置。
  7. 第１基板と第２基板を接合する接合方法であって、
    前記第１基板を第１保持部によって上方から吸着保持することと、
    前記第１保持部よりも下方にて、前記第２基板を第２保持部によって下方から吸着保持することと、
    前記第１保持部と前記第２保持部を相対的に移動させることと、
    前記第２保持部に保持されている前記第２基板の中央部を上方に突出させると共に、前記第１保持部に保持されている前記第１基板の中央部を下方に突出させることで、前記第１基板と前記第２基板の中央部同士を接触させることと、
    を有し、
    前記第２基板の中央部の突出量に応じて、前記第１基板の中央部の突出量を変更することを有する、接合方法。
  8. 前記第２基板の中央部の突出量が大きくなるほど、前記第１基板の中央部の突出量を小さくすることを有する、請求項７に記載の接合方法。
  9. 前記第２基板の中央部の突出量に応じて、前記第１基板の中央部の突出量と前記第２基板の中央部の突出量の合計を変更することを有する、請求項７又は８に記載の接合方法。
  10. 前記第２基板の中央部の突出量が大きくなるほど、前記第１基板の中央部の突出量と前記第２基板の中央部の突出量の合計を大きくすることを有する、請求項９に記載の接合方法。
  11. 無負荷での前記第１基板の反りのデータを取得し、無負荷での前記第１基板の反りに応じて前記第２基板の中央部の突出量を変更することを有する、請求項７～１０のいずれか１項に記載の接合方法。
  12. 前記第１基板又は前記第２基板の接合面に形成された基準点の位置ずれのデータを取得し、前記基準点の位置ずれに応じて前記第２基板の中央部の突出量を変更することを有する、請求項７～１１のいずれか１項に記載の接合方法。
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