JP2010098125A - 基板搬送装置及び基板搬送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板を搬送する基板搬送装置において、被処理基板の基板面にうねりを生じさせることなく保持し、基板有効領域を確保する。
【解決手段】基板Ｇを異なる高さに浮上させる浮上ステージ２２と、前記浮上ステージ２２の左右側方に平行に配置されるガイドレール２５に沿って、移動可能に設けられた一対の基板キャリア２６と、前記基板キャリア２６の側面に、基板搬送方向に沿って設けられると共に、少なくとも被処理基板Ｇの側縁部における基板有効領域Ｇ１の長さ以上に形成され、該基板の側縁部を下方から着脱自在に吸引保持可能な基板保持部材２４と、前記基板キャリア２６の側面から前記基板Ｇの側端部に向けて所定距離を進退自在に設けられたセンタリング部材６７を有し、前記センタリング部材６７を前記基板保持部材２４上に載置された基板Ｇの側端部に当接させて、該基板Ｇを所定位置に移動させるアラインメント手段６５とを備える。
【選択図】図６

Description

本発明は、例えばＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に処理液を塗布処理する基板処理装置に好適に用いられる基板搬送装置及び基板搬送方法に関する。

例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成する。

ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループットを向上させるため、被処理基板を略水平姿勢の状態で搬送（平流し搬送）しながら、その被処理面に対しレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施すことが多くなっている。
搬送装置の構成としては、基板支持部材（支持ピン等）によるレジスト塗布面への転写を防止するため、基板を略水平姿勢の状態でステージ上に浮上させ、所定方向に搬送する浮上搬送が注目されている。

この浮上搬送の装置構成は、レジスト塗布処理装置の場合、その構成例が特許文献１に開示される。図１１に示すレジスト塗布処理装置の基板搬送装置は、上面に形成された複数のガス噴射口からガス噴射し、被処理基板であるＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ基板）Ｇを所定の高さ浮上させるステージ２０１を備える。また、ステージ２０１の左右両側（片側のみ図示）に敷設されたレール２０２と、レール２０２上をスライド移動するスライダ２０３と、スライダ２０３に支持部材２０４を介して接続され、基板Ｇの左右両側の縁部（以下、単に側縁部と呼ぶ）をそれぞれ吸着保持する基板保持部２０５とを備える。

このような構成の基板搬送装置においては、ステージ２０１上に基板Ｇを浮上させ、基板保持部２０５により基板Ｇの側縁部が吸着保持される。次いで、基板保持部２０５が接続されたスライダ２０３をレール２０２に沿ってスライド移動させることにより基板Ｇを図１２に示すＸ方向に移動する。

ところで、前記基板搬送装置にあっては、前記基板保持部２０５に基板Ｇが載置されると、吸引動作による吸着保持の前に、基板Ｇの位置合わせ（センタリング）作業であるアラインメント操作が行われる。即ち、図１２に示すように基板Ｇの四隅付近において、基板Ｇの側端部にピン２０６（前後方向），ピン２０７（左右方向）の側面をそれぞれ当接させることにより基板Ｇを所定位置に配置するようになされる。
特開２００７−３１３４５３号公報

しかしながら、そのようなアラインメント機構にあっては、前記のように基板左右の側端部にピン２０７の側面を当接させる必要があるため、図１２に示すように基板保持部２０５の基板側縁部に沿った長さは、ピン２０７との干渉を避けるよう、基板側縁部の長さよりも短く形成しなければならなかった。
その結果、基板側縁部において基板有効領域の長さ以上の領域を保持することが出来ず、基板面にうねりが生じ、基板面に対する処理（例えば塗布処理）が不均一になるという課題があった。

また、従来の構成にあっては、前記のように基板側縁部を十分に保持することができないため、基板保持部２０５の奥行き寸法（基板幅方向）を長くすることにより保持力を向上させていたが、基板保持部２０５が基板有効領域内に侵入する虞があり、不具合発生の原因となるという課題があった。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、被処理基板を搬送する基板搬送装置において、被処理基板の基板面にうねりを生じさせることなく保持し、基板有効領域を確保することのできる基板搬送装置及び基板搬送方法を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、被処理基板に処理液を供給して塗布処理を施す基板搬送装置において、気体の噴射又は噴射と吸引により基板を異なる高さに浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージの左右側方に平行に配置されるガイドレールに沿って、それぞれ移動可能に設けられた一対の基板キャリアと、前記基板キャリアの側面に、基板搬送方向に沿って設けられると共に、少なくとも前記被処理基板の側縁部における基板有効領域の長さ以上に形成され、該基板の側縁部をそれぞれ下方から着脱自在に吸引保持可能な基板保持部材と、前記基板キャリアの側面から前記基板の側端部に向けて所定距離を進退自在に設けられたセンタリング部材を有し、前記センタリング部材を前記基板保持部材上に載置された基板の側端部に当接させて、該基板を所定位置に移動させるアラインメント手段とを備えることに特徴を有する。
尚、前記アラインメント手段は、前記センタリング部材を進退移動させる進退駆動手段を備え、前記基板保持部材上に載置された被処理基板の四隅近傍において、前記進退駆動手段は、前記センタリング部材を前記基板保持部材の上方で進退動作させることが望ましい。

このように基板保持部材の上方において、基板キャリア側面から進退自在に設けられたセンタリング部材を有するアラインメント手段によりアラインメント操作を行うため、基板保持部材とセンタリング部材とが干渉することがなく、基板側縁部における少なくとも基板有効領域の長さ以上の領域を吸着保持することができる。したがって、基板面にうねりが生じることがなく、基板面に対し均一な処理を行うことができる。

また、前記基板保持部材は、前記被処理基板が載置される上面に複数の孔を有する多孔質体により形成され、前記上面に形成された複数の孔から吸引する吸引手段を備えることが望ましい。
このように構成することにより、被処理基板の側縁部における基板有効領域の長さ以上の領域を、基板保持部材の上面全体で吸着保持することができ、その幅寸法が短い構成であっても、充分な吸着保持を行うことができる。したがって、基板保持部材が基板有効領域に侵入するといった不具合発生を防止するだけでなく、基板の有効領域を広くすることができる。

また、前記基板保持部材の上面に形成された複数の孔から給気する給気手段を備えることが望ましい。
このように構成することにより、基板保持部材上に被処理基板が吸着保持されず、被処理基板の搬入出及びアラインメント操作を容易に行うことができる。

また、前記課題を解決するために、本発明に係る基板搬送方法は、前記基板搬送装置を用いて被処理基板を搬送する基板搬送方法において、前記基板保持部材の上面に形成された複数の孔から給気するステップと、前記被処理基板を前記基板保持部材の上面に載置するステップと、前記アラインメント手段により、前記被処理基板を所定の位置に移動するステップと、前記基板保持部材の上面に形成された複数の孔から吸引し、前記被処理基板の左右縁部を吸着保持するステップと、前記基板キャリアを前記ガイドレールに沿って移動させるステップとを実行することに特徴を有する。
尚、前記アライメント手段により、前記被処理基板を所定の位置に移動するステップにおいて、前記被処理基板が前記基板保持部材上に載置された後、該基板の四隅近傍において、前記センタリング部材を前記基板キャリアの側面から突出するよう移動させ、前記センタリング部材を該基板の側端部に当接させて所定の位置に移動させることが望ましい。

このような方法により、基板保持部材とセンタリング部材とを干渉させず、基板側縁部における基板有効領域の長さ以上の領域を吸着保持した状態で基板搬送を行うことができる。したがって、基板面にうねりが生じることがなく、基板面に対し均一な処理を行うことができる。

本発明によれば、被処理基板を搬送する基板搬送装置において、被処理基板の基板面にうねりを生じさせることなく保持し、基板有効領域を確保することのできる基板搬送装置及び基板搬送方法を得ることができる。

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、本発明の基板搬送装置をレジスト塗布現像処理装置におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）に適用した場合について説明する。図１は、レジスト塗布現像処理システム１００の概略平面図である。

先ず、レジスト塗布現像処理装置１００の動作の流れについて簡単に説明する。
このレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１の載置台１２に載置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって処理ステーション２の搬送ラインＡの上流側端部に搬送され、さらに搬送ラインＡ上を搬送されて、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１３で基板Ｇに含まれる有機物の除去処理が行われる。エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１３での有機物の除去処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）１４でスクラブ洗浄処理および乾燥処理が施される。

スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）１４でのスクラブ洗浄処理および乾燥処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、デハイドレーションベークユニット（ＤＢ）１５で加熱されて脱水される。デハイドレーションベークユニット（ＤＢ）１５での脱水加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、アドヒージョンユニット（ＡＤ）１６で疎水化処理が施される。アドヒージョンユニット（ＡＤ）１６での疎水化処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）１７で冷却される。

冷却ユニット（ＣＯＬ）１７で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０でレジスト膜が形成される。このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０は、本発明の基板搬送処理装置が適用されるものであるため、その構成については、詳しく後述する。
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０で所定のレジスト膜が形成された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２１で減圧雰囲気に晒されることにより、レジスト膜の乾燥処理が施される。

減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２１でレジスト膜の乾燥処理が施された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、プリベークユニット（ＨＴ）１８でプリベーク処理が施され、レジスト膜に含まれる溶剤が除去される。基板Ｇのプリベーク処理は、搬送ラインＡ上を搬送されながら行われる。プリベークユニット（ＨＴ）１８での加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＡ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）１９で冷却される。

冷却ユニット（ＣＯＬ）１９で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＡ上を下流側端部まで搬送された後、インターフェースステーション４の搬送アーム４３によってロータリーステージ（ＲＳ）４４に搬送される。
次に、基板Ｇは、搬送アーム４３によって外部装置ブロック９０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺露光装置（ＥＥ）でレジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光処理が施される。

続いて、基板Ｇは、搬送アーム４３により露光装置９に搬送され、レジスト膜に所定パターンの露光処理が施される。
なお、基板Ｇは、一時的にロータリーステージ（ＲＳ）４４上のバッファカセットに収容された後に、露光装置９に搬送される場合がある。露光処理が終了した基板Ｇは、搬送アーム４３により外部装置ブロック９０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬送され、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）で所定の情報が記される。

タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）で所定の情報が記された基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、現像ユニット（ＤＥＶ）３０で現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が順次施される。
現像ユニット（ＤＥＶ）３０での現像液の塗布処理、リンス処理および乾燥処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、ポストベークユニット（ＨＴ）３１でポストベーク処理が施され、レジスト膜に含まれる溶剤および水分が除去され、パターンが基板Ｇに密着する。基板Ｇのポストベーク処理は、後述するコロ搬送機構５によって搬送ラインＢ上を搬送されながら行われる。

なお、現像ユニット（ＤＥＶ）３０とポストベークユニット（ＨＴ）３１との間には、現像液の脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射ユニットを設けてもよい。ポストベークユニット（ＨＴ）３１での加熱処理が終了した基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、冷却ユニット（ＣＯＬ）３２で冷却される。

冷却ユニット（ＣＯＬ）３２で冷却された基板Ｇは、搬送ラインＢ上を搬送されて、検査ユニット（ＩＰ）３５で検査される。検査を通過した基板Ｇは、カセットステーション１に設けられた搬送装置１１の搬送アーム１１ａにより載置台１２に載置された所定のカセットＣに収容されることとなる。

次に、本発明の基板処理装置が適用されるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０について説明する。図２は、前記レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０の要部を示す概略斜視図、図３は、基板搬送方向と直交する方向に沿う概略断面図である。
図示するように、前記レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０は、気体（不活性ガス）の噴射または噴射と吸引により基板Ｇを異なる高さに浮上する浮上ステージ２２と、この浮上ステージ２２の上方に配置され、基板Ｇの表面に処理液であるレジスト液Ｒを帯状に供給するレジスト供給ノズル２３とを備える。

また、浮上ステージ２２の左右側方において、互いに平行に配置されるガイドレール２５に沿って、スライド移動可能な一対のスライダ２６が設けられる。スライダ２６の浮上ステージ２２側には、基板搬送方向に沿って、少なくとも基板側縁部の長さよりも長く延設された棒状の基板キャリア５０が固定され設けられている。これにより、スライダ２６の移動と共に、基板キャリア５０がガイドレール２５に沿って移動するように構成されている。

スライダ２６の駆動源は、例えばリニアモータにより実現される。この場合、図３に示すように、例えばガイドレール２５に沿ってリニアモータ固定子２７が敷設される。一方、スライダ２６の側面には、図３に示すようにリニアモータ回転子５１が形成されている。リニアモータ回転子５１の先端部分は、図３に示すようにリニアモータ固定子２７に挟まれるように配置され、それらの間の反発力と吸引力とによりリニアモータ回転子５１が、スライダ２６と共にガイドレール２５に沿って移動するように構成されている。

また、浮上ステージ２２を挟んで左右両側に対配置された基板キャリア５０において、浮上ステージ２２に臨む側面には、基板搬送方向に沿って、少なくとも基板Ｇの側縁部における基板有効領域Ｇ１の長さ以上に形成され、該基板Ｇの側縁部を下方から着脱自在に吸引保持する例えば角棒状の吸着パッド２４（基板保持部材）が設けられている。即ち、この吸着パッド２４の上面に基板Ｇの縁部が載置され、吸着保持されるようになされている。
尚、吸着パッド２４より上方に形成された基板キャリア５０側面により、基板Ｇの左右端部に接触して、粗位置決めをするためのガイド部５０ａが形成されている。

また、前記吸着パッド２４は、その上面全体に複数の孔（例えば長孔状）を有する多孔質体により形成されている。
図４において、前記吸着パッド２４の上面に形成された孔は吸着パッド２４内に形成された室（図示せず）を介して気体管６１に接続されている。

そして、図４に示すように、前記気体管６１の一端部は基板キャリア５０を貫通して吸着パッド２４に接続され、他端部は切替器６３に接続されている。一方、この切替器６３は前記真空装置６２と給気装置６４のそれぞれに接続されており、吸着パッド２４に接続された気体管６１が、それらのいずれかと連通するよう切替動作を行う。
したがって、気体管６１が真空装置６２と連通する場合には、気体管６１は吸引管として機能し、吸着パッド２４の吸引孔から吸引動作を行い、気体管６１が給気装置６４と連通する場合には、気体管６１は給気管として機能し、吸着パッド２４の吸引孔から給気動作（エア噴出）を行うようになされている。

前記切替器６３及び真空装置６２、給気装置６４は、それぞれコンピュータからなる制御部６９に接続されており、制御部６９からの命令によって、連通先の切替動作及び装置駆動の制御がなされる。
また、吸着パッド２４による給気動作は、吸着パッド２４が基板Ｇを吸着保持する前の基板搬入時及び位置合わせ（アラインメント）動作のときになされる。

したがって、基板Ｇの縁部が吸着パッド２４上に搬入され所定位置に載置されると、真空装置６２が作動し、それにより吸着パッド２４の上面全体が吸着面となり、基板側縁部において、少なくとも基板有効領域Ｇ１の長さ以上の領域が吸着保持される。
このように吸着パッド２４の上面全体で、基板有効領域Ｇ１の長さ以上の領域が吸着保持されるため、その幅寸法が短い構成であっても、充分な吸着保持を行うことができる。したがって、吸着パッド２４が基板有効領域Ｇ１に侵入するといった不具合発生を防止するだけでなく、基板有効領域Ｇ１を広くすることができる。

また、吸着パッド２４よりも上方の基板キャリア５０側面に形成されたガイド部５０ａにおいて、図５の平面図に示すように、基板Ｇが吸着パッド２４上に載置されたときの基板四隅近傍には、それぞれ基板Ｇの左右端部に当接することで、基板Ｇを所定位置（センタリング位置）に位置調整を行うアラインメント機構６５が設けられている。

このアラインメント機構６５は、ガイド部５０ａに形成された開口部６６と、この開口部６６から基板Ｇ側に突出するよう進退自在に設けられたセンタリング部材６７と、前記センタリング部材６７を水平方向に進退移動させるための進退駆動装置６８（図では１つのみ示す）とを備えている。
また、進退駆動装置６８は、制御部６９に接続されており、制御部６９からの命令に従い駆動し、センタリング部材６７を進退移動させるように構成されている。

このように吸着パッド２４の上方において、ガイド部５０ａから進退自在に設けられたセンタリング部材６７を有するアラインメント機構６５によりアラインメント操作を行うため、吸着パッド２４とアラインメント機構６５が干渉することがなく、基板側縁部における少なくとも基板有効領域Ｇ１の長さ以上の領域を吸着保持することができる。したがって、基板面にうねりが生じることがなく、基板面に対し均一な塗布処理を行うことができる。

また、吸着パッド２４の上面における先端部付近及び後端部付近には、図７の一部拡大図（先端部側の一方のみを示す）に示すように、基板Ｇの先端部及び後端部に当接することにより基板前後方向の位置決めをするストッパ機構７０がそれぞれ設けられている。
このストッパ機構７０は、吸着パッド２４上面の先端部付近及び後端部付近にそれぞれ形成された開口部７１と、この開口部７１から上方に突出するよう上下方向に進退可能に設けられたストッパ部材７２と、このストッパ部材７２を上下方向に進退移動させる進退駆動装置７３とを有する。進退駆動装置７３は、制御部６９からの命令に従い駆動するようになされている。

このようなストッパ機構７０にあっては、基板Ｇの搬入時において、吸着パッド２４上面の先端部側に設けられたストッパ部材７２のみが上方に突出し、基板Ｇの先端部にストッパ部材７２が当接することにより基板Ｇの搬入移動が停止するようになされている。
さらに、その後の前記アラインメント機構６５による基板Ｇの位置調整時において、基板後端側のストッパ部材７２が上方に突出し、基板Ｇが前後方向の所定位置からずれないようになされている。

また、浮上ステージ２２は、図２に示すように、その表面に多数の噴射口２９ａ及び吸引孔２９ｂが例えば千鳥状に設けられており、噴射孔２９ａから気体すなわち空気を噴射すると共に、吸引孔２９ｂから吸引することによって基板Ｇが所定の高さ（例えば約５０μｍ）の位置に浮上するようになされている。

また、前記レジスト供給ノズル２３は、浮上ステージ２２の上方を跨ぐ門形フレーム（図示せず）に固定されており、図示しないレジストタンクに接続される供給管２３ａによって供給されるレジスト液Ｒを、基板Ｇの表面に帯状に供給（吐出，滴下）するように構成されている。

次に、前記のように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０の動作態様について図８のフローに沿って説明する。
先ず、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０に基板Ｇが搬入される前において、制御部６９は、切替器６３によって気体管６１が給気装置６４に接続するよう切り替え、給気装置６４を駆動させて、吸着パッド２４の上面に形成された孔から不活性ガスを上方に向け噴出させる（図８のステップＳＴ１）。

次いで、冷却ユニット（ＣＯＬ）１７で冷却された基板Ｇが図示しない搬送装置によって浮上ステージ２２上に搬入される。
このとき、基板キャリア５０に設けられた吸着パッド２４の後端側の上面に、先ず基板Ｇの先端側の側縁部が載置され、ガイド部５０ａに沿って基板Ｇが押し込まれる。このとき、吸着パッド２４からは不活性ガスが噴出しているため、吸着パッド２４は基板Ｇに対して吸着せず、パッド上で基板Ｇの側縁部が容易に移動可能な状態となされている。
一方、基板搬入のタイミングに合わせて、吸着パッド２４の先端部において、制御部６９の命令によりストッパ機構７０の進退駆動装置７３が駆動し、ストッパ部材７２が上方に突出した状態となされる。
そして、基板Ｇの先端部がストッパ部材７２に当接することにより、基板Ｇの搬入移動が停止され、基板側縁部における少なくとも基板有効領域Ｇ１の長さ以上の領域が吸着パッド２４上に載置される（図８のステップＳＴ２）。

基板Ｇの側縁部が吸着パッド２４上に載置されると、制御部６９はアラインメント機構６５を作動し、基板Ｇの四隅近傍において、それぞれセンタリング部材６７が開口部６６から基板Ｇの側端部に向けて突出（移動）するよう進退駆動装置６８を制御する。
また、制御部６９は、吸着パッド２４後端部におけるストッパ部材７２が上方に突出するよう進退駆動装置７３を制御する。これにより、基板Ｇの前後方向の四隅には、ストッパ部材７２がそれぞれ上方に突出した状態となされ、基板Ｇの前後方向位置が所定位置からずれないようになされる。
そして、基板四隅において、アラインメント機構６５のセンタリング部材６７がそれぞれ基板側端部に当接することにより、基板Ｇが所定位置に移動し、アラインメント操作が完了する（図８のステップＳＴ３）。

次いで、制御部６９は、切替器６３によって気体管６１が真空装置６２に接続するよう切り替え、真空装置６２を駆動させて、吸着パッド２４の上面に形成された孔から基板側縁部を吸引させる。これにより、吸着パッド２４により基板Ｇが吸着保持される（図８のステップＳＴ４）。
尚、基板Ｇが吸着パッド２４により吸着保持されると、アラインメント機構６５のセンタリング部材６７及びストッパ機構７０のストッパ部材７２はそれぞれ開口部６６、７１内に収容される。
次いで、スライダ２６がガイドレール２５に沿ってＸ方向に移動開始し、これにより基板キャリア５０に保持された基板Ｇがレジスト供給ノズル２３の下方に向かって移動開始する（図８のステップＳＴ５）。

そして、基板Ｇがレジスト供給ノズル２３の下方を通過する際、ノズル口から基板Ｇの表面に帯状にレジスト液Ｒが供給（吐出，滴下）される（図８のステップＳＴ６）。
基板面へのレジスト塗布処理が完了すると、制御部６９は、再び切替器６３によって気体管６１が給気装置６４に接続するよう切り替え、給気装置６４を駆動させて、吸着パッド２４の上面に形成された孔から不活性ガスを上方に向け噴出させる（図８のステップＳＴ７）。これにより吸着パッド２４による基板Ｇの吸着状態が解除され、パッド上で基板縁部が容易に移動可能な状態となされる。
そして、図示しない搬出装置により、基板Ｇがガイド部５０ａに沿って基板キャリア５０から取り出され、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０から搬出される（図８のステップＳＴ８）。

以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、吸着パッド２４の上方において、ガイド部５０ａ（基板キャリア５０側面）から進退自在に設けられたセンタリング部材６７を有するアラインメント機構６５によりアラインメント操作が行われる。このため、吸着パッド２４とアラインメント機構６５（センタリング部材６７）とが干渉することがなく、基板側縁部における少なくとも基板有効領域Ｇ１の長さ以上の領域を吸着保持することができる。したがって、基板面にうねりが生じることがなく、基板面に対し均一な塗布処理を行うことができる。
また、吸着パッド２４の上面全体で、前記基板側縁部を吸着保持するため、その幅寸法が短い構成であっても、充分な吸着保持を行うことができる。したがって、吸着パッド２４が基板有効領域に侵入するといった不具合発生を防止するだけでなく、基板Ｇの有効領域を広くすることができる。

尚、前記実施の形態において、アラインメント機構６５のセンタリング部材６７は、図５、６に示すように、基板側端部に対して直交方向に進退移動するものとしたが、本発明の基板搬送装置にあっては、それに限定されるものではない。例えば、基板Ｇの四隅付近から、基板Ｇの対角線方向に沿ってセンタリング部材６７が進退移動するよう構成されていてもよい。
また、センタリング部材６７が当接する基板Ｇの部位は、基板側端部に限定されず、基板Ｇの角部であってもよい。

また、図７に示したストッパ機構７０（ストッパ部材７２）は、基板キャリア２６と共に移動する吸着パッド２４の先端部付近・後端部付近に設けたが、図９に示すように基板キャリア２６の内側且つ基板Ｇの前後位置において、ストッパ部材７２が上下方向に進退移動する構成であってもよい。或いは、図１０に示すように基板キャリア２６の外側且つ基板Ｇの前後位置において、ストッパ部材７２が上下方向に進退移動する構成であってもよい。
また、前記ストッパ部材７２にあっては、上下方向への進退移動と合わせて前後方向へ進退移動する構成であってもよく、アラインメント機構６５のセンタリング部材６７と同時に動作し、基板Ｇのアラインメント操作を行うようにしてもよい。

図１は、本発明の基板搬送装置が適用されるレジスト塗布ユニットを具備するレジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。 図２は、レジスト塗布ユニットの要部を示す概略斜視図である。 図３は、図２のレジスト塗布ユニットにおいて、基板搬送方向と直交する方向に沿う概略断面図である。 図４は、図２のレジスト塗布ユニットの一部拡大断面図である。 図５は、図２のレジスト塗布ユニットにおいて、アラインメント機構を説明するための平面図である。 図６は、図２のレジスト塗布ユニットにおいて、アラインメント機構を説明するための他の状態を示す平面図である。 図７は、図２のレジスト塗布ユニットにおいて、ストッパ機構を説明するための一部拡大平面図である。 図７は、図２のレジスト塗布ユニットの動作態様を示すフローである。 図９は、図２のレジスト塗布ユニットにおいて、ストッパ機構の他の形態を説明するための一部拡大平面図である。 図１０は、図２のレジスト塗布ユニットにおいて、ストッパ機構の他の形態を説明するための一部拡大平面図である。 図１１は、従来の基板浮上搬送の装置構成を説明するための図である。 図１２は、従来の基板浮上搬送の装置構成において、アラインメント操作を説明するための平面図である。

符号の説明

２０ レジスト塗布ユニット（基板搬送処理装置）
２２ 浮上ステージ
２３ レジスト供給ノズル
２４ 吸着パッド（基板保持部材）
２５ ガイドレール
５０ 基板キャリア
６１ 気体管
６２ 真空装置（吸引手段）
６３ 切替器
６４ 給気装置（給気手段）
６５ アラインメント機構（アラインメント手段）
６６ 開口部
６７ センタリング部材
６８ 進退駆動装置（進退駆動手段）
６９ 制御部
７０ ストッパ機構
７１ 開口部
７２ ストッパ部材
７３ 進退駆動部
１００ レジスト塗布現像処理装置
Ｇ 基板（被処理基板）
Ｇ１ 基板有効領域
Ｒ レジスト液（処理液）

Claims (6)

1. 被処理基板に処理液を供給して塗布処理を施す基板搬送装置において、
   気体の噴射又は噴射と吸引により基板を異なる高さに浮上させる浮上ステージと、
   前記浮上ステージの左右側方に平行に配置されるガイドレールに沿って、それぞれ移動可能に設けられた一対の基板キャリアと、
   前記基板キャリアの側面に、基板搬送方向に沿って設けられると共に、少なくとも前記被処理基板の側縁部における基板有効領域の長さ以上に形成され、該基板の側縁部をそれぞれ下方から着脱自在に吸引保持可能な基板保持部材と、
   前記基板キャリアの側面から前記基板の側端部に向けて所定距離を進退自在に設けられたセンタリング部材を有し、前記センタリング部材を前記基板保持部材上に載置された基板の側端部に当接させて、該基板を所定位置に移動させるアラインメント手段とを備えることを特徴とする基板搬送装置。
2. 前記アラインメント手段は、
   前記センタリング部材を進退移動させる進退駆動手段を備え、
   前記基板保持部材上に載置された被処理基板の四隅近傍において、
   前記進退駆動手段は、前記センタリング部材を前記基板保持部材の上方で進退動作させることを特徴とする請求項１に記載された基板搬送装置。
3. 前記基板保持部材は、前記被処理基板が載置される上面に複数の孔を有する多孔質体により形成され、
   前記上面に形成された複数の孔から吸引する吸引手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板搬送装置。
4. 前記基板保持部材の上面に形成された複数の孔から給気する給気手段を備えることを特徴とする請求項３に記載された基板搬送装置。
5. 前記請求項４に記載された基板搬送装置を用いて被処理基板を搬送する基板搬送方法において、
   前記基板保持部材の上面に形成された複数の孔から給気するステップと、
   前記被処理基板を前記基板保持部材の上面に載置するステップと、
   前記アラインメント手段により、前記被処理基板を所定の位置に移動するステップと、
   前記基板保持部材の上面に形成された複数の孔から吸引し、前記被処理基板の左右縁部を吸着保持するステップと、
   前記基板キャリアを前記ガイドレールに沿って移動させるステップとを実行することを特徴とする基板搬送方法。
6. 前記アライメント手段により、前記被処理基板を所定の位置に移動するステップにおいて、
   前記被処理基板が前記基板保持部材上に載置された後、該基板の四隅近傍において、前記センタリング部材を前記基板キャリアの側面から突出するよう移動させ、前記センタリング部材を該基板の側端部に当接させて所定の位置に移動させることを特徴とする請求項５に記載された基板搬送方法。

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