JP2008159782A - 減圧乾燥装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行い、しかも基板上の塗布膜に転写跡が付くのを防止すること。
【解決手段】この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、減圧乾燥処理を受けるべき基板Ｇを搬入側コロ搬送路１０４のコロ搬送およびステージ１２２上の浮上式ローラ搬送でチャンバ１０６の中に搬入し、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇをステージ１２２上の浮上式ローラ搬送路の浮上式ローラ搬送および搬出側コロ搬送路１１０のコロ搬送によってチャンバ１０６の外へ搬出する。減圧乾燥処理中は、ステージ１２２の上面に基板Ｇを面接触状態で載置する。
【選択図】 図５

Description

本発明は、被処理基板上に塗布された塗布液を減圧状態で乾燥させる減圧乾燥装置に関する。

この種の減圧乾燥装置は、たとえば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造のフォトリソグラフィー工程の中で被処理基板（ガラス基板等）上に塗布したレジスト液をプリベーキングに先立って乾燥させるために用いられている。

従来の減圧乾燥装置は、たとえば特許文献１に記載されるように、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有している。下部チャンバの中にはステージが配設されており、このステージ上に基板を水平に載置してから、チャンバを閉じて（上部チャンバを下部チャンバに密着させて）減圧乾燥処理を行う。チャンバに基板を搬入出する際には、上部チャンバをクレーン等で上昇させてチャンバを開放し、さらには基板のローディング／アンローディングのためにステージをシリンダ等で適宜上昇させるようにしている。そして、基板の搬入出ないしローディング／アンローディングは、減圧乾燥装置回りで基板の搬送を行う外部の搬送ロボットのハンドリングにより行っている。また、ステージの上面に多数の支持ピンが突出して設けられ、基板はそれらの支持ピンの上に載置されるようになっている。
特開２０００−１８１０７９

従来の減圧乾燥装置は、上記のように基板をチャンバに搬入出する度毎に上部チャンバを上げ下げ（開閉）するようにしているが、基板の大型化に伴ってこのような装置構造にはいろいろな不都合が出てきている。すなわち、基板のサイズがＬＣＤ基板のように一辺が２ｍを越えるような大きさになると、チャンバも著しく大型化して上部チャンバだけでも２トン以上の重量になり、大掛かりな昇降機構を要し、大きな振動による発塵の問題や作業員に対する安全上の問題が顕在化してきている。また、搬送ロボットも、ますます大型化しているが、大きな基板を水平に保持して搬送するのが難しくなってきており、レジスト塗布直後の基板を大きなうちわのようにたわんだ状態で搬送することによって、減圧乾燥装置のチャンバにおける基板の搬入出ないしローディング／アンローディングの際に位置ズレや衝突ないし破損等のエラーが起きやすくなってきている。さらに、チャンバの中で基板はステージ上面から突出するピンの上で減圧乾燥処理を受けるため、基板上のレジスト膜にピンの跡が転写するという問題もあった。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、被処理基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行い、しかも基板上の塗布膜に転写跡が付くのを効果的に防止できる減圧乾燥装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の減圧乾燥装置は、被処理基板上の塗布液に減圧状態で乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、前記基板を略水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、前記乾燥処理中に前記チャンバ内の空間を密閉状態で真空排気するための第１の排気機構と、前記チャンバ内で前記基板を載置するための上面を有し、かつ前記上面に前記基板を浮上させるガスを噴出するための多数のガス噴出孔を有するステージと、前記ガス噴出孔に前記ステージの中を通るガスラインを通して基板浮上用のガスを供給するためのガス供給部と、前記ガスラインを真空排気するための第２の排気機構とを有し、前記乾燥処理を行うときは前記ガスラインを前記第２の排気機構に接続して前記基板を前記ステージの上面に載置し、前記基板の搬入出を行うときは前記ガスラインを前記ガス供給部に接続して前記基板を前記ステージ上で浮上させる。

上記の装置構成においては、減圧乾燥処理中は、チャンバ内空間を第１の排気機構により真空排気するとともに、ステージ内部を通る浮上ガスラインを第２の排気機構により真空排気して被処理基板をステージの上面に載置する。基板とステージとの間には部分的または局所的な接触箇所がないため、基板上の塗布膜に接触箇所の転写跡が発生するおそれはない。また、ステージ上で基板を浮上させいて基板の搬入出を好適には平流しで行えるので、搬送アームを用いる搬送ロボットを不要とし、基板をうちわのようにたわませてしまってローディング／アンローディングの際に位置ずれや衝突・破損等のエラーを起こさなくて済む。また、基板の搬入出に際して、チャンバの上蓋を開閉する操作も不要であり、発塵の問題や安全上の問題も解決される。

また、本発明の好適な一態様において、ステージの上面は、基板よりは小さく、基板の製品領域よりも大きなサイズを有する。このことにより、減圧乾燥処理中は基板の製品領域全面にステージ上面を接触させ、基板搬入出時にはステージから外にはみ出る基板の両側端部（非製品領域）に搬送手段を接触または係止させることができる。

また、本発明の好適な一態様として、ステージの上面にガス噴出孔が一定密度の細孔として形成され、あるいはステージの上面が多孔質物質で構成される。ガス噴出孔を細孔にすることで、ステージ側から基板上の塗布膜に与える熱的影響のばらつきを効果的に低減することができる。

また、本発明の好適な一態様によれば、基板をコロ搬送でチャンバの外から中に搬入するための搬入口と、コロ搬送でチャンバの中から外へ搬出するための搬出口とをチャンバの側壁部に設け、搬入口および搬出口を開閉するためのゲート機構をチャンバ側壁部の外に設ける。この場合、搬入口および搬出口は、基板がコロ搬送でようやく通れるほどの大きさで済むので、ゲート機構を小型にすることができる。搬入口および搬出口は 相対向してチャンバの側壁部に別々に設けられてよいが、１つの搬入出口で兼用することもできる。

また、本発明の好適な一態様によれば、基板を平流し搬送でチャンバに搬入出するための搬送機構が設けられる。基板が矩形の場合、該搬送機構は、ステージの両側にはみ出る基板の両側端部にそれぞれ接触して基板を基板搬送方向に移動させる一対の搬送ラインを有する。好ましくは、該搬送ラインが、ステージの両サイドでそれぞれ基板搬送方向に所定のピッチで一列に配置された複数個のサイドローラを有する。

また、基板の搬入出をスムースに行うために、好ましくは、該搬送機構において、ステージと搬入口との間、またはステージと搬出口との間に、基板搬送方向に並べて配置された１本または複数本の内部コロを有する構成や、搬入口の外または搬出口の外に基板搬送方向に並べて配置された１本または複数本の外部コロを有する構成も採られてよい。

また、本発明の好適な一態様によれば、チャンバ内でステージを昇降移動または昇降変位させるためのステージ昇降機構が設けられる。かかる構成においては、乾燥処理を行うときは基板が搬送ラインから上方に離間してステージの上面に載置されるようにステージをステージ昇降機構により第１の高さ位置まで上昇させ、基板の搬入出を行うときは基板がステージから上方に離間して両側端部が搬送ラインに載るようにステージをステージ昇降機構により第２の高さ位置まで下降させてよい。

本発明の減圧乾燥装置によれば、上記のような構成および作用により、被処理基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行い、しかも基板上の塗布膜に転写跡が付くのを効果的に防止することができる。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

図１に、本発明の減圧乾燥装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえば矩形のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。

より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２が第１の平流し搬送路３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。

より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトで第１の平流し搬送路３４に投入するように構成されている。洗浄プロセス部２６は、第１の平流し搬送路３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を設けている。第１の熱的処理部２８は、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。塗布プロセス部３０は、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を設けている。第２の熱的処理部３２は、上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を設けている。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の平流し搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の平流し搬送路３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。

一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２が第２の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡すように構成されている。

両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第１および第２の平流し搬送路３４，６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４に接続している。

図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全工程の処理手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（ステップＳ1）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の平流し搬送路３４上に移載または投入される。

第１の平流し搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ2，Ｓ3）。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、平流し搬送路３４上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３４を下って第１の熱的処理部２８を通過する。

第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ4）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下って塗布プロセス部３０へ搬入される。

塗布プロセス部３０において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で減圧による常温の乾燥処理を受ける（ステップＳ6）。

塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４を下って第２の熱的処理部３２を通過する。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ7）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ8）。しかる後、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４でたとえば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ9）。

露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ9）、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の平流し搬送路６４の現像ユニット（ＤＥＶ）５４の始点に搬入される。

こうして、基板Ｇは、今度は第２の平流し搬送路６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ11）。

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の平流し搬送路６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ12）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ13）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ14）。

搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ1）。

この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３０内の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に本発明を適用することができる。以下、図３〜図９につき、本発明の好適な実施形態における塗布プロセス部３０内の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の構成および作用を詳細に説明する。

図３は、この実施形態における塗布プロセス部３０の全体構成を示す平面図である。図４〜図８は減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の構成を示し、図４はその平面図、図５および図６はその一部断面側面図、図７および図８はその一部断面背面図である。図９は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に設けられるステージ内部の構造を示す拡大断面図である。

図３において、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、第１の平流し搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成する浮上式のステージ８０と、このステージ８０上で空中に浮いている基板Ｇをステージ長手方向（Ｘ方向）に搬送する基板搬送機構８２と、ステージ８０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給するレジストノズル８４と、塗布処理の合間にレジストノズル８４をリフレッシュするノズルリフレッシュ部８６とを有している。

ステージ８０の上面には所定のガス（たとえばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射孔８８が設けられており、それらのガス噴射孔８８から噴射されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。

基板搬送機構８２は、ステージ８０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレール９０Ａ，９０Ｂと、これらのガイドレール９０Ａ，９０Ｂに沿って往復移動可能なスライダ９２と、ステージ８０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するようにスライダ９２に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えており、直進移動機構（図示せず）によりスライダ９２を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、ステージ８０上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。

レジストノズル８４は、ステージ８０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺形ノズルであり、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル８４は、このノズルを支持するノズル支持部材９４と一体にＸ方向に移動可能、かつＺ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部８６との間で移動できるようになっている。

ノズルリフレッシュ部８６は、ステージ８０の上方の所定位置で支柱部材９６に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル８４にレジスト液を吐出させるためのプライミング処理部９８と、レジストノズル８４のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのノズルバス１００と、レジストノズル８４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構１０２とを備えている。

ここで、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における主な作用を説明する。 先ず、前段の第１の熱的処理部２８（図１）よりたとえばコロ搬送で送られてきた基板Ｇがステージ８０上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ９２が基板Ｇを保持して受け取る。ステージ８０上で基板Ｇはガス噴射口８８より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。

そして、スライダ９２が基板を保持しながら減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に移動し、基板Ｇがレジストノズル８４の下を通過する際に、レジストノズル８４が基板Ｇの上面に向けてレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Ｇ上に基板前端から後端に向って絨毯が敷かれるようにしてレジスト液の液膜が一面に形成される。こうしてレジスト液を塗布された基板Ｇは、その後もスライダ９２によりステージ８０上で浮上搬送され、ステージ８０の後端を越えて後述するコロ搬送路１０４に乗り移り、そこでスライダ９２による保持が解除される。コロ搬送路１０４に乗り移った基板Ｇはそこから先は、後述するようにコロ搬送路１０４上をコロ搬送で移動して後段の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６へ搬入される。

塗布処理の済んだ基板Ｇを上記のようにして減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６側へ送り出した後、スライダ９２は次の基板Ｇを受け取るためにステージ８０の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル８４は、１回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置（レジスト液吐出位置）からノズルリフレッシュ部８６へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。

図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のステージ８０の延長線上（下流側）には、第１の平流し搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成するコロ搬送路１０４が敷設されている。このコロ搬送路１０４は、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６の中まで続いている。

減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６回りには、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４からチャンバ１０６の中まで延びる上記搬入側のコロ搬送路１０４に加えて、チャンバ１０６の内部に浮上式のローラ搬送路１０８が敷設されるとともに、チャンバ１０６の中から後段の処理部（第２の熱的処理部３２）まで搬出側のコロ搬送路１１０が敷設されている。

搬入側コロ搬送路１０４は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４のステージ８０から浮上搬送の延長で搬出された基板Ｇを受け取って減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６へコロ搬送で送り込むように構成されている。浮上式ローラ搬送路１０８は、搬入側コロ搬送路１０４からコロ搬送で送られてくる基板Ｇを同速度の浮上式ローラ搬送でチャンバ１０６内に引き込むとともに、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇをチャンバ１０６の外（後段）へ浮上式ローラ搬送で送り出すように構成されている。搬出側コロ搬送路１１０は、浮上式ローラ搬送路１０８より浮上式ローラ搬送で送り出される処理済の基板Ｇを同速度のコロ搬送でチャンバ１０６の外へ引き出して後段の第２の熱的処理部３２へ送るように構成されている。

図３〜図８に示すように、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６は、比較的扁平な直方体に形成され、その中に基板Ｇを水平に収容できる空間を有している。このチャンバ１０６の搬送方向（Ｘ方向）において互いに向き合う一対（上流側および下流側）のチャンバ側壁には、基板Ｇが平流しでようやく通れるほどの大きさに形成されたスリット状の搬入口１１２および搬出口１１４がそれぞれ設けられている。さらに、これらの搬入口１１２および搬出口１１４を開閉するためのゲート機構１１６，１１８がチャンバ１０６の外壁に取り付けられている。チャンバ１０６の上面部または上蓋１２０は、メンテナンス用に取り外し可能になっている。

各ゲート機構１１６，１１８は、図示省略するが、スリット状の搬入出口（１１２，１１４）を気密に閉塞できる蓋体（弁体）と、この蓋体を搬入出口（１１２，１１４）と水平に対向する鉛直往動位置とそれより低い鉛直復動位置との間で昇降移動させる第１のエアシリンダと、蓋体を搬入出口（１１２，１１４）に対して気密に密着する水平往動位置と離間または分離する水平復動位置との間で水平移動させる第２のエアシリンダとを備えている。

浮上式ローラ搬送路１０８は、チャンバ１０６内の中心部に水平かつ昇降可能に配置された扁平・矩形のステージ１２２と、搬入口１１２から搬出口１１４に向かう基板搬送方向（Ｘ方向）を前方としてステージ１２２の左右両側に配置されたローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒとで構成されている。

図４に示すように、ステージ１２２の上面には一様な密度で多数または無数のガス噴出孔１２６が形成されている。この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で基板Ｇの搬入出が行われる際には、ステージ１２２の上で基板Ｇを浮かすために各ガス噴出孔１２６より適当な圧力でガス（たとえばエア）が噴き出すようになっている。ステージ１２２の上面は、基板Ｇと同形の矩形で、基板Ｇよりは小さく、基板Ｇの製品領域よりも大きなサイズを有している。一般に、ＬＣＤ用のガラス基板においては、基板上面（被処理面）の周縁部に所定幅（たとえば２０〜３０ｍｍ幅）のマージン領域が設定され、マージン領域よりも内側の有効領域つまり製品領域にＬＣＤデバイスが形成される。製品領域がレジスト膜の品質を保証しなければならない保証領域である。通常は、ステージ１２２の上面に基板Ｇをセンタリングして載置したときに基板Ｇの各辺がステージ１２２の各辺よりも１５ｍｍ〜２０ｍｍだけ外にはみ出るように、ステージ１２２の上面サイズを選定してよい。

ステージ１２２の中には、図９に示すように、空洞のガスバッファ室１２８が設けられている。このガスバッファ室１２８は、ステージ上面のガス噴出孔１２６に連通するとともに、ステージ下面の配管１３０に連通している。ガス噴出孔１２６は、後述するようにレジスト膜への熱的影響のばらつきや転写跡の発生を確実に防ぐうえで細孔ないし微細孔が好ましい。図示の構成例は、ステージ１２２の上面板１２２ａの下面にざぐり穴１２７を形成し、このざぐり穴１２７の肉薄な天井面の中心に細径ないし微細径（好ましくはφ０．３ｍｍ以下）のガス噴出孔１２６を穿孔している。ガスバッファ室１２８内には、上面板１２２ａのたわみを防止するための柱１３２が適所に設けられている。配管１３０は、チャンバ１０６の外から引き込まれており、ステージ１２２の昇降に合わせて一緒に昇降または伸縮するようになっている。配管１３０を通すためにチャンバ１０６の底壁に形成された穴はシール部材１３１によって封止されている。

チャンバ１０６の外で配管１３０は、ガス供給管１３４を介して浮上用ガス供給部１３６に通じるとともに、排気管１３８を介して真空排気装置１４０にも通じている。ガス供給管１３４および排気管１３８には開閉弁（電磁弁）１４２，１４４がそれぞれ設けられている。浮上用ガス供給部１３６は、コンプレッサまたは工場用力の圧縮空気源およびレギュレータ等からなり、所定圧力の圧縮空気を送出する。真空排気装置１４０は、真空ポンプを有しており、排気管１３８を通じて、配管１３０およびステージ１２２内のガスバッファ室１２８を大気圧状態から真空引きして所定真空度の減圧状態にする機能を有している。

ステージ１２２を昇降移動させるために、チャンバ１０６の下に所定の間隔を隔てて複数個のエアシリンダ１４６が昇降駆動源として配置され、チャンバ１０６の底壁を鉛直方向で昇降移動可能に貫通する支持軸１４８を介してステージ１２２にエアシリンダ１４６のピストンロッドが接続されている。各支持軸１４８を通すためにチャンバ１０６の底壁に形成された穴はガイド機能を有するシール部材１５０によって封止されている。

図４に示すように、ステージ１２２の左右両側で基板搬送方向（Ｘ方向）に延びる一対のローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒは、それぞれ同方向に一定間隔で多数のサイドローラ１５２を一列に配置している。各サイドローラ１５２は円板体または円柱体からなり、その中心部からＹ方向外側に水平に延びるローラ支持軸１５４がその中間部で軸受１５６により回転可能に支持されるとともに、その先端部でマグネット式のかさ歯車１５８を介して共通駆動シャフト１６０に接続されている。右側ローラ搬送路１２４Ｒの駆動シャフト１６０は、チャンバ１０６の外に取り付けられた回転駆動源のモータ１６２に駆動プーリ１６４、タイミングベルト１６６および従動プーリ１６９を介して接続されている。左側ローラ搬送路１２４Ｌの駆動シャフト１６０は、チャンバ１０６内で搬入側コロ搬送路１０４および搬出側コロ搬送路１１０の一部をそれぞれ構成するコロ１７２，１７４を介して右側駆動シャフト１６０から回転駆動力を伝達されるようになっている。別の構成例として、左側ローラ搬送路１２４Ｌの駆動シャフト１６０を上記モータ１６２とは別の回転駆動源に接続する構成も可能である。

図４および図７に示すように、ローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒの各サイドローラ１５２は、基板Ｇが搬入側コロ搬送路１０４からステージ１０６の上に送り込まれて来る際に、あるいは基板Ｇがステージ１０６の上から搬出側コロ搬送路１１０へ送り出される際に、ステージ１０６のＹ方向外側にはみ出た基板両側端部がサイドローラ１５２の上に載るようなＺ方向およびＹ方向の位置に配置される。基板Ｇと接触するサイドローラ１５２の外周面にはすべり止めに有効なゴム製のＯリング１５２ａが装着されてよい（図７）。

チャンバ１０６の底壁には１箇所または複数個所に排気口１６３が形成されている。これらの排気口１６３には排気管１６５を介して真空排気装置１４０が接続されている。真空排気装置１４０は、排気管１６５を通じて、チャンバ１０６内を大気圧状態から真空引きして所定真空度の減圧状態にする機能を有している。排気管１６５には開閉弁（電磁弁）１６７が設けられている。

チャンバ１０６内の両端部、つまり搬入口１１２および搬出口１１４の近くでコロ搬送路１０４，１１０よりも低い位置に、Ｙ方向に延びる窒素ガス噴出管１６８が設けられている。これらの窒素ガス噴出管１６８は、たとえば金属粉末を焼結してなる多孔質の中空管からなり、ガス供給管１７０（図４）を介して窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。減圧乾燥処理の終了後にチャンバ１０６を密閉したまま減圧状態から大気圧状態に戻す際に、これらの窒素ガス噴出管１６８が全周面から窒素ガスを噴き出すようになっている。

搬入側コロ搬送路１０４を構成するコロ１７２は、搬入口１１２に対応した高さ位置で基板搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いて一列に配置されている。その中で、チャンバ１０６の外に設けられているコロ１７２Ａは専用の駆動モータに適当な伝動機構を介して接続されており、チャンバ１０６内のコロ１７２Ｂは上述したようにローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒのサイドローラ１５２と共通の駆動シャフト１６０を介して共通の駆動モータ１６２に接続されている。

搬出側コロ搬送路１１０を構成するコロ１７４も、搬出口１１４に対応した高さ位置で基板搬送方向（Ｘ方向）に適当な間隔を置いて一列に配置されている。その中で、チャンバ１０６の外に設けられているコロ１７４Ａは専用の駆動モータに適当な伝動機構を介して接続されており、チャンバ１０６内のコロ１７４Ｂは上述したようにローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒのサイドローラ１５２と共通の駆動シャフト１６０を介して共通の駆動モータ１６２に接続されている。

次に、この実施形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６の作用を説明する。

上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布された基板Ｇは、平流しでステージ８０上の浮上搬送路から搬入側コロ搬送路１０４に乗り移る。その後、図５に示すように、基板Ｇは搬入側コロ搬送路１０４上をコロ搬送で移動し、やがて減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６の中にその搬入口１１２から進入する。この時、ゲート機構１１６は搬入口１１２を開けておく。

チャンバ１０６内の浮上式ローラ搬送路１０８も、搬入側コロ搬送路１０４のコロ搬送動作とタイミングの合った同一搬送速度の浮上式ローラ搬送動作を行う。このために、開閉弁１４４をオフ、開閉弁１４２をオンにして、ガス浮上用ガス供給部１３６よりガス供給管１３４および配管１３０を介してステージ１２２内のガスバッファ室１２８に圧縮空気を送り込み、ステージ上面のガス噴出孔１２６より所定の圧力でエアを噴出させる。また、モータ１６２をオンにして、左側および右側ローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒの全てのサイドローラ１５２を一定の回転速度で回転させる。これにより、図５および図７に示すように、搬入口１１２から入ってきた基板Ｇは、ステージ１２２上ではガス噴出孔１２６から受ける空気の圧力で浮いて、ステージ１２２から左右外側にはみ出る基板両側端部が左側および右側ローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒのサイドローラ１５２の上にそれぞれ乗り、サイドローラ１５２の回転により基板搬送方向（Ｘ方向）へ平流しで搬送される。

なお、上記のように前段または上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４から減圧乾燥処理を受けるべき基板Ｇがチャンバ１０６に搬入される時、これと同時（または直前）に、図５に示すように、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理を受けたばかりの先行基板Ｇが浮上式ローラ搬送路１０８および搬出側コロ搬送路１１０上の連続した等速度の平流し搬送によって搬出口１１４からチャンバ１０６の外に出てそのまま後段または下流側隣の第２の熱的処理部３２（図１）へ送られる。基板Ｇは搬入出時にステージ１２２の上面（細径で密なガス噴出孔１２６）から浮上用の空気流を略均一な圧力で受けるため、基板Ｇ上のレジスト膜がステージ１２２側から受ける熱的影響のばらつきは小さく、実質的に無視できる。

上記のようにして、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布されてきた基板Ｇが、搬入側コロ搬送路１１０および浮上式ローラ搬送路１０８上の連続的な平流し搬送によって減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６に搬入される。この直後に、ゲート機構１１６，１１８が作動して、それまで開けていた搬入口１１２および搬出口１１４をそれぞれ閉塞し、チャンバ１０６を密閉する。

次いで、浮上用ガス供給管１３４の開閉弁１４２をオフにしてステージ１２２の上面（ガス噴出孔１２６）におけるエアの噴出を停止するとともに、昇降シリンダ１４６を往動させて、基板Ｇの裏面または下面がローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒのサイドローラ１５２から上方に離間し、かつ基板Ｇの上面とチャンバ１０８の天井面との距離間隔（ギャップ）Ｄが設定値になる高さ位置までステージ１２２を所定のストロークだけ上昇させる。なお、上記ギャップＤは、基板Ｇの上を流れるガスの流速ひいてはレジスト膜の乾燥速度に影響するファクタまたはパラメータである。

上記のようなステージ１２２の上昇移動に連動させて、排気管１３８，１６４の開閉弁１４４，１６７をオンにして、浮上ガスライン（１３０，１２８）およびチャンバ１０８内空間を真空排気装置１４０に接続する。開閉弁１４４，１６７をオンにするタイミングは同時でもよいが、通常は浮上ガスライン（１３０，１２８）側の開閉弁１４４のオンを早くするのが好ましい。こうして、基板Ｇは往動（上昇）高さ位置でステージ１２２の上面に基板裏面が直に接触した状態で載置され、チャンバ１０６内の空間はもちろん浮上ガスライン（１３０，１２８）の中も真空排気される。

上記のようにチャンバ１０６内で基板Ｇが減圧雰囲気の中に置かれることで、基板Ｇ上のレジスト液膜から溶剤（シンナー）が常温下で効率よく蒸発して、適度に乾燥したレジスト膜になる。この減圧乾燥処理中は、基板Ｇの製品領域全面にステージ１２２の平坦な上面が接触しているので、基板製品領域内の温度分布が略均一となり、基板Ｇの製品領域内に転写跡が発生するおそれはない。なお、ステージ１２２の上面に設けられているガス噴出孔１２６は細孔ないし微細孔であり、しかも一様な密度で一面に分布しているので、基板製品領域内の温度分布に影響を与えることはない。

上記の減圧乾燥処理は一定時間を経過すると、あるいはチャンバ１０６内の圧力が設定値に達するとそこで終了し、真空排気装置１４０の排気動作を停止させ、排気管１３８，１６５の開閉弁１４４，１６７をオフにする。これと入れ代わりに、窒素ガス噴出管１６８よりチャンバ１０６内に窒素ガスを流し込む。そして、室内の圧力が大気圧まで上がってから、ゲート機構１１６，１１８を作動（復動）させて搬入口１１２および搬出口１１４を開ける。これと前後して、浮上ガス供給管１３４の開閉弁１４４をオンにして、ガス浮上用ガス供給部１３６よりガス供給管１３４および配管１３０を介してステージ１２２内のガスバッファ室１２８に圧縮空気を送り込み、ステージ上面のガス噴出孔１２６より所定の圧力でエアを噴出させる。一方、昇降シリンダ１４６を復動させて、ステージ１２２上で浮上する基板Ｇの裏面または下面がローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒのサイドローラ１５２に乗る高さ位置までステージ１２２を所定のストロークだけ下降させる。

この直後に、浮上式ローラ搬送路１０８および搬出側コロ搬送路１１０上で同一速度の平流し搬送動作が開始され、減圧処理を受けたばかりの当該基板Ｇは搬出口１１４から浮上式ローラ搬送およびコロ搬送によって搬出され、そのまま後段の第２の熱的処理部３２（図１）へ平流しで送られる。この処理済基板Ｇの搬出動作と同時に、図５に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４からの後続の基板Ｇが、搬入側コロ搬送路１０４および浮上式ローラ搬送路１０８上の連続的な平流し搬送によって搬入口１１２からチャンバ１０６内に搬入されてよい。

上記したように、この減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、減圧乾燥処理を受けるべき基板Ｇをコロ搬送および浮上式ローラ搬送でチャンバ１０６の中に搬入し、チャンバ１０６内で減圧乾燥処理の済んだ基板Ｇを浮上式ローラ搬送およびコロ搬送によってチャンバ１０６の外へ搬出するようにしたので、チャンバ１０６に対する基板Ｇの搬入出において、搬送アームを用いる搬送ロボットは不要であり、基板をうちわのようにたわませてしまってローディング／アンローディングの際に位置ずれや衝突・破損等のエラーを起こさなくて済む。また、チャンバ１０６の側壁に設けたスリット状の搬入口１１２および搬出口１１４を通らせて基板Ｇの搬入出を行うので、１〜２トン以上はあるチャンバ１０６の上蓋１２０を開閉（上げ下げ）する操作も不要であり、大きな振動による発塵の問題はなく、作業員に対する安全性も確保されている。さらに、減圧乾燥処理中は、基板Ｇの製品領域全面にステージ１２２の上面が接触するので、基板Ｇの製品領域内に接触部材の転写跡が発生するおそれはない。

以上本発明を好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。

たとえば、浮上式ローラ搬送路１０８において、ステージ１２２の左右両側に設けるローラ搬送路１２４Ｌ，１２４Ｒを、基板搬送方向（Ｘ方向）に延びるベルト搬送路で代用することも可能である。あるいは、基板Ｇの搬入出時には基板Ｇの両側端部に吸着パッドで結合して基板Ｇを基板搬送方向（Ｘ方向）に搬送し、減圧乾燥処理中は該吸着パッドを基板Ｇから分離するような搬送機構も可能である。さらには、浮上式ローラ搬送路１０８の搬送手段として外部搬送ロボットの搬送アームを用いることも可能である。この場合は、基板Ｇと一緒に搬送アームも通れるように搬入出口１１２，１１４を大きくする必要がある。

また、ステージ１２２の上面を、上記実施形態におけるような穿孔板に代えて、多数の細孔を有する多孔質物質で構成することも可能である。上記実施形態はチャンバ１０６内空間の真空排気と浮上用ガスライン（１３０，１２８）の真空排気とを共通（同一）の真空排気装置１４０で行ったが、別個独立の真空排気装置で行ってもよい。

上記した実施形態における減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６のチャンバ１０６は、搬送方向で向かい合う一対のチャンバ側壁に搬入口１１２および搬出口１１４をそれぞれ設けて、基板Ｇがチャンバ１０６を通り抜けする構成となっていた。しかし、チャンバ１０６の一側壁に設けた１つの搬入出口で搬入口と搬出口とを兼用させる構成も可能であり、その場合は搬入側コロ搬送路１０４と搬出側コロ搬送路１１０の共用化もはかれる。

本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。減圧乾燥処理対象の塗布液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液も可能である。

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 実施形態における塗布プロセス部の全体構成を示す平面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニットの構成を示す平面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニットの搬入出時の各部の状態を示す一部断面側面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニットの減圧乾燥処理中の各部の状態を示す一部断面側面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニットの搬入出時の各部の状態を示す一部断面背面図である。 実施形態における減圧乾燥ユニットの減圧乾燥処理中の各部の状態を示す一部断面背面図である。 実施形態におけるステージ内部の構造を示す拡大断面図である。

符号の説明

１０ 塗布現像処理システム
３０ 塗布プロセス部
４６ 減圧乾燥ユニット（ＶＤ）
１０４ 搬入側コロ搬送路
１０６ チャンバ
１０８ 浮上式ローラ搬送路
１１０ 搬出側コロ搬送路
１１２ 搬入口
１１４ 搬出口
１１６，１１８ ゲート機構
１２２ ステージ
１２４Ｌ，１２４Ｒ ローラ搬送路
１２６ ガス噴出孔
１２８ ガスバッファ室
１３０ 配管
１３４ ガス供給管
１３６ 浮上用ガス供給部
１３８，１６５ 排気管
１４０ 真空排気装置
１４２，１４４，１６７ 開閉弁
１４６ エアシリンダ
１５２ サイドローラ
１６２ モータ
１７２（１７２Ａ，１７２Ｂ） 搬入側コロ搬送路のコロ
１７４（１７４Ａ，１７４Ｂ） 搬出側コロ搬送路のコロ

Claims (13)

1. 被処理基板上の塗布液に減圧状態で乾燥処理を施す減圧乾燥装置であって、
   前記基板を略水平状態で収容するための空間を有する減圧可能なチャンバと、
   前記乾燥処理中に前記チャンバ内の空間を密閉状態で真空排気するための第１の排気機構と、
   前記チャンバ内で前記基板を載置するための上面を有し、かつ前記上面に前記基板を浮上させるガスを噴出するための多数のガス噴出孔を有するステージと、
   前記ガス噴出孔に前記ステージの中を通るガスラインを介して基板浮上用のガスを供給するためのガス供給部と、
   前記ガスラインを真空排気するための第２の排気機構と
   を有し、前記乾燥処理を行うときは前記ガスラインを前記第２の排気機構に接続して前記基板を前記ステージの上面に載置し、前記基板の搬入出を行うときは前記ガスラインを前記ガス供給部に接続して前記基板を前記ステージ上で浮上させる減圧乾燥装置。
2. 前記ステージの上面は、前記基板よりは小さく、前記基板の製品領域よりも大きい請求項１に記載の減圧乾燥装置。
3. 前記ステージの上面に、前記ガス噴出孔が一定密度の細孔として形成される請求項１または請求項２に記載の減圧乾燥装置。
4. 前記ステージの上面が多孔質物質からなる請求項１または請求項２に記載の減圧乾燥装置。
5. 前記基板を前記チャンバの外から中に搬入するための搬入口と、前記基板を前記チャンバの中から外へ搬出するための搬出口とを前記チャンバの側壁部に設け、
   前記搬入口および前記搬出口を開閉するためのゲート機構を前記チャンバ側壁部の外に設ける請求項１〜４のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
6. 前記搬入口および前記搬出口が相対向して前記チャンバの側壁部に別々に設けられる請求項５に記載の減圧乾燥装置。
7. 前記基板を平流し搬送で前記チャンバに搬入出するための搬送機構を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
8. 前記基板が矩形であり、
   前記搬送機構が、前記ステージの両側にはみ出る前記基板の両側端部にそれぞれ接触して前記基板を基板搬送方向に移動させる一対の搬送ラインを有する請求項７に記載の減圧乾燥装置。
9. 前記搬送ラインが、前記ステージの両サイドでそれぞれ基板搬送方向に所定のピッチで一列に配置された複数個のサイドローラを有する請求項８に記載の減圧乾燥装置。
10. 前記搬送機構が、前記ステージと前記搬入口との間、または前記ステージと前記搬出口との間に、基板搬送方向に並べて配置された１本または複数本の内部コロを有する請求項７〜９のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
11. 前記搬送機構が、前記搬入口の外または前記搬出口の外に、基板搬送方向に並べて配置された１本または複数本の外部コロを有する請求項７〜１０のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
12. 前記チャンバ内で前記ステージを昇降移動または昇降変位させるためのステージ昇降機構を有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の減圧乾燥装置。
13. 前記乾燥処理を行うときは前記基板が前記搬送ラインから上方に離間して前記ステージの上面に載置されるように前記ステージを前記ステージ昇降機構により第１の高さ位置まで上昇させ、前記基板の搬入出を行うときは前記基板が前記ステージから上方に離間して基板両側端部が前記搬送ラインに載るように前記ステージを前記ステージ昇降機構により第２の高さ位置まで下降させる請求項１２に記載の減圧乾燥装置。

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