JP2005093952A - 密着強化装置および密着強化方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板とレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる密着強化装置および密着強化方法を提供する。
【解決手段】 最初に、チャンバー空間１４の真空引きが行われる。この場合、制御部５０により真空バルブ１１が開状態とされ、その後、排気バルブ１０が開状態とされる。次に、真空バルブ１１および排気バルブ１０が開状態とされた状態で、制御部５０によりスロー排気バルブ９が絞られ、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２が開状態とされる。この状態でＨＭＤＳによる密着強化処理が行われる。次に、真空バルブ１１および排気バルブ１０が開状態とされた状態かつ窒素吐出バルブ１３が閉状態とされた状態で、制御部５０によりスロー排気バルブ９が開状態とされ、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２が閉状態とされる。次に、制御部５０により窒素吐出バルブ１３が開状態とされる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板とレジストとの密着性を強化するための密着強化処理を行う密着強化装置および密着強化方法に関する。

半導体デバイス等の製造に用いられるフォトリソグラフィ工程では、半導体ウェハ等の基板にレジストが塗布された後、露光処理および現像処理が行われる。それにより、レジストパターンが形成される。

通常、基板の表面は親水性となっており、基板上に形成したレジストとの間の密着性が悪く、レジストパターンの剥離が生じる場合がある。そのため、基板の表面にレジストを塗布する前に、基板の表面を疎水化する処理（以下、密着強化処理と呼ぶ）が行われる。それにより、基板とレジストとの密着性を強化することができる。

密着強化処理には、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）が用いられる。この場合、ＨＭＤＳが密着強化剤として基板の表面に供給される。従来より、種々の密着強化装置または疎水化処理装置が提案されている（特許文献１および２参照）。

例えば、特許文献１に記載された密着強化装置においては、チャンバー内が排気手段により減圧状態にされた後、排気手段によるチャンバー内の排気が停止され、ＨＭＤＳが基板の表面に供給される。また、特許文献２に記載された疎水化処理装置においては、排気バルブが開状態とされることによりチャンバー内の排気が行われるとともにＨＭＤＳが基板の表面に供給される。
特開平９−１６０２５５号公報 特開２０００−１５０３６８号公報

しかしながら、上記のように、チャンバー内の排気を停止させて基板の表面にＨＭＤＳを供給する従来の密着強化装置においては、チャンバー内にＨＭＤＳの流れが形成されない。それにより、基板の表面を十分に疎水化することができない。

また、チャンバー内の排気を行いながら基板の表面にＨＭＤＳを供給する従来の疎水化処理装置においては、チャンバー内を減圧状態にする際に、処理時間を短縮するために排気量を大きく設定する必要がある。この状態でチャンバー内にＨＭＤＳを供給すると、チャンバー内のＨＭＤＳ濃度が十分に高い値に達しず、その結果、基板の表面を十分に疎水化することができない。逆に、チャンバー内の排気量を適切な量に絞ると、チャンバー内を減圧状態にするための時間が長くなり、処理時間を短縮することができない。

本発明の目的は、基板とレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる密着強化装置および密着強化方法を提供することである。

本発明に係る密着強化装置は、基板に密着強化剤を供給する密着強化装置であって、基板を支持する支持手段と、支持手段に支持された基板の周囲を取り囲む処理空間を形成する処理空間形成手段と、処理空間内に密着強化剤を供給する供給手段と、処理空間を排気する排気手段と、供給手段により処理空間内に密着強化剤が供給される前に、排気手段により処理空間内が第１の排気量で排気され、供給手段により処理空間内に密着強化剤が供給されるときに、排気手段により処理空間内が第１の排気量よりも低い第２の排気量で排気されるように、排気手段を制御する制御手段とを備えたものである。

本発明に係る密着強化装置においては、処理空間内に密着強化剤が供給される前に処理空間内が第１の排気量で排気されるので、処理空間内が短時間で減圧状態になる。そして、処理空間内に密着強化剤が供給されるときに処理空間内が第１の排気量よりも低い第２の排気量で排気されるので、処理空間内の密着強化剤の濃度が高い値に達することができる。また、処理空間内に密着強化剤が供給されつつ排気が行われるので、処理空間内に密着強化剤の流れが形成される。それにより、基板の表面に均一に密着強化剤が供給される。

これらの結果、基板とレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる。

排気手段は、処理空間に連通する排気路と、排気路を開閉する開閉手段と、排気路内の流量を第１の流量とその第１の流量よりも低い第２の流量とに設定する流量可変手段と、開閉手段および流量可変手段の下流側において排気路に設けられた排気装置とを含み、制御手段は、供給手段により処理空間内に密着強化剤が供給される前に開閉手段を開状態にするとともに流量可変手段の流量を第１の流量に設定し、供給手段により処理空間内に密着強化剤が供給されるときに開閉手段を開状態にするとともに流量可変手段の流量を第２の流量に設定してもよい。

この場合、処理空間内に密着強化剤が供給される前に排気路内の流量が第１の流量に設定されるので、処理空間内が短時間で減圧状態になる。処理空間内に密着強化剤が供給されるときに排気路内の流量が流量可変手段により第１の流量よりも低い第２の流量に設定されるので、処理空間内の密着強化剤の濃度が高い値に達することができる。また、処理空間内に密着強化剤が供給されつつ排気が行われるので、処理空間内に密着強化剤の流れが形成される。それにより、基板の表面に均一に密着強化剤が供給される。

これらの結果、簡単な構成および少ない部品点数で基板とレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる。したがって、低コストで高品質化を図ることができる。

排気手段は、処理空間に連通する排気路と、排気路を開閉する第１の開閉手段と、第１の開閉手段をバイパスするように設けられたバイパス路と、バイパス路を開閉する第２の開閉手段と、バイパス路内の流量を排気路内の流量よりも小さくする流量絞り手段と、第１の開閉手段の下流側において排気路に設けられた排気装置とを含み、制御手段は、供給手段により処理空間内に密着強化剤が供給される前に第１の開閉手段を開状態に設定するとともに第２の開閉手段を閉状態に設定し、供給手段により処理空間内に密着強化剤が供給されるときに第１の開閉手段を閉状態に設定するとともに第２の開閉手段を開状態に設定してもよい。

この場合、処理空間内に密着強化剤が供給される前に制御手段により第１の開閉手段が開状態に設定されるとともに第２の開閉手段が閉状態に設定されるので、処理空間内が短時間で減圧状態になる。処理空間内に密着強化剤が供給されるときに制御手段により第１の開閉手段が閉状態に設定されるとともに第２の開閉手段が開状態に設定されるので、処理空間内の密着強化剤の濃度が高い値に達することができる。また、処理空間内に密着強化剤が供給されつつ排気が行われるので、処理空間内に密着強化剤の流れが形成される。それにより、基板の表面に均一に密着強化剤が供給される。

これらの結果、安価な部品で基板とレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる。したがって、低コストで高品質化を図ることができる。

本発明に係る密着強化方法は、基板に密着強化剤を供給する密着強化方法であって、基板の周囲を取り囲む処理空間を形成するステップと、処理空間内に密着強化剤を供給する前に処理空間内を第１の排気量で排気するステップと、処理空間内に密着強化剤を供給するときに処理空間内を第１の排気量よりも低い第２の排気量で排気するステップとを備えたものである。

本発明に係る密着強化方法においては、処理空間内に密着強化剤が供給される前に処理空間内が第１の排気量で排気されるので、処理空間内が短時間で減圧状態になる。そして、処理空間内に密着強化剤が供給されるときに処理空間内が第１の排気量よりも低い第２の排気量で排気されるので、処理空間内の密着強化剤の濃度が高い値に達することができる。また、処理空間内に密着強化剤が供給されつつ排気が行われるので、処理空間内に密着強化剤の流れが形成される。それにより、基板の表面に均一に密着強化剤が供給される。

これらの結果、基板とレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる。

本発明に係る密着強化装置によれば、処理空間内を短時間で減圧状態にすることができる。また、処理空間内の密着強化剤の濃度が高い値に達することができる。さらに、基板の表面に均一に密着強化剤を供給することができる。これらの結果、基板とレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

図１は本発明の一実施の形態に係る密着強化装置の構成図である。

この密着強化装置１は、減圧密閉式の密着強化装置であり、チャンバー本体２、密閉蓋５および制御部５０を備える。密閉蓋５は、チャンバー本体２の上方を覆うように、鉛直方向に対して上下動可能に設けられている。処理時には、密閉蓋５がチャンバー本体２上に下降することにより、密閉されたチャンバー空間１４が形成される。基板Ｗの搬入および搬出時には、密閉蓋５が上昇する。

チャンバー本体２の内部には基板保持台３が配置されている。基板保持台３の上面には基板Ｗを支持する載置面が構成されている。さらに、載置面には、基板Ｗの搬入および搬出時に鉛直方向に上下動する複数の基板支持ピン４が備えられている。また、チャンバー本体２の底面には排気管路７が接続されている。

なお、密閉蓋５および基板支持ピン４は同期して昇降する。この場合、基板支持ピン４の昇降用のシリンダと密閉蓋５の昇降用のシリンダとがそれぞれ設けられている。基板支持ピン４の昇降用のシリンダと密閉蓋５の昇降用のシリンダとが共通の電磁弁により同期して動作する。それにより、簡単な構成および制御が実現できる。

排気管路７にはスロー排気バルブ９、排気バルブ１０およびエジェクタ８が設けられている。また、エジェクタ８には、エア（空気）を供給するための管路１１ａが接続されており、管路１１ａに真空バルブ１１が設けられている。また、管路１１ａの上流側にはエア供給源が接続されている。

エジェクタ８は、排気管路７、スロー排気バルブ９および排気バルブ１０を介して密閉蓋５の内部を排気するために設けられている。この場合、管路１１ａを介してエア供給源からエアがエジェクタ８に高速で供給され、排気口に流れることにより、排気管路７内に気体の巻き込み作用が発生し、チャンバー空間１４が排気される。

密閉蓋５の中央部には供給管路６が接続されている。この供給管路６には、蒸気状態のＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）をチャンバー空間１４に供給するための管路１２ａおよび不活性ガスをチャンバー空間１４に供給するための管路１３ａが接続されている。

管路１２ａにはＨＭＤＳ吐出バルブ１２が設けられ、管路１３ａには窒素吐出バルブ１３が設けられている。また、管路１２ａの上流側にはＨＭＤＳ供給源が接続され、管路１３ａの上流側には不活性ガス供給源が接続されている。なお、本実施の形態では、不活性ガスとして窒素（Ｎ₂）ガスを用いるが、不活性ガスであればこれに限定されない。

制御部５０は、密着強化装置１の基板支持ピン４および密閉蓋５の昇降動作を制御する。また、制御部５０は、スロー排気バルブ９、排気バルブ１０、真空バルブ１１、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２および窒素吐出バルブ１３の開閉動作を制御する。制御部５０によるスロー排気バルブ９、排気バルブ１０、真空バルブ１１、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２および窒素吐出バルブ１３の開閉動作については後述する。スロー排気バルブ９は、ノーマリオープン（通常開状態）であり、開状態で第１の開口断面積を有し、絞り状態で第１の開口断面積よりも小さい第２の開口断面積を有する。

図２は本実施の形態に係る密着強化装置１による密着強化処理におけるチャンバー空間１４の圧力履歴および各バルブの開閉状態を示す図である。

図２の上側のグラフの縦軸はチャンバー空間１４の圧力を示し、横軸は時間を示す。図２の下側のタイミングチャートにおいて、真空バルブ１１、排気バルブ１０、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２および窒素吐出バルブ１３の開状態をハイレベルで示し、真空バルブ１１、排気バルブ１０、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２および窒素吐出バルブ１３の閉状態をローレベルで示す。また、スロー排気バルブ９の絞り状態をハイレベルで示し、開状態をローレベルで示す。さらに、基板支持ピン４および密閉蓋５が上昇した状態をハイレベルで示し、下降した状態をローレベルで示す。

なお、後述のステップＳ１〜ステップＳ５の処理においては、基板支持ピン４および密閉蓋５は下降した状態にあり、ステップＳ１〜ステップＳ５の前後においては、基板支持ピン４および密閉蓋５は上昇した状態にある。

また、初期状態として、チャンバー空間１４の圧力は大気圧Ｐ１であり、排気バルブ１０、真空バルブ１１、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２および窒素吐出バルブ１３は閉状態とされ、スロー排気バルブ９は開状態とされている。

最初に、チャンバー空間１４の真空引きが行われる（ステップＳ１）。この場合、制御部５０により真空バルブ１１が開状態とされ、その後、排気バルブ１０が開状態とされる。これにより、チャンバー空間１４の圧力が大気圧Ｐ１から第１の真空圧Ｐ４に降下する。第１の真空圧Ｐ４は、チャンバー空間１４にＨＭＤＳが供給される前の圧力である。このときのチャンバー空間１４からの排気量を第１の排気量とする。

次に、真空バルブ１１および排気バルブ１０が開状態で、制御部５０によりスロー排気バルブ９が絞られ、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２が開状態とされる（ステップＳ２）。これにより、チャンバー空間１４からの排気量が第１の排気量から第２の排気量に減少するとともに供給管路６から基板Ｗ上にＨＭＤＳが供給される。第２の排気量は第１の排気量よりも低い。

この場合、チャンバー空間１４の圧力は、第１の真空圧Ｐ４から曲線を描くように第１の処理圧Ｐ２まで上昇し、その後、第１の処理圧Ｐ２を維持する。この状態でＨＭＤＳによる密着強化処理が行われる。以下、ステップＳ２における処理時間をスローリーク時間と呼ぶ。なお、第１の処理圧Ｐ２は、チャンバー空間１４においてＨＭＤＳ吐出量と排気量とが平衡となった状態での圧力である。

次に、真空バルブ１１および排気バルブ１０が開状態とされかつ窒素吐出バルブ１３が閉状態で、制御部５０によりスロー排気バルブ９が開状態とされ、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２が閉状態とされる（ステップＳ３）。これにより、供給管路６からのＨＭＤＳの吐出が停止されるとともにチャンバー空間１４の排気量が増加する。それにより、チャンバー空間１４に対して窒素ガスによる置換を迅速に行うことができる。この場合、チャンバー空間１４の圧力は、第１の処理圧Ｐ２から第２の真空圧Ｐ５となる。第２の真空圧Ｐ５は、窒素ガスをチャンバー空間１４に供給する前の圧力である。

次に、真空バルブ１１、排気バルブ１０およびスロー排気バルブ９が開状態とされかつＨＭＤＳ吐出バルブ１２が閉状態で、制御部５０により窒素吐出バルブ１３が開状態とされる（ステップＳ４）。これにより、チャンバー空間１４の排気が行われるとともに供給管路６からチャンバー空間１４に窒素ガスが吐出される。それにより、チャンバー空間１４が窒素ガスによって置換される。この場合、チャンバー空間１４の圧力は、第２の真空圧Ｐ５から曲線を描くように第２の処理圧Ｐ３まで上昇し、その後、第２の処理圧Ｐ３を維持する。第２の処理圧Ｐ３は、チャンバー空間１４において窒素吐出量と排気量とが平衡となった状態での圧力である。

次に、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２が閉状態状態かつスロー排気バルブ９および窒素吐出バルブ１３が開状態で、制御部５０により排気バルブ１０が閉状態とされた後、真空バルブ１１が閉状態とされる（ステップＳ５）。これにより、チャンバー空間１４の排気が停止するとともにチャンバー空間１４が窒素ガスで充満する。この場合、チャンバー空間１４の圧力は、第２の処理圧Ｐ３から大気圧Ｐ１に上昇する。その後、制御部５０により窒素吐出バルブ１３が閉状態とされることによりチャンバー空間１４への窒素ガスの吐出が停止し、その所定時間後、真空バルブ１１および排気バルブ１０が制御部５０により開状態にされることによりチャンバー空間１４の排気が行われる（ステップＳ６）。この場合、基板支持ピン４および密閉蓋５が上昇した後にチャンバー空間１４の排気が行われることにより、チャンバー本体２に密閉蓋５が吸着し、密閉蓋５が上昇しなくなることが防止される。

なお、密着強化装置１によるステップＳ１の処理を行う前においては、真空バルブ１１および排気バルブ１０は、制御部５０により開状態とされ、チャンバー空間１４の排気が行われる。これにより、チャンバー空間１４に残留するＨＭＤＳが密着強化装置１外に漏洩することが防止される。

また、密着強化装置１によるステップＳ１の処理の直前においては、制御部５０により真空バルブ１１が閉状態とされ、排気バルブ１０が閉状態とされる。これにより、チャンバー本体２に密閉蓋５が当接する際の排気による衝撃力の発生を防止することができる。それにより、チャンバー本体２および密閉蓋５の耐久性が向上され、パーティクルの発生もない。この場合、密閉蓋５が下降した後に排気バルブ１０が開状態となっているので、密閉蓋５の下降の際にチャンバー空間１４の排気は停止している。

図３は本発明の他の実施の形態に係る密着強化装置の構成図である。

図３に示すように、密着強化装置１００の構成が密着強化装置１の構成と異なる点は、排気管路７にスロー排気バルブ９が設けられておらず、管路７ａにバイパスバルブ１５および可変オリフィス１６が設けられている点である。なお、可変オリフィス１６の代わりにニードルバルブを用いてもよい。

ここで、管路７ａは、排気バルブ１０の上流側で排気管路７から分岐され、排気バルブ１０の下流側で排気管路７に合流する。制御部５０によりバイパスバルブ１５の開閉動作が制御される。

図４は本発明の他の実施の形態に係る密着強化装置１００による密着強化処理におけるチャンバー空間１４の圧力履歴および各バルブの開閉状態を示す図である。

図４の上側のグラフの縦軸はチャンバー空間１４の圧力を示し、横軸は時間を示す。図４の下側のタイミングチャートにおいて、真空バルブ１１、排気バルブ１０、バイパスバルブ１５、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２および窒素吐出バルブ１３の開状態をハイレベルで示し、真空バルブ１１、排気バルブ１０、バイパスバルブ１５、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２および窒素吐出バルブ１３の閉状態をローレベルで示す。

なお、初期状態として、チャンバー空間１４の圧力は大気圧Ｐ１であり、排気バルブ１０、真空バルブ１１、バイパスバルブ１５、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２および窒素吐出バルブ１３は閉状態とされている。

図４の密着強化装置１００を用いた密着強化処理が、上述の図２に示した密着強化装置１を用いた密着強化処理と異なる点は、ステップＳ２において、排気バルブ１０が閉状態とされ、バイパスバルブ１５が開状態とされる点である。これにより、ステップＳ２において、図２の場合と同様に、チャンバー空間１４からの排気量が第１の排気量から第２の排気量に減少するとともに供給管路６から基板Ｗ上にＨＭＤＳが供給される。第２の排気量は第１の排気量よりも低い。

この場合、チャンバー空間１４の圧力は、第１の真空圧Ｐ４から曲線を描くように第１の処理圧Ｐ２まで上昇し、その後、第１の処理圧Ｐ２を維持する。この状態でＨＭＤＳによる密着強化処理が行われる。

上述のように、本実施の形態に係る密着強化装置１，１００においては、チャンバー空間１４に密着強化剤が供給される前にチャンバー空間１４が第１の排気量で排気されるので、チャンバー空間１４が短時間で減圧状態になる。そして、チャンバー空間１４に密着強化剤が供給されるときにチャンバー空間１４が第１の排気量よりも低い第２の排気量で排気されるので、チャンバー空間１４内の密着強化剤の濃度が高い値に達することができる。また、チャンバー空間１４に密着強化剤が供給されつつ排気が行われるので、チャンバー空間１４に密着強化剤の流れが形成される。それにより、基板Ｗの表面に均一に密着強化剤が供給される。

これらの結果、基板Ｗとレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる。

また、簡単な構成および少ない部品点数で基板Ｗとレジストとの密着性を十分に向上させることができ、かつ処理時間を短縮することができる。したがって、低コストで高品質化を図ることができる。

本実施の形態においては、基板支持ピン４が支持手段に相当し、チャンバー空間１４が処理空間に相当し、チャンバー本体２および密閉蓋５が処理空間形成手段に相当し、ＨＭＤＳ吐出バルブ１２、管路１２ａおよび供給管路６が供給手段に相当し、制御部５０が制御手段に相当し、排気管路７が排気路に相当し、排気バルブ１０が開閉手段および第１の開閉手段に相当する。

また、スロー排気バルブ９が流量可変手段に相当し、エジェクタ８が排気装置に相当し、管路７ａがバイパス路に相当し、バイパスバルブ１５が第２の開閉手段に相当し、可変オリフィス１６が流量絞り手段に相当し、排気管路７、排気バルブ１０、スロー排気バルブ９、エジェクタ８、管路７ａ、バイパスバルブ１５および可変オリフィス１６が排気手段に相当する。

本発明は、基板とレジストとの密着性を強化するための処理を行う密着強化装置として有用である。

本発明の一実施の形態に係る密着強化装置の構成図である。 本実施の形態に係る密着強化装置による密着強化処理におけるチャンバー空間の圧力履歴および各バルブの開閉状態を示す図である。 本発明の他の実施の形態に係る密着強化装置の構成図である。 本発明の他の実施の形態に係る密着強化装置による密着強化処理におけるチャンバー空間の圧力履歴および各バルブの開閉状態を示す図である。

符号の説明

１，１００ 密着強化装置
２ チャンバー本体
４ 基板支持ピン
５ 密閉蓋
６ 供給管路
７ 排気管路
７ａ 管路
８ エジェクタ
９ スロー排気バルブ
１０ 排気バルブ
１１ 真空バルブ
１２ ＨＭＤＳ吐出バルブ
１２ａ 管路
１３ 窒素吐出バルブ
１４ チャンバー空間
１５ バイパスバルブ
１６ 可変オリフィス
５０ 制御部
Ｗ 基板

Claims (4)

1. 基板に密着強化剤を供給する密着強化装置であって、
   基板を支持する支持手段と、
   前記支持手段に支持された基板の周囲を取り囲む処理空間を形成する処理空間形成手段と、
   前記処理空間内に密着強化剤を供給する供給手段と、
   前記処理空間を排気する排気手段と、
   前記供給手段により前記処理空間内に密着強化剤が供給される前に、前記排気手段により前記処理空間内が第１の排気量で排気され、前記供給手段により前記処理空間内に密着強化剤が供給されるときに、前記排気手段により前記処理空間内が前記第１の排気量よりも低い第２の排気量で排気されるように、前記排気手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする密着強化装置。
2. 前記排気手段は、
   前記処理空間に連通する排気路と、
   前記排気路を開閉する開閉手段と、
   前記排気路内の流量を第１の流量とその第１の流量よりも低い第２の流量とに設定する流量可変手段と、
   前記開閉手段および前記流量可変手段の下流側において前記排気路に設けられた排気装置とを含み、
   前記制御手段は、
   前記供給手段により前記処理空間内に密着強化剤が供給される前に前記開閉手段を開状態にするとともに前記流量可変手段の流量を前記第１の流量に設定し、前記供給手段により前記処理空間内に密着強化剤が供給されるときに前記開閉手段を開状態にするとともに前記流量可変手段の流量を前記第２の流量に設定することを特徴とする請求項１記載の密着強化装置。
3. 前記排気手段は、
   前記処理空間に連通する排気路と、
   前記排気路を開閉する第１の開閉手段と、
   前記第１の開閉手段をバイパスするように設けられたバイパス路と、
   前記バイパス路を開閉する第２の開閉手段と、
   前記バイパス路内の流量を前記排気路内の流量よりも小さくする流量絞り手段と、
   前記第１の開閉手段の下流側において前記排気路に設けられた排気装置とを含み、
   前記制御手段は、
   前記供給手段により前記処理空間内に密着強化剤が供給される前に前記第１の開閉手段を開状態に設定するとともに前記第２の開閉手段を閉状態に設定し、前記供給手段により前記処理空間内に密着強化剤が供給されるときに前記第１の開閉手段を閉状態に設定するとともに前記第２の開閉手段を開状態に設定することを特徴とする請求項１記載の密着強化装置。
4. 基板に密着強化剤を供給する密着強化方法であって、
   基板の周囲を取り囲む処理空間を形成するステップと、
   前記処理空間内に密着強化剤を供給する前に前記処理空間内を第１の排気量で排気するステップと、
   前記処理空間内に密着強化剤を供給するときに前記処理空間内を前記第１の排気量よりも低い第２の排気量で排気するステップとを備えたことを特徴とする密着強化方法。
   

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