TW202201612A - 基板搬運方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題] 可以抑制閘閥開啟時微粒的飛揚，同時可以抑制殘留氣體朝氣體擴散室的侵入。 [解決手段] 基板處理方法具有：在開關裝置被遮斷之狀態，從第1氣體供給部供給處理氣體，對基板施予處理的工程；一面從第1氣體供給部以第1氣體流量供給第1沖洗氣體一面予以排氣，將處理容器調整成開啟壓力的工程；一面對真空容器從第2氣體供給部以第2氣體流量供給第2沖洗氣體，一面藉由第2排氣系統予以排氣，將開關裝置之真空容器側及真空容器中之任一方或雙方調整成開啟壓力的工程；及在第1壓力、第2壓力或第3壓力成為相等之時，將第2氣體流量變更成大於第1氣體流量的第3氣體流量，同時遮斷第2排氣系統，開啟開關裝置的工程；及將基板從處理容器移送至真空容器的工程。

Description

基板搬運方法及基板處理裝置
本揭示係關於基板理方法及基板處理裝置。
在基板處理裝置中，在對基板進行處理的處理室，和將基板搬運至處理室的搬運室之間，在被保持於減壓氛圍之狀態進行基板之搬出搬入之時，開啟被設置在處理室和搬運室之間的閘閥。此時，為了防止塵埃或微粒從處理室朝搬運室侵入之情形，提案將搬運室內側設為正壓後開啟閘閥。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2004-96089號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供可以抑制在閘閥開啟時腐蝕性氣體或反應生成物等之污染物質從處理室朝搬運室擴散，且微粒在處理室內飛揚，同時抑制殘留氣體朝氣體擴散室的侵入的基板搬運方法及基板處理裝置。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣所致的基板搬運方法係基板處理裝置中之基板搬運方法，基板處理裝置具備：處理容器，其具有將處理對象之基板予以搬出搬入的第1開口，和具有設置有複數貫通孔的噴淋板，在內部設置有氣體擴散室的第1氣體供給部，和第1排氣系統；真空容器，其具有將基板予以搬出搬入的第2開口、第2氣體供給部，和第2排氣系統；開關裝置，其具有安插在處理容器和真空容器之間，連通或遮斷第1開口和第2開口的遮蔽體，該基板搬運方法具有：在將容許開關裝置之開啟的壓力設為開啟壓力，開關裝置被遮斷之狀態，從第1氣體供給部對處理容器之內部供給處理氣體，對被配置在處理容器之內部的基板施予處理的工程；停止處理氣體之供給，在處理容器之內部，一面從第1氣體供給部以第1氣體流量供給第1沖洗氣體一面藉由第1排氣系統排氣第1沖洗氣體，將處理容器之內部的第1壓力調整成開啟壓力的工程；在真空容器之內部，一面從第2氣體供給部以第2氣體流量供給第2沖洗氣體一面藉由第2排氣系統排氣第2沖洗氣體，將開關裝置之內部，亦即遮蔽體之真空容器側之第2壓力，及真空容器之內部之第3壓力中之一方或雙方調整成開啟壓力的工程；在第1壓力、第2壓力或第3壓力成為相等之時，將第2氣體流量變更成大於第1氣體流量的第3氣體流量，同時遮斷第2排氣系統，開啟開關裝置的工程；及將基板經由第1開口及第2開口，而從處理容器移送至真空容器的工程。 [發明之效果]
若藉由本揭示時，可以抑制在閘閥開啟時腐蝕性氣體或反應生成物等之污染物質從處理室朝搬運室擴散，且微粒在處理室內飛揚，同時抑制殘留氣體朝氣體擴散室的侵入。
以下，針對揭示的基板搬運方法及基板處理裝置之實施型態，根據圖面予以詳細說明。另外，並非藉由以下的實施型態限定揭示技術者。
在基板處理裝置中，在將搬運室側設為正壓之狀態開啟被設置在處理室和搬運室之間的閘閥之情況，當處理室和搬運室之壓力差大時，產生差壓所致的亂流，導致附著於處理室或搬運室之微粒飛揚，成為製品不良的原因。再者，在將搬運室側設為正壓之狀態，在處理室，有腐蝕性的殘留氣體或隨著基板處理產生的生成物逆擴散至供給處理氣體的氣體擴散室，氣體擴散室被污染，成為新的微粒源之情況。於是，期待抑制閘閥開啟時微粒的飛揚，同時抑制殘留氣體朝氣體擴散室的侵入的技術。
[基板處理裝置100之構成] 圖1為在本揭示之一實施型態中之基板處理裝置之一例的圖。圖1所示的基板處理裝置100係用以對平面顯示器(FPD)用之玻璃基板(以下，單稱為「基板」)PL進行蝕刻處理的多腔室型之裝置。作為FPD，可舉出例如液晶顯示器(LCD)、發光二極體(LED)顯示器、電致發光(EL)顯示器、螢光顯示管(VFD)、電漿顯示面板(PDP)等。
如圖1所示般，基板處理裝置100係在其中央部配置搬運腔室1。在搬運腔室1之周圍，配置作為真空預備室的裝載鎖定室7，和作為真空處理室的複數(在本例中為5個)之製程腔室8a～8e。製程腔室8a～8e能夠以成膜處理室、蝕刻處理室、灰化處理室等來構成。另外，製程腔室8a～8e為處理容器之一例。再者，本例之搬運腔室1雖然被構成在周圍配置裝載鎖定室7、製程腔室8a～8e之合計6個腔室的形狀，例如在俯視下為略六角形狀、上面和底面合起來整體為八面體形狀，但是腔室的配置數量及全體之形狀不限定於此。
在搬運室1和各製程腔室8a～8e之間，分別設置氣密地密封該些之間，且被構成能夠開關的閘閥15。再者，在連通搬運腔室1和裝載鎖定室7之間，及裝載鎖定室7和外側之大氣氛的開口部，設置具有相同功能的閘閥16。
在裝載鎖定室7之外側，配置收容基板PL之3個卡匣9。在該些卡匣9，收容例如未處理之基板或處理完的基板。在該些3個卡匣9之間，配置基板搬運裝置90。基板搬運裝置90具有載置基板PL之滑臂部，和將滑臂部支持成能夠進出退避及旋轉的基部。
搬運腔室1係在內部配置用以搬運基板PL之搬運裝置13。搬運腔室1係被構成將其內部空間保持成特定的減壓氛圍(例如，真空環境下)。另外，搬運腔室1為真空容器(搬運室)之一例。
在搬運腔室1中，藉由搬運裝置13，在裝載鎖定室7及製程腔室8a～8e間，進行基板PL之移載。搬運裝置13具有基座部，和下段手部基座13b，和上段手部基座13d。基座部具備被設置在搬運腔室1之略中央部，使搬運裝置13升降及旋轉的驅動機構，和被設置在對驅動機構部旋轉及升降自如的被驅動部。在該被驅動部設置下段手部基座13b和上段手部基座13d。
被驅動部具備用以使下段手部基座13b及上段手部基座13d對被驅動部進退移動的制動器、引導部及滑動器。在各滑動器固定下段手部基座13b及上段手部基座13d。藉由使驅動任一的滑動器，下段手部基座13b或上段手部基座13d進退移動。在下段手部基座13b及上段手部基座13d，分別設置下段手部13c及上段手部13e(例如，在圖1中為4根叉狀手部)。藉由驅動機構部之驅動，被驅動部在搬運腔室1之內部空間被旋轉、升降，使下段手部基座13b或上段手段基座13d進退移動，在裝載鎖定室7及製程腔室8a～8e間，進行基板PL之移載。
裝載鎖定室7及製程腔室8a～8e與搬運腔室1相同，被構成可以將各者的內部空間保持在特定的減壓氛圍。在製程腔室8a～8e之內部，例如進行成膜或電漿所致的蝕刻或者灰化等的處理。製程腔室8a～8e即使被構成相同亦可，再者即使因應處理內容而被構成不同亦可。
基板處理裝置100具有控制裝置10。控制裝置10係例如為電腦，具備CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、輔助記憶裝置等。CPU係根據被儲存在ROM或輔助記憶裝置的程式而動作，控制基板處理裝置100之各構成要素的動作。
接著，使用圖2針對基板處理裝置100之剖面中的各部位予以說明。另外，在以下之說明中，不區別製程腔室8a～8e，以製程腔室8予以說明。圖2為在本實施型態中之基板處理裝置之剖面之一例的圖。如圖2所示般，製程腔室8具有第1開口20、第1氣體供給部21、第1排氣系統26、載置台27、第1壓力計29。另外，製程腔室8也被稱為製程模組(PM：Process Module)。
第1開口20係將處理對象之基板PL經由閘閥15從搬運腔室1搬出搬入的開口部。第1氣體供給部21具有噴淋頭22和氣體擴散室23。在噴淋頭22設置複數貫通孔22a，氣體擴散室23和製程腔室8內之處理空間28流體連通。在氣體擴散室23經由氣體供給管24a連接氣體源24，供給處理氣體及第1沖洗氣體。處理氣體可以使用例如Cl2 等之含鹵氣體、稀有氣體、H2 氣體、O2 氣體等的各種氣體。再者，第1沖洗氣體可以使用例如Ar氣體、O2 氣體、N2 氣體等。再者，在氣體擴散室23設置擴散室壓力計25，能測量氣體擴散室23之壓力。另外，針對氣體擴散室23之壓力，即使不設置擴散室壓力計25，從被供給至氣體擴散室23的氣體之氣體流量、噴淋板22之傳導率、從後述處理空間28之第1壓力計29取得的壓力算出亦可。
第1排氣系統26具有排氣處理空間28內之處理氣體及沖洗氣體的真空泵。作為真空泵可以使用例如渦輪分子泵(TMP：Turbo Molecular Pump)。第1排氣系統26可以將製程腔室8內之處理空間28減壓至期望的真空度。再者，第1排氣系統26具有APC(Auto Pressure Controller)閥，對製程腔室8之壓力進行自動控制。
載置台27載置處理對象之基板PL。載置台27具有從上面突出自如的複數細棒狀的升降銷(無圖示)。載置台27係藉由使用升降銷而抬起基板PL，進行搬運腔室1之搬運裝置13和基板PL的收授。第1壓力計29係測量製程腔室8內之處理空間28之壓力。第1壓力計29係將測量到的壓力資料輸出至控制裝置10。
閘閥15具有閥體30、框體31和第2壓力計32。閥體30係連通或遮斷製程腔室8之第1開口20、搬運腔室1之第2開口40的遮斷體。框體31收容閥體30。第2壓力計32係測量框體31內之空間33之壓力。第2壓力計32係將測量到的壓力資料輸出至控制裝置10。空間33係經由搬運腔室1之第2開口40而與搬運腔室1內的空間45連通。另外，閘閥15係開關裝置之一例。再者，閘閥16也具有相同的構造。
搬運腔室1具有搬運裝置13、第2開口40、第2氣體供給部41、第2排氣系統42、第3壓力計43和第3開口44。另外，搬運腔室1也被稱為轉移模組(TM：Transfer Module)。
搬運裝置13係如上述般，在裝載鎖定室7及製程腔室8間進行基板PL之移載。第2開口40係將處理對象之基板PL經由閘閥15從搬運腔室8搬出搬入的開口部。第2氣體供給部41具有經由氣體供給管41a而被連接於搬運腔室1，供給第2沖洗氣體的氣體源46。第2氣體供給部41係對搬運腔室1內之空間45供給第2沖洗氣體。第2沖洗氣體可以使用例如N2 氣體、Ar氣體等。
第2排氣系統42具有排氣空間45內之沖洗氣體的真空泵。作為真空泵，可以使用例如機械式增壓泵(MBP：Mechanical Booster Pump)或擴散泵(DP：Diffusion Pump)。第2排氣系統42可以將製程腔室1內之處理空間45減壓至期望的真空度。再者，第2排氣系統42具有例如隔離閥，遮斷或開啟第2排氣系統42之排氣。第3壓力計43係測量搬運腔室1內之空間45之壓力。第3壓力計43係將測量到的壓力資料輸出至控制裝置10。
裝載鎖定室7具有平台50、第4開口51、第5開口52和第3排氣系統53。平台50係用以在搬運腔室1之搬運裝置13、基板搬運裝置90之滑動臂部之間處理基板PL的台。第4開口51係將基板PL經由閘閥16從搬運腔室1搬出搬入的開口部。第5開口52係將基板PL經由閘閥16從基板搬運裝置90搬出搬入的開口部。第3排氣系統53具有排氣空間54內的真空泵。作為真空泵，可以使用機械式增壓泵(MBP)或擴散泵(DP)。第3排氣系統53可以將製程腔室7內之空間54減壓至期望的真空度。
[沖洗氣體之流動] 接著，使用圖3至圖8，針對在閘閥15之開關狀態之各者的沖洗氣體的流動予以說明。圖3為在本實施型態中，關閉閘閥之狀態的在製程腔室和搬運腔室的沖洗氣體之流動之一例的圖。另外，在以下之說明中，將被供給至製程腔室8之處理空間28的沖洗氣體之流動以流動F1表示，將被供給至搬運腔室1之空間45的沖洗氣體之流動以流動F2、F3表示。再者，將第1沖洗氣體以沖洗氣體G1表示，將第2沖洗氣體以沖洗氣體G2表示。而且，將氣體擴散室23之壓力以壓力P0表示，將處理空間28之壓力以壓力P1(第1壓力)表示，將空間33之壓力以壓力P2(第2壓力)表示，將空間45之壓力以壓力P3(第3壓力)表示。再者，雖然在圖3中簡化描繪，但是實際上，流動F1係經由氣體供給管24a而被供給至處理空間28之沖洗氣體G1之流動，流動F2、F3係經由氣體供給管41a而被供給至空間45的沖洗氣體G2之流動。
如圖3所示般，以流動F1被供給至製程腔室8之沖洗氣體G1，係經由氣體擴散室23及噴淋板22之貫通孔22a而被供給至處理空間28，藉由第1排氣系統26被排氣。以流動F2被供給至搬運腔室1的沖洗氣體G2被供給至空間45，藉由第2排氣系統42被排氣。即是，在關閉閘閥15之狀態，因第1開口20藉由閥體30被關閉，故製程腔室8之沖洗氣體G1之流動，和搬運腔室1之沖洗氣體G2之流動分別獨立。
圖4及圖5表示在圖3之狀態下，各空間之壓力P0～P3穩定之時之各流動之流量和各空間之壓力值。圖4為表示在圖3之狀態中的沖洗氣體之流量之一例的圖。圖5為表示在圖3之狀態中的各空間之壓力一例的圖。如圖4及圖5所示般，在圖3之狀態下，流動F1以流量2500sccm供給沖洗氣體G1，氣體擴散室23之壓力P0成為1000mTorr，處理空間28之壓力成為30mTorr。此時，處理空間28之壓力P1係藉由第1排氣系統26之APC閥體，被調整成30 mTorr。即是，控制裝置10係藉由第1壓力計29監視處理空間28之壓力P1，APC閥對處理空間28之壓力P1進行自動控制。
再者，流動F2係以流量300sccm供給沖洗氣體G2，空間33之壓力P2成為30mTorr，空間45之壓力成為30mTorr。此時，空間33之壓力P2及空間45之壓力P3係藉由第2氣體供給部41調整流動F2之流量而被控制。另外，流動F2和流動F3係能夠在第2氣體供給部41切換。在第2氣體供給部41中，分別設置流量，流動F2與「Slow」(流量小的設定)對應，流動F3與「Busy」(流量大的設定)對應。
接著，使用圖6，針對進行閘閥15之開啟、從流動F2朝流動F3之變更，及進行第2排氣系統42中之排氣的遮斷之後的立即狀態予以說明。圖6為在本實施型態中，關閉閘閥之狀態的在製程腔室和搬運腔室的沖洗氣體之流動之一例的圖。
如圖6所示般，以流動F1被供給至製程腔室8之沖洗氣體G1，係經由氣體擴散室23及噴淋板22之貫通孔22a而被供給至處理空間28，藉由第1排氣系統26被排氣。以流動F3被供給至搬運腔室1之沖洗氣體G2被供給至空間45，經由第2開口40、空間33及第1開口20，如流動F4所示般流入至處理空間28。即是，因在開啟閘閥15之狀態下，第2排氣系統42被遮斷，故沖洗氣體G1、G2藉由第1排氣系統26被排氣。
在圖7及圖8表示在圖6之狀態的各流動之流量和各空間之壓力值。圖7為表示在圖6之狀態中的沖洗氣體之流量之一例的圖。圖8為表示在圖6之狀態中的各空間之壓力一例的圖。如圖7及圖8所示般，在圖6之狀態下，流動F1以流量2500sccm供給沖洗氣體G1，氣體擴散室23之壓力P0成為1000mTorr，處理空間28之壓力P1成為30 mTorr。再者，流動F3係以流量3000sccm供給沖洗氣體G2，空間33之壓力P2成為32mTorr，空間45之壓力成為35mTorr。此時，處理空間28之壓力P1係藉由第1排氣系統26之APC閥體，被調整成30mTorr。即是，控制裝置10係藉由第1壓力計29及第2壓力計32，監視處理空間28之壓力P1和空間33之壓力P2，APC閥對處理空間28之壓力P1進行自動控制。再者，空間33之壓力P2及空間45之壓力P3係藉由第2氣體供給部41所致的流動F3之調整，及第1排氣系統26之APC閥所致的排氣量之調整而被控制。
在圖6之狀態下，緊接著閘閥15之開啟後的各空間之壓力P1～P3之關係具有如P3＞P2＞P1的壓力坡度。因此，可以抑制在閘閥15之開啟時，腐蝕性氣體或反應生成物等之污染物質從處理空間28朝空間45的擴散。再者，在開啟閘閥15之時點，因事先將壓力P1和壓力P2調整成相同的壓力，故藉由在閘閥15之開啟時，將沖洗氣體G2變更成大於沖洗氣體G1的流量，即使壓力P2上升，亦將壓力P1和壓力P2之壓力差抑制成較小。因此，可以迴避氣體朝處理空間28急遽地流入，其結果，可以抑制微粒的飛揚。再者，氣體擴散室23之壓力P0和處理空間28之壓力P1的關係成為P0＞＞P1。因此，可以抑制殘留在處理空間28的處理氣體(殘留氣體)朝氣體擴散室23的侵入。
[基板搬運方法] 接著，針對本實施型態所涉及的基板搬運方法予以說明。圖9為在本實施型態中之搬運處理之一例的順序圖。在圖9中，針對在基板處理裝置100之製程腔室8和搬運腔室1之間的基板搬運方法予以說明。再者，在圖9中，表示在各步驟中之壓力P0～P3、差壓#1=(P0-P1)及差壓#2=(P2-P1)和沖洗氣體G1、G2之流量。
首先，在閘閥15遮斷之狀態，控制裝置10係對製程腔室8之處理空間28，從第1氣體供給部21供給處理氣體，對基板PL施予處理(步驟S1)。此時，為在氣體擴散室23被供給處理氣體的狀態，氣體擴散室23之壓力P0設為例如1000mTorr。另外，在步驟S1之壓力P0係藉由處理之內容而變化，例如成為500mTorr～1500mTorr程度。再者，處理空間28之壓力P1為15mTorr，差壓#1為985 mTorr。另外，在步驟S1中，因對基板PL進行處理中，故沖洗氣體G1之流量為0sccm。
另一方面，控制裝置10係在搬運腔室1之內部，一面從第2氣體供給部41以第2氣體流量(F2)供給沖洗氣體G2，一面藉由第2排氣系統42排氣沖洗氣體G2。控制裝置10係將空間33之壓力P2(第2壓力)及空間45之壓力P3(第3壓力)分別調整成允許閘閥15之開啟的開啟壓力。在此，沖洗氣體G2之流量(第2氣體流量(F2))為例如300 sccm，開啟壓力為30mTorr。此時，差壓#2為15mTorr。
控制裝置10係當完成對基板PL的處理時，停止在製程腔室8之處理氣體的供給。控制裝置10係一面從第1氣體供給部21以第1氣體流量(F1)供給沖洗氣體G1，一面藉由第1排氣系統26排氣沖洗氣體G1，將製程氣體8之內部，即是處理空間28之壓力P1(第1壓力)調整成開啟壓力(步驟S2)。在此，沖洗氣體G1之流量(第1氣體流量(F1))為例如2500sccm，開啟壓力為與壓力P2及P3之情況相同，為30mTorr。再者，在步驟S2之空間33之壓力P2及空間45之壓力P3從步驟S1繼續被調整成30mTorr。即是，控制裝置10將處理空間28之壓力P1調整成與空間33之壓力P2及空間45之壓力P3相等。另外，控制裝置10即使測量處理空間28之壓力P1及空間33之壓力P2，而將處理空間28之壓力P1調整成與空間33之壓力P2相等亦可，再者，即使測量處理空間28之壓力P1及空間45之壓力P3，而將處理空間28之壓力P1調整成與空間45之壓力P3相等亦可。
控制裝置10判定處理空間28之壓力P1是否與空間33之壓力P2及空間45之壓力P3相等。另外，即使控制裝置10判定壓力P1和P2，或是壓力P1和壓力P3是否相等亦可。在控制裝置10判定處理空間28之壓力P1與空間33之壓力P2及空間45之壓力P3相等之情況，將沖洗氣體G2之流量變更成3000sccm，並且遮斷第2排氣系統42，開啟閘閥15(步驟S3)。
即是，控制裝置10係在第1壓力(P1)和第2壓力(P2)或第3壓力(P3)相等之時，將第2氣體流量(F2)變更成大於第1氣體流量(F1)之第3氣體流量(F3)，同時遮斷第2排氣系統42，開啟閘閥15。另外，第1氣體流量(F1)為2500sccm，第2氣體流量(F2)為300sccm，第3氣體流量(F3)為3000sccm。另一方面，在控制裝置10判定成處理空間28之壓力P1不等於空間33之壓力P2及空間45之壓力P3的情況，繼續調整各空間之壓力P1～P3，重複該判定。
緊接著閘閥15被開啟之後的各空間之壓力係氣體擴散室23之壓力P0為1000mTorr，處理空間28之壓力P1為30mTorr，空間33之壓力P2為32mTorr，空間45之壓力P3為35mTorr。即是，藉由沖洗氣體G2之流量從300sccm增加至3000scc，空間45之壓力P3上升，各空間之壓力坡度成為P3＞P2＞P1。再者，差壓#1為970mTorr，差壓#2為2mTorr。此時，以處理空間28之壓力P1和空間45之壓力P3的壓力差為5mTorr以內為佳。
控制裝置10也在閘閥15之開啟後，繼續以處理空間28之壓力P1成為作為開啟壓力的30mTorr之方式，調整第1排氣系統26之APC閥(步驟S4)。此時的各空間之壓力係氣體擴散室23之壓力P0為1000mTorr，處理空間28之壓力P1為30mTorr，空間33之壓力P2為30mTorr，空間45之壓力P3為30mTorr。在閘閥開啟後例如暫時性地上升的壓力P2及壓力P3在步驟S4中朝穩定的壓力移行。再者，差壓#1為970mTorr、差壓#2為0mTorr。沖洗氣體G1之流量(第1氣體流量F1))為2500scc，沖洗氣體G2之流量(第3氣體流量(F3))為3000scc。
控制裝置10係使用搬運裝置13而將被載置於製程腔室8之載置台27的基板PL，經由第1開口20及第2開口40而搬運至搬運腔室1並予以搬出(步驟S5)。此時之各空間的壓力，及沖洗氣體之流量與步驟S4相同。
控制裝置10係當完成從製程腔室8搬出基板PL時，關閉閘閥15，同時將沖洗氣體G2之流量變更成300scc，開啟第2排氣系統42(步驟S6)。此時的各空間之壓力係氣體擴散室23之壓力P0為1000mTorr，處理空間28之壓力P1為30mTorr，空間33之壓力P2為30mTorr，空間45之壓力P3為30mTorr。再者，差壓#1為970mTorr，差壓#2為0mTorr。沖洗氣體G1之流量(第1氣體流量(F1))為2500 scc，沖洗氣體G2之流量(第2氣體流量(F2))為300scc。
控制裝置10係當關閉閘閥15時，將搬運裝置13上之基板PL移送至裝載鎖定室7，從裝載鎖定室7接取下一個基板PL，進行搬入準備(步驟S7)。此時之各空間的壓力，及沖洗氣體之流量與步驟S6相同。
控制裝置10係當下一個基板PL之搬入準備完整時，與步驟S3相同，判定處理空間28之壓力P1是否與空間33之壓力P2及空間45之壓力P3相等。另外，即使控制裝置10判定壓力P1和壓力P2，或是壓力P1和壓力P3是否相等亦可。在控制裝置10判定處理空間28之壓力P1與空間33之壓力P2及空間45之壓力P3相等之情況，將沖洗氣體G2之流量變更成3000sccm，並且遮斷第2排氣系統42，開啟閘閥15(步驟S8)。
另一方面，在控制裝置10判定成處理空間28之壓力P1不等於空間33之壓力P2及空間45之壓力P3的情況，繼續調整各空間之壓力P1～P3，重複該判定。緊接著閘閥15被開啟之後的各空間的壓力，及沖洗氣體之流量與步驟S3相同。
控制裝置10與步驟S4相同，在閘閥15之開啟後，繼續以處理空間28之壓力P1成為作為開啟壓力的30mTorr之方式，調整第1排氣系統26之APC閥(步驟S9)。此時之各空間的壓力，及沖洗氣體之流量與步驟S4相同。
控制裝置10係將被載置於搬運腔室1內之搬運裝置13的基板PL，經由第2開口40及第1開口20而搬入至製程腔室8且載置於載置台27(步驟S10)。此時之各空間的壓力，及沖洗氣體之流量與步驟S9相同。
控制裝置10係當將下一個基板搬入至製程腔室8時，關閉閘閥15，同時將沖洗氣體G2之流量變更成300scc，開啟第2排氣系統42(步驟S11)。此時之各空間的壓力，及沖洗氣體之流量與步驟S6相同。
控制裝置10係當關閉閘閥15時，停止沖洗氣體G1之供給，返回至步驟S1，對下一個基板PL施予處理。如此一來，在本實施型態中，因一面調整成製程腔室8和搬運腔室1之壓力成為相等，一面在開啟閘閥15之時，增大搬運腔室1之沖洗氣體G2之流量，故緊接著閘閥15之開啟之後，自動地搬運腔室1側些許成為正壓。再者，因對氣體擴散室23供給沖洗氣體G1，故抑制腐蝕性氣體朝氣體擴散室23侵入。
以上，若藉由本實施型態時，基板處理裝置100具備處理容器(製程腔室8)、真空容器(搬運腔室1)、關閉裝置(閘閥15)、實行基板處理方法的控制裝置10。處理容器具有將處理對象之基板PL予以搬出搬入的第1開口20，和具有設置有複數貫通孔22a的噴淋板22，在內部設置有氣體擴散室23的第1氣體供給部21，和第1排氣系統26。真空容器具有將基板PL予以搬出搬入的第2開口40、第2氣體供給部41，和第2排氣系統42。開關裝置具有安插在處理容器和真空容器之間，連通或遮斷第1開口20和第2開口40的遮蔽體(閥體30)。基板處理方法具有：在將允許開關裝置之開啟的壓力設為開啟壓力，開關裝置被遮斷之狀態，從第1氣體供給部21對處理容器之內部供給處理氣體，對被配置在處理容器之內部的基板PL施予處理的工程；停止處理氣體之供給，在處理容器之內部，一面從第1氣體供給部21以第1氣體流量供給第1沖洗氣體一面藉由第1排氣系統26排氣第1沖洗氣體，將處理容器之內部的第1壓力調整成開啟壓力的工程；在真空容器之內部，一面從第2氣體供給部41以第2氣體流量供給第2沖洗氣體一面藉由第2排氣系統42排氣第2沖洗氣體，將開關裝置之內部，亦即遮蔽體之真空容器側之第2壓力，及真空容器之內部之第3壓力中之一方或雙方調整成開啟壓力的工程；在第1壓力、第2壓力或第3壓力成為相等之時，將第2氣體流量變更成大於第1氣體流量的第3氣體流量，同時遮斷第2排氣系統42，開啟開關裝置的工程；及將基板PL經由第1開口20及第2開口40，而從處理容器移送至真空容器的工程。其結果，可以抑制閘閥15之開啟時微粒之飛揚，同時可以抑制殘留氣體朝氣體擴散室23的侵入。
再者，若藉由本實施型態時，第1壓力係以被設置在處理容器的第1壓力計29測量，第2壓力係以被設置在開關裝置之第2壓力計32測量，第3壓力係以被設置在真空容器之第3壓力計43測量。其結果，可以判定處理空間28和空間33或空間45之壓力是否相等。
再者，若藉由本實施型態時，第2壓力係在由作為遮蔽體之閥體30、收容該閥體30之框體31構成的作為閘閥15的開關裝置中，以被安裝於框體31之第2壓力計32來測量。其結果，可以測量閘閥15內之空間33的壓力。
再者，若藉由本實施型態時，在第1壓力和第2壓力成為相等之時，將第2氣體流量變更成大於第1氣體流量的第3氣體流量，同時遮斷第2排氣系統42，開啟開關裝置。其結果，可以抑制在閘閥15之開啟時，微粒之飛揚。
再者，若藉由本實施型態時，緊接著開關裝置之開啟後的第1壓力、第2壓力及第3壓力之壓力坡度係第3壓力大於第2壓力，第2壓力大於第1壓力。其結果，可以抑制腐蝕性氣體朝搬運腔室1側侵入。
再者，若藉由本實施型態時，第1壓力和第3壓力之壓力差為5mTorr以內。其結果，可以抑制在閘閥15之開啟時，微粒之飛揚。
再者，若藉由本實施型態時，真空容器係具備搬運基板PL之搬運裝置的搬運室。其結果，可以將基板PL朝製程腔室8搬出搬入。
再者，若藉由本實施型態時，氣體擴散室23係內部之壓力高於第1壓力的壓力。其結果，可以抑制殘留氣體朝氣體擴散室23的侵入。
應理解成此次揭示的實施型態所有的點皆為例示，並非用以限制者。上述實施型態在不脫離附件的申請專利範圍及其主旨的情況下，即使以各種型態進行省略、替換或變更亦可。
再者，在上述實施型態中，雖然使用進行遮斷或開啟的隔離閥作為第2排氣系統42之閥體，但是不限定於此。例如，即使與第1排氣系統26相同使用APC閥，作為第2排氣系統42之閥體亦可。
1:搬運腔室 7:裝載鎖定室 8,8a~8e:製程腔室 10:控制裝置 15:閘閥 20:第1開口 21:第1氣體供給部 22:噴淋板 22a:貫通孔 23:氣體擴散室 26:第1排氣系統 30:閥體 40:第2開口 41:第2氣體供給部 42:第2排氣系統 100:基板處理裝置 PL:基板
[圖1]為在本揭示之一實施型態中之基板處理裝置之一例的圖。 [圖2]為在本實施型態中之基板處理裝置之剖面之一例的圖。 [圖3]為在本實施型態中，關閉閘閥之狀態的在製程腔室和搬運腔室的沖洗氣體之流動之一例的圖。 [圖4]為表示在圖3之狀態中的沖洗氣體之流量之一例的圖。 [圖5]為表示在圖3之狀態中的各空間之壓力之一例的圖。 [圖6]為在本實施型態中，開啟閘閥之狀態的在製程腔室和搬運腔室的沖洗氣體之流動之一例的圖。 [圖7]為表示在圖6之狀態中的沖洗氣體之流量之一例的圖。 [圖8]為表示在圖6之狀態中的各空間之壓力之一例的圖。 [圖9]為在本實施型態中之搬運處理之一例的順序圖。
1:搬運腔室
8:製程腔室
15:閘閥
20:第1開口
21:第1氣體供給部
22:噴淋板
22a:貫通孔
23:氣體擴散室
26:第1排氣系統
27:載置台
28:處理空間
30:閥體
33:空間
40:第2開口
42:第2排氣系統
45:空間
PL:基板
F1~F4:流動

Claims (9)

  1. 一種基板處理搬運方法，其係在基板處理中之基板搬運方法， 上述基板處理裝置具備： 處理容器，其具有將處理對象之基板予以搬出搬入的第1開口，和具有設置有複數貫通孔的噴淋板，在內部設置有氣體擴散室的第1氣體供給部，和第1排氣系統； 真空容器，其具有將上述基板予以搬出搬入的第2開口、第2氣體供給部，和第2排氣系統； 開關裝置，其具有安插在上述處理容器和上述真空容器之間，連通或遮斷上述第1開口和上述第2開口的遮蔽體， 該基板搬運方法具有： 在將容許上述開關裝置之開啟的壓力設為開啟壓力， 上述開關裝置被遮斷之狀態，從上述第1氣體供給部對上述處理容器之內部供給處理氣體，對被配置在上述處理容器之內部的上述基板施予處理的工程； 停止上述處理氣體之供給，在上述處理容器之內部，一面從上述第1氣體供給部以第1氣體流量供給第1沖洗氣體一面藉由上述第1排氣系統排氣上述第1沖洗氣體，將上述處理容器之內部的第1壓力調整成開啟壓力的工程； 在上述真空容器之內部，一面從上述第2氣體供給部以第2氣體流量供給第2沖洗氣體一面藉由上述第2排氣系統排氣上述第2沖洗氣體，將上述開關裝置之內部，亦即上述遮蔽體之上述真空容器側之第2壓力，及上述真空容器之內部之第3壓力中之一方或雙方調整成上述開啟壓力的工程； 在上述第1壓力、上述第2壓力或上述第3壓力成為相等之時，將上述第2氣體流量變更成大於上述第1氣體流量的第3氣體流量，同時遮斷上述第2排氣系統，開啟上述開關裝置的工程；及 將上述基板經由上述第1開口及上述第2開口，而從上述處理容器移送至上述真空容器的工程。
  2. 如請求項1之基板處理搬運方法，其中 上述第1壓力係由被設置在上述處理容器之第1壓力計， 上述第2壓力係以被設置在上述開關裝置之第2壓力計測量， 上述第3壓力係以被設置在上述真空容器之第3壓力計測量。
  3. 如請求項2之基板處理搬運方法，其中 上述第2壓力係在由作為上述遮蔽體的閥體，收容該閥體的框體構成的作為閘閥的上述開關裝置中，以備安裝在上述框體的上述第2壓力計測量。
  4. 如請求項1至3中之任一項基板處理搬運方法，其中 開啟上述開關裝置之工程係在上述第1壓力、上述第2壓力或上述第3壓力成為相等之時，將上述第2氣體流量變更成大於上述第1氣體流量的第3氣體流量，同時遮斷上述第2排氣系統，開啟上述開關裝置。
  5. 如請求項1至4中之任一項之基板處理搬運方法，其中 緊接著上述開關裝置之開啟後的上述第1壓力、上述第2壓力及上述第3壓力之壓力坡度係上述第3壓力大於上述第2壓力，上述第2壓力大於上述第1壓力。
  6. 如請求項5之基板處理搬運方法，其中 上述第1壓力和上述第3壓力之壓力差為5mTorr以內。
  7. 如請求項1至6中之任一項之基板處理搬運方法，其中 上述真空容器為具備搬運上述基板的搬運裝置的搬運室。
  8. 如請求項1至7中之任一項之基板處理搬運方法，其中 上述氣體擴散室係內部之壓力高於上述第1壓力的壓力。
  9. 一種基板處理裝置，具有： 處理容器，其具有將處理對象之基板予以搬出搬入的第1開口，和具有設置有複數貫通孔的噴淋板，在內部設置有氣體擴散室的第1氣體供給部，和第1排氣系統； 真空容器，其具有將上述基板予以搬出搬入的第2開口、第2氣體供給部，和第2排氣系統； 開關裝置，其具有安插在上述處理容器和上述真空容器之間，連通或遮斷上述第1開口和上述第2開口的遮蔽體；及 控制器，其係實行下述工程：將允許上述開關裝置之開啟的壓力設為開啟壓力，上述開關裝置被遮斷之狀態，從上述第1氣體供給部對上述處理容器之內部供給處理氣體，對被配置在上述處理容器之內部的上述基板施予處理的工程；停止上述處理氣體之供給，在上述處理容器之內部，一面從上述第1氣體供給部以第1氣體流量供給第1沖洗氣體一面藉由上述第1排氣系統排氣上述第1沖洗氣體，將上述處理容器之內部的第1壓力調整成開啟壓力的工程；在上述真空容器之內部，一面從上述第2氣體供給部以第2氣體流量供給第2沖洗氣體一面藉由上述第2排氣系統排氣上述第2沖洗氣體，將上述開關裝置之內部，亦即上述遮蔽體之上述真空容器側之第2壓力，及上述真空容器之內部之第3壓力中之一方或雙方調整成上述開啟壓力的工程；在上述第1壓力、上述第2壓力或上述第3壓力成為相等之時，將上述第2氣體流量變更成大於上述第1氣體流量的第3氣體流量，同時遮斷上述第2排氣系統，開啟上述開關裝置的工程；及將上述基板經由上述第1開口及上述第2開口，而從上述處理容器移送至上述真空容器的工程。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100271758B1 (ko) * 1997-06-25 2001-01-15 윤종용 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법
JP2000232071A (ja) 1999-02-09 2000-08-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2000306974A (ja) 1999-04-20 2000-11-02 Ebara Corp 半導体処理装置
JP4531557B2 (ja) 2002-05-21 2010-08-25 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 半導体処理ツール内チャンバ間の相互汚染の減少
JP2004096089A (ja) * 2002-07-09 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP4816790B2 (ja) * 2003-06-02 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
JP4695936B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5224567B2 (ja) 2005-11-21 2013-07-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP5028193B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置における被処理体の搬送方法
JP2009062604A (ja) * 2007-09-10 2009-03-26 Tokyo Electron Ltd 真空処理システムおよび基板搬送方法
JP2016011719A (ja) 2014-06-30 2016-01-21 入江工研株式会社 ゲートバルブ
JP6907518B2 (ja) 2016-01-15 2021-07-21 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法。
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