WO2018193938A1 - 熱処理装置およびそのメンテナンス方法 - Google Patents

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WO2018193938A1
WO2018193938A1 PCT/JP2018/015265 JP2018015265W WO2018193938A1 WO 2018193938 A1 WO2018193938 A1 WO 2018193938A1 JP 2018015265 W JP2018015265 W JP 2018015265W WO 2018193938 A1 WO2018193938 A1 WO 2018193938A1
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WO
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chamber
substrate
heat treatment
exhaust port
hook
Prior art date
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PCT/JP2018/015265
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English (en)
French (fr)
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靖博 福本
田中　裕二
友宏 松尾
石井　丈晴
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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Publication date
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
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    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • the present invention relates to a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for photomask, and an optical disk substrate, and a maintenance method thereof.
  • the heat treatment apparatus includes a chamber and a heat treatment plate.
  • the heat treatment plate is provided inside the chamber.
  • the heat treatment plate heat-treats a substrate placed in a horizontal posture, but this heat treatment has the following problems. That is, the coating liquid is applied on the substrate. When the substrate is heated by the heat treatment plate, a sublimate is generated from the coating solution. When the sublimate is cooled, the sublimate crystallizes and adheres and deposits on the inner wall of the chamber.
  • the heat treatment apparatus is configured to exhaust the gas in the chamber and remove the sublimate by the trap portion (see, for example, Patent Documents 1 to 3).
  • Patent Documents 2 and 3 disclose heat treatment apparatuses including a lid-like chamber that moves up and down with respect to the heat treatment plate. When the lid-like chamber is raised, the side of the heat treatment plate is opened all around.
  • Patent Documents 2 and 3 are configured such that when the substrate is taken out, the lid-like chamber is raised and the side of the heat treatment plate is opened all around.
  • sealing performance is required to adjust the internal pressure and gas concentration
  • an opening for maintenance of the chamber is required in addition to the substrate entrance / exit, but it is desirable to reduce the number of openings as much as possible.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and there is provided a heat treatment apparatus capable of maintaining the inside of a chamber by an opening of a chamber provided separately from a substrate entrance and exit without increasing the number of openings. It aims at providing the maintenance method.
  • a heat treatment apparatus includes a chamber that accommodates a substrate, a heat treatment plate that is provided in a lower portion of the chamber and heat-treats the substrate, a substrate entrance / exit provided on a side wall of the chamber, and the substrate entrance / exit Separately, an exhaust port provided in a side wall of the chamber, an exhaust duct unit connected to the exhaust port and exhausting gas in the chamber, the exhaust duct unit being removed from the chamber, and the exhaust channel being exhausted to the chamber And a detachable part for attaching the duct part.
  • an exhaust port is provided on the side wall of the chamber separately from the substrate inlet / outlet, and an exhaust duct for exhausting gas in the chamber is connected to the exhaust port. .
  • the exhaust duct part is removed from the chamber and attached to the chamber by the attaching / detaching part.
  • the exhaust port is opened.
  • This exhaust port becomes an opening for maintenance. Thereby, maintenance in the chamber can be performed by the opening of the chamber provided separately from the substrate entrance / exit without increasing the number of openings.
  • the attachment / detachment portion is a fastener
  • the fastener includes a receiving member provided in one of the chamber and the exhaust duct portion, and the other of the chamber and the exhaust duct portion.
  • a hook movable part having a lever for operating the hook and a lever for operating the hook. It is preferable to press and hold the hooked and pressed state, and to release the held hooked and pressed state by the lever operation.
  • ⁇ Sealing inside the chamber is important. Therefore, in order to close the exhaust port, it is required to keep the sealing surface of the joint surface between the chamber provided with the exhaust port and the exhaust duct part.
  • seizure occurs at the joint surface between the chamber and the exhaust duct portion.
  • seizure occurs in the screw portion of the bolt.
  • the bolts are less likely to come off and work efficiency is reduced.
  • there is a possibility that the head of the bolt may be broken by the force when removing the bolt. If the head of the bolt is torn off, subsequent handling becomes difficult.
  • the exhaust duct portion can be removed from the chamber by lever operation even when seizure occurs due to heat treatment. Therefore, it is easy to remove the exhaust duct part. Further, since the exhaust duct portion can be attached and detached by lever operation, no tool is required. This also facilitates attachment and removal of the exhaust duct portion.
  • the heat treatment plate heat-treats the substrate placed in a horizontal posture, the exhaust port is flat in a horizontal direction, and the substrate on the heat treatment plate is disposed on the exhaust port. It is preferable that the opening width is equal to or greater than the horizontal projection length when horizontally projected onto the side wall of the provided chamber. Thereby, the substrate can be taken in and out through the exhaust port used as the opening for maintenance.
  • a maintenance method for a heat treatment apparatus includes a chamber for accommodating a substrate, a heat treatment plate provided at a lower portion of the chamber for heat-treating the substrate, and a substrate inlet / outlet provided on a side wall of the chamber.
  • an exhaust port is provided on the side wall of the chamber separately from the substrate inlet / outlet, and an exhaust duct portion for exhausting gas in the chamber is connected to the exhaust port.
  • the exhaust duct part is removed from the chamber and attached to the chamber by the attaching / detaching part.
  • the exhaust port is opened.
  • This exhaust port becomes an opening for maintenance.
  • a temperature measurement substrate having a temperature sensor connected to a signal line for extending to the outside of the chamber after removing the exhaust duct portion from the chamber is passed through the exhaust port.
  • the method further includes a step of carrying in the chamber, and a step of measuring the temperature using the temperature measurement substrate after the temperature measurement substrate is carried in.
  • the wireless circuit for temperature measurement may be damaged by heating with the heat treatment plate. Therefore, although a wired temperature measurement substrate is used, it is difficult to send the wired temperature measurement substrate through the substrate entrance / exit by the substrate transport robot. Therefore, after removing the exhaust duct portion from the chamber, the wired temperature measurement substrate can be easily transported to the heat treatment plate through the exhaust port.
  • the signal line extending from the temperature sensor is drawn out of the chamber through a passage provided in a lid portion different from the exhaust duct portion, And a step of attaching the lid to the chamber so as to close the exhaust port.
  • the lid portion is attached to the chamber instead of the exhaust duct portion, the exhaust port is closed by the lid portion. Therefore, gas can be prevented from entering and exiting through the exhaust port, and temperature can be measured while suppressing the influence of disturbance.
  • the step of attaching the lid includes a receiving member provided on one of the chamber and the lid, and the other of the chamber and the lid, The lid is pressed against the chamber while the hook is hooked on the receiving member by the lever operation by a fastener including a hook that is hooked on the receiving member and a hook movable portion having a lever that operates the hook. Then, it is preferable that the lid is attached to the chamber so as to close the exhaust port by maintaining the hooked and pressed state. With such a fastener, the lid is pressed against the chamber while the hook is hooked on the receiving member, and this hooked and pressed state is maintained, so that the chamber provided with the exhaust port can be brought into close contact with the lid. it can. Therefore, it is possible to further prevent gas from entering and exiting through the exhaust port.
  • the exhaust port when the exhaust duct portion is removed from the chamber, the exhaust port is opened.
  • This exhaust port becomes an opening for maintenance.
  • maintenance in the chamber can be performed by the opening of the chamber provided separately from the substrate entrance / exit without increasing the number of openings.
  • FIG. 1 It is a schematic block diagram of the heat processing apparatus which concerns on an Example.
  • A is a top view of a chamber etc.
  • (b) is a figure which shows the exhaust port and flange of a chamber when a chamber is seen from the front. It is a perspective view which shows a gas collection
  • A) is the longitudinal cross-sectional view which expanded the connection part of a chamber and a gas collection
  • (b) is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which removed the gas collection
  • FIG. 4 is a view showing a state where a temperature measurement substrate is carried into a chamber
  • FIG. 4D is a view showing a state where a temperature measurement lid is attached to the chamber. It is a figure for demonstrating a conveyance jig.
  • (A) is a top view which shows the modification of a fastener
  • (b) is the right view which looked at the fastener of (a) etc. from the right side. It is a figure which shows the modification of a fastener. It is a figure which shows the modification of a fastener.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a heat treatment apparatus according to an embodiment.
  • the heat treatment apparatus 1 heats the substrate W.
  • the heat treatment apparatus 1 includes a chamber 2, a heat treatment plate 3, a support pin lifting / lowering unit 4, a gas supply buffer unit 5, an inert gas supply unit 7, a shutter unit 9, an exhaust duct unit 11, a control unit 13, and a setting unit 15. Yes.
  • the heat processing apparatus 1 of a present Example is not the structure which raises / lowers a lid-shaped chamber with respect to the heat processing plate like patent document 2, 3.
  • FIG. That is, the heat treatment apparatus 1 of the present embodiment is configured to obtain a sealing performance in order to adjust the internal pressure and the gas concentration.
  • the chamber 2 accommodates the substrate W.
  • the chamber 2 includes a substrate inlet / outlet 21, an exhaust outlet 23, and an upper opening 25.
  • the substrate inlet / outlet 21 is an opening provided on the side wall of the chamber 2 for carrying the substrate W into and out of the chamber 2.
  • the exhaust port 23 is an opening for exhausting the gas in the chamber 2. The exhaust port 23 and the like will be described later.
  • the heat treatment plate 3 heat-treats the substrate W placed in a horizontal posture.
  • the heat treatment plate 3 is provided in the lower part in the chamber 2.
  • the heat treatment plate 3 is attached to the base plate 27 and is disposed by being inserted into another opening provided at the bottom of the chamber 2.
  • Base plate 27 is attached to chamber 2 with an O-ring RG interposed.
  • a cooling pipe 28 through which cooling water circulates is provided in the vicinity of the O-ring RG.
  • the heat treatment plate 3 includes a heater 29.
  • the heater 29 controls the temperature of the heat treatment plate 3 and adjusts the temperature within a range of 300 ° C. to 400 ° C., for example.
  • proximity balls (not shown) are embedded in the heat treatment plate 3. Thereby, a predetermined gap is formed between the lower surface of the substrate W and the surface of the heat treatment plate 3 (for example, 0.1 mm).
  • the support pin lifting / lowering unit 4 includes three support pins 31 (only two are shown in the relationship shown in FIG. 1), a lifting member 33, and an actuator 35.
  • the three support pins 31 are arranged in a substantially equilateral triangle shape in plan view.
  • the support pins 31 are provided so as to penetrate the heat treatment plate 3.
  • the support pin 31 is supported by an elevating member 33, and the actuator 35 elevates the support pin 31 with the elevating member 33 interposed.
  • the gas supply buffer unit 5 is attached to the chamber 2 with an O-ring RG interposed so as to cover the upper opening 25.
  • the gas supply buffer unit 5 is configured to be detachable from the chamber 2.
  • the upper opening 25 is an opening for maintaining the inside of the chamber 2.
  • the gas supply buffer unit 5 includes a diffusion plate 37 made of, for example, punching metal.
  • the diffusion plate 37 diffuses the nitrogen (N 2 ) gas supplied from the inert gas supply unit 7 into the heat treatment space HS through the through hole 37A of the diffusion plate 37.
  • the heat treatment space HS is formed in a substantially rectangular parallelepiped.
  • the inert gas supply unit 7 supplies nitrogen gas as an inert gas to the chamber 2 (gas supply buffer unit 5).
  • the inert gas supply unit 7 includes, for example, two fluid regulating valves and is configured to be able to switch the flow rate of nitrogen gas in two stages.
  • the shutter unit 9 is provided in front of the substrate entrance 21.
  • the shutter unit 9 includes a shutter main body 39 and an actuator 41.
  • the actuator 41 moves the shutter main body 39 in the vertical direction. Thereby, the shutter main body 39 is moved to the position of a solid line or a broken line, and the substrate entrance 21 is opened and closed.
  • the shutter body 39 is provided with an O-ring RG, and the O-ring RG is disposed between the shutter body 39 and the chamber 2 when the substrate entrance / exit 21 is closed by the shutter body 39.
  • the control unit 13 includes a central processing unit (CPU), a memory, and a timer.
  • the control unit 13 controls each component of the heat treatment apparatus 1 such as the heat treatment plate 3, the support pin lifting / lowering unit 4, the inert gas supply unit 7, the shutter unit 9, and the exhaust duct unit 11.
  • the memory stores a plurality of recipes defining the heat treatment procedure and other operation programs necessary for the heat treatment apparatus 1.
  • the setting unit 15 is operated by an operator, and selects one of a plurality of recipes, edits a recipe, instructs a start of processing, and instructs an operation when an alarm is generated. .
  • the setting unit 15 includes a display unit such as a liquid crystal monitor and input units such as a mouse, a keyboard, and various switches.
  • FIG. 2A is a plan view of the chamber 2 and the like
  • FIG. 2B is a view showing the exhaust port 23 and the flange 2B of the chamber 2 when the chamber 2 is viewed from the front (AA view). .
  • the exhaust port 23 is provided on the side wall of the chamber 2 separately from the substrate entrance 21.
  • the exhaust port 23 is provided on the side wall of the chamber 2 facing the substrate entrance 21. If necessary, the exhaust port 23 may not be disposed so as to face the substrate entrance 21.
  • the exhaust port 23 is flat in the horizontal direction.
  • the exhaust port 23 has an opening substantially the same size as the substrate entrance 21.
  • the exhaust port 23 has an opening width HA1 that is substantially the same as the width HA2 inside the chamber 2. That is, the opening width HA1 of the exhaust port 23 is substantially the same as the width HA2 between the left inner wall 2L and the right inner wall 2R of the chamber 2. For this reason, when the exhaust duct portion 11 is not connected to the exhaust port 23, the substrate W can be taken in and out from the exhaust port 23.
  • the exhaust port 23 has an opening height TA1 that is substantially the same as the height TA2 inside the chamber 2, as shown in FIG. 2B and FIG. 5A described later. That is, as shown in FIG. 5A, the opening height TA1 of the exhaust port 23 is substantially the same as the height TA2 between the ceiling 2U inside the chamber 2 and the substrate placement surface 3A.
  • reference numeral 2A denotes a flange in which the substrate entrance 21 is formed
  • reference numeral 2C denotes a flange in which the upper opening 25 is formed.
  • the upper opening 25 has an opening having a diameter larger than the diameter of the substrate W.
  • the heat treatment apparatus 1 is generally mounted on a substrate processing apparatus including a plurality of processing units. Therefore, a substrate transport mechanism TR (see FIG. 1) that transports the substrate W is disposed on the substrate entrance 21 side. That is, the substrate entrance / exit 21 is disposed facing the inside of the substrate processing apparatus. Further, other processing units are arranged in the left-right direction and the direction orthogonal to the paper surface in FIG. A cover of the substrate processing apparatus is arranged on the exhaust port 23 side. That is, the exhaust port 23 faces the outside of the substrate processing apparatus. For this reason, when the cover of the substrate processing apparatus is removed, the exhaust port 23 appears to face outward.
  • the exhaust duct unit 11 is a mechanism for exhausting the gas in the chamber 2.
  • the exhaust duct unit 11 includes a gas recovery unit 51, a trap unit 53, an exhaust pipe 55, an on-off valve 57, an aspirator 59, and an air supply unit 61.
  • the aspirator 59 functions as a pump and generates a suction force for exhausting the gas inside the chamber 2 through the gas recovery unit 51 and the like.
  • the air supply unit 61 supplies air for operating the aspirator 59.
  • the air supply unit 61 includes an air pipe 61A, two on-off valves 61B and 61C, and two flow rate adjusting valves 61D and 61E. As shown in FIG. 1, the air supply unit 61 is configured to be able to switch the air flow rate in two stages.
  • FIG. 3 is a perspective view showing the gas recovery part 51 and the trap part 53.
  • FIG. 4 is a schematic configuration diagram thereof.
  • FIG. 2 (a), FIG. 3, FIG. 4 and the like collect the gas in the chamber 2 in order to exhaust the gas.
  • the gas recovery unit 51 has an opening 51A having substantially the same size (width HA1 and height TA1) as the exhaust port 23 shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b).
  • the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 with the opening 51 ⁇ / b> A at one end thereof connected to the exhaust port 23. That is, the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 so that the positions of the opening 51A and the exhaust port 23 coincide.
  • the trap part 53 is connected to the opening 51B at the other end of the gas recovery part 51 as shown in FIG.
  • the trap part 53 crystallizes the sublimate in the gas collect
  • the sublimate is generated from the coating liquid on the substrate W as described above.
  • the trap unit 53 includes a trap channel 53A, an inlet 53B, an outlet side channel 53D, an outlet 53E, a cooling pipe 53F that is a gas cooling unit, and a sublimate collection unit 53G. .
  • the trap channel 53A is formed inside a tubular (hollow cylindrical) member, and is configured such that the lower end 53H is closed.
  • the trap channel 53A is for passing the gas recovered by the gas recovery unit 51.
  • the inflow port 53 ⁇ / b> B is connected to the opening 51 ⁇ / b> B at the other end of the gas recovery unit 51.
  • the gas flowing in through the inflow port 53B flows out of the outflow port 53E after sequentially passing through the trap flow channel 53A and the outflow port side flow channel 53D.
  • the outlet side channel 53D is a channel that connects between the trap channel 53A and the outlet 53E.
  • the cooling pipe 53F is provided on the outer periphery of the trap channel 53A between the inlet 53B and the outlet side channel 53D of the trap channel 53A.
  • the cooling pipe 53F is configured such that cooling water circulates and crystallizes (solidifies) a sublimate in the gas.
  • the outlet-side channel 53D is connected to the trap channel 53A at a position higher than the lower end 53H of the trap channel 53A.
  • a sublimate collection part 53G that collects the sublimate crystallized by the cooling pipe 53F is formed between the outlet-side channel 53D and the lower end 53H.
  • the sublimate that has been crystallized can be collected by the sublimate collection part 53G, and the gas after sublimation removal can be collected in the trap part 53 through the outlet side channel 53D and the outlet 53E in this order. It can be sent to the downstream exhaust pipe 55 or the like.
  • FIG. 5A is an enlarged longitudinal sectional view of a connecting portion between the chamber 2 and the gas recovery unit 51.
  • FIG. 5B is a longitudinal sectional view showing a state where the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2.
  • the gas recovery unit 51 is configured to be detachable from the chamber 2. That is, the heat treatment apparatus 1 includes a patched lock 63 for removing the gas recovery unit 51 from the chamber 2 and attaching the gas recovery unit 51 to the chamber 2.
  • the chamber 2 and the gas recovery part 51 are made of, for example, stainless steel.
  • the patch lock 63 corresponds to the detachable part and the fastener of the present invention.
  • the patchon lock 63 includes a receiving member 64 and a hook movable portion 65.
  • the receiving member 64 is provided on the flange 2 ⁇ / b> B of the chamber 2.
  • the hook movable part 65 (base 65F described later) is provided on the flange 51C of the gas recovery part 51.
  • the hook movable portion 65 includes a hook 65A, a lever 65B, an arm 65C, a first shaft 65D, a second shaft 65E, and a base 65F.
  • the hook 65 ⁇ / b> A is hooked on the receiving member 64.
  • the lever 65B operates the hook 65A.
  • the lever 65B is coupled to the base 65F so as to be rotatable around the first axis 65D.
  • a hook 65A is provided at one end of the arm 65C, and a second shaft 65E is provided at the other end of the arm 65C.
  • the arm 65C is connected to the lever 65B so as to be rotatable around the second shaft 65E.
  • the patch lock 63 presses the gas recovery unit 51 against the chamber 2 while holding the hook 65A on the receiving member 64 by the operation of the lever 65B, and holds this hooked and pressed state.
  • the patch lock 63 operates the hook 65A by operating the lever 65B, thereby releasing the above-described hooked and pressed state.
  • the patch lock 63 is constructed using the principle of the lever, with the first shaft 65D serving as a fulcrum, the second shaft 65E serving as an operating point, and a lever on the opposite side of the first shaft 65D across the second shaft 65E.
  • the position of 65B (for example, around the arrow) is the power point.
  • the patch lock 63 is provided at four locations.
  • Two L-shaped members 66 are provided on the upper surface of the flange 51 ⁇ / b> C of the gas recovery unit 51.
  • the L-shaped member 66 is used by being hooked on the chamber 2.
  • the L-shaped member 66 temporarily attaches (temporarily fixes) the heavy gas recovery unit 51 to the chamber 2 so as to be movable. Therefore, even if the hook 65A of the patch lock 63 is detached from the receiving member 64, the gas recovery unit 51 is held at the attached position.
  • FIG. 6A is a longitudinal sectional view showing a state where the gas recovery unit 51 is hooked on the chamber 2 by the L-shaped member 66.
  • FIG. 6B is a longitudinal sectional view showing a state where the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2.
  • the hook movable part 65 and the receiving member 64 may be provided in reverse. That is, the hook movable part 65 may be provided in the chamber 2 and the receiving member 64 may be provided in the gas recovery part 51.
  • the receiving member 64 is provided in one of the chamber 2 and the gas recovery part 51, and the hook movable part 65 is provided in the other of the chamber 2 and the gas recovery part 51.
  • the number of patchon tablets 63 is not limited to four, and the number of L-shaped members 66 is not limited to two. 6A, the L-shaped member 66 may be provided on the lower surface of the flange 2B of the chamber 2 so as to place the gas recovery unit 51 thereon.
  • the flange 2B of the chamber 2 is provided with an O-ring RG1.
  • the O-ring RG1 is disposed between the flange 2B and the flange 51C of the gas recovery unit 51.
  • the flange 2B is provided with a cooling flow path 28A through which cooling water circulates near the O-ring RG1. The cooling of the cooling channel 28A can prevent the O-ring RG1 from deteriorating.
  • the actuator 41 of the shutter unit 9 lowers the shutter main body 39 and opens the substrate entrance 21. Further, the actuator 35 of the support pin elevating unit 4 raises the support pin 31.
  • the substrate transport mechanism TR transports the substrate W onto the support pins 31 in the chamber 2. After the substrate transport mechanism TR is retracted out of the chamber 2, the shutter body 39 is raised and the substrate entrance 21 is closed. The support pin 31 remains raised.
  • the gas in the chamber 2 is replaced. That is, the inert gas supply unit 7 supplies nitrogen gas to the chamber 2.
  • the exhaust duct unit 11 supplies air to the aspirator 59 by the air supply unit 61 and opens the on-off valve 57. Thereby, the exhaust duct part 11 exhausts the gas in the chamber 2 through the exhaust port 23.
  • the supply of nitrogen gas to the chamber 2 and the exhaust of the gas in the chamber 2 are adjusted according to a preset recipe.
  • the support pins 31 are lowered and the substrate W is placed on the heat treatment plate 3. Thereby, heat treatment is started.
  • the support pins 31 are raised and the substrate W is cooled.
  • the supply and exhaust of nitrogen gas are stopped (the on-off valve 57 and the like are closed).
  • the substrate transport mechanism TR transports the substrate W after the heat treatment.
  • a coating solution containing a block copolymer in a DSA (Directed Self-Assembly) process or a coating solution for forming an antireflection film is applied.
  • the coating liquid is not limited to these liquids.
  • the gas containing the sublimate is exhausted through the exhaust port 23.
  • the exhaust port 23 has substantially the same width HA1 as the width HA2 inside the chamber 2 as shown in FIG.
  • the gas recovery unit 51 has an opening 51 ⁇ / b> A having substantially the same size as the exhaust port 23 at one end, and is attached to the chamber 2 with the opening 51 ⁇ / b> A at one end connected to the exhaust port 23. Therefore, the gas can be recovered from the chamber 2 without causing the gas to stay at the four corners indicated by the symbol YS in FIG.
  • the gas recovered by the gas recovery part 51 is sent to the trap part 53 through the opening 51B at the other end.
  • the cooling pipe 53F cools the sent gas and crystallizes the sublimate in the gas.
  • the crystallized sublimate is collected by the sublimate collection unit 53G, and the gas after sublimation removal is sent to the exhaust pipe 55 and exhausted.
  • ⁇ Maintenance method of heat treatment apparatus 1> Next, a maintenance method for the heat treatment apparatus 1 will be described. In the present embodiment, the maintenance method will be described by taking as an example the operation of placing the temperature measurement substrate 81 on the heat treatment plate 3 and measuring the temperature.
  • Step S01 Removal of Gas Recovery Unit 51
  • the lock of the patch lock 63 is released and the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2. That is, when the gas recovery part 51 is attached to the chamber 2, the patch lock 63 holds the state where the gas recovery part 51 is pressed against the chamber 2 while hooking the hook 65 ⁇ / b> A to the receiving member 64. The held hooking and pressing state is released by operating the lever 65B. As a result, the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2. In addition, the gas recovery part 51 is hooked on the chamber 2 by the L-shaped member 66 shown in FIG.
  • the gas recovery part 51 is not only detachable from the chamber 2 but also detachable from the trap part 53 (trap lower part 68).
  • the connecting member 69 is removed to separate the gas recovery part 51 and the trap upper part 67 from the integrated part from the trap lower part 68 including the cooling pipe 53F. Thereby, it is not necessary to remove the trap lower portion 68 from the frame 71 or remove the pipe connected to the cooling pipe 53F. Therefore, the gas recovery part 51 can be easily removed.
  • FIG. 7B shows a state after the hooked state by the L-shaped member 66 is also released and the gas recovery unit 51 and the like are removed.
  • the temperature measuring substrate 81 is carried in through the exhaust port 23.
  • the temperature measurement substrate 81 is of a wired type as shown in FIG. In the case of the wireless type, the wireless circuit may be broken because the measurement temperature is high.
  • the temperature measurement substrate 81 includes 17 temperature sensors 83 in order to measure the temperature in 17 locations within the substrate surface.
  • the temperature sensor 83 is composed of a thermocouple, a resistance temperature detector, a thermistor, or the like.
  • Each temperature sensor 83 is connected to a signal line (wiring) 84 for extending outside the chamber 2.
  • the signal line 84 sends temperature information and the like to a thermometer main body (not shown).
  • the temperature measurement substrate 81 includes one temperature sensor 83.
  • the temperature sensor 83 is not limited to 17.
  • the temperature sensor 83 may be one, five, nine, or other number. That is, the temperature measurement substrate 81 includes at least one temperature sensor 83.
  • the transport jig 86 includes a handle portion 87, an interference avoidance groove 88, and a substrate placement portion 89.
  • the handle part 87 is a part for the maintenance person to have.
  • the interference avoidance groove 88 is provided so as not to interfere with the support pin 31 of the heat treatment apparatus 1.
  • the substrate platform 89 is a portion on which a substrate W such as the temperature measurement substrate 81 is placed.
  • FIG. 7B is a diagram illustrating a state in which the temperature measurement substrate 81 is loaded.
  • Step S03 Attaching the Temperature Measurement Lid
  • the temperature measurement lid 90 shown in FIG. 7D is temporarily attached to the chamber 2.
  • the temperature measuring lid 90 is provided with two L-shaped members 66, a notch 91, and four patch locks 63.
  • the L-shaped member 66 provided on the temperature measurement lid 90 is hooked and temporarily attached to the flange 2B of the chamber 2 (see FIG. 6A).
  • the temperature measuring lid 90 is attached to the chamber 2 so as to close the exhaust port 23.
  • the signal lines 84 extending from each of the 17 temperature sensors 83 are drawn out of the chamber 2 through the notches 91 provided in the temperature measurement lid 90.
  • the temperature measurement lid 90 is attached to the chamber 2 by the Patchon lock 63 (main attachment).
  • the patchon lock 63 is configured to press the temperature measuring lid 90 against the chamber 2 while holding the hook 65A on the receiving member 64 by operating the lever 65B, and to hold this hooked and pressed state. Yes.
  • the patch lock 63 is configured to release the held hooking and pressing state by operating the lever 65B.
  • the patchon lock 63 presses the temperature measurement lid 90 against the chamber 2 while hooking the hook 65A on the receiving member 64, and holds the hook and the pressed state. Thereby, the chamber 2 provided with the exhaust port 23 and the temperature measurement lid 90 can be brought into close contact with each other. In addition, it is possible to prevent the gas from entering and exiting through the exhaust port 23 rather than temporarily attaching the temperature measurement lid 90 to the chamber 2 by the L-shaped member 66.
  • the temperature measuring lid 90 corresponds to the lid of the present invention.
  • the notch 91 corresponds to the passage of the present invention.
  • the passage of the present invention may be a tubular passage. If necessary, either the patch lock 63 or the L-shaped member 66 for attaching the temperature measurement lid 90 to the chamber 2 may not be provided.
  • Step S04 Temperature Measurement Thereafter, the support pins 31 are lowered and the temperature measurement substrate 81 is placed on the heat treatment plate 3. The temperature is measured using the temperature measurement substrate 81. When measuring temperature, the inside of the chamber 2 is performed under atmospheric pressure.
  • the temperature measurement substrate 81 having the temperature sensor 83 is carried into the chamber 2 through the exhaust port 23.
  • the wireless circuit for temperature measurement may be damaged by heating by the heat treatment plate 3. Therefore, although a wired (signal line 84) temperature measurement substrate 81 is used, it is difficult to send the wired temperature measurement substrate 81 through the substrate entrance 21 by the substrate transport mechanism TR (robot). Therefore, after removing the gas recovery unit 51 from the chamber 2, the wired temperature measurement substrate 81 can be easily carried into the chamber 2 through the exhaust port 23.
  • the signal line 84 extending from the temperature sensor 83 is passed through the notch 91 provided in the temperature measurement lid 90 different from the gas recovery unit 51.
  • a temperature measurement lid 90 is attached (temporarily attached) to the chamber 2 so as to close the exhaust port 23.
  • the exhaust port 23 is blocked by the temperature measurement lid 90. Therefore, the gas can be prevented from entering and exiting through the exhaust port 23, and the temperature can be measured while suppressing the influence of disturbance.
  • Step S05 Removal of Temperature Measurement Lid
  • the support pins 31 are raised to separate the temperature measurement substrate 81 from the heat treatment plate 3.
  • the temperature measurement lid 90 is removed from the chamber 2. That is, the hooked and pressed state is released by the patch lock 63 (unlocked).
  • the temperature measurement lid 90 is temporarily attached to the chamber 2 by the L-shaped member 66.
  • the hooked state by the L-shaped member 66 is released, and the temperature measurement lid 90 is completely removed from the chamber 2. Thereby, the exhaust port 23 appears as shown in FIG.
  • Step S06 Manual Unloading of Substrate
  • the maintenance person causes the conveyance jig 86 to enter the chamber 2 through the exhaust port 23 while passing the support pin 31 through the interference avoiding groove 88. Thereafter, the temperature measurement substrate 81 on the support pins 31 is placed on the transport jig 86. Then, the conveyance jig 86 is moved backward to carry the temperature measurement substrate 81 out of the chamber 2.
  • Step S07 Mounting Gas Recovery Unit 51
  • the support pin 31 is lowered.
  • the gas recovery unit 51 is temporarily attached to the chamber 2 by the L-shaped member 66 of the gas recovery unit 51 as shown in FIG.
  • the connecting member 69 connects the gas recovery part 51 and the trap upper part 67 together with the trap lower part 68 including the cooling pipe 53F.
  • the lever 65B of the patching lock 63 the gas recovery unit 51 is pressed against the chamber 2 while the hook 65A is hooked on the receiving member 64, and this hooked and pressed state is held (locked).
  • the gas recovery part 51 is attached to the chamber 2.
  • an exhaust port 23 is provided on the side wall of the chamber 2 separately from the substrate inlet / outlet port 21, and a gas recovery unit 51 for exhausting the gas in the chamber 2 is connected to the exhaust port 23.
  • the gas recovery unit 51 is detached from the chamber 2 and attached to the chamber 2 by the patchon lock 63.
  • the exhaust port 23 is opened.
  • This exhaust port 23 becomes an opening for maintenance. Thereby, the maintenance in the chamber 2 can be performed by the opening of the chamber 2 provided separately from the substrate entrance 21 without increasing the number of openings.
  • the patch and lock 63 includes a receiving member 64 provided in the chamber 2, a hook 65A provided in the gas recovery unit 51 and hooked to the receiving member 64, and a hook movable unit 65 having a lever 65B for operating the hook 65A. I have.
  • the patch'n lock 63 presses the gas recovery unit 51 against the chamber 2 while holding the hook 65A on the receiving member 64 by operating the lever 65B, and holds this hooked and pressed state.
  • the patch lock 63 releases the above-described hooked and pressed state held by the lever 65B operation.
  • ⁇ Sealing in the chamber 2 is important. Therefore, in order to block the exhaust port 23, it is required to keep the sealing of the joint surface between the chamber 2 provided with the exhaust port 23 and the gas recovery unit 51. However, if heat treatment is performed at a high temperature, seizure occurs at the joint surface between the chamber 2 and the gas recovery unit 51. In addition, when the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 with a bolt, seizure occurs even at the screw portion of the bolt. As a result, the bolts are less likely to come off and work efficiency is reduced. Moreover, there is a possibility that the head of the bolt may be broken by the force when removing the bolt. If the head of the bolt is torn off, subsequent handling becomes difficult.
  • the gas recovery part 51 can be detached from the chamber 2 by the operation of the lever 65B even when seizure occurs due to heat treatment. is there. Moreover, since the gas collection
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.
  • the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 by the patch lock 63.
  • the attachment of the gas recovery part 51 to the chamber 2 may be a fastener 93 as shown in FIG.
  • the fastener 93 includes a receiving member 94 and a hook movable portion 95.
  • the receiving member 94 is fixed to the flange 2B.
  • the receiving member 94 includes an inclined portion 94A and a holding portion 94B.
  • the inclined part 94 ⁇ / b> A presses the gas recovery part 51 against the chamber 2 in a stepwise manner. There is a step between the inclined portion 94A and the holding portion 94B. Due to this step, the hook 95A is held by the holding portion 94B.
  • the hook movable part 95 includes a hook 95A, a lever 95B, a rotation shaft 95D, and a base 95F.
  • the base 95 ⁇ / b> F is provided on the flange 51 ⁇ / b> C of the gas recovery unit 51.
  • the lever 95B can rotate around the rotation axis 95D with respect to the base 95F.
  • a rotation shaft 95D is provided at one end of the lever 95B, and a hook 95A is provided at the other end of the lever 95B.
  • the fastener 93 presses the gas recovery part 51 against the chamber 2 while hooking the hook 95A to the receiving member 94 by operating the lever 95B, and holds this hooked and pressed state, and is held by operating the lever 95B. It is configured to release the hooked and pressed state.
  • the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 using the patch lock 63.
  • the flange 2B of the chamber 2 is provided with a receiving member 64 as a separate member.
  • the receiving member 64 may be integrally formed with the flange 2B.
  • the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 by the cooperation of two patchon locks 63 on one side. That is, in FIG. 5A, the upper and lower two patched tablets 63 are used. However, any one of the two upper and lower patched tablets 63 may be replaced with a contact portion 97 formed of two members as shown in FIG.
  • the L-shaped member 66 is provided for temporary attachment, but the L-shaped member 66 may not be provided if necessary. Moreover, if it is the temporary attachment member which can be temporarily attached, it may not be L-shaped.
  • the exhaust port 23 has an opening width HA1 that is substantially the same as the width HA2 inside the chamber.
  • the opening width HA ⁇ b> 1 of the exhaust port 23 may be less than the width HA ⁇ b> 2 inside the chamber 2. That is, the exhaust port 23 has an opening width HA1 that is equal to or greater than the horizontal projection length HA3 when the substrate W on the heat treatment plate 3 is horizontally projected onto the side wall of the chamber 2 in which the exhaust port 23 is provided. Good. Thereby, it can collect
  • the substrate placement surface 3A and the substrate W of the heat treatment plate 3 are circular, but may be rectangular.

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Abstract

基板出入口とは別にチャンバ（２）の側壁には、排気口（２３）が設けられており、その排気口には、チャンバ内の気体を排気する気体回収部（５１）が接続されている。気体回収部は、パッチン錠（６３）によって、チャンバから取り外され、また、チャンバに取り付けられるようになっている。気体回収部をチャンバから取り外すと、排気口が開かれる。この排気口がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる。

Description

熱処理装置およびそのメンテナンス方法
　本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して熱処理を行う熱処理装置およびそのメンテナンス方法に関する。
　熱処理装置は、チャンバと熱処理プレートとを備えている。熱処理プレートは、チャンバの内部に設けられている。熱処理プレートは、水平姿勢で載置された基板に対して熱処理を行うが、この熱処理において、次のような問題がある。すなわち、基板上には、塗布液が塗布されている。熱処理プレートによって基板が加熱されると、塗布液から昇華物が発生する。そして、昇華物が冷却されると、昇華物が結晶化し、チャンバの内壁に付着および堆積する。この問題に対して、熱処理装置は、チャンバ内の気体を排気し、トラップ部によって昇華物を除去するように構成されている（例えば、特許文献１～３参照）。
　なお、特許文献２，３には、熱処理プレートに対して昇降する蓋状のチャンバを備えた熱処理装置が開示されている。蓋状のチャンバが上昇すると、熱処理プレートの側方が全周で開放される。
特開平０６－０８４７８２号公報 特許第４４６７２６６号公報 特許第４２９０５７９号公報
　上述の特許文献２，３の熱処理装置は、基板を取り出す際に、蓋状のチャンバが上昇して熱処理プレートの側方が全周で開放されるように構成されている。しかしながら、内部圧力やガス濃度を調節するために密閉性能が求められる場合には、熱処理プレートに対して一方向から基板を出入りさせる基板出入口を設けた構成を採用したい。しかしながら、基板出入口と別にチャンバのメンテナンス用の開口部が必要となるが、極力、開口部の個数は少なくしたい。
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる熱処理装置およびそのメンテナンス方法を提供することを目的とする。
　本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る熱処理装置は、基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内の下部に設けられ、基板を熱処理する熱処理プレートと、前記チャンバの側壁に設けられた基板出入口と、前記基板出入口とは別に前記チャンバの側壁に設けられた排気口と、前記排気口に接続されて前記チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部と、前記チャンバから前記排気ダクト部を取り外し、および前記チャンバに前記排気ダクト部を取り付けるための着脱部と、を備えていることを特徴とするものである。
　本発明に係る熱処理装置によれば、基板出入口とは別にチャンバの側壁には、排気口が設けられており、その排気口には、チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部が接続されている。排気ダクト部は、着脱部によって、チャンバから取り外され、また、チャンバに取り付けられるようになっている。排気ダクト部をチャンバから取り外すと、排気口が開かれる。この排気口がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる。
　また、上述の熱処理装置において、前記着脱部は留め具であり、前記留め具は、前記チャンバおよび前記排気ダクト部のうち一方に設けられた受け部材と、前記チャンバおよび前記排気ダクト部のうち他方に設けられ、前記受け部材に引っ掛けるフックおよび、前記フックを操作するレバーを有するフック可動部とを備え、前記レバー操作により、前記受け部材に前記フックを引っ掛けながら、前記排気ダクト部を前記チャンバに押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持し、また、前記レバー操作により、保持された前記引っ掛けおよび押し付け状態を解放することが好ましい。
　チャンバ内の密閉は重要である。そのため、排気口を塞ぐために、排気口が設けられたチャンバと排気ダクト部との接合面の密閉を保つことが求められる。しかしながら、高温で熱処理すると、チャンバと排気ダクト部との接合面で焼付きが生じる。また、ボルトによってチャンバに排気ダクト部を取り付けていると、ボルトのネジ部分でも焼付きが生じる。これにより、ボルトが外れにくくなり作業効率が低下する。また、ボルトを外すときの力でボルトの頭部がちぎれてしまう可能性がある。ボルトの頭部がちぎれてしまうと、その後の対応が困難となる。本発明の留め具によれば、熱処理による焼付きが生じた場合であっても、レバー操作により、チャンバから排気ダクト部を取り外すことができる。そのため、排気ダクト部の取り外しが容易である。また、レバー操作により、排気ダクト部の取り付けおよび取り外しができるので、工具を必要としない。このことによっても、排気ダクト部の取り付けおよび取り外しが容易となる。
　また、上述の熱処理装置において、前記熱処理プレートは、基板を水平姿勢で載置した状態で熱処理し、前記排気口は、水平方向に扁平であって、前記熱処理プレート上の基板を前記排気口が設けられた前記チャンバの側壁に水平投影させた場合の水平方向の投影長さ以上の開口幅を有することが好ましい。これにより、メンテナンス用の開口部として用いられる排気口を通じて、基板の出し入れができる。
　また、本発明に係る熱処理装置のメンテナンス方法は、基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内の下部に設けられ、基板を熱処理する熱処理プレートと、前記チャンバの側壁に設けられた基板出入口とを備えた熱処理装置のメンテナンス方法において、着脱部によって、前記基板出入口とは別に前記チャンバの側壁に設けられた排気口に接続されて前記チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部を前記チャンバから取り外す工程と、前記着脱部によって、前記チャンバに前記排気ダクト部を取り付ける工程と、を備えていることを特徴とするものである。
　本発明に係る熱処理装置のメンテナンス方法によれば、基板出入口とは別にチャンバの側壁には、排気口が設けられており、その排気口には、チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部が接続されている。排気ダクト部は、着脱部によって、チャンバから取り外され、また、チャンバに取り付けられるようになっている。排気ダクト部をチャンバから取り外すと、排気口が開かれる。この排気口がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる。
　また、上述の熱処理装置のメンテナンス方法において、前記チャンバから前記排気ダクト部を取り外した後、前記チャンバ外まで延ばすための信号線が接続された温度センサを有する温度測定用基板を、前記排気口を通じて前記チャンバに搬入する工程と、前記温度測定用基板の搬入後、前記温度測定用基板を用いて温度を測定する工程と、を更に備えていることが好ましい。
　無線の温度測定用基板は、熱処理プレートによる加熱で無線回路が壊れてしまう場合がある。そのため、有線の温度測定用基板が用いられるが、基板搬送ロボットにより基板出入口を通じて有線の温度測定用基板を送ることは難しい。そのため、チャンバから排気ダクト部を取り外した後、有線の温度測定用基板を、排気口を通じて熱処理プレートに容易に搬送することができる。
　また、上述の熱処理装置のメンテナンス方法において、前記温度測定用基板の搬入後、前記排気ダクト部と異なる蓋部に設けられた通路を通じて、前記温度センサから延びる前記信号線をチャンバ外に引き出しながら、前記排気口を塞ぐように前記チャンバに前記蓋部を取り付ける工程と、を更に備えていることが好ましい。排気ダクト部に代えて蓋部をチャンバに取り付けると、排気口は蓋部によって塞がれる。そのため、排気口を通じて気体が出入りすることを抑制でき、外乱の影響を抑えながら温度測定できる。
　また、上述の熱処理装置のメンテナンス方法において、前記蓋部を取り付ける工程は、前記チャンバおよび前記蓋部のうち一方に設けられた受け部材と、前記チャンバおよび前記蓋部のうち他方に設けられ、前記受け部材に引っ掛けるフックおよび、前記フックを操作するレバーとを有するフック可動部とを備えた留め具によって、前記レバー操作により、前記受け部材に前記フックを引っ掛けながら、前記蓋部を前記チャンバに押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持することで、前記排気口を塞ぐように前記チャンバに前記蓋部を取り付けることを特徴とするが好ましい。このような留め具により、受け部材にフックを引っ掛けながら、蓋部をチャンバに押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態が保持されるので、排気口が設けられたチャンバと蓋部とを密着させることができる。そのため、さらに、排気口を通じて気体が出入りすることを抑制できる。
　本発明に係る熱処理装置およびそのメンテナンス方法によれば、排気ダクト部をチャンバから取り外すと、排気口が開かれる。この排気口がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる。
実施例に係る熱処理装置の概略構成図である。 （ａ）は、チャンバ等の平面図であり、（ｂ）は、チャンバを正面から見たときの排気口およびチャンバのフランジを示す図である。 気体回収部およびトラップ部を示す斜視図である。 気体回収部およびトラップ部を示す概略構成図である。 （ａ）は、チャンバと気体回収部の連結部分を拡大した縦断面図であり、（ｂ）は、チャンバから気体回収部を取り外した状態を示す縦断面図である。 （ａ）は、Ｌ字部材によりチャンバに対して気体回収部を引っ掛けた状態を示す縦断面図であり、（ｂ）は、チャンバから気体回収部を取り外した状態を示す縦断面図である。 （ａ）は、気体回収部をチャンバおよびトラップ下部に取り付けた状態を示す図であり、（ｂ）は、気体回収部をチャンバおよびトラップ下部から取り外した状態を示す図であり、（ｃ）は、温度測定用基板をチャンバ内に搬入した状態を示す図であり、（ｄ）は、温度測定用蓋部をチャンバに取り付けた状態を示す図である。 搬送治具を説明するための図である。 （ａ）は、留め具の変形例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の留め具等を右側から見た右側面図である。 留め具の変形例を示す図である。 留め具の変形例を示す図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例に係る熱処理装置の概略構成図である。
　＜熱処理装置１の構成＞
　熱処理装置１は、基板Ｗを熱処理するものである。熱処理装置１は、チャンバ２、熱処理プレート３、支持ピン昇降部４、ガス供給バッファ部５、不活性ガス供給部７、シャッター部９、排気ダクト部１１、制御部１３および設定部１５を備えている。
　なお、本実施例の熱処理装置１は、特許文献２，３のように、熱処理プレートに対して蓋状のチャンバが昇降する構成となっていない。すなわち、本実施例の熱処理装置１は、内部圧力やガス濃度を調節するために密閉性能を得られるように構成されている。
　チャンバ２は、基板Ｗを収容するものである。チャンバ２は、基板出入口２１、排気口２３および上部開口部２５を備えている。基板出入口２１は、チャンバ２の側壁に設けられ、チャンバ２内に基板Ｗを搬出および搬入するための開口である。排気口２３は、チャンバ２内の気体を排気するための開口である。なお、排気口２３等は後述する。
　熱処理プレート３は、基板Ｗを水平姿勢で載置した状態で熱処理するものである。熱処理プレート３は、チャンバ２内の下部に設けられている。熱処理プレート３は、ベース板２７に取り付けられており、チャンバ２の底部に設けられたもう１つの開口に挿入されることで配置される。ベース板２７は、ＯリングＲＧを介在させてチャンバ２に取り付けられている。なお、ＯリングＲＧの劣化を防止するために、ＯリングＲＧの近傍に、冷却水が循環する冷却管２８が設けられている。
　熱処理プレート３は、ヒータ２９を備えている。ヒータ２９は、熱処理プレート３を温調し、例えば、３００℃～４００℃の範囲で調節する。また、熱処理プレート３には、図示しないプロキシミティボールが埋設されている。これにより、基板Ｗの下面と熱処理プレート３の表面との間に所定の隙間が形成される（例えば０．１ｍｍ）。
　支持ピン昇降部４は、３本の支持ピン３１（図１では図示の関係上、２本のみ示す）、昇降部材３３、およびアクチュエータ３５を備えている。３本の支持ピン３１は、平面視で略正三角形状に配置されている。支持ピン３１は、熱処理プレート３を貫通するように、設けられている。支持ピン３１は、昇降部材３３で支持されており、アクチュエータ３５は、昇降部材３３を介在させて支持ピン３１を昇降させる。
　ガス供給バッファ部５は、上部開口部２５に蓋をするように、ＯリングＲＧを介在させてチャンバ２に取り付けられている。ガス供給バッファ部５は、チャンバ２に対して着脱可能に構成されている。チャンバ２からガス供給バッファ部５を取り外した場合、上部開口部２５は、チャンバ２内をメンテナンスするための開口となる。ガス供給バッファ部５は、例えばパンチングメタルで構成された拡散板３７を備えている。拡散板３７は、不活性ガス供給部７により供給された窒素（Ｎ２）ガスを、拡散板３７の貫通口３７Ａを通じて熱処理空間ＨＳに拡散させる。なお、熱処理空間ＨＳは、略直方体に形成されている。
　不活性ガス供給部７は、不活性ガスとして窒素ガスをチャンバ２（ガス供給バッファ部５）に供給する。不活性ガス供給部７は、例えば２個の流体調整弁などを備え、窒素ガスの流量を二段階に切り替え可能に構成されている。
　シャッター部９は、基板出入口２１の前面に設けられている。シャッター部９は、シャッター本体３９とアクチュエータ４１とを備えている。アクチュエータ４１は、シャッター本体３９を上下方向に移動させる。これにより、シャッター本体３９を実線または破線の位置に移動させて、基板出入口２１を開閉する。また、シャッター本体３９には、ＯリングＲＧが設けられており、シャッター本体３９で基板出入口２１を閉じた際に、ＯリングＲＧは、シャッター本体３９とチャンバ２との間に配置される。
　制御部１３は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、タイマを備えている。制御部１３は、熱処理プレート３、支持ピン昇降部４、不活性ガス供給部７、シャッター部９、排気ダクト部１１などの熱処理装置１の各構成を制御する。メモリには、熱処理の手順を規定した複数個のレシピやその他熱処理装置１に必要な動作プログラムが記憶されている。設定部１５は、オペレータによって操作されるものであり、複数個のレシピの一つを選択したり、レシピを編集したり、処理の開始を指示したり、警報発生時の操作を指示したりする。なお、設定部１５は、液晶モニタなどの表示部並びに、マウス、キーボード、各種スイッチなどの入力部を備えている。
　＜チャンバ２の排気口２３等および排気ダクト部１１の構成＞
　次に、チャンバ２の排気口２３等および排気ダクト部１１を説明する。図２（ａ）は、チャンバ２等の平面図であり、図２（ｂ）は、チャンバ２を正面から見たとき（ＡＡ視）の排気口２３およびチャンバ２のフランジ２Ｂを示す図である。
　排気口２３は、基板出入口２１とは別にチャンバ２の側壁に設けられている。本実施例では、排気口２３は、基板出入口２１と対向するチャンバ２の側壁に設けられている。なお、必要により、排気口２３は、基板出入口２１と対向して配置されていなくてもよい。排気口２３は、水平方向に扁平である。排気口２３は、基板出入口２１と略同じ大きさの開口を有している。具体的に、排気口２３は、チャンバ２の内部の幅ＨＡ２と略同じ開口幅ＨＡ１を有する。すなわち、排気口２３の開口幅ＨＡ１は、チャンバ２の左内側壁２Ｌと右内側壁２Ｒとの間の幅ＨＡ２と略同じである。このため、排気口２３に排気ダクト部１１が接続されていない場合、排気口２３からも基板Ｗを出し入れできる。
　なお、排気口２３は、図２（ｂ）、後述する図５（ａ）のように、チャンバ２の内部の高さＴＡ２と略同じ開口高さＴＡ１を有している。すなわち、図５（ａ）のように、排気口２３の開口高さＴＡ１は、チャンバ２の内部の天井２Ｕと基板載置面３Ａとの間の高さＴＡ２と略同じである。
　なお、図２（ａ）において、符号２Ａは、基板出入口２１が形成されたフランジであり、符号２Ｃは、上部開口部２５が形成されたフランジである。また、上部開口部２５は、基板Ｗの直径よりも大きい直径の開口を有している。
　熱処理装置１は、一般的に、複数の処理ユニットを備えた基板処理装置に搭載される。そのため、基板出入口２１側には、基板Ｗを搬送する基板搬送機構ＴＲ（図１参照）が配置されている。すなわち、基板出入口２１は、基板処理装置の内側を向いて配置される。また、図２（ａ）における左右方向および紙面と直交する方向には、他の処理ユニットが配置される。そして、排気口２３側には、基板処理装置のカバーが配置される。すなわち、排気口２３は基板処理装置の外側を向いている。このため、基板処理装置のカバーを外せば、排気口２３が外側に向いて現れるように構成されている。
　図１に戻る。排気ダクト部１１は、チャンバ２内の気体を排気するための機構である。排気ダクト部１１は、気体回収部５１、トラップ部５３、排気管５５、開閉弁５７，アスピレータ（aspirator）５９、および空気供給部６１を備えている。アスピレータ５９は、ポンプとして機能し、気体回収部５１等を通じてチャンバ２の内部の気体を排気するための吸引力を生成する。空気供給部６１は、アスピレータ５９を動作させるための空気を供給する。空気供給部６１は、空気配管６１Ａ、２個の開閉弁６１Ｂ、６１Ｃ、および２個の流量調整弁６１Ｄ，６１Ｅを備えている。図１のように、空気供給部６１は、空気の流量を二段階に切り替え可能に構成されている。
　図３は、気体回収部５１およびトラップ部５３を示す斜視図である。図４は、それらの概略構成図である。
　図２（ａ）、図３、図４等に示す気体回収部５１は、排気を行うために、チャンバ２内の気体を回収するものである。気体回収部５１は、図２（ａ）、図２（ｂ）に示す排気口２３と略同じの大きさ（幅ＨＡ１および高さＴＡ１）の開口部５１Ａを有する。そして、気体回収部５１は、その一端の開口部５１Ａを排気口２３に接続させてチャンバ２に取り付けられる。すなわち、開口部５１Ａと排気口２３との位置が一致するように、気体回収部５１がチャンバ２に取り付けられる。
　トラップ部５３は、図４のように、気体回収部５１の他端の開口部５１Ｂに接続されている。トラップ部５３は、気体回収部５１で回収された気体中の昇華物を結晶化して、結晶化した昇華物を除去するものである。昇華物は、上述のように、基板Ｗ上の塗布液から発生する。図４のように、トラップ部５３は、トラップ流路５３Ａ、流入口５３Ｂ、流出口側流路５３Ｄ、流出口５３Ｅ、気体冷却部である冷却管５３Ｆ、および昇華物収集部５３Ｇを備えている。
　トラップ流路５３Ａは、管状（中空円筒状）の部材の内部に形成され、下端５３Ｈが閉ざされて構成されている。トラップ流路５３Ａは、気体回収部５１で回収された気体を通すためのものである。流入口５３Ｂは、図４のように、気体回収部５１の他端の開口部５１Ｂに接続されている。流入口５３Ｂを通って流入した気体は、トラップ流路５３Ａ、流出口側流路５３Ｄを順番に通った後、流出口５３Ｅから流出する。流出口側流路５３Ｄは、トラップ流路５３Ａと流出口５３Ｅとの間を繋ぐ流路である。
　冷却管５３Ｆは、トラップ流路５３Ａの流入口５３Ｂと流出口側流路５３Ｄとの間のトラップ流路５３Ａの外周に設けられている。冷却管５３Ｆは、冷却水が循環するようになっており、気体中の昇華物を結晶化（固化）させる。流出口側流路５３Ｄは、トラップ流路５３Ａの下端５３Ｈよりも高い位置でトラップ流路５３Ａに接続されている。これにより、流出口側流路５３Ｄと下端５３Ｈとの間には、冷却管５３Ｆで結晶化された昇華物を収集する昇華物収集部５３Ｇが形成される。そのため、結晶化された昇華物を昇華物収集部５３Ｇに収集させることができ、また、昇華物除去後の気体を、流出口側流路５３Ｄ、流出口５３Ｅを順番に通じてトラップ部５３の下流の排気管５５等に送ることができる。
　図５（ａ）は、チャンバ２と気体回収部５１の連結部分を拡大した縦断面図である。図５（ｂ）は、チャンバ２から気体回収部５１を取り外した状態を示す縦断面図である。
　気体回収部５１は、チャンバ２に対して着脱可能に構成されている。すなわち、熱処理装置１は、チャンバ２から気体回収部５１を取り外し、およびチャンバ２に気体回収部５１を取り付けるためのパッチン錠６３を備えている。チャンバ２および気体回収部５１は、例えばステンレス鋼で構成されている。なお、パッチン錠６３は、本発明の着脱部および留め具に相当する。
　パッチン錠６３は、受け部材６４とフック可動部６５とを備えている。受け部材６４は、チャンバ２のフランジ２Ｂに設けられている。一方、フック可動部６５（後述する基台６５Ｆ）は、気体回収部５１のフランジ５１Ｃに設けられている。また、フック可動部６５は、フック６５Ａ、レバー６５Ｂ、アーム６５Ｃ、第１軸６５Ｄ、第２軸６５Ｅ、および基台６５Ｆを備えている。フック６５Ａは受け部材６４に引っ掛けるものである。レバー６５Ｂは、フック６５Ａを操作するものである。レバー６５Ｂは、基台６５Ｆに対して第１軸６５Ｄ周りに回転可能に連結されている。アーム６５Ｃの一端には、フック６５Ａが設けられており、アーム６５Ｃの他端には、第２軸６５Ｅが設けられている。アーム６５Ｃは、レバー６５Ｂに対して第２軸６５Ｅ周りに回転可能に連結されている。
　パッチン錠６３は、レバー６５Ｂの操作によって、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながら、気体回収部５１をチャンバ２に押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持する。また、パッチン錠６３は、レバー６５Ｂの操作によって、フック６５Ａを操作することで、保持された上述の引っ掛けおよび押し付け状態を解放する。なお、パッチン錠６３は、てこの原理を用いた構成となっており、第１軸６５Ｄが支点、第２軸６５Ｅが作用点、第２軸６５Ｅを挟んで第１軸６５Ｄの反対側のレバー６５Ｂの位置（例えば矢印周辺）が力点となる。
　図３のように、パッチン錠６３は４箇所に設けられている。また、気体回収部５１のフランジ５１Ｃの上面には、２個のＬ字部材６６が設けられている。Ｌ字部材６６は、チャンバ２に引っ掛けて用いられる。Ｌ字部材６６は、重量のある気体回収部５１をチャンバ２に移動可能に仮取り付け（仮固定）するものである。そのため、パッチン錠６３のフック６５Ａが受け部材６４から外れていても、気体回収部５１は、取り付けられていた位置に保持される。図６（ａ）は、Ｌ字部材６６によりチャンバ２に対して気体回収部５１を引っ掛けた状態を示す縦断面図である。図６（ｂ）は、チャンバ２から気体回収部５１を取り外した状態を示す縦断面図である。
　なお、図５（ａ）において、フック可動部６５と受け部材６４は、逆に設けられてもよい。すなわち、フック可動部６５がチャンバ２に設けられ、受け部材６４が気体回収部５１に設けられていてもよい。受け部材６４は、チャンバ２および気体回収部５１のうち一方に設けられ、フック可動部６５は、チャンバ２および気体回収部５１のうち他方に設けられている。また、図３において、パッチン錠６３の個数は４個に限定されず、Ｌ字部材６６は２個に限定されない。図６（ａ）の破線ＢＬのように、Ｌ字部材６６は、気体回収部５１を載せるように、チャンバ２のフランジ２Ｂの下面に設けられてもよい。
　また、チャンバ２のフランジ２Ｂには、ＯリングＲＧ１が設けられる。ＯリングＲＧ１は、フランジ２Ｂと気体回収部５１のフランジ５１Ｃとの間に配置される。また、フランジ２Ｂには、ＯリングＲＧ１の近くに冷却水が循環する冷却流路２８Ａが設けられている。冷却流路２８Ａの冷却により、ＯリングＲＧ１の劣化を防止できる。
　＜熱処理装置１の動作＞
　次に、熱処理装置１の動作について説明する。図１を参照する。シャッター部９のアクチュエータ４１は、シャッター本体３９を下降させて、基板出入口２１を開く。また、支持ピン昇降部４のアクチュエータ３５は、支持ピン３１を上昇させる。基板搬送機構ＴＲは、チャンバ２内の支持ピン３１上に基板Ｗを搬送する。基板搬送機構ＴＲがチャンバ２外に後退した後、シャッター本体３９を上昇して、基板出入口２１を閉じる。支持ピン３１は上昇したままである。
　その後、チャンバ２内の気体を置換する。すなわち、不活性ガス供給部７は、チャンバ２に窒素ガスを供給する。この際、排気ダクト部１１は、空気供給部６１によりアスピレータ５９に空気を供給し、開閉弁５７を開く。これにより、排気ダクト部１１は、排気口２３を通じて、チャンバ２内の気体を排気する。なお、チャンバ２への窒素ガスの供給、およびチャンバ２内の気体の排気は、予め設定されたレシピに従って調整される。
　その後、レシピに基づき、酸素濃度が所定値以下になると、支持ピン３１を下降して、基板Ｗを熱処理プレート３上に載置する。これにより熱処理を開始する。熱処理が終了すると、支持ピン３１を上昇し、基板Ｗを冷却する。冷却後、窒素ガスの供給および排気を停止する（開閉弁５７等を閉じる）。そして、基板出入口２１が開いた後、基板搬送機構ＴＲは、熱処理後の基板Ｗを搬送する。
　次に、気体回収部５１およびトラップ部５３の動作を説明する。基板Ｗ上には、ＤＳＡ（Directed Self-Assembly）プロセスにおけるブロック共重合体（block copolymer）を含む塗布液、あるいは、反射防止膜を形成するための塗布液が塗布されている。なお、塗布液は、これらの液に限定されない。基板Ｗが熱処理プレート３に載置されて基板Ｗが高温になると、塗布液から昇華物が発生する。詳しくは、塗布液の溶剤に溶剤以外の成分が溶け出して、溶け出した溶剤以外の成分が溶剤と共に蒸発する。これにより、昇華物が発生する。発生した昇華物は、チャンバ２内の気体に含まれる（混入する）。
　昇華物を含む気体は、排気口２３を通じて排気される。排気口２３は、図２（ａ）のように、チャンバ２の内部の幅ＨＡ２と略同じ幅ＨＡ１を有している。また、気体回収部５１は、排気口２３と略同じ大きさの開口部５１Ａを一端に有し、その一端の開口部５１Ａを排気口２３に接続させてチャンバ２に取り付けられている。そのため、図２（ａ）の符号ＹＳで示す四隅で気体を滞留させることなく、チャンバ２内から気体を回収することができる。気体回収部５１で回収した気体は、他端の開口部５１Ｂを通じて、トラップ部５３に送られる。トラップ部５３において、冷却管５３Ｆは、送られた気体を冷却し、気体中の昇華物を結晶化する。結晶化した昇華物は、昇華物収集部５３Ｇに収集され、昇華物除去後の気体は、排気管５５に送られて排気される。
　＜熱処理装置１のメンテナンス方法＞
　次に、熱処理装置１のメンテナンス方法について説明する。なお、本実施例において、熱処理プレート３に温度測定用基板８１を載置して温度測定をする作業を一例にメンテナンス方法について説明する。
　〔ステップＳ０１〕気体回収部５１の取り外し
　図７（ａ）において、レバー６５Ｂの操作により、パッチン錠６３のロックを解除し、チャンバ２から気体回収部５１を取り外す。すなわち、チャンバ２に気体回収部５１が取り付けられている場合、パッチン錠６３は、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながら、チャンバ２に対して気体回収部５１が押し付けた状態が保持されている。レバー６５Ｂ操作により、この保持された引っ掛けおよび押し付け状態を解除する。これにより、チャンバ２から気体回収部５１が取り外される。なお、図６に示すＬ字部材６６により、気体回収部５１は、チャンバ２に引っ掛かっており、仮取り付けの状態になっている。
　気体回収部５１は、チャンバ２に対して着脱可能であるだけでなく、トラップ部５３（トラップ下部６８）に対しても着脱可能である。図７（ａ）において、連結部材６９を取り外して、気体回収部５１およびトラップ上部６７が一体となったものと、冷却管５３Ｆを含むトラップ下部６８とを分離する。これにより、フレーム７１からトラップ下部６８を取り外したり、冷却管５３Ｆと接続される配管などを取り外したりしなくてもよい。そのため、気体回収部５１を容易に取り外すことができる。Ｌ字部材６６による引っ掛けた状態も解除し、気体回収部５１等を取り外した後の状態を図７（ｂ）に示す。
　〔ステップＳ０２〕基板の手動搬入
　図７（ｂ）において、排気口２３を通じて温度測定用基板８１を搬入する。温度測定用基板８１は、図７（ｃ）のように、有線タイプである。無線タイプの場合、測定温度が高いため無線回路が壊れてしまう場合がある。温度測定用基板８１は、基板面内を１７箇所で温度測定するため、１７個の温度センサ８３を備えている。温度センサ８３は、熱電対、測温抵抗体またはサーミスタなどで構成される。温度センサ８３には各々、チャンバ２外まで延ばすための信号線（配線）８４が接続されている。信号線８４は、図示しない温度計本体に温度情報等を送る。図７（ｃ）において、図示の便宜上、温度測定用基板８１は、１つの温度センサ８３を備えている。
　なお、温度センサ８３は、１７個に限定されない。例えば、温度センサ８３は、１個、５個、９個またはその他の個数でもよい。すなわち、温度測定用基板８１は、少なくとも１個の温度センサ８３を備えている。
　温度測定用基板８１の搬入は、図８の搬送治具８６を用いて行う。図８において、搬送治具８６は、取手部８７、干渉回避溝８８および基板載置部８９を備えている。取手部８７は、メンテナンス者が持つため部分である。干渉回避溝８８は、熱処理装置１の支持ピン３１と干渉しないように設けられている。基板載置部８９は、温度測定用基板８１などの基板Ｗを載置する部分である。
　図７（ｂ）において、アクチュエータ３５（図１参照）は、昇降部材３３を介して支持ピン３１を上昇させる。上昇後、メンテナンス者は、搬送治具８６に温度測定用基板８１を載置する。その後、メンテナンス者は、排気口２３を通じて、支持ピン３１を干渉回避溝８８に通しつつ、搬送治具８６をチャンバ２内に侵入させる。そして、メンテナンス者は、チャンバ２内の支持ピン３１上に温度測定用基板８１を載置する。載置後、メンテナンス者は、搬送治具８６をチャンバ２外に後退させる。図７（ｃ）は、温度測定用基板８１を搬入した状態を示す図である。
　〔ステップＳ０３〕温度測定用蓋部の取り付け
　図７（ｃ）において、温度測定用基板８１の搬入後、排気口２３を塞ぐようにチャンバ２に温度測定用蓋部９０を取り付ける。まず、図７（ｄ）に示す温度測定用蓋部９０をチャンバ２に仮取り付けする。温度測定用蓋部９０には、図７（ｄ）のように、２個のＬ字部材６６、切り欠き部９１、および４個のパッチン錠６３が設けられている。チャンバ２のフランジ２Ｂ（図６（ａ）参照）に温度測定用蓋部９０に設けられたＬ字部材６６を引っ掛けて仮取り付けする。これにより、排気口２３を塞ぐようにチャンバ２に温度測定用蓋部９０を取り付ける。この際、図７（ｄ）のように、１７個の温度センサ８３の各々から延びる信号線８４を温度測定用蓋部９０に設けられた切り欠き部９１を通じてチャンバ２外に引き出す。
　温度測定用蓋部９０をチャンバ２に仮取り付けした後、パッチン錠６３によって、温度測定用蓋部９０をチャンバ２に取り付ける（本取り付け）。パッチン錠６３は、上述のように、レバー６５Ｂ操作により、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながらチャンバ２に温度測定用蓋部９０を押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持するように構成されている。また、パッチン錠６３は、レバー６５Ｂ操作により、保持された引っ掛けおよび押し付け状態を解放するように構成されている。
　パッチン錠６３は、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながら、温度測定用蓋部９０をチャンバ２に押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持する。これにより、排気口２３が設けられたチャンバ２と温度測定用蓋部９０とを密着させることができる。また、Ｌ字部材６６によって温度測定用蓋部９０をチャンバ２に仮取り付けするよりも、排気口２３を通じて気体が出入りすることを抑制できる。
　なお、温度測定用蓋部９０は、本発明の蓋部に相当する。切り欠き部９１は、本発明の通路に相当する。本発明の通路は、管状通路であってもよい。必要により、温度測定用蓋部９０をチャンバ２に取り付けるためのパッチン錠６３およびＬ字部材６６のいずれか一方を設けないようにしてもよい。
　〔ステップＳ０４〕温度測定
　その後、支持ピン３１を下降して、温度測定用基板８１を熱処理プレート３上に載置する。温度測定用基板８１を用いて温度を測定する。温度測定の際、チャンバ２内が大気圧の状態で行われる。
　本実施例のメンテナンス方法において、チャンバ２に対して気体回収部５１を取り外した後、温度センサ８３を有する温度測定用基板８１を、排気口２３を通じてチャンバ２内に搬入している。無線の温度測定用基板は、熱処理プレート３による加熱で無線回路が壊れてしまう場合がある。そのため、有線（信号線８４）の温度測定用基板８１が用いられるが、基板搬送機構ＴＲ（ロボット）により基板出入口２１を通じて有線の温度測定用基板８１を送ることは難しい。そのため、チャンバ２に対して気体回収部５１を取り外した後、有線の温度測定用基板８１を、排気口２３を通じてチャンバ２内に容易に搬入ことができる。
　また、本実施例のメンテナンス方法において、温度測定用基板８１の搬入後、気体回収部５１と異なる温度測定用蓋部９０に設けられた切り欠き部９１を通じて、温度センサ８３から延びる信号線８４をチャンバ２外に引き出しながら、排気口２３を塞ぐようにチャンバ２に温度測定用蓋部９０を取り付け（仮取り付け）している。気体回収部５１に代えてチャンバ２に取り付けると、排気口２３は温度測定用蓋部９０によって塞がれる。そのため、排気口２３を通じて気体が出入りすることを抑制でき、外乱の影響を抑えながら温度測定できる。
　〔ステップＳ０５〕温度測定用蓋部の取り外し
　温度測定の終了後、支持ピン３１を上昇させて温度測定用基板８１を熱処理プレート３から離す。チャンバ２に対して温度測定用蓋部９０を取り外す。すなわち、パッチン錠６３によって、保持された引っ掛けおよび押し付け状態を解放する（ロック解除）。この際、Ｌ字部材６６により、温度測定用蓋部９０は、チャンバ２に対して仮取り付けされている。このＬ字部材６６による引っ掛け状態を解除して、チャンバ２に対して温度測定用蓋部９０を完全に取り外す。これにより、図７（ｃ）のように、排気口２３が現れる。
　〔ステップＳ０６〕基板の手動搬出
　図７（ｃ）において、メンテナンス者は、排気口２３を通じて、支持ピン３１を干渉回避溝８８に通しつつ、搬送治具８６をチャンバ２内に侵入させる。その後、支持ピン３１上の温度測定用基板８１を搬送治具８６に載置する。そして、搬送治具８６を後退させて、温度測定用基板８１をチャンバ２外に搬出する。
　〔ステップＳ０７〕気体回収部５１の取り付け
　図７（ｂ）において、支持ピン３１を下降する。その後、気体回収部５１のＬ字部材６６により、図６のように、チャンバ２に対して気体回収部５１を仮取り付けする。その後、連結部材６９により、気体回収部５１およびトラップ上部６７が一体となったものと、冷却管５３Ｆを含むトラップ下部６８とを連結する。その後、パッチン錠６３のレバー６５Ｂの操作により、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながらチャンバ２に気体回収部５１を押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持する（ロック）。これにより、チャンバ２に気体回収部５１が取り付けられる。図７（ａ）に示す状態に戻る。
　本実施例によれば、基板出入口２１とは別にチャンバ２の側壁には、排気口２３が設けられており、その排気口２３には、チャンバ２内の気体を排気する気体回収部５１が接続されている。気体回収部５１は、パッチン錠６３によって、チャンバ２から取り外され、また、チャンバ２に取り付けられるようになっている。気体回収部５１をチャンバ２から取り外すと、排気口２３が開かれる。この排気口２３がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口２１とは別に設けられたチャンバ２の開口部によって、チャンバ２内のメンテナンスができる。
　また、パッチン錠６３は、チャンバ２に設けられた受け部材６４と、気体回収部５１に設けられ、受け部材６４に引っ掛けるフック６５Ａおよび、フック６５Ａを操作するレバー６５Ｂを有するフック可動部６５とを備えている。パッチン錠６３は、レバー６５Ｂ操作により、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながら、気体回収部５１をチャンバ２に押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持する。また、パッチン錠６３は、レバー６５Ｂ操作により、保持された上述の引っ掛けおよび押し付け状態を解放する。
　チャンバ２内の密閉は重要である。そのため、排気口２３を塞ぐために、排気口２３が設けられたチャンバ２と気体回収部５１との接合面の密閉を保つことが求められる。しかしながら、高温で熱処理すると、チャンバ２と気体回収部５１との接合面で焼付きが生じる。また、ボルトによってチャンバ２に気体回収部５１を取り付けていると、ボルトのネジ部分でも焼付きが生じる。これにより、ボルトが外れにくくなり作業効率が低下する。また、ボルトを外すときの力でボルトの頭部がちぎれてしまう可能性がある。ボルトの頭部がちぎれてしまうと、その後の対応が困難となる。本発明の留め具によれば、熱処理による焼付きが生じた場合であっても、レバー６５Ｂ操作により、チャンバ２から気体回収部５１を取り外すことができるので、気体回収部５１の取り外しが容易である。また、レバー６５Ｂ操作により、気体回収部５１の取り付けおよび取り外しができるので、工具を必要としない。このことによっても、気体回収部５１の取り付けおよび取り外しが容易となる。
　本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
　（１）上述した実施例では、チャンバ２に対する気体回収部５１の取り付けは、パッチン錠６３により行っていた。チャンバ２に対する気体回収部５１の取り付けは、図９のような留め具９３であってもよい。留め具９３は、受け部材９４とフック可動部９５とを備えている。受け部材９４は、フランジ２Ｂに固定されている。受け部材９４は、傾斜部９４Ａと保持部９４Ｂとを備えている。傾斜部９４Ａは、チャンバ２に対して気体回収部５１を段階的に押し付けるものである。傾斜部９４Ａと保持部９４Ｂとの間には段差がある。この段差により、保持部９４Ｂでフック９５Ａが保持される。
　一方、フック可動部９５は、フック９５Ａ、レバー９５Ｂ、回転軸９５Ｄおよび基台９５Ｆを備えている。基台９５Ｆは、気体回収部５１のフランジ５１Ｃに設けられている。レバー９５Ｂは、基台９５Ｆに対して回転軸９５Ｄ周りに回転可能である。レバー９５Ｂの一端には回転軸９５Ｄが設けられ、レバー９５Ｂの他端にはフック９５Ａが設けられている。
　すなわち、留め具９３は、レバー９５Ｂ操作により、受け部材９４にフック９５Ａを引っ掛けながらチャンバ２に気体回収部５１を押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持し、また、レバー９５Ｂ操作により、保持された引っ掛けおよび押し付け状態を解除するように構成されている。
　（２）上述した実施例では、チャンバ２に対する気体回収部５１の取り付けは、パッチン錠６３により行っていた。また、図５（ａ）では、チャンバ２のフランジ２Ｂには、別部材として、受け部材６４が設けられていた。この点、図１０のように、受け部材６４は、フランジ２Ｂに一体形成されていてもよい。
　（３）上述した実施例では、チャンバ２に対する気体回収部５１の取り付けは、片側２個のパッチン錠６３の協働により行っていた。すなわち、図５（ａ）において、上下２個のパッチン錠６３により行っていた。しかしながら、上下２個のパッチン錠６３のいずれか一方を、図１１のような２つの部材で構成される接触部９７に置き換えてもよい。
　（４）上述した実施例および各変形例では、仮取り付けのためにＬ字部材６６が設けられていたが、必要によりＬ字部材６６を設けなくてもよい。また、仮取り付けできる仮取り付け部材であれば、Ｌ字形状でなくてもよい。
　（５）上述した実施例および各変形例では、排気口２３は、チャンバの内部の幅ＨＡ２と略同じ開口幅ＨＡ１を有していた。この点、図２（ａ）、図２（ｂ）のように、排気口２３の開口幅ＨＡ１は、チャンバ２の内部の幅ＨＡ２未満であってもよい。すなわち、排気口２３は、熱処理プレート３上の基板Ｗを排気口２３が設けられたチャンバ２の側壁に水平投影させた場合の水平方向の投影長さＨＡ３以上の開口幅ＨＡ１を有してもよい。これにより、少なくとも基板Ｗの上方における昇華物を含む気体の滞留を抑制しつつ排気口２３を通じて回収できる。なお、熱処理プレート３の基板載置面３Ａ、および基板Ｗは円形であったが、矩形でもよい。
　１　　　　…　熱処理装置
　２　　　　…　チャンバ
　３　　　　…　熱処理プレート
　７　　　　…　不活性ガス供給部
　１１　　　…　排気ダクト部
　２１　　　…　基板出入口
　２３　　　…　排気口
　２８Ａ　　…　冷却流路
　２Ｂ　　　…　フランジ
　５１　　　…　気体回収部
　５３　　　…　トラップ部
　５１Ａ　　…　開口部
　５１Ｂ　　…　開口部
　５１Ｃ　　…　フランジ
　５３Ａ　　…　トラップ流路
　６３　　　…　パッチン錠
　６４，９４　…　受け部材
　６４，９５　　　…　フック可動部
　６５Ａ，９５Ａ　…　フック
　６５Ｂ，９５Ｂ　…　レバー
　８１　　　…　温度測定用基板
　８３　　　…　温度センサ
　８４　　　…　信号線
　９３　　　…　留め具
　ＨＡ１　　…　幅
　ＨＡ３　　…　投影長さ

Claims (7)

  1. 　基板を収容するチャンバと、
    　前記チャンバ内の下部に設けられ、基板を熱処理する熱処理プレートと、
    　前記チャンバの側壁に設けられた基板出入口と、
    　前記基板出入口とは別に前記チャンバの側壁に設けられた排気口と、
    　前記排気口に接続されて前記チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部と、
    　前記チャンバから前記排気ダクト部を取り外し、および前記チャンバに前記排気ダクト部を取り付けるための着脱部と、
    　を備えていることを特徴とする熱処理装置。
  2. 　請求項１に記載の熱処理装置において、
    　前記着脱部は留め具であり、前記留め具は、
    　前記チャンバおよび前記排気ダクト部のうち一方に設けられた受け部材と、
    　前記チャンバおよび前記排気ダクト部のうち他方に設けられ、前記受け部材に引っ掛けるフックおよび、前記フックを操作するレバーを有するフック可動部とを備え、
    　前記レバー操作により、前記受け部材に前記フックを引っ掛けながら、前記排気ダクト部を前記チャンバに押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持し、
    　また、前記レバー操作により、保持された前記引っ掛けおよび押し付け状態を解放することを特徴とする熱処理装置。
  3. 　請求項１または２に記載の熱処理装置において、
    　前記熱処理プレートは、基板を水平姿勢で載置した状態で熱処理し、
    　前記排気口は、水平方向に扁平であって、前記熱処理プレート上の基板を前記排気口が設けられた前記チャンバの側壁に水平投影させた場合の水平方向の投影長さ以上の開口幅を有することを特徴とする熱処理装置。
  4. 　基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内の下部に設けられ、基板を熱処理する熱処理プレートと、前記チャンバの側壁に設けられた基板出入口とを備えた熱処理装置のメンテナンス方法において、
    　着脱部によって、前記基板出入口とは別に前記チャンバの側壁に設けられた排気口に接続されて前記チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部を前記チャンバから取り外す工程と、
    　前記着脱部によって、前記チャンバに前記排気ダクト部を取り付ける工程と、
    を備えていることを特徴とする熱処理装置のメンテナンス方法。
  5. 　請求項４の熱処理装置のメンテナンス方法において、
    　前記チャンバから前記排気ダクト部を取り外した後、前記チャンバ外まで延ばすための信号線が接続された温度センサを有する温度測定用基板を、前記排気口を通じて前記チャンバに搬入する工程と、
    　前記温度測定用基板の搬入後、前記温度測定用基板を用いて温度を測定する工程と、
    　を更に備えていることを特徴とする熱処理装置のメンテナンス方法。
  6. 　請求項５の熱処理装置のメンテナンス方法において、
    　前記温度測定用基板の搬入後、前記排気ダクト部と異なる蓋部に設けられた通路を通じて、前記温度センサから延びる前記信号線をチャンバ外に引き出しながら、前記排気口を塞ぐように前記チャンバに前記蓋部を取り付ける工程と、
    　を更に備えていることを特徴とする熱処理装置のメンテナンス方法。
  7. 　請求項６の熱処理装置のメンテナンス方法において、
    　前記蓋部を取り付ける工程は、
    　前記チャンバおよび前記蓋部のうち一方に設けられた受け部材と、
    　前記チャンバおよび前記蓋部のうち他方に設けられ、
    　前記受け部材に引っ掛けるフックおよび、前記フックを操作するレバーとを有するフック可動部とを備えた留め具によって、前記レバー操作により、前記受け部材に前記フックを引っ掛けながら、前記蓋部を前記チャンバに押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持することで、前記排気口を塞ぐように前記チャンバに前記蓋部を取り付けることを特徴とする熱処理装置のメンテナンス方法。
     
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