JP2019153738A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち、最近では、微細加工プロセスのために、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成することがある。この下層膜の生成は、高温の熱処理で行われ、その際には下層膜から昇華物を含む気体が発生する。従来の装置のように構成された基板処理装置では、開口部の周囲に昇華物が付着して、開口部を閉塞するように昇華物が次第に堆積していくので、圧力の検出に支障が生じる。したがって、排気管内の排気圧力を正確に測定できないという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板処理装置において、基板を載置し、基板を加熱する熱処理プレートと、前記熱処理プレートの上方を覆って、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成する筐体と、前記筐体内の気体を排気する排気管と、前記排気管に形成され、前記排気管の内部に連通した排気管開口部と、前記排気管開口部に設けられ、前記排気管内の排気圧力を検出するためのサンプリングポートと、前記サンプリングポートを介して排気圧力を測定する圧力センサと、を備え、前記サンプリングポートは、前記排気管開口部にて前記排気管の内部に連通した開口部と、前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸の延長線との交点から前記開口部を見た場合、前記開口部が見えないように前記開口部を覆うとともに、前記排気管における気体の流通方向と前記開口部の中心軸との両方に直交する方向、前記排気管の気体の流通方向における前記開口部より下流側の少なくとも一方で前記排気管の内部に前記開口部が連通するように設けられた整流板と、を備えていることを特徴とするものである。
W … 基板
3 … 下部ベースプレート
5 … 水冷式ベースプレート
7 … 熱処理プレート
9 … 可動天板ユニット
11 … 昇降ピンユニット
13 … 筐体
15 … シャッタユニット
29 … 昇降機構
33 … 可動天板
35 … 開口
37 … 駆動機構
41 … 昇降ピン
43 … 搬入出口
47 … シャッタ本体
51 … 排気管
53 … 圧力検出ユニット
61 … 制御部
71 … サンプリングポート
73 … 測定管
75 … 圧力センサ
77 … 排気管開口部
79 … ブロック体
81 … 開口部
83 … 取り付け具
85,85A,85B … 整流板
87 … 測定管取付部
93 … チューブクランプ
Claims (5)
- 基板に対して熱処理を行う基板処理装置において、
基板を載置し、基板を加熱する熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの上方を覆って、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成する筐体と、
前記筐体内の気体を排気する排気管と、
前記排気管に形成され、前記排気管の内部に連通した排気管開口部と、
前記排気管開口部に設けられ、前記排気管内の排気圧力を検出するためのサンプリングポートと、
前記サンプリングポートを介して排気圧力を測定する圧力センサと、
を備え、
前記サンプリングポートは、
前記排気管開口部にて前記排気管の内部に連通した開口部と、
前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸の延長線との交点から前記開口部を見た場合、前記開口部が見えないように前記開口部を覆うとともに、前記排気管における気体の流通方向と前記開口部の中心軸との両方に直交する方向、前記排気管の気体の流通方向における前記開口部より下流側の少なくとも一方で前記排気管の内部に前記開口部が連通するように設けられた整流板と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記整流板は、前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸との両方に直交する方向から見た場合に、前記排気管の上流側から下流側に向かって徐々に前記開口部からの距離が大きくなる傾斜面を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記整流板は、前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸との両方に直交する方向から見た断面が三角形状を呈し、その頂点が、その内角側を前記開口部に対向して取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記開口部が形成されたブロック体と、
前記排気管開口部に前記開口部が臨むようにして、前記ブロック体を前記排気管に着脱自在に取り付ける取り付け具と、
を備え、
前記整流板は、前記ブロック体の前記排気管開口部側に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記ブロック体は、前記開口部の反対面に、前記開口部に連通した測定管取付部を形成されているとともに、
前記ブロック体の前記測定管取付部に一端側が配置され、他端側に前記圧力センサが配置された測定管と、
前記測定管の一端側を前記測定管取付部に着脱自在に取り付ける測定管取付具と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018039544A JP6990121B2 (ja) | 2018-03-06 | 2018-03-06 | 基板処理装置 |
CN201910040370.0A CN110233117B (zh) | 2018-03-06 | 2019-01-16 | 基板处理装置 |
TW108101760A TWI712097B (zh) | 2018-03-06 | 2019-01-17 | 基板處理裝置 |
KR1020190011206A KR102195420B1 (ko) | 2018-03-06 | 2019-01-29 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018039544A JP6990121B2 (ja) | 2018-03-06 | 2018-03-06 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019153738A true JP2019153738A (ja) | 2019-09-12 |
JP6990121B2 JP6990121B2 (ja) | 2022-01-12 |
Family
ID=67860099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018039544A Active JP6990121B2 (ja) | 2018-03-06 | 2018-03-06 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6990121B2 (ja) |
KR (1) | KR102195420B1 (ja) |
CN (1) | CN110233117B (ja) |
TW (1) | TWI712097B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2018
- 2018-03-06 JP JP2018039544A patent/JP6990121B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-16 CN CN201910040370.0A patent/CN110233117B/zh active Active
- 2019-01-17 TW TW108101760A patent/TWI712097B/zh active
- 2019-01-29 KR KR1020190011206A patent/KR102195420B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110233117A (zh) | 2019-09-13 |
TWI712097B (zh) | 2020-12-01 |
JP6990121B2 (ja) | 2022-01-12 |
KR20190106671A (ko) | 2019-09-18 |
KR102195420B1 (ko) | 2020-12-28 |
CN110233117B (zh) | 2023-02-24 |
TW201939638A (zh) | 2019-10-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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