TWI712097B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種即便為包含昇華物之氣體，亦能夠正確地測定排氣管內之排氣壓力之基板處理裝置。 取樣埠71設置於排氣管51之排氣管開口部77，排氣管51內之排氣壓力由壓力感測器75測定。該取樣埠71具備以觀察不到開口部之方式覆蓋開口部之整流板85。該整流板85以於與排氣管51中之氣體之流通方向及開口部81之中心軸之兩者正交之方向上開口部81連通至排氣管51之內部之方式設置，因此能夠利用壓力感測器75來測定排氣壓力。氣體中所含之昇華物雖然於整流板85之上游側附著並堆積，但能夠抑制於開口部81堆積而將開口部81封閉。即便為包含昇華物之氣體，亦能夠正確地測定排氣管51內之排氣壓力。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置，對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)用基板、FED(Field Emission Display，場致發射顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板等各種基板(以下，簡稱為基板)進行熱處理。
以往，作為此種裝置，存在如下裝置，其具備：熱處理板，其對所載置之基板進行加熱；罩蓋部件，其包圍熱處理板之上部，以相對於熱處理板能夠升降之方式構成，形成由熱處理板所致之熱處理環境；殼體，其包圍熱處理板與罩蓋部件；頂板，其設置於罩蓋部件之頂面與熱處理板之上表面之間；以及位置調整部件，其調整頂板之下表面與熱處理板之上表面之間隔(例如，參照專利文獻1)。
於此種基板處理裝置中，將殼體內之氣體排出。具體來說，具備自殼體內將氣體排氣之排氣管、以及檢測排氣管內之壓力之壓力感測器，基於藉由壓力感測器測定出之壓力進行排氣控制。壓力感測器係經由設置於排氣管之取樣埠來測定壓力。具體來說，將取樣管之一端側安裝於連通至排氣管內之開口部，且於另一端側安裝壓力感測器。於自排氣管中之氣體之流通方向觀察開口部之情形時，形成於排氣管之開口部成為開口部露出之狀態。 [背景技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2000-3843號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於具有此種構成之以往例之情形時，存在如下之問題。 亦即，最近以來，存在為了微細加工製程而形成被稱為塗佈碳膜之基底膜之情形。該基底膜之產生係利用高溫之熱處理進行，此時自基底膜產生包含昇華物之氣體。於如以往之裝置般構成之基板處理裝置中，由於昇華物附著於開口部之周圍，並以封閉開口部之方式昇華物逐漸堆積下去，因此妨礙到壓力之檢測。因此，存在無法正確地測定排氣管內之排氣壓力之問題。
本發明係鑒於此種情形而完成者，其目的在於提供一種即便為包含昇華物之氣體亦能夠正確地測定排氣管內之排氣壓力之基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明為了達成此種目的，採用如下構成。 亦即，請求項1中記載之發明為一種基板處理裝置，其係對基板進行熱處理者，且其特徵在於具備：熱處理板，其載置基板，且將基板加熱；殼體，其覆蓋上述熱處理板之上方，且形成由熱處理板所致之熱處理環境；排氣管，其將上述殼體內之氣體排氣；排氣管開口部，其形成於上述排氣管，且連通至上述排氣管之內部；取樣埠，其設置於上述排氣管開口部，且用來檢測上述排氣管內之排氣壓力；以及壓力感測器，其經由上述取樣埠測定排氣壓力；且上述取樣埠具備：開口部，其於上述排氣管開口部連通至上述排氣管之內部；以及整流板，其以於自上述排氣管中之氣體之流通方向與上述開口部之中心軸之延長線之交點觀察上述開口部之情形時，觀察不到上述開口部之方式覆蓋上述開口部，並且以於與上述排氣管中之氣體之流通方向及上述開口部之中心軸之兩者正交之方向、上述排氣管之氣體之流通方向上之較上述開口部靠下游側之至少一者上述開口部連通至上述排氣管之內部之方式設置。
[作用、效果]根據請求項1中記載之發明，取樣埠設置於用來將來自覆蓋熱處理板之上部之殼體之氣體排氣之排氣管之排氣管開口部，排氣管內之排氣壓力藉由經由取樣埠安裝之壓力感測器來測定。該取樣埠具備整流板，該整流板以於自排氣管中之氣體之流通方向與開口部之中心軸之延長線之交點觀察開口部之情形時，觀察不到開口部之方式覆蓋開口部。該整流板進而以於與排氣管中之氣體之流通方向及開口部之中心軸之兩者正交之方向、排氣管之氣體之流通方向上之較開口部靠下游側之至少一者開口部連通至排氣管之內部之方式設置，因此能夠利用壓力感測器來測定排氣壓力。因此，氣體中所含之昇華物雖然於整流板之上游側附著並堆積，但能夠抑制於開口部堆積而將開口部封閉。其結果，即便為包含昇華物之氣體，亦能夠正確地測定排氣管內之排氣壓力。
又，於本發明中，較佳為，上述整流板具有傾斜面，該傾斜面於自與上述排氣管中之氣體之流通方向及上述開口部之中心軸之兩者正交之方向觀察之情形時，自上述排氣管之上游側朝向下游側距上述開口部之距離慢慢變大(請求項2)。
於與開口部對向之配管內，配置著具有自上游側朝向下游側距開口部之距離慢慢變大之傾斜面之整流板，因此排氣中所含之昇華物主要於該傾斜面附著並堆積。又，於與氣體之流通方向正交之方向或氣體之流通方向之下游側開口部連通至排氣管，因此壓量感測器能夠經由取樣埠正確地測定排氣壓力。
又，於本發明中，較佳為，上述整流板自與上述排氣管中之氣體之流通方向及上述開口部之中心軸之兩者正交之方向觀察之截面呈三角形狀，且其頂點以其內角側與上述開口部對向地安裝(請求項3)。
於與開口部對向之排氣管內，整流板以三角屋頂之方式配置，且成為其傾斜面面向氣體之流通方向之姿勢。因此，排氣中所含之昇華物主要於面向其上下游之傾斜面附著並堆積。又，由於在與氣體之流通方向及開口部之中心軸之兩者正交之方向開口部連通至排氣管，因此壓力感測器能夠經由取樣埠正確地測定排氣壓力。
又，於本發明中，較佳為，具備：塊體，其形成著上述開口部；以及安裝件，其以上述開口部面向上述排氣管開口部之方式，將上述塊體裝卸自如地安裝於上述排氣管；上述整流板安裝於上述塊體之上述排氣管開口部側(請求項4)。
當將安裝件卸除時，能夠自排氣管卸除塊體，因此即便昇華物附著於開口部亦能夠藉由維護容易地去除。因此，藉由實施定期性之維護，能夠長期間維持排氣壓力之精度。
又，於本發明中，較佳為，上述塊體於上述開口部之相反面，形成著連通至上述開口部之測定管安裝部，並且具備：測定管，其以一端側配置於上述塊體之上述測定管安裝部，於另一端側配置著上述壓力感測器；以及測定管安裝件，其將上述測定管之一端側裝卸自如地安裝於上述測定管安裝部(請求項5)。
當將測定管安裝件卸除時，能夠將測定管自塊體卸除，因此即便昇華物附著於測定管之內部亦能夠藉由維護容易地去除。因此，藉由實施定期性之維護，能夠長期間維持排氣壓力之精度。 [發明之效果]
根據本發明之基板處理裝置，取樣埠設置於將來自覆蓋熱處理板之上部之殼體之氣體排氣之排氣管之排氣管開口部，排氣管內之排氣壓力藉由經由取樣埠安裝之壓力感測器來測定。該取樣埠具備整流板，該整流板以於自排氣管中之氣體之流通方向與開口部之中心軸之延長線之交點觀察開口部之情形時，觀察不到開口部之方式覆蓋開口部。該整流板進而以於與排氣管中之氣體之流通方向及開口部之中心軸之兩者正交之方向、排氣管之氣體之流通方向上之較開口部靠下游側之至少一者開口部連通至排氣管之內部之方式設置，因此能夠利用壓力感測器測定排氣壓力。因此，氣體中所含之昇華物雖然於整流板之上游側附著並堆積，但能夠抑制於開口部堆積而將開口部封閉。其結果，即便為包含昇華物之氣體，亦能夠正確地測定排氣管內之排氣壓力。
以下，參照附圖對本發明之一實施例進行說明。
圖1係表示實施例之基板處理裝置之整體構成之概略構成圖，圖2係可動頂板之俯視圖，圖3係表示升降銷之前端部附近之縱剖視圖。
實施例之基板處理裝置1係對基板W實施熱處理之裝置。具體來說，為了微細加工製程，例如進行形成被稱為塗佈碳膜之基底膜時之熱處理。為了產生該基底膜，而以300～500℃左右之高溫進行熱處理。
基板處理裝置1具備下部底板3、水冷式底板5、熱處理板7、可動頂板單元9、升降銷單元11、殼體13、以及擋板單元15。
該基板處理裝置1自相鄰地配置之搬送臂17搬入基板W，實施熱處理之後，將處理完畢之基板W利用搬送臂17搬出。
下部底板3於上表面豎立設置有支柱19，於該支柱19之上部配置著水冷式底板5。水冷式底板5抑制熱處理板7之熱向下方傳遞。具體來說，水冷式底板5例如於內部遍及整體形成有能夠流通冷媒之冷媒流路21。於該冷媒流路21中，例如作為冷媒流通冷卻水。該冷卻水例如溫度被調整為20℃。
熱處理板7俯視呈圓形狀。其直徑較基板W之直徑稍微大。熱處理板7內置著未圖示之加熱器等加熱器件，例如，以表面溫度成為400℃之方式進行加熱。熱處理板7藉由設置於其下表面與水冷式底板5之上表面之間之支柱23，以自水冷式底板5向上方離開之狀態配置。熱處理板7於與俯視下正三角形之各頂點對應之位置形成著貫通口25。
於熱處理板7附設著可動頂板單元9。可動頂板單元9具備升降底板27、升降機構29、支柱31、以及可動頂板33。
升降底板27具備避免與支柱23或下述之升降銷41之干涉之開口。升降機構29例如由氣缸構成。升降機構29以使具有作動軸之部分朝向上方之姿勢密接安裝於水冷式底板5。該升降機構29能夠將作動軸之前端部之高度固定於任意位置。升降機構29之作動軸連結於升降底板27之底面。若使升降機構29之作動軸升降，則能夠改變升降底板27之高度位置。升降底板27於其上表面，例如豎立設置著4根支柱31。於4根支柱31之上端安裝著可動頂板33。
如圖2所示，可動頂板33俯視下於中央部形成著開口35。開口35俯視下形成得較基板W之直徑小。該可動頂板33藉由升降機構29作動，與升降底板27一起升降。可動頂板33之升降位置移動及於對基板W進行熱處理時之下降位置、與將基板W搬入時之上升位置。再者，下降位置較佳基板W之上表面與可動頂板33之下表面之距離為約10 mm。其原因在於，藉由發明者等之實驗得知，為了提高基板W之表面上之溫度分佈之面內均勻性，較佳該距離。
可動頂板33呈其對角長度形成得較熱處理板7之直徑長之矩形狀。4根支柱31為各自之上端連結於可動頂板33之下表面中之四角。可動頂板33之四角處於遠離作為熱源之俯視圓形狀之熱處理板7之位置。因此，即便藉由熱處理板7之輻射熱將可動頂板33加熱，亦可使熱不易傳遞至支柱31。因此，升降機構29不易受到熱之影響，能夠抑制故障之發生。
上述可動頂板33較佳為包括陶瓷或金屬與陶瓷之合金。由此，即便進行高溫之熱處理，亦能夠防止因熱所致之變形。
升降銷單元11具備驅動機構37、升降環39、以及3根升降銷41。再者，升降銷41因圖示之關係僅描繪2根。
驅動機構37例如由氣缸構成。驅動機構37以使具有其作動軸之部分朝向下方，且使相反側密接於水冷式底板5之下表面之狀態安裝。於作動軸之下部，連結著升降環39。於升降環39之上表面，豎立設置著3根升降銷41。驅動機構39能夠將其作動軸之高度位置調節及於3根升降銷41自熱處理板7之上表面向上方突出之交接位置(圖1中之二點鏈線)、與3根升降銷41自熱處理板7之上表面向下方沒入之處理位置(圖1中之實線)之兩個部位。3根升降銷41插通於形成於熱處理板7之3個部位之貫通口25。
升降銷41較佳為以圖3所示之方式構成。升降銷41具備芯部41a、外筒41b、以及石英球41c。芯部41a為處於主體部41d之上部之前端部41e形成得較主體部41d直徑小。外筒41b為前端部以外形成為較石英球41c之外徑稍微大之內徑。外筒41b之前端部形成為較石英球41c之直徑小之內徑。石英球41c為其直徑形成得較前端部41e稍微小。因此，於將石英球41c載置於前端部41e之上表面之狀態下，若蓋上外筒41b，則成為石英球41c之1/3左右自外筒41b突出之狀態。於該狀態下，藉由將卡合銷41g壓入至貫通芯部41d與外筒41b之貫通口41f，而將外筒41b與石英球41c一起固定於芯部41a而構成升降銷41。再者，石英球41c以外之部件為金屬製。
雖然作為可耐高溫環境之材料較佳為石英，但若考慮強度或成本，則使升降銷41之整體為石英製有所困難。因此，如上所述，藉由僅使前端部之石英球41c為石英製則能夠抑制成本。又，石英由於與作為基板W之材料之單晶矽相較高度稍微低，因此損傷基板W之下表面之可能性較低，而且，由於為球狀因此能夠使接觸面積為最小限。
殼體13覆蓋熱處理板7之上方，形成由熱處理板7所致之熱處理環境。殼體13於其一面形成著搬入搬出口43。搬入搬出口43自熱處理板7之上表面附近之高度位置向上開口。搬送臂17經由該搬入搬出口43進行基板W之搬入搬出。
於搬入搬出口43附設著擋板單元15。擋板單元15具備驅動機構45以及擋板本體47。驅動機構45以其作動軸之部分朝向上方之姿勢，將一部分密接安裝於水冷式底板5。於作動軸之上部連結著擋板本體47。若驅動機構45使作動軸伸長，則擋板本體47上升而搬入搬出口43被封閉(圖1所示之實線)，若驅動機構45使作動軸收縮，則擋板本體47下降而搬入搬出口43開放(圖1所示之二點鏈線)。
殼體13於其頂面形成著排氣口49。排氣口49連通連接於排氣管51。殼體13之排氣口49與熱處理板7之上表面之間隔例如為30 mm左右。排氣管51連通連接於排氣設備52。排氣設備52以能夠藉由來自外部之指示調整排氣流量之方式構成。於排氣管51之一部分配置著壓力檢測單元53。該壓力檢測單元53檢測排氣管51內之排氣壓力。關於壓力檢測單元53之詳細之構成將於下文敍述。
殼體13沿著排氣管51之上表面設置著封裝加熱器55。該封裝加熱器55對殼體13或排氣管51進行加熱，於包含昇華物之氣體接觸於殼體13時，防止氣體冷卻而昇華物附著於殼體13之內壁。
控制部61由未圖示之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或記憶體構成。控制部61進行熱處理板7之溫度控制、可動頂板單元9之升降控制、升降銷單元11之驅動控制、擋板單元15之開閉控制、封裝加熱器55之溫度控制、基於壓力檢測單元53之排氣設備52之排氣控制等。又，控制部61能夠對可動頂板單元9之升降控制中之下降位置根據基板W進行各種操作。例如，對規定每個基板W之處理條件或順序之配方預先規定可動頂板33之下降位置，對未圖示之指示部進行操作，預先對配方指示相當於可動頂板33距基板W之表面之距離之參數。控制部61例如於對基板W進行處理時，參照由裝置操作員指示之與基板W對應之配方，根據該參數對升降機構29進行操作。由此，能夠針對每個基板W調整可動頂板33之下降位置。
此處，參照圖4～圖6，對壓力檢測單元53之詳細之構成進行說明。再者，圖4係表示壓力檢測單元之縱剖視圖，圖5係自排氣管內部觀察壓力檢測單元之圖，圖6係自排氣管外部觀察壓力檢測單元之圖。
壓力檢測單元53具備取樣埠71、測定管73、以及壓力感測器75。
取樣埠71將排氣管51之內部與測定管73以及壓力感測器75連通連接。取樣埠71具體來說以如下方式構成。
取樣埠71形成於排氣管51，且安裝於連通至排氣管51之內部之排氣管開口部77。取樣埠71具備塊體79、開口部81、安裝件83、以及整流板85。
塊體79形成有開口部81。塊體79為外觀呈板狀，且於中央附近形成著開口部81。該開口部81貫通於塊體79之正背面(圖4之左右面)。開口部81形成有圖4中之右側之內徑形成得較左側之內徑稍微大之測定管安裝部87。於塊體79之表面(右側)中之中央附近之上下端，形成著用於安裝件83之凹部89。於凹部89安裝著安裝件83，塊體79以開口部81面向排氣管開口部77之方式，且塊體79以覆蓋排氣管開口部77之方式安裝於排氣管51。安裝件83例如例示六角螺絲。
塊體79自排氣管51中之氣體之流通方向(於圖4～圖6中由箭頭所示)上之開口部81之上游側及於下游側，以橫跨開口部81之方式安裝著整流板85。整流板85以呈如下方式覆蓋開口部81之方式配置，即，於自排氣管51中之氣體之流通方向與開口部81之中心軸之延長線之交點觀察開口部81之情形時，如圖5所示觀察不到開口部81。進而，整流板85以於與排氣管51中之氣體之流通方向及開口部81之中心軸之兩者正交之方向(圖4)，開口部81連通至排氣管51之內部之方式設置。
更具體來說，自與排氣管51中之氣體之流通方向及開口部81之中心軸之兩者正交之方向(圖4)觀察之截面呈三角形狀。而且，其頂點以將其內角側與開口部81對向地安裝。亦即，整流板85於自氣體自排氣管51中之以開口部81為基準之上游側向下游側流下之軸線上之視點觀察取樣埠71側之情形時觀察不到開口部81。換言之，於自圖4所示之與排氣管51中之氣體之流通方向及開口部81之中心軸之兩者正交之方向觀察之情形時，形成與開口部81連通之連通空間91。該情形時之連通空間91為其縱截面呈三角形狀，於自圖4所示之方向觀察之情形時，直至開口部81之中心軸為止，自氣體之流通方向上之上游側朝向下游側自開口部81到整流板85為止之距離慢慢變大。
塊體79於測定管安裝部87插入有測定管73之一端側。測定管73藉由塊體79中安裝於處於排氣管51之相反側之面之管夾93來固定。管夾93如圖6所示，具備分為兩股之夾片93a、93b、以及形成於它們之間之夾孔93c。藉由將僅螺固於夾片93a、93b之一者之緊固螺絲95擰入而夾片93a、93b相互接近，夾持插入於夾孔93c之測定管73之外周面而將測定管73固定。又，藉由鬆開緊固螺絲95而夾片93a、93b相互離開，將測定管73之外周面自夾孔93c開放，從而可卸除測定管73。
於測定管73之另一端側安裝著壓力感測器75。壓力感測器75經由測定管73、開口部81、以及連通空間91對排氣管51內之氣體之排氣壓力進行測定。藉由壓力感測器75測定出之排氣壓力被賦予給控制部61。
再者，上述管夾相當於本發明中之「測定管安裝件」。
其次，參照圖7以及圖8，對上述構成之基板處理裝置之基板W之處理進行說明。再者，圖7係表示將基板搬入搬出之狀態之縱剖視圖，圖8係表示對基板進行加熱之狀態之縱剖視圖。
首先，如圖7所示，控制部61對可動頂板單元9進行操作，使可動頂板33移動至上升位置。進而，控制部61對升降銷單元11進行操作，使3根升降銷41上升至交接位置。與這些操作一起，控制部61對擋板單元15進行操作，使搬入搬出口43開放。
然後，控制部61使搬送臂17以處於較交接位置高且較上升位置之可動頂板之下表面低之位置之狀態，自搬入搬出口43進入，且於熱處理板7之上方使搬送臂17下降。由此，將基板W交接至處於交接位置之升降銷41。然後，使搬送臂17自搬入搬出口43退出，並且對擋板單元15進行操作，使搬入搬出口43封閉。
繼而，如圖8所示，控制部61對升降銷單元11進行操作，使3根升降銷41下降至處理位置。由此，對基板W進行400℃之加熱處理。控制部61參照配方，於規定之加熱時間進行加熱處理。
當經過特定之加熱時間時，控制部61對可動頂板單元9以及升降銷單元11進行操作，使可動頂板33上升至上升位置，並且使升降銷41上升至交接位置。繼而，控制部61對擋板單元15進行操作，使搬入搬出口43開放。進而，控制部61使搬送臂17自較交接位置靠下方且較熱處理板7之上表面靠上方之高度進入至搬入搬出口43。然後，藉由使搬送臂17上升至較交接位置高且較可動頂板33之下表面低之位置，而搬送臂17自升降銷41接收處理完畢之基板W。繼而，藉由使搬送臂17自搬入搬出43退出，而使處理完畢之基板W搬出。再者，控制部61於上述處理之期間中，基於利用壓力檢測單元53檢測出之排氣管51內之排氣壓力對排氣設備52進行操作，根據處理狀況將排氣管51內之排氣流量以成為特定之值之方式進行控制。
藉由上述一系列之動作完成對一片基板W之熱處理，但於對新之基板W進行處理時，控制部61例如可參照由裝置操作員指示之配方，並將可動頂板單元9之可動頂板33之上升位置指示給配方。
根據本實施例，取樣埠71設置於排氣管51之排氣管開口部77，排氣管51內之排氣壓力藉由經由取樣埠71安裝之壓力感測器75來測定。該取樣埠71具備整流板85，該整流板85以於自排氣管51中之氣體之流通方向與開口部81之中心軸之延長線之交點觀察開口部之情形時，觀察不到開口部之方式覆蓋開口部。該整流板85進而以於與排氣管51中之氣體之流通方向及開口部81之中心軸之兩者正交之方向開口部81連通至排氣管51之內部之方式設置，因此能夠利用壓力感測器75測定排氣壓力。因此，氣體中所含之昇華物雖然附著並堆積於整流板85之上游側，但能夠抑制堆積於開口部81而將開口部81封閉。其結果，即便為包含昇華物之氣體，亦能夠正確地測定排氣管51內之排氣壓力。
進而，根據本實施例之整流板85，可獲得以下之效果。
亦即，於與開口部81對向之排氣管51內，整流板85以三角屋頂之方式配置，且成為其傾斜面面向氣體之流通方向之姿勢。因此，排氣中所含之昇華物主要於面向其上游以及下游之傾斜面附著並堆積。又，由於在與氣體之流通方向及開口部81之中心軸之兩者正交之方向開口部81連通至排氣管51，因此壓力感測器75能夠經由取樣埠71正確地測定排氣壓力。
又，當將安裝件83卸除時，能夠自排氣管51將塊體79與整流板85一起卸除，因此即便昇華物附著於整流板85或開口部81亦能夠藉由維護容易地去除。因此，藉由實施定期性之維護，能夠長期間維持排氣壓力之精度。進而，當鬆開管夾93時，能夠將測定管73自塊體79卸除，因此即便昇華物附著於測定管73之內部亦能夠藉由維護容易地去除。因此，藉由實施定期性之維護，能夠長期間維持排氣壓力之精度。
＜第1變化例＞
此處，參照圖9，對上述整流板85之另一實施例進行說明。再者，圖9係表示整流板之第1變化例之縱剖視圖。
該整流板85A以於自排氣管51中之氣體之流通方向與開口部81之中心軸之延長線之交點觀察開口部81之情形時，觀察不到開口部81之方式覆蓋開口部81。進而，該整流板85A以不僅於與排氣管51中之氣體之流通方向及開口部81之中心軸之兩者正交之方向，而且亦於排氣管51之氣體之流通方向上之較開口部81靠下游側開口部81連通至排氣管51之內部之方式設置。換言之，整流板85A以傾斜面自排氣管51之壁面朝向排氣管51之中心側慢慢遠離之方式形成。其下游側之端部向較開口部81之下游側之周緣部更靠下游側延伸。此種整流板85A能夠設為較上述整流板85更簡易之構成，而且亦與上述實施例同樣地，能夠抑制昇華物於開口部81堆積而將開口部81封閉。
＜第2變化例＞
此處，參照圖10，對上述整流板85、85A之另一實施例進行說明。再者，圖10係表示整流板之第2變化例之縱剖視圖。
該整流板85B以僅於排氣管51之氣體之流通方向上之較開口部81靠下游側開口部81連通至排氣管51之內部之方式設置。該整流板85B形成為僅於排氣之下游側開口之罩狀。此種整流板85B與上述實施例同樣地，能夠抑制昇華物於開口部81堆積而將開口部81封閉。而且，由於傾斜面由側面之板狀部件支撐，因此能夠提高機械性強度。
本發明並不限定於上述實施形態，能夠以下述方式變化實施。
(1)於上述實施例中，具備可動頂板33，但本發明無須具備該構成。亦即，只要為具備用來將形成熱處理環境之殼體13內之氣體排氣之排氣管51，並檢測其排氣壓力之基板處理裝置則能夠應用本發明。
(2)於上述實施例中，設為藉由安裝件83來將塊體79裝卸自如地安裝於排氣管51之構成，但本發明並不限定於此種構成。例如，亦可將塊體79與排氣管51利用拉扣(拉鎖)裝卸自如地構成。又，亦可設為將取樣埠71固定地安裝於排氣管51之一部分之構成，且設為使排氣管51之一部分於排氣管51裝卸自如之構成。
(3)於上述實施例中，設為利用管夾93使測定管73相對於塊體79裝卸自如之構成。然而，本發明並非必需管夾93。例如，亦可將測定管73以無法卸除之方式安裝於塊體79。
1‧‧‧基板處理裝置 1A‧‧‧基板處理裝置 3‧‧‧下部底板 5‧‧‧水冷式底板 7‧‧‧熱處理板 9‧‧‧可動頂板單元 11‧‧‧升降銷單元 13‧‧‧殼體 15‧‧‧擋板單元 17‧‧‧搬送臂 19‧‧‧支柱 21‧‧‧冷媒流路 23‧‧‧支柱 25‧‧‧貫通口 27‧‧‧升降底板 29‧‧‧升降機構 31‧‧‧支柱 33‧‧‧可動頂板 35‧‧‧開口 37‧‧‧驅動機構 39‧‧‧升降環 41‧‧‧升降銷 41a‧‧‧芯部 41b‧‧‧外筒 41c‧‧‧石英球 41d‧‧‧主體部 41e‧‧‧前端部 41f‧‧‧貫通口 41g‧‧‧卡合銷 43‧‧‧搬入搬出口 45‧‧‧驅動機構 47‧‧‧擋板本體 49‧‧‧排氣口 51‧‧‧排氣管 53‧‧‧壓力檢測單元 55‧‧‧封裝加熱器 61‧‧‧控制部 71‧‧‧取樣埠 73‧‧‧測定管 75‧‧‧壓力感測器 77‧‧‧排氣管開口部 79‧‧‧塊體 81‧‧‧開口部 83‧‧‧安裝件 85‧‧‧整流板 85A‧‧‧整流板 85B‧‧‧整流板 87‧‧‧測定管安裝部 89‧‧‧凹部 91‧‧‧連通空間 93‧‧‧管夾 93a‧‧‧夾片 93b‧‧‧夾片 93c‧‧‧夾孔 95‧‧‧緊固螺絲 W‧‧‧基板
圖1係表示實施例之基板處理裝置之整體構成之概略構成圖。 圖2係可動頂板之俯視圖。 圖3係表示升降銷之前端部附近之縱剖視圖。 圖4係表示壓力檢測單元之縱剖視圖。 圖5係自排氣管內部觀察壓力檢測單元之圖。 圖6係自排氣管外部觀察壓力檢測單元之圖。 圖7係表示將基板搬入搬出之狀態之縱剖視圖。 圖8係表示對基板進行加熱之狀態之縱剖視圖。 圖9係表示整流板之第1變化例之縱剖視圖。 圖10係表示整流板之第2變化例之縱剖視圖。
51‧‧‧排氣管
53‧‧‧壓力檢測單元
71‧‧‧取樣埠
73‧‧‧測定管
75‧‧‧壓力感測器
77‧‧‧排氣管開口部
79‧‧‧塊體
81‧‧‧開口部
83‧‧‧安裝件
85‧‧‧整流板
87‧‧‧測定管安裝部
89‧‧‧凹部
91‧‧‧連通空間
93‧‧‧管夾
95‧‧‧緊固螺絲

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板進行熱處理者，且其特徵在於具備： 熱處理板，其載置基板，且將基板加熱； 殼體，其覆蓋上述熱處理板之上方，且形成由熱處理板所致之熱處理環境； 排氣管，其將上述殼體內之氣體排氣； 排氣管開口部，其形成於上述排氣管，且連通至上述排氣管之內部； 取樣埠，其設置於上述排氣管開口部，且用來檢測上述排氣管內之排氣壓力；以及 壓力感測器，其經由上述取樣埠測定排氣壓力；且 上述取樣埠具備： 開口部，其於上述排氣管開口部連通至上述排氣管之內部；以及 整流板，其以於自上述排氣管中之氣體之流通方向與上述開口部之中心軸之延長線之交點觀察上述開口部之情形時，觀察不到上述開口部之方式覆蓋上述開口部，並且以於與上述排氣管中之氣體之流通方向及上述開口部之中心軸之兩者正交之方向、上述排氣管之氣體之流通方向上之較上述開口部靠下游側之至少一者上述開口部連通至上述排氣管之內部之方式設置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述整流板具有傾斜面，該傾斜面於自與上述排氣管中之氣體之流通方向及上述開口部之中心軸之兩者正交之方向觀察之情形時，自上述排氣管之上游側朝向下游側距上述開口部之距離慢慢變大。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中 上述整流板自與上述排氣管中之氣體之流通方向及上述開口部之中心軸之兩者正交之方向觀察之截面呈三角形狀，且其頂點以將其內角側與上述開口部對向地安裝。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其具備： 塊體，其形成著上述開口部；以及 安裝件，其以上述開口部面向上述排氣管開口部之方式，將上述塊體裝卸自如地安裝於上述排氣管；且 上述整流板安裝於上述塊體之上述排氣管開口部側。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述塊體於上述開口部之相反面，形成著連通至上述開口部之測定管安裝部，並且具備： 測定管，其以一端側配置於上述塊體之上述測定管安裝部，且於另一端側配置著上述壓力感測器；以及 測定管安裝件，其將上述測定管之一端側裝卸自如地安裝於上述測定管安裝部。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023069210A1 (en) * 2021-10-22 2023-04-27 Lam Research Corporation Exhaust monitoring apparatus and method for substrate processing systems

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5782980A (en) * 1996-05-14 1998-07-21 Advanced Micro Devices, Inc. Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem
US5803056A (en) * 1997-02-12 1998-09-08 Siemens Electric Limited Canister vent valve having electric pressure sensor and valve actuator
US6015465A (en) * 1998-04-08 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor process chamber
US7699935B2 (en) * 2008-06-19 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber
TWI377092B (en) * 2007-03-29 2012-11-21 Tokyo Electron Ltd Vaporizer and semiconductor processing system
TWI411058B (zh) * 2009-05-18 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Mfg 真空系統、真空控制系統、用以控制真空系統之方法
TWI438576B (zh) * 2006-06-27 2014-05-21 Sokudo Co Ltd 多腔室排出調控方法與設備

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01241819A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
JPH1041238A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理方法
JPH10153510A (ja) * 1996-11-21 1998-06-09 Nec Kansai Ltd 真空装置および隔膜真空計
JP2000003843A (ja) 1998-06-12 2000-01-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JP3330335B2 (ja) * 1998-11-04 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置およびエージング処理装置
JP3545668B2 (ja) * 2000-03-23 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及びその方法
JP2003017433A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Tokyo Electron Ltd チャンバセンサポート
JP2004360994A (ja) 2003-06-04 2004-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不完全燃焼検出装置
JP2007059633A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Tokyo Electron Ltd 基板加熱装置及び基板加熱方法
JP4930495B2 (ja) * 2008-12-04 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置及び基板加熱方法
JP4827263B2 (ja) * 2008-12-09 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP5814005B2 (ja) * 2011-06-21 2015-11-17 芝浦メカトロニクス株式会社 ヒータユニット、ファンフィルタユニット及び基板処理装置
JP6127395B2 (ja) * 2012-06-29 2017-05-17 三菱自動車工業株式会社 センサの保護構造
JP6384414B2 (ja) * 2014-08-08 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置、基板加熱方法、記憶媒体
KR101939505B1 (ko) * 2014-08-08 2019-01-16 캐논 아네르바 가부시키가이샤 스퍼터 장치 및 처리 장치
JP5808472B1 (ja) * 2014-09-24 2015-11-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
KR102008566B1 (ko) * 2016-05-24 2019-08-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5782980A (en) * 1996-05-14 1998-07-21 Advanced Micro Devices, Inc. Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem
US5803056A (en) * 1997-02-12 1998-09-08 Siemens Electric Limited Canister vent valve having electric pressure sensor and valve actuator
US6015465A (en) * 1998-04-08 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor process chamber
TWI438576B (zh) * 2006-06-27 2014-05-21 Sokudo Co Ltd 多腔室排出調控方法與設備
TWI377092B (en) * 2007-03-29 2012-11-21 Tokyo Electron Ltd Vaporizer and semiconductor processing system
US7699935B2 (en) * 2008-06-19 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber
TWI411058B (zh) * 2009-05-18 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Mfg 真空系統、真空控制系統、用以控制真空系統之方法

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