WO2016021496A1 - スパッタ装置および処理装置 - Google Patents

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太一 廣見
英利 下川
篤行 市川
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キヤノンアネルバ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a sputtering apparatus and a processing apparatus.
  • the pressure gauge is exposed to the sputtering space, there is a problem that the pressure gauge is contaminated by a sputtered film or the like.
  • the diaphragm vacuum gauge is sensitive to contamination.
  • a shutter that can be shielded is provided in a chamber to reduce the amount of film sneaking into an ion gauge connected to an opening.
  • the first aspect of the present invention is capable of accurately measuring the pressure in the sputtering space even during film formation while reducing the contamination of the film formed on the substrate with particles.
  • a sputtering apparatus that can reduce the amount of film wrapping around the film (film formation).
  • the first aspect of the present invention provides a sputtering apparatus having a space defining member that defines a sputtering space for forming a film on a substrate, for example.
  • the space defining member has a recess.
  • An opening is provided at the bottom of the recess.
  • the sputtering apparatus includes a shielding member that shields the opening from the sputtering space.
  • the opening is formed so that a pressure gauge capable of measuring the pressure in the sputtering space can be attached.
  • the shielding member is arranged so that at least a part thereof is embedded in the recess.
  • the second aspect of the present invention provides a processing apparatus advantageous for maintaining the measurement accuracy of a measuring instrument communicating with a space for processing a substrate while reducing the generation of particles.
  • the second aspect of the present invention provides, for example, a processing apparatus having a space defining member that defines a space.
  • the space defining member has a recess.
  • An opening for communicating the space and the measuring instrument is provided at the bottom of the recess.
  • the said processing apparatus is provided with the shielding member which interrupts
  • FIG. 3B is a diagram showing film thickness evaluation points af in the comparative example shown in FIG. 3A.
  • FIG. 3C is a diagram showing film thickness evaluation points af in the embodiment shown in FIG. 3B.
  • FIG. 3B shows the simulation result (ratio of the thickness of the film
  • FIG. 1 shows a sputtering apparatus of the present invention.
  • the sputtering apparatus of FIG. 1 includes an adhesion preventing plate 6 (separable) that defines a sputtering space in the vacuum chamber 1, and a surface of a substrate (not shown) placed on a substrate stage 7 in the vacuum chamber 1.
  • a thin film of sputtered particles (for example, metal) flying from the target 5 provided on the upper portion of the vacuum chamber 1 is formed.
  • the deposition preventing plate 6 provided so as to cover the inner wall of the vacuum chamber 1 corresponds to a space defining member that defines a sputtering space SS in which sputtering is performed.
  • the sputtering apparatus of FIG. 1 has a recess 13 provided in the deposition preventing plate 6, an opening 8 provided at the bottom of the recess 13, and a pressure that is attached to the opening 8 and that can measure the pressure in the sputtering space SS.
  • a total 16 and a shielding member 14 that shields the opening 8 from the sputtering space SS are included.
  • 1 has a gas inlet (not shown) for introducing a gas (for example, argon) into the sputtering space SS defined by the deposition preventing plate 6 and an exhaust for exhausting the vacuum chamber 1.
  • a mouth 12 The shielding member 14 is arranged in a state of being embedded in the recess 13.
  • the exhaust port 12 is connected to the main valve 11.
  • the deposition preventing plate 6 is an optional component.
  • the target 5 is provided in the upper part of the vacuum chamber 1a
  • the substrate stage 7 is provided in the lower part of the vacuum chamber 1a
  • the recess 13 is the lower wall of the vacuum chamber 1a. It is desirable to form.
  • a portion of the vacuum chamber 1 a where the target 5, the substrate stage 7 and the shielding member 14 are provided corresponds to a member constituting at least a part of the wall of the vacuum chamber 1.
  • a portion where the exhaust port 12 and the main valve 12 are provided corresponds to a member that does not constitute at least a part of the wall of the vacuum chamber 1.
  • the vacuum chamber 1a corresponds to a space defining member, and the inside of the vacuum chamber 1a corresponds to a sputtering space.
  • connection member (vacuum pipe) 17 having one end attached to the opening 8 and the other end attached to the pressure gauge 16 is separately provided. Also good.
  • the sputtering apparatus of FIG. 1 may have at least one of a heater for heating the substrate stage 7 and a water cooling jacket for cooling the substrate stage 7. Further, a vacuum pump (not shown) (for example, a dry pump or a turbo molecular pump) is connected to the exhaust port 12.
  • a vacuum pump (not shown) (for example, a dry pump or a turbo molecular pump) is connected to the exhaust port 12.
  • the pressure gauge 16 is close to the substrate stage 7 where the film is formed on the substrate in order to measure the process pressure value of the sputtering space SS inside the deposition preventing plate 6 as accurately as possible.
  • FIG. 2 It is desirable to be installed in FIG. 2 is an enlarged view of the embedded shielding member 14.
  • the shielding member 14 preferably has an umbrella-shaped structure.
  • “umbrella shape” refers to a shape having a cover 14b and a columnar support (for example, a cylindrical portion) 14a that supports the cover 14b.
  • the umbrella shape may include a mushroom shape.
  • the shape of the cover 14b may include a circle, an ellipse, a rounded quadrangle, a polygon, a rounded polygon, and the like.
  • the shielding member 14 can be disposed in the recess 13 having the R portion 13 a provided in the deposition preventing plate 6 or the vacuum chamber 1.
  • the shielding member 14 is not fixed to the recess 13 by means such as screwing, and can be removed by inserting the columnar support 14 a into the recess 16 a of the pressure gauge 16. This is to facilitate maintenance and avoid detachment of the film attached to the screw.
  • FIG. 3A shows a comparative example in which the deposition preventing plate 60 or the vacuum chamber 100 does not have the concave portion 13 and the shielding member 140 is arranged without the cover 14b being positioned in the concave portion 13.
  • FIG. 3B shows a configuration of the present embodiment in which the deposition plate 6 or the vacuum chamber 1 is provided with the recess 13 and the shielding member 14 is disposed so that the cover 14 b is positioned in the recess 13.
  • the sputtered particles jump out of the target 5 according to the cosine law and fly to the shielding member 140.
  • the sputtered particles A that have jumped out of the target 5 fly directly to the shielding member 140 and form a film on the shielding member 140. Since the energy of the sputtered particles A is strong, the adhesion to the shielding member 140 is strong. Therefore, it is unlikely that the film formed on the shielding member 140 by the sputtered particles A peels off and becomes particles and fly to the substrate.
  • FIG. 3A the sputtered particles A that have jumped out of the target 5 fly directly to the shielding member 140 and form a film on the shielding member 140. Since the energy of the sputtered particles A is strong, the adhesion to the shielding member 140 is strong. Therefore, it is unlikely that the film formed on the shielding member 140 by the sputtered particles A peels off and becomes particles and fly to the substrate. In the case of FIG.
  • the sputtered particles B1 and sputtered particles B2 that have jumped out of the target 5 according to the cosine law are bounced back by the deposition preventing plate 60, the vacuum chamber 100, or the shielding member 140 once or a plurality of times.
  • a film is formed on the shielding member 140 by indirectly flying to the shielding member 140.
  • the back region of the shielding member 140 that does not face the target 5 on the surface of the shielding member 140 is a portion that cannot be seen from the target 5, that is, a portion where the sputtered particles A, sputtered particles B1, and sputtered particles B2 do not fly directly.
  • the adhesion to the back side region of the shielding member 140 is weak.
  • region of the shielding member 140 peels with the sputter
  • the sputtered particles B1 and sputtered particles B2 fly to the pressure gauge, and the pressure gauge 16 can be contaminated by a sputtered film or the like.
  • the sputtered particles A that have jumped out of the target 5 fly directly to the shielding member 14 and form a film on the shielding member 14. Since the energy of the sputtered particles A is strong, the sputtered particles A have high adhesion to the shielding member 14. Therefore, as in the case of FIG. 3A, it is unlikely that the film formed on the shielding member 14 will peel off and become particles and fly to the substrate.
  • the back side region of the shielding member 14 that does not face the target 5 on the surface of the shielding member 14 is a portion that cannot be seen from the target 5, that is, a portion where the sputtered particles A, sputtered particles B1, and sputtered particles B2 do not fly directly.
  • the sputtered particles B1 and sputtered particles B2 that have jumped out of the target 5 according to the cosine law are rebounded by the deposition preventing plate 6 or the vacuum chamber 1 or the shielding member 14 once or a plurality of times, and indirectly to the shielding member 14. Come in. In the case of FIG.
  • the cover 14b of the shielding member 14 is disposed in the deposition preventing plate 6 or the concave portion 13 of the vacuum chamber 1, and the inlet 20 reaching the back side region of the shielding member 14 is narrowed. ing. Therefore, compared with the case of FIG. 3A, the probability that the sputtered particles B1 form a film in the back side region of the shielding member 14 is low.
  • a columnar support for example, a cylindrical member
  • the shielding member 14 is not screwed, for example, as shown in FIG. 3B, a columnar support (for example, a cylindrical member) 14a that can be inserted into the deposition preventing plate 6 or the opening 8 of the vacuum chamber 1 is attached to the cover 14b. It may be convenient to fix the shielding member 14 by inserting the columnar support 14a into the recess 16a of the pressure gauge 16 provided at the center of the back side.
  • the upper surface 14-1 of the shielding member 14 disposed in the recess 13 and the upper surface 6-1 of the deposition preventing plate 6 or the upper surface 1-1 of the vacuum chamber 1 belong to the same plane.
  • the member 14 may be disposed so as to be completely buried in the recess 13.
  • the shielding member 14 may be disposed so that a part of the cover 14 b protrudes from the upper surface 6-1 or the upper surface 1-1 of the vacuum chamber 1.
  • the gap distance B in FIG. 3B is too narrow, measurement with a measuring instrument such as the pressure gauge 16 will be hindered, so it is desirable that the gap distance B be approximately the same as the gap distance A.
  • 4A to 4C show the simulation results of the thickness of the film formed on the shielding member in the comparative example shown in FIG. 3A and the embodiment shown in FIG. 3B.
  • 4A shows the film thickness evaluation points af in the comparative example shown in FIG. 3A
  • FIG. 4B shows the film thickness evaluation points af in the embodiment shown in FIG. 3B.
  • FIG. 4C shows the ratio of the film thickness at the evaluation point af of the embodiment shown in FIG. 3B to the film thickness at the evaluation point af of the comparative example shown in FIG. 3A. Specifically, FIG. 4C shows the ratio of the film thickness at the evaluation point af of the embodiment shown in FIG. 3B when the film thickness at the evaluation point af of the comparative example shown in FIG. 3A is 100%. It is shown.
  • the film thickness at the evaluation point af of the embodiment shown in FIG. 3B is 84%, 82%, 7%, 43%, 0% of the film thickness of the evaluation point af of the comparative example shown in FIG. 3A, respectively. 7%.
  • the embodiment shown in FIG. 3B has a thinner film formed by the sputtered particles flying from the target 5 than the comparative example shown in FIG. 3A.
  • the generation of particles in the shielding member 14 can be reduced, and the film formed on the substrate placed on the substrate stage 7 is contaminated with particles.
  • the reduction of the generation of particles in the shielding member 14 is advantageous in order to reduce the adhesion of particles to the pressure gauge 16 (contamination of the pressure gauge 16). This contributes to maintaining the accuracy of measurement by the pressure gauge 16.
  • the pressure gauge 16 is a diaphragm vacuum gauge
  • the measurement accuracy is greatly reduced due to the adhesion (contamination) of particles (that is, it is sensitive to contamination), so that the generation of particles in the shielding member 14 is reduced. Significance is great.
  • FIG. 5 shows a second example of the embedded shielding member 14.
  • the shielding member 14 shown in FIG. 5 includes an umbrella-shaped first member 14 d provided so as to have a predetermined gap with the bottom of the recess 13, and a cylindrical first member provided on the periphery of the opening 8. 2 members 14c.
  • the first member 14b and the second member 14c constitute a labyrinth structure.
  • the labyrinth structure is provided by a structure in which a first member 14b having a concave shape portion and a second member 14c having a convex shape portion are fitted in a non-contact manner.
  • the first member 14 b and / or the second member 14 c may be integrated with the deposition preventing plate 6 or the vacuum chamber 1, or may be separate from the deposition preventing plate 6 or the vacuum chamber 1.
  • FIG. 6 is a view showing a third example of the embedded shielding member of the present invention.
  • a connection member (vacuum pipe) 17 having one end attached to the opening 8 and the other end attached to the pressure gauge 16 is provided.
  • the shielding member 14 is preferably formed as a separate member from the connection member (vacuum pipe) 17.
  • the above description is an example in which the present invention is applied to a sputtering apparatus, but the present invention can also be applied to other processing apparatuses such as a CVD apparatus or an etching apparatus.
  • the measuring instrument connected to the opening 8 may be a measuring instrument different from the pressure gauge 16.
  • the measuring device may be, for example, an analyzer that analyzes gas.
  • the opening 8 communicates a space (a space for processing the substrate) corresponding to the sputtering space SS in the above example and the measuring instrument.
  • the shielding member 14 is disposed so as to block a straight path between the space and the opening 8.

Abstract

　スパッタ装置は、基板に膜を形成するためのスパッタリング空間を規定する空間規定部材を有する。前記空間規定部材は、凹部を有し、前記凹部の底部には、開口部が設けられている。前記スパッタ装置は、前記開口部を前記スパッタリング空間から遮蔽する遮蔽部材を備えている。前記開口部は、前記スパッタリング空間内の圧力を計測可能な圧力計が取り付け可能に形成され、前記遮蔽部材は、少なくとも一部が前記凹部に埋め込まれるように配置されている。

Description

スパッタ装置および処理装置
　本発明は、スパッタ装置および処理装置に関する。
　近年の半導体装置の微細化に伴い、スパッタ工程においては、スパッタリングがなされるスパッタリング空間内の圧力を正確に測定することが要求されている。一方、圧力計がスパッタリング空間に晒されていると、圧力計がスパッタ膜等により汚染されるという問題がある。特に、圧力計の中で、隔膜真空計は、汚染に対して敏感である。
　特許文献１に示されたスパッタ装置は、遮蔽可能なシャッターをチャンバ内に設け、開口部に連結したイオンゲージへの膜の回りこみ量の低減を図っている。
　しかし、特許文献１のスパッタ装置においては、ウエハなどの基板上に薄膜を形成する時に、スパッタ装置内で、シャッターなどからパーティクル（異物）が発生して薄膜が汚染される場合がある。薄膜にパーティクルが存在すると、薄膜を有する半導体チップなどの製品に致命的な欠陥を生じさせ、歩留まり率の低下も招いてしまう。近年は、微細加工の進歩により、パーティクルのさらなる低減が要求される。
　また、高歩留まり率のためには安定したプロセスの再現性も欠かせない。そのためは、成膜中にもスパッタリング空間内の圧力を正確に測る必要があった。
特開２０１０－１５０５７２号公報
　本発明の第１の側面は、基板上に形成される膜がパーティクルによって汚染されることを低減しつつ、膜の形成中にもスパッタリング空間内の圧力を正確に測定することができ、圧力計への膜の回りこみ量（膜の形成）の低減をも可能にしたスパッタ装置を提供する。
　本発明の第１の側面は、例えば、基板に膜を形成するためのスパッタリング空間を規定する空間規定部材を有するスパッタ装置を提供する。前記空間規定部材は、凹部を有する。前記凹部の底部には、開口部が設けられている。前記スパッタ装置は、前記開口部を前記スパッタリング空間から遮蔽する遮蔽部材を備えている。前記開口部は、前記スパッタリング空間内の圧力を計測可能な圧力計が取り付け可能に形成されている。前記遮蔽部材は、少なくとも一部が前記凹部に埋め込まれるように配置されている。
　本発明の第２の側面は、パーティクルの発生を低減しつつ、基板を処理するための空間に連通した測定器の測定精度を維持するために有利な処理装置を提供する。
　本発明の第２側面は、例えば、空間を規定する空間規定部材を有する処理装置を提供する。前記空間規定部材は、凹部を有する。前記凹部の底部には、前記空間と測定器とを連通させるための開口部が設けられている。前記処理装置は、前記空間と前記開口部との間の直線経路を遮断する遮蔽部材を備えている。前記遮蔽部材の少なくとも一部は、前記凹部に配置されている。
本発明の一実施形態に係わるスパッタ装置を示す図である。 本発明の一実施形態の埋め込み式遮蔽部材の拡大図である。 比較例を示す図である。 本発明の一実施形態の埋め込み式遮蔽部材と、比較例の遮蔽部材を示す図である。 図３Ａに示す比較例における膜厚の評価ポイントａ－ｆを示す図である。 図３Ｂに示す実施形態における膜厚の評価ポイントａ－ｆを示す図である。 図３Ａに示す比較例と図３Ｂに示す実施形態とのシミュレーション結果（形成される膜の厚さの比）を示す図である。 本発明の埋め込み式遮蔽部材の第２の例を示す図である。 本発明の埋め込み式遮蔽部材の第３の例を示す図である。
　図１を用いて、本発明の一実施形態に係わるスパッタ装置を説明する。図１は、本発明のスパッタ装置を示す。図１のスパッタ装置は、真空チャンバ１内にスパッタリング空間を画定する防着板６（分割可能）を備え、真空チャンバ１内の基板ステージ７に載置された基板（不図示）の表面に、真空チャンバ１の上部に設けたターゲット５から飛来したスパッタ粒子（例えば金属）の薄膜を形成するものである。本実施形態では、真空チャンバ１の内壁を覆うように設けられた防着板６は、スパッタリングがなされるスパッタリング空間ＳＳを規定する空間規定部材に相当する。
　図１のスパッタ装置は、防着板６に設けられた凹部１３と、凹部１３の底部に設けられた開口部８と、開口部８に取り付けられ、スパッタリング空間ＳＳ内の圧力を計測可能な圧力計１６と、開口部８をスパッタリング空間ＳＳから遮蔽する遮蔽部材１４とを有する。また、図１のスパッタ装置は、防着板６にて規定されたスパッタリング空間ＳＳ内にガス（例えばアルゴン）を導入するガス導入口（不図示）と、真空チャンバ１内を排気するための排気口１２とを有する。遮蔽部材１４は、凹部１３に埋め込まれた状態で配置されている。排気口１２は、メインバルブ１１に接続されている。
　図１のスパッタ装置において、防着板６は、任意的な構成要素である。図１のスパッタ装置において、防着板６がない場合、ターゲット５は、真空チャンバ１ａの上部に設け、基板ステージ７は、真空チャンバ１ａの下部に設け、凹部１３は、真空チャンバ１ａの下壁に形成することが望ましい。この場合、真空チャンバ１ａのうち、ターゲット５と基板ステージ７と遮蔽部材１４が設けられている部分が、真空チャンバ１の壁の少なくとも一部を構成する部材に該当する。また、真空チャンバ１ｂのうち、排気口１２とメインバルブ１２が設けられている部分が、真空チャンバ１の壁の少なくとも一部を構成しない部材に該当する。また、真空チャンバ１ａが空間規定部材に該当し、真空チャンバ１ａ内がスパッタリング空間に該当する。
　図１のスパッタ装置では、図示されていないが、図６に示すように、開口部８に一端が取り付けられ、圧力計１６に他端が取り付けられた接続部材（真空配管）１７を別途設けても良い。
　更に、図１のスパッタ装置は、基板ステージ７を加熱するためのヒータと、基板ステージ７を冷却するための水冷ジャケットの少なくともいずれか１つを有しても良い。また、排気口１２には、不図示の真空ポンプ（例えば、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ）が接続されている。
　また、図１の装置においては、圧力計１６は、防着板６の内側のスパッタリング空間ＳＳのプロセス圧力値をなるべく正確に測定するため、基板への膜の形成がなされる基板ステージ７の近くに設置されることが望ましい。図２は、埋め込み式遮蔽部材１４の拡大図である。図２に模式的に示されているように、遮蔽部材１４は、傘形状の構造を有することが望ましい。本明細書において、「傘形状」とは、カバー１４ｂ、および、カバー１４ｂを支持する柱状支持体（例えば、円筒部）１４ａを有する形状をいう。傘形状は、キノコ形状を含みうる。カバー１４ｂの形状は、円、楕円、角丸四角形、多角形、角丸多角形等を含みうる。遮蔽部材１４は、防着板６又は真空チャンバ１内に設けられた、Ｒ部１３ａを有する凹部１３内に配置されうる。一例において、遮蔽部材１４は、凹部１３には、ネジ止め等の手段によって固定されておらず、柱状支持体１４ａを圧力計１６の凹部１６ａに挿入することにより取り外し可能である。メンテナンスのしやすさと、ネジに付着する膜の脱離を避けるためである。
　図３Ａは、防着板６０又は真空チャンバ１００が凹部１３を有せず、カバー１４ｂが凹部１３内に位置することなく遮蔽部材１４０が配置された比較例を示している。図３Ｂは、防着板６又は真空チャンバ１に凹部１３が設けられ、カバー１４ｂが凹部１３内に位置するように遮蔽部材１４が配置された本実施形態の構成が示されている。
　スパッタ粒子はコサイン則（cosine law）に従ってターゲット５から飛び出し、遮蔽部材１４０に飛来する。図３Ａの場合、ターゲット５から飛び出したスパッタ粒子Ａは、遮蔽部材１４０に直接飛来し、遮蔽部材１４０に膜を形成する。スパッタ粒子Ａのエネルギーが強いため、遮蔽部材１４０への密着性が強い。従って、スパッタ粒子Ａによって遮蔽部材１４０に形成された膜が剥離してパーティクルとなって基板に飛来する可能性は低い。また、図３Ａの場合、コサイン則に従ってターゲット５から飛び出したスパッタ粒子Ｂ１、スパッタ粒子Ｂ２は、１回、又は複数回にわたって、防着板６０又は真空チャンバ１００、又は遮蔽部材１４０で跳ね返されて、遮蔽部材１４０に間接的に飛来し、遮蔽部材１４０に膜を形成する。特に、遮蔽部材１４０表面のうちターゲット５と対向しない遮蔽部材１４０の裏側領域は、ターゲット５から見えない部分、つまり、スパッタ粒子Ａ、スパッタ粒子Ｂ１、スパッタ粒子Ｂ２が直接飛来しない部分である。スパッタ粒子Ｂ１、スパッタ粒子Ｂ２は、エネルギーが低下してから、遮蔽部材１４０の裏側領域に飛来して膜を形成するので、遮蔽部材１４０の裏側領域への密着性が弱い。図３Ａの場合、スパッタ粒子Ｂ１、スパッタ粒子Ｂ２により遮蔽部材１４０の裏側領域に形成された膜が剥離してパーティクルとなって基板に飛来し、基板を汚染しうる。更に、図３Ａの場合、スパッタ粒子Ｂ１、スパッタ粒子Ｂ２が圧力計に飛来し、圧力計１６がスパッタ膜等により汚染されうる。
　図３Ｂの場合、ターゲット５から飛び出したスパッタ粒子Ａは、遮蔽部材１４に直接飛来し、遮蔽部材１４に膜を形成する。スパッタ粒子Ａのエネルギーが強いため、スパッタ粒子Ａは遮蔽部材１４への密着性が強い。従って、図３Ａの場合と同様、遮蔽部材１４に形成された膜が剥離してパーティクルとなって基板に飛来する可能性は低い。
　遮蔽部材１４の表面のうちターゲット５と対向しない遮蔽部材１４の裏側領域は、ターゲット５から見えない部分、つまり、スパッタ粒子Ａ、スパッタ粒子Ｂ１、スパッタ粒子Ｂ２が直接飛来しない部分である。コサイン則に従ってターゲット５から飛び出したスパッタ粒子Ｂ１、スパッタ粒子Ｂ２は、１回、又は複数回にわたって、防着板６又は真空チャンバ１、又は遮蔽部材１４によって跳ね返されて、遮蔽部材１４に間接的に飛来する。図３Ｂの場合、スパッタ粒子Ｂ１の侵入を抑えるため、遮蔽部材１４のカバー１４ｂを防着板６又は真空チャンバ１の凹部１３に配置し、遮蔽部材１４の裏側領域へと至る入口２０が狭くされている。従って、図３Ａの場合と比較して、スパッタ粒子Ｂ１が、遮蔽部材１４の裏側領域に膜を形成する確率が低い。
　遮蔽部材１４をネジ止めしない場合には、例えば、図３Ｂに示すように、防着板６又は真空チャンバ１の開口部８に挿入可能な柱状支持体（例えば、円筒部材）１４ａをカバー１４ｂの裏側の中央部などに設け、柱状支持体１４ａを圧力計１６の凹部１６ａに挿入することによって遮蔽部材１４を固定することが便利かもしれない。
　図３Ｂにおいて、遮蔽部材１４は、凹部１３内に配置された遮蔽部材１４の上面１４-１と、防着板６の上面６－１又は真空チャンバ１の上面１－１とが同一平面に属するように配置されている。しかしながら、これは一構成例に過ぎず、遮蔽部材１４の上面１４－１と、防着板６の上面６－１又は真空チャンバ１の上面１－１とが同一平面に属しないように、遮蔽部材１４は、凹部１３内に完全に埋没されるように配置されてもよい。あるいは、遮蔽部材１４は、カバー１４ｂの一部が上面６－１又は真空チャンバ１の上面１－１から突出するように配置されてもよい。
　また、図３Ｂの隙間距離Ｂは、狭すぎると圧力計１６などの測定器による測定に支障をきたすので、隙間距離Ａとほぼ同じ程度の長さとすることが望ましい。
　図４Ａ－Ｃは、図３Ａに示す比較例および図３Ｂに示す実施形態において遮蔽部材に形成される膜の厚さをシミュレーショしたン結果を示している。図４Ａは、図３Ａに示す比較例における膜厚の評価ポイントａ―ｆを示し、図４Ｂは、図３Ｂに示す実施形態における膜厚の評価ポイントａ―ｆを示している。
　図４Ｃは、図３Ａに示す比較例の評価ポイントａ－ｆにおける膜厚に対する図３Ｂに示す実施形態の評価ポイントａ－ｆにおける膜厚の比を示している。具体的には、図４Ｃには、図３Ａに示す比較例の評価ポイントａ－ｆにおける膜厚を１００％としたときの図３Ｂに示す実施形態の評価ポイントａ－ｆにおける膜厚の比が示されている。図３Ｂに示す実施形態の評価ポイントａ－ｆにおける膜厚は、それぞれ、図３Ａに示す比較例の評価ポイントａ－ｆの膜厚の８４％、８２％、７％、４３％、０％、７％である。
　評価ポイントａ－ｆの全てにおいて、図３Ｂに示す実施形態は、図３Ａに示す比較例よりも、ターゲット５から飛来したスパッタ粒子によって形成される膜が薄いことが分かる。これにより、図３Ｂに示す実施形態によれば、遮蔽部材１４におけるパーティクルの発生を低減することができ、基板ステージ７に載置された基板上に形成される膜がパーティクルによって汚染されること、例えば、該膜にパーティクルが取り込まれることを低減することができる。また、遮蔽部材１４におけるパーティクルの発生の低減は、圧力計１６へのパーティクルの付着（圧力計１６の汚染）を低減するために有利である。これは、圧力計１６による測定の精度の維持に寄与する。特に、圧力計１６が隔膜真空計である場合は、パーティクルの付着（汚染）による計測精度の低下が大きい(即ち、汚染に対して敏感である）ので、遮蔽部材１４におけるパーティクルの発生の低減の意義は大きい。
　図５には、埋め込み式遮蔽部材１４の第２の例が示されている。図５に示す遮蔽部材１４は、凹部１３の底部との間に所定隙間を有するように設けられた傘形状の第１の部材１４ｄと、開口部８の周辺部に設けられた筒状の第２の部材１４ｃとを含む。第１の部材１４ｂと第２の部材１４ｃとは、ラビリンス構造を構成している。第２の例では、ラビリンス構造は、凹形状部を有する第１の部材１４ｂと凸形状部を有する第２の部材１４ｃとが非接触で嵌め込まれた構造によって提供される。第１の部材１４ｂおよび／または第２の部材１４ｃは、防着板６又は真空チャンバ１と一体であっても良いし、防着板６又は真空チャンバ１と別体であっても良い。
　図６は、本発明の埋め込み式遮蔽部材の第３の例を示す図である。図６においては、開口部８に一端が取り付けられ、圧力計１６に他端が取り付けられた接続部材（真空配管）１７が設けられている。この場合、遮蔽部材１４は、接続部材（真空配管）１７と別部材で形成することが望ましい。
　　上記の説明は、本発明をスパッタ装置に適用した例であるが、本発明は、例えば、ＣＶＤ装置又はエッチング装置などの他の処理装置にも適用可能である。開口部８に接続される測定器は、圧力計１６とは異なる測定器でもよい。測定器は、例えば、ガスを分析する分析装置であってもよい。開口部８は、上記の例におけるスパッタリング空間ＳＳに対応する空間（基板を処理するための空間）と測定器とを連通させる。遮蔽部材１４は、該空間と開口部８との間の直線経路を遮断するように配置される。
　本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
　本願は、２０１４年８月８日提出の日本国特許出願特願２０１４－１６２８８５を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。
１：真空チャンバ、５：ターゲット、６：防着板、７：基板ステージ、８：開口部、１３：凹部、１４：遮蔽部材、１６：圧力計、１７：接続部材

Claims (10)

  1. 　基板に膜を形成するためのスパッタリング空間を規定する空間規定部材を有するスパッタ装置であって、
    　前記空間規定部材は、凹部を有し、
    　前記凹部の底部には、開口部が設けられ、
    　前記スパッタ装置は、前記開口部を前記スパッタリング空間から遮蔽する遮蔽部材を備え、
    　前記開口部は、前記スパッタリング空間内の圧力を計測可能な圧力計が取り付け可能に形成され、
    　前記遮蔽部材は、少なくとも一部が前記凹部に埋め込まれるように配置されている、
    　ことを特徴とするスパッタ装置。
  2. 　前記空間規定部材が、真空チャンバの壁の少なくとも一部を構成する部材であることを特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。
  3. 　前記空間規定部材が、前記真空チャンバの内壁を覆うように設けられた防着板であることを特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。
  4. 　前記遮蔽部材は、傘形状を有することを特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。
  5. 　前記遮蔽部材は、前記凹部の前記底部と前記遮蔽部材との間に隙間を有するように設けられた傘形状の第１の部材と、前記開口部の周辺部に設けられた筒状の第２の部材とからなり、前記第１の部材と前記第２の部材との間の領域が、ラビリンス構造となるように構成されていることを特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。
  6. 　前記開口部には、前記スパッタリング空間内の圧力を計測可能な圧力計が取り付けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  7. 　前記遮蔽部材は、前記圧力計と取り外し可能であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
  8. 　前記圧力計は、一端が前記開口部に取り付けられ、他端が前記圧力計に取り付けられた接続部材を介して、前記開口部に接続されていることを特徴とする請求項６に記載のスパッタ装置。
  9. 　前記遮蔽部材は、前記接続部材とは別部材で形成されており、取り外し可能であることを特徴とする請求項８に記載のスパッタ装置。
  10. 　空間を規定する空間規定部材を有する処理装置であって、
    　前記空間規定部材は、凹部を有し、前記凹部の底部には、前記空間と測定器とを連通させるための開口部が設けられ、
    　前記処理装置は、前記空間と前記開口部との間の直線経路を遮断する遮蔽部材を備え、前記遮蔽部材の少なくとも一部は、前記凹部に配置されている。
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