TW202111150A - 雙功能性晶圓背側壓力控制及邊緣淨化 - Google Patents

雙功能性晶圓背側壓力控制及邊緣淨化 Download PDF

Info

Publication number
TW202111150A
TW202111150A TW109121522A TW109121522A TW202111150A TW 202111150 A TW202111150 A TW 202111150A TW 109121522 A TW109121522 A TW 109121522A TW 109121522 A TW109121522 A TW 109121522A TW 202111150 A TW202111150 A TW 202111150A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sealing tape
pocket
gas
pressure
pocket area
Prior art date
Application number
TW109121522A
Other languages
English (en)
Inventor
喬瑟夫 阿布考恩
特賈斯 烏拉維
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202111150A publication Critical patent/TW202111150A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

用於在處理腔室中提供背側壓力控制和邊緣淨化氣體至基板的設備和方法。基板支撐件的口袋部內的密封帶限定了內口袋部區域和外口袋部區域。密封帶具有取決於壓力的受控制洩漏率，使得流至內口袋部區域的背側氣體可擴散穿過密封帶到外口袋部區域，以在提供背側壓力至基板的同時產生邊緣淨化。也揭露了處理腔室、處理基板的方法及含有處理基板的指令的非暫態電腦可讀取媒體。

Description

雙功能性晶圓背側壓力控制及邊緣淨化
本揭示案的實施例係關於基板支撐部件。特定地，本揭示案的實施例係關於整合的背側壓力控制和邊緣淨化部件。
在半導體晶圓處理腔室 (例如，原子層沉積(ALD)腔室) 中，背側壓力控制和晶圓邊緣淨化是有用的特徵。該等特徵的主要功能是提供背側壓力控制，以改善晶圓的溫度均勻性和邊緣淨化，以防止沉積在晶圓背側和彎曲邊緣上。
使用晶圓邊緣附近的基座表面上的密封帶來達成習知的背側壓力控制。氣體流動路徑穿過基座至晶圓後方的口袋部並進入密封帶。使用控制流動率，測量壓力並具有繞過腔室的泵的流動路徑的部件來達成壓力控制。
可藉由幾種不同的技術來達成習知的邊緣淨化。可經由基座中的管線來輸送氣體並經由遞歸通道、基座周圍附近的充氣室或兩者的組合將氣體分配到晶圓邊緣下側的邊緣。該技術需要圍繞晶圓的邊緣環設計以引導氣體流動。邊緣環可整合進基座或單獨的部件。取決於氣流可圍繞晶圓邊緣分配的良好程度，邊緣淨化技術的有效性受到限制。
對於背側壓力控制和邊緣淨化兩者而言，置入基座的任何特徵都會影響其他設計部件和目標。例如，由於需要的設計折衷，將氣體分配通道置於基座中將對用該基座實現的溫度均勻性產生負面影響。因此，在本領域中需要用於背側壓力控制和邊緣淨化的改善設備。
本揭示案的一個或更多個實施例係一種基板支撐基座，包括一支撐主體，具有口袋部及密封帶。該支撐主體具有限定一厚度的一頂部表面及一底部表面。在該支撐主體的該頂部表面中形成該口袋部。該口袋部具有一底部表面、一深度及一外周邊邊緣。該密封帶的形狀與該口袋部的形狀相符且與該口袋部的該外周邊邊緣間隔一距離，以形成一內口袋部區域及一外口袋部區域。該密封帶具有一頂部表面、限定一寬度的一內面及一外面。該密封帶具有一個或更多個特性，以提供從該內口袋部區域穿過該密封帶的該寬度至該外口袋部區域的受控制的氣體洩漏。
本揭示案的額外的實施例係關於一種處理方法，包括以下步驟：提供一氣體流量至一基板支撐基座的一內口袋部區域；提供一流量朝向在該密封帶上支撐的一基板；及控制至該內口袋部區域的該氣體流量，以維持從該內口袋部區域穿過該密封帶至該外口袋部區域的一均勻氣體流量。
本揭示案的進一步的實施例係關於一種非暫態電腦可讀取媒體，包含指令以在由一處理腔室的一控制器執行時，使得該處理腔室實行以下操作：流動一背側氣體至一基板支撐基座的一內口袋部區域，該內口袋部區域由一密封帶界定，該密封帶具有一壓力差控制洩漏率；流動一處理氣體至該處理腔室中的一反應空間；決定該內口袋部區域及該密封帶的一外部處的一外口袋部區域之間的一壓力差，該外口袋部區域具有實質等於約為該反應空間中的壓力的一壓力；及控制該背側氣體至該內口袋部區域的該流動，以維持從該內口袋部區域穿過該密封帶至該外口袋部區域的一均勻氣體流量。
本揭示案的實施例係關於用於將背側壓力控制和邊緣淨化整合在處理腔室中的設備和方法。在一些實施例中，藉由產生穿過密封帶的受控制洩漏來達成背側壓力控制，使得背側壓力控制氣體還將用作邊緣淨化氣體。
本揭示案的一些實施例有利地提供了在密封帶周圍產生或改善均勻受控制洩漏的設備和方法，使得改善了所得的邊緣淨化氣體流動的均勻性。在一些實施例中，利用更均勻的邊緣淨化氣體，減低了邊緣淨化氣體的流動率。一些實施例有利地對晶圓上方的氣體流動提供了較小的影響(以較不均勻的分配，需要較高的流量以確保保護晶圓的低流量側)。
一些實施例有利地消除了基座中對遞歸氣體分配線或充氣室的需要，因為邊緣氣體流動來自晶圓下方的背側氣體的口袋部。本揭示案的一個或更多個實施例有利地提供了將基座設計集中在例如熱均勻性的其他事物上的能力，而不需要針對背側氣體和邊緣流量做出設計折衷。本揭示案的一些實施例有利地使用單個氣體輸送路徑，這比需要兩個氣體輸送路徑的方法減低了成本和氣體面板空間。
參照圖1，本揭示案的一個或更多個實施例係關於基板支撐基座200和包括基板支撐基座200的處理腔室100。圖1中所圖示的處理腔室100包括封閉內部容積105的腔室壁102、底部103和頂部104。氣體分配組件110位於處理腔室100內以提供氣體流動112進入內部容積105。
在所圖示的實施例中，氣體分配組件110是腔室頂部104的部分。然而，發明所屬領域具有通常知識者將理解到，氣體分配組件110可與腔室頂部104分離或位於處理腔室100的內部容積105的不同部分中。例如，在一些實施例中，氣體分配組件以相對於基板支撐件的頂部表面傾斜的角度提供來自腔室100的側壁102的氣體流動。
圖1至圖5圖示了根據本揭示案的各種實施例的基板支撐基座200。基板支撐基座200包含用於在處理期間支撐晶圓或基板的支撐主體202。支撐主體202具有頂部表面204和底部表面206以限定支撐主體202的厚度T。支撐主體202具有外邊緣208以限定支撐主體202的總體形狀。在一些實施例中，支撐主體202是具有圓形外邊緣208和厚度T的大致圓柱形的部件。
在支撐主體202的頂部表面204中形成口袋部210。口袋部210具有底部表面212、深度D和外周邊邊緣214。口袋部210可具有任何合適的形狀和尺寸，例如取決於待處理的基板。圖式中所圖示的實施例展示了與圓形基板一起使用的基板支撐基座200。然而，發明所屬領域具有通常知識者將理解到，本揭示案不限於圓形基板和圓形支撐主體202，且可使用任何合適形狀的基板和支撐主體。
基板支撐基座200包含與口袋部210的形狀相符的密封帶220。密封帶220與外周邊邊緣214間隔距離DS ，以將口袋部210分成內口袋部區域222和外口袋部區域224。圖1中所展示的外周邊邊緣214從口袋部210的底部表面212向上傾斜到支撐主體202的頂部表面204。在一些實施例中，如圖4和圖5中所展示，外周邊邊緣214具有內壁部分214a和外壁部分214b。距離DS 被定義為密封帶220和壁部分的最內部分(在圖5中即內壁部分214a)之間的距離。
從口袋部210的外周邊邊緣214到密封帶220的外面229的距離可為任何合適的距離。在一些實施例中，密封帶220的外面229是口袋部210的外周邊邊緣214。在一些實施例中，密封帶220的外面229與口袋部210的外周邊邊緣214間隔在約0.25 mm至約10 mm的範圍中，或在約0.5 mm至約6 mm的範圍鐘，或在約0.75 mm至約4 mm的範圍鐘，或在約1 mm至約2 mm的範圍中。
密封帶220具有頂部表面226、內面228和外面229。密封帶220的寬度W­S 被定義為內面228和外面229之間的距離，如圖5中所展示。密封帶220的寬度WS 可為任何合適的寬度。在一些實施例中，密封帶220的寬度WS 在約0.5 mm至約25 mm的範圍中，或在約1 mm至約20 mm的範圍中，或在約2 mm至約15 mm的範圍中，或在約3 mm至約10 mm的範圍中。
密封帶220的高度HS 定義為從口袋部210的底部表面212到密封帶220的頂部表面226的距離，如圖5中所展示。密封帶220的高度HS 可為任何合適的尺寸。在一些實施例中，密封帶220的高度HS 在約0.2 mm至約20 mm的範圍中，或在約0.5 mm至約15 mm的範圍中，或在約0.75 mm至約10 mm的範圍中，或在約1 mm至約5 mm的範圍中。在一些實施例中，密封帶220具有高度HS 足以使得支撐在密封帶220的頂部表面226上的晶圓160與支撐主體202的頂部表面204實質共平面。以此使用方式，術語「實質共平面」是指由基板160形成的主平面在支撐主體202的頂部表面204的主平面的±0.5 mm內。
密封帶220具有一個或更多個特性，提供了穿過密封帶220的氣體的受控制的洩漏，使得氣體232可從內口袋部區域222擴散穿過密封帶220到外口袋部區域224，如圖6中所圖示。氣體232擴散穿過密封帶220有助於防止基板160背側上的沉積。以此使用方式，術語「受控制的洩漏」是指氣體232擴散穿過密封帶220的速率為已知。
影響穿過密封帶220的擴散率的密封帶220的特性包含以下參數，例如但不限於：密封帶220的材料、密封帶220的寬度WS 、密封帶220的高度HS 、內口袋部區域222中的壓力、和外口袋部區域224中的壓力(與處理腔室的內部容積或基板上方的反應空間中的壓力相同)。
在一些實施例中，受控制的洩漏率被稱為壓力相關或壓力差受控制洩漏率。內口袋部區域222與外口袋部區域224之間的壓力差越大，由於內口袋部區域222與外口袋部區域224之間的壓力差影響擴散率，將導致較高的壓力差受控制洩漏率。
在圖6中所圖示的實施例中，基板160覆蓋密封帶220的頂部表面226，使得氣體232從內面228擴散穿過密封帶220的寬度WS 至外面229。在圖4及圖5中所圖示的實施例中，基板160覆蓋密封帶220的頂部表面226的一部分，使得擴散穿過密封帶220的氣體始於密封帶220的內面228處且可離開密封帶220的頂部表面226，而不會穿過密封帶220的整個寬度WS 。
在一些實施例中，提供受控制的氣體洩漏的密封帶220的特性是密封帶220的材料形狀及/或成分。參照圖7A至7E，圖示了密封帶220的各種實施例。在圖7A中，密封帶220在頂部表面226中具有複數個切口241。圖7B展示了具有與圖7A的切口241不同形狀的複數個切口242。可改變切口241、242的面積或體積以改變穿過密封帶220的受控制洩漏率。在一些實施例中，如圖7C中所展示，密封帶220具有粗糙化表面243。可修改表面粗糙度以改變穿過密封帶的擴散率。在圖7D中，複數個通道244延伸穿過密封帶220的主體。可改變通道244的面積、體積等以影響擴散率。在圖7E中，密封帶220包括多孔材料245。可改變密封帶220的孔隙率以影響擴散率。
如圖1及圖2中所展示，一些實施例的基板支撐基座200包含基座軸件250。基座軸件250從主體202的底部表面206延伸。在一些實施例中，基座軸件250與支撐主體202形成整體(如圖1中所展示)。在一些實施例中，基座軸件250是與支撐主體202分離的部件(如圖2中所展示)。
一些實施例的基座軸件250包括氣體線255，氣體線255延伸穿過基座軸件250至口袋部210的底部表面212中的開口213。一些實施例的支撐主體202包含在氣體線255和開口213之間形成流體連通的通道256。圖2中所圖示的實施例具有基座軸件250，具有延伸穿過基座軸件至開口213的氣體線255，開口213穿過通道256位於口袋部210的內口袋部區域222的底部表面212中。
參照圖2，在一些實施例中，支撐主體202為靜電卡盤。如發明所屬領域具有通常知識者所理解的，靜電卡盤包含一個或更多個電極260，電極可被極化以將基板吸到支撐主體202。在一些實施例中，支撐主體202包含在支撐主體202的厚度內的一個或更多個熱元件265。熱元件265連接到電源(未展示)，該電源可引起支撐主體202的溫度中的變化。在一些實施例中，熱元件265為加熱線圈。在一些實施例中，熱元件265為冷卻元件。在一些實施例中，熱元件265包括加熱線圈和冷卻元件以控制基板的溫度。
在圖2及圖3中所圖示的實施例中，支撐主體202包含複數個升降銷開口268。如發明所屬領域具有通常知識者所理解的，升降銷(未展示)可通過開口268以將基板升高或降低進入口袋部210到密封帶220上。開口268可大於升降銷以允許對晶圓放置進行平移校正以使基板在口袋部中置中。
返回參照圖1，一些實施例包含連接到氣體線255的流量控制器170、壓力表172、泵174或反饋電路176之一者或更多者。發明所屬領域具有通常知識者將熟悉與處理腔室一起使用的流量控制器、壓力表、泵和反饋電路。在一些實施例中，使用流量控制器170、壓力表172、泵174和反饋電路176以控制通過氣體線255進入口袋部210的內口袋部區域222的背側氣體的流動。
在圖1中所圖示的實施例中，流量控制器170在氣體線255的上游並與氣體線255流體連通。壓力表172在氣體線255的下游且與氣體線255流體連通，且泵174在壓力表172的下游且與氣體線255流體連通。可使用流量控制器170、壓力表172和泵174的組合以控制提供給內口袋部區域222的背側氣體壓力。在一些實施例中，反饋電路176經配置以測量氣體線255中的壓力並調整流量控制器172以維持氣體線255內的均勻壓力。
在一些實施例中，基板支撐基座200或處理腔室100或兩者連接到控制器190。控制器190可經配置以控制及/或從流量控制器170、壓力表172、泵174或反饋電路176之一者或更多者接收資訊。在一些實施例中，反饋電路176是控制器190的一部分。
在圖1的處理腔室100中，處理腔室100的內部空間105內的基板支撐基座200限定了反應空間106，與支撐主體202的頂部表面204相鄰。氣體分配組件110引導氣體流動105朝向支撐主體202的頂部表面204及基板160。反應空間壓力表108經配置以測量反應空間106內的壓力。
處理腔室100的一些實施例包含至少一個控制器190，控制器190耦合到處理腔室100、基座200、流量控制器170、壓力表172、泵174、反饋電路176、反應空間壓力表108或氣體分配組件110之一者或更多者。在一些實施例中，有多於一個控制器190連接到各個部件，且主控制處理器耦合到每一單獨的控制器或處理器以控制系統。控制器190可為通用電腦處理器、微控制器、微處理器等的任何形式之一者，可在工業環境中用於控制各種腔室和子處理器。
至少一個控制器190可具有處理器192、耦合到處理器192的記憶體194、耦合到處理器192的輸入/輸出裝置196、及支援電路198，以在不同電子部件之間進行通訊。記憶體194可包含暫態記憶體(例如，隨機存取記憶體)和非暫態記憶體(例如，儲存器)之一者或更多者。
處理器的記憶體194或電腦可讀取媒體可為一個或更多種容易取得的記憶體，例如隨機存取記憶體(RAM)、唯獨記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他形式的本端或遠端數位儲存器。記憶體194可保留可由處理器192操作以控制系統的參數和部件的指令集。支援電路198耦合到處理器192以用於以習知方式支援處理器。電路可包含例如快取記憶體、電源、時脈電路、輸入/輸出電路、子系統等。
處理大體可作為軟體例程儲存在記憶體中，在由處理器執行時，使處理腔室實行本揭示案的處理。軟體例程也可由第二處理器(未展示)儲存及/或執行，第二處理器位於由處理器控制的硬體的遠端。本揭示案的一些或全部方法也可在硬體中實行。這樣，處理可以軟體實作且可使用電腦系統以硬體來執行，例如，專用積體電路或其他類型的硬體實作，或軟體和硬體的組合。當由處理器執行時，軟體例程將通用電腦轉換成控制腔室操作以實行處理的專用電腦(控制器)。
在一些實施例中，控制器190具有一個或更多個配置以執行各個處理或子處理以執行方法的實施例。控制器190可連接到且經配置以操作中間部件以實行方法的功能。例如，控制器190可連接到且經配置以控制氣體閥、致動器、馬達、狹縫閥、真空控制等之一者或更多者。
一些實施例的控制器190或非暫態電腦可讀取媒體具有一個或更多個配置或指令，該等配置或指令選自：將機器人上的基板移動至升降銷的配置；從系統裝載及/或卸載基板的配置；提供穿過氣體分配組件的氣體流動的配置；測量反應空間壓力的配置；測量氣體線中的壓力的配置；控制流量控制器以控制至氣體線的背側氣體的流量的配置；控制從氣體線到泵的氣體流量及流量控制器以調節氣體線中的壓力的配置；根據來自反應空間壓力表的讀數來調整流量控制器以維持氣體線內的均勻壓力的配置；維持在內口袋部區域中相對於反應空間的正向壓力的配置；控制支撐主體內的靜電卡盤及/或電極的配置；控制熱元件以控制支撐主體溫度的配置。
在一些實施例中，非暫態電腦可讀取媒體或控制器包含指令以：流動背側氣體到基板支撐基座的內口袋部區域；流動處理氣體至處理腔室中的反應空間的配置；決定內口袋部區域和密封帶外部處的外口袋部區域或反應空間的壓力之間的壓力差的配置；及/或控制背側氣體流動至內口袋部區域以維持從內口袋部區域經由密封帶到外口袋部區域的均勻氣體流動。
在一些實施例中，內口袋部區域中的壓力足以允許穿過密封帶的均勻氣體流動在外口袋部區域中產生大於或等於反應空間中的壓力的壓力。以此方式維持正向壓力有助於防止處理氣體在密封帶的直徑外部或穿過密封帶至內口袋部區域而流到晶圓的背側。
在整個說明書中，對「一個實施例」、「某些實施例」、「一個或更多個實施例」或「一實施例」的引用是指與該實施例一起描述的特定特徵、結構、材料或特性被包含在本揭示案的至少一個實施例中。因此，在整個說明書中各處出現的短語例如「在一個或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」不一定參照本揭示案的相同實施例。此外，在一個或更多個實施例中，可以任何合適的方式組合特定的特徵、結構、材料或特性。
儘管已參考特定實施例描述了本文揭示案，發明所屬領域具有通常知識者將理解到，所描述的實施例僅是本揭示案的原理和應用的說明。對於發明所屬領域具有通常知識者將顯而易見的是，在不脫離本揭示案的精神和範圍的情況下，可對本揭示案的方法和設備進行各種修改和變化。因此，本揭示案可包含落於所附請求項及其等同物的範圍內的修改和變化。
100:處理腔室 102:腔室壁 103:底部 104:頂部 105:內部容積 106:反應空間 108:反應空間壓力表 110:氣體分配組件 112:氣體流動 160:基板 170:流量控制器 172:壓力表 174:泵 176:反饋電路 190:控制器 192:處理器 194:記憶體 196:輸入/輸出裝置 198:支援電路 200:基板支撐基座 202:支撐主體 204:頂部表面 206:底部表面 208:外邊緣 210:口袋部 212:底部表面 213:開口 214:外周邊邊緣 214a:內壁部分 214b:外壁部分 220:密封帶 222:內口袋部區域 224:外口袋部區域 226:頂部表面 228:內面 229:外面 232:氣體 241:切口 242:切口 243:粗糙化表面 244:通道 245:多孔材料 250:基座軸件 255:氣體線 256:通道 260:電極 265:熱元件 268:升降銷開口
為了可詳細地理解本揭示案的上述特徵的方式，可經由參考實施例來對本揭示案進行更詳細的描述(如上文簡要概述)，在附圖中圖示了一些實施例。然而，應注意附圖僅圖示了本揭示案的典型實施例，因此不應被認為是對其範圍的限制，因為本揭示案可允許其他等效的實施例。在附圖的圖式中以範例而非限制的方式圖示了本文所述的實施例，其中相似的元件符號指示相似的元件。
圖1展示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的處理腔室的橫截面示意圖；
圖2展示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的基板支撐基座的橫截面正視圖；
圖3展示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的基板支撐基座的俯視圖；
圖4展示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的基板支撐基座的部分橫截面示意圖；
圖5展示了圖4的區域5的放大圖；
圖6展示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的基板支撐基座的部分橫截面示意圖；及
圖7A至7E展示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的部分橫截面示意圖或密封帶。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:基板支撐基座
204:頂部表面
206:底部表面
208:外邊緣
210:口袋部
212:底部表面
213:開口
220:密封帶
222:內口袋部區域
224:外口袋部區域
250:基座軸件
255:氣體線
256:通道
260:電極
268:升降銷開口

Claims (20)

  1. 一種基板支撐基座，包括： 一支撐主體，該支撐主體具有限定一厚度的一頂部表面及一底部表面； 一口袋部，在該支撐主體的該頂部表面中形成該口袋部，該口袋部具有一底部表面、一深度及一外周邊邊緣；及 一密封帶，該密封帶的形狀與該口袋部的該外周邊邊緣的形狀相符且與該口袋部的該外周邊邊緣間隔一距離，以形成一內口袋部區域及一外口袋部區域，該密封帶具有限定一寬度的一頂部表面、一內面及一外面，該密封帶具有一個或更多個特性，以提供從該內口袋部區域穿過該密封帶的該寬度至該外口袋部區域的受控制的氣體洩漏。
  2. 如請求項1所述之基板支撐基座，其中提供受控制的氣體洩漏的該密封帶特性包括該密封帶的該頂部表面中的一個或更多個切口、該密封帶的一粗糙化頂部表面、延伸穿過該密封帶的該寬度的通道、或一多孔材料成分。
  3. 如請求項1所述之基板支撐基座，其中該密封帶與該口袋部的該外周邊邊緣間隔約1至約2 mm的範圍中的一距離。
  4. 如請求項1所述之基板支撐基座，其中該密封帶具有約1 mm至約5 mm的範圍中的一高度。
  5. 如請求項1所述之基板支撐基座，其中該密封帶具有一高度，該高度足以使得在該密封帶的該頂部表面上支撐的一晶圓與該支撐主體的該頂部表面實質共平面。
  6. 如請求項1所述之基板支撐基座，其中該支撐主體為包括電極的一靜電卡盤。
  7. 如請求項1所述之基板支撐基座，其中該支撐主體包括該支撐主體的該厚度內的加熱器線圈。
  8. 如請求項1所述之基板支撐基座，進一步包括從該支撐主體的該底部表面延伸的一基座軸件。
  9. 如請求項8所述之基板支撐基座，其中該基座軸件包括延伸穿過該基座軸件至該口袋部的該內口袋部區域的該底部表面中的一開口的一氣體線。
  10. 如請求項9所述之基板支撐基座，進一步包括連接至該氣體線的一流量控制器、壓力表、泵及反饋電路，以控制穿過該氣體線進入該口袋部的該內口袋部區域的一氣體流量。
  11. 如請求項10所述之基板支撐基座，進一步包括一控制器，該控制器經配置以控制及/或接收來自該流量控制器、壓力表、泵或反饋電路之其中一者或更多者的資訊。
  12. 如請求項11所述之基板支撐基座，其中該流量控制器在該氣體線的上游且與該氣體線流體連通，該壓力表在該氣體線的下游且與該氣體線流體連通，且該泵在該壓力表的下游且與該氣體線流體連通，且該反饋電路經配置以測量該氣體線中的壓力且調整該流量控制器以維持該氣體線內的一均勻壓力。
  13. 一種處理腔室，包括： 該處理腔室內的請求項12所述之該基板支撐基座，限定相鄰於該支撐主體的該頂部表面的一反應空間； 一氣體分配組件，該氣體分配組件引導一氣體流量朝向該支撐主體的該頂部表面；及 一反應空間壓力表，該反應空間壓力表經配置以測量該反應空間內的壓力。
  14. 如請求項13所述之處理腔室，其中該控制器經配置以基於來自該反應空間壓力表的讀數來調整該流量控制器以維持該氣體線內的一均勻壓力。
  15. 如請求項14所述之處理腔室，其中該控制器經配置以維持該內口袋部區域中相對於該反應空間的一正向壓力。
  16. 如請求項15所述之處理腔室，其中該內口袋部區域中的該壓力足以允許一均勻氣體流量穿過該密封帶以產生該外口袋部區域中的一壓力，該壓力大於或等於該反應空間中的壓力。
  17. 如請求項16所述之處理腔室，其中該支撐主體包括一個或更多個電極以用作一靜電卡盤，且該控制器進一步經配置以提供功率至該一個或更多個電極，使得一基板被卡在該密封帶的該頂部表面。
  18. 如請求項17所述之處理腔室，其中該支撐主體包括一個或更多個熱元件，且該控制器進一步經配置以提供功率至該一個或更多個熱元件，以控制該支撐主體的溫度。
  19. 一種處理方法，包括以下步驟： 提供一氣體流量至一基板支撐基座的一內口袋部區域，該基板支撐基座包括： 一支撐主體，該支撐主體具有限定一厚度的一頂部表面及一底部表面； 一口袋部，在該支撐主體的該頂部表面中形成該口袋部，該口袋部具有一底部表面、一深度及一外周邊邊緣；及 一密封帶，該密封帶的形狀與該口袋部的該外周邊邊緣的形狀相符且與該口袋部的該外周邊邊緣間隔一距離，以形成一內口袋部區域及一外口袋部區域，該密封帶具有限定一寬度的一頂部表面、一內面及一外面，該密封帶具有一個或更多個特性，以提供從該內口袋部區域穿過該密封帶的該寬度至該外口袋部區域的受控制的氣體洩漏； 提供一流量朝向在該密封帶上支撐的一基板；及 控制至該內口袋部區域的該氣體流量，以維持從該內口袋部區域穿過該密封帶至該外口袋部區域的一均勻氣體流量。
  20. 一種非暫態電腦可讀取媒體，包含指令以在由一處理腔室的一控制器執行時，使得該處理腔室實行以下操作： 流動一背側氣體至一基板支撐基座的一內口袋部區域，該內口袋部區域由一密封帶界定，該密封帶具有一壓力差控制洩漏率； 流動一處理氣體至該處理腔室中的一反應空間； 決定該內口袋部區域及該密封帶的一外部處的一外口袋部區域之間的一壓力差，該外口袋部區域具有實質等於約為該反應空間中的壓力的一壓力；及 控制該背側氣體至該內口袋部區域的該流動，以維持從該內口袋部區域穿過該密封帶至該外口袋部區域的一均勻氣體流量。
TW109121522A 2019-06-25 2020-06-24 雙功能性晶圓背側壓力控制及邊緣淨化 TW202111150A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962866591P 2019-06-25 2019-06-25
US62/866,591 2019-06-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202111150A true TW202111150A (zh) 2021-03-16

Family

ID=74043287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109121522A TW202111150A (zh) 2019-06-25 2020-06-24 雙功能性晶圓背側壓力控制及邊緣淨化

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11923233B2 (zh)
TW (1) TW202111150A (zh)
WO (1) WO2020263939A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11587818B2 (en) * 2019-07-18 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chuck design and method for wafer
KR20230158610A (ko) * 2021-03-25 2023-11-20 램 리써치 코포레이션 고온 증착 시퀀스에서 동작하는 저온 페데스탈의 전도성 냉각
KR20240021679A (ko) * 2021-06-14 2024-02-19 램 리써치 코포레이션 기판 운동 방지를 위한 전면 및 후면 압력 모니터링
US11976363B2 (en) * 2021-08-19 2024-05-07 Applied Materials, Inc. Purge ring for pedestal assembly
WO2024010887A1 (en) * 2022-07-08 2024-01-11 Lam Research Corporation Improved pedestals for substrate processing systems
US20240047256A1 (en) * 2022-08-02 2024-02-08 Applied Materials, Inc. Centering wafer for processing chamber

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5804507A (en) * 1995-10-27 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing
US6189482B1 (en) * 1997-02-12 2001-02-20 Applied Materials, Inc. High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods
US7672110B2 (en) 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
JP4800991B2 (ja) * 2007-03-26 2011-10-26 日本碍子株式会社 半導体製造装置用サセプタ
US9888528B2 (en) * 2014-12-31 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple heating zones
JP2018041776A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 株式会社ディスコ チャックテーブル及び搬送パッド
WO2018183557A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with flexible wafer temperature control
US11515130B2 (en) * 2018-03-05 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Fast response pedestal assembly for selective preclean

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020263939A1 (en) 2020-12-30
US20200411359A1 (en) 2020-12-31
US11923233B2 (en) 2024-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202111150A (zh) 雙功能性晶圓背側壓力控制及邊緣淨化
KR102323167B1 (ko) 프로세싱 챔버 내에서의 퍼징 및 플라스마 억제를 위한 방법 및 장치
JP5875864B2 (ja) 統合型流量平衡器と改良されたコンダクタンスとを備える下部ライナ
JP5102706B2 (ja) バッフル板及び基板処理装置
TWI615499B (zh) 具有內部擴散器和角度注入件的可調諧氣體輸送組件
TW201640555A (zh) 半導體製造裝置
TW201923953A (zh) 具有空間分離的單個晶圓處理環境
US20210087686A1 (en) Ald cycle time reduction using process chamber lid with tunable pumping
JP2009016382A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体
TW202117918A (zh) 具有背側和整合式斜角沖淨的晶圓加熱器
JP7387794B2 (ja) 遠隔プラズマ酸化チャンバ用ドッグボーン入口錐体輪郭
CN109686643B (zh) 处理装置以及具有扩散路径的构件
TW202028521A (zh) 具有精確溫度和流量控制的多站腔室蓋
TW202230471A (zh) 熱均勻的沉積站
TW202200817A (zh) 高溫化學氣相沉積蓋
US20220364575A1 (en) Pumping liner for improved flow uniformity
US20210292898A1 (en) Pedestal Geometry for Fast Gas Exchange
JP6626800B2 (ja) プラズマ処理装置のシャワープレートを検査する方法
US20230357927A1 (en) Ald cycle time reduction using process chamber lid with tunable pumping
US10655216B2 (en) Pressure control method
US20240047256A1 (en) Centering wafer for processing chamber
TW202204679A (zh) 高溫真空密封
KR20070073429A (ko) 반도체 제조용 저압 화학 기상 증착장치
TW202318920A (zh) 在具有離子阻隔板的電容耦合電漿腔室中產生電漿
TW202405230A (zh) 用於處理腔室之熱遮罩