JP2020524915A - ウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ - Google Patents
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- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims abstract description 71
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 121
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 49
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 9
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 9
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 claims description 6
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 6
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 claims description 3
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical group C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 164
- 239000011797 cavity material Substances 0.000 description 109
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
2 下部キャビティ、
3 昇降制御装置、
4 ウエハ載置台、
6 ウエハ位置検出ユニット、
61 第1光電送信モジュール、
62 第1光電受信モジュール、
63 第2光電送信モジュール、
64 第2光電受信モジュール、
65 制御モジュール、
66 駆動モジュール、
67 アラームモジュール、
7 ウエハ有無検出ユニット、
9 マニピュレータ、
10 マニピュレータアーム部、
11 第1光電送受信モジュール、
12 第2光電送受信モジュール、
100 ウエハ。
Claims (10)
- 上部キャビティと、下部キャビティと、昇降制御装置と、ウエハ載置台と、ウエハ突き出しピンと、マニピュレータとを含むウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティであって、
前記昇降制御装置は、前記上部キャビティの上下移動を制御するように前記上部キャビティに接続され、前記ウエハ載置台及び前記ウエハ突き出しピンは、前記下部キャビティに設けられ、
前記下部キャビティの外部にウエハ位置検出ユニットが設けられることを特徴とする、ウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。 - 前記ウエハ位置検出ユニットは、第1光電送信モジュールと、第1光電受信モジュールと、第2光電送信モジュールと、第2光電受信モジュールと、制御モジュールと、駆動モジュールと、アラームモジュールとを含むことを特徴とする、請求項1に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
- 前記下部キャビティの内部には、ウエハ有無検出ユニットがさらに設けられることを特徴とする、請求項1又は2に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
- 前記ウエハ有無検出ユニットは、近接センサ、静電容量式センサ、電気誘導センサ又は光学センサである、ことを特徴とする、請求項3に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
- 前記ウエハ位置検出ユニットは、第1光電送受信モジュール及び第2光電送受信モジュールをさらに含み、前記第1光電送受信モジュール及び前記第2光電送受信モジュールは、それぞれ前記気相腐食キャビティと組み合わせて使用されるウエハ運送マニピュレータのアームの両端に設けられることを特徴とする、請求項2に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
- 前記第1光電送信モジュール、前記第2光電送信モジュールは、レーザ光発射モジュールであり、前記第1光電受信モジュール、前記第2光電受信モジュールは、レーザ光受信モジュールであることを特徴とする、請求項2に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
- 前記第1光電送受信モジュール及び前記第2光電送受信モジュールは、それ自体でレーザ光を発射し、反射してきたレーザ光を受信して検出することができるレーザ光送受信モジュールであることを特徴とする、請求項5に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
- 前記上部キャビティ及び前記下部キャビティの材質は、パーフルオロアルコキシ樹脂(PFA)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、エチレンテトラフルオロエチレン(ETFE)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリプロピレン(PP)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)のうちの1種又は複数種の組み合わせであることを特徴とする、請求項1に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
- 導入される気相源は、フッ化水素(HF)、塩化水素(HCl)、臭化水素(HBr)、ヨウ化水素(HI)、二フッ化キセノン(XeF2)のうちの1種又は複数種の組み合わせであることを特徴とする、請求項1に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
- 前記昇降制御装置は、駆動装置及び変位センサを含み、前記駆動装置は、エアシリンダ又は電動シリンダであり、前記変位センサは、光学センサ又は静電容量式センサであることを特徴とする、請求項1に記載のウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710597149.6A CN107610997A (zh) | 2017-07-20 | 2017-07-20 | 一种具有晶圆位置检测装置的气相腐蚀腔体 |
CN201710597149.6 | 2017-07-20 | ||
PCT/CN2018/093267 WO2019015451A1 (zh) | 2017-07-20 | 2018-06-28 | 一种具有晶圆位置检测装置的气相腐蚀腔体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020524915A true JP2020524915A (ja) | 2020-08-20 |
JP6900136B2 JP6900136B2 (ja) | 2021-07-07 |
Family
ID=61060031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019571421A Active JP6900136B2 (ja) | 2017-07-20 | 2018-06-28 | ウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6900136B2 (ja) |
CN (1) | CN107610997A (ja) |
WO (1) | WO2019015451A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107610997A (zh) * | 2017-07-20 | 2018-01-19 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种具有晶圆位置检测装置的气相腐蚀腔体 |
CN110164787B (zh) * | 2018-02-11 | 2021-05-25 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 腔室晶圆位置检测装置及检测方法 |
CN110534466A (zh) * | 2018-05-25 | 2019-12-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 机械手取片方法及系统 |
CN111336792B (zh) * | 2018-12-19 | 2022-03-11 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种干燥微水珠的腔体 |
CN110411378B (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-09 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种晶圆检测装置及其检测方法 |
CN110849281B (zh) * | 2019-11-13 | 2021-03-16 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种能够实现光学系统自动闭环控制的孔径仪及测量方法 |
CN111180378B (zh) * | 2019-12-31 | 2023-12-29 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 一种检测晶舟内晶圆斜插的方法及装置 |
CN113764247A (zh) * | 2020-06-02 | 2021-12-07 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种用于真空腔室的顶针升降装置及等离子刻蚀系统 |
CN111968923B (zh) * | 2020-08-24 | 2023-12-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备 |
CN114496689B (zh) * | 2020-11-11 | 2024-05-28 | 中国科学院微电子研究所 | 一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法 |
CN112490149B (zh) * | 2020-11-13 | 2024-04-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备、检测工艺腔室中是否存在晶圆的方法 |
CN113206031B (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-29 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | 一种晶圆自动定位示教系统及方法 |
CN113675123B (zh) * | 2021-07-29 | 2024-01-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种晶圆校准装置、方法及系统 |
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---|---|---|---|---|
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CN105097616B (zh) * | 2015-06-17 | 2018-01-26 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 基于机械手移动的硅片分布状态组合检测方法及装置 |
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CN107610997A (zh) * | 2017-07-20 | 2018-01-19 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种具有晶圆位置检测装置的气相腐蚀腔体 |
-
2017
- 2017-07-20 CN CN201710597149.6A patent/CN107610997A/zh active Pending
-
2018
- 2018-06-28 JP JP2019571421A patent/JP6900136B2/ja active Active
- 2018-06-28 WO PCT/CN2018/093267 patent/WO2019015451A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107610997A (zh) | 2018-01-19 |
WO2019015451A1 (zh) | 2019-01-24 |
JP6900136B2 (ja) | 2021-07-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201225 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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