201009979 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於例如對被處理體進行灰化處理等電漿處 理的真空處理裝置。 【先前技術】 在例如玻璃基板或半導體晶圓等半導體基板的製造工 0 程中’係有對基板施行灰化處理的工程。針對進行該工程 之灰化裝置之一例’根據第18圖簡單說明，圖中1係在 其側方具備有基板之搬入出口 10的真空腔室，前述搬入 出口 10係構成爲藉由閘閥11而開閉自如。在該真空腔室 1的內部係設有形成用以載置基板（例如玻璃基板S)的 下部電極的載置台12，並且以與該載置台12相對向的方 式設有形成上部電極的處理氣體供給部13。接著，由處 理氣體供給部13對真空腔室1內供給處理氣體，經由未 • 圖示的排氣路藉由未圖示的真空泵對真空腔室1內進行真 空抽吸，另一方面，藉由由高頻電源14對前述載置台12 施加高頻電力，在基板S的上方空間形成處理氣體的電漿 ，藉此對基板S進行灰化處理。 在如上所示之灰化裝置中，係具有例如在大氣環境與 真空腔室之間使基板被搬入出的裝置，在該裝置中係進行 :當對真空腔室進行基板之搬入出時，係使腔室內的壓力 恢復至大氣壓，當對基板進行灰化處理時，係將腔室內進 行真空抽吸至處理壓力。因此必須要有自搬入基板之後、 -5- 201009979 開始處理爲止的真空抽吸所需時間，與自處理結束之後、 搬出基板爲止之恢復至大氣壓的時間，該壓力調整需要極 多的時間。 但是，爲了縮短灰化裝置的壓力調整時間，縮小真空 腔室的內容積雖爲上策，但在上述裝置中，在與被設在大 氣環境的搬送臂（未圖示）之間進行基板的收授時，係由 前述搬入出口 ίο藉由前述搬送臂搬入基板，使被設在載 置台12之未圖示的升降銷上浮至載置台12的上方側，在 @ 該升降銷與前述搬送臂之間進行基板的收授。因此在載置 台1 2與上部電極1 3之間係必須要有用以進行基板之收授 的空間，而無法將灰化裝置的內容積更加縮小至某一程度 以下。 因此，本發明人等係對以下構成加以探討，如第19 圖所示，構成爲可藉由容器本體1A與蓋體1B來分割真 空腔室1，打開蓋體1B而在與容器本體1A之間形成基板 S的收授用開口 15，經由該開口 15而在腔室與大氣環境 〇 之間進行基板S的收授，藉此縮窄載置台12與上部電極 1 3之間的空間，而縮小腔室1的內容積。 但是，在如上所示打開蓋體1B而進行基板S之收授 的構成中，係在進行基板S之收授時’真空腔室1的側壁 遍及全周而打開，與如習知技術所示之側壁的一部打開的 搬入出口 10相比，開口區域會變得相當大’因此在基板 S收授時，會有大氣中的水分易於進入腔室1內的問題。 在此若在腔室1內進入水分，當將腔室1內設定爲真空環 -6 - 201009979 境時，水蒸氣會充滿在製程環境，在製程環境中存在氫， 而會有因該氫而使灰化率變高的問題、或在基板S搬入出 時，進入至腔室1內的水分量會不同，因此會發生在製程 產生不均的問題。此外，由於將蓋體1B開放，因此亦會 產生在腔室1內混入微粒，或相反地附著在腔室1內的膜 在腔室外飛散的問題。 但是，關於使蓋體開放而對腔室進行基板之搬入出的 φ 手法，係記載於專利文獻1及專利文獻2。但是，在任何 構成中，關於在使蓋體開放時，使進入至腔室內的水分或 微粒的混入量減低的技術，均未有任何揭示，藉由該等技 術，亦無法解決本發明之課題。 (專利文獻1)日本特開平11-54586號公報（第4〜 6圖） (專利文獻2)日本特開平9- 1 2958 1號公報（第1 圖） 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 本發明係基於如上所示之情形而硏創者，其目的在於 提供一種技術係當打開將容器本體的上部開口部閉塞的蓋 體’且對處理容器進行被處理體之搬入出時，可減低對於 處理容器內之水分或微粒的混入量。 (解決課題之手段） 201009979 因此，本發明之真空處理裝置，其特徵爲具備有：處 理容器，藉由在內部具備有被處理體之載置台的容器本體 、及閉塞該容器本體之上部開口部的蓋體所構成；升降機 構，使前述蓋體對容器本體作相對升降，俾以在前述蓋體 與容器本體之間形成用以將前述被處理體對處理容器作搬 入或搬出的間隙；真空排氣手段，用以將前述處理容器內 進行真空排氣；及覆蓋構件，爲了將前述被處理體對處理 容器作搬入或搬出，而在蓋體與容器本體之間形成間隙時 ，以至少在除了被處理體之搬入出區域以外的區域中覆蓋 前述間隙的方式沿著圓周方向而設在處理容器的外周面。 此時亦可具備有：當形成前述間隙時，將前述處理容 器與覆蓋構件之間的空間，以成爲比處理容器內的壓力更 爲陰壓的方式進行排氣的手段。此外，可形成爲在前述被 處理體的搬入出區域並未設有覆蓋構件的構成，亦可將前 述覆蓋構件設在前述處理容器的周圍全體，且在該覆蓋構 件形成有被處理體的搬入出口。此外，前述覆蓋構件係可 構成爲由處理容器朝向外方側突出而更加彎曲，且與該處 理容器的外周面相對向。前述覆蓋構件係藉由例如剛性構 件所構成。 此外，亦可藉由可撓性構件構成前述覆蓋構件，且將 其上緣側及下緣側分別固定在蓋體及容器本體。亦可構成 爲在前述可撓性構件中的上緣側及下緣側的至少一方設有 密封材，該密封材係介在於蓋體及容器本體的接合部。此 外，亦可爲將前述處理容器內形成爲真空環境，且前述密 201009979 封材係兼用用以氣密保持前述處理容器內的真空用密封材 者。 此外亦可具備有：安裝構件，被設在前述可撓性構件 中的上緣側及下緣側的至少一方；固定構件，被固定在處 理容器；及操作機構，被設在該固定構件及前述安裝構件 的至少一方側，並且裝卸自如地扣合在另一側，選擇將該 安裝構件按壓在處理容器的外周面的狀態及解除該按壓的 H 狀態的其中一方。 此外亦可具備有：沿著圓周方向設在前述處理容器， 且用以限制前述可撓性構件之形狀的限制構件。此外亦可 具備有：用以在前述處理容器與覆蓋構件之間的空間供給 乾燥用氣體的手段。在此，對於前述處理容器係在與例如 大氣環境之間進行基板的收授。 (發明之效果） φ 藉由本發明，係在藉由容器本體及閉塞其上部開口部 的蓋體所構成的處理容器中，爲了將被處理體對處理容器 進行搬入或搬出，在蓋體與容器本體之間形成有間隙時， 在至少除了被處理體之搬入出區域以外的區域中，藉由覆 蓋構件覆蓋前述間隙，因此處理容器外的環境難以進入至 處理容器的內部，而抑制水分或微粒混入至處理容器內。 【實施方式】 在以下說明的實施形態中，係以將本發明的真空處理 -9- 201009979 裝置應用在對於例如形成被處理體的FPD基板進行灰化 處理的灰化裝置之構成爲例加以說明。第1圖係前述灰化 裝置的縱剖面圖，第2圖係其外觀斜視圖，第3圖係其俯 視圖。前述灰化裝置2係具備有用以在其內部對FPD基 板S施行灰化處理的例如角筒形狀的處理容器20。該處 理容器20係構成爲具備有：平面形狀構成爲例如四角形 狀，上部形成開口的容器本體21;及以將該容器本體21 的上部開口部作開閉的方式而設的蓋體22，該蓋體22係 藉由升降機構23，構成爲對容器本體21升降自如，而使 蓋體22上升至收授位置，藉此在容器本體21與蓋體22 之間形成用以將基板S對該處理容器作搬入出的間隙24 (參照第4圖）。前述處理容器20係被接地，而且在處 理容器20之底面的排氣口 21a係透過具備有閥VI的排氣 路25而連接有形成真空排氣手段的真空泵26。在該真空 泵26係構成爲：連接有未圖示的壓力調整部，藉此使處 理容器20內維持在所希望的真空度。 在前述容器本體21的內部，係在容器本體21的底面 之上隔著絶緣構件30配置有用以載置基板S的載置台3 。該載置台3係形成下部電極者，在載置台3的上部係設 有靜電吸盤31，由高壓直流電源32施加電壓，藉此在載 置台3上靜電吸附有基板S。在該載置台3係連接有作爲 高頻發生手段的高頻電源33，例如頻率爲ι3·56μΗΖ的高 頻電力被施加至載置台3。此外，在該載置台3設有以升 降自如的方式所構成的收授銷（未圖示），在該收授銷與 -10- 201009979 外部的搬送機構之間進行基板S的收授，此外，對於該載 置台3進行被處理體的收授。 另一方面，在處理容器20之前述載置台3的上方係 以與該載置台3的表面相對向的方式設有形成上部電極的 處理氣體供給部34。在該處理氣體供給部34的下面形成 有多數的氣體吐出孔35，並且在該處理氣體供給部34, 係經由具備有閥V2及流量調整部37的氣體供給管36而 φ 連接有將供灰化處理之用的處理氣體供給至該處理氣體供 給部34的處理氣體供給源38，藉此前述處理氣體透過處 理氣體供給部34的氣體吐出孔35，朝向載置台3上的基 板S排出。在該例中，例如載置台3的表面與處理氣體供 給部34的下面的距離係被設定爲例如40mm〜60mm程度 。以供灰化處理之用的處理氣體而言，係可使用氧氣或氟 氣等。 如此藉由真空泵26，將處理容器20的內部空間進行 • 真空抽吸至預定的減壓狀態之後，由高頻電源33對載置 台3施加高頻電力，藉此在基板S的上方空間形成處理氣 體的電漿，由此對基板S進行灰化處理。在該例中，藉由 載置台3及高頻電源33構成電漿發生手段。 此外在容器本體21與蓋體22的接合面係由接近處理 容器20內部之側，依序設有迷徑（labyrinth)構造4、 電漿用密封構件44、屏蔽螺旋件45、及真空用密封構件 46。前述迷徑構造4係在容器本體21與蓋體22的接合面 形成彎曲的流路，使在處理容器2內所生成的電漿衝撞形 -11 - 201009979 成前述流路的壁部，藉此使其存亡，使前述電漿不會前往 該迷徑構造4更爲外方。在此所使用的迷徑構造4係具備 有2次彎曲的流路，例如在容器本體21側形成凸部41， 並且在蓋體22側形成與前述凸部41相對應的凹部42, 當容器本體21與蓋體22相接合時，前述凸部41與凹部 42在非接觸的狀態下被組合，以在該等之間形成微小間 隙的流路43的方式，選擇其形狀或尺寸。 在此，形成在凸部 41之上下方向的間隙係例如 0.5 mm〜lmm程度，但是形成在凸部41之左右方向的間 隙係例如第6圖所示，被設定爲空隙（clearance )變大， 爲1 mm〜2mm程度。如上所示形成作2次彎曲的流路43 ，加大該左右方向的凸部41與凹部42的間隙，藉此當以 蓋體22關閉容器本體21時，即使在兩者之間有左右方向 的位置偏移，由於前述空隙大，因此可確實地在凹部42 內收納凸部41。此外，前述流路43的總計大小係即使凹 部42內的凸部41的位置改變，亦不會改變，因此可得安 定的迷徑效果。 在該例中，前述流路43係使用作2次彎曲者，惟流 路可爲作1次彎曲者，亦可爲作3次以上彎曲者。此外， 前述凸部41 (凹部42)的形狀係縱剖面形成爲四角形狀 ，但該縱剖面形狀亦可爲三角形狀或圓形狀、多角形狀。 此外，前述電漿用密封構件44係使在處理容器20內 所生成的電漿不會前往該密封構件更爲外方，用以抑制前 述電漿與真空用密封構件46的接觸而設，例如藉由矽製 -12- 201009979 的〇型環所構成。此外，在該前述電漿用密封構件44更 爲外方側，容器本體21與蓋體22相接合，在該接合面會 施加較大的負載，因此會有發生微粒之虞，但是前述電漿 用密封構件44亦具備有抑制前述微粒朝向處理容器20側 侵入的作用。在該例中，前述電漿用密封構件44係被設 在容器本體21與蓋體22之雙方，但是亦可設在其中任一 方。前述屏蔽螺旋件45係用以使容器本體21與蓋體22 φ 之間作電性導通之由彈性體所構成的導通構件，在該例中 係被設在容器本體21側。前述真空用密封構件46在該例 中係藉由例如商標名Viton (氟橡膠）製的Ο型環所構成 〇 在前述處理容器20,係當在前述容器本體21與蓋體 22之間形成有前述間隙24時，以在除了基板S之搬入出 區域以外的區域中覆蓋前述間隙24的方式，在處理容器 20的外周面，沿著圓周方向設有覆蓋構件5。在該例中， ❿ 前述覆蓋構件5係藉由例如鋁或不銹鋼等剛性構件所構成 ，沿著處理容器20中之3方向的側壁而設在前述蓋體22 〇 接著，覆蓋構件5係被構成爲：由處理容器20朝向 外方側突出而更加彎曲，且與該處理容器的外周面相對向 ，例如將對蓋體22呈大致水平而設的板狀體51朝下方側 彎曲，由處理容器20中之容器本體21與蓋體22的接合 部的上方側遍及下方側而在與處理容器20的外周面之間 形成有些微空間的狀態下與該外周面相對向的方式設有壁 -13- 201009979 構件5 2的構成。 如第5圖所示，前述壁構件52係被設定爲當在容器 本體21與蓋體22之間形成有前述間隙24時覆蓋該前述 間隙24的長度，例如形成有前述間隙24時，以延伸至該 間隙24之下端更加距離50mm〜100mm程度下方側的方 式選擇其大小及設置部位。此外’處理容器20的側壁部 與壁構件52之間之些微空間的寬幅被設定爲1mm〜10mm 程度。 此外，在該覆蓋構件5係爲了將形成在處理容器20 的側壁部與該覆蓋構件5之間的空間（以下稱爲「覆蓋構 件5的內側區域」）進行排氣而設有排氣路53，並且在 該排氣路53的另一端側連接有排氣泵54。在該例中，例 如第3圖所示，在覆蓋構件5係按處理容器20之3方向 的每個側壁連接有排氣路53 (53a〜53c)，該等排氣路 53 (53a〜53c)係被連接在共通的排氣泵54，藉由前述 排氣路53與排氣栗54，構成有用以將前述覆蓋構件5的 內側區域進行排氣的手段。 此外，在該灰化裝置係設有例如由電腦所構成的控制 部。該控制部係具備有程式、記憶體、由CPU所構成的 資料處理部等，在前述程式係由控制部對灰化裝置的各部 傳送控制訊號，使其進行後述的各步驟，藉此以對基板S 施行電漿處理的方式組裝有命令。該程式（亦包含有關於 處理參數的輸入操作或顯示的程式）係被儲放在電腦記憶 媒體，例如可撓性碟片、光碟、MO (光磁碟）等未圖示 201009979 的記億部而被安裝在控制部。 接著，針對使用前述灰化裝置的本發明的灰化方法’ 對該灰化裝置，藉由被設在大氣環境的搬送機構（未圖示 )來進行基板S之搬入出的情形爲例加以說明。首先，將 覆蓋構件5以例如該覆蓋構件5的內側區域形成爲比大氣 壓成爲稍微陰壓的程度例如93.1kPa( 700Torr)左右的壓 力的方式進行排氣。接著，在將處理容器20內的壓力恢 φ 復至大氣壓的狀態下，使蓋體22藉由升降機構23上升至 收授位置，在容器本體21與蓋體22之間形成前述間隙 24。前述所謂收授位置係指例如前述間隙24的上下方向 的大小被設定爲150 mm左右的位置。接著，藉由被設成 大氣環境的未圖示的搬送機構將基板S搬入至處理容器 20內，水平載置於載置台3上之後，使該基板S靜電吸 附在載置台3。之後，使搬送機構由處理容器20退去之 後，使蓋體22下降而關閉處理容器20。 • 接著，藉由真空泵26進行處理容器20內的排氣’如 此將處理容器20內維持在預定真空度，例如1.33〜 6.65Pa ( 10〜50mTorr)之後，以預定流量供給灰化氣體 ，例如 〇2氣體與 SF6氣體。另一方面，將頻率爲 1 3.65MHz的高頻供給至載置台3，而將前述灰化氣體作 電漿化。在該電漿中包含有氧活性種，基板S表面不需要 的阻劑膜係藉由該氧活性種而被分解，連同處理容器內 20的環境一起透過排氣路25而朝向處理容器20的外部 排氣，如此進行灰化處理。 -15- 201009979 接著，停止對載置台3供給高頻電力，並且停止真空 泵26的作動，將處理容器20內的壓力恢復成大氣壓。之 後，使蓋體22藉由升降機構23上升至前述收授位置而形 成前述間隙24，在未圖示之外部的搬送機構收授基板S， 對該基板S係結束處理。此時，覆蓋構件5內的排氣係在 處理容器20被關閉時或打開時均經時保持繼續。 在如上所示之灰化裝置2中，使蓋體22上升而在與 容器本體21之間形成前述間隙24，透過該前述間隙24 _ 而對處理容器20進行基板S之搬入出。此時處理氣體供 給部34係連同蓋體22 —起上升，因此在載置台3與處理 氣體供給部34之間無須準備基板S之收授用空間即可， 使該等載置台3與處理氣體供給部34之間接近成例如 40mm〜60mm左右。藉此可縮小處理容器20的內容積， 因此可縮短處理容器20內的壓力調整所需時間。因此’ 當在處理容器20與大氣環境之間進行基板S的收授時， 在每次收授基板S時即進行處理容器20的大氣開放，接 ❹ 著反覆進行至處理環境的真空抽吸時，係可縮短處理容器 20的真空抽吸或大氣開放所需時間，故極爲有效。 在此，當在容器本體21與蓋體22之間形成前述間隙 24時，藉由覆蓋構件5，在除了基板S之搬入出區域以外 的區域覆蓋形成在容器本體21與蓋體22之間的間隙，因 此即使大氣欲由處理容器20的外部進入至處理容器20內 ，亦因該覆蓋構件5的存在而受到干擾。此外，處理容器 20與覆蓋構件5之間的空間係將其寬幅設定爲相當窄’ -16- 201009979 因此形成爲大氣難以進入至處理容器20的內部的狀態， 而抑制對於處理容器20內混入大氣中的水分或微粒。 此外’將覆蓋構件5的內側區域以形成爲比處理容器 20的壓力（大氣壓）更爲陰壓的方式進行排氣，藉此當 將處理容器20開放時，如第5圖所示，在處理容器20中 設有覆蓋構件5的區域中，係形成有由處理容器20朝向 排氣路53 (53a〜53c)的氣流。此時，在覆蓋構件5的 Φ 下方側係形成爲開放狀態，由此形成爲在覆蓋構件5的內 側被引入大氣的狀態，但是該所被引入的大氣亦會沿著朝 向排氣路53 ( 53a〜53c)的氣流流動。 因此，當在容器本體21與蓋體22之間形成有前述間 隙24時，係如上所示在處理容器20的周圍形成有朝向外 側的氣流，因此大氣更加難以進入至處理容器20的內部 ，而可更加抑制對於處理容器20內混入大氣中的水分或 微粒。 • 因此，抑制因對處理容器20混入水分而造成原因的 灰化率促進，而且在每次進行基板S的搬入出時，水分的 混入量即不同，以此爲原因而發生灰化處理之不均的情形 亦受到抑制，而提升灰化處理的面內均一性或面間均一性 。而且，由於抑制對於處理容器20的內部混入微粒，因 此抑制基板S的微粒汚染。 此外，當將處理容器20開放時’亦會有附著在處理 容器20內的微粒朝向處理容器20的外部飛散之虞’但是 在處理容器20的附近設有覆蓋構件5，假設微粒飛散’ -17- 201009979 亦附著在該覆蓋構件5。而且，在將覆蓋構件5的內側區 域進行排氣時，所飛散的微粒係連同朝向排氣路5 3 ( 53a 〜53c)的氣流一起被排氣至外部，因此抑制朝向被置放 有處理容器20的環境中飛散微粒。 在上述之例中，覆蓋構件5的內側區域係經常藉由排 氣泵54來進行排氣，但是在處理容器20呈打開的期間’ 以前述內側區域成爲比大氣壓爲些微陰壓的方式進行調整 即可，因此在處理容器20呈關閉的期間，可停止排氣， 亦可在排氣路53設置開閉閥，在處理容器20呈打開的期 間，係打開開閉閥，在關閉時則將開閉閥關閉。 在上述中，如第7圖所示，覆蓋構件亦可設在容器本 體21。該例的覆蓋構件5A係形成爲以下構成：將相對容 器本體21朝向外方側突出的板狀體51A朝上方側彎曲， 由處理容器20中的容器本體21與蓋體22的接合部的下 方側遍及上方側，在與處理容器20的外周面之間形成有 些微空間的狀態下以與該外周面相對向的方式設置壁構件 52A。 在如上所示之構成中，亦當在容器本體21與蓋體22 之間形成有前述間隙24時’在處理容器20的附近設有覆 蓋構件5A，因此大氣環境難以進入至處理容器20的內部 ，而抑制對於處理容器20內混入大氣中的水分或微粒。 此外，亦可在處理容器20設置第1圖所示之覆蓋構件5 、及第7圖所示之覆蓋構件5A之二者，在處理容器20 的側方中，重疊設置彼此的覆蓋構件5、5A。 -18- 201009979 此外’如第8圖所示’亦可沿著覆蓋構件5的寬幅方 向（第8圖中Y方向）形成排氣孔55’並且設置覆蓋該 排氣孔55之大小的排氣室56，透過該排氣室56而藉由 排氣路53將覆蓋構件5的內側區域進行排氣。在如上所 示之構成中，係可沿著覆蓋構件5的寬幅方向而均一地進 行覆蓋構件5之內側區域的排氣。 此外，如第9圖所示，亦可將覆蓋構件57設在處理 φ 容器20的周圍全體，在該覆蓋構件57形成基板S的搬入 出口 58。該覆蓋構件57可爲第1圖所示之構成，亦可爲 第7圖所示之構成，且可爲設置該等二者。 接著，使用第10圖〜第12圖，說明本發明之其他實 施形態。該例係藉由可撓性構件來構成覆蓋構件之例，以 前述可撓性構件而言，係可使用藉由商標名Viton等所構 成的橡膠薄片或伸縮管（bellows )等。在該例中，係針 對具備有由橡膠薄片所構成的覆蓋薄片6爲例加以說明。 φ 前述覆蓋薄片6係其上緣側透過第1安裝構件61而被固 定在蓋體22，並且下緣側透過第2安裝構件62而被固定 在容器本體21。在該例中，前述安裝構件61、62係構成 爲：在將覆蓋薄片6的兩緣夾在處理容器20的側壁與安 裝構件61、62之間的狀態下，藉由螺絲63予以螺栓（參 照第11圖、第12圖）。此時，在覆蓋薄片6的兩緣設有 由〇型環所構成的密封構件6a、6b，該等密封構件6a、 6b被收容在安裝構件61、62的內部所形成的配置空間 61a、 62a 內 〇 -19- 201009979 接著，前述覆蓋薄片6係當在容器本體21與蓋體22 之間形成有前述間隙24時形成爲舖設的狀態，由側方側 覆蓋該間隙24全體，並且形成有用以進行基板S之搬入 出的搬入出口 64，當蓋體22被關閉時，覆蓋薄片6係形 成爲彎曲的狀態，搬入出口 64亦爲關閉。關於其他構造 ，係與上述實施形態相同。 在如上所示之構成中，如第1 1圖（a)所示，將容器本 體21與蓋體22接合，在將處理容器20關閉的狀態下對 @ 基板S進行灰化處理，如第11圖（b)所示，藉由使蓋體22 上升，打開處理容器20而在與被設成大氣環境的搬送機 構100之間進行基板S之收授，因此與上述實施形態相同 地可縮小處理容器20的內部空間，且可縮短處理容器20 內的壓力調整所需時間。 此外，在進行基板S之搬入出時，係藉由覆蓋薄片6 來覆蓋被形成在容器本體21與蓋體22之間的間隙24， 以開口區域而言，係僅有搬入出口 64，因此可形成爲與 @ 具備有藉由習知的閘閥而作開閉的搬入出用開口部的構成 爲相同程度之大小的開口區域。因此，在進行基板S之搬 入出時，可將由大氣環境進入至處理容器20內的水分或 微粒的混入量保留在與習知技術相同的程度。此外，當呈 覆蓋薄片6彎曲的狀態時，搬入出口 64亦成爲關閉的狀 態，因此此時在覆蓋薄片6內混入水分或微粒之虞慮亦較 少。 在上述中，如第13圖所示，亦可構成爲：使覆蓋薄 -20- 201009979 片6之下緣側的密封構件介在於容器本體21與蓋體22的 接合部，而使該密封構件作爲真空用密封構件65而發揮 功能。此時可減少密封構件的配設個數，並且可簡單地構 成覆蓋薄片6的安裝構造。 此外，如第14圖所示，亦可構成爲：使覆蓋薄片6 之下緣側的密封構件6b介在於與容器本體21側中的蓋體 22的接合部，並且使上緣側的密封構件6a介在於與蓋體 φ 22側中的容器本體21的接合部。此時，該等密封構件6a 、6b係被用在防止大氣中的水分或微粒等混入至處理容 器20內，在比該等密封構件6a、6b更爲靠近處理容器 20內部之側設有真空用密封構件46。 在如上所示之構成中，當使容器本體21與蓋體22相 接合而開始處理容器2內的真空抽吸時，藉由覆蓋薄片6 之兩端部的密封構件6a、6b，抑制來自外部之大氣中的 水分或微粒等的混入。因此，與第11圖所示之構成相比 φ ，進入至真空用密封構件46之外側區域、在該例中係真 空用密封構件46與覆蓋薄片6的密封構件6a、6b之間的 區域66的水分或微粒的量會變少。在真空抽吸中途，至 充分發揮藉由真空用密封構件46所得的密封作用爲止’ 需要某一程度的時間，而會有至前述真空密封作用被發揮 之前，由真空用密封構件46的外側區域進入水分或微粒 之虞，因此有效減低該區域66的水分等。而且，由於不 需覆蓋薄片6的安裝構件，因此可減少裝置的構成零件個 數，並且可將覆蓋薄片6的安裝構造形成爲簡單的構成。 •21 - 201009979 此外，覆蓋薄片6亦可爲如第15圖所示之安裝構造 。在該構造中，覆蓋薄片6之容器本體21側的第2安裝 構件62係與第11圖所示構成相同，但是覆蓋薄片6之蓋 體22側的第1安裝構件71係藉由單觸式（one touch)裝 卸構件8而被安裝在蓋體22。該裝卸構件8係被稱爲所 謂的按扣鎖定的方式的裝卸構件，具備有：被固定在處理 容器20的固定構件81;及被設在前述安裝構件71側， 並且裝卸自如地扣合在固定構件81側，構成爲選擇將該 安裝構件71按壓在處理容器20的外周面的狀態及解除該 按壓的狀態的其中一方的操作機構82。 具體說明之，在該例中，覆蓋薄片6之蓋體22側的 第1安裝構件71係具備有：繞著水平軸旋轉而爲可動的 軸部83;及繞著水平軸旋轉而移動自如地被安裝在該軸 部83的按壓部84，藉由該等軸部83與按壓部84構成操 作機構82。其中，覆蓋薄片6之上緣側的密封構件6a係 以位於蓋體22的側壁與安裝構件7 1之間的位置的方式被 夾在第1安裝構件71所形成的配置空間71a內。 此外，在蓋體22中之第1安裝構件71之安裝位置的 上方側設有固定構件81，在該固定構件81被安裝有供前 述按壓部84的前端扣合的扣止構件85。接著，以按壓部 84的前端抵碰於前述扣止構件85的方式上推軸部83，藉 此形成爲按壓部84的前端按壓前述扣止構件85，該等構 件相扣合而使第1安裝構件71透過固定構件81而按壓處 理容器20的外周面的狀態，而被安裝在處理容器20 (參 -22- 201009979 照第15圖（a))。另一方面，若下壓軸部83，則前述按壓 力即被解除，如第15圖（b)所示，第1安裝構件71由固 定構件81 (蓋體22)被卸除。在該例中，例如構成爲可 在處理容器20的每個邊裝卸第1安裝構件71，前述裝卸 構件8係在處理容器20的每個邊備妥1個以上。 此外，在第1安裝構件71係沿著圓周方向設有朝蓋 體22側突出的凸部72，另一方面，在蓋體22側係沿著 φ 圓周方向形成有與該凸部相對應的凹部22a，藉此即使在 藉由裝卸構件8而使第1安裝構件71由蓋體22被卸除時 ，亦形成爲該安裝構件71掛上蓋體22的狀態，以該安裝 構件71不會立即落下的方式所構成。此外，在該例中， 在第1安裝構件7 1的下端側與第2安裝構件62的上端側 係設有各自彼此相吸引的磁石73、74，當將第1安裝構 件71卸下時，該第1安裝構件71藉由磁力而被吸附在第 2安裝構件62。 在如上所示之構成中，在處理容器20保養（ maintenance)時使蓋體22上升至比前述收授位置更爲上 方側時、或覆蓋薄片6本身的更換等時，可藉由操作操作 機構82，利用單觸（one touch)而將第1安裝構件71在 處理容器20作裝卸，因此可輕易地進行覆蓋薄片6的裝 卸作業，而縮短保養所需時間、或覆蓋薄片6更換所需時 間。 其中，在單觸式裝卸構件8中，亦可將操作機構82 設在固定構件8 1側，將扣止構件85設在安裝構件71側 -23- 201009979 。而且，可使用在扣止構件掛上操作機構的一部分，藉由 操作機構來按壓扣止構件而將第1安裝構件71按壓在處 理容器20的側面而予以固定的構成者，亦可爲在扣止構 件掛上操作機構的一部分的狀態下，將該操作機構朝下方 側拉伸，如此一來藉由操作機構按壓扣止構件而將第1安 裝構件71按壓在處理容器20的側面而予以固定的構成。 而且，裝卸構件8係可用在將覆蓋薄片6的下緣側安裝在 處理容器20時，亦可用在將覆蓋薄片6的上緣側及下緣 @ 側之二者安裝在處理容器20時。 此外，如第1 6圖所示，亦可在處理容器20安裝沿著 圓周方向形成用以限制覆蓋薄片6之形狀之限制構件的覆 蓋限制板9。在該例中係構成爲：前述覆蓋限制板9係沿 著圓周方向設在容器本體21，由前述容器本體21的側壁 朝向外方而以大致水平延伸，而且朝上方側彎曲。此外， 在該覆蓋限制板9係連接有另一端側被連接於排氣泵92 的排氣路91，俾以將藉由前述處理容器20與覆蓋薄片6 Q 所形成的區域內進行排氣。 在該例中，覆蓋薄片6係在下緣側的密封構件6b介 在於與容器本體21側中之蓋體22的接合面，且設有該密 封構件6b的區域中的容器本體22的側壁，由外側固定前 述密封構件6b，並且藉由螺栓而設有用以將覆蓋薄片6 夾在與覆蓋限制板9之間的第2安裝構件93。而且形成 前述排氣路91的排氣管係以其上端的凸緣部91a夾持覆 蓋薄片6的方式而設在例如覆蓋限制板9之底部的複數部 -24- 201009979 位的位置。 另一方面，覆蓋薄片6之上緣側的密封構件6a係藉 由第1安裝構件94而被安裝在蓋體22的側壁，該安裝構 件94係藉由如前所述的單觸式裝卸構件8而裝卸自如地 設在蓋體22的側壁。在該例中，蓋體22的一部分兼用固 定構件8 1，在安裝構件94側設有扣止構件8 5，在蓋體 22 (固定構件8 1 )側設有操作機構82。 φ 圖中95a係被設在第1安裝構件94的凸部，95b係 形成在處理容器20之側壁中與前述凸部95a相對應的位 置的凹部，在該例中，亦當解除因操作機構82所造成之 按壓力時，第1安裝構件94藉由前述凸部95a而掛在處 理容器20，且以不會立即落下的方式所構成。此外，在 第1安裝構件94的下端側及第2安裝構件93的上端側係 設有分別彼此相吸引的磁石96a、96b。 此外，在蓋體22的內部係形成有用以對藉由前述處 φ 理容器20與覆蓋薄片6所形成的區域內供給乾燥用氣體 的氣體供給路97,在該氣體供給路97的一端側，係透過 具備有閥V3及流量調整部98 b的氣體供給管98a而被連 接在前述乾燥用氣體例如乾空氣的供給源98c，氣體供給 路97的另一端側係在藉由覆蓋薄片6所被覆的區域內形 成開口。在該例中係藉由氣體供給路97、氣體供給管98a 、氣體供給源98c，形成有用以在前述處理容器20與覆 蓋薄片6之間的空間供給乾燥用氣體的手段。第17圖係 顯示在保養時將覆蓋薄片6的蓋體22側的第1安裝構件 -25- 201009979 94由蓋體22卸除後的狀態。 在如上所示之構成中’在覆蓋薄片6內係經常以例如 1 3 Oslm程度的流量供給乾空氣，以例如覆蓋薄片6內成 爲比大氣壓爲些微陰壓的程度的壓力’例如93.lkPa( 700Torr)左右的方式，藉由排氣栗92而被排氣。在此， 對於覆蓋薄片6的內部亦可供給氮等乾燥用氣體來取代乾 空氣。 在如上所示之構成中，如第16圖（b)所示，當使蓋體 @ 22上升而形成前述間隙24，對處理容器20內進行基板S 的收授時，覆蓋薄片6的內部係形成爲比已恢復成大氣壓 之處理容器20更爲陰壓，因此如圖所示，形成由處理容 器20朝向外方的氣流，而形成爲處理容器20之外部的大 氣環境難以進入至處理容器20內部的狀態。因此抑制存 在於前述處理容器20之外部的大氣環境中的水分或微粒 混入處理容器20內部。此外，在覆蓋薄片6的內部區域 係經常被供給乾空氣並且被排氣，因此覆蓋薄片6內係形 @ 成爲乾燥的狀態，而更加抑制水分混入。而且，藉由設置 覆蓋限制板9,在容器本體21與蓋體22之間未形成有間 隙24,即使爲覆蓋薄片6呈彎曲的狀態，亦使覆蓋薄片6 的形狀整齊，並且限制覆蓋薄片6的移動。藉此抑制因覆 蓋薄片6的磨擦或移動以致發生微粒或使覆蓋薄片6本身 劣化。 在上述中，覆蓋限制板9係可沿著圓周方向而設在處 理容器20，亦可例如設在蓋體22側，藉由該覆蓋限制板 -26- 201009979 9而限制覆蓋薄片6之上部側的形狀。此外，覆蓋限制板 9亦可沿著處理容器20的圓周方向而間歇性設置。此外 ，用以供給前述乾燥用氣體的手段若爲對處理容器20與 覆蓋薄片6之間的空間供給乾燥用氣體的構成，則不限於 上述之例。 此外在本發明中，亦可使乾燥用氣體在處理容器20 與由剛性材料所構成的覆蓋構件5之間的空間通氣。此外 φ ，亦可在覆蓋構件5的內側區域以例如1 3 0 slm左右的流 量供給乾燥用氣體，並且以例如該內側區域形成爲比大氣 壓爲些微陰壓的程度的壓力、例如93.1kPa( 700Torr)左 右的方式，將前述內側區域進行排氣。 以上在本發明中，並非侷限於在處理容器20與大氣 環境之間進行基板之收授的構成，亦可適用於在處理容器 20與真空環境之搬送室之間進行基板之收授的構成。關 於電漿發生方式，並非侷限於上述之例。而且，可構成爲 • 對上部電極34供給高頻’亦可形成爲對載置台3供給2 種類的高頻的構成。此外，以被處理體而言’除了 FPD 被處理體或LCD被處理體等角型基板以外’亦可爲半導 體晶圓，例如在處理半導體晶圓的真空處理裝置中’處理 容器係被形成爲圓筒形狀。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之灰化處理裝置之一例的剖面圖 -27- 201009979 第2圖係顯示前述灰化處理裝置的外觀斜視圖。 第3圖係顯示前述灰化處理裝置的俯視圖。 第4圖係顯示前述灰化處理裝置之作用的外觀斜視圖 〇 第5圖係顯示前述灰化處理裝置之作用的剖面圖。 第6圖係顯示前述灰化處理裝置之作用的剖面圖。 第7圖係顯示前述灰化處理裝置之其他例之作用的剖 面圖。 第8圖係顯示前述灰化處理裝置之另外其他例的外觀 斜視圖。 第9圖係顯示前述灰化處理裝置之另外其他例的外觀 斜視圖。 第10圖係顯示前述灰化處理裝置之另外其他例的外 觀斜視圖。 第11圖係顯示第10圖所示之灰化處理裝置的剖面圖 〇 第12圖係顯示第10圖所示之灰化處理裝置之一部分 的剖面圖。 第13圖係顯示灰化處理裝置之另外其他例的剖面圖 〇 第14圖係顯示灰化處理裝置之另外其他例的剖面圖 〇 第15圖係顯示灰化處理裝置之另外其他例的剖面圖 -28- 201009979 第16圖係顯示灰化處理裝置之另外其他例的剖面圖 0 第17圖係顯示灰化處理裝置之另外其他例的剖面圖 〇 第1 8圖係顯示習知之灰化處理裝置的剖面圖。 第丨9圖係顯示習知之灰化處理裝置之其他例的剖面 圖。 【主要元件符號說明】 1 :真空腔室 1A :容器本體 1B :蓋體 2 :灰化裝置 3 :載置台（下部電極） 4 :迷徑構造 # 5、5A ·_覆蓋構件 6 :覆蓋薄片 6a、6b :密封構件 8 :裝卸構件 9 :覆蓋限制板 10 :搬入出口 1 1 :聞閥 12 :載置台 1 3 :處理氣體供給部 -29- 201009979 1 4 :高頻電源 1 5 :開口 20 :處理容器 21 :容器本體 2 1 a :排氣口 22 :蓋體 22a :凹部 23 :升降機構 . 24:搬入出用開口部 25 :排氣路 26 :真空泵 3 0 :絶緣構件 3 1 :靜電吸盤 32:高壓直流電源 3 3 :高頻電源 34:處理氣體供給部（上部電極） 3 5 :氣體吐出孔 3 6 :氣體供給管 3 7 :流量調整部 3 8 :處理氣體供給源 41 :凸部 42 :凹部 4 3 :流路 44 :電漿用密封構件 -30- 201009979 4 5 :屏蔽螺旋件 46 :真空用密封構件 51、 51A :板狀體 52、 52A :壁構件 53、 53a 〜53c: 氣路 5 4 :排氣泵 5 5 :排氣孔 φ 5 6 :排氣室 5 7 :覆蓋構件 58 :搬入出口 61、62 :安裝構件 61a、62a :配置空間 6 3 :螺絲 64 :搬入出口 6 5 :真空用密封構件 φ 66 :區域 7 1 :安裝構件 7 1 a :配置空間 72 :凸部 73 、 74 :磁石 8 1 :固定構件 82 :操作機構 83 :軸部 84 :按壓部 -31 - 201009979 8 5 :扣止構件 9 1 :排氣路 91a :凸緣部 9 2 :排氣泵 9 3、9 4 :安裝構件 95a :凸部 95b :凹部 96a、9 6b ·磁石 97 :氣體供給路 98a :氣體供給管 98b:流量調整部 98c :氣體供給源 VI :閥 V2 :閥 V3 :閥 S :被處理體（基板） -32