CN100347812C - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
在本发明中，由于相应于基板的种类进行气缸的切换，所以能够防止在基板的成品区域转印支持销的痕迹。此外，在本发明中，由于以平台为基准驱动支持销升降，所以能够使气缸的驱动量比较少，而且能够极力抑制微粒的产生。
Description
技术领域
本发明涉及处理用于液晶显示器件等的玻璃基板的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在LCD(液晶显示器)等的制造工序中，为了在LCD用的玻璃基板上形成ITO(氧化铟锡膜)的薄膜和电极图形，而利用与用于半导体器件的制造同样的光蚀法技术。在光蚀法技术中，是在玻璃基板上涂敷光敏抗蚀剂，并把其曝光，进而显影。在抗蚀剂的涂敷后曝光前，或者在曝光后显影前加热基板。这些加热处理是用于使抗蚀剂中的溶剂蒸发、或者使由曝光的驻波效果所造成的抗蚀剂图形的变形减小的处理。
在涂敷抗蚀剂的工序中，例如用涂敷装置在基板上涂敷抗蚀剂。在抗蚀剂的涂敷后，用减压干燥装置进行使涂敷有抗蚀剂的基板干燥的处理。在该干燥处理后，用边缘去除装置去除附着在基板周缘部的多余的抗蚀剂。
这些涂敷装置、减压干燥装置和加热装置等，具有用于接受来自外部搬运机器人的基板、或者向该搬运机器人传递基板的升降销。(例如日语公开专利公报，特开2000-124127号公报(尤其是在[0089]段～[0091]段、图16等))。
上述升降销是从下方支持基板的，有例如在基板的成品区域转印有升降销痕迹的问题。推测产生这样的转印的原因是由于近年来使用了高敏感度型的抗蚀液等的缘故。
特别是因为最近的玻璃基板由于大型而在其自重影响下在下方产生了挠曲，所以也就有了增加从下方支持的升降销的数量的倾向。由此，也增加了驱动升降销升降的气缸等的零件数。
在液晶器件和半导体的制造领域里，要求极力减少微粒的产生。这里，上述升降销的驱动机构使用发生微粒的可能性比较高的气缸等。因此，为了实现微粒的减少，就希望极力减少气缸等的驱动机构。此外，通过使气缸等的驱动量变小也能够对微粒的减少做出贡献。
发明内容
鉴于上述情况，本发明的目的是，提供不断极力抑制微粒的产生并能够防止升降销等的支持部件向基板的成品区域转印的基板处理装置和基板处理方法。
为了达到上述目的，本发明所涉及的基板处理装置，具有：保持部，被设置成能够升降并且至少保持基板的周缘部；第1驱动部，驱动所述保持部的升降动作；第1支持部件，支持基板的第1区域；第2支持部件，支持与基板的所述第1区域不同的第2区域；第2驱动部，相应地切换所述第1支持部件和所述第2支持部件并使其相对于所述保持部升降。
在本发明中，所谓相应地进行切换，就是说相应于第1基板和第2基板的区别的意思。例如，相应于操作人员预先输入的基板的区别(是第1基板还是第2基板的种类)进行切换就可以。此外，例如，设置读取该基板种类的装置，比如传感器等，根据读取的结果也能够进行切换。
在本发明中，用第1驱动部驱动保持部升降的同时，相应地切换第1支持部件和第2支持部件，相对于该保持部驱动其升降。在本发明中，例如如果第1区域和第2区域在基板的成品区域以外，即为非成品区域，就能够防止第1或者第2支持部件转印到成品区域上。此外，在本发明中，由于相对于保持部升降驱动第1和第2支持部件，所以就能够使这些第2驱动部的驱动量比较少，能够极力抑制微粒的产生。
在本发明的1个实施方式中，具备：处理室，用于容纳基板并进行规定的处理；减压机构，对所述处理室进行减压；控制装置，相应于根据所述减压机构的减压度，来控制所述第1支持部件或者第2支持部件的升降的驱动。例如，容纳在处理室中的基板比较大时，伴随着处理室的减压度的变大，即伴随着压力的变小，基板有向下方产生挠曲的倾向。这种情况下，有基板的中央部与例如不支持基板的支持部件对接的可能。当对接时，产生在基板的成品区域留下该支持部件的转印痕迹的问题。为了防止该状态，在本发明中，相应于减压度控制不支持基板的第1支持部件或者第2支持部件的升降的驱动。
在本发明的1个实施方式中，所述第2驱动部被设置成与所述保持部的升降动作一体地进行动作。在本发明中，能够通过由第1驱动部使保持部升降来使第2驱动部升降。这样一来，就能够使第2驱动部进行的第1或者第2支持部件的升降驱动量变小。
本发明所涉及的基板处理装置，具备：第1支持部件，支持基板的第1区域；第1推压部件，从下方推压所述第1支持部件并且使其从所述板件突出；第2支持部件，被配置成相对于所述第1支持部件分开第1间隔，并支持与基板的所述第1区域不同的第2区域；第2推压部件，从下方推压所述第2支持部件并且使其从所述板件突出；连结部件，连结所述第1推压部件和第2推压部件并分开与所述第1间隔不同的第2间隔；驱动部，以使所述第1推压部件与所述第1支持部件、使所述第2推压部件与所述第2支持部件相应地对置的方式，来使所述连结部件在规定的方向上移动。
在本发明中，通过由驱动部来使连结第1和第2推压部件的连结部件移动，使第1支持部件和第2支持部件相应地切换并驱动其升降。驱动部越多，微粒的产生就会变得越多。在本发明中，能够用1个驱动部来进行第1支持部件和第2支持部件的切换动作。这样，能够极力抑制微粒的产生。此外，在本发明中，例如如果第1区域和第2区域在基板的成品区域以外，即为非成品区域，能够防止第1或者第2支持部件转印到成品区域中。
本发明所涉及的基板处理方法，其基板处理装置具备：板件，载放并处理基板；第1支持部件，支持基板的第1区域；第1推压部件，从下方推压所述第1支持部件并且使其从所述板件突出；第2支持部件，被配置成相对于所述第1支持部件分开第1间隔，并支持与基板的所述第1区域不同的第2区域；第2推压部件，从下方推压所述第2支持部件并且使其从所述板件突出；连结部件，连结所述第1推压部件和第2推压部件并分开与所述第1间隔不同的第2间隔，该方法具备：使所述连结部件移动的工序，以使所述第1推压部件与所述第1支持部件对置；使所述连结部件移动的工序，以使所述第2推压部件与所述第2支持部件对置。
在本发明中，通过用例如1个驱动装置来使连结第1和第2推压部件的连结部件移动，使第1支持部件和第2支持部件相应地切换并驱动其升降。在本发明中，能够用例如1个驱动装置来进行第1支持部件和第2支持部件的切换动作。这样一来，就能够极力抑制微粒的产生。此外，在本发明中，例如如果第1区域和第2区域在基板的成品区域以外，即为非成品区域，就能够防止第1或者第2支持部件向成品区域转印。
附图说明
图1是表示本发明的1个实施方式所涉及的涂敷显影处理装置的整体结构的平面图。
图2是图1所示的涂敷显影处理装置的正面图。
图3是图1所示的涂敷显影处理装置的背面图。
图4是表示本发明的1个实施方式所涉及的减压干燥单元的斜视图。
图5是图4所示的减压干燥单元的剖面图。
图6是图4所示的减压干燥单元的剖面图。
图7是表示形成2个成品区基板的成品区域的平面图。
图8是表示形成3个成品区基板的成品区域的平面图。
图9是表示处理形成2个成品区基板的减压干燥单元的动作的图。
图10是表示处理形成3个成品区基板的减压干燥单元的动作的图。
图11是表示处理形成5个成品区基板的减压干燥单元的动作的剖面图。
图12是表示本发明的其他实施方式所涉及的处理单元的板件的平面图。
图13是表示图12所示的处理单元的剖面图。
图14是表示设置在抗蚀剂处理区段的搬运机器人的平面图。
具体实施方式
下面根据附图来说明本发明的实施方式。
图1是表示适用于本发明的LCD基板的涂敷显影处理装置的平面图，图2是其正面图，图3是其背面图。
该涂敷显影处理装置1，具有：盒式站2，载放容纳多个玻璃基板G的盒子C；处理部3，具有用于在基板G上实施包含抗蚀剂涂敷和显影的一系列处理的多个处理单元；接口部4，用于在与曝光装置32之间进行基板G的递送，在处理部3的两端分别配置有盒式站2和接口部4。
盒式站2具有用于在盒子C和处理部3之间进行LCD基板的搬运的搬运机构10。而且，在盒式站2中进行盒子C的搬入搬出。此外，搬运机构10具有能够在沿盒子的排列方向设置的搬运路12上移动的搬运臂11，通过该搬运臂11在盒子C和处理部3之间进行基板G的搬运。
在处理部3中，设有：主搬运部3a，沿盒式站2中的盒子C的排列方向(Y方向)垂直的方向(X方向)延伸设置；上游部3b，沿该主搬运部3a并排设置了包含抗蚀剂涂敷处理单元(CT)的各处理单元；以及，下游部3c，并排设置了包含显影处理单元(DEV)的各处理单元。
在主搬运部3a中，设有：搬运路31，沿X方向延伸设置；搬运往复移动送件装置23，能够沿该搬运路31移动而构成并在X方向上搬运玻璃基板G。该搬运往复移动送件装置23，通过例如支持销来保持并搬运基板G。此外，在主搬运部3a的端口部4侧端部上，设有在处理部3和接口部4之间进行基板G的递送的垂直搬运单元7。
在上游部3b中，在盒式站2侧端部上，设有：准分子UV处理单元(e-UV)19，用于从盒式站2侧去除基板G上的有机物；擦洗洗涤处理单元(SCR)，在基板G上用擦洗刷子实施洗涤处理。
在擦洗洗涤处理单元(SCR)的邻近，配置着堆积为多级的对玻璃基板G进行热处理的单元的热处理系区段24和25。在这些热处理系区段24和25之间，由于配置垂直搬运单元5，并使搬运臂5a能够在Z方向和水平方向上移动，而且使其能够在θ方向上进行回转运动，所以就变得能够在两区段24和25中接近各热处理系单元并且进行基板G的搬运。另外，在上述处理部3中，垂直搬运单元7也具有与该垂直搬运单元5相同的结构。
如图2所示，在热处理系区段24中，从下顺序地叠层有在基板G上实施抗蚀剂涂敷前的加热处理的2级烘焙单元(BAKE)、通过HMDS(六甲基二硅胺烷)气体实施疏水化处理的附着单元(AD)。另外，在热处理系区段25中，从下顺序地叠层有在基板G上实施冷却处理的2级冷却单元(COL)、附着单元(AD)。
抗蚀剂处理区段15邻接热处理系区段25而且延伸设置在X方向上。该抗蚀剂处理区段15，是通过设有如下单元而构成的：抗蚀剂涂敷处理单元(CT)，在基板G上涂敷抗蚀剂；减压干燥单元(VD)，通过减压来使所述被涂敷的抗蚀剂干燥；边缘去除装置(ER)，去除本发明所涉及的基板G的周缘部的抗蚀剂。在抗蚀剂处理区段15中，如图14所示，设置有保持并搬运基板的搬运机器人80，其能够沿导轨100在X方向上移动。该搬运机器人80，被设置成2个，例如1个在抗蚀剂涂敷处理单元(CT)与减压干燥单元(VD)之间搬运基板，1个在减压干燥单元(VD)与边缘去除装置(ER)之间搬运基板。
多级结构的热处理系区段26被配设成邻接抗蚀剂处理区段15，在该热处理系区段26中，叠层着3级在基板G上进行抗蚀剂涂敷后的加热处理的预烘焙单元(PREBAKE)。
在下游部3c中，如图3所示，在接口部4侧端部上，设有热处理系区段29，在这里，从下方开始按顺序叠层冷却单元(COL)、2级进行曝光后显影处理前的加热处理的后曝光预烘焙单元(PREBAKE)。
显影处理单元(DEV)邻接热处理系区段29延伸设置在X方向上进行显影处理。在该显影处理单元(DEV)的邻近配置有热处理系区段28和27，在这些热处理系区段28和27之间，设有垂直搬运单元6，该垂直搬运单元6具有与上述垂直搬运单元5相同的结构，并能够接近两区段28和27中的各热处理系单元。此外，i线处理单元(i-UV)33被设置成邻接显影处理单元(DEV)。
在热处理系区段28中，从下方开始按顺序叠层冷却单元(COL)、2级对基板G进行显影后的加热处理的后烘焙单元(POBAKE)。另外，热处理系区段27也是同样，从下方开始按顺序叠层冷却单元(COL)、2级后烘焙单元(POBAKE)。
在接口部4中，在正面侧设有字幕拍录装置和周边曝光单元(Titler/EE)22，邻接垂直搬运单元7配置有扩展冷却单元(EXTCOL)35，并在背面侧配置缓冲器盒子34，在这些字幕拍录装置和周边曝光单元(Titler/EE)22、扩展冷却单元(EXTCOL)35、缓冲器盒子34和邻接的曝光装置32之间配置着进行基板G的递送的垂直搬运单元8。该垂直搬运单元8也具有与上述垂直搬运单元5相同的结构。
下面，针对上述构成的涂敷显影处理装置1的处理工序来进行说明。首先，盒子C内的基板G被搬运到处理部3中的上游部3b。在上游部3b中，在准分子UV处理单元(e-UV)19中进行表面改质·有机物去除处理，然后，在擦洗洗涤处理单元(SCR)中，一边基本水平地搬运基板G一边进行洗涤处理和干燥处理。接着，由热处理系区段24的最下级部分利用垂直搬运单元中的搬运臂5a来取出基板G，用该热处理系区段24的烘焙单元(BAKE)进行加热处理，为了提高玻璃基板G和抗蚀剂膜的密合性，用附着单元(AD)在基板G上进行HMDS气体喷雾处理。其后，通过热处理系区段25的冷却单元(COL)来进行冷却处理。
接下来，基板G由搬运臂5a被递送给搬运往复移动送件装置23。而且，被搬送到抗蚀剂涂敷处理单元(CT)中，在进行了抗蚀剂的涂敷处理后，顺次在减压干燥处理单元(VD)中进行减压干燥处理，在边缘去除装置(ER)中进行基板周缘的抗蚀剂去除处理。
接下来，基板G被从搬运往复移动送件装置23向垂直搬运单元7的搬运臂递送，在热处理系区段26中用预烘焙单元(PREBAKE)进行加热处理之后，在热处理系区段29中用冷却单元(C0L)进行冷却处理。接着，基板G在扩展冷却装置(EXTCOL)35中进行冷却处理，并在曝光装置中进行曝光处理。
接下来，基板G利用垂直搬运单元8和7的搬运臂被搬运到热处理系区段29的后曝光预烘焙单元(PEBAKE)，在这里进行了加热处理后，在冷却单元(COL)中进行冷却处理。而且基板G利用垂直搬运单元7的搬运臂，在显影处理单元(DEV)中，基板G一边被基本水平地搬运，一边被进行显影处理、冲洗处理和干燥处理。
接下来，基板G在热处理系区段28中从最下级开始通过垂直搬运单元6的搬运臂6a被递送，在热处理系区段28或者27中用后烘焙单元(POBAKE)进行加热处理，用冷却单元(COL)进行冷却处理。而且，基板G被递送给搬运机构10并被盒子C容纳。
图4是表示本发明的1个实施方式所涉及的减压干燥单元(VD)的斜视图。图5是在其X方向看的剖面图。图6是在Y方向看的剖面图。
该减压干燥单元(VD)，具有容纳玻璃基板G并在上部开口的下部容器36和与该下部容器36离合的上部容器46。上部容器46的离合动作是通过没有图示的驱动装置来进行的。在下部容器36的上部的周围装配用于当装配有上部容器46时密闭内部的环形密封件45。在下部容器36的底部形成有例如凹部36a。减压干燥单元(VD)具有保持基板的平台40和支持并固定平台40的支持板38，支持板被装进例如凹部36a中。
在下部容器36中在4角设有用于使容器内部减压的排气口37，利用排气管56被连接到涡轮分子泵等的真空泵54上。在平台40的周围安装有障碍板151，由于为了易于理解就没有在图4中表示出来。此外，在平台40的周围设有用于向容器内导入惰性气体的导入口41。此外，在例如下部容器36的下部，如图5所示设有测定容器内的压力的传感器64。
在平台40的周缘部安装有支持基板的周缘部的销39。在平台40和支持板38上分别形成多个长孔40a和38a。这些长孔40a和38a被设置成分别对置并且贯通。在长孔40a和38a中，支持基板的多个支持销70a、70b、70c分别被安装到板部件42a、42b、43a、43b、44a、44b上并得到容纳。板部件42a、42b、43a、43b、44a、44b分别从下方由棒部件87来支持着。棒部件87被设置成插通设置在下部容器36的底部上的穴部36c中。板部件42a、42b利用棒部件87被安装到下部板部件81上，板部件43a、43b利用棒部件87被安装到下部板部件83上，板部件44a、44b利用棒部件87被安装到下部板部件82上。下部板部件81、82、83被设置成通过例如支持销用的气缸47、49、48能够分别独立进行升降。
气缸47、48、49通过连结部件58来被连结成一体，该连结部件58被设置成通过例如平台用气缸55升降自由。连结部件58利用支持体61被安装到上述支持板38上，支持体61插通在下部容器36的穴部36b中。通过平台用气缸55的驱动，一体式地升降连结到连结部件58上的支持销用气缸47、48、49、平台40、安装在板部件42a、42b、43a、43b、44a、44b上的支持销70a、70b、70c。
另外，在穴部36b、36c处，为了保持容器内的气密性而分别安装着密封部件62、63。
通过象这样地分割成板部件42a和42b(43a和43b、44a和44b)，能够提高各个板部件的刚性。即，能够防止在基板G比较大时，一体形成例如板部件42a和42b而产生的刚性的降低，和多个支持销70a的各个高度等的精度的降低。
支持销用气缸47、48通过第1气缸控制器51来控制其驱动。支持销用气缸49通过第2气缸控制器52来控制其驱动。平台用气缸55通过平台用气缸控制器53来控制其驱动。主控制器50进行减压干燥单元(VD)的总体上的控制，根据传感器64检测的信号来控制真空泵54。此外，主控制器50，根据来自输入部57的输入信号来控制气缸控制器51、52、53。输入部57是例如操作人员用手动来进行处理内容的输入处理的操作面板等。
下面，对这样构成的减压干燥单元(VD)的动作进行说明。
例如，操作人员通过输入部57来输入减压干燥单元(VD)的操作方法。例如在以批为单位输入涂敷显影处理装置1整体的操作方法时，输入减压干燥单元(VD)的操作方法就可以。操作人员把例如玻璃基板的种类等作为操作方法的1个进行输入。玻璃基板的种类根据例如图7和图8所示的玻璃基板G1、G2上的成为成品的区域A的数量的不同来划分。图7表示例如形成2个成品区，图8表示例如形成3个成品区。
上部容器46从下部容器36分离，通过平台用气缸55的驱动来使平台40上升并且接受来自搬运机器人的基板G。这时，如果是形成2个成品区的基板，如图9所示，在第2气缸控制器52的控制下，由支持销用气缸49来驱动。对于形成2个成品区的基板G1，则如图7所示非成品区域(斜线部分)位于周围和中央部。因此在这种情况下，主控制器50通过使中央的气缸49驱动来用支持销70b支持形成2个成品区的基板G1的非成品区域。
另外，如果是形成3个成品区的基板，如图10所示，在第1气缸控制器51的控制下，由支持销用气缸47、48来驱动。对于形成3个成品区的基板G2，非成品区域位于如图8所示的斜线部分区域。因此在这种情况下，主控制器50通过使气缸47、48驱动来用支持销70a、70b支持形成3个成品区的基板G2的非成品区域。
这样一来在保持了基板之后，通过平台用气缸55的驱动来使平台40下降，上部容器46被装配在下部容器36上，容器内密闭。其后，使容器内减压到规定的压力，进行基板的干燥处理。
干燥处理后，上部容器46从下部容器分离，通过平台用气缸55的驱动来使平台40上升并且由没有图示的搬运机器人传送基板。
在以上的本实施方式中，由于相应于基板的种类进行着气缸47、48和49的切换，所以就能够防止在基板的成品区域转印支持销70的痕迹。此外，在本实施方式中，由于以平台40为基准驱动着支持销70升降，所以能够使气缸47、48、49的驱动量比较少，而且能够极力抑制微粒的产生。
此外，在本实施方式中，在例如形成3个成品区的基板G2的减压干燥的处理中，还能够进行以下的动作。
例如，伴随着容器内的减压度的变大，即伴随着压力的变小基板有向下方产生挠曲的倾向。在基板是形成3个成品区基板时，基板的中央部有与例如不支持基板的支持销70b对接的可能。该例可以在没有平台40等只用销来支持基板的情况中见到。当支持销70b与基板对接时，在基板的成品区域就留下了该支持销70b的转印痕迹。但是，伴随着容器内的压力变小，如果把没有支持着基板的支持销70b的位置变低，就不会对接。
此外，如图11所示，当基板是形成5个成品区的时候，设置其他的支持销用气缸59就可以。这种情况下，气缸59使支持销70d升降，能够支持例如形成5个成品区的成品区中的3个成品区与2个成品区的间隔，也就是说，能够支持基板的纵向方向的五分之二的位置。通过这样的结构，就能够对应于形成2个成品区、形成3个成品区、形成5个成品区的基板的区别来适宜地变更支持销，能够防止支持销的转印。此外，在横向7倒角的情况也与形成5个成品区同样，在基板的纵向方向的七分之三位置配置支持销进行支持就可以。即使是形成3个成品区的情况，也可以在相对于基板的中心线非对称的基板的纵向方向的一侧的三分之一位置配置支持销。这样一来，横向的成品的形成数量是奇数的时候，也可以不在所有的成品区域之间配置支持销，而至少在相对于基板的中心线为部分非对称而且在成品区域以外的位置呈直线状地配置支持销。通过这样地配置，能够减少支持销的数量。由于伴随于此减少了可动部的数量就能够简化装置，进而能够提高装置的可靠性。此外，横向的成品区形成数量为偶数的时候，至少在基板的中心线上配置就可以，同样地，能够减少支持销的数量。
接下来，针对本发明的其他实施方式进行说明。图12是表示该方式所涉及的热处理系的单元中的板件的平面图，图13是表示其剖面图。例如能够用于上述预烘焙单元(PREBAKE)、冷却单元(COL)等的热处理系的单元、或者附着单元(AD)。
板件65是用于载放基板的，例如是热板件和冷板件等。在该板件65上形成多个长孔65a。在长孔65a内，容纳着支持销170a、170b、170c，这些支持销170a、170b、170c的下部85、86、87分别在板件65的下方，用推压部件71、72、73来推压。推压部件71和73的间隔是对应于支持销170a和170c的间隔来设置的。推压部件71和73与支持销170a和170c的各个下部85和87对置时，推压部件72被错开来配置着，以使不与支持销170b的下部86对置。在这样的配置关系下推压部件71、72、73通过连结部件69来连结并固定着。
该连结部件69被连接在滑动用气缸67上，该气缸67构成为使该连结部件在水平方向上滑动。滑动用气缸67被固定在板部件66上，该板部件66被连接到板部件用气缸68上并能够升降。
图12所示的销84是用于支持基板的周缘部的销，这些销84构成为既可以相对于板件65被固定，也可以用其他的驱动机构被升降。驱动销84升降的时候，可使之与支持销170a、170b、170c一起作为基板的递送机构来应用。此外，在该情况下，销84能够与支持销170a、170b、170c一起作为接近销来应用。销84被固定在板件65上的时候，仅能够与支持销170a、170b、170c一起作为接近销来应用。
在这样的构成的单元中，相应于例如形成2个成品区和形成3个成品区的基板使滑动用气缸67滑动，用气缸68使支持销升降。在处理例如形成3个成品区的基板时，从图13所示的状态驱动气缸68使支持销170a、170c上升并在支持基板的非成品区域的状态下来进行处理。另外，在处理形成2个成品区的基板时，从图13所示的状态驱动滑动用气缸67使中央的推压部件72与支持销170b的下部86相对置。如果形成了对置，驱动板部件用气缸68使支持销170b上升并在支持基板的非成品区域的状态下来进行处理。
根据本实施方式，能够用1个气缸67来切换支持销170a、170c和支持销170b。这样能够极力抑制微粒的产生。此外，在本实施方式中，能够防止支持销对成品区域的转印。
本发明并不局限于以上的实施方式，还能够有各种的变形。例如，也能够将例如减压干燥单元(VD)中用到的支持销的驱动机构适用于进行热处理系区段24、25、26、27、28、29中的各单元。或者不局限于此，也能够适用于设置在搬运基板的搬运装置中的基板递送用的台。即，只要是进行基板的递送的装置本发明都能够适用。此外，相反地，图12、图13所示的支持销的驱动机构也能够组装到其他的处理单元中。此外，图12、图13所示的装置相应于基板的成品区域的数量的增加的情况也能够增加推压部件的数量。
正如以上说明的那样，根据本发明，能够不断极力抑制微粒的产生并能够防止升降销等的支持部件转印到基板的成品区域中。
Claims (7)
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
保持部，被设置成能够升降，并且至少保持基板的周缘部；
第1驱动部，驱动所述保持部的升降动作；
第1支持部件，支持基板的第1区域；
第2支持部件，支持与基板的所述第1区域不同的第2区域；
第2驱动部，根据基板选择性地切换所述第1支持部件和所述第2支持部件并使其相对于所述保持部升降。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1支持部件支持具有所述第1区域的第1基板的第1非成品区域，
所述第2支持部件支持具有所述第2区域的第2基板的与所述第1非成品区域不同的第2非成品区域。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，具备：
处理室，用于容纳基板并进行规定的处理；
减压机构，对所述处理室进行减压；
控制装置，相应于所述减压机构形成的减压度，来控制所述第1支持部件或者第2支持部件的升降的驱动。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2驱动部被设置成与所述保持部的升降动作同时地进行动作。
5.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
板件，载放并处理基板；
第1支持部件，支持基板的第1区域；
第1推压部件，从下方推压所述第1支持部件并且使其从所述板件突出；
第2支持部件，被配置成相对于所述第1支持部件分开第1间隔，并支持与基板的所述第1区域不同的第2区域；
第2推压部件，从下方推压所述第2支持部件并且使其从所述板件突出；
连结部件，连结所述第1推压部件和第2推压部件并分开与所述第1间隔不同的第2间隔；
驱动部，根据基板的种类使所述连结部件在规定的方向上移动，从而选择性地使所述第1推压部件与所述第1支持部件对置、或者使所述第2推压部件与所述第2支持部件对置。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1支持部件支持具有所述第1区域的第1基板的第1非成品区域，
所述第2支持部件支持具有所述第2区域的第2基板的与所述第1非成品区域不同的第2非成品区域。
7.一种基板处理方法，其基板处理装置具备：板件，载放并处理基板；第1支持部件，支持基板的第1区域；第1推压部件，从下方推压所述第1支持部件并且使其从所述板件突出；第2支持部件，被配置成相对于所述第1支持部件分开第1间隔，并支持与基板的所述第1区域不同的第2区域；第2推压部件，从下方推压所述第2支持部件并且使其从所述板件突出；连结部件，连结所述第1推压部件和第2推压部件并分开与所述第1间隔不同的第2间隔，该方法的特征在于，具备：
使所述连结部件移动的工序，以使所述第1推压部件与所述第1支持部件对置；
使所述连结部件移动的工序，以使所述第2推压部件与所述第2支持部件对置。
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