CN1940730A - 烘焙装置、冷却加热板的方法及基板处理设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种对烘焙装置中使用的加热板进行冷却的方法。根据该方法，通过在加热板上提供比该加热板温度更低的温度调整板，利用该温度调整板来冷却所述加热板。用于冷却基板的冷却板使所述温度调整板冷却之后，将该温度调整板移动至所述加热板。

Description

烘焙装置、冷却加热板的方法及基板处理设备和方法
技术领域
本发明涉及用于处理基板的设备和方法，具体涉及用于光刻的烘焙装置以及用于冷却该烘焙装置中所使用的加热板的方法。
背景技术
通常，通过例如清洗、沉积、光刻、蚀刻和离子植入等各种过程来制造半导体器件。光刻过程用于形成图案，该过程对于半导体器件的集成来说是很重要的。
用于进行光刻的系统包括：涂布装置、曝光装置、显影装置以及烘焙装置。在将晶片顺序输送至烘焙装置、涂布装置、烘焙装置、曝光装置、烘焙装置、显影装置以及烘焙装置的时候，在该晶片上进行上述光刻。所述烘焙装置包括用于加热晶片的加热部件和用于冷却晶片的冷却部件。通常，将待处理的晶片分组。同一组中所包括的晶片在相同的处理条件下进行处理，不同组的晶片在不同的处理条件下处理。
加热部件包括承接晶片的加热板。处理了一组晶片之后，在处理下一组晶片之前，必须根据下一组晶片的处理条件(例如加热温度)来调整加热板的温度。通过增大施加给加热板的热量可以迅速加热该加热板。但是，由于加热板是在自然条件下冷却的，因此需要大量的时间来冷却该加热板。根据自然冷却办法，加热板每冷却一摄氏度需要大约一分钟。如果从一组晶片到下一组晶片的加热温度降低50摄氏度，那么对于下一组晶片来说，就需要大约50分钟来冷却加热板。因此，极大地降低了设备的操作效率。
发明内容
本发明提供一种迅速冷却加热板的设备和方法。
本发明还提供一种能够改善光刻过程中的设备操作效率的设备和方法。
本发明的实施方案提供一种加热基板的烘焙装置。所述烘焙装置包括：用于加热基板的加热板；用于放置在加热板上以冷却该加热板的温度调整板；以及将温度调整板移动至加热板上的输送机构。由于加热板由温度调整板来强制冷却，因此可以迅速冷却该加热板。
一些实施方案中，所述烘焙装置还包括用于冷却基板的冷却板。输送机构在冷却板和加热板之间移动温度调整板。由于用冷却板将温度调整板冷却之后再将该温度调整板移动至加热板上，因此，利用加热板和冷却板之间的大温差，可以更加迅速地冷却加热板。
又一些实施方案中，所述加热板和所述冷却板并排设置，输送机构包括用于在冷却板和加热板之间移动温度调整板的第一臂和第二臂，以及用于促动第一臂和第二臂的臂促动构件。
再一些实施方案中，所述臂促动构件包括：彼此分隔开的两个滑轮；围绕上述滑轮的带；旋转上述滑轮中的一个滑轮的电机；与上述带的上部相连接的上托架，用于在其上安装第一臂；以及与上述带的下部相连接的下托架，用于在其上安装第二臂；其中，第一臂和第二臂同时沿着相反方向移动。
本发明的另一实施方案提供进行光刻的基板处理设备，该基板处理设备包括处理部分、索取存放部分和对接部分。所述处理部分包括：用于在基板上进行涂布的涂布装置；用于在基板上进行显影的显影装置；以及烘焙装置，该烘焙装置用于在涂布或者显影之前或者之后对基板进行加热或者冷却。所述索取存放部分包括：盒座架，容纳其中装有基板的盒；以及自控设备路径，设有一个自控设备，用于在盒座架和处理部分之间输送基板。所述对接部分包括自控设备，用于在处理部分和进行曝光的曝光部分之间输送基板。其中，所述烘焙装置包括：用于加热基板的加热板；用于放置在加热板上以冷却该加热板的温度调整板；以及将温度调整板移动至加热板上的输送机构。
在一些实施方案中，所述烘焙装置还包括用于冷却基板的冷却板，而且，所述输送机构在冷却板和加热板之间移动温度调整板。
在又一些实施方案中，所述处理部分还包括沿着第一方向设置的路径，该路径设有自控设备，以用于在涂布装置和烘焙装置之间或者在显影装置和烘焙装置之间输送基板，其中，冷却板和加热板沿着与第一方向垂直的第二方向并排设置。
再一些实施方案中，所述输送机构包括：用于在冷却板和加热板之间移动基板或者温度调整板的第一臂；与第一臂设置在不同高度上、以用于在冷却板和加热板之间移动基板或者温度调整板的第二臂；以及用于促动第一臂和第二臂的臂促动构件。
另一些实施方案中，所述处理部分还包括：第一处理腔室，其中安装涂布装置和烘焙装置，该第一处理腔室设有一个路径，第一自控设备沿着该路径移动以将基板在涂布装置和烘焙装置之间输送；以及第二处理腔室，其以叠置的方式与第一处理腔室分隔开，用于容纳显影装置和烘焙装置，该第二处理腔室设有一个路径，第二自控设备沿着该路径移动以将基板在显影装置和烘焙装置之间输送。或者，所述处理部分可以包括单个处理腔室或者三个处理腔室。
还有一些实施方案中，所述温度调整板与所述基板的形状相同。
本发明的另外的实施方案提供用于冷却加热板的方法，包括将烘焙装置中所使用的用于加热基板的加热板冷却。通过在加热板上提供比该加热板温度更低的温度调整板，利用该温度调整板来进行上述加热板的冷却。
又一些实施方案中，通过用于冷却基板的冷却板来冷却所述温度调整板，然后将该温度调整板移动至加热板。加热板和冷却板并排设置，而且，使用另一个温度调整板来轮流冷却加热板，其中，当两个温度调整板中的一个放置在加热板上以冷却该加热板时，另一个在冷却板上被冷却。
再一些实施方案中，通过两个臂在加热板和冷却板之间移动所述温度调整板，所述两个臂在不同的高度上连接至一条带，并通过该带沿着相反方向同时移动。
本发明的另外的实施方案提供用于处理基板以进行光刻的方法。该方法包括：在处理第一组晶片的时候提供处在第一加热温度的加热板，并在处理第二组晶片的时候提供处在第二加热温度的所述加热板。如果第二加热温度低于第一加热温度，提供处在第二加热温度的加热板的步骤包括强制冷却该加热板，而且，所述加热板的强制冷却包括：通过在加热板上提供比该加热板温度更低的温度调整板，利用该温度调整板来冷却所述加热板。
又一些实施方案中，所述加热板的强制冷却还包括：在将温度调整板移动至加热板上之前，通过将温度调整板移动至用于冷却基板的冷却板上，冷却该温度调整板。
再一些实施方案中，所述加热板的强制冷却还包括：在位于加热板旁边、用于冷却基板的冷却板上，提供第一温度调整板，并在加热板上提供第二温度调整板；以及将第二温度调整板移动至冷却板，并将第一温度调整板移动至加热板。
还有一些实施方案中，所述温度调整板的形状与所述基板相同。
附图说明
附图用于进一步地理解本发明，它被包含进来并作为本申请的一部分，显示了本发明的实施方案，并与本说明书一起用于解释本发明的原理。
附图中：
图1是示意性地显示本发明的基板处理设备结构的视图；
图2是显示图1中基板处理设备的处理部分示例的立体图；
图3是显示图2所示处理部分的第一处理腔室的平面视图；
图4是显示图2所示处理部分的第二处理腔室的平面视图；
图5是显示图2所示处理部分的烘焙装置内部结构的立体图；
图6是图5所示的烘焙装置的平面视图；
图7是图5中所示的冷却构件的侧向剖视图；及
图8A至8D是显示本发明的加热构件冷却方法的视图。
具体实施方式
以下详细说明本发明的优选实施方案，附图中显示了其实施例。但是本发明不限于此后说明的实施方案，相反，此处介绍的实施方案用于更加容易和完整地理解本发明的精神和范围。因此，附图中，为了清楚起见，可能对元件的形状进行了夸张。
图1是显示本发明的基板处理设备1的结构的示意图。该基板处理设备1在晶片上进行光刻。参考图1，该基板处理设备1包括沿着预定方向(以下称之为第一方向62)顺序地并排设置的索取存放部分10、处理部分20以及对接部分30。索取存放部分10包括盒座架12和自控设备路径14。将容纳例如晶片等半导体基板的盒12a设置在盒座架12上。在自控设备路径14上，安装自控设备14a以在盒座架12和处理部分20之间输送盒12a。自控设备14a能够沿着水平面上与第一方向62垂直的方向(以下称之为第二方向64)以及沿着竖直方向移动。用于在水平和竖直方向上移动自控设备14a的机构是本领域普通技术人员所熟知的，因此省略对它的描述。
处理部分20进行涂布过程以在晶片上涂布例如光致抗蚀剂等感光材料，并且在晶片上进行了曝光过程之后，该处理部分20进行显影过程，以从晶片上除去光致抗蚀剂的曝光区域或者非曝光区域。该处理部分20设有涂布装置、显影装置和烘焙装置。
对接部分30设置在处理部分20的一侧，并与曝光部分40相连。自控设备32设置在对接部分40处，以在曝光部分40和处理部分20之间输送晶片。该自控设备32具有可以沿着第二方向64和竖直方向移动的机构。
图2是显示图1所示的处理部分20的一个示例的立体图。该处理部分20包括叠置的第一处理腔室100a和第二处理腔室100b。第一处理腔室100a设有进行涂布过程的装置，第二处理腔室100b设有进行显影过程的装置。也就是，第一处理腔室100a设有涂布装置120a和烘焙装置140，第二处理腔室100b设有显影装置120b和烘焙装置140。根据该实施例，第一处理腔室100a可以设置在第二处理腔室100b之上。或者，第一处理腔室100a可以设置在第二处理腔室100b之下。在该基板处理设备1的这种结构中，晶片沿着索取存放部分10、第一处理腔室100a、对接部分30、曝光部分40、对接部分30、第二处理腔室100b、以及索取存放部分10顺序地移动。也就是，在光刻过程中，晶片通过基板处理设备1所构成的环路上下移动。
图3是第一处理腔室100a的平面视图。参考图3，第一处理腔室100a在中央处设有沿着第一方向62延伸的第一路径160a。该第一路径160a的一端连接至索取存放部分10，其另一端连接至对接部分30。烘焙装置140在第一路径160a的一侧、沿着该第一路径160a设置成一排，涂布装置120a在第一路径160a的另一侧、沿着该第一路径160a设置成一排。在这种格局中，烘焙装置140和涂布装置120a沿着竖直方向相互叠置。第一自控设备162a安装在第一路径160a上，以在对接部分30、涂布装置120a、烘焙装置140以及索取存放部分10之间输送晶片。为了让第一自控设备162a沿着第一方向62线性移动，在第一路径160a上设置导轨164a。
图4是第二处理腔室100b的平面视图。参考图4，第二处理腔室100b在中央处设有沿着第一方向62延伸的第二路径160b。该第二路径160b的一端连接至索取存放部分10，其另一端连接至对接部分30。烘焙装置140在第二路径160b的一侧、沿着该第二路径160b设置成一排，显影装置120b在第二路径160b的另一侧、沿着该第二路径160b设置成一排。在这种格局中，烘焙装置140和显影装置120b沿着竖直方向相互叠置。第二自控设备162b安装在第二路径160b上，以在对接部分30、显影装置120b、烘焙装置140以及索取存放部分10之间输送晶片。为了让第二自控设备162b沿着第一方向62线性移动，在第二路径160b上设置导轨164b。
或者，第一处理腔室可以在一侧上设有第一路径，在另一侧上设有涂布装置和烘焙装置。另外，第二处理腔室可以在一侧上设有第二路径，在另一侧上设有显影装置和烘焙装置。
图5是显示本发明的烘焙装置140的内部结构的立体图，图6是显示图5所示的烘焙装置的平面视图。烘焙装置140可以具有相同的结构。以下，描述安装在第一处理腔室100a中的烘焙装置140作为示例。参考图5和6，烘焙装置140包括外壳200、冷却构件300、加热构件400、以及输送机构500。外壳200为长方体。外壳200在面对第一路径160a的侧面上形成入口220，以允许晶片穿过其中。通过第一自控设备162a将晶片推入和拉出入口220。
在外壳200中，并排设置冷却构件300和加热构件400。冷却构件300和加热构件400沿着与第一路径160a垂直的方向也就是第二方向64设置。冷却构件300靠近入口220设置，加热构件400远离入口220设置。由于冷却构件300和加热构件400的这种格局，加热构件400所产生的热量对外壳200的外侧的影响最小。
图7是冷却构件300的侧向剖视图。参考图7，冷却构件300包括冷却板320和盖子340。冷却板320是盘状。在冷却板320中，设置晶片冷却装置。例如，可以在冷却板320中设置冷却水管线(未显示)。盖子340与冷却板320的顶部形成封闭空间。设置该封闭空间以防止在冷却晶片的时候晶片四周的热空气受到周围环境的扰动。因此，可以保持冷却效率不会下降。在冷却板320的一侧上安装竖向促动器360，以将盖子340上下移动。冷却板320限定一个通孔322，升降柱380在其中上下移动。该通孔322设置在不会使输送机构500(见后面的说明)的第一臂520和第二臂540的移动受到干扰的位置处。升降装置(未显示)上下移动升降柱380，以将晶片设置在冷却板320上或者将晶片从冷却板320上抬起。
再参考图6，加热构件400包括加热板420和盖子(未显示)。加热板420是盘状。在加热板420中，设置晶片加热装置。例如，可以在加热板420中安装加热线圈(未显示)，可选的是，可以在加热板420上形成预定的加热图案(未显示)。盖子与加热板420的顶部形成封闭空间。设置该封闭空间以防止在加热晶片的时候晶片四周的热空气扩散到周围环境。因此，可以保持加热效率不会下降。在加热板420的一侧上安装竖向促动器460，以将盖子上下移动。加热板420限定一个通孔422，升降柱480在其中上下移动。该通孔422设置在不会使输送机构500(见后面的说明)的第一臂520和第二臂540的移动受到干扰的位置处。升降装置(未显示)上下移动升降柱480，以将晶片设置在加热板420上或者将晶片从加热板420上抬起。
输送机构500在安装在外壳200内的加热板420和冷却板320之间输送晶片。输送机构500包括第一臂520、第二臂540和臂促动构件560。第一臂520和第二臂540为杆状。第一臂520和第二臂540中的每一个用于将晶片从升降柱380或者升降柱480上提起，以及将晶片设置在升降柱380或者升降柱480上。臂促动构件560在冷却板320和加热板420之间线性移动第一臂520和第二臂540。
臂促动构件560包括第一滑轮562、第二滑轮561、带563、上托架564、下托架565、导轨566以及电机567。在冷却板320的一侧处，设置第一滑轮562，在加热板420的一侧处，设置第二滑轮561。滑轮562和561中的一个连接至电机567。带563围绕第一滑轮562和第二滑轮561。将滑轮562和561以及带563设置成使得带563的一半位于上面而另一半位于下面。上托架564固定在带563的上部563a，下托架565固定在下部563b。
电机567反复地前后旋转，从而在沿着水平方向在第一滑轮562和第二滑轮561之间线性移动上托架564，同时沿着水平方向在第二滑轮561和第一滑轮562之间线性移动下托架565。上托架564和下托架565以这样一种方式固定在带563上，从而当上托架564移动至第一滑轮562附近的时候，下托架565移动至第二滑轮561附近。导轨566设置在外壳200内，用于线性地引导上托架564和下托架565。
第一臂520连接至上托架564，第二臂540连接至下托架565。利用上述结构，第一臂520和第二臂540沿着相反方向移动，彼此之间不会妨碍。例如，当第一臂520将一个晶片从冷却板320输送至加热板420的时候，第二臂540可以将另一个晶片从加热板420输送至冷却板320。
在上述实施例中，将输送机构500设计为沿着线性路径输送晶片。但是，可以将输送机构500设计为在将晶片沿着相反方向旋转的同时输送晶片。
通常，将晶片分组，如果同一组中的晶片要进行同样的处理，则在同样的处理条件下处理同一组中包括的晶片。利用本发明的设备所进行的处理包括：烘焙、涂布以及显影。烘焙包括加热和冷却。加热包括在涂布之前的预加热(例如粘附)、涂布之后的后加热(例如软烘焙)、显影之前的预加热(例如曝光后的烘焙)、以及显影之后的后加热(例如硬烘焙)。通过不同的烘焙装置140进行各种烘焙。
在一个实施方案中，以烘焙过程中的晶片加热温度(以下称之为加热温度)作为处理条件，仅描述一个烘焙装置140。在一组晶片(以下称之为第一组晶片)上进行了光刻过程(包括加热)之后，将另一组晶片(以下称之为第二组晶片)引入到处理部分20中，进行光刻过程。如果第二组晶片的加热温度(以下称之为第二加热温度)与第一组晶片的加热温度(以下称之为第一加热温度)不同，在处理第二组晶片之前要调整加热板420的温度。如果第二加热温度高于第一加热温度，就向加热板420施加更多的热量。相反，如果第二加热温度低于第一加热温度，就冷却加热板420。下面，描述用于迅速冷却加热板420的结构和方法。
如果在自然条件下冷却加热板420，由于需要大量的时间来冷却加热板420，因此设备的操作效率降低。所以，根据本发明，强制冷却加热板420。为了强制冷却加热板420，使用温度调整板600。该温度调整板600比加热板420温度更低。将温度调整板放置在加热板420上，通过与加热板420交换热量来冷却该加热板420。通过传导来进行温度调整板600和加热板420之间的热交换。
优选的是，在将温度调整板600放置在加热板420上之前对该温度调整板600进行冷却，以进一步减少冷却加热板420所需要的时间。在这种情况下，可以通过用于冷却晶片的冷却板320来冷却该温度调整板600。另外，可以使用多个温度调整板600来冷却加热板420。在这种情况下，优选轮流使用两个温度调整板600。在使用其中一个温度调整板600冷却加热板420的同时，可以利用冷却板320冷却另一个。然后，将用于冷却加热板420的那个温度调整板600移动至冷却板320，将由冷却板320冷却的另一个移动至加热板420。
优选的是，温度调整板600与晶片的形状相同，因为其它的组件被构造成适合于晶片的形状。例如，如第一自控设备162a、第二自控设备162b、第一臂520以及第二臂540被构造成用于输送具有类似于晶片形状的物体。而且，加热板420和冷却板320被成型为适合于加热和冷却具有类似于晶片形状的物体。温度调整板600可以由与晶片相同的材料构成。或者，温度调整板600可以由便于在温度调整板600和加热板420之间进行热交换的金属形成。
在基板处理设备1中设置多个温度调整板600。基板处理设备1设有用于容纳这些温度调整板600的容器，索取存放部分10或者第一和第二处理腔室100a和100b可以设有用于接受上述容器的容器座架。
下面，描述本发明的使用基板处理设备处理晶片的方法。为了清楚起见，仅示例性地描述第一处理腔室100a中设置的一个烘焙装置140。首先，将加热板420保持在第一加热温度，用于加热第一组晶片。在第一组晶片完全加热之后，将加热板420的温度调整至第二加热温度。如果第二加热温度高于第一加热温度，例如通过安装在加热板420中的加热线圈向该加热板420提供更多的热量。如果第二加热温度低于第一加热温度，强制冷却加热板420。然后处理第二组晶片。
加热板420进行如下的强制冷却。首先，第一自控设备162a从容器660(参考图1)取出第一温度调整板620，并将该第一温度调整板620移动至烘焙装置140的冷却板320的上侧。将第一温度调整板620放置在冷却板320上，并由冷却板320进行冷却。当第一温度调整板620冷却至预定温度时，第二臂540将该第一温度调整板620从冷却板320移动至加热板420。第一自控设备162a再从容器660中取出第二温度调整板640，并将该第二温度调整板640移动至冷却板320的上侧。将第二温度调整板640放置在冷却板320上。让第一臂520和第二臂540位于加热板420和冷却板320之间。加热板420由第一温度调整板620冷却，第二温度调整板640由冷却板320冷却(参考图8A)。
在预定时间之后，通过升降柱480和380，将第一和第二温度调整板620和640分别从加热板420和冷却板320上抬起。第一臂520从升降柱380接收位于冷却板320上方的第二温度调整板640，第二臂540从升降柱480接收位于加热板420上方的第一温度调整板620(参考图8B)。
第二臂540将第一温度调整板620从加热板420移动至冷却板320，同时，第一臂520将第二温度调整板640从冷却板320移动至加热板420(参考图8C)。
然后，让第一臂520和第二臂540位于冷却板320和加热板420之间。加热板420由第二温度调整板640冷却，第一温度调整板620由冷却板320冷却(参考图8D)。在预定时间之后，第一臂520将第一温度调整板620从冷却板320移回至加热板420，同时，第二臂540将第二温度调整板640从加热板420移回至冷却板320。重复这种操作，直至加热板420被冷却至第二加热温度。在加热板420完全冷却之后，通过第一自控设备162a将放置在冷却板320上的温度调整板600移动至容器660。通过输送机构500将放置在加热板420上的温度调整板600移动至冷却板320，然后通过第一自控设备162a使该温度调整板600返回至容器660。
在该实施方案中，处理部分20设有叠置的第一处理腔室100a和第二处理腔室100b。但是本发明的加热板冷却方法可以用于其它具有冷却板和加热板的各种设备。
根据本发明，对加热板进行强制冷却，从而可以减少冷却加热板所需的时间，因此可以改善设备的操作效率。
此外，根据本发明，由于将温度调整板放置在加热板上，因此可以通过传导来进行温度调整板和加热板之间的热交换。所以，可以进一步减少冷却加热板所需的时间。
另外，根据本发明，在将温度调整板用于冷却加热板之前，通过冷却板来冷却该温度调整板，从而可以更进一步减少冷却加热板所需的时间。
本领域的技术人员可以理解的是，可以对本发明作出各种改进和变换。因此，只要这些改进和变换落入到所附的权利要求及其等效物的范围内，本发明就包括对本发明的这些改进和变换。

Claims (18)

1.一种烘焙装置，包括：
加热板，用于加热基板；
温度调整板，用于放置在加热板上冷却该加热板；以及
输送机构，用于将温度调整板移动至加热板上。
2.如权利要求1所述的烘焙装置，还包括用于冷却所述基板的冷却板，其中，所述输送机构在该冷却板和所述加热板之间移动所述温度调整板。
3.如权利要求2所述的烘焙装置，其中，所述加热板和所述冷却板并排设置，所述输送机构包括：
用于在所述冷却板和所述加热板之间移动所述温度调整板的第一臂和第二臂；以及
用于促动第一臂和第二臂的臂促动构件。
4.如权利要求3所述的烘焙装置，其中，所述臂促动构件包括：
彼此分隔开的两个滑轮；
围绕上述滑轮的带；
用于旋转上述滑轮中的一个滑轮的电机；
与上述带的上部相连接的上托架，用于在其上安装所述第一臂；以及
与上述带的下部相连接的下托架，用于在其上安装所述第二臂，
其中，所述第一臂和所述第二臂同时沿着相反方向移动。
5.一种基板处理设备，包括：
处理部分，其包括用于在基板上进行涂布的涂布装置、用于在基板上进行显影的显影装置以及烘焙装置，该烘焙装置用于在涂布或者显影之前或者之后对基板进行加热或者冷却；
索取存放部分，其包括盒座架和自控设备路径，该盒座架用于容纳其中装有基板的盒，该自控设备路径设有自控设备，以用于在盒座架和处理部分之间输送基板；以及
对接部分，其包括自控设备，以用于在处理部分和进行曝光的曝光部分之间输送基板，
其中，所述烘焙装置包括：
加热板，用于加热基板；
温度调整板，用于放置在加热板上以冷却该加热板；以及
输送机构，用于将温度调整板移动至加热板上。
6.如权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述烘焙装置还包括用于冷却所述基板的冷却板，而且，所述输送机构在所述冷却板和所述加热板之间移动所述温度调整板。
7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述处理部分还包括沿着第一方向设置的路径，该路径设有自控设备，以用于在所述涂布装置和所述烘焙装置之间或者在所述显影装置和所述烘焙装置之间输送所述基板，
其中，所述冷却板和所述加热板沿着与第一方向垂直的第二方向并排设置。
8.如权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述输送机构包括：
用于在所述冷却板和所述加热板之间移动所述基板或者所述温度调整板的第一臂；
与第一臂设置在不同高度上、以用于在所述冷却板和所述加热板之间移动所述基板或者所述温度调整板的第二臂；以及
用于促动第一臂和第二臂的臂促动构件。
9.如权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述处理部分还包括：
第一处理腔室，其中安装所述涂布装置和所述烘焙装置，该第一处理腔室设有一个路径，第一自控设备沿着该路径移动，以在所述涂布装置和所述烘焙装置之间输送所述基板；以及
第二处理腔室，其以叠置的方式与第一处理腔室分隔开，用于容纳所述显影装置和所述烘焙装置，该第二处理腔室设有一个路径，第二自控设备沿着该路径移动，以在所述显影装置和所述烘焙装置之间输送所述基板。
10.如权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述温度调整板与所述基板的形状相同。
11.一种用于冷却加热板的方法，包括将用于烘焙装置中以加热基板的加热板冷却，
其中，通过在加热板上提供比该加热板温度更低的温度调整板，利用该温度调整板来进行加热板的冷却。
12.如权利要求11所述的方法，其中，通过用于冷却基板的冷却板来冷却所述温度调整板，然后将该温度调整板移动至所述加热板。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述加热板和所述冷却板并排设置，并使用另一个温度调整板来轮流冷却所述加热板，
其中，上述两个温度调整板中的一个放置在所述加热板上以冷却该加热板，同时，另一个在所述冷却板上被冷却。
14.如权利要求13所述的方法，其中，通过两个臂在所述加热板和所述冷却板之间移动所述温度调整板，这两个臂在不同的高度上连接至一条带，并通过该带沿着相反方向同时移动。
15.一种处理基板以进行光刻的方法，该方法包括：
在处理第一组晶片的时候提供处在第一加热温度的加热板；以及
在处理第二组晶片的时候提供处在第二加热温度的所述加热板；
其中，如果第二加热温度低于第一加热温度，提供处在第二加热温度的加热板的步骤包括强制冷却该加热板，
其中，所述加热板的强制冷却包括：通过在加热板上提供比该加热板温度更低的温度调整板，利用该温度调整板来冷却所述加热板。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述加热板的强制冷却还包括：在将所述温度调整板移动至所述加热板上之前，通过将该温度调整板移动至用于冷却基板的冷却板上，冷却该温度调整板。
17.如权利要求15所述的方法，其中，所述加热板的强制冷却还包括：
在位于所述加热板旁边、用于冷却基板的所述冷却板上，提供第一温度调整板，并在所述加热板上提供第二温度调整板；以及
将第二温度调整板移动至所述冷却板，并将第一温度调整板移动至所述加热板。
18.如权利要求15所述的方法，其中，所述温度调整板的形状与所述基板相同。
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