KR100933036B1 - 베이크 장치 - Google Patents

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함형원
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 베이크 공정을 수행하는 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 베이크 장치는 내부에 베이크 공정이 수행되는 공간을 가지는 하우징, 하우징 내부에 설치되는 냉각플레이트 및 가열플레이트, 그리고 냉각플레이트 및 가열플레이트 사이에 배치되는 열차단판 및 냉각플레이트 및 가열플레이트로부터 발생되는 열을 효과적으로 배기시키는 열배기부재를 포함한다. 열배기부재는 냉각플레이트 및 가열플레이트로부터 발생되는 열을 수용받는 배기덕트 및 배기덕트 내 열기류를 장치 외부로 배출시키는 배출라인을 가진다. 본 발명은 냉각플레이트 및 가열플레이트로부터 발생되는 열을 효과적으로 처리하여 베이크 공정 효율을 향상시킨다.
Figure R1020070138613
반도체, 베이크, 배기, 열, 냉각, 가열, 차단

Description

베이크 장치{BAKE APPARATUS}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 베이크 공정을 수행하는 장치에 관한 것이다.
반도체 집적회로 칩 제조를 위한 웨이퍼 처리 장치 중 베이크 장치는 사진 공정시 웨이퍼의 기설정된 온도를 만족시키기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각하는 장치이다. 일반적인 베이크 장치는 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내부에 설치되어 베이크 공정시 기판을 지지하는 적어도 하나의 플레이트들, 그리고 상기 하우징 내부에 설치되어 상기 플레이트들에 기판을 로딩 및 언로딩시키기 위한 구동부를 가진다. 플레이트로는 냉각플레이트 또는 가열플레이트 등이 사용되어, 플레이트에 놓여진 기판을 기설정된 공정온도로 가열 또는 냉각시킨다. 구동부는 하우징 내부로 반입된 기판을 대기시키는 버퍼유닛 및 상기 버퍼유닛과 상기 플레이트 상호간에 기판을 이송시키는 이송유닛을 구비한다.
그러나, 하나의 하우징 내부에서 냉각플레이트와 가열플레이트가 구비되는 구조의 베이크 장치는 냉각플레이트와 가열플레이트 상호간에 열교환이 이루어져, 냉각플레이트와 가열플레이트의 기판 냉각 및 가열 효율이 저하되는 현상이 발생된 다. 즉, 냉각플레이트와 가열플레이트가 각각 인접하게 배치되는 경우에는 냉각플레이트로부터 발생되는 열에 의해 가열플레이트에 놓여진 기판의 가열온도가 변화하거나, 가열플레이트로부터 발생되는 열에 의해 냉각플레이트에 놓여진 기판의 냉각온도가 변화할 수 있다.
또한, 상술한 베이크 장치는 냉각플레이트와 가열플레이트로부터 발생되는 열이 하우징 내 공간으로 방출되어 베이크 공정 환경을 변화시켜 베이크 공정 효율을 저하시킬 수 있다. 즉, 냉각플레이트와 가열프레이트로부터 발생되는 열은 하우징 내 공간으로 방출된 후 냉각플레이트 및 가열플레이트에서 베이크 공정이 수행되는 기판의 냉각 및 가열온도에 영향을 주어 베이크 공정 효율을 저하한다.
본 발명은 냉각플레이트 및 가열플레이트로부터 발생되는 열을 효과적으로 처리하여 베이크 공정 효율을 향상시키는 베이크 장치를 제공한다.
본 발명은 냉각플레이트로부터 발생되는 열과 가열플레이트로부터 발생되는 열에 의해 가열플레이트 및 냉각플레이트에 의해 수행되는 베이크 공정 효율이 저하되는 것을 방지하는 베이크 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 베이크 장치는 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내부에 설치되는 냉각플레이트 및 가열플레이트, 그리고 상기 하우징 내 열기류를 상기 하우징 외부로 배기시키는 열배기부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 장치는 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트의 측면을 감싸도록 설치되는 지지블럭 및 상기 지지블럭의 일측 외부에 설치되어 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트 상호간에 기판을 이송하는 이송유닛을 더 포함하고, 상기 열배기부재는 상기 이송유닛과 상기 지지블럭 사이에 배치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 장치는 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트를 감싸도록 설치되는 지지블럭 및 상기 지지블럭의 일측 외부에 설치되어 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트 상호간에 기판을 이송하는 이송유닛을 더 포함하고, 상기 열배기부재는 상기 이송유닛과 대향되는 상기 지지블럭의 일 측면을 따라 구비되는 제1 열배기부재 및 상기 지지블럭의 타측면을 따라 구비되는 제2 열배기부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 열배기부재는 내부에 상기 하우징 내 열기류를 수용받는 배기덕트 및 상기 배기덕트로 유입된 열기류를 상기 베이크 장치 외부로 배출시키는 배출라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기덕트의 상부면 또는 상기 지지블럭과 마주보는 상기 배기덕트의 측면에는 복수의 홀들이 형성된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 장치는 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트 사이에 구비되어 상기 냉각플레이트로와 상기 가열플레이트 상호간에 이동되는 열을 차단하는 열차단판을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 장치는 상기 지지블럭의 측면을 감싸도록 제공되는 열차단판을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트는 제1 방향으로 나란하게 배치되고, 상기 열배기부재는 그 길이 방향이 상기 제1 방향을 따라 배치되는, 그리고 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트와 마주보도록 배치되는 배기덕트를 더 포함하되, 상기 배기덕트에는 그 길이 방향을 따라 상기 하우징 내 열기류가 유입되는 복수의 홀들이 형성된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 방향은 수평방향이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기덕트는 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트의 측방향으로 일정간격 이격되어 배치된다.
본 발명에 따른 베이크 장치는 냉각플레이트 및 가열플레이트로부터 발생되는 열을 하우징으로부터 효과적으로 배출시켜 베이크 공정 효율을 향상시킨다.
본 발명에 따른 베이크 장치는 냉각플레이트 및 가열플레이트 사이에 열차단판를 구비하여, 냉각플레이트 및 가열플레이트 각각으로부터 발생되는 열에 의해 냉각플레이트 및 가열플레이트의 냉각 및 가열온도가 변화하는 것을 방지한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 사진 공정을 위해 웨이퍼의 온도를 가열 또는 냉각하는 베이크 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 처리하는 모든 장치에 적용이 가능할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 하우징 내부에서 가열플레이트 및 냉각플레이트가 하나씩 나란히 배치되는 베이크 장치를 예로 들어 설명하였으나, 웨이퍼를 가열 또는 냉각하는 플레이트의 개수 및 배치 등은 다양하게 변경될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 냉각부재, 가열부재, 그리고 열처리부재의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 모습을 보여주는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 베이크 장치(bake apparatus)(1)는 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W)을 기설정된 공정온도로 가열 및 냉각하는 베이크 공정(bake process)을 수행한다. 베이크 장치(1)는 하우징(10), 냉각부재(20), 가열부재(30), 이송유닛(40), 그리고 열처리부재(heat treating member)(100)를 포함한다.
하우징(10)은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(10)는 대체로 직육면체 형상을 가진다. 하우징(10)의 전면에는 웨이퍼(W)의 출입을 위한 기판출입구(12)가 형성된다.
냉각부재(20)는 웨이퍼(W)를 기설정된 공정온도로 냉각하고, 가열부재(30)는 웨이퍼(W)를 기설정된 공정온도로 가열한다. 냉각부재(20) 및 가열부재(30) 각각은 웨이퍼(W)를 냉각 및 가열하는 플레이트(plate)를 가진다. 예컨대, 냉각부재(20)는 냉각플레이트(cooling plate)(22)를 가지고, 가열부재(30)는 가열플레이트(heating plate)(32)를 가진다. 가열플레이트(22)와 냉각플레이트(32)는 하우징(10) 내부에서 나란히 배치된다. 냉각부재(20) 및 가열부재(30) 각각에는 리프트 핀(22a, 32a)이 구비된다. 리프트 핀(22a, 32a)은 각각은 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)로의 웨이퍼(W) 안착 및 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)로부터의 웨이퍼(W) 이격을 수행한다.
이송유닛(40)은 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 이송유닛(40)은 가이드레일(guide rail)(41), 제1 이송암(first transfer arm)(42), 제2 이송암(second transfer arm)(44), 승강기(lifting part)(45), 구동모터(driving motor)(46), 그리고 타이밍 벨트(timing belt)(48)를 가진다.
제1 이송암(42) 및 제2 이송암(44)은 각각 제1 아암(42a) 및 제2 아암(44a)을 가진다. 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)의 상부에서 대체로 수평으로 배치되는 긴 바(bar) 형상을 가진다. 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 웨이퍼(W)가 놓여지는 상부면을 가진다. 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 타이밍 벨트(48)에 의해 제1 및 제2 방향(X1, X2)을 따라 직선 왕복 이동된다. 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 가이드레일(41)을 따라 제1 및 제2 방향(X1, X2)으로 직선 왕복 이동된다. 따라서, 제1 및 제2 아암(42a, 44a)이 제1 및 제2 방향(X1, X2)을 따라 직선 왕복 이동되어, 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)에 교대로 웨이퍼(W)를 로드/언로드(load/unload)한다.
구동모터(46)는 타이밍 벨트(48)를 구동시켜, 제1 이송암(42) 및 제2 이송암(44)이 웨이퍼(W)를 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)에 로드/언로드하도록 한다. 즉, 공정시 구동모터(46)가 회전되면, 타이밍 벨트(48)에 의해 감겨지는 풀리(pulley)(47)가 회전되고, 타이밍 벨트(48)에 결합되는 제1 및 제2 이송암(42, 44)이 가이드레일(41)을 따라 이동되어, 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 제1 방향(X1) 또는 제2 방향(X2)으로 이동된다. 이때, 제1 아암(42a)과 제2 아암(44a)은 서로 반대방향으로 이동된다. 즉, 제1 아암(42a)이 제1 방향(X1)으로 이동되면, 제2 아암(42a)은 제2 방향(X2)으로 이동되고, 제1 아암(42a)이 제2 방향(X2)으로 이동되면, 제2 아암(44a)은 제1 방향(X1)으로 이동된다.
계속해서 본 발명에 따른 열처리부재(100)를 상세히 설명한다. 열처리부재(100)는 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)로부터 발생되는 열을 처리한다. 열처리부재(100)는 지지블럭(support block)(110), 열차단판(heat intercept plate)(120), 그리고 열배기부재(heat exhaust member)(130)를 포함한다.
지지블럭(110)은 냉각부재(20) 및 가열부재(30)가 삽입되어 설치되는 블럭이다. 지지블럭(110)은 냉각부재(20) 및 가열부재(30)의 측면을 감싸도록 제공된다. 지지블럭(110)은 냉각부재(20) 및 가열부재(30)로부터 발생되는 열을 효과적으로 단열시킬 수 있는 재질로 제공되는 것이 바람직하다.
열차단판(120)은 냉각부재(20)로부터 발생되는 열이 가열부재(30)로 이동되거나, 가열부재(30)로부터 발생되는 열이 냉각부재(20)로 이동되는 것을 차단한다. 열차단판(120)는 냉각부재(20) 및 가열부재(30) 사이에 구비된다. 열차단판(120)은 제1 및 제2 방향(X1, X2)과 수직하는 방향으로 설치된다. 열차단판(120)은 단열효율이 뛰어난 재질을 가지는 것이 바람직하다.
열배기부재(130)는 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)로부터 발생되는 열을 하우징(10) 외부로 배기시킨다. 열배기부재(130)는 배기덕트(132) 및 배출라인(134)을 가진다. 배기덕트(132)는 이송유닛(40)과 대향되는 지지블럭(110)의 일 측면(112)을 따라 설치된다. 배기덕트(132)는 내부에 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)로부터 발생되는 열기류(H)를 수용하여 배출라인(134)으로 유도하는 공간을 가진다. 지지블럭(110)의 일측면(112)과 인접하는 배기덕트(132)의 측면(132a) 및 배기덕트(132)의 상부면(132b)에는 다수의 홀(136)들이 형성된다. 각각의 홀(136)은 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)로부터 발생되는 열기류(H)가 효과적으로 배기덕트(132)로 이동되도록 한다.
배출라인(134)은 배기덕트(132)에 연결되어, 배기덕트(132) 내 열기류(H)를 베이크 장치(1) 외부로 배출시킨다. 배기덕트(132) 내 열기류(H)의 효과적인 배기를 위해 배출라인(134) 상에는 흡입압력을 제공하는 기구(예컨대, 진공펌프)가 구비될 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에서는 하나의 열배기부재(130)를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 열처리부재(100)가 구비하는 열배기부재(130)의 개수 및 구조 등은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 예컨대, 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 열처리부재(100a)는 두 개의 열배기부재(130a, 130b)를 구비한다. 제1 및 제2 열배기부재(130a, 130b)는 각각 지지블럭(100)의 일측면(112) 및 타측면(114)에 배치되어, 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)로부터 발생되는 열기류(H)을 하우징(10) 외부로 배기시킨다. 이때, 지지블럭(100)과 인접하는 제1 및 제2 열배기부재(130a, 130b)의 측면에는 다수의 홀(136a, 136b)들이 형성되어, 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)로부터 발생되는 열기류(H)가 효과적으로 제1 및 제2 열배기부재(130a, 130b)로 이동되도록 한다.
또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에서는 하나의 열차단부재(120)가 냉각플레이트(22)와 가열플레이트(24) 사이에 구비되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 열차단부재(120)의 개수 및 구조 등은 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 예컨대, 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열처리부재(100b)는 일 실시예에서와 같은 열차단부재(120)와 함께 지지블럭(100)의 측면을 감싸도록 제공되는 열차단부재(122)를 더 구비할 수 있다. 이러한 구조의 열처리부재(100b)는 냉각플레이트(22)와 가열플레이트(24) 상호간의 열교환을 방지하고, 또한 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(24)로부터 발생되는 열기류(H)가 하우징(10) 내 공간으로 이동되는 것을 감소한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 냉각부재, 가열부재, 그리고 열처리부재의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 모습을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 베이크 장치를 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 장치
10 : 하우징
20 : 냉각부재
30 : 가열부재
40 : 구동유닛
100 : 열처리부재
110 : 지지블럭
120 : 열차단판
130 : 열배기부재

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    상기 하우징 내부에 나란하게 설치되는 냉각플레이트 및 가열플레이트와,
    상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트의 측면을 감싸도록 설치되는 지지블럭과,
    상기 지지블럭의 일측 외부에 설치되어 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트 상호간에 기판을 이송하는 이송유닛 및,
    상기 이송유닛과 상기 지지블럭 사이에 배치되고, 상기 지지블럭의 일측면 전체에 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트의 길이 방향으로 설치되어, 상기 하우징 내 열기류를 상기 가열플레이트로부터 상기 냉각플레이트 방향으로 흐르도록 하여 상기 하우징 외부로 배기시키는 열배기부재를 포함하되;
    상기 열배기부재는 상기 지지블럭과 마주보는 측면 또는 상부면에 복수 개의 홀들이 형성되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  3. 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    상기 하우징 내부에 나란하게 설치되는 냉각플레이트 및 가열플레이트와,
    상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트를 감싸도록 설치되는 지지블럭과,
    상기 지지블럭의 일측 외부에 설치되어 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트 상호간에 기판을 이송하는 이송유닛과,
    상기 이송유닛과 대향되는 상기 지지블럭의 일측면 전체에 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트의 길이 방향으로 설치되는 제 1 열배기부재 및,
    상기 제 1 열배기부재에 대향하여 배치되고, 상기 지지블럭의 타측면 전체에 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트의 길이 방향으로 설치되는 제 2 열배기부재를 포함하되;
    상기 제 1 및 상기 제 2 열배기부재 각각은 상기 지지블럭과 마주보는 측면 또는 상부면에 복수 개의 홀들이 형성되고, 상기 홀들을 통해 상기 하우징 내 열기류를 수용해서 상기 가열플레이트로부터 상기 냉각플레이트 방향으로 흐르도록 하여 상기 하우징 외부로 배기시키는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 열배기부재는,
    내부에 상기 하우징 내 열기류를 수용받는 배기덕트와,
    상기 배기덕트로 유입된 열기류를 상기 베이크 장치 외부로 배출시키는 배출라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 홀들은;
    상기 배기덕트의 상부면 및 상기 지지블럭과 마주보는 상기 배기덕트의 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 베이크 장치는,
    상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트 사이에 구비되어 상기 냉각플레이트로와 상기 가열플레이트 상호간에 이동되는 열을 차단하는 제 1의 열차단판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 베이크 장치는,
    상기 지지블럭의 측면들 중 상기 열배기부재가 설치되지 않은 상기 지지블럭의 나머지 측면을 감싸도록 제공되는 제 2의 열차단판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  8. 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    상기 하우징 내부에 수평으로 나란하게 설치되는 냉각플레이트 및 가열플레이트, 그리고
    상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트의 측면에 길이 방향으로 설치되어, 상기 하우징 내 열기류를 상기 가열플레이트로부터 상기 냉각플레이트 방향으로 흐르도록 하여 상기 하우징 외부로 배기시키는 열배기부재를 포함하되;
    상기 열배기부재는,
    상기 길이 방향을 따라 배치되고, 측면 또는 상부면에 상기 하우징 내 열기류가 유입되는 복수 개의 홀들을 제공하고, 상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트와 마주보도록 배치되는 배기덕트를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  9. 삭제
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 배기덕트는,
    상기 냉각플레이트 및 상기 가열플레이트의 측면에 일정간격 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000059485A (ko) * 1999-03-04 2000-10-05 윤종용 감광액 도포 및 현상시스템과 베이크 유니트
KR20060070951A (ko) * 2004-12-21 2006-06-26 삼성전자주식회사 웨이퍼를 고르게 가열할 수 있는 포토 설비의 베이크 장치
KR100637717B1 (ko) * 2005-09-28 2006-10-25 세메스 주식회사 베이크 유닛, 상기 베이크 유닛에 사용되는 가열플레이트를 냉각하는 방법, 그리고 상기 베이크 유닛을포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR20070034856A (ko) * 2005-09-26 2007-03-29 삼성전자주식회사 열차단 셔터를 구비한 반도체소자 제조용 베이크 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000059485A (ko) * 1999-03-04 2000-10-05 윤종용 감광액 도포 및 현상시스템과 베이크 유니트
KR20060070951A (ko) * 2004-12-21 2006-06-26 삼성전자주식회사 웨이퍼를 고르게 가열할 수 있는 포토 설비의 베이크 장치
KR20070034856A (ko) * 2005-09-26 2007-03-29 삼성전자주식회사 열차단 셔터를 구비한 반도체소자 제조용 베이크 장치
KR100637717B1 (ko) * 2005-09-28 2006-10-25 세메스 주식회사 베이크 유닛, 상기 베이크 유닛에 사용되는 가열플레이트를 냉각하는 방법, 그리고 상기 베이크 유닛을포함하는 기판 처리 장치 및 방법

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