KR20000059485A - 감광액 도포 및 현상시스템과 베이크 유니트 - Google Patents

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Abstract

감광액 도포 및 현상 시스템과 베이크 유니트에 관하여 개시된다. 개시된 감광액 도포 및 현상 시스템은, 도포기와 현상기와 베이크 유니트와 웨이퍼 이송용 로보트가 그 내부에 설치된 하우징을 구비하며, 하우징의 상부에는 공조장치에 의해 하우징 내부로 하향 공급되는 청정공기를 필터링하기 위한 에어필터가 설치된 것으로, 에어필터를 거쳐 공급되는 청정공기가 베이크 유니트의 상부에서 난기류를 형성하며 베이크 유니트의 전면부로 유입되는 것을 방지함으로써, 베이크 유니트의 전면부에서 청정공기가 안정된 하향기류를 형성하며 라미나 에어플로우되도록 하여 청정공기가 베이크 유니트 내부로 유입되는 것을 억제하도록 된 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 하우징의 바닥에는 청정공기가 배출될 수 있도록 그레이팅이 설치되어 청정공기의 라미나 에어플로우가 하우징의 바닥면까지 유지될 수 있도록 되어 있다. 개시된 베이크 유니트는, 케이스의 내부에 설치되어 웨이퍼를 가열하기 위한 베이크 챔버를 그 외부의 열적 영향으로부터 차단시키기 위한 차단수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 차단수단으로는 베이크 챔버를 감싸도록 설치되는 차단카바와, 냉각수 라인의 영향을 차단하기 위한 차단판이 사용된다.

Description

감광액 도포 및 현상 시스템과 베이크 유니트{System for coating and developing photoresist and bake unit}
본 발명은 반도체 소자의 제조에 사용되는 감광액 도포 및 현상 시스템과 여기에 설치되는 베이크 유니트에 관한 것으로, 상세하게는 선폭의 균일화를 위해 그 내부의 공기 흐름이 개선된 감광액 도포 및 현상 시스템과 주위 환경의 영향이 차단된 베이크 유니트에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 공정을 거치게 되며, 그 중에서 반도체 웨이퍼 상에 설계된 회로 패턴을 형성시키는 사진공정은 필수적이라 할 수 있다. 이러한 사진 공정은 웨이퍼 상에 감광액(PR; Photoresist)을 도포하여 얇은 감광액 막을 형성시키는 감광액 도포단계와, 도포된 감광액 막을 광원에 노출시켜 마스크나 레티클의 패턴을 형성하는 노광단계와, 상기 패턴을 현상하는 현상단계를 포함한다. 그리고, 상기 각 단계 사이에서는 웨이퍼를 소정 온도로 가열하는 단계를 거치게 된다.
이와 같은 사진공정을 수행하기 위해 각 단계별로 필요한 장치들, 예컨데 도포기, 노광장치, 현상기 및 베이크 유니트 등이 사용된다. 그런데 최근에는 상기 도포기, 현상기 및 베이크 유니트를 한 장소에 밀집시켜 장치간 이동거리와 시간을 줄임으로써 공정의 효율화를 도모한 밀집 시스템(Clustered System)의 사용이 점차 증가하고 있는 추세이다.
도 1에는 종래의 감광액 도포 및 현상 시스템의 개략적 구성을 나타낸 평면도가 도시되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 감광액 도포 및 현상 시스템의 하우징(100) 내부 일측에는 도포기(120)와 현상기(130)가 배치되어 있고, 타측에는 베이크 유니트(140)가 배치되어 있으며, 그 사이에는 각 장치간 웨이퍼의 이동을 위한 로보트(110)가 설치되어 있다. 그리고, 상기 하우징(100)의 전면에는 웨이퍼를 시스템 내부에 로딩/언로딩하기 위한 로딩/언로딩부(150)와 시스템을 조작하고 제어하기 위한 제어부(160)가 마련되어 있다.
상기 도포기(120)는 감광액을 얇은 막의 형태로 웨이퍼의 표면에 도포하는 장치로서, 일반적으로 웨이퍼를 소정 속도로 회전시켜 원심력에 의해 감광액이 웨이퍼 상에 균일하게 도포되도록 하는 스핀 코팅 방식을 채용하고 있다. 상기 현상기(130)는 노광단계에서 형성된 패턴을 현상하는 장치이며, 상기 베이크 유니트(140)는 상기 각 단계사이에서 웨이퍼를 소정 온도로 가열하는 장치이다.
상기 로딩/언로딩부(150)는 외부로부터 시스템 내부로 웨이퍼를 투입하거나 공정이 완료된 웨이퍼를 배출하기 위한 장소로서 다수의 웨이퍼가 적재된 웨이퍼 캐리어가 여러개 놓일 수 있도록 되어 있으며, 상기 제어부(160)에는 시스템의 각 장치들을 조작하고 제어하기 위한 컴퓨터가 설치된다. 그리고, 상기 로보트(110)는 하우징(100)의 바닥면에 고정설치되는 지지부(111)와 상기 지지부(111) 상에 결합되어 자유롭게 움직일 수 있는 아암부(112)로 구성되며, 상기 아암부(112)는 하우징(100) 내의 각 장치들 간에 웨이퍼를 이동시키는 역할을 하게 된다.
상술한 바와 같이 구성되는 종래의 감광액 도포 및 현상 시스템에서의 공정 진행 순서를 살펴보면, 우선 로딩/언로딩부(150)에 투입된 웨이퍼는 로보트(110)에 의해 베이크 유니트(140)로 이동되어 프리-베이크(Pre-bake) 단계를 거치게 된다. 프리-베이크(Pre-bake) 단계에서는 웨이퍼를 소정 온도로 가열하여 웨이퍼 표면의 유기물이나 이물질을 증발시키게 된다. 그 다음으로 웨이퍼는 도포기(120)로 이동되어 그 표면에 감광액이 도포된다. 그리고 웨이퍼는 다시 베이크 유니트(140)로 이동되어 소프트-베이크(Soft-bake) 단계를 거치게 된다. 소프트-베이크(Soft-bake) 단계에서는 웨이퍼를 소정 온도로 가열하여 감광액을 건조시키고 웨이퍼 표면에 감광액이 강하게 접착되도록 한다. 그 후에 웨이퍼는 시스템 외부에 마련된 스테퍼(Stepper) 등의 노광장치로 이송된다.
노광단계를 거친 웨이퍼는 다시 베이크 유니트(140)로 이동되어 노광후 베이크(PEB; Post-Exposure-Bake) 단계를 거친 후, 현상기(130)에서 패턴을 현상하게 된다. 현상후, 웨이퍼는 다시 베이크 유니트(140)로 이동되어 웨이퍼를 건조시키고 감광액의 접착력을 강화시키기 위한 하드-베이크(Hard-bake) 단계를 거치게 된다. 상술한 베이크 단계들 각각을 거친 후에는 균일한 공정조건을 유지하기 위해 웨이퍼는 적정 온도로 냉각된다.
이러한 모든 단계들은 온도와 습도가 제어되고 먼지나 기타 이물질들이 제거된 환경에서 진행되어야 하며, 이를 위해 상기 시스템은 청정실(Clean room)내에 설치되며 또한 자체 공조장치를 구비하는 것이 일반적이다.
한편, UV(Ultra Violet) 및 DUV(Deep Ultra Violet) 광원을 사용하는 사진 공정에서는, 웨이퍼 표면의 각종 막질에 감광액을 도포한 뒤, 이를 노광하는 단계에서 광원의 파장, 웨이퍼 등 기판의 반사율 및 굴절율, 감광액의 광흡수도에 따른 빛의 회절과 간섭의 영향으로 현상 후 패턴의 프로파일 이상 및 선폭(Critical Dimension)의 불균일 등의 문제점이 발생된다.
이와 같은 문제점을 감소시키는 방법으로 반사방지막을 도포하는 등의 방법이 있으나, 노광 후 소정 온도로 가열함으로써 광분해되었던 레진들이 열확산에 의한 재배열로 프로파일 단면을 깨끗하게 해주는 노광후 베이크(PEB; Post-Exposure-Bake) 단계를 거치는 것이 보편화 되어 있다. 특히, DUV 광원을 사용하는 경우에 있어서는, 열처리를 통해 현상액에 녹기 쉬운 산(Acid) 상태로 변하며 그 반응기구가 산 연쇄반응으로 인한 증폭형인 CAR(Chemically Amplified Resist) 타입의 감광액을 사용하므로, PEB 단계에서의 웨이퍼의 열적 균형은 선폭 균일성에 가장 민감한 영향을 주는 요인이 된다.
도 2는 종래의 감광액 도포 및 현상 시스템의 배치와 자체 공조장치를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 감광액 도포 및 현상 시스템은 청정실 내의 통로(10) 양측에 위치하는 장비설치구역(20)에 위치한다. 청정실의 상부에는 청정공기가 유입되는 상부 플리넘(Upper Plenum, 30)이 마련되고, 청정실의 하부에는 청정공기가 배출되는 하부 플리넘(Lower Plenum, 40)이 마련된다. 그리고, 상부 플리넘(30)과 청정실 사이에는 필터(31)가 설치된다. 시스템의 하우징(100) 내부 일측에는 도포기(120) 등이 설치되고, 타측에는 다수의 베이크 유니트(140)가 적층되도록 설치되며, 하우징(100)의 중간 부위에는 로보트(110)가 설치된다.
그리고, 자체 공조장치로서 송풍기(171)와 송풍관(172)과 에어필터(173)가 마련된다. 상기 송풍기(171)는 하부 플리넘(40) 내부에 설치되어 있으며, 상기 에어필터(173)는 하우징(100)의 상부에 설치되고, 상기 송풍관(172)은 송풍기(171)와 에어필터(173)를 연결하도록 설치된다. 상기 송풍기(171)에는 청정공기 중의 NH3를 제거할 수 있는 케미칼 필터가 일반적으로 구비되어 있다.
한편, 일반적으로 청정실 내에서는 장비설치구역(20)으로부터 하우징(100) 내부로 먼지 등이 유입되는 것을 방지하고 퓸(Fume) 등의 확산 방지를 위해 구역별로 압력 차이를 두고 있다. 예컨데, 각 구역별 압력 차이는 아래와 같이 형성된다. 통로(10)와 하우징(100)의 상부공간의 압력 차이는 대략 0.17 ~ 0.18mmH2O 정도로 통로(10)측의 압력이 높고, 통로(10)와 하우징(100)의 내부의 압력 차이는 대략 0.07 ~ 0.08mmH2O 정도로 통로(10)측의 압력이 높으며, 하우징(100) 내부와 장비설치구역(20)의 압력 차이는 대략 0.09 ~ 0.12mmH2O 정도로 하우징(100) 내부의 압력이 높도록 형성된다. 그리고, 장비설치구역(20)과 하부 플리넘(40) 내부의 압력 차이는 대략 0.60 ~ 0.70mmH2O 정도로 장비설치구역(20)의 압력이 높고, 통로(10)와 하부 플리넘(40) 내부의 압력 차이는 대략 0.71 ~ 0.82mmH2O 정도로 통로(10)측의 압력이 높게 되어 있다. 또한, 하우징(100) 내부와 베이크 유니트(140) 내부의 압력 차이는 하우징(100) 내부의 압력이 대략 0.02 ~ 0.082mmH2O 정도 높게 형성되며, 베이크 유니트(140) 내부와 그 후면 외부 사이의 압력 차이는 대략 0.06 ~ 0.08mmH2O 정도 베이크 유니트(140) 내부의 압력이 높게 형성된다.
이와 같이 각 구역별로 압력 차이가 있음으로 인해, 청정공기는 상부 플리넘(30)으로부터 통로(10)와 하우징(100) 내부 및 장비설치구역(20)을 거쳐 하부 플리넘(40)으로 흐르게 된다. 여기에서, 통로(10)와 장비설치구역(20)의 바닥면은 일반적으로 그레이팅(Grating)으로 되어 있으므로, 청정공기가 이를 통과하여 하부 플리넘(40)으로 흐를 수 있게 된다. 그리고, 통로(10)로부터 하우징(100) 내부로 유입된 청정공기는 도포기(120)와 베이크 유니트(140)의 전면, 내부 및 후면을 차례로 거쳐 하우징(100)의 후면을 통해 하부 플리넘(40)으로 흘러가게 된다.
도 3은 종래의 감광액 도포 및 현상 시스템 내부에서의 자체 공조장치에 의한 청정공기의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 하우징(100)의 상부에 연결된 송풍관(172)을 통해 공급되는 청정공기는 에어필터(173)를 거쳐 하우징(100)의 내부로 유입된다. 이때, 하우징(100) 내부로 유입되는 청정공기의 양은 송풍관(172)에 설치된 댐퍼(174)에 의해 조절된다. 하우징(100) 내부로 유입된 청정공기는 하향기류를 형성하며 하우징(100)내의 하부로 흐르게 된다. 그런데, 하우징(100)내의 하부에는 청정공기가 통과할 수 있도록 그레이팅(101)이 설치되어 있으나, 하우징(100)의 바닥판(102)은 완전히 밀폐되어 있으므로, 청정공기는 하우징(100)의 바닥판(102)을 통해 하부 플리넘(40)으로 배출되지 못하고 하우징(100)의 후면 하부에 마련된 배기구(103)를 통해 하우징(100) 외부로 배출된다. 이에 따라 베이크 유니트(140)의 내부에는 그 전면부로부터 후면부로 청정공기의 배기 흐름이 형성된다.
한편, 종래에는 베이크 유니트(140)의 최상부와 에어필터(173) 사이에 약간의 공간이 형성되어 있으므로, 에어필터(173)를 통과한 청정공기는 베이크 유니트(140)의 상면과 부딪혀 난기류를 형성하며 이 공간을 빠져나가 하향기류와 합쳐지게 된다. 이에 따라 베이크 유니트(140)의 전면부에는 보다 많은 양의 청정공기의 흐름이 있게 되고, 또한 난기류가 하향기류의 라미나 에어플로우(Laminar air flow, 층류)를 방해하게 되므로, 청정공기는 보다 압력이 낮은 베이크 유니트(140) 내부로 흘러들어가게 된다.
상술한 바와 같이 종래의 감광액 도포 및 현상시스템에 있어서는, 여러가지 구조상 문제점으로 인해 그 하우징(100)의 내부에 청정공기의 라미나 에어플로우가 완전하게 형성되지 못하며, 또한 베이크 유니트(140)의 내부에도 청정공기의 흐름이 형성되는 단점이 있다. 베이크 유니트(140) 내부에서의 청정공기의 흐름은 베이크 유니트(140) 내의 부위별 온도차를 발생시키게 되며, 이에 따라 베이크 유니트(140) 내부에 로딩되는 웨이퍼의 부위별 온도 균일화를 이룰 수 없게 된다. 즉, 베이크 유니트(140)의 전면부에 가까운 웨이퍼의 부위가 보다 낮은 온도의 청정공기와 접촉하게 되므로 다른 부위보다 온도가 낮게 된다.
또한, 베이크 유니트(140)의 내부에는 냉각수 라인과 각종 유틸리티 배관 및 보드(Board) 등이 밀집되어 있으며, 이들은 베이크 유니트(140) 내부의 부위별 온도 편차를 가중시키게 된다. 특히, 베이크 유니트(140)의 내부 일측에 설치되는 냉각수 라인은 베이크 유니트(140)의 내부 일측과 반대측과의 온도 차이를 1℃가량 발생시키게 된다.
이와 같이 베이크 유니트(140) 내에서의 청정공기의 흐름과 냉각수 라인 등은 웨이퍼의 부위별 온도 불균일을 초래하게 된다. 이는 전술한 바와 같이 웨이퍼 상에 도포되는 감광액 막의 두께 편차와 선폭의 불균일을 발생키게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 특히 하우징 상부의 에어필터 부위와 하우징 바닥판을 개조하여 하우징 내부에 보다 완전한 라미나 에어플로우를 형성시켜 베이크 유니트 내부로 유입되는 공기의 흐름을 방지하고, 베이크 유니트 내부의 베이크 챔버에 미치는 열적 영향을 차단함으로써 선폭의 균일화를 도모한 감광액 도포 및 현상 시스템과 베이크 유니트를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 감광액 도포 및 현상 시스템의 개략적 구성을 나타낸 평면도,
도 2는 종래의 감광액 도포 및 현상 시스템의 배치와 자체 공조장치를 도시한 도면,
도 3은 종래의 감광액 도포 및 현상 시스템 내부에서의 자체 공조장치에 의한 청정공기의 흐름을 나타낸 도면,
도 4는 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템의 개략적 구성을 나타낸 평면도,
도 5는 도 4에 도시된 감광액 도포 및 현상 시스템의 바람직한 실시예에 따른 청정공기의 흐름을 나타낸 도면,
도 6과 도 7은 도 5에 도시된 그레이팅을 도시한 분리 사시도와 결합상태의 단면도,
도 8은 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템 내에서의 청정공기의 위치별 유속을 종래의 경우와 비교하여 나타낸 그래프,
도 9는 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템의 다른 실시예를 도시한 도면,
도 10은 도 9에 도시된 차단벽을 도시한 사시도,
도 11은 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템의 또 다른 실시예를 도시한 도면,
도 12는 본 발명에 따른 베이크 유니트를 도시한 분리 사시도,
도 13은 도 12에 도시된 베이크 챔버와 차단카바의 종단면도,
도 14는 도 12에 도시된 차단판을 분리하여 도시한 사시도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
200,300,400...하우징 210...로보트
220...도포기 230...현상기
240,340,440...베이크 유니트 250...로딩/언로딩부
260...제어부 271...송풍기
272,372,472...송풍관 273,373,473...에어필터
280...그레이팅 281...고정 플레이트
282...이동 플레이트 283...통기공
284...슬릿 391...차단벽
510...케이스 512...케이스 바닥판
520...베이크 챔버 521...하부 플레이트
522...상부 플레이트 523...히터
530...보드 설치부 540...냉각수 라인
550...차단카바 560...차단판
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템은: 반도체 웨이퍼 상에 감광액을 도포하기 위한 도포기와 상기 웨이퍼 상에 도포된 감광액을 현상하기 위한 현상기와 상기 웨이퍼를 소정 온도로 가열하기 위한 베이크 유니트와 상기 웨이퍼를 이송하기 위한 로보트가 그 내부에 설치된 하우징을 구비하며, 송풍기와 송풍관을 구비하는 공조장치에 의해 상기 하우징의 상부로부터 상기 하우징 내부로 하향 공급되는 청정공기를 필터링하기 위한 에어필터가 상기 하우징의 상부에 설치된 감광액 도포 및 현상 시스템에 있어서, 상기 에어필터를 거쳐 공급되는 청정공기가 상기 베이크 유니트의 상부에서 난기류를 형성하며 상기 베이크 유니트의 전면부로 유입되는 것을 방지함으로써, 상기 베이크 유니트의 전면부에서 청정공기가 안정된 하향기류를 형성하며 라미나 에어플로우되도록 하여 청정공기가 상기 베이크 유니트 내부로 유입되는 것을 억제하도록 된 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 하우징의 바닥에는 청정공기가 배출될 수 있도록 다수의 통기공이 형성된 그레이팅이 설치되어, 상기 하우징의 상부로부터 하향 공급되는 청정공기의 라미나 에어플로우가 상기 하우징의 바닥면까지 유지될 수 있도록 된 것이 바람직하다.
바람직한 실시예로서, 상기 에어필터는 상기 도포기가 위치한 부위의 상부에 설치되는 제1 에어필터와, 상기 로보트가 위치한 부위의 상부에 설치되는 제2 에어필터로 구성되어, 상기 베이크 유니트의 상부에는 청정공기가 공급되지 않도록 된 것이 바람직하다.
다른 실시예로서, 상기 베이크 유니트의 최상면과 상기 에어필터의 저면 사이에 형성되는 공간을 밀폐하는 차단벽을 설치함으로써, 상기 베이크 유니트의 상부로 유입되는 청정공기가 상기 베이트 유니트의 전면부로 유입되지 못하도록 된 것도 바람직하다.
또 다른 실시예로서, 상기 베이크 유니트의 최상면은 상기 에어필터의 저면과 밀착되도록 설치되어, 상기 베이크 유니트의 상부와 상기 에어필터의 저면 사이에는 청정공기가 흐를 수 없도록 된 것도 바람직하다.
한편, 본 발명에 따른 베이크 유니트는: 감광액 도포 및 현상 시스템의 하우징 내부에 설치되어 그 내부에 로딩된 웨이퍼를 소정 온도로 가열하기 위한 베이크 유니트에 있어서, 전면에는 웨이퍼 출입구가 마련되고, 후면은 개구부로 된 케이스; 상기 케이스의 내부에 설치되며, 그 상면에 안착되는 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터가 내장된 하부 플레이트와, 상기 하부 플레이트의 상부에 승강 가능하도록 설치되어 상기 웨이퍼를 덮어주는 상부 플레이트를 구비하는 베이크 챔버; 및 상기 베이크 챔버를 그 외부의 열적 영향으로부터 차단시키기 위한 차단수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 차단수단으로서, 상기 베이크 챔버를 감싸도록 설치되며 그 전면부에 상기 웨이퍼가 출입할 수 있도록 개구부가 마련된 차단카바와, 상기 케이스 내부의 일측에 설치된 냉각수 라인의 영향을 차단하기 위해 상기 냉각수 라인을 감싸도록 설치되는 차단판을 구비하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 차단카바의 후면 좌측과 우측에는 상기 차단카바의 내부를 흐르는 공기의 양을 조절할 수 있도록 가변 배기구가 형성되고, 상기 가변 배기구에는 상기 가변 배기구의 개폐 정도를 조정할 수 있는 노브가 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 차단카바와 차단판은 스테인레스 재질로 된 외측판과 양호한 내열성 및 단열성을 갖는 합성수지재로 된 내측판의 2중판 구조체로 된 것이 바람직하다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 하우징 내부에 청정공기의 보다 완전한 라미나 에어플로우가 형성되어 베이크 유니트 내부로 청정공기의 흐름이 감소 내지 방지되며, 또한 베이크 챔버에 미치는 외부의 열적 영향이 차단되므로, 웨이퍼 상의 부위별 온도 분포가 균일하게 되어 선폭의 편차가 감소하게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템의 개략적 구성을 나타낸 평면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 감광액 도포 및 현상 시스템의 바람직한 실시예에 따른 청정공기의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 4와 도 5를 함께 참조하면, 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템은 스핀 코팅 방식으로 반도체 웨이퍼 상에 감광액을 도포하는 도포기(220)와, 웨이퍼 상에 도포된 감광액을 현상하는 현상기(230)와, 웨이퍼를 소정 온도로 가열하는 베이크 유니트(240)를 구비한다. 상기 도포기(220), 현상기(230) 및 베이크 유니트(240)는 하우징(200) 내부에 설치되며, 그 가운데에는 각 장치간 웨이퍼 이송을 위한 로보트(210)가 설치된다. 상기 로보트(210)는 하우징(200)의 바닥에 고정설치되는 지지부(211)와 상기 지지부(211) 상에 결합되어 자유롭게 움직이며 웨이퍼를 이송하는 아암부(212)로 구성된다. 상기 하우징(200)의 전면에는 웨이퍼를 시스템 내부에 로딩/언로딩하기 위한 로딩/언로딩부(250)와 시스템을 조작하고 제어하기 위한 제어부(260)가 마련된다.
그리고, 상기 하우징(200) 내부에 청정공기(Clean air)를 공급하기 위한 공조장치가 구비된다. 상기 공조장치는 하부 플리넘(40)에 설치되는 송풍기(271)와, 상기 송풍기(271)와 하우징(200) 상부를 연결하는 송풍관(272)과, 하우징(200) 상부에 설치되어 상기 송풍관(272)을 통해 공급되는 청정공기를 필터링하기 위한 에어필터(273a, 273b)를 포함하여 구성된다.
여기에서, 본 발명의 특징으로서 상기 에어필터(273a, 273b)는 상기 도포기(220)가 위치한 부위의 상부에 설치되는 제1 에어필터(273a)와, 상기 로보트(210)가 위치한 부위의 상부에 설치되는 제2 에어필터(273b)로 구성되어, 상기 베이크 유니트(240)의 상부에는 청정공기가 공급되지 않도록 되어 있다.
따라서, 상기 제1 에어필터(273a)와 제2 에어필터(273b)를 거쳐 공급되는 청정공기가 상기 베이크 유니트(240)의 상부에서 난기류를 형성하지 않게 되므로, 상기 베이크 유니트(240)의 전면부에서 청정공기가 안정된 하향기류를 형성하며 라미나 에어플로우 될 수 있다. 이에 따라 베이크 유니트(240) 내부로 유입되는 청정공기의 양이 최소화 된다.
그리고, 본 발명의 다른 특징으로서 상기 하우징(200)의 바닥에는 청정공기가 자연스럽게 배출될 수 있도록 다수의 통기공이 형성된 그레이팅(280)이 설치된다. 이는 상기 하우징(200) 상부로부터 하향 공급되는 청정공기의 라미나 에어플로우가 상기 하우징(200)의 바닥면까지 유지될 수 있게 한다. 즉, 하우징(200)의 상부로부터 공급되는 청정공기는 라미나 에어플로우 상태로 하우징(200)의 바닥면까지 이동하여 그 대부분이 상기 그레이팅(280)을 통해 하부 플리넘(40)으로 배출된다.
이때, 하우징(200) 내부로 공급되는 청정공기의 양은 송풍관(272)에 설치된 댐퍼(274)에 의해 조절될 수 있으며, 상기 그레이팅(280)을 통해 배출되는 청정공기의 양은 그레이팅(280)에 형성된 통기공의 크기를 변경함으로써 조절될 수 있다. 따라서, 하우징(200) 내부로 공급되는 청정공기의 양과 그 외부로 배출되는 청정공기의 양을 설치장소의 조건에 따라서 적정하게 유지할 수 있게 되고, 하우징(200) 내에서는 청정공기의 하향기류만 형성될 수 있으며, 부위별 압력 차이가 최소화되어 보다 안정적인 라미나 에어플로우가 형성된다.
이와 같이 하우징 내부(200)에 형성되는 청정공기의 하향기류는 먼지 또는 퓸 등을 하우징(200) 바닥의 그레이팅(280)을 통해 원활하게 배출시키게 되므로, 먼지 등이 도포기(220)나 베이크 유니트(240) 쪽으로 확산되어 웨이퍼 표면에 결함을 발생시키는 문제점이 해소된다.
또한, 상기 제1 에어필터(273a)를 통해 공급되는 청정공기의 유속은 상기 제2 에어필터(273b)를 통해 공급되는 청정공기의 유속보다 빠르도록 설정된 것이 바람직하다. 예컨데, 제1 에어필터(273a)를 통해 공급되는 청정공기의 유속은 0.3m/sec로 설정되고, 제2 에어필터(273b)를 통해 공급되는 청정공기의 유속은 0.2m/sec로 설정된다.
이와 같이 제1 에어필터(273a)를 통해 공급되는 청정공기의 유속을 보다 빠르도록 설정한 것은 로보트(210)가 위치한 부위에서 발생되는 먼지 등이 도포기(220)와 현상기(230) 쪽으로 유입되지 않도록 하기 위함이다.
도 6과 도 7은 도 5에 도시된 그레이팅을 도시한 분리 사시도와 결합상태의 단면도이다.
도 6과 도 7을 함께 참조하면, 상기 그레이팅(280)은 개공율(Open ratio)을 조정할 수 있도록 된 것이 바람직하다. 이를 위해 상기 그레이팅(280)은 상기 하우징의 바닥에 고정 설치되는 고정 플레이트(281)와, 상기 고정 플레이트(281)의 하부에 왕복 이동 가능하도록 설치되는 이동 플레이트(282)의 2층 구조를 가진다. 상기 고정 플레이트(281)에는 다수의 통기공(283)이 일정한 간격으로 형성되어 있으며, 상기 이동 플레이트(282)에는 다수의 슬릿(284)이 일정한 간격으로 형성되어 있다.
따라서, 상기 이동 플레이트(282)를 소정의 이동 수단에 의해 왕복 이동시키게 되면, 통기공(283)과 슬릿(284)이 겹쳐지는 정도에 따라 통기공(283)의 개공율이 증감될 수 있게 된다.
이와 같이 상기 그레이팅(280)의 개공율을 조정할 수 있으므로, 하우징 내에서의 청정공기의 보다 안정한 라미나 에어플로우를 형성할 수 있게 되며, 또한 상기 베이크 유니트의 내부와 외부간의 압력 차이를 감소 내지 없앨 수 있게 된다. 상기 압력 차이의 감소 내지 해소는 베이크 유니트 내부로의 청정공기의 흐름을 억제하게 된다.
도 8은 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템 내에서의 청정공기의 위치별 유속을 종래의 경우와 비교하여 나타낸 그래프로서, 에어필터의 하부 15Cm 위치에서 측정한 유속을 나타낸 것이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 종래 시스템에서의 위치별 청정공기의 유속을 측정하여 나타낸 그래프(A)를 보면, 하우징의 중간 부위의 유속이 그 양측보다 훨씬 빠르게 나타남을 알 수 있다. 이와 같은 유속의 차이는 부위별 압력의 차이를 발생시키게 되고, 이에 따라 유속이 빠른 중간 부위에서 유속이 느린 양측으로 청정공기의 흐름이 일어나게 되므로, 베이크 유니트의 내부에 기류가 형성된다.
그런데 본 발명에 따르면, 전술한 바와 같이 그레이팅의 위치별 개공율을 조정함으로써 하우징 내에서의 위치별 청정공기의 유속을 균일하게 할 수 있다. 본 발명에 따른 시스템에서의 위치별 청정공기의 유속을 나타낸 그래프(B)를 보면, 하우징의 부위별 유속이 균일함을 알 수 있다. 이와 같은 균일한 유속은 하우징 내부의 부위별 압력의 차이를 감소 내지 해소하게 되어 베이크 유니트 내부로의 기류의 흐름이 억제된다.
아래 표 1은 베이크 유니트 내부와 외부간의 압력 차이와 이에 따른 선폭의 편차를 나타낸 것이다.
구분 베이크 유니트 내부와 하우징 내부간의 압력 차이 선폭(CD) 편차
(가) 0.02 ~ 0.08mmH2O 50nm 이상
(나) 0.00mmH2O 35nm 이하
상기 데이타는 120℃에서 감광액 플로우(PR Flow)공정을 시행한 후 웨이퍼의 부위별 선폭의 편차를 측정하여 얻어진 것으로, 표 1의 (가)는 종래 시스템의 경우를 나타낸 것이고, (나)는 본 발명에 따른 시스템의 경우를 나타낸 것이다.
표 1에서 알 수 있다시피 종래에는 베이크 유니트 내부와 하우징 내부(베이크 유니트 외부)간에 압력의 차이가 존재하였고, 이에 따라 감광액 플로우 공정 후의 웨이퍼 부위별 선폭의 편차가 50nm 이상 발생하였다. 그러나, 본 발명에 따르면 베이크 유니트 내부와 하우징 내부(베이크 유니트 외부)간의 압력 차이가 없어지게 되어 베이크 유니트 내부로 청정공기가 흐르지 않게 되므로, 베이크 유니트 내부의 온도가 균일화된다. 이에 따라 결과적으로 감광액 플로우(PR Flow)공정 후의 선폭(CD)의 편차가 35nm이하로 감소되는 효과를 얻을 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템의 다른 실시예를 도시한 도면이고, 도 10은 도 9에 도시된 차단벽을 도시한 사시도이다.
본 발명의 다른 실시예는, 도 9에 도시된 바와 같이 에어필터(373)가 베이크 유니트(340)의 상부에도 설치된 경우로서, 베이크 유니트(340)의 최상면과 에어필터(373)의 저면 사이에 형성되는 공간을 밀폐하는 차단벽(391)이 설치된다. 그리고, 상기 에어필터(373)의 상면에도 베이크 유니트(340)의 상부에 해당하는 부위에 차단판(394)이 설치될 수 있다. 상기 차단벽(391)의 양측 저면에는 도 10에 도시된 바와 같이 스크루 체결홀(392)이 마련되어 스크루(393)에 의해 상기 차단벽(391)을 베이크 유니트(340)의 상면에 고정 설치할 수 있게 되어 있다.
상기 차단판(394)은 송풍관(372)을 통해 하우징(300) 상부로 공급되는 청정공기가 베이크 유니트(340)의 상부의 에어필터(373)로 유입되는 것을 차단하게 되고, 상기 차단벽(391)은 베이크 유니트(340)의 상부에 유입된 청정공기가 베이트 유니트(340)의 전면부로 흘러나오는 것을 차단하게 된다.
따라서, 베이크 유니트(340)의 전면부에 형성되는 청정공기의 하향기류가 베이크 유니트(340)의 상부에 형성되는 청정공기의 난기류에 의해 방해받지 않고 안정되게 라미나 에어플로우 될 수 있으므로, 베이크 유니트(340) 내부로 유입되는 청정공기의 양이 최소화 될 수 있다. 이때, 두개의 에어필터(373)를 통해 하우징(300) 내부로 공급되는 청정공기의 양은 댐퍼(374)를 이용하여 부위별로 균일하도록 조절할 수 있다.
도 11은 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 도 11에 도시된 바와 같이 에어필터(473)가 베이크 유니트(440)의 상부에도 설치된 경우로서, 베이크 유니트(440)의 최상면이 에어필터(473)의 저면과 밀착되도록 설치된다. 그리고, 상기 에어필터(473)의 상면에도 베이크 유니트(440)의 상부에 해당하는 부위에 차단판(494)이 설치될 수 있다.
따라서, 송풍관(472)을 통해 하우징(400) 상부로 공급되는 청정공기가 상기 베이크 유니트(440)의 상부와 상기 에어필터(473)의 저면 사이에서는 흐를 수 없게 된다. 이에 따라, 베이크 유니트(440)의 전면부에 형성되는 청정공기의 하향기류가 안정되게 라미나 에어플로우되므로, 베이크 유니트(440) 내부로 유입되는 청정공기의 양이 최소화 될 수 있다. 이때, 두개의 에어필터(473)를 통해 하우징(400) 내부로 공급되는 청정공기의 양은 댐퍼(474)를 이용하여 부위별로 균일하도록 조절할 수 있다.
도 12는 본 발명에 따른 베이크 유니트를 도시한 분리 사시도이고, 도 13은 도 12에 도시된 베이크 챔버와 차단카바의 종단면도이며, 도 14는 도 12에 도시된 차단판을 분리하여 도시한 사시도이다.
도 12 내지 도 14를 함께 참조하면, 본 발명에 따른 베이크 유니트는 상술한 감광액 도포 및 현상 시스템의 하우징 내부에 설치되는 것으로, 그 내부에 로딩된 웨이퍼(10)를 소정 온도로 가열하기 위한 장치이다.
상기 베이크 유니트는, 전면에는 웨이퍼(10)가 그 내부에 로딩될 수 있도록 웨이퍼 출입구(511)가 마련되고 후면은 개구부로 된 케이스(510)를 구비한다. 상기 케이스(510)의 내부에는 웨이퍼(10)를 소정 온도로 가열하기 위한 베이크 챔버(520)가 마련된다. 상기 베이크 챔버(520)는 상기 케이스(510)의 바닥판(512)에 설치되며 웨이퍼(10)를 가열하기 위한 히터(523)가 내장된 하부 플레이트(521)와, 상기 하부 플레이트(521)의 상부에 설치되어 소정의 미도시된 승강수단에 의해 승강가능하도록 된 상부 플레이트(522)로 구성된다. 상기 하부 플레이트(521)의 상면에 웨이퍼(10)가 안착되면 상기 상부 플레이트(522)가 하강하여 웨이퍼(10)를 덮어주게 된다.
한편, 상기 베이크 챔버(520)의 주위에는 각종 유틸리티 배관 및 보드 등이 설치되는 보드 설치부(530)와 베이크 챔버(520)를 냉각시키기 위한 냉각수 라인(540)이 위치하고 있다. 이들은 베이크 챔버(520)의 온도를 부분적으로 불균일하게 하거나 하락시키는 등 베이크 챔버(520)에 열적 영향을 미치게 된다.
이에 따라, 본 발명에 따른 베이크 유니트는 상기 베이크 챔버(520)를 그 외부의 열적 영향으로부터 차단시키기 위한 차단수단을 구비한다. 상기 차단수단으로 상기 베이크 챔버(520)를 외부와 격리시키는 차단카바(550)가 구비될 수 있으며, 또한 상기 냉각수 라인(540)의 영향을 차단하는 차단판(560)이 구비될 수 있다.
상기 차단카바(550)는 상기 베이크 챔버(520)의 둘레를 감싸도록 설치되며, 그 저면은 케이스(510)의 바닥판(512)에 부착된다. 상기 차단카바(550)는 베이크 챔버(520)의 둘레에 설치된 상태에서 그 전면만 웨이퍼(10)가 출입할 수 있도록 개구부를 형성하고, 나머지 면은 밀폐되도록 되어 있다. 따라서, 외부의 열적 영향이 베이크 챔버(520)에 미치는 것이 차단되고, 또한 베이크 유니트 내부로 청정공기가 유입되더라도 차단카바(550) 내부에는 청정공기의 흐름이 일어나지 않는다. 이는 베이크 챔버(520) 내부에 로딩된 웨이퍼(10)의 부위별 온도 균일성을 향상시키게 된다.
그리고, 상기 차단카바(550)는 외측판(551)과 내측판(552)의 2중판 구조체로 된 것이 보다 효과적이다. 상기 외측판(551)은 스테인레스 재질로 제작되어 차단카바(550)의 형태를 유지시키게 된다. 상기 외측판(551)의 제작시에는 가능한 한 용접을 제한하고 벤딩처리하며, 그 외면은 폴리싱처리함으로써 먼지 등 이물질의 발생 및 흡착을 최대한 방지할 수 있다. 그리고, 상기 내측판(552)은 테프론(Teflon ; PVDF) 등의 양호한 내열성 및 단열성을 갖는 합성수지재로 제작되어 열 전달을 차단하게 된다. 또한, 상기 내측판(552)은 열에 의한 변형이 적고 먼지나 이온성 오염물질을 발생시키지 않는 재질의 것을 선정하는 것이 바람직하다.
상기 차단카바(550)의 후면에는 도 13에 도시된 바와 같이 차단카바(550)의 내부에 흐르는 청정공기의 양을 조절할 수 있도록 가변 배기구(555)가 마련되고, 상기 가변 배기구(555)에는 그 개폐 정도를 조정할 수 있는 노브(556)가 설치될 수 있다. 상기 가변 배기구(555)와 노브(556)는 차단카바(550)의 후면 좌측과 우측에 각각 설치되어, 차단카바(550) 내부의 좌,우측에 흐르는 청정공기의 양을 균일하도록 조절할 수 있게 하므로, 웨이퍼(10)의 좌,우측 온도 편차를 감소시킬 수 있게 된다. 그리고, 상기 노브(556)에는 상기 가변 배기구(555)의 개폐정도를 확인할 수 있도록 눈금이 그려진 것이 바람직하다.
상기 차단판(560)은 상기 냉각수 라인(540)을 감싸도록 설치되어, 상기 냉각수 라인(540)에 의해 베이크 챔버(520)의 일측 온도가 하락되는 것을 방지하게 된다. 따라서, 베이크 챔버(520) 내부에 로딩된 웨이퍼(10)의 부위별 온도 편차가 감소하게 된다.
그리고, 상기 차단판(560)은 도 14에 도시된 바와 같이 스테인레스 재질로 된 외측판(561)과 테프론(Teflon ; PVDF) 등의 양호한 단열성을 갖는 합성수지재로 된 내측판(562)의 2중판 구조체로 된 것이 보다 효과적이다. 상기 외측판(561)의 양측가장자리에는 스크루 삽입홀(563)이 마련되어 상기 케이스(510)의 내측면에 스크루(564)를 사용하여 차단판(560)을 고정시킬 수 있도록 되어 있다. 상기 외측판(561)의 제작시에도 가능한 한 용접을 제한하고 벤딩처리하며, 그 외면은 폴리싱처리함으로써 먼지 등 이물질의 발생 및 흡착을 최대한 방지할 수 있다. 그리고, 상기 내측판(562)의 내면에는 상기 냉각수 라인이 밀착될 수 있도록 홈(565)이 형성된다.
본 발명은 개시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 감광액 도포 및 현상 시스템은 그 하우징 내부에 청정공기의 보다 완전한 라미나 에어플로우가 형성되어 베이크 유니트 내부로 청정공기의 흐름이 감소 내지 방지되며, 하우징 내부의 청정도가 향상되고, 또한 베이크 유니트 내부의 냉각수 라인 등에 의한 열적 영향이 차단되므로, 웨이퍼 상의 부위별 온도 분포가 균일하게 된다.
따라서, 웨이퍼 상의 감광액 막의 두께 분포가 보다 균일하게 되어 선폭의 편차가 감소하게 된다. 그리고, 하우징 내부에 형성되는 청정공기의 원활한 하향기류에 의해 먼지 또는 이온성 오염물질 등이 하우징 바닥의 그레이팅을 통해 원활하게 배출되므로, 먼지 등에 의해 웨이퍼 표면에 발생되는 결함을 줄일 수 있게 되어 수율이 향상되는 효과가 있다.

Claims (15)

  1. 반도체 웨이퍼 상에 감광액을 도포하기 위한 도포기와 상기 웨이퍼 상에 도포된 감광액을 현상하기 위한 현상기와 상기 웨이퍼를 소정 온도로 가열하기 위한 베이크 유니트와 상기 웨이퍼를 이송하기 위한 로보트가 그 내부에 설치된 하우징을 구비하며, 송풍기와 송풍관을 구비하는 공조장치에 의해 상기 하우징의 상부로부터 상기 하우징 내부로 하향 공급되는 청정공기를 필터링하기 위한 에어필터가 상기 하우징의 상부에 설치된 감광액 도포 및 현상 시스템에 있어서,
    상기 에어필터를 거쳐 공급되는 청정공기가 상기 베이크 유니트의 상부에서 난기류를 형성하며 상기 베이크 유니트의 전면부로 유입되는 것을 방지함으로써, 상기 베이크 유니트의 전면부에서 청정공기가 안정된 하향기류를 형성하며 라미나 에어플로우되도록 하여 청정공기가 상기 베이크 유니트 내부로 유입되는 것을 억제하도록 된 것을 특징으로 하는 감광액 도포 및 현상 시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하우징의 바닥에는 청정공기가 배출될 수 있도록 다수의 통기공이 형성된 그레이팅이 설치되어, 상기 하우징의 상부로부터 하향 공급되는 청정공기의 라미나 에어플로우가 상기 하우징의 바닥면까지 유지될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 감광액 도포 및 현상 시스템.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 그레이팅은 개공율을 조정할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 감광액 도포 및 현상 시스템.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 에어필터는 상기 도포기가 위치한 부위의 상부에 설치되는 제1 에어필터와, 상기 로보트가 위치한 부위의 상부에 설치되는 제2 에어필터로 구성되어, 상기 베이크 유니트의 상부에는 청정공기가 공급되지 않도록 된 것을 특징으로 하는 감광액 도포 및 현상 시스템.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 에어필터를 통해 공급되는 청정공기의 유속은 상기 제2 에어필터를 통해 공급되는 청정공기의 유속보다 빠르도록 된 것을 특징으로 하는 감광액 도포 및 현상 시스템.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 베이크 유니트의 최상면과 상기 에어필터의 저면 사이에 형성되는 공간을 밀폐하는 차단벽을 설치함으로써, 상기 베이크 유니트의 상부로 공급되는 청정공기가 상기 베이트 유니트의 전면부로 유입되지 못하도록 된 것을 특징으로 하는 감광액 도포 및 현상 시스템.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 베이크 유니트의 최상면은 상기 에어필터의 저면과 밀착되도록 설치되어, 상기 베이크 유니트의 상부와 상기 에어필터의 저면 사이에는 청정공기가 흐를 수 없도록 된 것을 특징으로 하는 감광액 도포 및 현상 시스템.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 베이크 유니트는,
    전면에는 웨이퍼 출입구가 마련되고, 후면은 개구부로 된 케이스;
    상기 케이스의 내부에 설치되며, 그 상면에 안착되는 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터가 내장된 하부 플레이트와, 상기 하부 플레이트의 상부에 승강 가능하도록 설치되어 상기 웨이퍼를 덮어주는 상부 플레이트를 구비하는 베이크 챔버; 및
    상기 베이크 챔버를 그 외부의 열적 영향으로부터 차단시키기 위한 차단수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광액 도포 및 현상 시스템.
  9. 감광액 도포 및 현상 시스템의 하우징 내부에 설치되어 그 내부에 로딩된 웨이퍼를 소정 온도로 가열하기 위한 베이크 유니트에 있어서,
    전면에는 웨이퍼 출입구가 마련되고, 후면은 개구부로 된 케이스;
    상기 케이스의 내부에 설치되며, 그 상면에 안착되는 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터가 내장된 하부 플레이트와, 상기 하부 플레이트의 상부에 승강 가능하도록 설치되어 상기 웨이퍼를 덮어주는 상부 플레이트를 구비하는 베이크 챔버; 및
    상기 베이크 챔버를 그 외부의 열적 영향으로부터 차단시키기 위한 차단수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 유니트.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 차단수단은 상기 베이크 챔버를 감싸도록 설치되며, 그 전면부에 상기 웨이퍼가 출입할 수 있도록 개구부가 마련된 차단카바인 것을 특징으로 하는 베이크 유니트.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 차단카바는 스테인레스 재질로 된 외측판과 양호한 내열성 및 단열성을 갖는 합성수지재로 된 내측판의 2중판 구조체로 된 것을 특징으로 하는 베이크 유니트.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 차단카바의 후면 좌측과 우측에는 상기 차단카바의 내부를 흐르는 공기의 양을 조절할 수 있도록 가변 배기구가 형성되고, 상기 가변 배기구에는 상기 가변 배기구의 개폐 정도를 조정할 수 있는 노브가 설치되는 것을 특징으로 하는 베이크 유니트.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 노브에는 상기 가변 배기구의 개폐정도를 확인할 수 있도록 눈금이 그려진 것을 특징으로 하는 베이크 유니트.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 차단수단은 상기 케이스 내부의 일측에 설치된 냉각수 라인의 영향을 차단하기 위해 상기 냉각수 라인을 감싸도록 설치되는 차단판인 것을 특징으로 하는 베이크 유니트.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 차단판은 스테인레스 재질로 된 외측판과 양호한 단열성을 갖는 합성수지재로 된 내측판의 2중판 구조체로 된 것을 특징으로 하는 베이크 유니트.
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