DE10010871A1 - System zum Bearbeiten von Halbleiterwafern, das einen nach unten gerichteten laminaren Strom von Reinstluft an der Vorderseite von Trocknereinheiten erzeugt - Google Patents

Abstract

Ein System für ein Photoverfahren für Halbleiterwafer verhindert, daß Luft durch den oberen Bereich eines Trocknungsbereichs strömt, um einen stabilen abwärts gerichteten laminaren Luftstrom von den Trocknereinheiten, die in zahlreichen Stufen in dem Trocknungsbereich angeordnet sind, zu erzeugen. Der Trocknungsbereich ist auf der einen Seite eines Gehäuses angeordnet und eine Beschichtungseinheit zum Beschichten eines Wafers mit einem Schutzlack ist auf der anderen Seite des Gehäuses angeordnet. Das Gehäuse weist einen Reinstlufteinlaß und Luftfilter an ihrem oberen Abschnitt auf und an ihrem untersten Boden eine Reinstluftentlüftungsöffnung. Ein Luftstromeinschließungsdamm verhindert, daß die in das Gehäuse eindringende Reinstluft in dem oberen Bereich des Trocknungsbereichs horizontal strömt. Eine derartige horizontale Luftströmung würde ansonsten Turbulenzen erzeugen, die die Fähigkeit der Luft vor den Trocknereinheiten als ein laminarer Luftstrom abwärts in Richtung der Entlüftungsöffnung zu strömen, stark beeinflussen würde. Der laminare Luftstrom strömt kaum in die Trocknereinheiten und induziert somit kaum Temperaturschwankungen bei den beschichteten Wafern, die darin getrocknet werden. Demzufolge wird die Dicke des Schutzlackfilms auf dem Wafer ebenso wie die Grenzabmessung eines auf dem Film erzeugten Musters höchst gleichförmig sein. Ebenso wird Staub oder Ionenverunreinigungen direkt durch die Entlüftungsöffnung in dem Boden des Gehäuses durch den abwärts ...

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein System für ein Photoverfahren, daß bei der Herstellung von Halbleiterwafern Anwendung findet. Insbesondere betrifft die vor­ liegende Erfindung ein System für ein Photoverfahren zum Ausbilden einer Photolack­ schicht- bzw. Schutzlackfilm von hoher Qualität auf einem Halbleiterwafer.

Die Herstellung von Halbleitergeräten beinhaltet ein Photoverfahren, das mit fol­ genden Schritten: Ausbilden eines Schutzlackfilms auf einem Wafer, Belichten des Schutzlackfilms, um ein vorbestimmtes Muster bzw. eine Maske darauf zu definieren, und Entwickeln des belichteten Schutzlacks, um einen Film mit dem vorbestimmten Muster auf dem Wafer auszubilden.

In Cluster-Systemen (clustered systems), die in letzter Zeit vermehrt Anwendung finden, sind alle Geräteeinheiten zum Ausführen des Photoverfahrens, z. B. eine Be­ schichtungseinheit, eine Entwicklungseinheit, eine Trockner- bzw. Heizeinheit und der­ gleichen, an einer Stelle gruppiert. Daher ist der Abstand zwischen den Einheiten und damit die Zeit, die benötigt wird, um einen Wafer von einer Einheit zu der nächsten zu transportieren, relativ kurz. Somit kann das Photoverfahren mit einer derartigen Aus­ stattung bzw. Gerätschaft effizient durchgeführt werden.

Fig. 1 zeigt eine schematische Ansicht des Aufstellungsplans für ein herkömm­ liches Cluster-System für ein Photoverfahren.

Wie in Fig. 1 gezeigt, ist in der Mitte eines Gehäuses 100 ein Roboter 110 zum Transportieren eines Wafers installiert. Um den Roboter 110 herum sind eine Be­ schichtungseinheit 120, eine Entwicklungseinheit 130, eine Trocknereinheit 140, eine Belade-/Entladeeinheit 150 und eine Steuereinheit 160 angeordnet.

Die Beschichtungseinheit 120 führt ein Schleuderbeschichtungsverfahren (spin coating method) aus, bei welchem der Wafer mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit gedreht wird, und der sich drehende Wafer mit einem Schutzlack beschichtet wird. Der Schutzlack verteilt sich aufgrund der Zentrifugalkraft der Drehung des Wafers gleich­ förmig über dessen Oberfläche.

Die Entwicklungseinheit 130 entwickelt ein Muster, das auf dem Schutzlackfilm bei dem Belichtungsschritt ausgebildet worden ist, und die Trocknereinheit 140 erhitzt bzw. trocknet den Wafer bei einer vorbestimmten Temperatur zwischen den vorstehend beschriebenen Schritten.

Die Belade-/Entladeeinheit 150 belädt einerseits das System mit Wafern und ent­ fernt bzw. entlädt andererseits fertig verarbeitete Wafer aus dem System. Die Be­ lade/Entladeeinheit 150 ist so aufgebaut, daß mehrere Waferträger auf einmal verwendet werden können.

Die Steuereinheit 160 enthält ein Computersystem zum Steuern der Systemein­ heiten für ein Photoverfahren. Der Roboter 110 weist einen Sockel 111 auf, der an der Bodenoberfläche des Gehäuses 110 befestigt ist, und einen Arm 112, welcher in dem Sockel 111 integriert ist und sich frei bewegen kann. Der Arm 112 transportiert einen Wafer zwischen den Einheiten innerhalb des Gehäuses 100.

Im folgenden werden die Schritte des Photoverfahrens, das durch das herkömm­ liche System für ein Photoverfahren durchgeführt wird, beschrieben.

In einem Vortrocknungsschritt (1) wird ein Wafer mit einem Waferträger in die Belade-/Entladeeinheit 150 eingeführt. Von dieser wird der Wafer durch den Roboter 110 zu der Trocknereinheit 140 transportiert. In der Trocknereinheit 140 wird der Wafer auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt, welche bewirkt, daß organisches Material bzw. Fremdmaterial aus der Oberfläche des Wafers verdampft.

In einem Schutzlack (photoresist = PR)-Beschichtungsschritt (2) wird der so be­ handelte Wafer zu der Beschichtungseinheit 120 transportiert. Ein Schutzlackfilm wird auf der Oberfläche des Wafers durch die Beschichtungseinheit 120 ausgebildet.

In einem weiteren Trocknungsschritt (soft baking step) (3) wird der Wafer zurück zu der Trocknereinheit 140 transportiert, wo der Wafer für eine vorbestimmte Zeitdauer erwärmt wird. Bei diesem Schritt wird der Schutzlack getrocknet, so daß er fest auf der Oberfläche des Wafers haftet.

In einem Belichtungsschritt (4) wird der Wafer zu einer Belichtungseinheit, wie beispielsweise einem Stepper oder Scanner, transportiert. Der Schutzlackfilm wird durch die Belichtungseinheit photosensibilisiert, um ein Muster darauf zu definieren.

In einem Trocknungsschritt nach der Belichtung (post exposure baking (PEB) step) (5) wird der belichtete Wafer zu der Trocknereinheit 140 zurück transportiert. Der Wafer wird dann für eine vorbestimmte Zeitdauer durch die Trocknereinheit 140 noch­ mals erwärmt.

In einem Entwicklungsschritt (6) wird der Wafer auf eine Temperatur innerhalb eines vorbestimmten Bereichs abgekühlt. Anschließend werden die Schutzlackmuster durch die Entwicklungseinheit 130 entwickelt.

In einem weiteren Trocknungsschritt (hard baking step) (7) wird der Wafer derart erwärmt, daß die Schutzlackmuster noch fester auf der Oberfläche des Wafers haften. Die oben beschriebenen Schritte werden in Reinstumgebung ausgeführt, bei welcher die Temperatur und Luftfeuchtigkeit gesteuert werden, und in welcher Staub oder andere Fremdpartikel beseitigt worden sind. Daher ist das System für ein Photover­ fahren in einem mit einer Klimaanlage versehenen Reinstraum installiert.

In dem PEB-Schritt werden die optisch zerlegten Harze bzw. Kunststoffe (resins) aufgrund thermaler Diffusion beim Erwärmen des belichteten Schutzlacks mit einer vorbestimmten Temperatur umgebaut bzw. reorganisiert, wodurch das Grenzprofil (Kreuzungsabschnitt) zwischen den belichteten Mustern gereinigt wird. Dieser PEB- Schritt wird durchgeführt, um die Bildung von Anomalien im Profil der Muster und eine Ungleichförmigkeit der Grenzabmessung des Muster zu verhindern, wenn die Muster während des Belichtungsverfahrens mit ultravioletten (UV) oder stark ultravioletten (deep ultra violett = DUV) Licht bestrahlt werden. Da Licht, das den belichteten Ab­ schnitt bestrahlt, gebeugt wird und gemäß des Reflexionsvermögens und Brechwerts des Wafers und dem optischen Absorptionsgrad des Schutzlacks eine Interferenz ausbildet, würde die Beugung und Interferenz des Lichts die zuvor erwähnten Anomalien und Un­ förmigkeit in dem belichteten Abschnitt erzeugen, wenn der Kunststoff nicht durch ein Erhitzen vor dem Belichten reorganisiert werden.

Diese Probleme, die die optischen Phänomene der Beugung und Interferenz mit sich bringen, können alternativ durch ein Beschichten des Schutzlackfilms mit einem Anti-Reflexionsfilm vor dem Belichten gelöst werden. Jedoch wird das PEB-Verfahren öfter verwendet.

Wenn das Belichtungslicht in dem Photoverfahren ein DUV-Licht ist, wird ein chemisch verstärktes Harz als Schutzlack verwendet. Ein Abschnitt des chemisch ver­ stärkten Harzes, welcher durch die Wärmebehandlung belichtet ist, wandelt sich in eine Säure um, wenn es in einer Entwicklungslösung gelöst wird. Ebenso tritt die Umwand­ lung des chemisch verstärkten Harzes aufgrund einer Kettenreaktion auf, so daß das Wärmegleichgewicht, das auf den gesamten Wafer in dem PEB-Schritt ausgeübt wird, die größte Auswirkung auf die Gleichförmigkeit der Grenzabmessung eines Musters hat.

Fig. 2 zeigt ein schematisches Diagramm eines herkömmlichen Systems für ein Photoverfahren, das in einem Reinstraum installiert ist.

Gemäß Fig. 2 weist der Reinstraum typischerweise einen Durchgang 10 und eine Geräteinstallationszone 20 auf. Das System für ein Photoverfahren ist in der Gerätein­ stallationszone 20 in der Nähe des Durchgangs 10 angeordnet. Der obere Abschnitt des Reinstraums ist mit einem oberen Plenum 30 versehen, durch welches Reinstluft in den Raum gelangt, und der untere Abschnitt des Reinstraums ist mit einem unteren Plenum 40 versehen, durch welches Luft aus dem Raum entlüftet wird. Zwischen dem oberen Plenum 30 und der Geräteinstallationszone 20 und dem Durchgang 10 des Reinstraums sind Filter 31 installiert. Das System für ein Photoverfahren weist ein Gehäuse 100, eine Beschichtungseinheit 120, die in dem Gehäuse 100 an dessen einen Seite angeordnet ist, und Fächer bzw. Regale 140a für die Trocknereinheiten auf, die in dem Gehäuse 100 an dessen anderen Seite angeordnet sind. Eine Vielzahl von Trocknereinheiten 140 sind in zahlreichen Stufen auf den Regalen 140a installiert. Ein Roboter 110 ist in der Mitte des Gehäuses 100 installiert.

Die Klimaanlage des Systems für ein Photoverfahren enthält ein Gebläse 171, Ge­ bläseleitungen 172 und einen Luftfilter 173. Das Gebläse 171 ist innerhalb des unteren Plenums 40 installiert, der Luftfilter 173 ist in dem oberen Abschnitt des Gehäuses 100 installiert und die Gebläseleitungen 172 erstrecken sich von dem Gebläse 171 zu dem oberen Abschnitt des Gehäuses 100, in welchem der Luftfilter 173 vorgesehen ist. Das Gebläse 171 enthält typischerweise ein chemisches Filter zum Entfernen von NH₃ aus der Luft.

In dem Reinstraum wird verhindert, daß Staub, der sich in der Geräteinstallations­ zone 20 befindet, in das Gehäuse 100 eindringt, und es werden verschiedene Drücke in verschiedenen Bereichen des Reinstraums aufrecht erhalten, um zu verhindern, daß Rauch oder dergleichen aus einem Bereich in den anderen Bereich diffundiert. Z. B. ist der Druck in dem Durchgang 10 um ungefähr 0,17 bis 0,18 mmH₂O größer als in dem oberen Bereich des Gehäuses 100. Der Druck in dem Durchgang 10 ist um ungefähr 0,07 bis 0,08 mmH₂O größer als der in dem Gehäuse 100. Der Druck in dem Gehäuse 100 ist um ungefähr 0,09 bis 0,12 mmH₂O größer als der in der Geräteinstallationszone 20. Der Druck in der Geräteinstallationszone 20 ist um ungefähr 0,60 bis 0,70 mmH₂O größer als der in dem unteren Plenum 40. Der Druck in dem Durchgang 10 ist um unge­ fähr 0,71 bis 0,82 mmH₂O größer als der in dem unteren Plenum 40. Der Druck in dem Gehäuse 100 ist um ungefähr 0,02 bis 0,082 mmH₂O größer als der in der Trocknerein­ heit 140. Der Druck in der Trocknereinheit 140 ist um ungefähr 0,06 bis 0,08 mmH₂O größer als der Druck an dem Äußeren der rückwärtigen Oberfläche der Trocknereinheit 140.

Aufgrund dieser Druckdifferenzen strömt Reinstluft aus dem oberen Plenum 30 über den Durchgang 10, dem Gehäuseinneren 100 und der Geräteinstallationszone 20 zu dem unteren Plenum 40. Der Boden des Durchgangs 10 und des Gehäuses 100 ist typi­ scherweise als Rost ausgebildet und die Reinstluft strömt durch diesen Rost in das untere Plenum 40. Die in das in das Gehäuse durch den Durchgang 10 eindringende Reinstluft strömt nacheinander durch die Beschichtungseinheit 120 und die vordere Oberfläche, das Innere und die rückwärtige Oberfläche der Trocknereinheit 140 und dringt durch die rückwärtige Oberfläche des Gehäuses 100 in das untere Plenum 40 ein.

Fig. 3 zeigt die Strömung der Reinstluft innerhalb eines herkömmlichen Systems für ein Photoverfahren.

Wie in Fig. 3 gezeigt, dringt Reinstluft, die durch die Gebläseleitung 172 strömt, über den Luftfilter 173 in das Gehäuse 100 ein. Hierbei wird die Menge an Reinstluft, die in das Gehäuse 100 eindringt, durch Schiebereinrichtungen 174 gesteuert, die in den Gebläseleitungen 172 vorgesehen sind. Die in das Gehäuse 100 eindringende Reinstluft bildet einen abwärts strömenden Luftstrom innerhalb des Gehäuses 100. Ein Rost 101 an dem unteren Abschnitt des Gehäuses 100 ermöglicht es der Reinstluft, hindurch zu strömen, aber die Bodenoberfläche 102 des Gehäuses ist komplett geschlossen. Demzu­ folge wird die Reinstluft zur Außenseite des Gehäuses 100 über Luftabzugsschächte 103, die an der unteren rückwärtigen Oberfläche des Gehäuses 100 vorgesehen sind, entlüftet. Somit dringt Reinstluft in ein Regal 140a der Trocknereinheiten, auf welchem eine Trocknereinheit 140 installiert ist, von dem vorderen Abschnitt der Trocknereinheit ein und wird durch den rückwärtigen Abschnitt der Trocknereinheit entlüftet.

Im Stand der Technik ist die obere Oberfläche des höchsten Regals 140a mit einem vorbestimmten Abstand unterhalb des Luftfilters 173 beabstandet, wodurch ein leerer Raum 140b zwischen dem höchsten Regal 140a und dem Luftfilter 173 ausge­ bildet wird. Demgemäß trifft die in den Raum 140b eindringende Reinstluft auf die obere Oberfläche des höchsten Regals 140a und wird turbulent. Dann verläßt die tur­ bulente Reinstluft den Raum 140b und verbindet sich mit dem abwärts strömenden Luftstrom. Die turbulente Reinstluft ist an dem vorderen Abschnitt des Regals 140a so exzessiv bzw. übermäßig, daß sie die Reinstluft daran hindert, als ein laminarer Luft­ strom abwärts zu strömen. Der turbulente Luftstrom, der in der Nähe des Regals 140a erzeugt wird, strömt in die Trocknereinheit 140, die einen niedrigeren Druck bzw. Un­ terdruck aufweist.

Daher ist der Strom aus Reinstluft in dem Gehäuse 100 eines herkömmlichen Systems für ein Photoverfahren nicht vollständig laminar. Ebenso bewirkt der Weg, auf welchem die Reinstluft in Regale bzw. Fächer 140a strömt, auf welchen die Trock­ nereinheiten 140 angeordnet sind, daß Teile der Regale 140a verschiedene Tem­ peraturen aufweisen. Somit werden Teile eines in der Trocknereinheit 140 befindlichen Wafers jeweils bei verschiedenen Temperaturen getrocknet. Da beispielsweise Luft einer Temperatur, die niedriger als die, die in der Trocknereinheit ist, in die Trock­ nereinheit von ihrem vorderen Abschnitt einströmt, kommt ein Teil des Wafers, der den vorderen Abschnitt des Regals 140a am nächsten ist, in Kontakt mit der Reinstluft, wodurch die Temperatur des Teils des Wafers, der dem vorderen Abschnitt des Regals 140a am nächsten ist, niedriger wird, als die an dem anderen Teil des Wafers.

Weiterhin ist die Trocknereinheit 140 mit einer Kühlwasserleitung und einer Viel­ zahl von Hilfsleitungen und Baugruppen (boards) gruppiert (clustered), was bewirkt, daß die Temperatur innerhalb verschiedener Teile der Trocknereinheit 140 noch weiter von der Norm abweicht. Experimenten zufolge bewirkt eine Kühlwasserleitung nahe der Trocknereinheit 140, daß das Regal 140a interne Temperaturdifferenzen von ungefähr 1°C aufweist. Diese ungleichmäßige Temperaturverteilung führt zu einer Ungleichför­ migkeit der Dicke des Schutzlackfilms und der Grenzabmessung beim Schutzlackmu­ ster.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein System für ein Photo­ verfahren für Halbleiterwafer zu schaffen, welches einen Schutzlackfilm mit einer höchst gleichmäßigen Dicke und ein Muster aus dem Schutzlack mit einer höchst gleichmäßigen Grenzabmessung herstellen kann.

Um die obige Aufgabe zu lösen, zieht die vorliegende Erfindung dementsprechend ein System für ein Photoverfahren für Halbleiterwafer vor, bei welchem Reinstluft, das aus dem oberen Abschnitt eines Gehäuses, in welchem die Trocknereinheiten ange­ ordnet sind, in das System eindringt, gezwungen wird, als ein laminarer Luftstrom innerhalb des Gehäuses an der Vorderseite der Trocknereinheiten nach unten bzw. abwärts zu strömen. Um den laminaren Luftstrom zu erzeugen, werden an dem Boden des Gehäuses Entlüftungsöffnungen ausgebildet, und ein Luftstromeinschließungsdamm (air flow containment dam) verhindert, daß die in das Gehäuse eindringende Reinstluft in dem oberen Bereich des Trocknungsbereichs horizontal strömt. Ein derartiger hori­ zontaler Luftstrom würde ansonsten Turbulenzen erzeugen, die die Fähigkeit der Luft, an der Vorderseite der Trocknereinheiten nach unten vorbei in Richtung der Ent­ lüftungsöffnung als ein laminarer Luftstrom zu strömen, stark beeinflussen würden.

Die vorhergehenden und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorlie­ genden Erfindung werden durch Bezugnahme auf die folgende detaillierte Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen und die beiliegende Zeichnung besser ersichtlich. Es zeigt:

Fig. 1 ein schematisches Diagramm der Konfiguration eines herkömmlichen Systems für ein Photoverfahren;

Fig. 2 eine vertikale Querschnittsansicht eines herkömmlichen Systems für ein Photoverfahren, daß in einem Reinstraum installiert ist;

Fig. 3 eine Vergrößerung eines Abschnitts des in Fig. 2 gezeigten herkömmlichen Systems für ein Photoverfahren, die einen Reinstluftstrom in dem System zeigt;

Fig. 4 eine schematische Draufsicht auf ein System für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 5 eine vertikale Schnittansicht einer bevorzugten Ausführungsform eines Systems für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung, die einen Reinstluftstrom in dem System zeigt;

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht eines Rostes des Systems für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 7 eine Querschnittsansicht des Rostes in Fig. 6;

Fig. 8 einen Graphen, der eine Strömungsgeschwindigkeit der Reinstluft an ver­ schiedenen Stellen in dem System für ein Photoverfahren gemäß der vorlie­ genden Erfindung und in dem herkömmlichen System für ein Photoverfahren zeigt;

Fig. 9 eine vertikale Schnittansicht des oberen Abschnitts einer anderen Ausführungs­ form eines Systems für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 10 eine perspektivische Ansicht einer Schattenwand des Systems für ein Photover­ fahren, das in Fig. 9 gezeigt ist;

Fig. 11 eine vertikale Schnittansicht des oberen Abschnitts einer weiteren Ausfüh­ rungsform des Systems für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 12 eine perspektivische Explosionsansicht einer Trocknereinheit des Systems für ein Photoverfahren der vorliegenden Erfindung;

Fig. 13 eine vertikale Querschnittsansicht der Trocknereinheit in Fig. 12; und

Fig. 14 eine perspektivische Ansicht der in Fig. 12 gezeigten Schattenwand des Systems für ein Photoverfahren.

Gemäß den Fig. 4 und 5 enthält ein System für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung eine Schleuderbeschichtungseinheit 220 zum Beschichten eines Halbleiterwafers mit einem flüssigen Schutzlackfilm, eine Entwicklungseinheit 230 zum Entwickeln eines Musters, das auf dem Schutzlackfilm durch eine Belichtungseinheit ausgebildet ist, und Regale 240a, auf welchen die Trocknereinheiten 240 für ein Trock­ nen der Wafer bei einer vorbestimmten Temperatur in zahlreichen Stufen installiert sind.

Die Regale 240a sind auf einer Seite eines Gehäuses 200 angeordnet, womit ein Trocknungsbereich bestimmt ist. Die Beschichtungseinheit 220 und die Entwicklungs­ einheit 230 sind an der anderen Seite des Gehäuses 200 angeordnet. Ein Roboter 210 zum Transportieren eines Wafers zwischen den Einheiten ist ungefähr in der Mitte des Gehäuses 100 installiert. Der Roboter 210 enthält einen Sockel 211, der an dem Boden des Gehäuses 200 befestigt ist, und einen mit dem Sockel 211 integrierten Arm 212 zum Transportieren der Wafer zwischen den Einheiten des Systems für ein Photoverfahren. Eine Belade-/Entladeeinheit 250 zum Beladen/Entladen des Systems mit Wafern und eine Steuereinheit 260 zum Manipulieren und Steuern des Systems sind an der Vorder­ seite des Gehäuses 200 vorgesehen.

Ebenso ist eine Klimaanlage zum Zuführen von Reinstluft in das Gehäuse 200 enthalten. Die Klimaanlage enthält ein Gebläse 271, das in dem unteren Plenum 40 in­ stalliert ist, Gebläseleitungen 272 zum Verbinden des Gebläses 271 mit der oberen Oberfläche des Gehäuses 200 und Luftfilter 273a und 273b, die in dem Gehäuse 200 zum Filtern der Reinstluft, die durch die Gebläseleitungen 272 zugeführt wird, installiert sind.

Als ein kennzeichnendes Merkmal der vorliegenden Erfindung sind die Luftfilter 273a und 273b an bestimmten Lufteinlaßbereichen des Gehäuses 200 installiert: ein erster Luftfilter 273a ist direkt über der Beschichtungseinheit 220 angeordnet, und ein zweiter Luftfilter 273b ist direkt über dem Roboter 210 angeordnet. Beide Luftfilter 273a und 273b weisen eine Vielzahl von eigenständigen Filtereinheiten auf. Der Luft­ stromeinschließungsdamm, der in der Form einer Wand 240c ausgebildet ist, umschließt den Raum 240b direkt über den Regalen 240a, so daß die Reinstluft nicht in den Raum 240b oberhalb der Regale 240a einströmen kann.

Somit fließt die durch die ersten und zweiten Luftfilter 273a und 273b zugeführte Reinstluft innerhalb des Gehäuses 200 als ein laminarer Luftstrom abwärts. Der vertikal abwärts gerichtete laminare Reinstluftstrom unterdrückt signifikant das Einströmen der Reinstluft in den Trocknungsbereich.

Als ein anderes kennzeichnendes Merkmal für das System für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung besteht der Boden des Gehäuses 200 aus einem Rost 280. Die aus dem oberen Abschnitt des Gehäuses 200 zugeführte Reinstluft wird ent­ lang des gesamten Weges zu dem Boden des Gehäuses 200 durch eine Vielzahl von Luftabzugsöffnungen des Rosts 280, welcher es der Reinstluft gestattet, leicht in das untere Plenum 40 entlüftet zu werden, laminar gehalten.

Die Geschwindigkeit, mit der die Reinstluft in das Gehäuse 200 zugeführt wird, kann durch Schieber 274, die in den Gebläseleitungen 272 installiert sind, gesteuert werden. Die Geschwindigkeit mit welcher die Luft aus dem Gehäuse 200 entlüftet wird, kann durch eine Auswahl einer geeigneten Größe der Luftabzugsöffnungen des Rosts 280 geplant werden. Somit können lokale Druckdifferenzen innerhalb des Gehäuses minimiert werden, um den laminaren Luftstrom zu stabilisieren. Überdies bewirkt der abwärts gerichtete laminare Restluftstrom innerhalb des Gehäuses 200, daß Staub oder Rauch reibungslos durch den Rost 280 entlüftet werden kann, womit verhindert wird, daß derartiger Staub oder dergleichen in Richtung der Beschichtungseinheit 220 oder der Regale 240a diffundiert, wo er Fehler bzw. Verunreinigungen auf der Oberfläche der Wafer verursachen würde.

Ebenso ist die Strömungsgeschwindigkeit der durch das erste Luftfilter 273a zuge­ führten Reinstluft vorzugsweise größer als die Strömungsgeschwindigkeit der durch das zweite Luftfilter 273b zugeführten Reinstluft. Z. B. kann die Strömungsgeschwindigkeit der durch das erste Luftfilter 273a zugeführten Reinstluft auf 0,3 m/s eingestellt werden, und die Strömungsgeschwindigkeit der durch das Luftfilter 273b zugeführten Reinstluft kann auf 0,2 m/s eingestellt werden. Die Strömungsgeschwindigkeit der durch das erste Luftfilter 273a zugeführten Reinstluft ist größer als die Strömungsgeschwindigkeit der durch das zweite Luftfilter 273b zugeführten Geschwindigkeit, um zu verhindern, daß Staub oder dergleichen, der in der Nähe des Roboters 210 erzeugt wird, in Richtung der Beschichtungseinheit 220 und der Entwicklungseinheit 230 strömt.

Gemäß den Fig. 6 und 7 ist der Rost 280 an den Boden des Gehäuses 200 derart aufgebaut, daß der effektive Bereich der Öffnungen, die von dem Gehäuse 200 zu dem Bodenplenum 40 führen, gesteuert werden kann. Zu diesem Zweck weist der Rost 280 einen zweistöckigen Aufbau mit einer fixierten bzw. unbeweglichen Platte 281, die an dem Bodenwandabschnitt des Gehäuses befestigt ist, und einer bewegliche Platte 282, die unterhalb der fixierten Platte 281 installiert ist, auf. Die bewegliche Platte 282 kann in bezug auf die fixierte bzw. befestigte Platte 281 verschoben werden. Die fixierte Platte 281 weist eine Vielzahl von Luftabzugsöffnungen 283 auf, die in vorbestimmten Abständen voneinander beabstandet sind, und die bewegliche Platte 282 weist eine Vielzahl von Schlitzen 284 auf, die ebenso in vorbestimmten Abständen voneinander beabstandet sind. Demzufolge hängt der effektive Bereich der Entlüftungsöffnung des Rostes 280 von dem Grad ab, mit welchem sich die Schlitze 284 mit den Luftab­ zugsöffnungen 283 überlappen. Die bewegliche Platte 282 kann relativ zu der be­ festigten Platte 280 durch einen geeigneten nicht näher dargestellten linearen Antriebs­ mechanismus hin- und herbewegt werden.

Da wie vorstehend beschrieben der Bereich der Entlüftungsöffnung des Rostes 280 gesteuert werden kann, kann die Strömungsgeschwindigkeit und der Druck der Reinstluft innerhalb des Gehäuses reguliert bzw. gesteuert werden, um dem laminaren Reinstluftstrom Stabilität zu verleihen. Ebenso kann jegliche Druckdifferenz zwischen der Innenseite und der Außenseite der Regale 140a verringert oder beseitigt werden. Die Verringerung oder Beseitigung der Druckdifferenz verhindert, daß Reinstluft in den Trocknungsbereich einströmt.

Fig. 8 zeigt einen Graphen, der eine Strömungsgeschwindigkeit der Reinstluft an verschiedenen Positionen innerhalb des Systems für ein Photoverfahren gemäß der vor­ liegenden Erfindung und innerhalb eines herkömmlichen Systems für ein Photo­ verfahren zeigt, die in einem Bereich der 15 cm unterhalb der Luftfilter angeordnet ist, gemacht wurde.

Wie aus der Kurve (A), die die Strömungsgeschwindigkeiten der Reinstluft in einem herkömmlichen System zeigt, klar ersichtlich ist, ist die Strömungs­ geschwindigkeit in der Mitte des Gehäuses signifikant schneller als an den beiden Seiten des Gehäuses. Eine derartige Differenz zwischen Strömungsgeschwindigkeiten an verschiedenen Bereichen des Gehäuses erzeugt eine Druckdifferenz, welche bewirkt, daß die Reinstluft aus der Mitte des Gehäuses in Richtung der beiden Seiten des Ge­ häuses strömt. Die Reinstluft, die in Richtung der Seite des Gehäuses strömt, wo die Regale für die Trocknereinheiten angeordnet sind, strömt zwangsläufig in den Trocknungsbereich ein.

Andererseits ist aus der Kurve (B) klar ersichtlich, daß die Strömungs­ geschwindigkeiten der Reinstluft an verschiedenen Stellen innerhalb des Systems für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung relativ gleichförmig sind. Diese gleichförmigen Strömungsgeschwindigkeiten minimieren oder verhindern das Auftreten von jeglicher Druckdifferenz innerhalb des Gehäuses, so daß die Reinstluft beim Strömen zu dem unteren Abschnitt des Gehäuses davon abgehalten wird, horizontal zu strömen.

Somit wird verhindert, daß die Luft in die Regale für die Trocknereinheiten ein­ strömt. Wie bereits zuvor beschrieben, können die Strömungsgeschwindigkeiten der Reinstluft an verschiedenen Stellen innerhalb des Gehäuses durch ein Steuern des effektiven Bereichs der Entlüftungsöffnung des Rostes gleichförmig gemacht werden.

Die folgende Tabelle 1 zeigt Druckdifferenzen zwischen den Umgebungen inner­ halb und außerhalb des Trocknungsbereichs und der resultierenden Abweichung der Linien- bzw. Zeilenbreiten eines maskierten Schutzlackfilms auf dem Wafer, der auf den Regalen getrocknet wird.

Tabelle 1

Effekt der Druckdifferenz auf die Grenzabmessung

Die obigen Daten sind durch Messung der Abweichung der Grenzabmessungen der Muster erzielt worden, nachdem ein Schutzlackfluß durch ein PEB-Verfahren bei 120°C hergestellt worden ist. Die Klassifikation (a) in Tabelle 1 stellt den Fall eines Wafers dar, der in einem herkömmlichen System für ein Photoverfahren verarbeitet worden ist, und Klassifikation (b) stellt den Fall eines Wafers dar, der durch ein System für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung verarbeitet worden ist.

Wie aus der Tabelle 1 ersichtlich, besteht in dem herkömmlichen System für ein Photoverfahren eine Druckdifferenz zwischen den Umgebungen innerhalb der Regale für die Trocknereinheiten und außerhalb der Regale für die Trocknereinheiten (d. h. in­ nerhalb des Gehäuses). Folglich weist die Grenzabmessung eines Musters auf dem Wafer nach dem Schutzlackflußverfahren eine Abweichung von 50 nm oder mehr auf. Gemäß der vorliegenden Erfindung besteht jedoch keine Druckdifferenz zwischen den Umgebungen innerhalb der Regale und innerhalb des Gehäuses. Somit wird verhindert, daß Reinstluft in die Regale einströmt. Somit wird die Temperatur innerhalb der Regale konstant gehalten. Demzufolge wird eine Abweichung der Grenzabmessung eines Musters, das auf einem Wafer ausgebildet ist, der in dem Regal getrocknet wird, von 35 nm oder weniger eingehalten.

Bei einer anderen Ausführungsform eines Systems für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung, das in Fig. 9 gezeigt ist, ist ein Luftfilter 373 in dem Lufteinlaßbereich an dem oberen Abschnitt des Gehäuses 300, der sich in Richtung des Trocknungsbereichs oberhalb der Regale 340a für die Trocknereinheiten erstreckt, in­ stalliert. Ein Lufteinschließungsdamm in der Form eines Schattenkastens 391 umfaßt den Raum 340b, der oberhalb der Regale 340a und unterhalb der Luftfiltereinheit 373b besteht. Eine optionale Schattenplatte 394 kann gegenüber dem Schattenkasten 391 an der oberen Oberfläche des Luftfilters vorgesehen werden. Wie es in Fig. 10 gezeigt ist, weist der Schattenkasten 391 Bodenflansche auf, die mit Bolzen- bzw. Schrau­ benöffnungen 392 versehen sind. Der Schattenkasten 391 ist an der oberen Oberfläche des Regals 340a durch Schrauben 393 befestigt, die durch die Schraubenöffnungen 392 geführt sind. Die Schattenplatte 394 verhindert, daß die durch die Gebläseleitungen 372 zugeführte Reinstluft in einen Abschnitt des Luftfilters 373 einströmt, der sich direkt oberhalb der Regale 340a befindet, wohingegen der Schattenkasten 391 verhindert, daß Luft in und aus den Raum 340b oberhalb der Regale 340a strömt.

Daher wird verhindert, daß die Luft in dem oberen Bereich der Regale 340a tur­ bulent wird, so daß aus dem Filter 373 in das Gehäuse eindringende Luft in einem la­ minaren Zustand abwärts strömt. Somit ist die Menge an in die Regale 40a strömende Reinstluft minimal. Die Menge an in das Gehäuse 300 durch die zwei Luftfilter 373 zugeführte Reinstluft kann durch Schieber 374 derart gesteuert, daß die Reinstluft in­ nerhalb des Gehäuses 300 gleichförmig verschiedenen Bereichen zugeführt wird.

Gemäß Fig. 11, die eine weitere Ausführungsform eines Systems für ein Photo­ verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, kontaktiert ein Lufteinschließungs­ damm in der Form eines obersten Regals der Regale 440a die untere Oberfläche eines Luftfilters 473, so daß kein Luftraum zwischen dem Regal und dem Luftfilter 473 be­ steht. Eine optionale Schattenplatte 494 kann an der oberen Oberfläche dieses Ab­ schnitts des Luftfilters 473, welcher das Regal kontaktiert, vorgesehen werden.

Somit wird verhindert, daß die dem Gehäuse 400 durch die Gebläseleitung 472 zugeführte Reinstluft horizontal zwischen dem oberen Bereich der Regale 400a und des Luftfilters 473 strömt. Somit strömt die in das Gehäuse aus dem Filter 473 eindringende Luft als ein laminarer Luftstrom, und die Menge der in den Trocknungsbereich eindrin­ genden Reinstluft ist minimal. Die Menge an Reinstluft, die in das Gehäuse 400 über die zwei Luftfilter 473 zugeführt wird, kann durch Schieber 474 derart gesteuert werden, daß die Strömungsgeschwindigkeit der Reinstluft über die verschiedenen Be­ reiche des Gehäuses gleichförmig verteilt ist.

Als nächstes zeigen die Fig. 12 bis 14 eine Trocknereinheit der vorliegenden Er­ findung. Die Trocknereinheit enthält ein Gehäuse mit einer oberen Platte 510 und einer unteren Platte 512. Die obere Platte weist einen Wafereingang 511 auf, durch welchen ein Wafer 10 in die Einheit geladen wird. Das rückwärtige Ende des Gehäuses ist offen. Eine Trocknungskammer 520 zum Trocknen des Wafers 10 bei einer vorbestimmten Temperatur ist innerhalb des Gehäuses 510 vorgesehen. Die Trocknungskammer 520 enthält eine untere Platte 521, welche auf der Bodenplatte 512 des Gehäuses aufsetzt, eine Heizung 523 zum Erhitzen des Wafers 10 und eine obere Platte 522, welche so gelagert ist, daß sie relativ zu der unteren Platte 521 durch einen nicht näher dargestell­ ten Hebemechanismus angehoben oder abgesenkt werden kann. Nachdem der Wafer 10 auf die untere Platte 521 geladen worden ist, wird die untere Platte 522 abgesenkt, um den Wafer 10 abzudecken.

Die Trocknungskammer 520 ist von einem Baugruppeninstallationsabschnitt (board installation portion) 530, welcher zahlreiche Hilfsleitungen und Baugruppen (boards) unterstützt, und von Kühlwasserleitungen 540 zum Kühlen der Trocknungs­ kammer 520 umgeben. Der Baugruppeninstallationsabschnitt 530 und die Kühlwasser­ leitungen 540 weisen einen thermischen Effekt auf, welcher, wenn er außer Acht gelas­ sen wird, Temperaturschwankungen in der Trocknungskammer 520 erzeugen würde und die Temperatur der Trocknungskammer 520 erniedrigen würde. Daher enthält die Trocknereinheit einen thermischen Isolator zum Schutz der Trocknungskammer 520 vor äußeren thermischen Effekten. Der thermische Isolator kann eine Isolationsbeschichtung 550 zur thermischen Isolierung der Trocknungskammer 520 und eine Isolierungsplatte 560, die die Kühlwasserleitungen 540 abdeckt, enthalten.

Die Isolationsabdeckung 550 deckt die Trocknungskammer 520 ab, und die untere Oberfläche der Isolationsabdeckung 550 ist an der Bodenplatte 512 des Gehäuses der Trocknereinheit befestigt. Die Vorderseite der Isolationsabdeckung 550 ist offen, so daß der Wafer 10 in die Trocknungskammer 520 eingeführt oder entfernt werden kann. Die Isolationsabdeckung 550 und die Isolationsplatte 560 dienen dazu, die Temperatur eines Wafers 10 innerhalb der Trocknungskammer 520 gleichförmig aufrecht zu erhalten.

Vorzugsweise weist die Isolationsabdeckung 550 eine äußere Platte 551 und eine innere Platte 552 auf. Die äußere Platte 551 ist aus rostfreiem Material hergestellt und hält die Form der Isolationsabdeckung 550 aufrecht. Die äußere Platte 551 ist durch ein Preßformen (press-molding) einer Platte des rostfreien Materials, z. B. rostfreier Stahl, ausgebildet, um die Anwendung eines Schweißens soweit wie möglich während des Herstellungsverfahrens zu vermeiden. Die Oberfläche der äußeren Platte 551 ist poliert, um zu verhindern, daß Fremdpartikel, wie beispielsweise Staub, erzeugt werden und daran haften. Die innere Platte 552 ist aus einem Kunststoff hergestellt, der eine ex­ zellente Wärmebeständigkeits- und Wärmeisolationseigenschaften aufweist, wie bei­ spielsweise Teflon (PVDF). Ebenso ist die innere Platte 552 vorzugsweise aus einem Material hergestellt, welches nicht leicht durch Wärme verformbar ist und welches keinen Staub oder Ionenverunreinigungen erzeugt.

Wie es in Fig. 13 gezeigt ist, ist eine Luftabzugsöffnung 555 in der rückwärtigen Wand der Isolationsabdeckung 550 ausgebildet und ein Knopf 556 über der Luftabzug­ söffnung 555 vorgesehen, um den Grad zu steuern, mit welchem die Luftabzugsöffnung 555 geöffnet sein kann. Eine Luftabzugsöffnung 555 und ein Knopf 556 sind jeweils an der linken und rechten Seite der rückwärtigen Wand der Isolationsabdeckung vorge­ sehen, so daß die Reinstluft gleichförmig innerhalb der Isolationsabdeckung 550 strömt. Somit ist die Temperatur an der linken und rechten Seite des Wafers 10 gleichförmig. Ebenso weist der Knopf 556 vorzugsweise Maßeinteilungen 556a auf, die es erlauben, den Grad mit welchem die Luftabzugsöffnung 555 geöffnet ist, an dem Knopf abzu­ lesen.

Die Isolationsplatte 560 schützt die Kühlwasserleitungen 540, womit verhindert, daß die Temperatur an der Seite der Trocknungskammer 520 nahe der Kühlwasser­ leitungen verringert wird. Somit wird verhindert, daß die Leitungen 540 Temperatur­ differenzen auf einem Wafer verursachen, der sich in der Trocknungskammer befindet. Die Isolationsplatte 560 weist ebenso vorzugsweise eine äußere Platte 561 auf, die aus einem rostfreien Stahl hergestellt ist, und eine innere Platte, die aus einem Kunststoff mit exzellenter Wärmebeständigkeit hergestellt ist, wie es in Fig. 14 gezeigt ist. Die äußere Platte weist an ihren beiden Seiten Flansche auf. Schraubeneinfügeöffnungen 563 sind durch diese Flansche ausgebildet. Die Isolationsplatte 560 kann an der Seiten­ wand des Gehäuses 510 durch ein Einfügen von Schrauben durch die Schraubenein­ fügeöffnungen 563 befestigt werden. Die äußere Platte 561 ist durch ein Preßformen einer Platte des rostfreien Material ausgebildet, um die Anwendung von Schweißen soweit wie möglich während des Herstellungsverfahrens zu vermeiden. Die Oberfläche der äußeren Platte 561 ist poliert, um zu verhindern, daß Fremdpartikel, wie beispiels­ weise Staub, erzeugt werden und daran haften. Nuten 565 sind auf der inneren Ober­ fläche der inneren Platte 562 ausgebildet, um die Kühlwasserleitungen aufzunehmen.

Bei dem System für ein Photoverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung, wie es vorstehend beschrieben ist, wird ein abwärts gerichteter laminarer Strom an Reinstluft effektiv und stabil innerhalb des Gehäuses hergestellt, wodurch ein Reinstluftstrom in die Regale für die Trocknereinheiten unterdrückt wird. Weiterhin wird verhindert, daß die Kühlwasserleitungen innerhalb des Regals einen thermischen Einfluß auf einen Wafer in der Trocknungskammer der Einheit haben. Demzufolge kann die Temperatur auf dem Wafer gleichmäßig gehalten werden. Daher kann das System für ein Photo­ verfahren der vorliegenden Erfindung einen Schutzlackfilm auf dem Wafer mit einer hoch gleichförmigen Dicke und einem Schutzlackmuster mit einer hoch gleichförmigen Grenzabmessung herstellen.

Ebenso wird die Reinstluft innerhalb des Gehäuses direkt durch den Rost an dem Boden des Gehäuses aufgrund der laminaren Eigenschaft des Luftstroms entlüftet werden. Somit wird das Innere des Gehäuses recht sauber gehalten und es wird verhin­ dert, daß Wafer innerhalb des Gehäuses durch Staub oder dergleichen verunreinigt werden. Daher trägt die vorliegende Erfindung zur Erhöhung der Ausbeute an Halb­ leiterprodukten bei.

Obgleich die vorliegende Erfindung vorstehend in bezug auf ihre bestimmten Ausführungsformen beschrieben worden ist, sind dem Fachmann ohne weiteres zahl­ reiche Modifikationen ersichtlich. Somit liegen alle diese Modifikationen innerhalb des Inhalts und des Umfangs der Erfindung, wie er durch die beigefügten Ansprüche defi­ niert ist.

Claims (15)

1. System zum Bearbeiten von Halbleiterwafern mit:
einem Gehäuse mit einem oberen Abschnitt, der einen Reinstlufteinlaß definiert, durch welchen Reinstluft in das Gehäuse eingeführt wird, einer Bodenwand, die eine Entlüftungsöffnung definiert, durch welche Reinstluft aus dem Gehäuse ent­ lüftet wird, einer ersten Seite des Gehäuses, das einen Trocknungsbereich des Systems definiert, und einer zweiten Seite des Gehäuses, das einen Be­ schichtungsbereich des Systems definiert, der von dem Trocknungsbereich beab­ standet ist;
einer Vielzahl von Luftfiltern, die an dem Reinstlufteinlaß des Gehäuses ange­ ordnet sind;
einer Vielzahl von Schichten von Trocknereinheiten, die an dem Trocknungs­ bereich in dem Gehäuse angeordnet sind;
eine Beschichtungseinheit zum Beschichten von Wafern mit einem Schutzlack, wobei die Beschichtungseinheit in dem Beschichtungsbereich des Gehäuses ange­ ordnet ist und auf der Bodenwand des Gehäuses ruht;
einem Roboter, der zwischen dem Trocknungsbereich und dem Beschichtungs­ bereich zum Transportieren der Wafer zwischen den Trocknereinheiten und der Beschichtungseinheit angeordnet ist, wobei der Roboter auf der Bodenwand des Gehäuses ruht;
einer Luftzuführeinheit zum Zuführen von Reinstluft in das Gehäuse über den Reinstlufteinlaß an dem oberen Abschnitt des Gehäuses; und
einem Luftstromdamm, der so aufgebaut ist, daß er verhindert, daß die in das Ge­ häuse über den Reinstlufteinlaß eindringende Reinstluft in den oberen Bereich des Trocknungsbereichs horizontal strömt und dadurch die Luft zwingt, als ein la­ minarer Strom in Richtung der Entlüftungsöffnung an der dem Beschichtungs­ bereich gegenüberliegenden Seite der Trocknereinheiten abwärts zu strömen.

2. Bearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei der Boden des Gehäuses einen Rost mit einer Vielzahl von Luftabzugsöffnungen aufweist, die die Entlüftungsöffnung bilden.

3. Bearbeitungssystem nach Anspruch 2, wobei der Rost eine Einrichtung zum Ver­ ändern des Bereichs der Entlüftungsöffnung aufweist.

4. Bearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei die Luftfilter einen ersten Luftfilter, der direkt oberhalb des Roboters angeordnet ist und an dem Trocknungsbereich abschließt, und einen zweiten Luftfilter enthält, der direkt oberhalb des Be­ schichtungsbereichs angeordnet, und der Luftstromdamm an dem oberen Bereich des Trocknungsbereichs in der Nähe des ersten Luftfilters angeordnet ist.

5. Bearbeitungssystem nach Anspruch 4, wobei die ersten und zweiten Luftfilter jeweils eine Vielzahl von eigenständigen Luftfiltereinheiten aufweisen.

6. Bearbeitungssystem nach Anspruch 4, das weiterhin eine Schiebereinrichtung aufweist, die es gestattet, die Strömungsgeschwindigkeit der Reinstluft, die durch die ersten und zweiten Filter strömt, relativ zueinander einzustellen.

7. Bearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei einer der Luftfilter sich an seinem oberen Bereich in den Trocknungsbereich erstreckt, ein Raum zwischen der einen Filtereinheit und der obersten der Trocknereinheiten in dem Trocknungsbereich definiert ist, und der Luftstromdamm einen Kasten aufweist, der den Raum von einem Bereich innerhalb des Gehäuses isoliert, in welchen Reinstluft von dem Reinstlufteinlaß zu der Entlüftungsöffnung strömt.

8. Bearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei einer der Luftfilter sich in dem oberen Bereich in den Trocknungsbereich erstreckt, und der Lufstromdamm ein Regal aufweist, das an die Bodenoberfläche von einem der Luftfilter angrenzt.

9. Bearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei jede Trocknereinheit aufweist:
ein Gehäuse mit einer Vorderwand, in welcher ein Wafereingang ausgebildet ist,
und mit einer offenen Rückwand; eine Trocknungskammer innerhalb des Gehäuses, wobei die Trocknungskammer eine untere Platte, eine Heizung, die an der unteren Platte montiert ist, und eine obere Platte aufweist, die sich über die untere Platte erstreckt und in der Einheit derart montiert ist, daß sie nach oben und unten relativ zu der unteren Platte be­ weglich ist; und
einen thermischen Isolator, der die Trocknungskammer schützt.

10. Bearbeitungssystem nach Anspruch 9, wobei der thermische Isolator eine Isola­ tionsabdeckung ist, die die Trocknungskammer abdeckt, wobei die Isolations­ abdeckung eine offene Vorderseite aufweist, die so bemessen ist, daß sie einem Wafer in der Trocknungskammer Platz bietet.

11. Bearbeitungssystem nach Anspruch 10, wobei die Isolationsabdeckung eine äußere Platte aus rostfreiem Stahl und eine innere Platte aus Kunststoff aufweist.

12. Bearbeitungssystem nach Anspruch 10, wobei die Isolationsabdeckung an den linken und rechten Seiten ihrer rückwärtigen Abdeckung Luftabzugsöffnungen, die gegenüber der offenen Vorderwand der Isolationsabdeckung liegen, und Knöpfe aufweist, durch welche der Grad mit welchem die Luftabzugsöffnungen geöffnet sind, eingestellt werden kann.

13. Bearbeitungssystem nach Anspruch 12, wobei jeder der Knöpfe eine Maßteilung aufweist, so daß der Grad, mit welchem die Luftabzugsöffnungen geöffnet sind, von den Knöpfen abgelesen werden kann.

14. Bearbeitungssystem nach Anspruch 9, daß weiterhin Wasserleitungen aufweist, die sich durch den Trocknungsbereich erstrecken, und wobei der thermische Iso­ lator eine Abdeckungsplatte ist, die an dem Gehäuse montiert ist und die Wasser­ leitungen abdeckt, um die Trocknungskammer vor den Wasserleitungen thermisch zu schützen.

15. Bearbeitungssystem nach Anspruch 14, wobei die Abdeckungsplatte eine äußere Platte aus rostfreiem Stahl und eine innere Platte aus Kunststoff aufweist.