KR20120058420A - 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

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KR20120058420A
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노리후미 사또오
와따루 기요따
다이스께 이시마루
신이찌 마찌도리
이꾸오 스나까
시게노리 가메이
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Abstract

본 발명의 과제는, 반송 아암에의 도포막의 부착을 억제하면서, 기판을 적절하게 처리하는 것이다.
도포 현상 처리 시스템(1)은, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 조절하는 위치 조절 장치(42)와, 웨이퍼(W) 상에 폴리이미드 용액을 도포하는 도포 처리 장치와, 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 장치(80)를 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 곡률 반경으로 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 만곡하는 아암부와, 아암부로부터 내측으로 돌출되어, 웨이퍼(W)의 이면을 보유 지지하는 보유 지지부를 구비한다. 위치 조절 장치(42)는, 웨이퍼(W)의 이면의 중심부를 보유 지지하는 척과, 척에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치를 검출하는 위치 검출부와, 척을 이동시키는 이동 기구와, 위치 검출부에 의한 검출 결과에 기초하여, 척에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치가 아암부의 중심 위치에 합치하도록 이동 기구를 제어하는 제어부를 구비한다.

Description

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하,「웨이퍼」라 함)에 포토리소그래피 처리를 행하여, 웨이퍼 상의 폴리이미드막에 비아 홀 등의 소정의 패턴을 형성하는 것이 행해지고 있다. 즉, 웨이퍼 상에 폴리이미드 용액을 도포하여 폴리이미드막을 형성하는 도포 처리, 당해 폴리이미드막에 소정의 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 폴리이미드막을 현상하는 현상 처리 등이 순차 행해져, 웨이퍼 상의 폴리이미드막에 소정의 패턴이 형성된다.
이들 일련의 포토리소그래피 처리는, 통상, 웨이퍼를 처리하는 각 처리 장치나 웨이퍼를 반송하는 반송 장치 등을 탑재한 도포 현상 처리 시스템을 이용하여 행해진다(특허 문헌 1).
그런데, 웨이퍼에 처리를 실시할 때에는, 웨이퍼는 처리 장치의 소정의 위치에 정확하게 배치되어야 한다. 이 웨이퍼의 위치 정렬은, 예를 들어 웨이퍼를 보유 지지하여 각 처리 장치에 반송을 행하는 핀셋(이하,「반송 아암」이라 함)에 의해 행해진다. 이 경우, 반송 아암의 기판 보유 지지부에 가이드를 설치하여, 웨이퍼를 수취할 때에 기판 보유 지지부까지 웨이퍼를 미끄러지게 함으로써 위치 정렬을 행한다(특허 문헌 2).
일본 특허 출원 공개 평8-46010호 공보 일본 특허 출원 공개 제2010-258170호 공보
그러나 폴리이미드 용액은 고점도이므로, 상술한 도포 처리가 행해지는 도포 처리 장치에 있어서 웨이퍼 상에 폴리이미드 용액을 도포한 후, 도포 처리 장치로부터 웨이퍼를 반출할 때에는, 폴리이미드막의 건조 상태는 아직 불충분하다. 그로 인해, 반송 아암에 의해 웨이퍼를 반송하는 동안에, 반송 아암에 웨이퍼의 주연부가 접촉하여 당해 반송 아암에 폴리이미드막이 부착되어 버릴 우려가 있다. 이와 같이 폴리이미드막이 반송 아암에 부착되면, 그 부착물이 시스템 내에 비산되거나, 혹은 다른 웨이퍼에 전사되거나 하여 파티클 오염을 야기시키는 요인으로 된다.
따라서, 발명자들은, 웨이퍼의 주연부가 반송 아암에 접촉하지 않는 상태에서 웨이퍼를 반송하는 것을 시도해 보았다. 그러나 이러한 경우, 반송 아암의 가이드가 기능하지 않아, 웨이퍼의 위치 결정을 할 수 없다. 그리고 예를 들어 처리 장치에 반입되기 전에 반송 아암의 중심 위치와 웨이퍼의 중심 위치가 어긋나 있는 경우, 웨이퍼는 처리 장치의 소정의 위치에 정확하게 배치되지 않는다. 이로 인해, 당해 처리 장치에 있어서 웨이퍼를 적절하게 처리할 수 없다.
본 발명은 이러한 점에 비추어 이루어진 것이며, 반송 아암에의 도포막의 부착을 억제하면서, 기판을 적절하게 처리하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 기판 처리 시스템이며, 기판을 처리하는 복수의 처리 장치와, 기판의 중심 위치를 조절하는 위치 조절 장치와, 상기 처리 장치와 상기 위치 조절 장치에 대해 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 상기 각 장치의 동작을 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 시스템이며, 상기 기판 반송 장치는, 기판의 직경보다 큰 곡률 반경으로 기판의 주연부를 따라 만곡하는 아암부와, 상기 아암부로부터 내측으로 돌출되어, 기판의 이면을 보유 지지하는 보유 지지부를 구비하고, 상기 위치 조절 장치는, 기판의 이면의 중심부를 보유 지지하고, 회전 가능 및 수평 이동 가능한 적재대를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치가 상기 아암부의 중심 위치에 합치하도록 상기 적재대를 회전 및 수평 이동시키도록 제어하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 우선, 위치 조절 장치에 있어서, 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치가 아암부의 중심 위치에 합치하도록 조절된다. 그렇게 하면, 그 후 기판 반송 장치에 의해 위치 조절 장치로부터 기판이 반출될 때, 적재대로부터 아암부의 적절한 위치로 기판을 전달할 수 있다. 즉, 아암부의 중심 위치와 기판의 중심 위치가 합치하여, 아암부에 기판이 접촉하지 않는다. 그 후, 기판 반송 장치에 의해 처리 장치에 기판을 반송하고, 당해 처리 장치에 있어서 기판에 처리를 행한다. 이때, 아암부의 적절한 위치에 기판이 보유 지지되어 있으므로, 처리 장치 내에서는, 기판은 소정의 위치에 정확하게 배치된다. 이로 인해, 처리 장치에 있어서 기판을 적절하게 처리할 수 있다. 그 후, 기판 반송 장치에 의해 처리 장치로부터 기판이 반출될 때에도, 상술한 바와 같이 아암부의 적절한 위치에 기판이 보유 지지된다. 이로 인해, 기판 반송 장치에 있어서 아암부에 기판이 접촉하지 않는다. 따라서, 기판 상의 도포막이 아암부에 부착되는 일이 없어, 종래와 같이 파티클 오염을 야기시키는 일이 없다. 이상과 같이 본 발명에 따르면, 반송 아암에의 도포막의 부착을 억제하면서, 기판을 적절하게 처리할 수 있다.
상기 위치 조절 장치는, 상기 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치를 검출하는 위치 검출부와, 상기 적재대를 이동시키는 이동 기구를 구비하고, 상기 위치 검출부에 의한 기판의 중심 위치의 검출 결과에 기초하여, 상기 이동 기구는, 상기 적재대를 연직축 주위로 회전시켜, 수평 방향의 일방향으로 이동시켜도 된다.
상기 보유 지지부는, 당해 보유 지지부와 기판 사이의 마찰력에 의해 기판을 보유 지지해도 된다. 또한, 상기 보유 지지부의 선단부에는, 진공 펌프에 접속되는 흡인구가 형성되고, 상기 보유 지지부는, 상기 흡인구로부터의 흡인에 의해 기판을 보유 지지해도 된다.
상기 복수의 처리 장치는, 상기 위치 조절 장치에 의해 중심 위치가 조절된 기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치를 포함해도 된다.
상기 도포액은, 폴리이미드 용액이어도 된다. 또한, 폴리이미드 용액이라 함은, 폴리이미드 전구체, 예를 들어 폴리아미드산을 용매에 용해시킨 용액이다.
상기 기판 처리 시스템은, 상기 도포 처리 장치를 포함하는 처리 장치가 연직 방향으로 다단으로 적층된 처리 블록과, 상기 위치 조절 장치와 다른 처리 장치가 연직 방향으로 다단으로 적층된 다른 처리 블록과, 상기 다른 처리 블록의 상기 위치 조절 장치와 상기 다른 처리 장치에 대해 기판을 반송하는 다른 기판 반송 장치를 갖고, 상기 다른 기판 반송 장치는, 기판의 직경보다 큰 곡률 반경으로 기판의 주연부를 따라 만곡하는 다른 아암부와, 상기 다른 아암부로부터 내측으로 돌출되어, 기판의 이면을 보유 지지하는 다른 보유 지지부를 구비하고 있어도 된다. 이러한 경우, 상기 다른 보유 지지부는, 당해 다른 보유 지지부와 기판 사이의 마찰력에 의해 기판을 보유 지지해도 된다. 또한, 상기 다른 보유 지지부의 선단부에는, 진공 펌프에 접속되는 흡인구가 형성되고, 상기 다른 보유 지지부는, 상기 흡인구로부터의 흡인에 의해 기판을 보유 지지해도 된다.
상기 복수의 처리 장치는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와, 상기 도포 처리 장치에 의해 상기 도포액이 도포된 기판을 열처리하여, 당해 기판 상에 도포막을 형성하는 열처리 장치와, 상기 열처리 장치에 의해 형성된 기판의 주연부 상의 상기 도포막을 세정 제거하는 주연부 세정 장치를 포함하고, 상기 기판 반송 장치는, 상기 온도 조절 장치, 상기 열처리 장치 및 상기 주연부 세정 장치에 대해 기판을 반송해도 된다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 기판을 처리하는 복수의 처리 장치와, 기판의 중심 위치를 조절하는 위치 조절 장치와, 상기 처리 장치와 상기 위치 조절 장치에 대해 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 갖는 기판 처리 시스템을 이용한 기판 처리 방법이며, 상기 기판 반송 장치는, 기판의 직경보다 큰 곡률 반경으로 기판의 주연부를 따라 만곡하는 아암부와, 상기 아암부로부터 내측으로 돌출되어, 기판의 이면을 보유 지지하는 보유 지지부를 구비하고, 상기 위치 조절 장치는, 기판의 이면의 중심부를 보유 지지하고, 회전 가능 및 수평 이동 가능한 적재대를 구비하고, 상기 기판 처리 방법은, 상기 위치 조절 장치에 있어서, 상기 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치가 상기 아암부의 중심 위치에 합치하도록 상기 적재대를 회전 및 수평 이동시키는 위치 조절 공정과, 그 후, 상기 기판 반송 장치를 사용하여 기판의 주연부가 상기 아암부에 접촉되어 있지 않은 상태에서 상기 위치 조절 장치로부터 기판을 반출하여 반송하는 반송 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 위치 조절 장치는, 상기 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치를 검출하는 위치 검출부와, 상기 적재대를 이동시키는 이동 기구를 구비하고, 상기 위치 조절 공정은, 상기 위치 검출부에 의해 기판의 중심 위치를 검출하는 공정과, 당해 위치 검출 결과에 기초하여, 상기 이동 기구에 의해 상기 적재대를 연직축 주위로 회전시켜, 수평 방향의 일방향으로 이동시키는 공정을 갖고 있어도 된다.
상기 복수의 처리 장치는, 기판의 이면의 중심부를 보유 지지하여 회전시키는 다른 적재대와, 상기 다른 적재대에 보유 지지된 기판 상에 상기 도포액을 공급하는 도포액 노즐을 구비한 도포 처리 장치를 포함하고, 상기 반송 공정 후에, 상기 아암부에 보유 지지되는 기판의 중심 위치와 상기 다른 적재대의 중심 위치가 합치하도록, 상기 아암부와 상기 다른 적재대 사이에서 기판의 전달이 행해져도 된다.
상기 도포액은, 폴리이미드 용액이어도 된다.
상기 보유 지지부는, 당해 보유 지지부와 기판 사이의 마찰력에 의해 기판을 보유 지지해도 된다. 또한, 상기 보유 지지부의 선단부에는, 진공 펌프에 접속되는 흡인구가 형성되고, 상기 보유 지지부는, 상기 흡인구로부터의 흡인에 의해 기판을 보유 지지해도 된다.
상기 복수의 처리 장치는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와, 상기 도포 처리 장치에 의해 상기 도포액이 도포된 기판을 열처리하여, 당해 기판 상에 도포막을 형성하는 열처리 장치와, 상기 열처리 장치에 의해 형성된 기판의 주연부 상의 상기 도포막을 세정 제거하는 주연부 세정 장치를 포함하고, 상기 기판 처리 방법은, 상기 위치 조절 공정 전에, 상기 온도 조절 장치에 있어서, 기판의 온도를 소정의 온도로 조절하는 제1 온도 조절 공정과, 상기 도포 처리 장치에 있어서 기판 상에 상기 도포액을 도포한 후, 상기 열처리 장치에 있어서, 기판을 열처리하여 당해 기판 상에 도포막을 형성하는 열처리 공정과, 상기 열처리 공정 후, 상기 온도 조절 장치에 있어서, 기판의 온도를 소정의 온도로 조절하는 제2 온도 조절 공정과, 상기 제2 온도 조절 공정 후, 상기 위치 조절 장치에 있어서, 기판의 중심 위치를 조절하는 다른 위치 조절 공정과, 상기 다른 위치 조절 공정 후, 상기 주연부 세정 장치에 있어서, 기판의 주연부 상의 상기 도포막을 세정 제거하는 주변부 세정 공정을 갖고, 상기 온도 조절 장치, 상기 열처리 장치 및 상기 주연부 세정 장치에 대한 기판의 반송은, 상기 기판 반송 장치를 사용하여 기판의 주연부가 상기 아암부에 접촉되어 있지 않은 상태에서 행해져도 된다. 또한, 제1 온도 조절 공정과 제2 온도 조절 공정에 있어서의 소정의 온도라 함은, 예를 들어 상온이다.
또 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 기판 처리 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키기 위해, 당해 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.
또 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 반송 아암에의 도포막의 부착을 억제하면서, 기판을 적절하게 처리할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 2는 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 3은 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 4는 도포 처리 장치와 폐액 회수 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 5는 도포 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 6은 도포부의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 7은 위치 조절 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 8은 반송 아암의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 9는 반송 아암의 보유 지지부의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 10은 반송 아암의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 11은 위치 조절 장치에 있어서 웨이퍼의 중심 위치를 조절하는 모습을 도시한 설명도로, (a)는 척이 소정의 위치에 대기하는 모습을 도시하는 도면, (b)는 반송 아암으로부터 척에 웨이퍼가 전달된 모습을 도시하는 도면, (c)는 위치 검출부에 의해 웨이퍼의 중심 위치가 검출되는 모습을 도시하는 도면, (d)는 웨이퍼를 연직축 주위로 회전시킨 모습을 도시하는 도면, (e)는 웨이퍼를 X방향으로 이동시킨 모습을 도시하는 도면.
도 12는 도포 처리 장치에 있어서, 반송 아암으로부터 스핀 척에 웨이퍼가 전달되는 모습을 도시하는 설명도.
도 13은 다른 실시 형태에 관한 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 14는 다른 실시 형태에 관한 반송 아암의 보유 지지부의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 평면도이다. 도 2 및 도 3은, 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시하는 바와 같이 예를 들어 외부와의 사이에서 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(2)에는, 카세트 적재대(10)가 설치되어 있다. 카세트 적재대(10)에는 복수, 예를 들어 4개의 카세트 적재판(11)이 설치되어 있다. 카세트 적재판(11)은, 수평 방향인 X방향(도 1 중의 상하 방향)으로 1열로 나란히 설치되어 있다. 이들 카세트 적재판(11)에는, 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(C)를 반입출할 때에, 카세트(C)를 적재할 수 있다.
카세트 스테이션(2)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 X방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는, 연직 방향 및 연직축 주위(θ방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 적재판(11) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 처리 블록(G3)의 소정의 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(3)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 4개의 처리 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들어, 처리 스테이션(3)의 정면측[도 1의 X방향 부(負)방향측]에는, 제1 처리 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측[도 1의 X방향 정(正)방향측]에는, 제2 처리 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y방향 부방향측)에는, 다른 처리 블록으로서의 제3 처리 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y방향 정방향측)에는, 다른 처리 블록으로서의 제4 처리 블록(G4)이 설치되어 있다.
예를 들어, 제1 처리 블록(G1)에는, 도 3에 도시하는 바와 같이 복수의 액처리 장치가 연직 방향으로 적층되어 있다. 예를 들어, 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30, 31), 후술하는 도포 처리 장치(33)에서 배출된 폐액을 회수하는 폐액 회수 장치(32), 웨이퍼(W) 상에 도포액으로서의 폴리이미드 용액을 도포하여 도포막으로서의 폴리이미드막을 형성하는 도포 처리 장치(33), 웨이퍼(W)의 주연부 상의 폴리이미드막을 세정 제거하는 주연부 세정 장치(34)가 하방으로부터 차례로 5단으로 겹쳐져 있다. 또한, 폴리이미드 용액은, 폴리이미드 전구체, 예를 들어 폴리아미드산을 용매에 용해시킨 용액이다.
현상 처리 장치(30, 31)는, 처리시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수, 예를 들어 4개 갖고, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다. 또한, 폐액 회수 장치(32), 도포 처리 장치(33), 주연부 세정 장치(34)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.
예를 들어, 제2 처리 블록(G2)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(40)나, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 어드히전 장치(41), 웨이퍼(W)의 중심 위치를 조절하는 위치 조절 장치(42), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(43)가 연직 방향과 수평 방향으로 나란히 설치되어 있다. 또한, 열처리 장치(40), 어드히전 장치(41), 위치 조절 장치(42) 및 주변 노광 장치(43)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 예를 들어 제2 처리 블록(G2)은 연직 방향으로 4층으로 나누어 설치되어 있다. 예를 들어 제2 처리 블록(G2)에 있어서, 제1 처리 블록(G1)의 현상 처리 장치(30, 31)에 대응하는 위치의 층에는, 열처리 장치(40)가 배치되어 있다. 예를 들어, 제1 처리 블록(G1)의 폐액 회수 장치(32)에 대응하는 위치의 층에는, 열처리 장치(40)와 어드히전 장치(41)가 배치되어 있다. 예를 들어, 제1 처리 블록(G1)의 도포 처리 장치(33)에 대응하는 위치의 층에는, 열처리 장치(40)와 위치 조절 장치(42)가 배치되어 있다. 예를 들어, 제1 처리 블록(G1)의 주연부 세정 장치(34)에 대응하는 위치의 층에는, 열처리 장치(40), 위치 조절 장치(42) 및 주변 노광 장치(43)가 배치되어 있다.
열처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)를 적재하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 적재하여 냉각하는 냉각판을 갖고, 가열 처리와 냉각 처리의 양쪽을 행할 수 있다. 위치 조절 장치(42)의 상세한 구성에 대해 후술한다.
예를 들어, 제3 처리 블록(G3)에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 장치(50, 52, 54, 56)와 웨이퍼(W)의 온도를 조절하는 온도 조절 장치(51, 53, 55)가 설치되어 있다. 이들 장치(50 내지 56)는 하방으로부터 이 순서로 배치되어 있다. 또한, 제3 처리 블록(G3)의 최하층에는, 폐액 회수 장치(32)에서 회수한 폐액이나 주연부 세정 장치(34)로부터 배출되는 폐액을 일단 저류하고, 당해 폐액을 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부로 배출하기 위한 폐액 배출 장치(60)가 배치되어 있다. 폐액 배출 장치(60)에는, 폐액을 일단 저류하기 위한 탱크(도시하지 않음)나, 폐액을 배출하기 위한 펌프(도시하지 않음) 등이 설치되어 있다.
또한, 제4 처리 블록(G4)에는, 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 장치(70, 72, 74, 76)와 웨이퍼(W)의 온도를 조절하는 온도 조절 장치(71, 73, 75)가 설치되어 있다. 이들 장치(70 내지 76)는 하방으로부터 이 순서로 배치되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제1 처리 블록(G1) 내지 제4 처리 블록(G4)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들어 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(80)가 배치되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(80)는, 예를 들어 Y방향, X방향, 연직축 주위(θ방향) 및 연직 방향으로 이동 가능한 반송 아암(81)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(80)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제1 처리 블록(G1), 제2 처리 블록(G2), 제3 처리 블록(G3) 및 제4 처리 블록(G4) 내의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
웨이퍼 반송 장치(80)는, 예를 들어 도 2에 도시하는 바와 같이 연직 방향으로 복수기, 예를 들어 4기 배치되고, 예를 들어 각 처리 블록(G1 내지 G4)의 동일 정도의 높이의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 복수의 웨이퍼 반송 장치(80)는, 제2 처리 블록(G2)이 분할된 4층에 대응하는 위치에 각각 설치되어 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 처리 블록(G3)과 제4 처리 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(90)가 설치되어 있다.
셔틀 반송 장치(90)는, 예를 들어 Y방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(90)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y방향으로 이동하여, 제3 처리 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제4 처리 블록(G4)의 전달 장치(72) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제3 처리 블록(G3)의 X방향 정방향측의 이웃에는, 다른 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(100)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 X방향, 연직축 주위(θ방향) 및 연직 방향으로 이동 가능한 반송 아암(101)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 연직 방향으로 이동하여, 제3 처리 블록(G3) 내의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 제4 처리 블록(G4)의 X방향 정방향측의 이웃에도, 다른 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(102)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(102)는, 예를 들어 X방향, 연직축 주위(θ방향) 및 연직 방향으로 이동 가능한 반송 아암(103)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(102)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 연직 방향으로 이동하여, 제4 처리 블록(G4) 내의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(102)는, 후술하는 웨이퍼 반송 장치(110)의 반송 성능이 높은 경우에는 생략할 수 있다.
인터페이스 스테이션(5)에는, 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 Y방향, 연직축 주위(θ방향) 및 연직 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 처리 블록(G4) 내의 소정의 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(4) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
다음에, 상술한 도포 처리 장치(33)의 구성에 대해 설명한다. 도포 처리 장치(33)는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(130)를 갖고 있다. 처리 용기(130)의 웨이퍼 반송 영역(D)측의 측면에는, 도 5에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 반입출구(131)가 예를 들어 4개소에 형성되어 있다. 이들 반입출구(131)는, 후술하는 도포부(140 내지 143)에 대응하는 위치에 각각 형성되어 있다.
처리 용기(130)의 내부에는, 예를 들어 웨이퍼(W) 상에 폴리이미드 용액을 도포하는 4개의 도포부(140 내지 143)가 설치되어 있다. 도포부(140 내지 143)는, Y방향 부방향(도 5의 좌측 방향)측으로부터 Y방향 정방향(도 5의 우측 방향)측으로 이 순서로 나란히 배치되어 있다.
도 5에 도시하는 바와 같이 도포부(140 내지 143)의 X방향 부방향(도 5의 하방향)측에는, Y방향(도 5의 좌우 방향)을 따라 연신하는 레일(150)이 형성되어 있다. 레일(150)은, 예를 들어 도포부(140)의 Y방향 부방향(도 5의 좌측 방향)측의 외측으로부터 도포부(143)의 Y방향 정방향(도 5의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(150)에는, 2개의 아암(151, 152)이 장착되어 있다. 여기서, X방향 부방향측에 설치된 아암(151)을 제1 아암(151)이라 하고, X방향 정방향측에 설치된 아암(152)을 제2 아암(152)이라 한다.
제1 아암(151)에는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이 폴리이미드 용액을 토출하는 도포액 노즐로서의 제1 폴리이미드 노즐(153)이 지지되어 있다. 제1 아암(151)은, 도 5에 도시하는 노즐 구동부(154)에 의해, 레일(150) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 제1 폴리이미드 노즐(153)은, 도포부(140)의 Y방향 부방향측의 외측에 설치된 대기부(155)로부터 각 도포부(140, 141) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 제1 아암(151)은, 노즐 구동부(154)에 의해 승강 가능하여, 제1 폴리이미드 노즐(153)의 높이를 조절할 수 있다. 제1 폴리이미드 노즐(153)에는, 도 6에 도시하는 바와 같이 공급관(156)을 통해, 제1 폴리이미드 노즐(153)에 폴리이미드 용액을 공급하는 폴리이미드 공급 장치(157)가 접속되어 있다.
또한, 대기부(155)에서는, 제1 폴리이미드 노즐(153)이 대기중, 당해 제1 폴리이미드 노즐(153)의 선단부가 수용되어 세정된다. 이 제1 폴리이미드 노즐(153)의 세정은, 예를 들어 폴리이미드 용액의 린스액에 의해 행해진다. 그리고 제1 폴리이미드 노즐(153)의 세정에 의해 발생하는 폐액은, 예를 들어 대기부(155)에 접속된 액체 배출관(158)으로부터 배출되고, 폐액 회수 장치(32)에 의해 회수된다.
제2 아암(152)에는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이 폴리이미드 용액을 토출하는 도포액 노즐로서의 제2 폴리이미드 노즐(160)이 지지되어 있다. 제2 아암(152)은, 도 5에 도시하는 노즐 구동부(161)에 의해, 레일(150) 상을 이동 가능하다. 이에 의해, 제2 폴리이미드 노즐(160)은, 도포부(143)의 Y방향 정방향측의 외측에 설치된 대기부(162)로부터 각 도포부(142, 143) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 제2 아암(152)은, 노즐 구동부(161)에 의해 승강 가능하여, 제2 폴리이미드 노즐(160)의 높이를 조절할 수 있다. 또한, 상술한 폴리이미드 공급 장치(157)는, 제2 폴리이미드 노즐(160)에도 접속되어, 당해 제2 폴리이미드 노즐(160)에 폴리이미드 용액을 공급한다.
또한, 대기부(162)에서는, 제2 폴리이미드 노즐(160)이 대기중, 당해 제2 폴리이미드 노즐(160)의 선단부가 수용되어 세정된다. 이 제2 폴리이미드 노즐(160)의 세정은, 예를 들어 폴리이미드 용액의 린스액에 의해 행해진다. 그리고 제2 폴리이미드 노즐(160)의 세정에 의해 발생하는 폐액은, 예를 들어 대기부(162)에 접속된 액체 배출관(163)으로부터 배출되고, 폐액 회수 장치(32)에 의해 회수된다.
도포부(140)에는, 도 6에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면의 중심부를 보유 지지하여 회전시키는 다른 적재대로서의 스핀 척(170)이 설치되어 있다. 스핀 척(170)은, 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 스핀 척(170) 상에 흡착 보유 지지할 수 있다.
스핀 척(170)은 샤프트(171)에 장착되어 있다. 스핀 척(170)의 하방에는, 이 샤프트(171)를 통해 예를 들어 모터나 실린더 등을 구비한 회전 구동부(172)가 설치되어 있다. 이 회전 구동부(172)에 의해, 스핀 척(170)은 연직 주위로 소정의 속도로 회전할 수 있고, 또한 승강 가능하게 되어 있다.
스핀 척(170)의 하방측에는, 샤프트(171)를 둘러싸도록 컵 베이스(173)가 설치되어 있다. 컵 베이스(173)는, 스핀 척(170)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면측으로 낙하하는 액체를 받아내어, 회수할 수 있다. 컵 베이스(173)에는, 회수한 폐액을 배출하기 위한 액체 배출관(174)이 접속되어 있다.
스핀 척(170)의 하방이며, 컵 베이스(173) 상에는, 웨이퍼(W)의 이면에 린스액을 분사하는 백 린스 노즐(175, 175)이 예를 들어 2개소에 설치되어 있다. 백 린스 노즐(175)에는, 린스액 공급원(176)에 연통되는 린스액 공급관(177)이 접속되어 있다. 린스액 공급원(176)에는, 폴리이미드 용액의 린스액이 저류되어 있다.
컵 베이스(173)의 외주부에는, 단면 형상이 산형, 즉 상방으로 볼록하게 돌출된 형상의 가이드 링(178)이 설치되어 있다. 이 가이드 링(178)의 외주부는 하방측으로 굴곡되어 연신되어 있다.
스핀 척(170), 스핀 척(170)에 보유 지지된 웨이퍼(W) 및 가이드 링(178)의 측방에는, 이들 스핀 척(170), 웨이퍼(W) 및 가이드 링(178)을 둘러싸도록 컵(180)이 설치되어 있다. 컵(180)은, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아낼 수 있어, 회수할 수 있다.
컵(180)은, 상면에 스핀 척(170)이 승강할 수 있도록 웨이퍼(W)보다도 큰 개구부가 형성되어 있는 동시에, 내주 측면과 가이드 링(178)의 외주연 사이에 배출로를 이루는 간극(181)이 형성되어 있다.
또한, 컵(180)의 하부에는, 컵(180) 내의 분위기를 배기하는 동시에, 컵(180) 내의 폐액을 회수하는 기액 분리부(182)가 환 형상으로 형성되어 있다. 기액 분리부(182)에는, 가이드 링(178)의 외주부와, 컵(180)의 저면에 설치된 구획벽(183)에 의해 굴곡로가 형성되어 있다. 그리고 이 굴곡로에 의해 기액 분리부(182)에서 기체와 액체가 분리된다. 즉, 기액 분리부(182)는, 구획벽(183)에 의해, 컵(180) 내의 폐액을 배출하기 위한 외측 영역(184)과, 컵(180) 내의 분위기를 배기하기 위한 내측 영역(185)으로 구획되어 있다. 외측 영역(184)에는, 컵(180) 내의 폐액을 배출하는 액체 배출관(186)이 접속되어 있다. 또한 내측 영역(185)에는, 컵(180) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관(187)이 접속되어 있다.
컵(180)의 하방에는, 컵 베이스(173)와 컵(180) 내에서 회수된 폐액을 수집하고, 폐액 회수 장치(32)로 배출하기 위한 폐액 용기(190)가 설치되어 있다. 폐액 용기(190)의 상면에는, 컵 베이스(173)에서 회수한 폐액을 배출하는 액체 배출관(174)과, 컵(180) 내에서 회수된 폐액을 배출하는 액체 배출관(186)이 접속되어 있다. 또한, 폐액 용기(190)의 하면에는, 후술하는 폐액 회수 장치(32)의 연직 배관(202)이 접속되어 있다.
또한, 도포부(141, 142, 143)의 구성에 대해서는, 상술한 도포부(140)와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
또한, 주연부 세정 장치(34)는, 상술한 도포 처리 장치(33)의 구성과 거의 마찬가지의 구성을 갖고 있다. 주연부 세정 장치(34)는, 도포 처리 장치(33)의 폴리이미드 노즐(153, 160) 대신에, 스핀 척(170)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연부에 린스액을 공급하는 에지 린스 노즐을 갖고 있다. 에지 린스 노즐은, 각 도포부(140 내지 143)에 각각 개별로 설치되어 있어도 된다. 또한, 각 도포부(140 내지 143)의 폐액 용기(190)에서 회수되는 폐액은, 직접 폐액 배출 장치(60)로 배출된다. 주연부 세정 장치(34)의 그 밖의 구성은, 도포 처리 장치(33)의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
다음에, 상술한 폐액 회수 장치(32)의 구성에 대해 설명한다. 폐액 회수 장치(32)는, 도 4에 도시하는 바와 같이 처리 용기(200)를 갖고 있다.
처리 용기(200)의 내부에는, 도포 처리 장치(33)로부터의 폐액을 회수하는 폐액 회수부로서의 회수 탱크(201)가 설치되어 있다. 회수 탱크(201)는, 연직 배관(202) 및 경사 배관(203)을 통해, 상술한 폐액 용기(190)와 접속되어 있다. 연직 배관(202)은, 폐액 용기(190)로부터 연직 하방으로 연신되어 설치되어 있다. 경사 배관(203)은, 연직 배관(202)의 단부로부터 회수 탱크(201)에 소정의 각도로 경사져 연신되어 설치되어 있다. 이 소정의 각도는, 경사 배관(203) 내를 폐액이 막히는 일 없이 원활하게 흐르는 각도이며, 예를 들어 수평 방향으로부터 15도 이상이다. 또한, 회수 탱크(201)에는, 도포 처리 장치(33)의 대기부(155, 162)로부터의 폐액을 배출하는 액체 배출관(158, 163)도 접속된다.
처리 용기(200)의 내부에는, 회수 탱크(201)로부터 폐액을 배출시키기 위한 펌프(204)가 설치되어 있다. 회수 탱크(201)에는 액체 배출관(205)이 접속되고, 도 3에 도시하는 바와 같이 액체 배출관(205)은 폐액 배출 장치(60)에 연통되어 있다. 그리고 펌프(204)에 의해 회수 탱크(201)로부터 폐액 배출 장치(60)로 폐액이 배출되고, 또한 폐액 배출 장치(60) 내의 펌프에 의해 당해 폐액 배출 장치(60)로부터 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부로 폐액이 배출된다.
또한, 처리 용기(200)의 내부에는, 회수 탱크(201)의 내부를 세정하는 세정 기구(도시하지 않음)나, 회수 탱크(201)로부터 배출되는 폐액의 불순물을 제거하기 위한 필터(도시하지 않음) 등이 설치되어 있어도 된다.
다음에, 상술한 위치 조절 장치(42)의 구성에 대해 설명한다. 위치 조절 장치(42)는, 도 7에 도시하는 바와 같이 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(210)를 갖고 있다. 처리 용기(210)의 웨이퍼 반송 영역(D)측의 측면에는, 웨이퍼(W)의 반입출구(211)가 형성되어 있다.
처리 용기(210) 내에는, 웨이퍼(W)의 이면의 중심부를 흡착 보유 지지하는, 적재대로서의 척(220)이 설치되어 있다. 즉, 척(220)은 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지하지 않는다. 척(220)은, 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 척(220) 상에 흡착 보유 지지할 수 있다.
척(220)에는, 척 구동부(221)가 설치되어 있다. 척 구동부(221)는, 처리 용기(210) 내의 저면에 설치되고, X방향(도 7의 좌우 방향)을 따라 연신되는 레일(222) 상에 설치되어 있다. 이 척 구동부(221)에 의해, 척(220)은 레일(222)을 따라 이동 가능한 동시에, 연직축 주위로 회전 가능하게 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 척 구동부(221)와 레일(222)이 본 발명의 이동 기구를 구성하고 있다.
또한, 처리 용기(210) 내에는, 척(220)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치를 검출하는 위치 검출부(223)가 설치되어 있다. 위치 검출부(223)는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 주연부를 촬상하는 CCD 카메라를 갖고, 척(220)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치, 즉 웨이퍼(W)의 중심부의 소정의 위치로부터의 어긋남량을 검출할 수 있다. 그리고 위치 검출부(223)에 의해 검출된 검출 결과에 기초하여, 후술하는 제어부(300)에 의해 척 구동부(221)의 구동을 제어하여, 척(220)을 소정량 이동시킨다. 구체적으로는, 척(220)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치가 후술하는 웨이퍼 반송 장치(80)의 아암부(230)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 중심 위치에 합치하도록, 척(220)을 이동시킨다.
다음에, 상술한 웨이퍼 반송 장치(80)의 반송 아암(81)의 구성에 대해 설명한다. 반송 아암(81)은, 도 8에 도시하는 바와 같이 대략 3/4 원 환상으로 구성된 아암부(230)를 갖고 있다. 아암부(230)는, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 곡률 반경으로 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 만곡되어 있다. 아암부(230)에는, 당해 아암부(230)로부터 내측으로 돌출되어, 웨이퍼(W)의 주연부 이면을 보유 지지하는 보유 지지부(231)가 복수 개소, 예를 들어 4개소에 설치되어 있다. 보유 지지부(231)의 선단부에는, 도 9에 도시하는 바와 같이 수지제의 O링(232)이 설치되어 있다. 이 O링(232)이 웨이퍼(W)의 주연부 이면과 접촉하고, 당해 O링(232)과 웨이퍼(W) 사이의 마찰력에 의해, 보유 지지부(231)는 웨이퍼(W)의 주연부 이면을 보유 지지한다. 그리고 반송 아암(81)은, 이 보유 지지부(231) 상에 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지할 수 있다. 또한, 아암부(230)의 곡률 반경이 웨이퍼(W)의 직경보다 크기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부는 아암부(230)에 접촉되지 않는다. 또한, 보유 지지부(231)가 웨이퍼(W)의 주연부 이면을 보유 지지하고 있으므로, 보유 지지부(231)와 웨이퍼(W) 사이에서 파티클이 발생해도, 종래와 같이 웨이퍼의 측면을 보유 지지하는 경우에 비해, 당해 파티클이 웨이퍼(W)의 표면측으로 돌아 들어가기 어렵다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면을 깨끗하게 유지할 수 있다.
아암부(230)의 기단부에는, 도 8에 도시하는 바와 같이 아암부(230)와 일체로 형성되고, 또한 아암부(230)를 지지하는 지지부(233)가 설치되어 있다. 지지부(233)에는 아암 구동부(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 아암 구동부에 의해 반송 아암(81)은, 수평 방향, 연직 방향 및 연직축 주위(θ방향)로 이동 가능하게 되어 있다.
다음에, 상술한 웨이퍼 반송 장치(100, 102)의 반송 아암(101, 103)의 구성에 대해 설명한다. 반송 아암(101)은, 도 10에 도시하는 바와 같이 대략 C자형으로 구성된 다른 아암부로서의 아암부(240)를 갖고 있다. 아암부(240)는, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 곡률 반경으로 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 만곡되어 있다. 아암부(240)에는, 당해 아암부(240)로부터 내측으로 돌출되어, 웨이퍼(W)의 주연부 이면을 보유 지지하는 보유 지지부(241)가 복수 개소, 예를 들어 3개소에 설치되어 있다. 보유 지지부(241)의 선단부에는, 도 9에 도시한 O링(232)과 마찬가지의 수지제의 O링(242)이 설치되어 있다. 이 O링(242)이 웨이퍼(W)의 주연부 이면과 접촉하고, 당해 O링(242)과 웨이퍼(W) 사이의 마찰력에 의해, 보유 지지부(241)는 웨이퍼(W)의 주연부 이면을 보유 지지한다. 그리고 반송 아암(101)은, 이 보유 지지부(241) 상에 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지할 수 있다. 또한, 아암부(240)의 곡률 반경이 웨이퍼(W)의 직경보다 크기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부는 아암부(240)에 접촉되지 않는다. 또한, 보유 지지부(241)가 웨이퍼(W)의 주연부 이면을 보유 지지하고 있으므로, 보유 지지부(241)와 웨이퍼(W) 사이에서 파티클이 발생해도, 종래와 같이 웨이퍼의 측면을 보유 지지하는 경우에 비해, 당해 파티클이 웨이퍼(W)의 표면측으로 돌아 들어가기 어렵다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면을 깨끗하게 유지할 수 있다. 또한, 보유 지지부(241)는, 본 발명에 있어서의 다른 보유 지지부를 구성하고 있다.
아암부(240)의 기단부에는, 도 10에 도시하는 바와 같이 아암부(240)와 일체로 형성되고, 또한 아암부(240)를 지지하는 지지부(243)가 설치되어 있다. 지지부(243)에는 아암 구동부(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 아암 구동부에 의해 반송 아암(101)은, 수평 방향, 연직 방향 및 연직축 주위(θ방향)로 이동 가능하게 되어 있다.
또한, 반송 아암(103)의 구성은, 상술한 반송 아암(101)의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
이상의 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(300)가 설치되어 있다. 제어부(300)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네토 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(300)에 인스톨된 것이어도 된다.
다음에, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼(W)의 처리 방법에 대해 설명한다.
우선, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 카세트 스테이션(2)의 소정의 카세트 적재판(11)에 적재된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 취출되어, 처리 스테이션(3)의 제3 처리 블록(G3)의 예를 들어 전달 장치(54)로 반송된다.
다음에, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 온도 조절 장치(53)로 반송되어, 소정의 온도, 예를 들어 상온으로 조절된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제2 처리 블록(G2)의 어드히전 장치(41)로 반송되어, 어드히전 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제3 처리 블록(G3)의 온도 조절 장치(55)로 반송되어, 소정의 온도, 예를 들어 상온으로 조절된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제2 처리 블록(G2)의 위치 조절 장치(42)로 반송된다. 위치 조절 장치(42)에서는, 웨이퍼(W)의 중심 위치가 조절된다. 여기서는, 온도 조절 장치(55)로부터 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)의 중심 위치가 소정의 위치보다 어긋나 있는 경우에 있어서, 위치 조절 장치(42) 내에서 행해지는 위치 조절에 대해 도 11에 기초하여 설명한다.
위치 조절 장치(42)에서는, 도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이 반송 아암(81)의 아암부(230)에 웨이퍼(W)가 적절한 위치에 보유 지지되도록, 즉 아암부(230)의 중심 위치와 웨이퍼(W)의 중심 위치가 합치하도록 웨이퍼(W)의 중심 위치가 조절된다. 이와 같이 위치 조절된 후의 웨이퍼(W)의 중심 위치를, 위치 조절 장치(42)에 있어서 홈 위치(P)로 한다. 그리고 척(220)은, 당해 척(220)의 중심부(CC)가 홈 위치(P)에 위치하도록 대기하고 있다.
이와 같이 척(220)이 대기하고 있는 상태에서, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이 반송 아암(81)으로부터 척(220)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 이때, 웨이퍼(W)의 중심부(CW)는, 홈 위치(P)[척(220)의 중심 위치(CC)]로부터 벗어나 있다.
그 후, 척 구동부(221)에 의해 레일(222)을 따라 웨이퍼(W)를 이동시켜, 도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이 위치 검출부(223)가 웨이퍼(W)의 주연부를 촬상할 수 있는 위치에 웨이퍼(W)가 배치된다. 그 후, 척 구동부(221)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 위치 검출부(223)에 의해 웨이퍼(W)의 중심 위치, 즉 웨이퍼(W)의 중심부(CW)의 어긋남량 TX, TY가 검출된다. 또한, TX, TY는 척(220)의 중심 위치(CC)로부터의 어긋남량이며, TX는 X방향의 어긋남량이고, TY는 Y방향의 어긋남량이다.
그 후, 위치 검출부(223)의 검출 결과에 기초하여, 제어부(300)에 의해 웨이퍼(W)의 중심 위치가 조절된다. 구체적으로는, 도 11의 (d)에 도시하는 바와 같이 TY가 제로로 되도록 웨이퍼(W)를 연직축 주위로 회전시킨다.
그 후, 척 구동부(221)에 의해, 도 11의 (e)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심부(CW)가 홈 위치(P)에 위치하도록 웨이퍼(W)를 X방향으로 이동시킨다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 중심 위치의 조절이 완료된다. 그리고 척(220)으로부터 반송 아암(81)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 이때, 반송 아암(81)의 아암부(230)의 중심 위치와 웨이퍼(W)의 중심 위치가 합치하도록, 웨이퍼(W)는 반송 아암(81)에 보유 지지된다. 즉, 웨이퍼(W)의 주연부는 아암부(230)에 접촉되어 있지 않다.
이와 같이 웨이퍼 반송 장치(80)의 반송 아암(81)에 전달된 웨이퍼(W)는, 다음에 도포 처리 장치(33)로 반송되어, 예를 들어 반송 아암(81)로부터 도포부(140)의 스핀 척(170)으로 전달된다. 이때, 도포 처리 장치(33) 내에서는, 도 12에 도시하는 바와 같이 아암부(230)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치와 스핀 척(170)의 중심 위치가 합치하도록, 반송 아암(81)으로부터 스핀 척(170)으로 웨이퍼(W)가 전달된다.
그 후, 제1 폴리이미드 노즐(153)을 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동시킨다. 계속해서 스핀 척(170)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 회전 구동부(172)에 의해 회전시키는 동시에, 제1 폴리이미드 노즐(153)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 폴리이미드 용액을 공급한다. 웨이퍼(W) 상에 공급된 폴리이미드 용액은, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면의 전체로 확산되고, 웨이퍼(W)의 표면에 폴리이미드 용액이 도포된다. 그 후, 제1 폴리이미드 노즐(153)로부터의 폴리이미드 용액의 공급을 정지한 후, 계속해서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고 웨이퍼(W) 상의 폴리이미드 용액의 막 두께를 조정하고, 당해 폴리이미드 용액을 건조시켜, 웨이퍼(W) 상에 폴리이미드막이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W) 상에 폴리이미드막을 형성한 후, 백 린스 노즐(175)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 린스액을 분사하여, 당해 웨이퍼(W)의 이면을 세정해도 된다.
또한, 제1 폴리이미드 노즐(153)로부터 웨이퍼(W) 상에 폴리이미드 용액을 도포할 때, 웨이퍼(W)로부터 비산되는 폴리이미드 용액은 컵(180) 내 또는 컵 베이스(173)에 회수된다. 또한, 백 린스 노즐(175)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 린스액을 도포할 때, 발생하는 폐액은 컵 베이스(173) 또는 컵(180) 내에 회수된다. 그리고 컵(180)이나 컵 베이스(173)에서 회수된 폐액은, 폐액 용기(190), 연직 배관(202) 및 경사 배관(203)을 통해, 회수 탱크(201)로 배출된다. 이때, 연직 배관(202)과 경사 배관(203)이 소정의 경사를 갖고 있으므로, 연직 배관(202)과 경사 배관(203) 내를 폐액은 막히는 일 없이 원활하게 흐른다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 도포 처리 장치(33)로부터 반출된다. 이때, 도 12에 도시한 경우와 마찬가지로, 스핀 척(170)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치와 아암부(230)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 중심 위치가 합치하도록, 스핀 척(170)으로부터 반송 아암(81)으로 웨이퍼(W)가 전달된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 주연부가 아암부(230)에 접촉하지 않는 상태에서, 웨이퍼(W)는 반송 아암(81)에 보유 지지된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되어, 프리 베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제4 처리 블록(G4)의 온도 조절 장치(75)로 반송되어, 소정의 온도, 예를 들어 상온으로 조절된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제2 처리 블록(G2)의 위치 조절 장치(42)로 반송된다. 위치 조절 장치(42)에서는, 웨이퍼(W)의 중심 위치가 조절된다. 여기서의 웨이퍼(W)의 중심 위치의 조절은, 도 11에서 설명한 웨이퍼(W)의 중심 위치의 조절과 마찬가지이므로 상세한 설명을 생략한다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 주연부 세정 장치(34)로 반송된다. 이때, 주연부 세정 장치(34) 내에서는, 반송 아암(81)의 아암부(230)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치와 스핀 척(170)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 중심 위치가 합치하도록, 반송 아암(81)으로부터 스핀 척(170)으로 웨이퍼(W)가 전달된다.
그 후, 에지 린스 노즐을 웨이퍼(W)의 주연부 상방까지 이동시킨다. 계속해서 스핀 척(170)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 회전 구동부(172)에 의해 회전시키는 동시에, 에지 린스 노즐로부터 웨이퍼(W)의 주연부로 린스액을 공급한다. 이 린스액에 의해 웨이퍼(W)의 주연부 상의 폴리이미드막이 제거되어, 당해 웨이퍼(W)의 주연부가 세정된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 주변 노광 장치(43)로 반송되어, 주변 노광 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제3 처리 블록(G3)의 전달 장치(56)로 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 전달 장치(52)로 반송되고, 셔틀 반송 장치(90)에 의해 제4 처리 블록(G4)의 전달 장치(72)로 반송된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(5)의 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해 노광 장치(4)로 반송되어, 노광 처리된다.
다음에, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해 노광 장치(4)로부터 제4 처리 블록(G4)의 전달 장치(70)로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제2 처리 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제1 처리 블록(G1)의 현상 처리 장치(30)로 반송되어, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제2 처리 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 포스트 베이크 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 제3 처리 블록(G3)의 전달 장치(50)로 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 소정의 카세트 적재판(11)의 카세트(C)로 반송된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W) 상의 폴리이미드막에 소정의 패턴이 형성되고, 일련의 포토리소그래피 처리가 종료한다.
이상의 실시 형태에 따르면, 온도 조절 장치(55)에 있어서의 웨이퍼(W)의 온도 조절 후, 위치 조절 장치(42)에 있어서, 척(220)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치가 반송 아암(81)의 아암부(230)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 중심 위치에 합치하도록 조절된다. 그렇게 하면, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 위치 조절 장치(42)로부터 웨이퍼(W)를 반출할 때, 척(220)으로부터 아암부(230)의 적절한 위치로 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 즉, 아암부(230)의 중심 위치와 웨이퍼(W)의 중심 위치가 합치하도록, 웨이퍼(W)가 반송 아암(81)에 전달된다. 또한 그 후, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 도포 처리 장치(33)에 웨이퍼(W)를 반송할 때에도, 아암부(230)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 중심 위치와 스핀 척(170)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 중심 위치가 합치하도록, 아암부(230)로부터 스핀 척(170)에 적절하게 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 따라서, 스핀 척(170)에 보유 지지된 웨이퍼(W) 상에 폴리이미드 용액을 적절하게 도포하여 폴리이미드막을 형성할 수 있다.
또한, 온도 조절 장치(75)에 있어서의 웨이퍼(W)의 온도 조절 후에도, 위치 조절 장치(42)에 있어서 웨이퍼(W)의 중심 위치가 조절된다. 그렇게 하면, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 위치 조절 장치(42)로부터 웨이퍼(W)를 반출할 때, 척(220)으로부터 반송 아암(81)의 아암부(230)의 적절한 위치로 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 또한 그 후, 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 주연부 세정 장치(34)에 웨이퍼(W)를 반송할 때에도, 아암부(230)로부터 스핀 척(170)의 적절한 위치로 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 따라서, 스핀 척(170)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연부 상의 적절한 위치에 린스액을 공급하여, 당해 주연부를 적절하게 세정할 수 있다.
또한, 위치 조절 장치(42)에 있어서 웨이퍼(W)의 중심 위치가 조절되므로, 그 후 웨이퍼 반송 장치(80)에 의해 웨이퍼(W)를 반송 중, 아암부(230)의 중심 위치와 웨이퍼(W)의 중심 위치가 합치하도록 웨이퍼(W)는 반송 아암(81)에 보유 지지된다. 그리고 이때 반송 아암(81)의 보유 지지부(231)와 웨이퍼(W) 사이에는 마찰력이 발생하므로, 웨이퍼(W)는 보유 지지부(231)로부터 벗어나는 일 없이 반송 아암(81)에 보유 지지된다. 따라서, 아암부(230)에 웨이퍼(W)의 주연부가 접촉하는 일이 없다. 즉, 도포 처리 장치(33)로부터 열처리 장치(40)로의 웨이퍼(W)의 반송, 열처리 장치(40)로부터 온도 조절 장치(75)로의 웨이퍼(W)의 반송, 온도 조절 장치(75)로부터 위치 조절 장치(42)로의 웨이퍼(W)의 반송, 위치 조절 장치(42)로부터 주연부 세정 장치(34)로의 웨이퍼(W)의 반송에 있어서, 아암부(230)에 웨이퍼(W)의 주연부가 접촉하지 않는다. 따라서, 웨이퍼(W) 상의 폴리이미드막이 아암부(230)에 부착되는 일이 없어, 종래와 같이 파티클 오염을 야기시키는 일이 없다. 특히 웨이퍼 상에 고점도의 도포액(예를 들어, 본 실시 형태의 폴리이미드 용액)을 도포하면 반송 아암에 도포막이 부착되기 쉬워지므로, 본 실시 형태는 특히 고점도의 도포액을 사용하는 경우에 유용하다.
이상의 실시의 도포 현상 처리 시스템(1)의 위치 조절 장치(42)는, 제2 처리 블록(G2)에 배치되어 있었지만, 도 13에 도시하는 바와 같이 다른 처리 블록으로서의 제3 처리 블록(G3) 및 제4 처리 블록(G4)에 배치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 상술한 온도 조절 장치(55, 75)로부터의 위치 조절 장치(42)로의 웨이퍼(W)의 반송은, 웨이퍼 반송 장치(80) 대신에, 웨이퍼 반송 장치(100, 102)가 사용된다. 그렇게 하면, 가동률이 높은 웨이퍼 반송 장치(80)에 의한 웨이퍼(W)의 반송을 일부 생략할 수 있다. 또한, 제2 처리 블록(G2)에 있어서 위치 조절 장치(42)가 배치되어 있었던 위치에, 처리 시간이 긴 열처리 장치(40)를 별도 배치할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 처리 전체의 처리량을 향상시킬 수 있다.
또한, 이러한 경우라도, 웨이퍼 반송 장치(100, 102)의 반송 아암(101, 103)에 있어서의 아암부(240)의 곡률 반경이 웨이퍼(W)의 직경보다 크기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부는 아암부(240)에 접촉하지 않는다. 따라서, 웨이퍼(W) 상의 폴리이미드막이 아암부(240)에 부착되는 일이 없어, 종래와 같이 파티클 오염을 야기시키는 일이 없다.
이상의 실시 형태에서는, 위치 조절 장치(42)에 있어서, 척(220)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 연직축 주위로 회전시키는 동시에 X방향으로 이동시키고 있었지만, 당해 웨이퍼(W)를 X방향 및 Y방향의 수평 방향의 2방향으로 이동시켜도 된다. 즉, 위치 검출부(223)에 의해 검출된 웨이퍼(W)의 중심부(CW)의 어긋남량 TX, TY에 기초하여, 웨이퍼(W)를 X방향 및 Y방향으로 이동시켜도 된다. 이러한 경우, 예를 들어 척 구동부(221)가 Y방향으로 신축함으로써, 척(220)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 Y방향으로 이동시켜도 된다.
또한, 이상의 실시 형태의 주연부 세정 장치(34)에는, 도포 처리 장치(33)의 폴리이미드 노즐(153, 160)과 마찬가지의 도포액 노즐이 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 주연부 세정 장치(34)의 도포액 노즐로서는, 예를 들어 도포액으로서의 레지스트액을 공급하는 레지스트 노즐이 설치된다. 그리고 웨이퍼(W) 상에 레지스트 노즐로부터 레지스트액이 공급되어, 당해 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다.
또한, 이상의 실시 형태의 도포 처리 장치(33)에 있어서도, 주연부 세정 장치(34)와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 주연부에 린스액을 공급하는 에지 린스 노즐이 설치되어 있어도 된다.
이상의 실시 형태에서는, 도포액으로서 폴리이미드 용액을 사용한 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명은, 폴리이미드 용액뿐만 아니라, 다른 도포액, 이미지 센서 등의 제조에서 사용되는 컬러 레지스트 등의 고점도의 도포액에 대해서도 적절하게 적용할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 반송 아암(81, 101)에 있어서, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 보유 지지부(231, 241)는 각각 O링(232, 242)을 갖고 있었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 보유 지지부(231, 241)는, 당해 보유 지지부(231, 241)와 웨이퍼(W)의 주연부 이면 사이에 마찰력이 발생하면 좋고, O링(232, 242) 대신에 다른 흡착 패드 등을 갖고 있어도 좋다. 혹은, 도 14에 도시하는 바와 같이 보유 지지부(231)의 선단부에 흡인구(310)를 형성하고, 보유 지지부(231)는 흡인구(310)로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 보유 지지해도 된다. 이러한 경우, 흡인구(310)는, 진공 배관(311)을 통해 진공 펌프(312)에 접속된다. 또한, 보유 지지부(241)에 있어서도, 마찬가지로 진공 펌프(312)에 접속되는 흡인구(310)가 형성되어도 된다.
또한 상술한 바와 같이 본 발명은 특히 고점도의 도포액을 사용하는 경우에 유용하지만, 본 발명은, 비교적 저점도의 도포액, 예를 들어 통상의 레지스트나, SOD(Spin On Dielectric)막용 처리액이나 SOG(Spin On Glass)막용 처리액에 대해서도 적절하게 적용할 수 있다. 이러한 경우라도, 도포막이 반송 아암에 부착되는 것을 방지하고, 파티클 오염을 방지할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 양해된다. 본 발명은 본 예에 한정되지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
1 : 도포 현상 처리 시스템
33 : 도포 처리 장치
34 : 주연부 세정 장치
40 : 열처리 장치
42 : 위치 조절 장치
51, 53, 55, 71, 73, 75 : 온도 조절 장치
80 : 웨이퍼 반송 장치
81 : 반송 아암
100 : 웨이퍼 반송 장치
101 : 반송 아암
102 : 웨이퍼 반송 장치
103 : 반송 아암
153 : 제1 폴리이미드 노즐
160 : 제2 폴리이미드 노즐
170 : 스핀 척
220 : 척
221 : 척 구동부
222 : 레일
223 : 위치 검출부
230 : 아암부
231 : 보유 지지부
232 : O링
240 : 아암부
241 : 보유 지지부
242 : O링
300 : 제어부
310 : 흡인구
312 : 진공 펌프
G1 : 제1 처리 블록
G2 : 제2 처리 블록
G3 : 제3 처리 블록
G4 : 제4 처리 블록
W : 웨이퍼

Claims (18)

  1. 기판을 처리하는 복수의 처리 장치와, 기판의 중심 위치를 조절하는 위치 조절 장치와, 상기 처리 장치와 상기 위치 조절 장치에 대해 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 상기 각 장치의 동작을 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 시스템이며,
    상기 기판 반송 장치는, 기판의 직경보다 큰 곡률 반경으로 기판의 주연부를 따라 만곡하는 아암부와, 상기 아암부로부터 내측으로 돌출되어, 기판의 이면을 보유 지지하는 보유 지지부를 구비하고,
    상기 위치 조절 장치는, 기판의 이면의 중심부를 보유 지지하고, 회전 가능 및 수평 이동 가능한 적재대를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치가 상기 아암부의 중심 위치에 합치하도록 상기 적재대를 회전 및 수평 이동시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위치 조절 장치는, 상기 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치를 검출하는 위치 검출부와,
    상기 적재대를 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 위치 검출부에 의한 기판의 중심 위치의 검출 결과에 기초하여, 상기 이동 기구는, 상기 적재대를 연직축 주위로 회전시켜, 수평 방향의 일방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보유 지지부는, 당해 보유 지지부와 기판 사이의 마찰력에 의해 기판을 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보유 지지부의 선단부에는, 진공 펌프에 접속되는 흡인구가 형성되고,
    상기 보유 지지부는, 상기 흡인구로부터의 흡인에 의해 기판을 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 처리 장치는, 상기 위치 조절 장치에 의해 중심 위치가 조절된 기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도포액은, 폴리이미드 용액인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  7. 제5항에 있어서, 상기 도포 처리 장치를 포함하는 처리 장치가 연직 방향으로 다단으로 적층된 처리 블록과,
    상기 위치 조절 장치와 다른 처리 장치가 연직 방향으로 다단으로 적층된 다른 처리 블록과,
    상기 다른 처리 블록의 상기 위치 조절 장치와 상기 다른 처리 장치에 대해 기판을 반송하는 다른 기판 반송 장치를 갖고,
    상기 다른 기판 반송 장치는, 기판의 직경보다 큰 곡률 반경으로 기판의 주연부를 따라 만곡하는 다른 아암부와, 상기 다른 아암부로부터 내측으로 돌출되어, 기판의 이면을 보유 지지하는 다른 보유 지지부를 구비한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 다른 보유 지지부는, 당해 다른 보유 지지부와 기판 사이의 마찰력에 의해 기판을 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  9. 제7항에 있어서, 상기 다른 보유 지지부의 선단부에는, 진공 펌프에 접속되는 흡인구가 형성되고,
    상기 다른 보유 지지부는, 상기 흡인구로부터의 흡인에 의해 기판을 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  10. 제5항에 있어서, 상기 복수의 처리 장치는,
    기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와,
    상기 도포 처리 장치에 의해 상기 도포액이 도포된 기판을 열처리하여, 당해 기판 상에 도포막을 형성하는 열처리 장치와,
    상기 열처리 장치에 의해 형성된 기판의 주연부 상의 상기 도포막을 세정 제거하는 주연부 세정 장치를 포함하고,
    상기 기판 반송 장치는, 상기 온도 조절 장치, 상기 열처리 장치 및 상기 주연부 세정 장치에 대해 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  11. 기판을 처리하는 복수의 처리 장치와, 기판의 중심 위치를 조절하는 위치 조절 장치와, 상기 처리 장치와 상기 위치 조절 장치에 대해 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 갖는 기판 처리 시스템을 사용한 기판 처리 방법이며,
    상기 기판 반송 장치는, 기판의 직경보다 큰 곡률 반경으로 기판의 주연부를 따라 만곡하는 아암부와, 상기 아암부로부터 내측으로 돌출되어, 기판의 이면을 보유 지지하는 보유 지지부를 구비하고,
    상기 위치 조절 장치는, 기판의 이면의 중심부를 보유 지지하고, 회전 가능 및 수평 이동 가능한 적재대를 구비하고,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 위치 조절 장치에 있어서, 상기 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치가 상기 아암부의 중심 위치에 합치하도록 상기 적재대를 회전 및 수평 이동시키는 위치 조절 공정과,
    그 후, 상기 기판 반송 장치를 사용하여 기판의 주연부가 상기 아암부에 접촉되어 있지 않은 상태에서 상기 위치 조절 장치로부터 기판을 반출하여 반송하는 반송 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 위치 조절 장치는, 상기 적재대에 보유 지지된 기판의 중심 위치를 검출하는 위치 검출부와,
    상기 적재대를 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 위치 조절 공정은,
    상기 위치 검출부에 의해 기판의 중심 위치를 검출하는 공정과,
    당해 위치 검출 결과에 기초하여, 상기 이동 기구에 의해 상기 적재대를 연직축 주위로 회전시켜, 수평 방향의 일방향으로 이동시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 복수의 처리 장치는, 기판의 이면의 중심부를 보유 지지하여 회전시키는 다른 적재대와, 상기 다른 적재대에 보유 지지된 기판 상에 상기 도포액을 공급하는 도포액 노즐을 구비한 도포 처리 장치를 포함하고,
    상기 반송 공정 후에, 상기 아암부에 보유 지지되는 기판의 중심 위치와 상기 다른 적재대의 중심 위치가 합치하도록, 상기 아암부와 상기 다른 적재대 사이에서 기판의 전달이 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 도포액은, 폴리이미드 용액인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  15. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 보유 지지부는, 당해 보유 지지부와 기판 사이의 마찰력에 의해 기판을 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  16. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 보유 지지부의 선단부에는, 진공 펌프에 접속되는 흡인구가 형성되고,
    상기 보유 지지부는, 상기 흡인구로부터의 흡인에 의해 기판을 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 복수의 처리 장치는,
    기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와,
    상기 도포 처리 장치에 의해 상기 도포액이 도포된 기판을 열처리하여, 당해 기판 상에 도포막을 형성하는 열처리 장치와,
    상기 열처리 장치에 의해 형성된 기판의 주연부 상의 상기 도포막을 세정 제거하는 주연부 세정 장치를 포함하고,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 위치 조절 공정 전에, 상기 온도 조절 장치에 있어서, 기판의 온도를 소정의 온도로 조절하는 제1 온도 조절 공정과,
    상기 도포 처리 장치에 있어서 기판 상에 상기 도포액을 도포한 후, 상기 열처리 장치에 있어서, 기판을 열처리하여 당해 기판 상에 도포막을 형성하는 열처리 공정과,
    상기 열처리 공정 후, 상기 온도 조절 장치에 있어서, 기판의 온도를 소정의 온도로 조절하는 제2 온도 조절 공정과,
    상기 제2 온도 조절 공정 후, 상기 위치 조절 장치에 있어서, 기판의 중심 위치를 조절하는 다른 위치 조절 공정과,
    상기 다른 위치 조절 공정 후, 상기 주연부 세정 장치에 있어서, 기판의 주연부 상의 상기 도포막을 세정 제거하는 주변부 세정 공정을 갖고,
    상기 온도 조절 장치, 상기 열처리 장치 및 상기 주연부 세정 장치에 대한 기판의 반송은, 상기 기판 반송 장치를 사용하여 기판의 주연부가 상기 아암부에 접촉되어 있지 않은 상태에서 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  18. 제11항 또는 제12항에 기재된 기판 처리 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키기 위해, 당해 기판 처리 시스템을 제어하는 제어부의 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한, 컴퓨터 기억 매체.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5635452B2 (ja) * 2010-07-02 2014-12-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP6001961B2 (ja) * 2012-08-29 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP5909453B2 (ja) * 2013-03-07 2016-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
TWI705493B (zh) * 2013-07-03 2020-09-21 日商荏原製作所股份有限公司 基板洗淨裝置
JP6182065B2 (ja) * 2013-12-27 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6316082B2 (ja) * 2014-04-30 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6285275B2 (ja) * 2014-04-30 2018-02-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN105097608B (zh) * 2014-05-22 2018-04-24 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种防止高压水雾喷溅的cup结构
JP6674679B2 (ja) * 2015-09-29 2020-04-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
JP6444909B2 (ja) * 2016-02-22 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI638394B (zh) * 2016-07-25 2018-10-11 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
CN107464513B (zh) * 2017-09-18 2023-11-21 惠科股份有限公司 一种显示面板的画面闪烁自动检测系统及检测方法
JP7029914B2 (ja) * 2017-09-25 2022-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102048747B1 (ko) * 2018-04-16 2019-11-26 한국기계연구원 마이크로 소자 전사방법
CN109273396A (zh) * 2018-09-13 2019-01-25 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆承载台位置调节装置
CN115132632A (zh) * 2021-03-26 2022-09-30 深圳中科飞测科技股份有限公司 控制方法和检测装置
WO2024072615A1 (en) * 2022-09-28 2024-04-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a substrate in cleaning modules

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4566726A (en) * 1984-06-13 1986-01-28 At&T Technologies, Inc. Method and apparatus for handling semiconductor wafers
JP2642216B2 (ja) * 1989-05-23 1997-08-20 サイベック システムズ 半導体物品の予備位置決め方法及び装置
JP2920454B2 (ja) * 1993-06-10 1999-07-19 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3213748B2 (ja) 1994-08-04 2001-10-02 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP3485990B2 (ja) * 1995-02-09 2004-01-13 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送装置
JPH07302828A (ja) * 1995-04-24 1995-11-14 Nikon Corp 基板搬送装置
US5700046A (en) * 1995-09-13 1997-12-23 Silicon Valley Group, Inc. Wafer gripper
KR0172730B1 (ko) * 1995-12-30 1999-03-30 김주용 반도체 소자의 아이솔레이션 방법
JPH10284576A (ja) * 1997-04-07 1998-10-23 Mecs:Kk ウェハ搬送装置
JP3774314B2 (ja) * 1998-02-24 2006-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板の保持装置
JP2003224173A (ja) * 2002-01-29 2003-08-08 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体製造装置
JP3933524B2 (ja) * 2002-05-30 2007-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4376072B2 (ja) 2004-01-16 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006156591A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
TW200627093A (en) * 2005-01-28 2006-08-01 Everlight Chem Ind Corp Developer composition
JP4767641B2 (ja) * 2005-09-27 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
JP2008060302A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2009111344A (ja) * 2007-10-12 2009-05-21 Fuji Electric Device Technology Co Ltd スピン処理装置
US8178820B2 (en) * 2008-03-31 2012-05-15 Tokyo Electron Limited Method and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process
JP2010258170A (ja) 2009-04-23 2010-11-11 Tokyo Electron Ltd 基板保持部材、基板搬送アーム及び基板搬送装置

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