JP6182065B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6182065B2
JP6182065B2 JP2013273035A JP2013273035A JP6182065B2 JP 6182065 B2 JP6182065 B2 JP 6182065B2 JP 2013273035 A JP2013273035 A JP 2013273035A JP 2013273035 A JP2013273035 A JP 2013273035A JP 6182065 B2 JP6182065 B2 JP 6182065B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer arm
substrate
transfer
processing
arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013273035A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015128102A (ja
Inventor
勝洋 森川
勝洋 森川
一成 上田
一成 上田
晃 村田
晃 村田
純也 南田
純也 南田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2013273035A priority Critical patent/JP6182065B2/ja
Priority to KR1020140187249A priority patent/KR102263542B1/ko
Priority to US14/580,703 priority patent/US9666463B2/en
Priority to TW103145387A priority patent/TWI593615B/zh
Priority to CN201410834589.5A priority patent/CN104752279B/zh
Publication of JP2015128102A publication Critical patent/JP2015128102A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6182065B2 publication Critical patent/JP6182065B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

開示の実施形態は、基板処理装置に関する。
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板に対して洗浄や成膜といった各種の処理を行う基板処理装置が知られている。
たとえば、特許文献1には、上下2段に積層される複数の液処理ユニットと、上段の処理ユニットに対して基板の搬入出を行う上段の搬送アームと、下段の処理ユニットに対して基板の搬入出を行う下段の搬送アームとを備えた基板処理装置が開示されている。
特開2011−082279号公報
しかしながら、特許文献1に記載の技術には、スループットの向上を図るという点でさらなる改善の余地があった。
たとえば、特許文献1に記載の基板処理装置において、上段の搬送アームの可動範囲は、上段の処理ユニットの高さ範囲内に限定され、下段の搬送アームの可動範囲も、下段の処理ユニットの高さ範囲内に限定されている。このため、たとえば上段の搬送アームに不具合が生じた場合、上段の処理ユニットが使用できなくなり、スループットが低下するおそれがある。
実施形態の一態様は、スループットの向上を図ることのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、複数の処理ユニットと、基板搬送装置とを備える。複数の処理ユニットは、鉛直方向に並べて配置され、基板を処理する。基板搬送装置は、鉛直方向に移動可能であり、処理ユニットに対して基板の搬入出を行う。また、基板搬送装置は、鉛直方向に並べて配置され、かつ、鉛直方向への可動範囲が互いに重複し、独立して鉛直方向へ移動する第1搬送アームと第2搬送アームと、第1搬送アームおよび第2搬送アームの両側に配置される2つの支柱部材と、2つの支柱部材のうちの一方の内部に設けられ、第1搬送アームを鉛直方向に移動させる第1昇降機構と、2つの支柱部材のうちの他方の内部に設けられ、第2搬送アームを鉛直方向に移動させる第2昇降機構と、2つの支柱部材の各々の内部に、2つの支柱部材の並び方向と直交する方向に第1昇降機構および第2昇降機構と並べて設けられ、第1搬送アームおよび第2搬送アームの鉛直方向への移動を案内する2つのガイドレールとを備える。また、実施形態の一態様に係る基板処理装置は、最上段に配置される処理ユニットよりも上方に第1搬送アームを収容可能な第1退避空間を有するとともに、最下段に配置される処理ユニットよりも下方に第2搬送アームを収容可能な第2退避空間を有する。また、第1搬送アームは、第2搬送アームの上方に配置され、第2搬送アームを第2退避空間まで移動させた場合に、最下段に配置される処理ユニットに対する基板の搬入出が可能であり、第2搬送アームは、第1搬送アームを第1退避空間まで移動させた場合に、最上段に配置される処理ユニットに対する基板の搬入出が可能である。
実施形態の一態様によれば、スループットの向上を図ることができる。
図1は、本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式平面図である。 図2は、本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式側面図である。 図3は、本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式背面図である。 図4は、第2搬送装置の構成を示す模式平面図である。 図5は、第2搬送装置の構成を示す模式正面図である。 図6は、従来の基板搬送装置の構成を示す模式正面図である。 図7は、制御装置の構成を示すブロック図である。 図8は、異常対応処理の動作例を示す図である。 図9は、異常対応処理の動作例を示す図である。 図10は、第1搬送アームおよび第2搬送アームに対する処理ユニットの割り当ての例を示す図である。 図11は、変形例に係る基板処理装置の構成を示す模式平面図である。 図12は、第1搬送アームおよび第2搬送アームに対する処理ユニットの割り当ての他の例を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
図1は、本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式平面図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、基板処理装置1は、搬入出ブロック2と、処理ブロック3とを備える。
搬入出ブロック2は、載置ステーション11と、第1搬送領域12とを備える。載置ステーション11には、複数枚の基板、本実施形態では複数枚の半導体ウェハ(以下ウェハW)を水平状態で収容する複数のカセットCが載置される。
第1搬送領域12は、載置ステーション11に隣接して配置される。第1搬送領域12には、第1搬送装置20が配置される。第1搬送装置20は、カセットCと処理ブロック3の後述する収容部30との間でウェハWの搬送を行う。
処理ブロック3は、受渡ステーション13と、2つの処理ステーション14と、第2搬送領域15とを備える。
受渡ステーション13は、搬入出ブロック2の第1搬送領域12に隣接して配置される。受渡ステーション13には、ウェハWを収容する収容部30が配置される。
第2搬送領域15は、受渡ステーション13の収容部30に隣接して配置され、2つの処理ステーション14は、第2搬送領域15のY軸正方向側およびY軸負方向側に隣接して配置される。
各処理ステーション14には、複数の処理ユニット40が鉛直方向に並べて配置される。複数の処理ユニット40の各々は、ウェハWに対して所定の基板処理を行う。ここでは、ブラシを接触させることによる洗浄処理をウェハWに対して行うものとするが、処理ユニット40が行う基板処理の内容は、上記の例に限定されない。たとえば、複数の処理ユニット40の各々は、SC1(アンモニアと過酸化水素水の混合液)などの薬液を用いた洗浄処理を行ってもよいし、成膜処理など洗浄処理以外の基板処理を行ってもよい。
第2搬送領域15には、第2搬送装置50が配置される。第2搬送装置50は、収容部30と処理ユニット40との間でウェハWの搬送を行う。
また、基板処理装置1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部16と記憶部17とを備える。記憶部17には、基板処理装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部16は、記憶部17に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部17にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
次に、処理ブロック3の構成について図2および図3を参照して具体的に説明する。図2は、本実施形態に係る基板処理装置1の構成を示す模式側面図であり、図3は、同模式背面図である。なお、図2および図3では、処理ユニット40を「SCR」と記載する。
図2に示すように、収容部30は、第1収容部31と第2収容部32とを備える。第1収容部31および第2収容部32は、鉛直方向に並べて配置される。
第1搬送装置20は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、カセットCと第1収容部31または第2収容部32との間でウェハWを搬送する。第1搬送装置20は、複数(ここでは、2つ)のウェハ保持部を備えており、複数のウェハWを同時に搬送することができる。
複数の処理ユニット40は、鉛直方向に4つ並べて配置される。ここでは、上から順に処理ユニット41、処理ユニット42、処理ユニット43および処理ユニット44と記載する。また、処理ブロック3には、図2に示す4つの処理ユニット41〜44と同様の処理ユニット45〜48が他方の処理ステーション14にも配置されている(図3参照)。したがって、処理ブロック3は、合計8つの処理ユニット41〜48を備えている。
図3に示すように、第2搬送装置50は、第1搬送アーム51と、第2搬送アーム52とを備える。第1搬送アーム51および第2搬送アーム52は、上から第1搬送アーム51および第2搬送アーム52の順番で鉛直方向に並べて配置される。このように、基板処理装置1は、8つの処理ユニット41〜48に対してウェハWの搬入出を行う2つの搬送アーム(第1搬送アーム51および第2搬送アーム52)を備える。言い換えれば、基板処理装置1には、搬送アームの総数よりも多くの処理ユニット41〜48が配置される。
第1搬送アーム51および第2搬送アーム52は、各々独立して水平方向へのアームの伸縮、鉛直方向への移動および鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、収容部30(第1収容部31または第2収容部32)と処理ユニット41〜48との間でウェハWを搬送する。
第1搬送アーム51および第2搬送アーム52の両側には、一対の支柱部材53a,53bが配置される。一対の支柱部材53a,53bは、第2搬送領域15の下部から上部まで鉛直に延在する。そして、第2搬送領域15の上部および下部には、それぞれ第1搬送アーム51および第2搬送アーム52を収容可能な退避空間S1,S2が設けられる。退避空間S1は、最上段の処理ユニット41,45よりも上方に設けられ、退避空間S2は、最下段の処理ユニット44,48よりも下方に設けられる。
ここで、本実施形態に係る第2搬送装置50は、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52の鉛直方向への可動範囲が互いに重複するように構成される。
かかる第2搬送装置50の構成について図4および図5を参照して具体的に説明する。図4は、第2搬送装置50の構成を示す模式平面図であり、図5は、同模式正面図である。
図4および図5に示すように、第2搬送装置50は、第1搬送アーム51と、第2搬送アーム52と、一対の支柱部材53a,53bと、第1昇降機構54aと、第2昇降機構54bと、第1駆動源55aと、第2駆動源55bと、第1接続部56aと、第2接続部56bとを備える。
第1搬送アーム51および第2搬送アーム52は、鉛直軸まわりに旋回する旋回部と、水平方向へ進退可能なアーム部と、アーム部の先端に設けられるウェハ保持部とを備える。第1搬送アーム51および第2搬送アーム52は、複数(ここでは、2つ)のウェハ保持部を備える。具体的には、第1搬送アーム51は、2つのアーム部51a,51bを備え、第2搬送アーム52も、2つのアーム部52a,52bを備える。
第1昇降機構54aは、一方の支柱部材53aに設けられ、第2昇降機構54bは、他方の支柱部材53bに設けられる。第1昇降機構54aには、第1接続部56aを介して第1搬送アーム51が接続され、第2昇降機構54bには、第2接続部56bを介して第2搬送アーム52が接続される。
具体的には、図5に示すように、第1昇降機構54aは、支柱部材53aの上部に配置される第1プーリ541aと、支柱部材53aの下部に配置される第2プーリ542aと、第1プーリ541aおよび第2プーリ542aに掛け渡されるベルト543aとを備える。
第2プーリ542aには、図4に示す第1駆動源55aが接続され、ベルト543aには、第1接続部56aが接続される。第1昇降機構54aは、上記のように構成され、第1駆動源55aによる回転運動を直動運動に変換することで、第1搬送アーム51を鉛直方向に移動させる。
第2昇降機構54bも第1昇降機構54aと同様の構成を有する。具体的には、第2昇降機構54bは、図5に示すように、第1プーリ541bと第2プーリ542bとベルト543bとを支柱部材53b内に備える。第2プーリ542bには、図4に示す第2駆動源55bが接続され、ベルト543bには、第2接続部56bが接続される。第2昇降機構54bは、上記のように構成され、第2駆動源55bによる回転運動を直動運動に変換することで、第2搬送アーム52を鉛直方向に移動させる。
なお、第1駆動源55a、第2駆動源55bは、たとえばモータである。また、第1昇降機構54aおよび第2昇降機構54bは、たとえばボールネジを用いて構成されてもよい。
また、第2搬送装置50は、一対のガイドレール57a,57bと、連結部材58aとを備える。
一対のガイドレール57a,57bは、鉛直方向に延在するレール部材である。一方のガイドレール57aは、一方の支柱部材53aに設けられ、他方のガイドレール57bは、他方の支柱部材53bに設けられる。
第1搬送アーム51は、かかる一対のガイドレール57a,57bに対して連結部材58aを介して連結される。また、第2搬送アーム52も、連結部材58aと同様の連結部材を介して一対のガイドレール57a,57bに連結される。これにより、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52は、一対のガイドレール57a,57bに案内されながら、それぞれ第1昇降機構54aおよび第2昇降機構54bによって昇降する。
このように、本実施形態に係る第2搬送装置50は、少なくとも処理ユニット41〜48の高さ範囲をカバーする一対の支柱部材53a,53bを備え、一方の支柱部材53aに第1搬送アーム51を昇降させる第1昇降機構54aを設け、他方の支柱部材53bに第2搬送アーム52を昇降させる第2昇降機構54bを設けることとした。かかる構成により、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52の昇降範囲を互いに重複させることができる。
なお、ここでは、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52の双方が、処理ユニット41〜48の全てに対してウェハWの搬入出が可能であるものとするが、たとえば第1搬送アーム51は処理ユニット41〜43,45〜47に対してウェハWの搬入出が可能であり、第2搬送アーム52は処理ユニット42〜44,46〜48に対してウェハWの搬入出が可能であってもよい。
また、本実施形態に係る第2搬送装置50では、一対の支柱部材53a,53bを第1搬送アーム51と第2搬送アーム52とで共用している。このため、第2搬送装置50のコストを抑えることができるとともに、基板処理装置1のフットプリントの増大を抑えることができる。
ここで、従来の基板搬送装置の構成について図6を参照して説明する。図6は、従来の基板搬送装置の構成を示す模式正面図である。
図6に示すように、従来の基板搬送装置50’は、1つの搬送アーム51’と、一対の支柱部材53’,53’と、1つの搬送機構54’を備える。そして、従来の基板処理装置では、かかる基板搬送装置50’が上下2段に積層されていた。
このように、従来の基板処理装置では、2つの搬送アーム51’の昇降範囲が搬送領域の上段側と下段側とに分断されているため、たとえば上段側の搬送アーム51’に不具合が生じた場合、上段側に配置される処理ユニットが全て使用できなくなり、スループットが低下するおそれがあった。
これに対し、本実施形態に係る基板処理装置1では、2つの搬送アーム51,52の昇降範囲が互いに重複しており、一方の搬送アーム51,52の作業範囲に他方の搬送アーム51,52を移動させることができるため、一方の搬送アーム51,52に不具合が生じた場合であっても、スループットの低下を抑えることができる。
次に、制御装置4の構成について図7を参照して説明する。図7は、制御装置4の構成を示すブロック図である。なお、図7では、制御装置4の特徴を説明するために必要な構成要素のみを示しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。
図7に示すように、制御装置4は、制御部16と、記憶部17とを備える。制御部16は、搬送制御部16aと、異常対応処理部16bとを備える。また、記憶部17は、作業データ17aを記憶する。
なお、制御部16は、たとえばCPU(Central Processing Unit)であり、記憶部17に記憶された図示しないプログラムを読み出して実行することにより、搬送制御部16aおよび異常対応処理部16bとして機能する。なお、制御部16は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。
また、基板処理装置1は、異常検出部80を備える。本実施形態において、異常検出部80は、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52の駆動系の異常を検出する。具体的には、異常検出部80は、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52のアームの伸縮動作、鉛直方向への移動動作および鉛直軸を中心とする旋回動作の異常を検出する。また、異常検出部80は、異常を検出した場合にその旨を制御部16の異常対応処理部16bへ出力する処理も行う。
なお、ここでは、異常検出部80が制御装置4の外部に設けられる場合の例を示したが、異常検出部80と同様の処理を制御部16に行わせてもよい。具体的には、制御部16は、第2搬送装置50に対して出力する動作指令と、第2搬送装置50から入力される動作結果の情報との差分に基づき、第2搬送装置50が指令通りに動作したか否かを判定し、指令通りに動作していない場合に異常を検出するように構成してもよい。
搬送制御部16aは、記憶部17に記憶される作業データ17aに基づいて、第2搬送装置50の動作を制御する。
搬送制御部16aは、第1搬送アーム51または第2搬送アーム52に対し、同一の高さに配置される処理ユニット41〜48ごとに処理ユニット41〜48を割り当てる。たとえば、本実施形態では、複数の処理ユニット41〜48のうち、上側4つの処理ユニット41,42,45,46が第1搬送アーム51に割り当てられ、残りの処理ユニット43,44,47,48が第2搬送アーム52に割り当てられるものとする。なお、第1搬送アーム51は、2つのアーム部51a,51bを用いてウェハWを一枚ずつ処理ユニット41,42,45,46へ搬入出することができる。同様に、第2搬送アーム52は、2つのアーム部52a,52bを用いてウェハWを一枚ずつ処理ユニット43,44,47,48へ搬入出することができる。
そして、搬送制御部16aは、第1搬送アーム51に対して処理ユニット41,42,45,46に対するウェハWの搬入出を行わせ、第2搬送アーム52に対して処理ユニット43,44,47,48に対するウェハWの搬入出を行わせる。
異常対応処理部16bは、異常検出部80から所定の異常が発生した旨の通知を受けた場合に、異常対応処理を実行する。ここで、異常対応処理の内容について図8および図9を参照して説明する。
図8および図9は、異常対応処理の動作例を示す図である。なお、図8および図9では、第1搬送アーム51に異常が発生した場合の異常対応処理の動作例を示している。
図8に示すように、異常対応処理部16bは、異常検出部80によって第1搬送アーム51の異常が検出された場合、第2搬送装置50を制御して、第1搬送アーム51を退避空間S1まで移動させる。
ここで、第1搬送アーム51を退避空間S1まで移動させる処理は、第1搬送アーム51のアーム伸縮動作または鉛直軸を中心とする旋回動作の異常が検出された場合に行われる。これは、第1搬送アーム51の鉛直方向への移動動作の異常が検出された場合、すなわち、第1昇降機構54aまたは第1駆動源55aに不具合が生じた場合、第1搬送アーム51を退避空間S1まで移動させることができないためである。
つづいて、異常対応処理部16bは、第1搬送アーム51を退避空間S1まで移動させた後、作業データ17aに基づいて第2搬送装置50を制御して、第2搬送アーム52に対して第1搬送アーム51が行うべき作業を行わせる。すなわち、異常対応処理部16bは、第1搬送アーム51が行うべき処理ユニット41,42,45,46に対するウェハWの搬入出を第2搬送アーム52に行わせる(図9参照)。
このとき、第1搬送アーム51が退避空間S1に退避した状態となっているため、第2搬送アーム52は、処理ユニット41,42,45,46に対するウェハWの搬入出を第1搬送アーム51に阻害されることなく行うことができる。
なお、異常対応処理部16bは、第1搬送アーム51の鉛直方向への移動動作の異常が検出された場合、第1搬送アーム51よりも下方の処理ユニット41〜48(たとえば、第1搬送アーム51が処理ユニット41の正面で停止した場合には、処理ユニット42〜44,46〜48)に対するウェハWの搬入出を第2搬送アーム52に行わせてもよい。
ところで、本実施形態に係る基板処理装置1は、処理ユニット41〜48の割り当て数を第1搬送アーム51と第2搬送アーム52とで異ならせることができる。かかる点について図10を参照して説明する。図10は、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52に対する処理ユニット41〜48の割り当ての例を示す図である。
図10に示すように、制御部16の搬送制御部16aは、たとえば、第1搬送アーム51に対して処理ユニット41〜43,45〜47を割り当て、第2搬送アーム52に対して処理ユニット44,48を割り当てることもできる。
ここで、従来の基板処理装置でも、処理時間が長いウェハと短いウェハとで処理ユニットの割り当て数を異ならせることは可能である。しかしながら、従来の基板処理装置では、2つの搬送アームの昇降範囲が上段と下段とに分かれているため、処理時間が長いウェハと短いウェハとで処理ユニットの割り当て数を異ならせた場合、一方の搬送アームが処理時間の長いウェハと短いウェハの双方を扱うこととなる。この結果、搬送スケジュールが煩雑化したり、処理時間の短いウェハの搬送が処理時間の長いウェハの搬送によって待たされたりするおそれがある。
これに対し、本実施形態に係る第2搬送装置50では、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52の昇降範囲が互いに重複している。このため、処理時間が長いウェハWと短いウェハWとで処理ユニット41〜48の割り当て数を異ならせたとしても、第1搬送アーム51には処理時間の長いウェハWの搬送のみを行わせ、第2搬送アーム52には処理時間の短いウェハWの搬送のみを行わせることができる。
このため、本実施形態に係る基板処理装置1によれば、処理時間の短いウェハWの搬送が処理時間の長いウェハWの搬送によって待たされたり、逆に、処理時間の長いウェハWの搬送が処理時間の短いウェハWの搬送によって待たされたりすることが少なくなる。したがって、処理時間が異なる2種類のウェハWが混在する場合のスループットを向上させることができる。また、搬送スケジュールの煩雑化を防止することもできる。
また、本実施形態に係る基板処理装置1は、処理ブロック3(図1参照)に対してさらに処理ブロック3を連結させることが可能である。そして、基板処理装置1は、複数の処理ブロック3を備えることにより、各搬送アーム51,52に対する処理ユニット41〜48の割り当て数をより細かく設定することが可能となる。
かかる点について図11および図12を参照して説明する。図11は、変形例に係る基板処理装置の構成を示す模式平面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図11に示すように、変形例に係る基板処理装置1Aは、搬入出ブロック2と、2つの処理ブロック3を備える。これらは、搬入出ブロック2、処理ブロック3および処理ブロック3の順に連結される。前段側(X軸負方向側)の処理ブロック3が備える第2搬送装置50は、前段側の収容部30および前段側の処理ユニット40間でウェハWの搬送を行うとともに、前段側の処理ユニット40および後段側(X軸正方向側)の収容部30間でもウェハWの搬送を行う。なお、基板処理装置1Aのように複数の処理ブロック3が連結される場合、ウェハWは、最も奥側の処理ブロック3(ここでは、後段側の処理ブロック3)の処理ユニット41〜48から順に搬送される。
図12は、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52に対する処理ユニット41〜48の割り当ての他の例を示す図である。ここで、図12には、第1搬送アーム51に割り当てられる処理ユニットをハッチング付きで示している。
図12に示すように、制御部16の搬送制御部16aは、前段側の処理ブロック3が備える処理ユニット41〜48のうち、処理ユニット41〜43,45〜47を前段側の第1搬送アーム51に割り当て、残りの処理ユニット44,48を前段側の第2搬送アーム52に割り当てる。また、搬送制御部16aは、後段側の処理ブロック3が備える処理ユニット41〜48のうち、処理ユニット41,42,45,46を後段側の第1搬送アーム51に割り当て、残りの処理ユニット43,44,47,48を後段側の第2搬送アーム52に割り当てる。
かかる場合、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52に対する処理ユニット41〜48の割り当て数の割合は5対3となる。そして、基板処理装置1Aは、処理ブロック3の連結数をさらに増やすことにより、処理ユニット41〜48の割り当て数をより細かく設定することが可能となる。したがって、たとえば処理時間が異なる2種類のウェハWが混在する場合に、処理時間に応じて最適な割り当て数を設定することができるため、スループットをより向上させることができる。
上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置1は、複数の処理ユニット41〜48と、第2搬送装置50とを備える。複数の処理ユニット41〜48は、鉛直方向に並べて配置され、ウェハWを処理する。第2搬送装置50は、鉛直方向に移動可能であり、処理ユニット41〜48に対してウェハWの搬入出を行う。また、第2搬送装置50は、鉛直方向に並べて配置され、かつ、鉛直方向への可動範囲が互いに重複し、独立して鉛直方向へ移動する第1搬送アーム51と第2搬送アーム52とを備える。したがって、本実施形態に係る基板処理装置1によれば、スループットの向上を図ることができる。
なお、上述した実施形態では、第1搬送アーム51と第2搬送アーム52とで一対の支柱部材53a,53bを共用する場合の例を示したが、一対の支柱部材53a,53bは、必ずしも共用されることを要しない。すなわち、一対の支柱部材53a,53bを2つ用意し、一方に第1搬送アーム51と第1昇降機構54aを、他方に第2搬送アーム52と第2昇降機構54bを設けてもよい。
また、上述した実施形態では、第1搬送アーム51または第2搬送アーム52に対し、同一の高さに配置される処理ユニット41〜48ごとに処理ユニット41〜48を割り当てる場合の例について説明した。しかし、これに限らず、搬送制御部16aは、同一の高さに配置される異なる処理ユニット41〜48を第1搬送アーム51と第2搬送アーム52とにそれぞれ割り当ててもよい。
たとえば、搬送制御部16aは、処理ユニット41〜48のうち、処理ユニット41〜43,45,46を第1搬送アーム51に割り当て、残りの処理ユニット44,47,48を第2搬送アーム52に割り当ててもよい。かかる場合、同一の高さに配置される処理ユニット43,47のうち、処理ユニット43は第1搬送アーム51に割り当てられ、処理ユニット47は第2搬送アーム52に割り当てられることとなる。
このように、同一の高さに配置される異なる処理ユニット41〜48を第1搬送アーム51と第2搬送アーム52とに割り当てるようにすれば、処理ユニット41〜48の割り当て数をより細かく設定することが可能となる。
また、上述した実施形態では、第1搬送アーム51および第2搬送アーム52の双方を用いて処理ユニット41〜48に対するウェハWの搬入出を行う場合の例について説明した。しかし、これに限らず、搬送制御部16aは、たとえば搬送時間に比べて処理時間が極端に長い場合には、一方の搬送アームに割り当てる処理ユニット41〜48の数を0とし、他方の搬送アームに対して全ての処理ユニット41〜48を割り当ててもよい。この場合、他方の搬送アームだけが処理ユニット41〜48に対するウェハWの搬入出を行うこととなるため、2つの搬送アームを用いる場合と比較して消費電力を削減することができる。
なお、搬送制御部16aは、記憶部17に記憶される作業データ17aを参照し、各処理ユニット41〜48での処理時間が予め決められた閾値を超える場合に、2つの搬送アームを用いてウェハWの搬入出を行うモードから1つの搬送アームを用いてウェハWの搬入出を行うモードへ切り替えるようにしてもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
W ウェハ
S1,S2 退避空間
1,1A 基板処理装置
2 搬入出ブロック
3 処理ブロック
4 制御装置
13 受渡ステーション
14 処理ステーション
15 第2搬送領域
40,41〜48 処理ユニット
50 第2搬送装置
51 第1搬送アーム
52 第2搬送アーム
53a,53b 支柱部材
54a 第1昇降機構
54b 第2昇降機構
55a 第1駆動源
55b 第2駆動源
56a 第1接続部
56b 第2接続部
57a,57b ガイドレール
58a 連結部材

Claims (6)

  1. 鉛直方向に並べて配置され、基板を処理する複数の処理ユニットと、
    鉛直方向に移動可能であり、前記処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う基板搬送装置と
    を備え、
    前記基板搬送装置は、
    鉛直方向に並べて配置され、かつ、鉛直方向への可動範囲が互いに重複し、独立して鉛直方向へ移動する第1搬送アームと第2搬送アームと
    前記第1搬送アームおよび前記第2搬送アームの両側に配置される2つの支柱部材と、
    前記2つの支柱部材のうちの一方の内部に設けられ、前記第1搬送アームを鉛直方向に移動させる第1昇降機構と、
    前記2つの支柱部材のうちの他方の内部に設けられ、前記第2搬送アームを鉛直方向に移動させる第2昇降機構と、
    前記2つの支柱部材の各々の内部に、前記2つの支柱部材の並び方向と直交する方向に前記第1昇降機構および前記第2昇降機構と並べて設けられ、前記第1搬送アームおよび前記第2搬送アームの鉛直方向への移動を案内する2つのガイドレールと
    を備え、
    最上段に配置される前記処理ユニットよりも上方に前記第1搬送アームを収容可能な第1退避空間を有するとともに、最下段に配置される前記処理ユニットよりも下方に前記第2搬送アームを収容可能な第2退避空間を有し、
    前記第1搬送アームは、
    前記第2搬送アームの上方に配置され、前記第2搬送アームを前記第2退避空間まで移動させた場合に、最下段に配置される前記処理ユニットに対する前記基板の搬入出が可能であり、
    前記第2搬送アームは、
    前記第1搬送アームを前記第1退避空間まで移動させた場合に、最上段に配置される前記処理ユニットに対する前記基板の搬入出が可能であること
    を特徴とする基板処理装置。
  2. 前記基板搬送装置の異常を検出する異常検出部と、
    前記第1搬送アームの水平方向への伸縮動作または鉛直軸を中心とする旋回動作の異常が検出された場合に、前記第1搬送アームを前記第1退避空間まで移動させた後、前記第2搬送アームに対して前記第1搬送アームが行うべき作業を行わせ、前記第1搬送アームの鉛直方向への移動動作の異常が検出された場合には、前記第1搬送アームが停止した位置よりも下方の前記処理ユニットに対する前記基板の搬入出を前記第2搬送アームに行わせる制御部と
    を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記第1搬送アームおよび前記第2搬送アームの総数よりも前記処理ユニットの総数が多いこと
    を特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
  4. 前記第1搬送アームおよび前記第2搬送アームは、割り当てられた前記処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行い、
    同一の高さに配置される異なる前記処理ユニットが前記第1搬送アームと前記第2搬送アームとにそれぞれ割り当てられること
    を特徴とする請求項1〜のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 前記第1搬送アームおよび前記第2搬送アームは、割り当てられた前記処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行い、
    割り当てられた前記処理ユニットの処理時間に応じて、前記第1搬送アームと前記第2搬送アームとで前記処理ユニットの割り当て数を異ならせること
    を特徴とする請求項1〜のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記複数の処理ユニットと前記基板搬送装置とを含み、互いに連結可能な複数の処理ブロック
    を備えることを特徴とする請求項1〜のいずれか一つに記載の基板処理装置。
JP2013273035A 2013-12-27 2013-12-27 基板処理装置 Active JP6182065B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013273035A JP6182065B2 (ja) 2013-12-27 2013-12-27 基板処理装置
KR1020140187249A KR102263542B1 (ko) 2013-12-27 2014-12-23 기판 처리 장치
US14/580,703 US9666463B2 (en) 2013-12-27 2014-12-23 Substrate processing apparatus
TW103145387A TWI593615B (zh) 2013-12-27 2014-12-25 基板處理裝置
CN201410834589.5A CN104752279B (zh) 2013-12-27 2014-12-26 基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013273035A JP6182065B2 (ja) 2013-12-27 2013-12-27 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015128102A JP2015128102A (ja) 2015-07-09
JP6182065B2 true JP6182065B2 (ja) 2017-08-16

Family

ID=53482650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013273035A Active JP6182065B2 (ja) 2013-12-27 2013-12-27 基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9666463B2 (ja)
JP (1) JP6182065B2 (ja)
KR (1) KR102263542B1 (ja)
CN (1) CN104752279B (ja)
TW (1) TWI593615B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018186451A1 (ja) * 2017-04-06 2018-10-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板搬送方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4010985B2 (ja) * 2003-06-12 2007-11-21 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7798764B2 (en) * 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
CN102176425B (zh) * 2005-04-22 2013-02-06 应用材料公司 笛卡尔机械臂群集工具架构
US8267634B2 (en) * 2005-11-07 2012-09-18 Brooks Automation, Inc. Reduced capacity carrier, transport, load port, buffer system
JP4973267B2 (ja) * 2007-03-23 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送モジュール、基板搬送方法及び記憶媒体
JP2009008227A (ja) 2007-06-29 2009-01-15 Equos Research Co Ltd 振動制御装置
JP5381592B2 (ja) 2009-10-06 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5616205B2 (ja) * 2010-11-29 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
TWI523134B (zh) * 2011-09-22 2016-02-21 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板搬運方法、及電腦記憶媒體
JP2013069874A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5588469B2 (ja) * 2012-02-09 2014-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9446517B2 (en) * 2013-10-17 2016-09-20 Intuitive Surgical Operations, Inc. Fault reaction, fault isolation, and graceful degradation in a robotic system

Also Published As

Publication number Publication date
TW201536652A (zh) 2015-10-01
US20150187621A1 (en) 2015-07-02
CN104752279A (zh) 2015-07-01
TWI593615B (zh) 2017-08-01
JP2015128102A (ja) 2015-07-09
US9666463B2 (en) 2017-05-30
KR102263542B1 (ko) 2021-06-10
KR20150077341A (ko) 2015-07-07
CN104752279B (zh) 2019-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10497594B2 (en) Conveyance system
JP6614330B2 (ja) 一時保管システム
US20170233187A1 (en) Temporary storage system, conveyance system using same, and temporary storage method
US20120143366A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method for successively processing a plurality of substrates
KR101930555B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR102309933B1 (ko) 기판 처리 시스템
JP6478878B2 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法並びに基板搬送プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TW201716312A (zh) 具有多層之高容量高架式搬運(oht)軌條系統
KR101602570B1 (ko) 기판 처리 장치
US20150132086A1 (en) Substrate processing system
JP6182065B2 (ja) 基板処理装置
JP2020027936A (ja) 搬送システムおよび搬送方法
JP6363284B2 (ja) 基板処理システム
JP6113670B2 (ja) 基板処理装置、その運用方法及び記憶媒体
JP6224780B2 (ja) 基板処理システム
JP5421043B2 (ja) 基板処理装置及びこれを備えた基板処理システム
US10236196B2 (en) Substrate processing system
US6854948B1 (en) Stage with two substrate buffer station
JP2013069917A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170119

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170518

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170526

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170718

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170721

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6182065

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250