KR102309933B1 - 기판 처리 시스템 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

단위 시간당 반송 매수의 증가를 도모하는 것이다. 제 1 반송 장치는 카세트로부터 기판을 취출하여 반송한다. 제 1 수용부는 제 1 반송 장치에 의해 반송되는 기판을 수용한다. 제 1 기판 처리 유닛은, 높이 방향으로 배열되는 적어도 2 개의 그룹으로 나뉘어지고, 기판에 대하여 소정의 처리를 행한다. 제 2 수용부는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치된다. 제 2 반송 장치는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 동일 그룹에 대응하는 제 2 수용부로부터 기판을 취출하여 동일 그룹의 제 1 기판 처리 유닛으로 반송한다. 제 2 기판 처리 유닛은 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부 및 제 2 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치된다. 이전 장치는, 기판을 제 1 수용부와 제 2 수용부의 사이에서 이전하고 또한 기판을 제 1 수용부와 제 2 기판 처리 유닛의 사이에서 반송한다.

Description

기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
개시된 실시예는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여, 처리액에 의한 액처리 또는 처리 가스에 의한 가스 처리 등의 기판 처리를 행하는 기판 처리 시스템이 알려져 있다.
예를 들면, 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 시스템은, 다단으로 적층된 복수의 기판 처리 유닛과, 외부로부터 반입되는 기판을 복수 매 수용 가능한 기판 수용부와, 복수의 기판 처리 유닛에서의 상단 그룹 및 하단 그룹의 각각에 대응하도록 상하로 적층되고, 기판 수용부에 수용된 기판을 취출하여 기판 처리 유닛으로 반입하는 2 개의 기판 반송 장치와, 기판 수용부에 수용된 기판을 기판 수용부에서의 다른 위치로 이전시키는 기판 이전 장치를 구비한다.
이러한 기판 처리 시스템에서, 외부로부터 반입되는 기판은, 기판 수용부 중 하단측의 수용 위치에 수용된다. 이 후, 하단 그룹의 기판 처리 유닛에서 처리되는 기판은, 하단 그룹에 대응하는 기판 반송 장치에 의해 취출되어 하단 그룹의 기판 처리 유닛으로 반입된다. 한편, 상단 그룹의 기판 처리 유닛에서 처리되는 기판은, 기판 이전 장치에 의해 기판 수용부에서의 상단측의 수용 위치로 이전된 후, 상단 그룹에 대응하는 기판 반송 장치에 의해 취출되어 상단 그룹의 기판 처리 유닛으로 반입된다.
또한, 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 시스템은, 기판의 표리를 반전시키는 반전 기구를 구비하고 있고, 기판 수용부에 수용된 기판은, 기판 반송 장치에 의해 취출된 후, 필요에 따라 반전 기구로 반입되고, 반전 기구에서 표리가 반전된 다음, 기판 처리 유닛으로 반입된다.
특허공보 제5000627호
그러나 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 시스템에서는, 기판 반송 장치가 기판 처리 유닛으로의 기판의 반송과 기판 수용부로부터 반전 기구로의 기판의 반송의 양방을 행하는 것으로 하고 있기 때문에, 기판 반송 장치의 처리 부하가 크다. 이 때문에, 기판 처리 시스템에서의 단위 시간당 반송 매수를 증가시키는 것이 곤란했다.
또한 이러한 과제는, 반전 기구에 한정되지 않고, 예를 들면 검사 장치 등의 다른 처리 유닛에의 액세스를 기판 반송 장치로 행하게 하는 경우에도 마찬가지로 발생할 수 있는 과제이다.
실시예의 일태양은, 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시예의 일태양에 따른 기판 처리 시스템은, 제 1 반송 장치와, 제 1 수용부와, 복수의 제 1 기판 처리 유닛과, 복수의 제 2 수용부와, 복수의 제 2 반송 장치와, 복수의 제 2 기판 처리 유닛과, 이전 장치를 구비한다. 제 1 반송 장치는, 복수 매의 기판을 수용하는 카세트로부터 기판을 취출하여 반송한다. 제 1 수용부는 제 1 반송 장치에 의해 반송되는 기판을 수용한다. 복수의 제 1 기판 처리 유닛은, 높이 방향으로 배열되는 적어도 2 개의 그룹으로 나뉘어지고, 기판에 대하여 소정의 처리를 행한다. 복수의 제 2 수용부는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치되고, 기판을 수용한다. 복수의 제 2 반송 장치는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 동일한 그룹에 대응하는 제 2 수용부로부터 기판을 취출하여 동일한 그룹에 속하는 제 1 기판 처리 유닛으로 반송한다. 복수의 제 2 기판 처리 유닛은 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부 및 제 2 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치되고, 기판에 대하여 소정의 처리를 행한다. 이전 장치는, 기판을 제 1 수용부와 제 2 수용부의 사이에서 이전하고 또한 기판을 상기 제 1 수용부와 상기 제 2 기판 처리 유닛의 사이에서 반송한다.
실시예의 일태양에 따르면, 제 2 반송 장치의 처리 부하를 작게 함으로써 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 도시한 도이다.
도 2는 제 1 수용부, 제 2 수용부, 반전 처리 유닛 및 세정 처리 유닛의 배치도이다.
도 3a는 제 1 수용부의 구성을 도시한 도이다.
도 3b는 제 1 수용부의 구성을 도시한 도이다.
도 4는 제 1 반송 장치, 이전 장치 및 제 2 반송 장치의 배치도이다.
도 5는 반전 처리 유닛에 의한 처리를 거치지 않고 세정 처리 유닛에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 설명도이다.
도 6은 반전 처리 유닛에 의한 처리 후에 세정 처리 유닛에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 설명도이다.
도 7은 세정 처리 유닛에 의한 처리의 전후에 반전 처리 유닛에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 설명도이다.
도 8은 종래의 기판 처리 시스템에서의 기판 반송 처리의 설명도이다.
이하에, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 시스템의 실시예를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예에 의해 본 발명이 한정되지는 않는다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 도시한 도이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 반입출 스테이션(2)과 전달 스테이션(3)과 처리 스테이션(4)을 구비한다.
반입출 스테이션(2)은 캐리어 재치부(載置部)(11)와 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 재치부(11)에는 복수 매의 기판, 본 실시예에서는 복수 매의 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 카세트(C)가 재치된다.
반송부(12)는, 캐리어 재치부(11)에 인접하여 배치되고, 내부에 제 1 반송 장치(13)를 구비한다. 제 1 반송 장치(13)는 카세트(C)와 전달 스테이션(3)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
*전달 스테이션(3)은 반입출 스테이션(2)에 인접하여 배치되고, 내부에 전달 블록(14)과, 복수의 이전 장치(15a, 15b)를 구비한다.
전달 블록(14)에는, 웨이퍼(W)를 다단으로 수용하는 제 1 수용부 및 제 2 수용부와, 웨이퍼(W)의 표리를 반전시키는 반전 처리 유닛이 적층 상태로 배치된다. 이러한 전달 블록(14)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
이전 장치(15a, 15b)는 전달 블록(14)에 인접하여 배치된다. 구체적으로, 이전 장치(15a)는 전달 블록(14)의 Y축 정방향측에 인접하여 배치되고, 이전 장치(15b)는 전달 블록(14)의 Y축 부방향측에 인접하여 배치된다. 이전 장치(15a, 15b)는, 전달 블록(14)에 배치되는 제 1 수용부와 제 2 수용부와 반전 처리 유닛과의 사이에서 웨이퍼(W)의 이전을 행한다.
처리 스테이션(4)은, 전달 스테이션(3)에 인접하여 배치되고, 복수의 세정 처리 유닛(16)과, 복수의 제 2 반송 장치(17)를 구비한다. 복수의 세정 처리 유닛(16)은 제 2 반송 장치(17)의 Y축 정방향측 및 Y축 부방향측에 인접하여 배치된다.
복수의 제 2 반송 장치(17)는 상하 2 단으로 적층되어 있고, 각각이 전달 블록(14)과 세정 처리 유닛(16)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
본 실시예에서는, 세정 처리 유닛(16)은 내부에 브러시 기구를 가지고, 제 2 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여, 브러시를 접촉시키는 것에 의한 세정 처리를 행한다. 또한 세정 처리 유닛(16)은, SC1(암모니아와 과산화 수소수의 혼합액) 등의 약액을 이용한 세정 처리를 행하도록 해도 된다. 또한 세정 처리 유닛(16)은, '제 1 기판 처리 유닛'의 일례이다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(5)를 구비한다. 제어 장치(5)는 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(5)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
이어서, 전달 스테이션(3) 및 처리 스테이션(4)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다. 우선, 전달 스테이션(3)의 전달 블록(14)에 설치되는 제 1 수용부, 제 2 수용부 및 반전 처리 유닛 및 처리 스테이션(4)에 설치되는 세정 처리 유닛(16)의 배치에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 제 1 수용부, 제 2 수용부, 반전 처리 유닛 및 세정 처리 유닛의 배치도이다.
또한 도 2에서는, 세정 처리 유닛(16)을 'SCR', 제 1 수용부(41a, 41b)를 'SBU', 제 2 수용부(42a, 42b)를 'TRS', 반전 처리 유닛(43a, 43b)을 'RVS'라고 기재한다. 반전 처리 유닛(43a, 43b)은 '제 2 기판 처리 유닛'의 일례이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 세정 처리 유닛(16)은 높이 방향으로 4 개 나란히 배치된다. 이들 복수의 세정 처리 유닛(16)은, 높이 방향(Z축 방향)으로 배열되는 2 개의 그룹으로 나뉘어진다. 구체적으로, 상측 2 개의 세정 처리 유닛(16a)이 상단 그룹(G1)에 속하고, 하측 2 개의 세정 처리 유닛(16b)이 하단 그룹(G2)에 속한다.
또한 도 2에 도시한 세정 처리 유닛(16)은, 도 1에 도시한 제 2 반송 장치(17)의 Y축 부방향측에 배치된 세정 처리 유닛(16)에 대응한다. 여기서는 도시를 생략하지만, 제 2 반송 장치(17)의 Y축 정방향측에 배치되는 세정 처리 유닛(16)도, 도 2에 도시한 세정 처리 유닛(16)과 동일한 구성을 가지고 있다. 따라서, 처리 스테이션(4)에는, 제 2 반송 장치(17)의 Y축 부방향측 및 Y축 정방향측에 각각 4 개, 합계 8 개의 세정 처리 유닛(16a, 16b)이 배치된다.
전달 블록(14)에는 2 개의 제 1 수용부(41a, 41b)와 2 개의 제 2 수용부(42a, 42b)와 2 개의 반전 처리 유닛(43a, 43b)이 적층 상태로 배치된다. 제 1 수용부(41a, 41b)는, 제 1 반송 장치(13)(도 1 참조)에 의해 기판 처리 시스템(1) 내로 반입된 웨이퍼(W) 또는 제 1 반송 장치(13)에 의해 기판 처리 시스템(1)으로부터 반출되는 웨이퍼(W)가 일시적으로 수용되는 장소이다.
여기서, 제 1 수용부(41a, 41b)의 구성에 대하여 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한다. 도 3a 및 도 3b는 제 1 수용부(41a, 41b)의 구성을 도시한 도이다. 또한, 도 3a에서는 일례로서 제 1 수용부(41a)의 구성을 도시하는데, 제 1 수용부(41b)의 구성도 제 1 수용부(41a)와 동일하다.
도 3a에 도시한 바와 같이, 제 1 수용부(41a)는 베이스부(141)와, 베이스부(141) 상에 세워 설치된 3 개의 지지부(142, 143, 144)를 구비한다. 3 개의 지지부(142, 143, 144)는 원주 방향으로 약 120 도의 간격으로 배치되어 있고, 선단에서 웨이퍼(W)의 외주부를 각각 보지(保持)한다. 또한 각 지지부(142, 143, 144)는, 높이 방향을 따라 복수 설치되어 있다(예를 들면 도 3b에 도시한 복수의 지지부(142)를 참조). 이에 의해, 제 1 수용부(41a)는 복수 매의 웨이퍼(W)를 다단으로 수용할 수 있다.
이러한 제 1 수용부(41a)에는, 제 1 반송 장치(13)와 이전 장치(15a)가 각각 상이한 방향으로부터 액세스한다. 구체적으로, 제 1 반송 장치(13)는, 제 1 수용부(41a)의 X축 부방향측으로부터 지지부(142) 및 지지부(144)의 사이를 지나 제 1 수용부(41a) 내로 진입한다. 또한 이전 장치(15a)는, 제 1 수용부(41a)의 Y축 정방향측으로부터 지지부(142) 및 지지부(143)의 사이를 지나 제 1 수용부(41a) 내로 진입한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제 1 수용부(41a, 41b), 제 2 수용부(42a, 42b) 및 반전 처리 유닛(43a, 43b)은 아래로부터 차례로, 반전 처리 유닛(43b), 제 2 수용부(42b), 제 1 수용부(41b), 제 1 수용부(41a), 제 2 수용부(42a), 반전 처리 유닛(43a)의 순서로 적층된다.
이들 중 상측에 배치되는 제 1 수용부(41a), 제 2 수용부(42a) 및 반전 처리 유닛(43a)은 상단 그룹(G1)에 대응하고, 하측에 배치되는 제 1 수용부(41b), 제 2 수용부(42b) 및 반전 처리 유닛(43b)은 하단 그룹(G2)에 대응한다.
구체적으로, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a), 제 2 수용부(42a) 및 반전 처리 유닛(43a)으로는 상단 그룹(G1)에 속하는 세정 처리 유닛(16a)에 의해 처리되는 또는 처리된 웨이퍼(W)가 반입된다. 또한, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b), 제 2 수용부(42b) 및 반전 처리 유닛(43b)으로는 하단 그룹(G2)에 속하는 세정 처리 유닛(16b)에 의해 처리되는 또는 처리된 웨이퍼(W)가 반입된다.
또한 여기서는, 각 그룹(G1, G2)에 제 1 수용부, 제 2 수용부 및 반전 처리 유닛이 1 개씩 설치되는 것으로 하지만, 제 1 수용부, 제 2 수용부 및 반전 처리 유닛은 각 그룹(G1, G2)에 복수 설치되어도 된다.
이어서, 제 1 반송 장치(13), 이전 장치(15a, 15b) 및 제 2 반송 장치(17)의 배치에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 제 1 반송 장치(13), 이전 장치(15a, 15b) 및 제 2 반송 장치(17)의 배치도이다.
또한 이전 장치(15a)는, 전달 블록(14)의 Y축 정방향측에 인접하여 배치되고, 이전 장치(15b)는 전달 블록(14)의 Y축 부방향측에 인접하여 배치된다(도 1 참조). 또한 제 2 반송 장치(17)는, 처리 스테이션(4)의 Y축 정방향측에 배치되는 세정 처리 유닛(16)과 Y축 부방향측에 배치되는 세정 처리 유닛(16)의 사이에 배치된다(도 1 참조). 또한, 이전 장치(15a) 및 이전 장치(15b)의 양방을 전달 블록(14)의 Y축 정방향측 또는 Y축 부방향측의 어느 쪽에 모아 배치해도 된다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 반송 장치(13)는 웨이퍼(W)를 보지하는 복수(여기서는, 5 개)의 웨이퍼 보지 기구(131)를 구비한다. 또한 제 1 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 수직 방향에의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 보지 기구(131)를 이용하여 카세트(C)와 제 1 수용부(41a, 41b)와의 사이에서 복수 매의 웨이퍼(W)를 동시에 반송할 수 있다.
이전 장치(15a, 15b)는, 도 2에 도시한 제 1 수용부(41a, 41b)와 제 2 수용부(42a, 42b)와의 사이에서, 또는 제 1 수용부(41a, 41b)와 반전 처리 유닛(43a, 43b)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
구체적으로, 이전 장치(15a)는 상단 그룹(G1)에 대응하고, 웨이퍼 보지 기구(151a)를 이용하여, 동일 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a)와 제 2 수용부(42a)와의 사이, 또는 제 1 수용부(41a)와 반전 처리 유닛(43a)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 또한 이전 장치(15b)는, 하단 그룹(G2)에 대응하고, 웨이퍼 보지 기구(151b)를 이용하여, 동일 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b)와 제 2 수용부(42b)와의 사이, 또는 제 1 수용부(41b)와 반전 처리 유닛(43b)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
또한 이전 장치(15a)는, 이전 장치(15b)보다 상방에 배치된다. 구체적으로, 상단 그룹(G1)에 대응하는 이전 장치(15a)는, 동일 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a), 제 2 수용부(42a) 및 반전 처리 유닛(43a)과 대략 동등한 높이에 배치된다. 또한, 하단 그룹(G2)에 대응하는 이전 장치(15b)는, 동일 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b), 제 2 수용부(42b) 및 반전 처리 유닛(43b)과 대략 동등한 높이에 배치된다.
제 2 반송 장치(17a, 17b)는 상하 2 단으로 적층된다. 제 2 반송 장치(17a)는 웨이퍼(W)를 보지하는 복수(여기서는, 2 개)의 웨이퍼 보지 기구(171a)를 구비한다. 마찬가지로 제 2 반송 장치(17b)는, 웨이퍼(W)를 보지하는 복수(여기서는, 2 개)의 웨이퍼 보지 기구(171b)를 구비한다. 또한 각 제 2 반송 장치(17a, 17b)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동이 가능하며, 웨이퍼 보지 기구(171a, 171b)를 이용하여 제 2 수용부(42a, 42b)와 세정 처리 유닛(16a, 16b)과의 사이, 또는 반전 처리 유닛(43a, 43b)과 세정 처리 유닛(16a, 16b)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 제 2 반송 장치(17a, 17b)는, 각 유닛의 내부에 대하여 웨이퍼(W)를 반입할 시는 하측의 웨이퍼 보지 기구(171a, 171b)를 사용하고, 각 유닛으로부터 웨이퍼(W)를 취출할 시는 상측의 웨이퍼 보지 기구(171a, 171b)를 사용한다.
복수의 제 2 반송 장치(17a, 17b) 중 상단측에 배치되는 제 2 반송 장치(17a)는 상단 그룹(G1)에 대응하고, 동일 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 수용부(42a) 및 세정 처리 유닛(16a), 또는 반전 처리 유닛(43a) 및 세정 처리 유닛(16a)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 또한, 복수의 제 2 반송 장치(17a, 17b) 중 하단측에 배치되는 제 2 반송 장치(17b)는 하단 그룹(G2)에 대응하고, 동일 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 2 수용부(42b) 및 세정 처리 유닛(16b), 또는 반전 처리 유닛(43b) 및 세정 처리 유닛(16b)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
이어서, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의한 기판 반송 처리의 처리 순서에 대하여 설명한다. 우선, 반전 처리 유닛(43a, 43b)에 의한 처리를 거치지 않고 세정 처리 유닛(16a, 16b)에 의한 처리가 행해지는 경우에서의 기판 반송 처리의 처리 순서에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는, 반전 처리 유닛(43a, 43b)에 의한 처리를 거치지 않고 세정 처리 유닛에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 설명도이다. 또한 도 5에 도시한 기판 반송 처리는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 표면만을 세정하는 경우에 행해진다.
여기서 도 5에서는, 제 1 반송 장치(13)를 'CRA', 이전 장치(15a, 15b)를 'MPRA', 제 2 반송 장치(17a, 17b)를 'PRA'라고 기재한다. 또한 도 5에서는, 이해를 용이하게 하기 위하여, 제 1 반송 장치(13)와 전달 블록(14)의 사이에 이전 장치(15a, 15b)를, 전달 블록(14)과 세정 처리 유닛(16a, 16b)의 사이에 제 2 반송 장치(17a, 17b)를 편의적으로 기재한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 제 1 반송 장치(13)가 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 5 매 모아 취출하여 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a)에 수용한다(단계(S01)). 또한 제 1 반송 장치(13)는, 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 다시 5 매 모아 취출하여, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b)에 수용한다(단계(S11)). 이와 같이, 제 1 반송 장치(13)는 카세트(C)로부터 취출한 미처리의 웨이퍼(W)를 제 1 수용부(41a)에 수용하는 처리와 제 1 수용부(41b)에 수용하는 처리를 교호로 행한다.
이어서, 상단 그룹(G1)에 대응하는 이전 장치(15a)는, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 1 매씩 취출하여 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 수용부(42a)로 이전한다(단계(S02)). 또한, 하단 그룹(G2)에 대응하는 이전 장치(15b)는, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 1 매씩 취출하여 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 2 수용부(42b)로 이전한다(단계(S12)).
도 5에 도시한 바와 같이, 제 1 수용부(41a, 41b)는, 서로 인접하는 상단 그룹(G1)과 하단 그룹(G2)의 중간의 높이에 배치된다. 본 실시예의 시스템은 이 2 그룹만 구비하고 있으므로, 이 중간의 높이 위치는 전달 블록(14)에서의 중단 위치와 일치한다. 구체적으로, 제 1 수용부(41a, 41b)는, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 수용부(42a) 및 반전 처리 유닛(43a)과, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 2 수용부(42b) 및 반전 처리 유닛(43b)의 사이에서, 상하 2 단으로 적층되어 배치된다. 본 실시예에서는, 제 1 수용부(41a)의 저면이 상단 그룹(G1)의 저면과 동일한 높이가 되고, 제 2 수용부(41b)의 상면이 상단 그룹(G2)의 상면과 동일한 높이가 되도록 배치되어 있다.
또한, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 수용부(42a)는 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a)의 상부에 배치되고, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 2 수용부(42b)는 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b)의 하부에 배치된다.
이와 같이, 전달 블록(14)의 중단 위치에 제 1 수용부(41a, 41b)를 배치하고, 그 상하에 각각 제 2 수용부(42a, 42b)를 배치함으로써, 웨이퍼(W)를 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 제 2 수용부(42a, 42b)로 이전할 시의 이전 장치(15a, 15b)의 이동 거리를 짧게 할 수 있다. 또한 상기와 같이 구성함으로써, 상단 그룹(G1)에 대응하는 이전 장치(15a)의 이동 거리와, 하단 그룹(G2)에 대응하는 이전 장치(15b)의 이동 거리를 일치시킬 수 있어, 그룹(G1, G2) 간에서의 처리 시간의 편향을 일으키기 어렵게 할 수 있다.
이어서, 제 2 수용부(42a)에 수용된 미처리의 웨이퍼(W)는, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 반송 장치(17a)에 의해 1 매씩 제 2 수용부(42a)로부터 취출되어, 상단 그룹(G1)의 세정 처리 유닛(16a)으로 반송된다(단계(S03)). 마찬가지로, 제 2 수용부(42b)에 수용된 미처리의 웨이퍼(W)는, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 2 반송 장치(17b)에 의해 1 매씩 제 2 수용부(42b)로부터 취출되어, 하단 그룹(G2)의 세정 처리 유닛(16b)으로 반송된다(단계(S13)). 그리고, 세정 처리 유닛(16a, 16b)으로 반송된 웨이퍼(W)는, 세정 처리 유닛(16a, 16b)에 의해 세정 처리가 실시된다.
이 후, 세정 처리 유닛(16a, 16b)에 의해 처리된 웨이퍼(W)는, 반입 시와 반대의 순서로 카세트(C)에 수용된다. 예를 들면, 상단 그룹(G1)의 세정 처리 유닛(16a)에 의해 세정 처리가 실시된 웨이퍼(W)는, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 반송 장치(17a)에 의해 1 매씩 세정 처리 유닛(16a)으로부터 취출되어 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 수용부(42a)로 반송된다. 그리고, 상단 그룹(G1)에 대응하는 이전 장치(15a)가, 제 2 수용부(42a)로부터 웨이퍼(W)를 1 매씩 취출하여 제 1 수용부(41a)로 이전한 후, 제 1 반송 장치(13)가, 제 1 수용부(41a)로부터 웨이퍼(W)를 5 매 모아 취출하여 카세트(C)로 반송한다. 하단 그룹(G2)에 대해서도 동일하다. 이상 설명한 동작 중, 상단 그룹(G1)에 관한 제 1 수용부(41a)에 놓여지고 나서 다시 제 1 수용부(41a)에 놓여질 때까지의 기판 반송 및 이전 동작과, 하단 그룹(G2)에 관한 제 1 수용부(41b)에 놓여지고 나서 다시 제 1 수용부(41b)에 놓여질 때까지의 기판 반송 및 이전 동작은 동시 병행하여 실행된다.
이어서, 반전 처리 유닛(43a, 43b)에 의한 처리 후에 세정 처리 유닛(16a, 16b)에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 처리 순서에 대하여 도 6을 참조하여 설명한다.
도 6은, 반전 처리 유닛(43a, 43b)에 의한 처리 후에 세정 처리 유닛(16a, 16b)에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 설명도이다. 또한 도 6에 도시한 기판 반송 처리는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 경우에 행해진다.
도 6에 도시한 바와 같이, 우선, 제 1 반송 장치(13)가 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 5 매 모아 취출하여 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a)에 수용한다(단계(S21)). 또한 제 1 반송 장치(13)는, 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 다시 5 매 모아 취출하여, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b)에 수용한다(단계(S31)).
이어서, 상단 그룹(G1)에 대응하는 이전 장치(15a)는, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a)에 수용된 미처리의 웨이퍼(W)를 1 매씩 취출하여 상단 그룹(G1)에 대응하는 반전 처리 유닛(43a)으로 반송한다(단계(S22)). 또한, 하단 그룹(G2)에 대응하는 이전 장치(15b)는, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b)에 수용된 미처리의 웨이퍼(W)를 1 매씩 취출하여 하단 그룹(G2)에 대응하는 반전 처리 유닛(43b)으로 반송한다(단계(S32)). 반전 처리 유닛(43a, 43b)으로 반송된 웨이퍼(W)는, 반전 처리 유닛(43a, 43b)에 의해 표리가 반전된다.
그리고, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 반송 장치(17a)는, 상단 그룹(G1)에 대응하는 반전 처리 유닛(43a)으로부터 반전 처리 후의 웨이퍼(W)를 1 매씩 취출하여 상단 그룹(G1)에 속하는 세정 처리 유닛(16a)으로 반송한다(단계(S23)). 또한, 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 2 반송 장치(17b)는, 하단 그룹(G2)에 대응하는 반전 처리 유닛(43b)으로부터 반전 처리 후의 웨이퍼(W)를 1 매씩 취출하여 하단 그룹(G2)에 속하는 세정 처리 유닛(16b)으로 반송한다(단계(S33)).
세정 처리 후의 웨이퍼(W)는, 제 2 반송 장치(17a, 17b)에 의해 1 매씩 세정 처리 유닛(16a, 16b)으로부터 취출되어, 제 2 수용부(42a, 42b)로 반송된다. 이어서 웨이퍼(W)는, 이전 장치(15a, 15b)에 의해 1 매씩 제 2 수용부(42a, 42b)로부터 제 1 수용부(41a, 41b)로 반송된 후, 제 1 반송 장치(13)에 의해 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 5 매 모아 카세트(C)로 반송된다. 이상 설명한 동작 중, 상단 그룹(G1)에 관한 제 1 수용부(41a)에 놓여지고 나서 다시 제 1 수용부(41a)에 놓여질 때까지의 기판 반송 및 이전 동작과, 하단 그룹(G2)에 관한 제 1 수용부(41b)에 놓여지고 나서 다시 제 1 수용부(41b)에 놓여질 때까지의 기판 반송 및 이전 동작은 동시 병행하여 실행된다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 반전 처리 유닛(43a, 43b)으로의 웨이퍼(W)의 반송을 제 2 반송 장치(17a, 17b)가 아닌, 이전 장치(15a, 15b)에 행하게 하는 것으로 하고 있다. 이에 의해, 제 2 반송 장치(17a, 17b)의 처리 부하가 저감되기 때문에, 반전 처리를 행할 경우라도, 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있다.
또한 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)에서, 상단 그룹(G1)에 대응하는 반전 처리 유닛(43a)은 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 수용부(42a)의 상부에 배치되고, 하단 그룹(G2)에 대응하는 반전 처리 유닛(43b)은 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 2 수용부(42b)의 하부에 배치된다.
이와 같이, 반전 처리 유닛(43a, 43b)은, 동일한 그룹(G1, G2)에 대응하는 제 2 수용부(42a, 42b)보다 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 먼 위치에 배치된다. 이 때문에, 반전 처리 유닛(43a, 43b)이 제 1 수용부(41a, 41b)와 제 2 수용부(42a, 42b)의 사이에 배치되는 경우와 비교하여, 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 제 2 수용부(42a, 42b)로 웨이퍼(W)를 이전할 시의 이전 장치(15a, 15b)의 이동 거리를 짧게 할 수 있다.
여기서, 반전 처리 유닛(43a, 43b)을 제 1 수용부(41a, 41b)와 제 2 수용부(42a, 42b)의 사이에 배치함으로써, 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 반전 처리 유닛(43a, 43b)으로 웨이퍼(W)를 이전할 시의 이전 장치(15a, 15b)의 이동 거리를 짧게 하는 것도 고려된다.
그러나 제 2 수용부(42a, 42b)는, 웨이퍼(W)의 표면만을 세정할 경우, 이면만을 세정할 경우 및 후술하는 양면을 세정할 경우의 어느 케이스에서도 사용되는데 반해, 반전 처리 유닛(43a, 43b)은 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이 사용되지 않는 케이스도 있다.
따라서, 제 2 수용부(42a, 42b)를 반전 처리 유닛(43a, 43b)보다 제 1 수용부(41a, 41b)의 근처에 배치하여, 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 제 2 수용부(42a, 42b)로 웨이퍼(W)를 이전할 시의 이전 장치(15a, 15b)의 이동 거리를 짧게 하는 것이, 기판 반송 처리의 단위 시간당 반송 매수를 증가시키는데 유효하다.
또한 도 5 등에 도시한 바와 같이, 반전 처리 유닛(43a, 43b)은 제 2 수용부(42a, 42b)보다 높이 치수가 크다. 이 때문에, 제 1 수용부(41a, 41b)와 제 2 수용부(42a, 42b)의 사이에 반전 처리 유닛(43a, 43b)이 개재되어 있으면, 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 제 2 수용부(42a, 42b)로 웨이퍼(W)를 이전할 시의 이전 장치(15a, 15b)의 이동 거리가 큰 폭으로 길어진다. 이 점으로부터도, 반전 처리 유닛(43a, 43b)을 제 2 수용부(42a, 42b)보다 제 1 수용부(41a, 41b)로부터 먼 위치에 배치하는 것이 바람직하고, 그와 같이 배치함으로써 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있다.
이어서, 세정 처리 유닛(16a, 16b)에 의한 처리의 전후에 반전 처리 유닛(43a, 43b)에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 처리 순서에 대하여 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7은, 세정 처리 유닛(16a, 16b)에 의한 처리의 전후에 반전 처리 유닛(43a, 43b)에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 설명도이다. 또한 도 7에 도시한 기판 반송 처리는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 양면을 세정하는 경우에 행해진다. 본 실시예에서는, 세정 처리 유닛(16a)은 4 개의 유닛 중 2 개를 표면용, 2 개를 이면용으로 할당되어 있다. 세정 처리 유닛(16b)도 동일한 할당이다.
도 7에 도시한 단계(S41 ~ S43) 및 단계(S51 ~ S53)는, 미처리의 웨이퍼(W)를 그 표리를 반전시킨 다음 세정 처리 유닛(16a, 16b)으로 반송할 때까지의 처리 순서이며, 도 6에 도시한 단계(S21 ~ S23) 및 단계(S31 ~ S33)와 동일하다.
상단 그룹(G1)에 속하는 세정 처리 유닛(16a)에 의해 이면이 세정된 웨이퍼(W)는, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 2 반송 장치(17a)에 의해 1 매씩 세정 처리 유닛(16a)으로부터 취출된 후, 상단 그룹(G1)에 대응하는 반전 처리 유닛(43a)으로 다시 반송된다(단계(S44)). 반전 처리 유닛(43a)으로 반송된 웨이퍼(W)는, 반전 처리 유닛(43a)에 의해 표리가 반전된 후, 제 2 반송 장치(17a)에 의해 1 매씩 취출되어 세정 처리 유닛(16a)으로 다시 반송되고(단계(S45)), 세정 처리 유닛(16a)에 의해 표면이 세정된다.
하단 그룹(G2)에 속하는 세정 처리 유닛(16b)에 의해 이면이 세정된 웨이퍼(W)도 마찬가지로, 제 2 반송 장치(17b)에 의해 1 매씩 세정 처리 유닛(16b)으로부터 일단 취출되어 반전 처리 유닛(43b)으로 반송된다(단계(S54)). 이 후, 웨이퍼(W)는, 반전 처리 유닛(43b)에 의해 표리가 반전된 후, 제 2 반송 장치(17b)에 의해 1 매씩 세정 처리 유닛(16b)으로 다시 반송되고(단계(S55)), 세정 처리 유닛(16b)에 의해 표면이 세정된다.
이와 같이, 세정 처리 유닛(16a, 16b)과 반전 처리 유닛(43a, 43b)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송은, 제 2 반송 장치(17a, 17b)에 의해 행해진다. 이상 설명한 동작 중, 상단 그룹(G1)에 관한 제 1 수용부(41a)에 놓여지고 나서 다시 제 1 수용부(41a)에 놓여질 때까지의 기판 반송 및 이전 동작과, 하단 그룹(G2)에 관한 제 1 수용부(41b)에 놓여지고 나서 다시 제 1 수용부(41b)에 놓여질 때까지의 기판 반송 및 이전 동작은 동시 병행하여 실행된다.
이어서, 종래의 기판 처리 시스템에서 행해지는 기판 반송 처리와 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)과의 비교에 대하여 설명한다. 도 8은 종래의 기판 처리 시스템에서의 기판 반송 처리의 설명도이다. 또한 도 8에는, 반전 처리 유닛(43a', 43 b')에 의한 처리 후에 세정 처리 유닛(16a', 16b')에 의한 처리가 행해질 경우에서의 기판 반송 처리의 처리 순서를 나타내고 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 종래의 기판 처리 시스템(1')에서는, 제 2 수용부(42a', 42b')와, 반전 처리 유닛(43a', 43b')이 아래로부터 차례로, 제 2 수용부(42b'), 제 2 수용부(42b'), 반전 처리 유닛(43b'), 반전 처리 유닛(43a'), 제 2 수용부(42a'), 제 2 수용부(42a')의 순서로 적층된다. 또한, 종래의 기판 처리 시스템(1')은 1 개의 이전 장치(15')를 구비한다.
종래의 기판 처리 시스템(1')에서는, 우선 제 1 반송 장치(13')가, 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 취출하여 하단 그룹에 대응하는 제 2 수용부(42b')에 수용한다(단계(S61)). 제 1 반송 장치(13')는, 상단 그룹의 세정 처리 유닛(16a')에서 처리되는 웨이퍼(W)인지 하단 그룹의 세정 처리 유닛(16b')에 처리되는 웨이퍼(W)인지에 관계없이 상기의 처리를 반복한다.
이어서, 이전 장치(15')는, 상단 그룹의 세정 처리 유닛(16a')에서 처리되는 웨이퍼(W)를 하단 그룹에 대응하는 제 2 수용부(42b')로부터 취출하여, 상단 그룹에 대응하는 제 2 수용부(42a')로 이전한다(단계(S62)).
이와 같이, 종래의 기판 처리 시스템(1')에서는, 1 대가 이전 장치(15')가 하단 그룹의 제 2 수용부(42b')와 상단 그룹의 제 2 수용부(42a')의 쌍방으로 액세스하는 것으로 하고 있기 때문에, 이전 장치(15')의 이동 거리가 길었다. 그리고, 이것이 단위 시간당 반송 매수를 증가시키는 것을 저해하는 요인 중 하나가 되고 있었다.
이에 대하여, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 상단 그룹(G1)에 대응하는 이전 장치(15a)와 하단 그룹(G2)에 대응하는 이전 장치(15b)를 구비하고, 또한 제 1 수용부(41a, 41b)가 전달 블록(14)의 중단 위치에 배치되고, 제 1 수용부(41a)의 상부에 제 2 수용부(42a)가 배치되고, 또한 제 1 수용부(41b)의 하부에 제 2 수용부(42b)가 배치된다. 이에 의해, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 이전 장치(15a, 15b)의 이동 거리를 짧게 할 수 있기 때문에, 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있다.
이어서, 상단 그룹에 대응하는 제 2 반송 장치(17a')는, 상단 그룹에 대응하는 제 2 수용부(42a')로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 상단 그룹에 대응하는 반전 처리 유닛(43a')으로 반송한다(단계(S63)). 이 후, 제 2 반송 장치(17a')는, 반전 처리 유닛(43a')에 의해 표리가 반전된 웨이퍼(W)를 반전 처리 유닛(43a')으로부터 취출하여 상단 그룹에 속하는 세정 처리 유닛(16a')으로 반송한다(단계(S64)).
마찬가지로, 하단 그룹에 대응하는 제 2 반송 장치(17b')는, 하단 그룹에 대응하는 제 2 수용부(42b')로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 하단 그룹에 대응하는 반전 처리 유닛(43b')으로 반송한다(단계(S71)). 이 후, 제 2 반송 장치(17b')는, 반전 처리 유닛(43b')에 의해 표리가 반전된 웨이퍼(W)를 반전 처리 유닛(43b')으로부터 취출하여 하단 그룹에 속하는 세정 처리 유닛(16b')으로 반송한다(단계(S72)).
이와 같이, 종래의 기판 처리 시스템(1')에서는, 제 2 수용부(42a', 42b')로부터 반전 처리 유닛(43a', 43b')으로의 웨이퍼(W)의 반송을 제 2 반송 장치(17a', 17b')가 행하는 것으로 하고 있기 때문에, 제 2 반송 장치(17a', 17b')의 처리 부하가 컸다.
이에 대하여, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 이전 장치(15a, 15b)가, 제 1 수용부(41a, 41b)에 수용된 웨이퍼(W)를 반전 처리 유닛(43a, 43b)으로 이전하는 것으로 했다. 이에 의해, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 제 2 반송 장치(17a, 17b)의 처리 부하를 작게 할 수 있기 때문에, 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 제 1 반송 장치(13)와, 제 1 수용부(41a, 41b)와, 복수의 세정 처리 유닛(16a, 16b)('제 1 기판 처리 유닛'의 일례에 상당)과, 복수의 제 2 수용부(42a, 42b)와, 복수의 제 2 반송 장치(17a, 17b)와, 복수의 반전 처리 유닛(43a, 43b)('제 2 기판 처리 유닛'의 일례에 상당)과, 이전 장치(15a, 15b)를 구비한다.
제 1 반송 장치(13)는, 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용하는 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 반송한다. 제 1 수용부(41a, 41b)는 제 1 반송 장치(13)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)를 수용한다. 복수의 세정 처리 유닛(16a, 16b)은 다단으로 적층되고, 또한 높이 방향으로 배열된 적어도 2 개의 그룹으로 나뉘어져, 웨이퍼(W)에 대하여 세정 처리를 행한다. 복수의 제 2 수용부(42a, 42b)는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부(41a, 41b)와 높이 방향에서 중복되는 위치에 각각 나란히 배치되고, 웨이퍼(W)를 수용한다. 복수의 제 2 반송 장치(17a, 17b)는 상기 그룹의 각각에 대응하고, 동일한 그룹에 대응하는 제 2 수용부(42a, 42b)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 동일한 그룹에 속하는 세정 처리 유닛(16a, 16b)으로 반송한다. 복수의 반전 처리 유닛(43a, 43b)은 상기 그룹의 각각에 대응하고, 제 1 수용부(41a, 41b) 및 제 2 수용부(42a, 42b)와 높이 방향에서 중복되는 위치에 각각 나란히 배치되고, 웨이퍼(W)의 표리를 반전시키는 처리를 행한다. 이전 장치(15a, 15b)는 제 1 수용부(41a, 41b)에 수용된 웨이퍼(W)를 제 2 수용부(42a, 42b)로 이전하거나 또는 반전 처리 유닛(43a, 43b)으로 반송한다.
이에 의해, 제 2 반송 장치(17a, 17b)의 처리 부하를 작게 할 수 있기 때문에, 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있다.
또한 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 제 1 수용부(41a, 41b) 및 제 2 수용부(42a, 42b)를 포함하는 전달 블록(14)('처리 블록'의 일례에 상당)의 중단 위치에 제 1 수용부(41a, 41b)가 배치되고, 각각 상이한 그룹에 대응하는 제 2 수용부(42a, 42b)가 제 1 수용부(41a, 41b)의 상부 및 하부에 배치된다.
이에 의해, 이전 장치(15a, 15b)의 이동 거리를 짧게 할 수 있기 때문에, 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있다.
상술한 실시예에서는, 복수의 세정 처리 유닛(16)이, 상단 그룹(G1)과 하단 그룹(G2)의 2 개의 그룹으로 나눠지는 경우의 예에 대하여 나타냈지만, 세정 처리 유닛(16)은 3 개 이상의 그룹으로 나뉘어도 된다. 그 경우, 적어도 2 개의 인접하는 그룹에 관하여, 상기 실시예에서 설명한 배치 구성 및 이전 및 반송 동작을 행하도록 하면, 단위 시간당 반송 매수를 증가시킬 수 있다.
또한 상술한 실시예에서는, 제 2 기판 처리 유닛이, 웨이퍼(W)의 표리를 반전시키는 반전 처리 유닛(43a, 43b)인 경우의 예에 대하여 나타냈지만, 제 2 기판 처리 유닛은, 반전 처리 유닛 이외의 기판 처리 유닛이어도 된다. 예를 들면, 제 2 기판 처리 유닛은, 웨이퍼(W)의 표면 상태를 검사하는 검사 처리 유닛이어도 되고, 웨이퍼(W)에 대하여 자외선을 조사하는 UV 조사 유닛이어도 된다.
또한 상술한 실시예에서는, 기판 처리 시스템(1)이, 상단 그룹(G1)에 대응하는 제 1 수용부(41a)와 하단 그룹(G2)에 대응하는 제 1 수용부(41b)를 구비할 경우의 예에 대하여 나타냈지만, 기판 처리 시스템(1)은 상단 그룹(G1)과 하단 그룹(G2)에서 공용되는 1 개의 제 1 수용부를 구비하고 있어도 된다.
새로운 효과 또는 변형예는 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 태양은, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정의 상세 및 대표적인 실시예에 한정되지 않는다. 따라서, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
1 : 기판 처리 시스템
2 : 반입출 스테이션
3 : 전달 스테이션
4 : 처리 스테이션
5 : 제어 장치
11 : 캐리어 재치부
12 : 반송부
13 : 제 1 반송 장치
14 : 전달 블록
15a, 15b : 이전 장치
16a, 16b : 세정 처리 유닛
17a, 17b : 제 2 반송 장치
41a, 41b : 제 1 수용부
42a, 42b : 제 2 수용부
43a, 43b : 반전 처리 유닛

Claims (5)

  1. 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 제 1 기판 처리 유닛과,
    기판을 수용하는 수용부와,
    상기 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치되고, 기판에 대하여 상기 제 1 기판 처리 유닛과는 다른 소정의 처리를 행하는 제 2 기판 처리 유닛과,
    상기 제 2 기판 처리 유닛으로부터 기판을 취출하여 상기 제 1 기판 처리 유닛으로 반송하는 반송 장치와,
    기판을 상기 수용부로부터 상기 제 2 기판 처리 유닛으로 반송하며, 상기 반송 장치와는 상이한 이전 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  2. 복수 매의 기판을 수용하는 카세트로부터 기판을 취출하여 반송하는 제 1 반송 장치와,
    상기 제 1 반송 장치에 의해 반송되는 기판을 수용하는 제 1 수용부와,
    기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 제 1 기판 처리 유닛과,
    상기 제 1 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치되고, 기판을 수용하는 제 2 수용부와,
    상기 제 1 수용부 및 상기 제 2 수용부와 높이 방향으로 나란히 배치되고, 기판에 대하여 상기 제 1 기판 처리 유닛과는 다른 소정의 처리를 행하는 복수의 제 2 기판 처리 유닛과,
    상기 제 2 기판 처리 유닛으로부터 기판을 취출하여 상기 제 1 기판 처리 유닛으로 반송하는 제 2 반송 장치와,
    기판을 상기 제 1 수용부로부터 상기 제 2 기판 처리 유닛으로 반송하며, 상기 제 2 반송 장치와는 상이한 이전 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 이전 장치는,
    상기 제 2 기판 처리 유닛에 의한 처리를 거치지 않고 상기 제 1 기판 처리 유닛에 의하여 처리를 행하는 경우에는, 상기 제 1 수용부에 수용된 기판을 상기 제 2 수용부에 이전하고, 상기 제 2 기판 처리 유닛에 의한 처리 후 상기 제 1 기판 처리 유닛에 의해 처리되는 경우에는, 상기 제 1 수용부에 수용된 기판을 상기 제 2 기판 처리 유닛에 반송하고,
    상기 제 2 반송 장치는,
    상기 제 2 기판 처리 유닛에 의한 처리를 거치지 않고 상기 제 1 기판 처리 유닛에 의하여 처리를 행하는 경우에는, 상기 제 2 수용부에 수용된 기판을 취출하여 상기 제 1 기판 처리 유닛에 반송하고, 상기 제 2 기판 처리 유닛에 의한 처리 후 상기 제 1 기판 처리 유닛에 의해 처리되는 경우에는, 상기 제 2 기판 처리 유닛에 수용된 기판을 상기 제 1 기판 처리 유닛에 반송하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 기판 처리 유닛은 높이 방향으로 배열되는 적어도 2 개의 그룹으로 나뉘어지며,
    상기 제 2 수용부, 상기 제 2 반송 장치, 상기 제 2 기판 처리 유닛 및 상기 이전 장치는 하나의 그룹에 대응하여 설치되어 있는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 처리 유닛은,
    상기 기판의 표리를 반전시키는 반전 처리 유닛, 기판의 표면 상태를 검사하는 검사 처리 유닛 또는 기판에 자외선을 조사하는 UV 조사 유닛인 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
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