TWI576941B - 基板處理系統 - Google Patents

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Description

基板處理系統
本說明書之實施形態係關於基板處理系統。
以往，已知有種基板處理系統，對於半導體晶圓等基板，進行利用處理液之液體處理、利用處理氣體之氣體處理等基板處理。
例如，專利文獻1中記載的基板處理系統包含：多數之基板處理單元，疊層成多層；基板收容部，可收容多片從外部搬入的基板；2個基板搬運裝置，上下疊層成分別對應於多數之基板處理單元中的上層群組及下層群組，取出基板收容部所收容的基板並向基板處理單元搬入；以及基板轉移裝置，基板收容部所收容的基板轉移至基板收容部中的不同位置。
在此種基板處理系統中，從外部搬入的基板係收容於基板收容部之中下層側的收容位置。其後，由下層群組之基板處理單元進行處理的基板，藉由對應於下層群組的基板搬運裝置取出，並向下層群組之基板處理單元搬入。另一方面，由上層群組之基板處理單元進行處理的基板，藉由基板轉移裝置轉移至基板收容部的上層側收容位置之後，藉由對應於上層群組的基板搬運裝置取出，並向上層群組的基板處理單元搬入。
又，專利文獻1中記載的基板處理系統具有倒轉基板正反的倒轉機構，將基板收容部所收容的基板藉由基板搬運裝置取出之後，因應於必要向倒轉機構搬入，在倒轉機構中倒轉正反後再向基板處理單元搬入。【先前技術文獻】【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利第5000627號公報
(發明所欲解決的問題)
但是，專利文獻1中記載的基板處理系統，因為基板搬運裝置係進行向基板處理單元之基板搬運與從基板收容部向倒轉機構之基板搬運兩者，所以基板搬運裝置的處理負載大。因此，難以增加基板處理系統中的每單位時間之搬運片數。
另，此種問題不限定於倒轉機構，是在使基板搬運裝置進行對於例如檢査裝置等其他處理單元進行存取的情形亦同樣會產生的問題。
本發明實施形態的一態樣，目的在於提供一種能增加每單位時間之搬運片數的基板處理系統。(解決問題之方式)
本實施形態一態樣之基板處理系統包含：第1搬運裝置；第1收容部；多數之第1基板處理單元；多數之第2收容部；多數之第2搬運裝置；多數之第2基板處理單元；以及轉移裝置。第1搬運裝置從收容多片基板的匣盒取出基板進行搬運。第1收容部收容由該第1搬運裝置所搬運的基板。多數之第1基板處理單元分成排列在高度方向上的至少2個群組，對基板進行既定處理。多數之第2收容部對應於該等群組中的各群組，與該第1收容部排列配置在高度方向上，並收容基板。多數之第2搬運裝置對應於該等群組中的各群組，從對應於同一該群組的該第2收容部取出基板向屬於同一該群組的該第1基板處理單元進行搬運。多數之第2基板處理單元對應於該等群組中的各群組，與該第1收容部及該第2收容部排列配置在高度方向上，對於基板進行既定處理。轉移裝置在該第1收容部與該第2收容部之間轉移基板且將在該第1收容部與該第2基板處理單元之間搬運基板。(發明之效果)
依據本發明實施形態的一態樣，能藉由縮小第2搬運裝置之處理負載來增加每單位時間之搬運片數。
(實施發明之較佳形態)
以下參照附加圖式來詳細說明本案說明書之基板處理系統的實施形態。另，本發明並非受到以下所示的實施形態限定。
圖1係顯示本實施形態之基板處理系統的構成。以下為使位置關係明確，規定彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，並以Z軸正方向為鉛直朝上的方向。
如圖1所示，基板處理系統1包含：搬入出站2；傳遞站3；以及處理站4。
搬入出站2包含：載體載置部11；以及搬運部12。載體載置部11載置有：多數之匣盒C，以水平狀態收容將多片基板，在本實施形態中為多片半導體晶圓（以下稱晶圓W）。
搬運部12，配置為鄰接於載體載置部11，內部包含第1搬運裝置13。第1搬運裝置13在匣盒C與傳遞站3之間進行晶圓W的搬運。
傳遞站3配置為鄰接於搬入出站2，內部包含：傳遞區塊14；以及多數之轉移裝置15a、15b。
傳遞區塊14以疊層狀態配置有：第1收容部及第2收容部，將晶圓W收容成多層；以及倒轉處理單元，倒轉晶圓W的正反。此種傳遞區塊14之具體構成將後述。
轉移裝置15a、15b配置為鄰接於傳遞區塊14。具體而言，轉移裝置15a配置為鄰接於傳遞區塊14的Y軸正方向側，轉移裝置15b配置為鄰接於傳遞區塊14的Y軸負方向側。轉移裝置15a、15b在配置於傳遞區塊14的第1收容部、第2收容部與倒轉處理單元之間進行晶圓W之轉移。
處理站4配置為鄰接於傳遞站3，包含：多數之清洗處理單元16；以及多數之第2搬運裝置17。多數之清洗處理單元16配置為鄰接於第2搬運裝置17的Y軸正方向側及Y軸負方向側。
多數之第2搬運裝置17疊層成上下2層，各自在傳遞區塊14與清洗處理單元16之間進行晶圓W之搬運。
在本實施形態中，清洗處理單元16於內部具有刷子機構，對於藉由第2搬運裝置17搬運的晶圓W，進行利用刷子接觸的清洗處理。又，亦可使清洗處理單元16進行使用SC1（氨與過氧化氫水的混合液）等化學液的清洗處理。另，清洗處理單元16係「第1基板處理單元」的一例。
又，基板處理系統1包含控制裝置5。控制裝置5例如係電腦，包含：控制部18；以及記憶部19。記憶部19存放有：程式，控制在基板處理系統1中執行的各種處理。控制部18讀出記憶於記憶部19中的程式來執行，藉以控制基板處理系統1的動作。
另，此種程式亦可係記錄於電腦可讀取的記憶媒體者，且係從該記憶媒體安裝至控制裝置5的記憶部19者。就電腦可讀取的記憶媒體而言，例如有硬碟（HD）、軟碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）、記憶卡等。
其次說明傳遞站3及處理站4的具體構成。首先參照圖2來說明設於傳遞站3之傳遞區塊14的第1收容部、第2收容部與倒轉處理單元、以及設於處理站4的清洗處理單元16之配置。圖2係第1收容部、第2收容部、倒轉處理單元及清洗處理單元之配置圖。
另，在圖2中，將清洗處理單元16標註為「SCR」，第1收容部41a、41b標註為「SBU」，第2收容部42a、42b標註為「TRS」，倒轉處理單元43a、43b標註為「RVS」。倒轉處理單元43a、43b係「第2基板處理單元」的一例。
如圖2所示，多數之清洗處理單元16有4個排列配置在高度方向上。此等多數之清洗處理單元16分成排列在高度方向（Z軸方向）上的2個群組。具體而言，上側2個清洗處理單元16a屬於上層群組G1，下側2個清洗處理單元16b屬於下層群組G2。
另，圖2所示的清洗處理單元16係對應於圖1所示的配置在第2搬運裝置17之Y軸負方向側的清洗處理單元16。在此，配置在第2搬運裝置17之Y軸正方向側的清洗處理單元16亦具有與圖2所示的清洗處理單元16同樣的構成，但省略其圖示。所以，處理站4分別於第2搬運裝置17的Y軸負方向側及Y軸正方向側分別配置有4個清洗處理單元16a、16b，合計8個。
傳遞區塊14以疊層狀態配置有：2個第1收容部41a、41b；2個第2收容部42a、42b；以及2個倒轉處理單元43a、43b。第1收容部41a、41b係將藉由第1搬運裝置13（圖1參照）搬入至基板處理系統1內的晶圓W或藉由第1搬運裝置13從基板處理系統1搬出的晶圓W加以暫時性收容的場所。
在此，參照圖3A及圖3B來說明第1收容部41a、41b之構成。圖3A及圖3B係顯示第1收容部41a、41b之構成。另，在圖3A中，顯示第1收容部41a之構成作為一例，但第1收容部41b之構成亦與第1收容部41a相同。
如圖3A所示，第1收容部41a包含：基底部141；以及3個支持部142、143、144，豎立設於基底部141上。3個支持部142、143、144以大致120度的間隔配置在圓周方向上，分別於前端固持晶圓W的外周部。又，各支持部142、143、144係沿著高度方向設有多數個（例如參照圖3B所示的多數之支持部142）。藉此，第1收容部41a可將多片的晶圓W收容成多層。
此種第1收容部41a具有第1搬運裝置13與轉移裝置15a分別從不同方向進行存取。具體而言，第1搬運裝置13從第1收容部41a的X軸負方向側穿過支持部142及支持部144之間而進入至第1收容部41a內。又，轉移裝置15a從第1收容部41a的Y軸正方向側穿過支持部142及支持部143之間而進入至第1收容部41a內。
如圖2所示，第1收容部41a、41b，第2收容部42a、42b及倒轉處理單元43a、43b，從下起依照後述順序疊層有：倒轉處理單元43b、第2收容部42b、第1收容部41b、第1收容部41a、第2收容部42a、倒轉處理單元43a。
此等之中，配置於上側的第1收容部41a、第2收容部42a及倒轉處理單元43a對應於上層群組G1，配置於下側的第1收容部41b、第2收容部42b及倒轉處理單元43b對應於下層群組G2。
具體而言，將受到屬於上層群組G1清洗處理單元16a所處理或已處理的晶圓W搬入至對應於上層群組G1的第1收容部41a、第2收容部42a及倒轉處理單元43a。又，將受到屬於下層群組G2的清洗處理單元16b所處理或已處理的晶圓W搬入至對應於下層群組G2的第1收容部41b、第2收容部42b及倒轉處理單元43b。
另，在此，係於各群組G1、G2逐群設置1個第1收容部、第2收容部及倒轉處理單元，但亦可於各群組G1、G2設有多數第1收容部、第2收容部及倒轉處理單元。
其次，參照圖4來說明第1搬運裝置13、轉移裝置15a、15b及第2搬運裝置17之配置。圖4係第1搬運裝置13、轉移裝置15a、15b及第2搬運裝置17之配置圖。
另，轉移裝置15a係配置為鄰接於傳遞區塊14之Y軸正方向側，轉移裝置15b係配置為鄰接於傳遞區塊14之Y軸負方向側（參照圖1）。又，第2搬運裝置17係配置於下列兩者之間：配置在處理站4之Y軸正方向側的清洗處理單元16；以及配置在Y軸負方向側的Y清洗處理單元16（參照圖1）。另，亦可將轉移裝置15a及轉移裝置15b兩者一起配置於傳遞區塊14之Y軸正方向側或Y軸負方向側的其中任一方。
如圖4所示，第1搬運裝置13包含固持晶圓W的多數之（在此為5個）晶圓固持機構131。又，第1搬運裝置13可往水平方向及鉛直方向移動且能以鉛直軸為中心旋轉，能夠使用晶圓固持機構131而在匣盒C與第1收容部41a、41b之間同時地搬運多片晶圓W。
轉移裝置15a、15b在圖2所示的第1收容部41a、41b與第2收容部42a、42b之間，或在第1收容部41a、41b與倒轉處理單元43a、43b之間，進行晶圓W之搬運。
具體而言，轉移裝置15a係對應於上層群組G1，使用晶圓固持機構151a而在對應於該上層群組G1的第1收容部41a與第2收容部42a之間，或第1收容部41a與倒轉處理單元43a之間，進行晶圓W之搬運。又，轉移裝置15b係對應於下層群組G2，使用晶圓固持機構151b而在對應於該下層群組G2的第1收容部41b與第2收容部42b之間，或第1收容部41b與倒轉處理單元43b之間，進行晶圓W之搬運。
另，轉移裝置15a配置於比轉移裝置15b更上方。具體而言，對應於上層群組G1的轉移裝置15a，係配置在與對應於該上層群組G1的第1收容部41a、第2收容部42a及倒轉處理單元43a大致同等的高度。又，對應於下層群組G2的轉移裝置15b，係配置在與對應於該下層群組G2的第1收容部41b、第2收容部42b及倒轉處理單元43b大致同等的高度。
第2搬運裝置17a、17b疊層成上下2層。第2搬運裝置17a包含固持晶圓W的多數之（在此為2個）晶圓固持機構171a。同樣地，第2搬運裝置17b包含固持晶圓W的多數之（在此為2個）晶圓固持機構171b。又，各第2搬運裝置17a、17b可往水平方向及鉛直方向移動，使用晶圓固持機構171a、171b而在第2收容部42a、42b與清洗處理單元16a、16b之間，或在倒轉處理單元43a、43b與清洗處理單元16a、16b之間進行晶圓W之搬運。第2搬運裝置17a、17b在將晶圓W搬入至各單元內部時，使用下側的晶圓固持機構171a、171b，從各單元取出晶圓W時，使用上側的晶圓固持機構171a、171b。
多數之第2搬運裝置17a、17b之中，配置於上層側的第2搬運裝置17a係對應於上層群組G1，並在對應於該上層群組G1的第2收容部42a及清洗處理單元16a，或倒轉處理單元43a及清洗處理單元16a之間進行晶圓W之搬運。又，多數之第2搬運裝置17a、17b之中，配置於下層側的第2搬運裝置17b係對應於下層群組G2，並在對應於該下層群組G2的第2收容部42b及清洗處理單元16b，或倒轉處理單元43b及清洗處理單元16b之間進行晶圓W之搬運。
其次說明本實施形態之基板處理系統1所施行的基板搬運處理之處理程序。首先參照圖5來說明不經過倒轉處理單元43a、43b所施行的處理就進行清洗處理單元16a、16b所施行的處理時之基板搬運處理的處理程序。
圖5不經過倒轉處理單元43a、43b所施行的處理就進行清洗處理單元所施行的處理時之基板搬運處理的說明圖。另，圖5所示的基板搬運處理，係於例如僅清洗晶圓W正面時進行。
在此，在圖5中，將第1搬運裝置13標註為「CRA」，轉移裝置15a、15b標註為「MPRA」，第2搬運裝置17a、17b標註為「PRA」。又，在圖5中，為便於容易理解，將轉移裝置15a、15b標註於第1搬運裝置13與傳遞區塊14之間，將第2搬運裝置17a、17b標註於傳遞區塊14與清洗處理單元16a、16b之間。
如圖5所示，在基板處理系統1中，首先第1搬運裝置13從匣盒C一起取出5片未處理晶圓W並收容至對應於上層群組G1的第1收容部41a（步驟S01）。又，第1搬運裝置13再度從匣盒C一起取出5片未處理晶圓W，收容至對應於下層群組G2的第1收容部41b（步驟S11）。如此，第1搬運裝置13交互進行將從匣盒C取出的未處理晶圓W收容至第1收容部41a處理與收容至第1收容部41b的處理。
其次，對應於上層群組G1的轉移裝置15a從對應於上層群組G1的第1收容部41a逐次取出1片未處理晶圓W，轉移置對應於上層群組G1的第2收容部42a（步驟S02）。又，對應於下層群組G2轉移裝置15b，從對應於下層群組G2的第1收容部41b逐次取出1片未處理晶圓W，轉移至對應於下層群組G2的第2收容部42b（步驟S12）。
如圖5所示，第1收容部41a、41b係配置於彼此鄰接的上層群組G1與下層群組G2之中間高度。因此本實施形態之系統僅具有此等2群組，所以該中間高度位置係與傳遞區塊14的中層位置一致。具體而言，第1收容部41a、41b係在對應於上層群組G1的第2收容部42a及倒轉處理單元43a，與對應於下層群組G2的第2收容部42b及倒轉處理單元43b之間，配置為疊層成上下2層。在本實施形態中，配置成第1收容部41a的底面與上層群組G1的底面相同高度，第2收容部41b的頂面與上層群組G2的頂面相同高度。
又，對應於上層群組G1的第2收容部42a，係配置在對應於上層群組G1的第1收容部41a頂部，對應於下層群組G2的第2收容部42b，係配置在對應於下層群組G2的第1收容部41b底部。
如此，將第1收容部41a、41b配置於傳遞區塊14的中層位置，將第2收容部42a、42b分別配置於其上下，藉而得以縮短轉移裝置15a、15b在將晶圓W從第1收容部41a、41b向第2收容部42a、42b轉移時的移動距離。又，藉由如上述方式構成，能使得對應於上層群組G1的轉移裝置15a之移動距離，與對應於下層群組G2的轉移裝置15b之移動距離一致，使得群組G1、G2間的處理時間不易產生偏差。
其次，藉由對應於上層群組G1的第2搬運裝置17a從第2收容部42a逐次取出1片收容於第2收容部42a的未處理晶圓W，搬運至上層群組G1的清洗處理單元16a（步驟S03）。同樣地，藉由對應於下層群組G2的第2搬運裝置17b從第2收容部42b逐次取出取出1片收容於第2收容部42b的未處理晶圓W，搬運至下層群組G2的清洗處理單元16b（步驟S13）。並且，搬運至清洗處理單元16a、16b的晶圓W，藉由清洗處理單元16a、16b來施加清洗處理。
其後，受到清洗處理單元16a、16b所處理的晶圓W，以與搬入時相反的程序向匣盒C收容。例如，藉由對應於上層群組G1的第2搬運裝置17a，從清洗處理單元16a逐次取出1片受到上層群組G1的清洗處理單元16a施加清洗處理的晶圓W，向對應於上層群組G1的第2收容部42a進行搬運。並且，對應於上層群組G1的轉移裝置15a從第2收容部42a逐次取出1片晶圓W並向第1收容部41a轉移之後，第1搬運裝置13從第1收容部41a一起取出5片晶圓W向匣盒C進行搬運。下層群組G2亦係相同。以上說明的動作之中，關於上層群組G1的從置於第1收容部41a之後到再度置於第1收容部41a為止的基板搬運及轉移動作，以及關於下層群組G2的從置於第1收容部41b之後到再度置於第1收容部41b為止的基板搬運及轉移動作，係同時並行地執行。
其次參照圖6來說明在倒轉處理單元43a、43b所施行的處理之後進行清洗處理單元16a、16b所施行的處理時之基板搬運處理的處理程序。
圖6係在倒轉處理單元43a、43b所施行的處理之後進行清洗處理單元16a、16b所施行的處理時之基板搬運處理的說明圖。另，圖6所示的基板搬運處理，係於例如清洗晶圓W的反面(背面)時進行。
如圖6所示，首先，第1搬運裝置13從匣盒C一起取出5片未處理晶圓W，並收容至對應於上層群組G1的第1收容部41a（步驟S21）。又，第1搬運裝置13從匣盒C再度一起取出5片未處理晶圓W，並收容至對應於下層群組G2的第1收容部41b（步驟S31）。
其次，對應於上層群組G1的轉移裝置15a，逐次取出1片收容在對應於上層群組G1之第1收容部41a的未處理晶圓W，並搬運至對應於上層群組G1的倒轉處理單元43a（步驟S22）。又，對應於下層群組G2的轉移裝置15b，逐次取出1片收容在對應於下層群組G2之第1收容部41b的未處理晶圓W，並搬運至對應於下層群組G2的倒轉處理單元43b（步驟S32）。搬運至倒轉處理單元43a、43b的晶圓W，藉由倒轉處理單元43a、43b來倒轉正反。
並且，對應於上層群組G1的第2搬運裝置17a，從對應於上層群組G1的倒轉處理單元43a逐次取出1片倒轉處理後的晶圓W，並搬運至屬於上層群組G1的清洗處理單元16a（步驟S23）。又，對應於下層群組G2的第2搬運裝置17b，從對應於下層群組G2的倒轉處理單元43b逐次取出1片倒轉處理後的晶圓W，並搬運至屬於下層群組G2的清洗處理單元16b（步驟S33）。
藉由第2搬運裝置17a、17b從清洗處理單元16a、16b逐次取出1片清洗處理後的晶圓W，並搬運至第2收容部42a、42b。其次，藉由轉移裝置15a、15b逐次將1片晶圓W從第2收容部42a、42b向第1收容部41a、41b搬運之後，藉由第1搬運裝置13從第1收容部41a、41b向匣盒C一次搬運5片。以上說明的動作之中，關於上層群組G1的從置於第1收容部41a之後到再度置於第1收容部41a為止的基板搬運及轉移動作，與關於下層群組G2的從置於第1收容部41b之後到再度置於第1收容部41b為止的基板搬運及轉移動作，係同時並行地執行。
如此，在本實施形態之基板處理系統1中，從第1收容部41a、41b向倒轉處理單元43a、43b的晶圓W之搬運並非由第2搬運裝置17a、17b進行，而係由轉移裝置15a、15b進行。藉此，因為降低第2搬運裝置17a、17b的處理負載，所以即使有進行倒轉處理時，也能增加每單位時間之搬運片數。
又，在本實施形態之基板處理系統1中，對應於上層群組G1的倒轉處理單元43a係配置在對應於上層群組G1的第2收容部42a頂部，對應於下層群組G2的倒轉處理單元43b係配置在對應於下層群組G2的第2收容部42b底部。
如此，倒轉處理單元43a、43b係配置在比對應於相同群組G1、G2的第2收容部42a、42b更遠離第1收容部41a、41b的位置。因此，相較於將倒轉處理單元43a、43b配置於第1收容部41a、41b與第2收容部42a、42b之間的情形而言，能縮短從第1收容部41a、41b向第2收容部42a、42b轉移晶圓W時的轉移裝置15a、15b之移動距離。
在此，亦可考慮藉由將倒轉處理單元43a、43b配置在第1收容部41a、41b與第2收容部42a、42b之間，來縮短轉移裝置15a、15b將晶圓W從第1收容部41a、41b轉移到倒轉處理單元43a、43b時的移動距離。
但是，第2收容部42a、42b在僅清洗晶圓W正面時，僅清洗反面時及後述清洗兩面時等事例中均使用，相對於此，倒轉處理單元43a、43b則有例如圖4所示未使用的事例。
所以，將第2收容部42a、42b配置於比倒轉處理單元43a、43b更靠近第1收容部41a、41b，縮短轉移裝置15a、15b將晶圓W從第1收容部41a、41b向第2收容部42a、42b轉移時的移動距離，對於增加基板搬運處理的每單位時間之搬運片數而言為有效。
又，如圖5等所示，倒轉處理單元43a、43b高度尺寸比第2收容部42a、42b更大。因此，將倒轉處理單元43a、43b插設於第1收容部41a、41b與第2收容部42a、42b之間時，轉移裝置15a、15b將晶圓W從第1收容部41a、41b向第2收容部42a、42b轉移時的移動距離將會大幅變長。從此點而言，宜將倒轉處理單元43a、43b配置於比第2收容部42a、42b更遠離第1收容部41a、41b的位置，可藉由如此配置來增加每單位時間之搬運片數。
其次參照圖7來說明，在清洗處理單元16a、16b所施行的處理前後進行倒轉處理單元43a、43b所施行的處理時之基板搬運處理的處理程序。
圖7係於清洗處理單元16a、16b所施行的處理前後進行倒轉處理單元43a、43b所施行的處理時之基板搬運處理的說明圖。另，圖7所示的基板搬運處理係例如於清洗晶圓W兩面時進行。在本實施形態中，清洗處理單元16a將4個單元之中的2個分配為正面用、2個分配為反面用。清洗處理單元16b亦係同樣的分配。
圖7所示的步驟S41～S43及步驟S51～S53係將未處理晶圓W正反倒轉之後向清洗處理單元16a、16b搬運為止的處理程序，與圖6所示的步驟S21～S23及步驟S31～S33係相同。
藉由對應於上層群組G1的第2搬運裝置17a，從清洗處理單元16a逐次取出1片受到屬於上層群組G1的清洗處理單元16a清洗反面的晶圓W之後，再度搬運至對應於上層群組G1的倒轉處理單元43a（步驟S44）。搬運至倒轉處理單元43a的晶圓W藉由倒轉處理單元43a倒轉正反之後，藉由第2搬運裝置17a逐次取出1片再度向清洗處理單元16a搬運（步驟S45），藉由清洗處理單元16a清洗正面。
受到屬於下層群組G2的清洗處理單元16b清洗反面的晶圓W亦同樣地，藉由第2搬運裝置17b從清洗處理單元16b逐次暫時取出1片並搬運至倒轉處理單元43b（步驟S54）。其後，晶圓W藉由倒轉處理單元43b倒轉正反之後，藉由第2搬運裝置17b向清洗處理單元16b逐次搬運1片（步驟S55），藉由清洗處理單元16b清洗正面。
如此，藉由第2搬運裝置17a、17b來進行清洗處理單元16a、16b與倒轉處理單元43a、43b之間的晶圓W之搬運。以上說明的動作之中，關於上層群組G1的從置於第1收容部41a之後到再度置於第1收容部41a為止的基板搬運及轉移動作，以及關於下層群組G2的從置於第1收容部41b之後到再度置於第1收容部41b為止的基板搬運及轉移動作，係同時並行地執行。
其次說明習知的基板處理系統中進行的基板搬運處理與本實施形態的基板處理系統1之比較。圖8係習知的基板處理系統中的基板搬運處理之說明圖。另，圖8係顯示於倒轉處理單元43a’、43b’所施行的處理之後進行清洗處理單元16a’、16b’所施行的處理時之基板搬運處理的處理程序。
如圖8所示，在習知的基板處理系統1’中，第2收容部42a’、42b’以及倒轉處理單元43a’、43b’，從下起依照後述順序疊層有：第2收容部42b’、第2收容部42b’、倒轉處理單元43b’、倒轉處理單元43a’、第2收容部42a’、第2收容部42a’。又，習知的基板處理系統1’包含1個轉移裝置15’。
在習知的基板處理系統1’中，首先，第1搬運裝置13’從匣盒C取出未處理晶圓W收容至對應於下層群組的第2收容部42b’（步驟S61）。第1搬運裝置13’重複上述處理，而不論是由上層群組的清洗處理單元16a’所處理的晶圓W或由下層群組的清洗處理單元16b’所處理的晶圓W。
其次，轉移裝置15’ 從對應於下層群組的第2收容部42b’取出受到上層群組之清洗處理單元16a’所處理的晶圓W，向對應於上層群組的第2收容部42a’轉移（步驟S62）。
如此，習知的基板處理系統1’中，因為係1台轉移裝置15’ 存取下層群組的第2收容部42b’與上層群組的第2收容部42a’雙方，所以轉移裝置15’的移動距離長。並且，此點成為阻礙增加每單位時間之搬運片數的要因之一。
相對於此，在本實施形態之基板處理系統1中，包含對應於上層群組G1的轉移裝置15a以及對應於下層群組G2的轉移裝置15b，再者，將第1收容部41a、41b配置於傳遞區塊14的中層位置，將第2收容部42a配置於第1收容部41a的頂部，並且將第2收容部42b配置於第1收容部41b的底部。藉此，在本實施形態之基板處理系統1中，因為可縮短轉移裝置15a、15b的移動距離，所以能增加每單位時間之搬運片數。
其次，對應於上層群組的第2搬運裝置17a’從對應於上層群組的第2收容部42a’取出晶圓W並搬運至對應於上層群組的倒轉處理單元43a’（步驟S63）。其後，第2搬運裝置17a’ 從倒轉處理單元43a’取出由倒轉處理單元43a’倒轉正反的晶圓W，並搬運至屬於上層群組的清洗處理單元16a’（步驟S64）。
同樣地，對應於下層群組的第2搬運裝置17b’，從對應於下層群組的第2收容部42b’取出晶圓W，並搬運至對應於下層群組的倒轉處理單元43b’（步驟S71）。其後，第2搬運裝置17b’ 從倒轉處理單元43b’取出由倒轉處理單元43b’倒轉正反的晶圓W，並搬運至屬於下層群組的清洗處理單元16b’（步驟S72）。
如此，在習知的基板處理系統1’中，因為是第2搬運裝置17a’、17b’進行從第2收容部42a’、42b’向倒轉處理單元43a’、43b’ 搬運晶圓W，所以第2搬運裝置17a’、17b’的處理負載大。
相對於此，在本實施形態之基板處理系統1中，是轉移裝置15a、15b將收容於第1收容部41a、41b的晶圓W向倒轉處理單元43a、43b進行轉移。藉此，在本實施形態之基板處理系統1中，因為可縮小第2搬運裝置17a、17b的處理負載，所以能增加每單位時間之搬運片數。
如上所述，本實施形態之基板處理系統1包含：第1搬運裝置13；第1收容部41a、41b；多數之清洗處理單元16a、16b（相當於「第1基板處理單元」的一例）；多數之第2收容部42a、42b；多數之第2搬運裝置17a、17b；多數之倒轉處理單元43a、43b（相當於「第2基板處理單元」的一例）；以及轉移裝置15a、15b。
第1搬運裝置13從收容多片晶圓W的匣盒C取出晶圓W進行搬運。第1收容部41a、41b收容由第1搬運裝置13所搬運的晶圓W。多數之清洗處理單元16a、16b疊層成多層，並分成排列在高度方向上的至少2個群組，對晶圓W進行清洗處理。多數之第2收容部42a、42b對應於上述群組中的各群組，分別與第1收容部41a、41b排列配置於往高度方向上重疊的位置，並收容晶圓W。多數之第2搬運裝置17a、17b對應於上述群組中的各群組，從對應於相同群組的第2收容部42a、42b取出晶圓W，並向屬於相同群組的清洗處理單元16a、16b進行搬運。多數之倒轉處理單元43a、43b對應於上述群組中的各群組，分別與第1收容部41a、41b及第2收容部42a、42b排列配置於往高度方向上重疊的位置，進行倒轉晶圓W之正反的處理。轉移裝置15a、15b將收容於第1收容部41a、41b的晶圓W轉移至第2收容部42a、42b或向倒轉處理單元43a、43b進行搬運。
藉此，因為能縮小第2搬運裝置17a、17b的處理負載，所以能增加每單位時間之搬運片數。
又，在本實施形態之基板處理系統1中，將第1收容部41a、41b配置在包含第1收容部41a、41b及第2收容部42a、42b的傳遞區塊14（相當於「處理區塊」的一例）之中層位置，並將分別對應於不同群組的第2收容部42a、42b配置於第1收容部41a、41b的頂部及底部。
藉此，因為能縮短轉移裝置15a、15b之移動距離，所以能增加每單位時間之搬運片數。
在上述的實施形態中，係顯示多數之清洗處理單元16分成上層群組G1與下層群組G2，為2個群組的情形之例，清洗處理單元16亦可分成3個以上的群組。此時，就至少2個相鄰接的群組而言，只要為上述實施形態所說明的配置構成或進行上述實施形態所說明的轉移及搬運動作，即能增加每單位時間之搬運片數。
又，在上述的實施形態中，係顯示第2基板處理單元為倒轉晶圓W正反的倒轉處理單元43a、43b的情形之例，第2基板處理單元亦可係倒轉處理單元以外的基板處理單元。例如，第2基板處理單元可係檢査晶圓W表面狀態的檢査處理單元，亦可係對於晶圓W照射紫外線的UV照射單元。
又，在上述的實施形態中，係顯示基板處理系統1包含對應於上層群組G1的第1收容部41a與對應於下層群組G2的第1收容部41b的情形之例，但基板處理系統1亦可包含上層群組G1與下層群組G2共用的1個第1收容部。
通常知識者可輕易導出進一步效果與變形例。因此，本發明的更廣泛態樣並不限於上述表達描述的特定細節及代表性實施形態。所以，只要不脫離由本案申請專利範圍及其均等物所定義的概括性發明概念之主旨精神或範圍，可進行各種變更。
1、1’‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧傳遞站
4‧‧‧處理站
5‧‧‧控制裝置
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧搬運部
13、13’、CRA‧‧‧第1搬運裝置
14‧‧‧傳遞區塊
15’、15a、15b、MPRA‧‧‧轉移裝置
16、16a、16a’、16b、16b’、SCR‧‧‧清洗處理單元
17、17a、17a’、17b、17b’、PRA‧‧‧第2搬運裝置
18‧‧‧控制部
19‧‧‧記憶部
41a、41b、SBU‧‧‧第1收容部
42a、42a’、42b、42b’、TRS‧‧‧第2收容部
43a、43a’、43b 、43b’、RVS‧‧‧倒轉處理單元
141‧‧‧基底部
142、143、144‧‧‧支持部
131、151a、151b、171a、171b‧‧‧晶圓固持機構
C‧‧‧匣盒
G1、G2‧‧‧群組
S01~S03、S11~S13、S21~S23、S31~S33、S41~S44、S51~S54、S61~S64、S71、S72‧‧‧步驟
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示本實施形態之基板處理系統的構成。圖2係第1收容部、第2收容部、倒轉處理單元及清洗處理單元之配置圖。圖3A係顯示第1收容部之構成。圖3B係顯示第1收容部之構成。圖4係第1搬運裝置、轉移裝置及第2搬運裝置之配置圖。圖5係不經過倒轉處理單元所施行的處理就進行清洗處理單元所施行的處理時之基板搬運處理的說明圖。圖6係在倒轉處理單元所施行的處理之後才進行清洗處理單元所施行的處理時之基板搬運處理的說明圖。圖7係在清洗處理單元所施行的處理前後進行倒轉處理單元所施行的處理時之基板搬運處理的說明圖。圖8係習知的基板處理系統中的基板搬運處理之說明圖。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧傳遞站
4‧‧‧處理站
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧搬運部
13、CRA‧‧‧第1搬運裝置
14‧‧‧傳遞區塊
15a、15b、MPRA‧‧‧轉移裝置
16a、16b、SCR‧‧‧清洗處理單元
17a、17b、PRA‧‧‧第2搬運裝置
41a、41b、SBU‧‧‧第1收容部
42a、42b、TRS‧‧‧第2收容部
43a、43b、RVS‧‧‧倒轉處理單元
C‧‧‧匣盒
S21~S23、S31~S33‧‧‧步驟
W‧‧‧晶圓

Claims (5)

  1. 一種基板處理系統，其特徵在於，包含：第1搬運裝置，從收容多片基板的匣盒取出基板進行搬運；第1收容部，收容由該第1搬運裝置所搬運的基板；多數之第1基板處理單元，分成排列在高度方向上的至少2個群組，對基板進行既定處理；多數之第2收容部，對應於該等群組中的各群組，與該第1收容部排列配置在高度方向上，並收容基板；多數之第2搬運裝置，對應於該等群組中的各群組，從對應於同一該群組的該第2收容部取出基板，向屬於同一該群組的該第1基板處理單元進行搬運；多數之第2基板處理單元，對應於該等群組中的各群組，與該第1收容部及該第2收容部排列配置在高度方向上，對於基板進行既定處理；以及轉移裝置，在該第1收容部與該第2收容部之間轉移基板，且將基板在該第1收容部與該第2基板處理單元之間搬運。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該轉移裝置，在不經過由該第2基板處理單元所施行的處理就進行該第1基板處理單元所施行的處理時，將收容於該第1收容部的基板向該第2收容部進行轉移；而在該第2基板處理單元所施行的處理之後才進行該第1基板處理單元所施行的處理時，將收容於該第1收容部的基板向該第2基板處理單元進行搬運，該第2搬運裝置，在不經過該第2基板處理單元所施行的處理就進行該第1基板處理單元所施行的處理時，取出收容於該第2收容部的基板，並向該第1基板處理單元進行搬運；而在該第2基板處理單元所施行的處理之後才進行該第1基板處理單元所施行的處理時，將收容於該第2基板處理單元的基板向該第1基板處理單元進行搬運。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中，將對應於相鄰接的2個群組的該第1收容部配置於該2個群組的中間高度，並將分別對應於不同的該群組的該第2收容部配置於該第1收容部的頂部及底部。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中，包含對應於該等群組中的各群組的多數之該轉移裝置，該轉移裝置，將收容於該第1收容部的基板向對應於同一該群組的該第2收容部進行轉移。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中，包含對應於該等群組中的各群組且疊層成多層的多數之該第1收容部，該第1搬運裝置，將由該第1基板處理單元進行處理的基板，向對應於該第1基板處理單元所屬群組的該第1收容部搬運，該轉移裝置，將收容在對應於同一該群組的該第1收容部之基板，向對應於同一該群組的該第2收容部轉移或向該第2基板處理單元進行搬運。
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