TWI552253B - 基板處理系統、基板運送方法及記憶媒體 - Google Patents

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Description

基板處理系統、基板運送方法及記憶媒體
本發明係關於一種基板處理系統、基板運送方法及記憶媒體，用以對半導體晶圓等基板，進行使用處理液的液體處理、使用處理氣體的氣體處理，或是洗淨處理與熱處理等處理。
以往，作為用來對半導體晶圓等基板進行使用處理液的液體處理、使用處理氣體的氣體處理，或是洗淨處理及熱處理等處理的基板處理系統，各式種類已眾所周知。這樣的基板處理系統包含：基板載置台，載置具有複數之基板的基板收納體；基板處理單元，配置於相同構造的複數段；及各基板處理單元，具有用以進行基板處理的複數之基板處理模組。另外，各基板處理單元中，設置暫時收納複數之基板的基板緩衝部，以第1基板運送裝置，從基板載置台上的基板收納體取出基板，並將其運送至各基板單元的基板緩衝部。接著藉由第2基板運送裝置，將基板緩衝部內的基板送往各基板處理單元的各基板處理模組。在基板處理單元之基板處理模組中處理完的基板，藉由第2基板運送裝置送回基板緩衝部。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2003-273058號公報
如上所述，各基板處理單元，雖具有複數之基板處理模組，及在基板處理模組與基板緩衝部間運送基板的第2基板運送裝置，但若發生例如，某基板處理單元內的第2基板運送裝置發生故障的情況等異常，至該第2基板運送裝置復原之前，應該在該基板處理單元內進行處理的基板，則長時間留在該基板處理單元之基板緩衝部內。
如此，若在某基板處理單元內發生異常，則未處理的基板長時間留置於該基板處理單元的基板緩衝部內，而形成放置的狀態。
考量此點而完成的本發明，其目的在於提供一種基板處理系統、基板運送方法及記憶媒體，在某基板處理單元發生故障，而未處理基板留置於該基板處理單元的基板緩衝部的情況中，對此留置的基板進行救援，以繼續進行對於基板的處理。
本發明係一種基板處理系統，其特徵為包含：複數之基板處理單元，具有對基板施行處理的複數之基板處理模組；基板載置台，搬入具有複數之基板的基板收納體；基板緩衝部，對應各基板處理單元設置，暫時收納複數之基板；第1基板運送裝置，從基板載置台上的基板收納體內取出基板，並將該基板運送至與至少一個基板處理單元對應的基板緩衝部內；及第2基板運送裝置，設於各基板處理單元，在基板緩衝部與處理模組間運送基板；各基板緩衝部間，設有用來移置基板的緩衝部間移置裝置，在一基板處理單元無法進行基板處理時，藉由緩衝部間移置裝置，將該基板處理單元的基板緩衝部內的某片未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部。
本發明係一種基板運送方法，其特徵為包含：將具有複數之基板的基板收納體運送至基板載置台上的步驟；以第1基板運送裝置，將基板從基板載置台上的基板收納體取出，並將該基板運送至分別具有複數之基板處理模組的複數之基板處理單元的任一基板處理單元之基板緩衝部的步驟；及藉由第2基板運送裝置，將各基板處理單元之基板緩衝部內的基板，運送至該基板處理單元內的基板處理模組的步驟；在一基板處理單元內無法進行基板處理時，將該基板處理單元的基板緩衝部內的未處理基板，藉由緩衝部間移置裝置，移置到另一基板處理單元的基板緩衝部。
本發明係一種記憶媒體，將用以實行基板運送方法的電腦程式儲存於電腦中，基板運送方法包含：將具有複數之基板的基板收納體搬入基板載置台上的步驟；以第1基板運送裝置將基板從基板載置台上的基板收納體取出，並將該基板運送至分別具有複數之基板處理模組的複數之基板處理單元中任一基板處理單元的基板緩衝部的步驟；及以第2基板運送裝置，將各基板處理單元之基板緩衝部內的基板，運送至該基板處理單元內的基板處理模組的步驟；在一基板處理單元無法進行基板處理時，藉由緩衝部間移置裝置，將該基板處理單元之基板緩衝部內的未處理基板移置到另一基板處理單元之基板緩衝部。
若根據本發明，在某基板處理單元發生故障，未處理基板留置於該基板處理單元之基板緩衝部內的情況下，可藉由緩衝部間移置裝置，將留置的未處理基板移置到另一基板處理單元的基板緩衝部。藉此，可以另一基板處理單元，確實地對留置於基板緩衝部內的未處理基板進行處理，而能夠繼續對基板進行處理。
10‧‧‧晶圓處理系統
20‧‧‧匣盒
25‧‧‧基板載置台
30a‧‧‧基板緩衝部
30b‧‧‧基板緩衝部
34‧‧‧晶圓反轉機構
35‧‧‧晶圓移置裝置
36‧‧‧支柱構件
37‧‧‧叉體支持構件
38a、38b‧‧‧叉體
40A‧‧‧晶圓處理單元
40B‧‧‧晶圓處理單元
40a‧‧‧晶圓處理模組
40b‧‧‧晶圓處理模組
50‧‧‧第1晶圓運送裝置
51‧‧‧基體構件
52‧‧‧垂直移動機構
53‧‧‧叉體支持構件
53a、53b‧‧‧水平移動機構
54a、54b、54c、54d、54e‧‧‧叉體
55‧‧‧基座
56‧‧‧軌道
60a、60b‧‧‧第2晶圓運送裝置
63a、63b‧‧‧叉體支持構件
64a、64b‧‧‧叉體
65a、65b‧‧‧基座
100‧‧‧控制器
101‧‧‧記憶媒體
A、B、C‧‧‧區域
【圖1】圖1係表示本發明之一實施態樣的晶圓處理系統的構成的概略側面圖。
【圖2】圖2係表示從圖1所示之晶圓處理系統的A-A線箭視的俯視圖。
【圖3】圖3係表示從圖1所示之晶圓處理系統的B-B線箭視的俯視圖。
【圖4】圖4係表示從圖2所示的晶圓處理系統之C-C線箭視的側面圖。
【圖5】圖5係表示晶圓處理單元整體的示意圖。
【圖6】圖6係表示從圖2所示的晶圓處理系統之D-D線箭視的側面圖。
【圖7】圖7係表示基板運送方法的流程圖。
【圖8】圖8係表示設於晶圓處理單元的基板緩衝部的圖。
以下，參照圖式，就本發明之一實施態樣進行說明。圖1至圖8係表示本實施態樣之晶圓處理系統、基板運送方法及記憶媒體的圖。其中，圖1係表示本實施態樣之晶圓處理系統的構成的概略側面圖，圖2係從圖1所示之晶圓處理系統的A-A線箭視的俯視圖，圖3係從圖1所示的晶圓處理系統之B-B線箭視的俯視圖。另外，圖4係從圖2所示之晶圓處理系統的C-C線箭視的側面圖，圖5係表示晶圓處理系統整體的示意圖。另外，圖6係從圖2所示之晶圓處理系統的D-D線箭視的側面圖。另外，圖7係表示基板運送方法的流程圖，圖8係表示設於晶圓處理單元的基板緩衝部的圖。
另外，圖5中，區域A係以俯視觀察基板處理系統的圖，區域B係從側面觀察基板處理系統的圖，區域C係表示將從基板處理系統的第1層部分之基板處理單元的俯視圖及第2層部分之基板處理單元的俯視圖並排的圖。
如圖1至圖4所示，本發明之基板處理系統(晶圓處理系統)10，對成為基板的半導體晶圓(亦稱為晶圓)W進行例如洗淨處理等處理。
這樣的基板處理系統10包含：2個晶圓處理單元(亦稱為基板處理單元)40A、40B，係配置為2段，且對晶圓W施行洗淨處理；基板載置台25，搬入收納複數之晶圓W的匣盒(Foup：Front Opening Unified Pod，晶圓收納用載體)(亦稱為基板收納體)20；緩衝部30a、30b，對應各晶圓處理單元40A、40B設置，並暫時收納複數之晶圓W。
其中，設置於第2層的晶圓處理單元40A，具有對晶圓W施行例如洗淨處理等處理的6台晶圓處理模組(亦稱為基板處理模組)40a，設置於第1層的晶圓處理單元40B，具有可與晶圓處理模組40a進行相同處理的6台晶圓處理模組40b。
另外，藉由第1晶圓運送裝置(亦稱為第1基板運送裝置)50，以每次複數片，例如5片的方式，將收納於基板載置台25上的匣盒20內的晶圓W運送至各晶圓處理單元40A、40B的基板緩衝部30a、30b內。更進一步，藉由第2晶圓運送裝置(亦稱為第2基板運送裝置)60a、60b，將與各晶圓處理單元40A、40B對應的基板緩衝部30a、30b內的晶圓W，逐片運送至該晶圓處理單元40A、40B內的晶圓處理模組40a、40b。
上述晶圓處理系統10中，第1晶圓運送裝置50係設於匣盒20與基板緩衝部30a、30b之間。另外，如圖2、圖3、圖6等所示，晶圓處理系統10的各晶圓處理單元40A、40B中，分別設有第2晶圓運送裝置60a、60b。
另外，第2層的晶圓處理單元40A的基板緩衝部30a，與第1層的晶圓處理單元40B的基板緩衝部30b鄰接，各基板緩衝部30a、30b間，設有用以移置晶圓W的晶圓移置裝置(亦稱為基板移置裝置)35。該晶圓移置裝置35，具有作為緩衝部間移置裝置的功能。
以下，就晶圓處理系統10的各構成要素進行更詳細的敘述。
如圖1及圖2所示，晶圓處理系統10中，設有並列載置4個匣盒20的基板載置台25。匣盒20，可以使晶圓在上下方向上隔著間隔重疊的方式，收納複數片，例如25片的晶圓W。
接著，對應各晶圓處理單元40A、40B設置的基板緩衝部30a、30b及與該基板緩衝部30a、30b鄰接設置的晶圓移置裝置35，使用圖4進行說明。又，圖4係從圖2所示之晶圓處理系統10的C-C線箭視的側面圖。
如上所述，各基板緩衝部30a、30b，係以在上下方向上相互隔著間隔的方式，暫時收納複數之晶圓W。
此處，就各基板緩衝部30a、30b的具體構成，以圖4進行說明。各基板緩衝部30a、30b，分別具有相同的構造，各基板緩衝部30a、30b，分別具有複數之區域，例如區域1、2、3、4(參照圖8)。
其中，下方的區域3、4係將藉由第1晶圓運送裝置50從各匣盒20所運送的未處理晶圓W以每次5片的方式加以收納的區域，而上方的區域1、2係將從各晶圓處理模組40a、40b所運送的處理完的晶圓W以每次5片的方式加以收納的區域，區域1、2內的晶圓W，係以第1晶圓運送裝置50送回匣盒20。
又，各區域1、2、3、4內的晶圓W的片數(5片)，與藉由第1晶圓運送裝置50運送的晶圓W的片數一致。
如圖4所示，各基板緩衝部30a、30b，具有在垂直方向延伸的複數之支柱構件31。具體而言，設置4個支柱構件31，各支柱構件31，配置於沿水平面假想的正方形或是長方形的四的角落的位置。接著，在該等的各支柱構件31間，形成各基板緩衝部30a、30b。更詳細而言，沿著上下方向上複數設置的在水平方向延伸的分隔構件(圖中未顯示)，以跨及各支柱構件31的方式，安裝於各支柱構件31上。
因此，基板緩衝部30a、30b，分別至少在圖2的左右方向及上方向開口。因此，第1晶圓運送裝置50、第2晶圓運送裝置60a、60b及晶圓移置裝置35，可分別從其他方向，對基板緩衝部30a、30b進行存取。意即，第1晶圓運送裝置50，分別從圖2的左方對基板緩衝部30a、30b進行存取，第2晶圓運送裝置60a、60b從圖2的右方對基板緩衝部30a、30b進行存取，晶圓移置裝置35從圖2的上方對基板緩衝部30a、30b進行存取。又，「可對基板緩衝部30a、30b進行存取」，係指各裝置將晶圓W運送至基板緩衝部30a、30b，或將晶圓W從基板緩衝部30a、30b取出。
更進一步，第1晶圓運送裝置50、第2晶圓運送裝置60a、60b，及晶圓移置裝置35中至少任2個裝置，可同時對各基板緩衝部30a、30b進行存取。藉此，可防止在一裝置對基板緩衝部30a、30b進行存取的期間，其他裝置無法對基板緩衝部30a、30b進行存取的不得不待機的情況發生，故晶圓處理系統10，可使單位時間內之晶圓W的處理片數增加。
又，如圖4所示，第2層的基板緩衝部30a上方，及第1層的基板緩衝部30b下方，分別設有晶圓反轉機構34。各晶圓反轉機構34，將藉由第2晶圓運送裝置60a、60b運送至該晶圓反轉機構34的晶圓W上下反轉。
晶圓移置裝置35，例如將收納於第1層的基板緩衝部30a的晶圓W，移置到第2層的基板緩衝部30b。
又如圖4所示，晶圓移置裝置35包含：支柱構件36，在垂直方向上延伸；及叉體支持構件37，沿著支柱構件36自由升降。另外，保持晶圓W的上下一對叉體38a、38b，被叉體支持構件37所支持。各叉體38a、38b，分別形成從背面(下方)保持晶圓W的態樣。又，一對叉體38a、38b中，上段叉體38a，係在將晶圓W從第2層的基板緩衝部30a運送至第1層的基板緩衝部30b時使用，下段叉體38b，係在將晶圓W從第1層的基板緩衝部30b運送至第2層的基板緩衝部30a時使用。接著，一對叉體38a、38b 中的任一叉體，朝基板緩衝部30a、30b進出，藉此，該叉體，可將晶圓W收納至基板緩衝部30a、30b，或將晶圓W從基板緩衝部30a、30b取出。
另外，與第2層的晶圓處理單元40A對應設置的第2晶圓運送裝置60a，形成在晶圓處理單元40A的晶圓處理模組40a與基板緩衝部30a之間運送晶圓W的態樣。另外，以與第1層的晶圓處理單元40B對應的方式設置的第2晶圓運送裝置60b，形成在晶圓處理單元40B的晶圓處理模組40b與基板緩衝部30b之間運送晶圓W的態樣。另外，第1晶圓運送裝置50，在以晶圓處理單元40A、40B將處理前的未處理之晶圓W從匣盒20運送至基板緩衝部30a、30b內的同時，將以晶圓處理單元40A、40B所處理的晶圓W從基板緩衝部30a、30b運送至匣盒20。
接著，就第1晶圓運送裝置50及第2晶圓運送裝置60a、60b的具體構成進行說明。首先，就第1晶圓運送裝置50的構成，使用圖1至圖3及圖6進行說明。
第1晶圓運送裝置50包含：基體構件51，在圖3之Y方向上延伸的軌道56上行進；垂直移動機構52，設於該基體構件51的頂面，可在Z方向上伸縮。該垂直移動機構52的頂部，設有基座55，而叉體支持構件53安裝於該基座55。接著，保持晶圓W的複數之(例如5支)叉體54a、54b、54c、54d、54e被該叉體支持構件53所支持。5支叉體中，上方的1支叉體54a，可從其他4支叉體54b、54c、54d、54e獨立出來，單獨在水平方向上動作。4支叉體54b、54c、54d、54e，可一起在水平方向上動作。藉由使上方的1支叉體54a動作，可處理1片晶圓，而使5支叉體同時動作，可同時處理5片晶圓。
第2晶圓運送裝置60a、60b，皆分別與第1晶圓運送裝置50為大略相同的構成。更具體而言，第2晶圓運送裝置60a、60b，包含基座65a、65b，該基座65a、65b，可分別在θ方向上旋轉。另外，各基座65a、65b上分別 設有叉體支持構件63a、63b，叉體支持構件63a、63b，形成分別支持上下一對叉體64a、64a及64b、64b的態樣(參照圖6)。
上下一對的各叉體64a、64a及64b、64b，形成分別從背面(下方)保持晶圓W的態樣。另外，上下一對的各叉體64a、64a及64b，64b，可從叉體支持構件63a、63b，在圖2與圖3之箭號方向上進退移動。
各晶圓處理單元40A、40B內的各晶圓處理模組40a、40b，係由在處理腔室內，逐片處理晶圓W者所構成，形成例如在處理腔室內一邊使晶圓W旋轉，一邊對該晶圓W進行藉由處理液的液體處理及藉由處理氣體的氣體處理，或是洗淨處理與熱處理等處理的態樣。
另外，如圖1所示，基板處理系統10，具有控制器(控制部)100，統一控制基板處理系統10整體的動作。控制器100，控制基板處理系統10所有的功能元件(晶圓處理模組40A、40B、第1晶圓運送裝置50、第2晶圓運送裝置60a、60b、晶圓移置裝置35等)的動作。可使用例如通用電腦作為硬體，使用使該電腦動作的程式(裝置控制程式及處理配方等)作為軟體來實現控制器100。軟體可儲存於固定設於電腦的硬碟機等記憶媒體，或是儲存於CD-ROM、DVD、快閃記憶體等，以可插取的方式設於電腦的記憶媒體。這樣的記憶媒體，在圖1中以參照符號101表示。處理器102，相應於需求，根據從圖中未顯示的使用者介面而來的指示等，從記憶媒體101呼叫既定的處理配方並實行，藉此，在控制器100的控制之下，使基板處理系統10的各功能元件動作，以進行既定的處理。
接著，就以該構成所形成之晶圓處理系統10的動作，意即晶圓運送方法，藉由圖7進行說明。
在普通運轉時，最初將匣盒20載置於基板載置台25上，該匣盒20收納例如25片之需要處理的晶圓W。接著，使設於匣盒20的窗部開閉機構開啟，形成可從該匣盒20內取出晶圓W的態樣。接著，第1晶圓運送裝 置50接近該匣盒20，而該第1晶圓運送裝置50之複數之叉體54a、54b、54c、54d、54e分別將匣盒20內的晶圓W提起並且保持。此時，藉由叉體54a、54b、54c、54d、54e，從匣盒20內同時取出複數片(本實施態樣中為5片)的晶圓W；該晶圓W從上方開始依序在上下方向上相鄰。
接著，第1晶圓運送裝置50，將從匣盒20取出的5片晶圓W同時運送至與設於第2層之晶圓處理單元40A對應的基板緩衝部30a內。接著，第1晶圓運送裝置50，從匣盒20中，取出從上方開始之依序的5片晶圓W，並將依此方法取出的5片晶圓W同時運送至與設於第1層的晶圓處理單元40B對應的基板緩衝部30b內。
接著，在設於第2層的晶圓處理單元40A中，第2晶圓運送裝置60a接近基板緩衝部30a，該第2晶圓運送裝置60a之上下一對的叉體64a中，下段叉體64a僅提起並且保持收納於基板緩衝部30a內的一片晶圓W。接著，該叉體64a，在保持晶圓W的狀態下，上部的第2晶圓運送裝置60a接近一個晶圓處理模組40a，以叉體64a將所保持的晶圓W送入晶圓處理模組40a內。之後，在晶圓處理單元40a的處理腔室內，進行對晶圓W的處理，例如洗淨處理。
接著，以晶圓處理模組40a所處理的晶圓W，藉由第2晶圓運送裝置60a之上下一對叉體64a中的上段叉體64a，從晶圓處理模組40a逐片運送至基板緩衝部30a內。
期間，同樣地在設於第1層的晶圓單元40B中，第2晶圓運送裝置60b接近基板緩衝部30b，該第2晶圓運送裝置60b的上下一對叉體64b中的下段叉體64b，僅提起並保持收納於基板緩衝部30b內的1片晶圓W。接著，在該叉體64b保持晶圓W的狀態下，下面的第2晶圓運送裝置60b接近一晶圓處理模組40b，以叉體64b保持的晶圓W被送入晶圓處理模組40b內。之後，在晶圓處理單元40b的處理腔室內，進行對晶圓W的處理，例如洗淨處理。
接著，以晶圓處理單元40b所處理的晶圓W，藉由第2晶圓運送裝置60b的上下一對叉體64b中的上段叉體64b，從晶圓處理模組40b逐片被運送至基板緩衝部30b內。
之後，基板緩衝部30a、30b內的處理完的晶圓W，在已收齊5片的階段，藉由第1晶圓運送裝置50取出，而再次回到匣盒20中的原位置。具體而言，第1晶圓運送裝置50接近基板緩衝部30a、30b，該第1晶圓運送裝置50的叉體54a、54b、54c、54d、54e，分別提起並保持基板緩衝部30a、30b內的5片晶圓W。之後，分別保持於第1晶圓運送裝置50的各叉體54a、54b、54c、54d、54e的5片晶圓W，同時被移回匣盒20的原位置。
另外，期間具有下列情況：因為一晶圓處理單元，例如設於第1層的晶圓處理單元40B內發生異常，而無法進行晶圓W的處理，導致與該晶圓處理單元40B對應的基板緩衝部30b內的晶圓W無法運送至晶圓處理單元40B內。
這樣的晶圓處理單元40B內的異常，視為第2晶圓運送裝置60b發生故障的情況。另外，視為晶圓處理單元40B內，所有6台晶圓處理模組40b皆無法使用，而無法在晶圓處理單元40B內進行晶圓W的處理的情況。此處，在所有晶圓處理模組40b無法使用的情況中，視為所有晶圓處理模組40b發生故障，而停止對於所有晶圓處理模組40b供給動力及用水。
或是，為了確認晶圓處理單元40B內的構成零件，亦視為無法將晶圓W搬入晶圓處理單元40B內的情況。
這樣的情況下，晶圓W以未處理的狀態留置於與發生異常的晶圓運送單元40B對應的基板緩衝部30b內。
這樣的情況下，與發生異常之第1層晶圓處理單元40B對應的基板緩衝部30b內的晶圓W，藉由晶圓移置裝置35，移送至配置於第2層的晶圓處理單元40A的基板緩衝部30a內。
具體而言，如圖5所示，例如晶圓處理單元40B內的第2晶圓運送裝置60b發生故障，基板緩衝部30b內的未處理晶圓W無法搬入晶圓處理單元40B內的情況中，在基板緩衝部30b內殘留例如2片未處理晶圓W。此情況下，藉由晶圓移置裝置35，將留置於基板緩衝部30b內的未處理晶圓W，移送至與第2層的晶圓處理單元40A對應的基板緩衝部30a內。此情況中，逐片移置未處理晶圓W。
期間，與第1層之晶圓處理單元40B對應的基板緩衝部30b內的處理完的晶圓W，即使係在未收齊5片的階段，例如僅有3片處理完的晶圓W之階段，無須等到5片收齊，就可直接以第1晶圓運送裝置50，將該等晶圓送回至基板載置台25之匣盒20內的原位置。
接著，從基板緩衝部30b移置到基板緩衝部30a內的未處理晶圓W，如上所述，在第2層的晶圓處理單元40A內，優先以第2晶圓運送裝置60a搬入一晶圓處理模組40a內。
如此，將從基板緩衝部30b移置到基板緩衝部30a內的未處理晶圓W，優先運送至晶圓處理模組40a內以進行處理，藉此，可迅速處理留置於基板緩衝部30b的晶圓W，而進行對於晶圓W的後續處理。
之後，該晶圓W在既定處理完後，以第2晶圓運送裝置60a，從晶圓處理模組40a被送回至基板緩衝部30a內。之後，以第1晶圓運送裝置50，逐片將從基板緩衝部30b移置且優先處理的基板緩衝部30a內之處理完的晶圓W，運送回基板載置台25上的匣盒20內的原區域。
此情況下，如上所述，從與第1層的晶圓處理單元40B對應的基板緩衝部30b，將例如處理完的3片晶圓W，送回基板載置台25上之匣盒20內的原區域(5片晶圓W的各區域)。因此，藉由將從基板緩衝部30b移置到基板緩衝部30a內且優先處理的處理完的晶圓W，逐片送回匣盒20內，可使優先處理的該處理完的晶圓W迅速回到匣盒20內的原區域。
期間，第1晶圓運送裝置50，不將匣盒20內之未處理的晶圓W運送至第1層的晶圓處理單元40B的基板緩衝部30b內，而是將未處理的晶圓W運送至第2層的晶圓處理單元40A的基板緩衝部30a內。
接著，在以第1層的晶圓處理單元40B之晶圓W的處理成為可能的情況下，例如第2晶圓運送裝置60b修復的情況下，結束以晶圓移置裝置35將留置於基板緩衝部30b內的未處理晶圓W移置到基板緩衝部30a內的作業。接著，若晶圓處理單元40B的晶圓處理模組40b內具有留置的晶圓W，則第2晶圓運送裝置60b將其送回晶圓處理單元40B的基板緩衝部30b內。
接著，回到基板緩衝部30b內的晶圓W，之後以第1晶圓運送裝置50被送回匣盒20。該等晶圓W中，結束以晶圓處理單元40B所進行之處理的晶圓W，之後繼續進行處理，而以晶圓處理單元40B處理之前的未處理晶圓W及以晶圓處理單元40B所進行之處理途中即停止的不完全處理的晶圓，之後被作為未處理晶圓及不完全處理晶圓來處理。
之後，匣盒20內的晶圓W，藉由第1晶圓運送裝置50，被運送至第1層的晶圓處理單元40B之基板緩衝部30b及第2層的晶圓處理單元40A之基板緩衝部30a內。接著各晶圓處理單元40A、40B的晶圓處理模組40a、40b內，施行對晶圓W的處理。
若根據上述的本實施態樣，在一晶圓處理單元40B發生故障，無法將晶圓W運送至晶圓處理單元40B內，而因此在與晶圓處理單元40B對應的基板緩衝部30b內留置未處理晶圓W的情況下，可藉由晶圓移置裝置35， 將基板緩衝部30b內的晶圓W，移置到與其他晶圓處理單元40A對應的基板緩衝部30a內。
因此，未處理晶圓W並不會長時間地留置於晶圓處理單元40B的基板緩衝部30b內，而可繼續進行對於晶圓W的處理。
另外，藉由晶圓移置裝置35，將未處理晶圓W逐片從發生異常的第1層的晶圓處理單元40B之基板緩衝部30b移置到第2層的晶圓處理單元40A的基板緩衝部30a內，藉此，即使第2層的晶圓處理單元40A之基板緩衝部30a內已收納複數片的未處理晶圓W，相較於複數片的晶圓W一併移置的情況，並不會有第2層的基板緩衝部30a內堵塞的情形，可從第1層的基板緩衝部30b平順地將晶圓W移置到第2層的基板緩衝部30a內。
又，上述實施態樣中，雖以使用晶圓移置裝置35作為緩衝部間移置裝置為例，但並不僅限於此，亦可將第1晶圓運送裝置50使用為緩衝部間移置裝置，以將與第1層的晶圓處理單元40B對應的基板緩衝部30b內的晶圓W移置到與第2層的晶圓處理單元40A對應的基板緩衝部30a內。
另外，雖例示了基板處理系統10中具有配置於第2層的晶圓處理單元40A，及配置於第1層的晶圓處理單元40B的態樣，但並不僅限於此，基板處理系統10的晶圓處理單元40A，亦可以水平配置的方式，與晶圓處理單元40B配置於同一層。
20‧‧‧匣盒
30a‧‧‧基板緩衝部
30b‧‧‧基板緩衝部
34‧‧‧晶圓反轉機構
35‧‧‧晶圓移置裝置
40A、40B‧‧‧晶圓處理單元
40a、40b‧‧‧晶圓處理模組
50‧‧‧第1晶圓運送裝置
60a、60b‧‧‧第2晶圓運送裝置
A、B、C‧‧‧區域

Claims (15)

  1. 一種基板處理系統，其特徵為包含：複數之基板處理單元，具有對基板施行處理的複數之基板處理模組；基板載置台，供具有複數之基板的基板收納體搬入其上；基板緩衝部，對應於各基板處理單元設置，用以暫時收納複數之基板；第1基板運送裝置，從該基板載置台上的該基板收納體內取出基板，並將該基板運送至與至少一個該基板處理單元對應的該基板緩衝部內；及第2基板運送裝置，於各該基板處理單元逐一設置，在該基板緩衝部與該基板處理模組間運送基板；各該基板緩衝部間，設有用於移置基板的緩衝部間移置裝置；在一基板處理單元無法進行基板處理時，以緩衝部間移置裝置，將在該基板處理單元的基板緩衝部內之未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部；在一基板處理單元的第2基板運送裝置發生故障的情況，藉由緩衝部間移置裝置，將該基板處理單元的基板緩衝部內的未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部。
  2. 一種基板處理系統，其特徵為包含：複數之基板處理單元，具有對基板施行處理的複數之基板處理模組；基板載置台，供具有複數之基板的基板收納體搬入其上；基板緩衝部，對應於各基板處理單元設置，用以暫時收納複數之基板；第1基板運送裝置，從該基板載置台上的該基板收納體內取出基板，並將該基板運送至與至少一個該基板處理單元對應的該基板緩衝部內；及第2基板運送裝置，於各該基板處理單元逐一設置，在該基板緩衝部與該基板處理模組間運送基板；各該基板緩衝部間，設有用於移置基板的緩衝部間移置裝置；在一基板處理單元無法進行基板處理時，以緩衝部間移置裝置，將在該基板處理單元的基板緩衝部內之未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部；藉由緩衝部間移置裝置，將未處理基板逐片從無法進行基板處理的基板處理單元之基板緩衝部，移置到其他基板處理單元的基板緩衝部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，第1基板運送裝置，在通常運轉時，將複數片基板一併從基板收納體取出，並將複數片基板一併送回基板收納體；在一基板處理單元無法進行基板處理時，藉由緩衝部間移置裝置，將基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部，並將在該其他基板處理單元內所處理過之處理完的基板，從該其他基板處理單元的基板緩衝部內，逐片運送至基板收納體。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中，第1基板運送裝置，在一基板處理單元無法進行基板處理時，將該一基板處理單元內已處理過之處理完的基板，直接從該一基板處理單元的基板緩衝部內運送至基板收納體。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中，在藉由緩衝部間移置裝置，將一基板處理單元的基板緩衝部內之未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部的期間，於該一基板處理單元成為可進行基板處理的情況下，結束藉由緩衝部間移置裝置所進行的移置作業。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，藉由緩衝部間移置裝置，將未處理基板逐片從無法進行基板處理的基板處理單元之基板緩衝部，移置到其他基板處理單元的基板緩衝部。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中，在一基板處理單元內所有基板處理模組皆發生故障的情況下，藉由緩衝部間移置裝置，將該基板處理單元之基板緩衝部內的未處理基板移置到其他基板處理單元之基板緩衝部。
  8. 一種基板運送方法，其特徵為包含：將含有複數之基板的基板收納體搬入基板載置台上的步驟；以第1基板運送裝置，從基板載置台上的基板收納體取出基板，並將該基板運送至分別具有複數之基板處理模組的複數之基板處理單元中的任一基板處理單元之基板緩衝部的步驟；及以第2基板運送裝置，將各基板處理單元之基板緩衝部內的基板，運送至該基板處理單元內的基板處理模組的步驟； 在一基板處理單元無法進行基板處理時，以緩衝部間移置裝置，將該基板處理單元的基板緩衝部內的未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部；在一基板處理單元的第2基板運送裝置發生故障的情況下，以基板移置裝置，將該基板處理單元的基板緩衝部內的未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部。
  9. 一種基板運送方法，其特徵為包含：將含有複數之基板的基板收納體搬入基板載置台上的步驟；以第1基板運送裝置，從基板載置台上的基板收納體取出基板，並將該基板運送至分別具有複數之基板處理模組的複數之基板處理單元中的任一基板處理單元之基板緩衝部的步驟；及以第2基板運送裝置，將各基板處理單元之基板緩衝部內的基板，運送至該基板處理單元內的基板處理模組的步驟；在一基板處理單元無法進行基板處理時，以緩衝部間移置裝置，將該基板處理單元的基板緩衝部內的未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部；以緩衝部間移置裝置，將未處理基板逐片從無法進行基板處理的基板處理單元之基板緩衝部，移置到其他基板處理單元的基板緩衝部。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板運送方法，其中，該第1基板運送裝置，在一基板處理單元無法進行基板處理時，以緩衝部間移置裝置，將基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部，並將在該其他基板處理單元內進行過處理的處理完的基板，從該其他基板處理單元的基板緩衝部內逐片運送至基板收納體。
  11. 如申請專利範圍第8或9項中任一項之基板運送方法，其中，在一基板處理單元無法進行基板處理時，該第1基板運送裝置將在該一基板處理單元內已處理過之處理完的基板，直接從該一基板處理單元的基板緩衝部內運送至該基板收納體。
  12. 如申請專利範圍第8或9項之基板運送方法，其中， 在以緩衝部間移置裝置，將一基板處理單元的基板緩衝部內的未處理基板移置到其他基板處理單元的基板緩衝部的期間，於該一基板處理單元成為可進行基板處理的情況下，結束藉由緩衝部間移置裝置的移置作業。
  13. 如申請專利範圍第8項之基板運送方法，其中，以緩衝部間移置裝置，將未處理基板逐片從無法進行基板處理的基板處理單元之基板緩衝部，移置到其他基板處理單元的基板緩衝部。
  14. 如申請專利範圍第8或9項之基板運送方法，其中，在一基板處理單元內所有的基板處理模組皆發生故障的情況下，以基板移置裝置，將該基板處理單元之基板緩衝部內的未處理基板，移置到其他基板處理單元的基板緩衝部。
  15. 一種記憶媒體，儲存有使電腦執行如請求項第8至14項中任一項記載的基板運送方法的電腦程式。
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