KR102511267B1 - 기판 처리 장치, 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102511267B1
KR102511267B1 KR1020217015822A KR20217015822A KR102511267B1 KR 102511267 B1 KR102511267 B1 KR 102511267B1 KR 1020217015822 A KR1020217015822 A KR 1020217015822A KR 20217015822 A KR20217015822 A KR 20217015822A KR 102511267 B1 KR102511267 B1 KR 102511267B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
module
cover
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020217015822A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210080523A (ko
Inventor
에이키 엔도
히로유키 다카츠카
다츠야 무코야마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20210080523A publication Critical patent/KR20210080523A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102511267B1 publication Critical patent/KR102511267B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67353—Closed carriers specially adapted for a single substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는, 기판 처리부와 제어부를 갖는다. 기판 처리부는, 적어도 하나의 기판이 수용된 기판 수용 용기를 배치하도록 구성된 로드 포트를 갖는다. 기판 처리부는, 로드 포트에 배치된 기판 수용 용기로부터 기판을 취출하여, 그 기판에 대하여 일련의 처리를 실시하도록 구성된다. 제어부는, 로드 포트에 배치된 기판 수용 용기의 덮개의 개폐를 제어하도록 구성된다. 제어부는, 기판 수용 용기가 로드 포트에 배치된 후에 덮개를 개방하도록 제어한다. 제어부는, 기판 처리부에서 이상 상태가 발생하고, 미리 정해진 시간이 경과하고, 기판 수용 용기로부터 취출된 기판 중 상기 기판 수용 용기에 회수 가능한 기판이 없을 경우에, 덮개를 폐지하도록 제어한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법
본 개시는, 기판 처리 장치, 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 기판 수용 용기의 퍼지 방법이며, 기판 수용 용기 내에의 건조 가스의 공급을 계속한 상태에서 상기 기판 수용 용기의 덮개를 개방하고, 상기 기판 수용 용기 내의 기판의 처리가 종료된 후에 덮개를 폐지하여, 상기 건조 가스의 공급을 정지하는 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 기판 수용 용기의 퍼지 방법에 의하면, 기판 수용 용기 내를 저습도의 상태로 유지함으로써, 기판 수용 용기 내에서 SiO2나 불산이 생성되는 것을 방지하여, 이에 의해 기판 수용 용기 내의 기판을 양호한 상태로 유지할 수 있다.
일본 특허 공개 제2013-179287호 공보
본 개시에 따른 기술은, 기판 수용 용기 내에서 대기 상태에 있는 기판에 대한 파티클의 부착을 억제한다.
본 개시의 일 양태는, 기판 처리부이며, 상기 기판 처리부는, 적어도 하나의 기판이 수용된 기판 수용 용기를 배치하도록 구성된 로드 포트를 갖고, 상기 기판 처리부는, 상기 로드 포트에 배치된 상기 기판 수용 용기로부터 기판을 취출하여, 당해 기판에 대하여 일련의 처리를 실시하도록 구성된, 기판 처리부와, 상기 로드 포트에 배치된 상기 기판 수용 용기의 덮개의 개폐를 제어하도록 구성된 제어부이며, 상기 제어부는, 상기 기판 수용 용기가 상기 로드 포트에 배치된 후에 상기 덮개를 개방하도록 제어하고, 상기 제어부는, 상기 기판 처리부에서 이상 상태가 발생하고, 미리 정해진 시간이 경과하고, 상기 기판 수용 용기로부터 취출된 기판 중 상기 기판 수용 용기에 회수 가능한 기판이 없을 경우에, 상기 덮개를 폐지하도록 제어하는, 제어부를 갖는다.
본 개시에 의하면, 기판 수용 용기 내에서 대기 상태에 있는 기판에 대한 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 풉의 구성의 일례를 도시하는 측면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리의 처리 경로를 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 5는 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 처리 레시피를 따라 도시하는 설명도이다.
도 6은 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 처리 레시피를 따라 도시하는 설명도이다.
도 7은 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 처리 레시피를 따라 도시하는 설명도이다.
도 8은 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 처리 레시피를 따라 도시하는 설명도이다.
도 9는 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 처리 레시피를 따라 도시하는 설명도이다.
도 10은 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 처리 레시피를 따라 도시하는 설명도이다.
도 11은 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 처리 레시피를 따라 도시하는 설명도이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스는, 예를 들어 청정도가 높게 유지된, 소위 클린 룸 내에서 행하여지고 있다. 한편, 반도체 웨이퍼(기판; 이하, 「웨이퍼」라고 함) 및 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 모듈의 대형화에 수반하여, 클린 룸의 러닝 코스트가 상승하고 있다. 그 때문에, 근년에는, 처리 모듈 내부 및 처리 모듈간의 웨이퍼의 전달에 사용되는, 소위 FOUP(Front-Opening Unified Pod)이라고 불리는 기판 수용 용기(이하, 「풉」이라고 함)의 내부의 청정도만을 높게 유지하는 방법이 채용되어 있다.
풉은, 복수의 웨이퍼를 서로 평행한 상태에서 다단으로 수용 가능하게 구성되어 있다. 당해 풉에서는, 웨이퍼 처리 장치의 로드 포트에 반입된 후에 덮개가 개방되어, 내부에 수용된 웨이퍼가 웨이퍼 처리 장치의 내부로 반출된다. 그리고, 풉으로부터 반출된 웨이퍼에 대하여, 웨이퍼 처리 장치 내에 마련된 복수의 처리 모듈에 있어서 어떠한 처리가 실시된 후, 당해 웨이퍼를 예를 들어 반출한 풉과 동일한 풉으로 반입(회수)하고, 덮개를 폐지한다.
이렇게 풉의 덮개는, 수용한 웨이퍼를 반출할 때 개방되고, 당해 웨이퍼의 처리가 종료되고, 다시 풉 내에 당해 웨이퍼가 반입(회수)될 때까지의 동안에, 개방된 채의 상태가 유지된다. 그러나, 이와 같이 웨이퍼의 처리 중에 풉의 덮개의 개방 상태가 유지되면, 풉의 내부는 웨이퍼 처리 장치의 분위기에 노출되게 된다. 그 결과, 풉의 내부가 오염되어, 풉의 내부에서 대기 중인 웨이퍼에 상기 파티클이 부착되어버릴 우려가 있다.
특히, 예를 들어 웨이퍼 처리 장치에 있어서 어떠한 이상 상태가 발생하여, 웨이퍼의 반송이 불능으로 되어버렸을 경우에 풉의 덮개의 개방 상태가 유지되면, 풉의 내부는, 더욱 장시간에 걸쳐서 웨이퍼 처리 장치의 분위기에 노출되게 된다. 즉, 풉의 내부에서 대기하는 웨이퍼에 대하여 파티클이 부착될 가능성이 높아져버린다. 또한, 예를 들어 풉의 내부에 수용되어 있던 모든 웨이퍼가 웨이퍼 처리 장치의 내부에 반출된 후인 경우에도, 상술한 바와 같이 풉의 내부 분위기가 오염됨으로써, 그 후 회수된 웨이퍼에 파티클이 부착되어버릴 우려가 있다.
이상과 같이, 특히 웨이퍼 처리 장치에 있어서 어떠한 이상 상태가 발생한 경우에는, 풉의 내부가 오염되는 것을 억제하기 위해서, 로드 포트에 적재된 풉의 내부가 웨이퍼 처리 장치의 분위기에 노출되는 시간을 짧게 할 필요가 있다. 즉, 풉의 덮개의 개방 시간을 짧게 함으로써, 웨이퍼에 파티클이 부착되는 것을 억제할 필요가 있다. 그러나 특허문헌 1에는, 웨이퍼 처리 장치에 이상 상태가 발생했을 때, 예를 들어 풉의 덮개를 폐지함으로써, 풉의 내부에 수용된 웨이퍼를 양호한 상태로 유지하는 것은 기재되어 있지 않다.
그래서, 본 개시에 따른 기술은, 풉 내에서 대기 상태에 있는 웨이퍼에 대한 파티클의 부착을 억제한다. 구체적으로는, 웨이퍼 처리 장치에서의 이상 상태의 발생 등의 조건 하에서, 로드 포트에 적재된 풉의 덮개를 폐지한다.
이하, 본 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서에서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
<웨이퍼 처리 장치>
도 1은, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 웨이퍼 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다. 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 장치(1)가, 웨이퍼(W)에 COR 처리, PHT 처리 및 CST 처리를 행하는, 각종 처리 모듈을 구비하는 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 웨이퍼 처리 장치(1)의 모듈 구성은 이것에 한정되지 않고, 임의로 선택될 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 웨이퍼 처리 장치(1)는, 웨이퍼 처리부(2)(기판 처리부)와 제어부(80)를 갖는다. 웨이퍼 처리부(2)는, 후술하는 로드 포트(31)에 배치된 풉(100)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 그 웨이퍼(W)에 대하여 일련의 처리를 실시하도록 구성되어 있다. 웨이퍼 처리부(2)는, 대기압 분위기로 유지되는 대기부(10)와, 감압 분위기로 유지되는 감압부(11)와, 로드 로크 모듈(20a, 20b)을 갖고, 대기부(10) 및 감압부(11)는, 로드 로크 모듈(20a, 20b)을 개재하여 접속되어 있다.
로드 로크 모듈(20a)은, 대기부(10)의 후술하는 로더 모듈(30)로부터 반송된 웨이퍼(W)를, 감압부(11)의 후술하는 트랜스퍼 모듈(60)에 전달하기 위해서, 웨이퍼(W)를 일시적으로 보유 지지한다. 로드 로크 모듈(20a)은, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 스토커(21a)를 갖고 있다.
로드 로크 모듈(20a)은, 게이트 밸브(22a)가 마련된 게이트(23a)를 통해서 로더 모듈(30)에 접속되어 있다. 또한, 로드 로크 모듈(20a)은, 게이트 밸브(24a)가 마련된 게이트(25a)를 통해서 트랜스퍼 모듈(60)에 접속되어 있다.
또한, 로드 로크 모듈(20b)은, 로드 로크 모듈(20a)과 마찬가지의 구성을 갖고 있다. 즉, 로드 로크 모듈(20b)은, 스토커(21b)와, 로더 모듈(30)측의 게이트 밸브(22b)와 게이트(23b), 트랜스퍼 모듈(60)측의 게이트 밸브(24b)와 게이트(25b)를 갖고 있다.
또한, 로드 로크 모듈(20a, 20b)의 수나 배치는, 본 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 임의로 설계할 수 있다.
대기부(10)는, 웨이퍼 반송 기구(40)를 구비한 로더 모듈(30)과, 1개 또는 복수의 웨이퍼(W)를 수용 및 반송 가능한 기판 수용 용기로서의 풉(100)을 배치하는 로드 포트(31)와, 웨이퍼(W)에 대하여 대기압의 분위기 하에서 처리를 행하는 대기압 하 처리 모듈을 갖고 있다. 대기압 하 처리 모듈은, 웨이퍼(W)를 냉각하는 CST 모듈(32)과, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 배향을 조절하는 ORT 모듈(33)을 갖고 있다.
또한, 로드 포트(31), CST 모듈(32) 및 ORT 모듈(33)의 수나 배치는, 본 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 임의로 설계할 수 있다.
또한, 로더 모듈(30)은, 웨이퍼 반송 기구(40)를 갖고 있다. 웨이퍼 반송 기구(40)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지해서 이동하는 웨이퍼 반송 암(41)과, 웨이퍼 반송 암(41)을 회전 가능하게 지지하는 회전 대(42)와, 회전 대(42)를 탑재한 회전 적재대(43)를 갖고 있다.
웨이퍼 반송 기구(40)는, 웨이퍼 반송 암(41)의 신축 및 회전 대(42)의 회전에 의해, 로드 포트(31)에 적재된 풉(100), 로드 로크 모듈(20a, 20b), CST 모듈(32) 및 ORT 모듈(33)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
로드 포트(31)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 풉(100)을 상면에 적재하는 적재대(50)를 구비하고 있다. 풉(100)은 복수, 예를 들어 1로트 25매의 웨이퍼(W)를 등간격으로 다단으로 겹치도록 해서 수용한다. 또한, 풉(100)은, 로더 모듈(30)을 형성하는 격벽(51)과 대향해서 적재되는 면에 개구(101)를 갖는 상자 형상을 갖고 있으며, 당해 개구(101)에 끼워 맞춰서 풉(100)을 밀폐하는 덮개(102)를 구비하고 있다.
적재대(50)는, 격벽(51)의 외면에 마련된 지지 부재(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있다. 또한, 적재대(50)는, 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있어, 적재대(50)를 풉(100)과 함께 격벽(51)에 대하여 전후 방향으로 이동시킬 수 있다.
격벽(51)의 덮개(102)에 대향하는 위치에는, 포트 도어(52)가 마련되어 있다. 포트 도어(52)는, 적재대(50)를 이동시켜서 덮개(102)를 포트 도어(52)에 맞닿게 함으로써, 덮개(102)를 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 포트 도어(52)는, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있어, 포트 도어(52)와 덮개(102)가 맞닿아진 상태에서 당해 구동 기구를 동작시킴으로써, 풉(100)의 덮개(102)를 개폐할 수 있다. 이와 같이, 포트 도어(52)와 덮개(102)가 개방됨으로써 웨이퍼 처리 장치(1)의 내부와 풉(100)의 내부가 연통하여, 웨이퍼 반송 기구(40)가 풉(100)에 대하여 액세스 가능해진다. 즉, 풉(100)으로부터 웨이퍼 처리 장치(1)에 웨이퍼(W)를 반입하는 것이 가능해진다.
도 1의 설명으로 돌아간다. CST 모듈(32)은, 후술하는 PHT 모듈(62)에서 가열된 웨이퍼(W)의 냉각 처리를 행한다.
ORT 모듈(33)은, 웨이퍼(W)의 기준 위치(예를 들어 노치 위치)로부터의 수평 방향으로부터의 배향을 조절한다.
감압부(11)는, 감압 분위기 하에서 웨이퍼(W)를 반송하는 트랜스퍼 모듈(60)과, 트랜스퍼 모듈(60)로부터 반송된 웨이퍼(W)에 대하여 감압 분위기 하에서 처리를 행하는 감압 하 처리 모듈을 갖고 있다. 감압 하 처리 모듈은, COR 처리를 행하는 COR 모듈(61)과, PHT 처리를 행하는 PHT 모듈(62)을 갖고 있다. 트랜스퍼 모듈(60)에 대하여, COR 모듈(61) 및 PHT 모듈(62)은 복수, 예를 들어 3개씩 마련되어 있다.
상술한 바와 같이 트랜스퍼 모듈(60)은, 게이트 밸브(24a, 24b)를 개재하여 로드 로크 모듈(20a, 20b)에 접속되어 있다. 트랜스퍼 모듈(60)은, 내부가 직사각형의 하우징으로 이루어지고, 로드 로크 모듈(20a)에 반입된 웨이퍼(W)를 하나의 COR 모듈(61)에 반송하여, 순차 COR 처리와 PHT 처리를 실시한 후, 로드 로크 모듈(20b)을 통해서 대기부(10)에 반출한다.
COR 모듈(61)은, 스테이지(63)에 웨이퍼(W)를 적재해서 COR 처리를 행한다. 또한, COR 모듈(61)은, 게이트 밸브(64)가 마련된 게이트(65)를 개재하여 트랜스퍼 모듈(60)에 접속되어 있다.
PHT 모듈(62)은, 스테이지(66)에 웨이퍼(W)를 적재해서 PHT 처리를 행한다. 또한, PHT 모듈(62)은, 게이트 밸브(67)가 마련된 게이트(68)를 개재하여 트랜스퍼 모듈(60)에 접속되어 있다.
또한, 트랜스퍼 모듈(60)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 기구(70)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(70)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지해서 이동하는 반송 암(71a, 71b)과, 반송 암(71a, 71b)을 회전 가능하게 지지하는 회전 대(72)와, 회전 대(72)를 탑재한 회전 적재대(73)를 갖고 있다. 또한, 트랜스퍼 모듈(60)의 내부에는, 트랜스퍼 모듈(60)의 길이 방향으로 연신되는 가이드 레일(74)이 마련되어 있다. 회전 적재대(73)는 가이드 레일(74) 상에 마련되어, 웨이퍼 반송 기구(70)를 가이드 레일(74)을 따라 이동 가능하게 구성되어 있다.
트랜스퍼 모듈(60)에서는, 로드 로크 모듈(20a)에서 보유 지지된 웨이퍼(W)를 반송 암(71a)으로 수취하여, COR 모듈(61)에 반송한다. 또한, COR 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 반송 암(71a)이 보유 지지하여, PHT 모듈(62)에 반송한다. 또한, PHT 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 반송 암(71b)이 보유 지지하여, 로드 로크 모듈(20b)에 반출한다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼 처리 장치(1)에는 제어부(80)가 마련되어 있다. 제어부(80)는, 로드 포트(31)에 배치된 풉(100)의 덮개(102)의 개폐를 제어하도록 구성되어 있다. 제어부(80)는, 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈(예를 들어 대상의 제어에 관련하는 모듈)을 제어하도록 구성되어 있다. 제어부(80)는, 풉(100)이 로드 포트(31)에 배치된 후에 덮개(102)를 개방하도록 제어한다. 제어부(80)는, 웨이퍼 처리부(2)의 어느 것의 모듈에서 이상 상태가 발생하고, 미리 정해진 시간이 경과하고, 풉(100)으로부터 취출된 웨이퍼(W) 중 풉(100)에 회수 가능한 웨이퍼가 없을 경우에, 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다. 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 회수 가능한 웨이퍼(W)를 풉(100)에 회수하도록 제어한다. 제어부(80)는, 회수 가능한 웨이퍼(W)가 풉(100)에 회수된 후에 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다. 제어부(80)는, 웨이퍼 처리부(2)에서 이상 상태가 발생한 경우에 일련의 처리를 정지하도록 제어한다. 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과하기 전에 이상 상태가 해제된 경우에, 덮개(102)를 폐지하지 않고 일련의 처리를 재개하도록 제어한다. 제어부(80)는, 덮개(102)를 폐지한 후, 이상 상태가 해제된 경우에 덮개(102)를 재개방하도록 제어한다. 미리 정해진 시간은, 다양한 관점에서 임의로 설정 가능하다. 예를 들어, 미리 정해진 시간은, 풉(100)으로부터 웨이퍼(W)가 취출된 시점을 기점으로 설정해도 되고, 이상 상태가 발생한 시점을 기점으로 설정해도 된다. 제어부(80)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 각종 처리를 프로세서에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라서 웨이퍼 처리 장치(1)의 각 구성부에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 프로그램, 즉, 반송 레시피가 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 당해 기억 매체로부터 제어부(80)에 인스톨된 것이어도 된다.
또한, 웨이퍼 처리 장치(1)에는, 제어부(80)에 더하여 각 모듈에 대하여 각각에 제어부(도시하지 않음)가 마련되어 있어도 된다. 즉, 예를 들어 COR 모듈(61)의 동작을 제어하는 COR 처리용 제어부나, PHT 모듈(61)의 동작을 제어하는 PHT 처리용 제어부, 또는 반송 모듈의 동작을 제어하는 반송용 제어부 등이 또한 마련되어 있어도 된다.
또한, 이하의 설명에서, ORT 모듈(33), COR 모듈(61), PHT 모듈(62), CST 모듈(32) 및 로드 로크 모듈(20a, 20b)을 합쳐서, 「처리 모듈」이라고 하는 경우가 있다. 또한, 웨이퍼 반송 기구(40) 및 웨이퍼 반송 기구(70)를 합쳐서, 「반송 모듈」이라고 하는 경우가 있다.
<웨이퍼 처리 장치(1)에서의 웨이퍼 처리>
이어서, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 웨이퍼 처리에 대해서 설명한다. 도 3은, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 웨이퍼 처리의 흐름의 일예를 나타내는 흐름도이다. 또한, 도 4는 도 3에 도시하는 웨이퍼 처리의 처리 경로를 도시하는 설명도이다.
우선, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 풉(100)이, 웨이퍼 처리 장치(1)의 로드 포트(31)에 반입되어 적재된다(도 3의 스텝 S1, 도 4의 포지션 P1). 그 후, 풉(100)의 덮개(102)와, 포트 도어(52)가 맞닿아서, 포트 도어(52)의 동작과 함께 덮개(102)가 개방된다(도 3의 스텝 S2).
풉(100)의 덮개(102)가 개방되면, 계속해서, 제어부(80)는, 매핑 기구(도시하지 않음)에 의해 풉(100)에 수용된 웨이퍼(W)의 정보를 취득한다(도 3의 스텝 S3). 그 후, 제어부(80)는, 웨이퍼에 대한 일련의 처리를 개시할지 여부를 판단한다. 예를 들어, 제어부(80)는, 웨이퍼 처리부(2)의 어느 것의 모듈에 이상이 있는 것을 검지한 경우에는, 일련의 처리를 개시하지 않는다고 판단한다. 이 경우, 제어부(80)는, 일련의 처리를 개시하지 않고 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다.
한편, 제어부(80)는, 일련의 처리를 개시한다고 판단한 경우에는, 풉(100)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어한다. 예를 들어, 풉(100)에 대하여 웨이퍼 반송 기구(40)의 웨이퍼 반송 암(41)이 액세스한다. 그리고, 풉(100)으로부터 웨이퍼 처리 장치(1)의 웨이퍼 처리부(2)에 대하여, 우선은 1매의 웨이퍼(W)가 취출되어(도 3의 스텝 S4), 일련의 웨이퍼 처리 공정(도 3의 스텝 S5)이 개시된다. 또한, 풉(100)에 수용된 다른 웨이퍼(W)는, 먼저 반출된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 처리의 진행에 따라 순차 반출되는데, 이렇게 반출될 때까지 동안에, 풉(100)의 내부에서 대기 상태가 된다.
웨이퍼(W)의 처리 시에 있어서는, 로드 포트(31)에 반입된 풉(100)으로부터 반출된 웨이퍼(W)는, 우선, 웨이퍼 반송 기구(40)에 의해 ORT 모듈(33)에 반송된다(도 3의 스텝 S5-1, 도 4의 포지션 P2). ORT 모듈(33)에서 웨이퍼(W)는, 기준 위치(예를 들어 노치 위치)로부터의 수평 방향으로부터의 배향이 조절(오리엔트 처리)된다.
수평 방향의 배향이 조절된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(40)에 의해 로드 로크 모듈(20a)에 반입된다(도 4의 포지션 P3).
이어서, 웨이퍼 반송 기구(70)의 반송 암(71a)에 의해 웨이퍼(W)가 보유 지지되어, 로드 로크 모듈(20a)로부터 트랜스퍼 모듈(60)에 반입된다.
이어서, 게이트 밸브(64)가 개방되어, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 반송 암(71a)이 COR 모듈(61)에 진입한다. 그리고, 반송 암(71a)으로부터 스테이지(63)에 웨이퍼(W)가 적재된다.
이어서, 게이트 밸브(64)가 폐쇄되고, COR 모듈(61)에서 웨이퍼(W)에 대하여 COR 처리가 행하여진다(도 3의 스텝 S5-2, 도 4의 포지션 P4).
이어서, COR 모듈(61)에서의 COR 처리가 종료되면, 스테이지(63)로부터 반송 암(71a)에 웨이퍼(W)가 전달되어, 반송 암(71a)에서 웨이퍼(W)가 보유 지지된다.
이어서, 게이트 밸브(67)가 개방되고, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 반송 암(71a)이 PHT 모듈(62)에 진입한다. 그리고, 반송 암(71a)으로부터 스테이지(66)에 웨이퍼(W)가 적재된다. 그 후, 게이트 밸브(67)가 폐쇄되고, 웨이퍼(W)에 대하여 PHT 처리가 행하여진다(도 3의 스텝 S5-3, 도 4의 포지션 P5).
또한 이때, 풉(100)에서 대기하고 있던 다음의 웨이퍼(W)가 취출되어, 로드 로크 모듈(20a)에 반입되고, 트랜스퍼 모듈(60)을 통해서 COR 모듈(61)에 반송된다. 그리고, 당해 다음의 웨이퍼(W)에 대하여 COR 처리가 행하여진다.
이어서, 웨이퍼(W)의 PHT 처리가 종료되면, 스테이지(66)로부터 반송 암(71b)에 웨이퍼(W)가 전달되어, 반송 암(71b)에서 웨이퍼(W)가 보유 지지된다.
그 후, 게이트 밸브(24b)가 개방되어, 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 웨이퍼(W)가 로드 로크 모듈(20b)에 반입된다(도 4의 포지션 P6). 로드 로크 모듈(20b) 내에 웨이퍼(W)가 반입되면, 게이트 밸브(24b)가 폐쇄되어, 로드 로크 모듈(20b) 내가 밀폐되고, 대기 개방된다. 그리고, 게이트 밸브(22b)가 개방되고, 웨이퍼 반송 기구(40)에 의해, 웨이퍼(W)가 CST 모듈(32)에 수납되어, 예를 들어 1분의 CST 처리가 행하여진다(도 3의 스텝 S5-4, 도 4의 포지션 P7).
이때, COR 처리가 종료된 다음의 웨이퍼(W)가 반송 암(71a)에 의해 PHT 모듈(62)에 반송되어, PHT 처리가 행하여진다. 또한, 풉(100)으로부터 그 다음의 웨이퍼(W)가 취출되어, 로드 로크 모듈(20a)에 반입되고, 트랜스퍼 모듈(60)을 통해서 COR 모듈(61)에 반송된다. 그리고, 그 다음의 웨이퍼(W)에 대하여 COR 처리가 행하여진다. 이와 같이, 풉(100)에서 대기하는 복수의 웨이퍼(W)는 순차 웨이퍼 처리 장치(1)의 내부에 반출되어, 일련의 웨이퍼 처리가 행하여진다.
CST 처리가 완료되면, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(40)에 의해 로드 포트(31)에 적재된 풉(100)에 반입된다(도 3의 스텝 S6, 도 4의 포지션 P1). 그리고, 풉(100)에 반입된 웨이퍼(W)는, 당해 풉(100)에 수용된 다른 웨이퍼(W)의 웨이퍼 처리가 완료되어, 풉(100)에 회수될 때까지 대기 상태가 된다.
모든 웨이퍼(W)가 풉(100)에 회수되어(도 3의 스텝 S6), 처리 모듈에 의한 일련의 웨이퍼 처리가 종료되면, 포트 도어(52)의 동작과 함께 덮개(102)가 폐지된다(도 3의 스텝 S7).
그리고, 풉(100)의 덮개(102)가 폐지되면, 웨이퍼 처리 장치(1)의 로드 포트(31)로부터 당해 풉(100)이 반출되고(도 3의 스텝 S8), 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 일련의 처리가 종료된다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이 웨이퍼 처리 장치(1)에서 COR 모듈(61) 및 PHT 모듈(62)이 복수 마련되어 있을 경우, 복수의 COR 모듈(61) 및 PHT 모듈(62)은 각각, 병행해서 작동시킬 수 있다. 즉, 예를 들어 웨이퍼(W), 상기 다음의 웨이퍼(W), 상기 그 다음의 웨이퍼(W)는, 동시에 COR 처리 및 PHT 처리를 행할 수 있다.
또한, 이상의 설명에서 웨이퍼(W)는, 매엽으로, 즉, 1매씩 웨이퍼 처리 장치(1)의 내부에서 처리되었지만, 웨이퍼 처리 장치(1)의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어 웨이퍼 처리 장치(1)는, 2매엽 이상, 즉, 2매 이상의 웨이퍼(W)를 동시에 동일 모듈에서 반송, 처리할 수 있도록 구성되어 있어도 된다.
또한, 이상의 웨이퍼 처리에 있어서, 풉(100)은, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 처리가 개시되고 나서 종료될 때까지(도 3의 스텝 S2 내지 스텝 S7), 덮개(102)를 개방한 상태에서 대기하고 있다. 즉, 웨이퍼 처리 장치(1)에 반입된 풉(100)은, 웨이퍼 처리의 개시 시에 덮개(102)가 개방되고, 웨이퍼 처리 동안에는 이러한 개방 상태를 유지하고, 웨이퍼 처리가 종료되어 모든 웨이퍼(W)가 풉(100)에 회수된 후에, 덮개(102)가 폐지된다.
그러나, 덮개(102)의 개폐 동작이 이렇게 제어될 경우, 예를 들어 웨이퍼 처리의 도중에 이상 상태가 발생하여, 웨이퍼(W)를 풉(100)에 반입(회수)할 수 없게 되었을 경우에는, 덮개(102)가 개방 상태를 유지한 채 적재된 상태로 된다. 즉, 이상 상태에 의해 회수할 수 없는 웨이퍼(W)의 반입(회수)을 확인할 수 없기 때문에, 웨이퍼 처리가 계속되고 있다고 판단되어, 당해 회수할 수 없는 웨이퍼(W)의 반입을 덮개(102)를 개방한 상태에서 계속해서 기다리게 된다.
이러한 경우, 풉(100)의 내부는 웨이퍼 처리 장치(1)의 내부와 연통한 상태가 되어, 상술한 바와 같이 풉(100)의 내부의 분위기가 오염되어, 당해 풉(100)의 내부에서 대기하고 있는 웨이퍼(W)에 파티클이 부착되어버릴 우려가 있다. 또한 마찬가지로, 그 후 회수되는 웨이퍼(W)에 대해서도, 파티클이 부착되어버릴 우려가 있다.
<본 실시 형태에 따른 풉의 덮개의 개폐>
이러한 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제하기 위한 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태는, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 웨이퍼 처리의 한창 중에 있어서, 어떠한 요인에 의해 풉(100)에 대하여 웨이퍼(W)의 반송이 곤란해졌을 경우에, 풉(100)의 덮개(102)를 일시적으로 폐지함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 파티클의 부착을 억제하는 것이다.
풉(100)의 덮개(102)를 폐지하는 조건으로서는, 크게 분류하여, 예를 들어 이하의 (A) 내지 (C)에 나타내는 3 패턴의 이상 상태를 들 수 있다. 또한, 덮개(102)의 폐지 조건은 이하의 패턴에 한정되지 않고, 임의의 타이밍에서 덮개(102)를 폐지하도록 설정할 수 있다.
(A) 웨이퍼 처리가 개시된 후, 웨이퍼 처리 장치(1)가 구비하는 어느 것의 처리 모듈에서 이상 상태가 발생한 경우(즉, 일련의 웨이퍼 처리의 개시 후에, 제어부(80)가 신호의 수신 등에 의해 어느 것의 처리 모듈의 이상 상태의 발생을 검지한 경우).
(B) 웨이퍼 처리가 개시된 후, 웨이퍼 처리 장치(1)가 구비하는 어느 것의 반송 모듈에서 문제가 발생한 경우(즉, 일련의 웨이퍼 처리의 개시 후에, 제어부(80)가 신호의 수신 등에 의해 어느 것의 반송 모듈의 문제의 발생을 검지한 경우).
(C) 웨이퍼 처리가 개시된 후, 웨이퍼 처리 장치(1)에서 반송 중인 웨이퍼(W)를 없앴을 경우(즉, 일련의 웨이퍼 처리의 개시 후에, 제어부(80)가 신호의 수신 등에 의해 반송 중인 웨이퍼(W)를 없앤 것을 검지한 경우).
도 5 내지 도 11은, 웨이퍼 처리 장치(1)의 웨이퍼 처리부(2)에서의 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 처리 레시피를 따라 도시하는 설명도이다. 또한, 도 5 내지 도 11에서는, 일례로서, 1로트 4매로 웨이퍼 처리되는 경우를 나타내고 있으며, 이러한 4매의 웨이퍼(W)에 각각, 선두 웨이퍼로부터 순서대로 웨이퍼 W1, W2, W3, W4로 번호 부여하고 있다. 또한, 도면 중의 좌측 단부 열의 종축은, 웨이퍼 처리에서의 시간 t를 나타내고 있으며, 예를 들어 도 5의 시간 「t1」에서는, 모든 웨이퍼(W1 내지 W4)가 풉(100)에 수용되어 있는 것을 나타내고 있다.
또한, 도 5 내지 도 9, 도 11 중의 백색 × 표시는 이상 상태가 발생한 모듈 및 그 시간을 나타내고 있으며, 웨이퍼(W)는 당해 백색 × 표시를 초과해서 반송을 행할 수 없다. 즉, 처리 경로에 있어서 이상 상태가 발생한 당해 모듈을 통과할 수 없다. 또한, 도 10 중의 흑색 × 표시는 없앤 웨이퍼(W) 및 그 시간을 나타내고 있다. 또한, 도 5 내지 도 11 중의 풉(100)의 열에 나타내는 음영은, 덮개(102)의 폐지 타이밍을 나타내고 있다.
(A) 웨이퍼 처리가 개시된 후, 웨이퍼 처리 장치(1)의 웨이퍼 처리부(2)가 구비하는 어느 것의 처리 모듈에서 이상 상태가 발생한 경우
먼저, 풉(100)으로부터 반출되는 웨이퍼(W)의 처리 경로 상에 위치하는 처리 모듈이 사용 불가능하게 되었을 경우에 대해서 설명한다. 또한, 처리 모듈의 사용 불가능이란, 예를 들어 이하에 나타내는 것을 말한다.
(a) 당해 처리 모듈에서 에러(문제)가 발생하여, 당해 에러로부터의 복구(리커버리) 대기로 되었을 경우.
(b) 당해 처리 모듈이 메인터넌스 상태로 되었을 경우.
(c) 당해 처리 모듈에서, 웨이퍼 처리 장치(1)에 반입된 다른 풉(100)으로부터 반송된 다른 웨이퍼(W)의 처리가, 선행해서 행해지고 있는 경우.
(A-I) 웨이퍼(W1)를 처리 중인 모듈보다도 하류 경로에 위치하는 처리 모듈이 사용 불가능하게 되었을 경우
도 5는, t4에 선두 웨이퍼(W1)를 처리 중인 COR 모듈(61)보다도 하류의 경로에 위치하는, 예를 들어 PHT 모듈(62)이 사용 불가능하게 되었을 경우를 도시하고 있다. 이 경우, 웨이퍼 반송 기구(70)는, 웨이퍼(W1)를 PHT 모듈(62)에 반입할 수 없다. 따라서, 일단 개시한 웨이퍼(W1)에 대한 일련의 웨이퍼 처리를 완료할 수 없기 때문에, 웨이퍼(W1)를 풉(100)에 회수할 수 없게 된다. 이 때문에, 제어부(80)는, PHT 모듈(62)의 이상 상태의 발생을 검지하면, 일련의 처리를 정지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어한다. 이 경우, 제어부(80)는, 예를 들어 PHT 모듈(62)의 처리를 즉시 정지하도록 제어한다. 또한, 제어부(80)는, 예를 들어 PHT 모듈(62)의 이상 상태의 발생을 검지한 시점에서 그 상류측에 있는 COR 모듈(61)에서 웨이퍼(W)의 처리가 행해지고 있었을 경우에는, COR 처리의 완료 후에 COR 모듈(61)을 정지하도록 제어한다. 또한, 다른 PHT 모듈이 정상적으로 동작 가능한 경우에는, 제어부(80)는, COR 모듈(61)을 정지하지 않고 다른 PHT 모듈을 사용해서 일련의 처리를 계속해도 된다. 그리고, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과한 후, 즉 t5로 되었을 때 당해 이상 상태의 해제를 검지하지 않았을 경우에는 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다. 이에 의해, 이상 상태가 발생한 경우이어도 풉(100)의 내부가 웨이퍼 처리 장치(1)의 분위기에 노출되는 시간이 감소한다. 즉, 특히 풉(100)에서 대기하고 있는 웨이퍼(W4)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W2 및 W3)에 대해서는, COR 처리가 개시되지 않았기 때문에, 웨이퍼 반송 기구(40)에 의해 풉(100)에 회수가 가능하다. 이것으로부터, 제어부(80)는, 이상 상태의 발생을 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 웨이퍼(W2 및 W3)를 풉(100)에 회수하고 나서 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어한다. 이에 의해, 풉(100)에서 대기 상태가 되는 웨이퍼(W4)뿐만 아니라, 풉(100)으로부터 반출되었지만 웨이퍼(W2 및 W3)에 대해서도, 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이것으로부터, 풉(100)의 덮개(102)는, 제어부(80)가 이상 상태의 발생을 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후이며 또한 풉(100)에 회수할 수 있는 웨이퍼(W)가 없어진 타이밍에서 폐지되는 것이 바람직하다.
한편, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과하기 전, 예를 들어 도 5에서의 t5 전에 당해 이상 상태의 해제를 검지한 경우에는, 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하지 않고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 이 때, 제어부(80)는, 예를 들어 상기 이상 사태의 발생 시에 풉(100)으로부터의 반출이 행하여지지 않았던 웨이퍼(W4)를 풉(100)으로부터 반출하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 또한, 제어부(80)는, 이미 반출되어 있는 웨이퍼(W1 내지 W3)를 풉(100)에 일단 회수한 후에 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 혹은, 제어부(80)는, 이상 상태의 해제를 검지한 시점에서 웨이퍼(W1 내지 W3)의 회수 동작을 중단하고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다.
(A-II) 로트 선두의 웨이퍼(W1)를 처리 중인 처리 모듈이 사용 불가능하게 되었을 경우
도 6은, t4에서 선두의 웨이퍼(W1)를 처리 중인 COR 모듈(61)이 사용 불가능하게 되었을 경우를 도시하고 있다. 이 경우, 웨이퍼 반송 기구(70)는, 웨이퍼(W1)를 COR 모듈(61)로부터 반출할 수 없다. 이 때문에, 제어부(80)는, COR 모듈(61)의 이상 상태의 발생을 검지하면, 일련의 처리를 정지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어한다. 이 경우, 제어부(80)는, 예를 들어 COR 모듈(61)의 처리를 즉시 정지하도록 제어한다. 한편, COR 모듈(61)의 이상 상태의 발생을 검지한 시점에서 그 하류측에 있는 PHT 모듈(62)에서 웨이퍼(W)의 처리가 행해지고 있었을 경우, 당해 웨이퍼(W)는, COR 모듈(61)의 이상의 영향을 받지 않고 일련의 처리가 계속 가능하다. 그 때문에, 제어부(80)는, 해당 웨이퍼(W)를 회수 가능하다고 판단하여, 해당 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리를 계속하도록 제어한다. 그리고, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과한 후, 즉 t5가 되었을 때 당해 이상 상태의 해제를 검지하지 않았을 경우에는, 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다. 이에 의해, 이상 상태가 발생한 경우이어도 풉(100)의 내부가 웨이퍼 처리 장치(1)의 분위기에 노출되는 시간이 감소한다. 즉, 특히 풉(100)에서 대기하고 있는 웨이퍼(W4)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W2 및 W3)에 대해서는, 웨이퍼 반송 기구(40)에 의해 풉(100)에 회수가 가능하다. 이것으로부터, 제어부(80)는, 이상 상태의 발생을 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 웨이퍼(W2 및 W3)를 풉(100)에 회수하고 나서 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 이에 의해, 풉(100)에서 대기 상태가 되는 웨이퍼(W4)뿐만 아니라, 풉(100)으로부터 반출되었지만 일련의 웨이퍼 처리가 개시되지 않은 웨이퍼(W2 및 W3)에 대해서도, 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이것으로부터, 풉(100)의 덮개(102)는, 제어부(80)가 이상 상태의 발생을 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후이며 또한 풉(100)에 회수할 수 있는 웨이퍼(W)가 없어진 타이밍에서 폐지되는 것이 바람직하다.
한편, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과하기 전, 예를 들어 도 6에서의 t5 전에 당해 이상 상태의 해제를 검지한 경우에는 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하지 않고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어할 수 있다. 이 때, 제어부(80)는, 예를 들어 상기 이상 사태의 발생 시에 풉(100)으로부터의 반출이 행하여지지 않았던 웨이퍼(W4)를 풉(100)으로부터 반출하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 또한, 제어부(80)는, 이미 반출되어 있는 웨이퍼(W1 내지 W3)를 풉(100)에 일단 회수한 후에 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 혹은, 제어부(80)는, 이상 상태의 해제를 검지한 시점에서 웨이퍼(W1 내지 W3)의 회수 동작을 중단하고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다.
(A-III) 웨이퍼(W1)를 처리 중인 모듈보다도 상류 경로에 위치하는 처리 모듈이 사용 불가능하게 되었을 경우
도 7은, t4에서 선두 웨이퍼(W1)가 이미 처리를 완료한 처리 모듈, 예를 들어 로드 로크 모듈(20a)이 사용 불가능하게 되었을 경우를 도시하고 있다. 이 경우, 웨이퍼 반송 기구(70)는, 웨이퍼(W2)를 로드 로크 모듈(20a)로부터 반출하려고 해도 반출할 수 없다. 이 때문에, 제어부(80)는, 로드 로크 모듈(20a)의 이상 상태의 발생을 검지하면, 일련의 처리를 정지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어한다. 이 경우, 제어부(80)는, 예를 들어 로드 로크 모듈(20a)의 처리를 즉시 정지하도록 제어한다. 한편, 로드 로크 모듈(20a)의 이상 상태의 발생을 검지한 시점에서 그 하류측에 있는 COR 모듈(61) 등에서 웨이퍼(W)의 처리가 행해지고 있었을 경우, 당해 웨이퍼(W)는 로드 로크 모듈(20a)의 이상의 영향을 받지 않고 일련의 처리가 계속 가능하다. 그 때문에, 제어부(80)는, 해당 웨이퍼(W)를 회수 가능하다고 판단하여, 해당 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리를 계속하도록 제어한다. 그리고, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과한 후, 즉 t5가 되었을 때 당해 이상 상태의 해제를 검지하지 않았을 경우에는 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다. 이에 의해, 풉(100)에서 대기하고 있는 웨이퍼(W4)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 이 때, 로드 로크 모듈(20a)의 처리 경로의 하류측의 COR 모듈(61)에 위치하는 웨이퍼(W1)는, 로드 로크 모듈(20a)에서의 이상 상태의 영향을 받지 않고 풉(100)에 회수할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W3)나, 웨이퍼(W1)에 대해서도, 웨이퍼 반송 기구(40) 및 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 풉(100)에 회수가 가능하다. 이것으로부터, 제어부(80)는, 이상 상태의 발생을 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 도 7에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W1 및 W3)를 풉(100)에 회수하고 나서, 예를 들어 t8에서 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 이상 상태가 발생한 경우이어도 풉(100)의 내부가 웨이퍼 처리 장치(1)의 분위기에 노출되는 시간이 감소한다. 또한, 풉(100)에 대하여 웨이퍼(W1 및 W3)를 회수할 수 있기 때문에, 풉(100)에서 대기 상태가 되는 웨이퍼 (W1, W3 및 W4)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
한편, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과하기 전, 예를 들어 도 7에서의 t5 내지 t7에 당해 이상 상태의 해제를 검지한 경우에는 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하지 않고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어할 수 있다. 이 때, 제어부(80)는, 예를 들어 상기 이상 사태의 발생 시에 풉(100)으로부터의 반출이 행하여지지 않았던 웨이퍼(W4)를 풉(100)으로부터 반출하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 또한, 제어부(80)는, 이미 반출되어 있는 웨이퍼(W1 내지 W3)를 풉(100)에 일단 회수한 후에 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 또는, 제어부(80)는, 이상 상태의 해제를 검지한 시점에서 웨이퍼(W1 내지 W3)의 회수 동작을 중단하고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다.
(B) 웨이퍼 처리가 개시된 후, 웨이퍼 처리 장치(1)의 웨이퍼 처리부(2)가 구비하는 어느 것의 반송 모듈에서 문제가 발생한 경우
도 8은, t4에서 웨이퍼 반송 기구(70)에 있어서 문제(이상 상태)가 발생한 경우(B-I)를 도시하고 있다. 웨이퍼 반송 기구(70)에 문제가 발생한 경우, 트랜스퍼 모듈(60)에 반입된 웨이퍼(W1)의 반송을 행할 수 없게 되어, 풉(100)에 회수할 수 없게 된다. 이 때문에, 제어부(80)는, 웨이퍼 반송 기구(70)의 문제의 발생을 검지하면, 일련의 처리를 정지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어한다. 그리고, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과한 후, 즉 t5가 되었을 때 당해 문제의 해소를 검지하지 않았을 경우에는 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다.
또한, 도 8에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W2 및 W3)에 대해서는, 웨이퍼 반송 기구(40)에 의해 풉(100)에 회수가 가능하다. 이것으로부터, 제어부(80)는, 문제의 발생을 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 웨이퍼(W2 및 W3)를 풉(100)에 회수하고 나서, 즉 t6에 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 이에 의해, 풉(100)에서 대기 상태가 되는 웨이퍼(W4)뿐만 아니라, 풉(100)으로부터 반출되었지만 일련의 웨이퍼 처리가 개시되지 않은 웨이퍼(W2 및 W3)에 대해서도, 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이것으로부터, 풉(100)의 덮개(102)는, 제어부(80)가 이상 상태의 발생을 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후이며 또한 풉(100)에 회수할 수 있는 웨이퍼(W)가 없어진 타이밍에서 폐지되는 것이 바람직하다.
한편, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과하기 전, 예를 들어 도 8에서의 t5 전에 당해 문제의 해소를 검지한 경우에는 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하지 않고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어할 수 있다. 이 때, 제어부(80)는, 예를 들어 상기 이상 사태의 발생 시에 풉(100)으로부터의 반출이 행하여지지 않았던 웨이퍼(W3, W4)를 풉(100)으로부터 반출하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 또한, 제어부(80)는 이미 반출되어 있는 웨이퍼(W1, W2)를 풉(100)에 일단 회수한 후에 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 또는, 제어부(80)는 이상 상태의 해제를 검지한 시점에서 웨이퍼(W1, W2)의 회수 동작을 중단해서 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다.
또한, 반송 모듈에서의 상기 문제란, 예를 들어 당해 반송 모듈에서 에러(문제, 이상 상태)가 발생하여, 당해 에러로부터의 복구(리커버리) 대기로 되었을 경우나, 당해 반송 모듈이 메인터넌스 상태로 되었을 경우를 말한다.
이와 같이, 웨이퍼 처리 장치(1)의 웨이퍼 처리부(2)에서의 모듈에서 이상 상태가 발생한 경우에도, 회수할 수 있는 웨이퍼(W)가 존재하는 경우에는, 당해 회수할 수 있는 웨이퍼(W)의 반입을 기다려서 덮개(102)를 폐지해도 된다. 이에 의해, 적절하게 풉(100)의 내부가 웨이퍼 처리 장치(1)의 분위기에 노출되는 시간을 감소시켜, 또한 웨이퍼(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 9에 도시하는 바와 같이 예를 들어 t4에서 문제가 발생한 반송 모듈이 웨이퍼 반송 기구(40)이었을 경우(B-II), 풉(100)으로부터 반출된 모든 웨이퍼(W1, W2, W3)를 회수할 수 없게 된다. 따라서, 이러한 경우에는, 당해 문제가 발생하고 나서 미리 정해진 시간이 경과한 후인 t5에, 웨이퍼(W1, W2, W3)의 회수를 기다리지 않고 덮개(102)를 폐지해도 된다. 이에 의해, 풉(100)에서 대기 상태가 되는 웨이퍼(W4)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
(C) 웨이퍼 처리 장치(1)의 웨이퍼 처리부(2)에서 반송 중인 웨이퍼(W)를 없앴을 경우
도 10은, t4에서 제어부(80)가 신호의 수신 등에 의해 에러(문제, 이상 상태)를 검지한 경우, 예를 들어 반송 중인 웨이퍼(W3)를 낙하 등에 의해 분실한 것을 제어부(80)가 검지한 경우를 도시하고 있다. 이 경우, 당해 웨이퍼(W3)의 반송을 할 수 없어, 풉(100)에 회수할 수 없게 된다. 이 때문에, 제어부(80)는, 상기 에러를 검지하면, 일련의 처리를 정지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어한다. 그리고, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과한 후, 즉 t5가 되었을 때 당해 에러의 해제를 검지하지 않았을 경우에는 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다. 이에 의해, 풉(100)에서 대기하고 있는 웨이퍼(W4)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 10에 도시하는 바와 같이, 분실한 웨이퍼(W3)에 선행해서 일련의 웨이퍼 처리가 개시되어 있는 웨이퍼(W1 및 W2)에 대해서는, 웨이퍼(W3)의 분실 영향을 받지 않고 일련의 처리를 행하여, 풉(100)에 회수가 가능하다. 이것으로부터, 제어부(80)는, 에러를 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 웨이퍼(W1 및 W2)를 풉(100)에 회수하고 나서, 즉 t9에 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 이에 의해, 적어도 풉(100)에 회수할 수 있는 웨이퍼(W1 및 W2)와, 풉(100)에서 대기 상태인 웨이퍼(W4)에 대하여, 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 예를 들어 에러가 검지된 웨이퍼(W3)보다도 후에 처리가 행하여지는 웨이퍼(W4)에 대한 웨이퍼 처리가 개시되어 있는 경우에도, 당해 웨이퍼(W4)에 대해서는, 처리 경로를 거슬러 올라감으로써 웨이퍼(W3)의 에러의 검지에 영향을 받지 않고 풉(100)에 회수할 수 있다. 이것으로부터, 풉(100)의 덮개(102)는, 제어부(80)가 에러를 검지하고 또한 미리 정해진 시간이 경과한 후이며 또한 풉(100)에 회수할 수 있는 웨이퍼(W)가 없어진 타이밍에서 폐지되는 것이 바람직하다.
한편, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과하기 전, 예를 들어 도 10에서의 t5 내지 t8에 당해 이상 상태의 해제를 검지한 경우에는 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하지 않고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어할 수 있다. 이 때, 제어부(80)는, 예를 들어 상기 이상 사태의 발생 시에 풉(100)으로부터의 반출이 행하여지지 않았던 웨이퍼(W4)를 풉(100)으로부터 반출하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 또한, 제어부(80)는, 이미 반출되어 있는 웨이퍼(W1 내지 W3)를 풉(100)에 일단 회수한 후에 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다. 혹은, 제어부(80)는, 이상 상태의 해제를 검지한 시점에서 웨이퍼(W1 내지 W3)의 회수 동작을 중단하고 일련의 웨이퍼 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어해도 된다.
또한, 이상의 (A) 내지 (C)의 동작에 의해, 제어부(80)는, 폐지된 덮개(102)를, 예를 들어 당해 폐지의 원인이 된 이상 상태의 해소를 검지한 후에 임의의 타이밍에서 개방하도록 제어할 수 있다. 단, 덮개(102)가 개방되는 시간이 최대한 적어지도록 제어하기 위해서, 웨이퍼(W)의 반송이 재개되고, 풉(100)에 대하여 어느 것의 웨이퍼(W)의 반출, 또는 반입이 행하여지는 단계에서 개방되는 것이 바람직하다.
예를 들어, t4에서 도 5의 상기 (A-I)에 나타낸 PHT 모듈(62)의 문제가 발생하고, t5에서 덮개(102)가 폐지되었을 경우이며, 당해 문제가 t6에서 해소된 것으로 한다. 이러한 경우, 제어부(80)는, 문제가 해소된 t6에서, 웨이퍼(W1, W2, W3)를, 다음의 처리 모듈인 PHT 모듈(62), COR 모듈(61), 로드 로크 모듈(20a)에 각각 반송하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어한다. 또한 이와 동시에, 풉(100)에서 대기하고 있던 웨이퍼(W4)를 ORT 모듈(33)에 반송할 필요가 있기 때문에, 이러한 경우에 있어서는, 제어부(80)는 t6에서 덮개(102)를 개방하도록 제어한다.
또한, 예를 들어 도 11은, t5에서 로드 로크 모듈(20b)의 문제가 발생하고, 어느 웨이퍼(W)도 풉(100)에 회수되지 않고, t6에서 덮개(102)가 폐지되었을 경우를 나타내고 있다. 이러한 경우에 있어서는, 제어부(80)는, 예를 들어 t7에 문제의 해소를 검지했을 때 웨이퍼(W)의 처리를 재개하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈을 제어하고, 최초로 모든 처리가 완료되는 웨이퍼(W1)가 풉(100)에 반입되는 t9에서, 덮개(102)를 개방하도록 제어한다. 이와 같이, 덮개(102)는, 상술한 바와 같이 풉(100)에 대하여 어느 것의 웨이퍼(W)의 반출, 또는 반입이 행하여지는 단계에서 개방되는 것이 바람직하다.
이상의 실시 형태에 따르면, 제어부(80)는, 웨이퍼 처리 장치(1)의 웨이퍼 처리부(2)에서 이상 상태가 발생한 것을 검지하고, 미리 정해진 시간이 경과하고, 풉(100)에 수용되어 있던 웨이퍼(W)의 반송 경로 상에서, 당해 웨이퍼(W)가 반송 불능으로 된 것을 검지했을 때, 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다. 즉, 웨이퍼 처리 장치(1)의 웨이퍼 처리부(2)의 어느 것의 모듈에서 웨이퍼(W)의 처리 중에 어떠한 이상 상태가 발생한 경우에도, 풉(100)의 내부를 웨이퍼 처리 장치(1)의 분위기에 노출시키는 시간을 단축할 수 있기 때문에, 풉(100) 내부에서 대기하는 웨이퍼(W)에 파티클이 부착되는 것을 적절하게 억제할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 상기 「미리 정해진 시간」은, 다양한 관점에서 임의로 설정할 수 있다. 예를 들어, 적어도 상기 반송 경로 상에 반송 가능한 웨이퍼(W)가 존재하는지 여부를 판단하여, 당해 반송 가능한 웨이퍼(W)를 풉(100)에 회수하기 위한 시간을 확보할 수 있으면 충분하다. 또한, 예를 들어 오퍼레이터가 발생한 이상 상태를 확인하고, 조기 복구할 수 있는지 여부의 판단을 내릴 때까지의 시간이 설정되어 있어도 된다.
이때, 상술한 바와 같이, 이상 상태가 발생한 경우에도, 풉(100)에의 회수가 가능한 웨이퍼(W)가 웨이퍼 처리 장치(1)의 내부에 잔류하고 있을 경우에 있어서는, 제어부(80)는 당해 회수가 가능한 웨이퍼(W)의 풉(100)에의 반입을 기다려서, 덮개(102)를 폐지하도록 제어한다. 이에 의해, 파티클의 부착을 억제할 수 있는 웨이퍼(W)의 매수를 적절화할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 제어부(80)는, 이상 상태가 발생하고, 미리 정해진 시간이 경과하고 나서 덮개(102)를 닫도록 제어한다. 따라서, 제어부(80)는, 미리 정해진 시간이 경과하기 전에 상기 이상 상태가 해소되었을 경우에는, 덮개(102)를 닫지 않도록 제어할 수 있다. 이에 의해, 종래의 동등한 웨이퍼 처리에서의 조업을 행할 수 있고, 또한 덮개(102)의 개폐 동작에 의해 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 장치(1)와 같이, 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 모듈(예를 들어 COR 모듈(61)이나 PHT 모듈(62)과 같은 감압 하 처리 모듈)이 복수 마련되어 있을 경우, 하나의 처리 모듈에서 이상 상태가 발생한 경우에도, 일련의 웨이퍼 처리를 계속할 수 있는 경우가 있다. 예를 들어, 제어부(80)는, 하나의 처리 모듈에서 이상 상태가 발생한 것을 검지한 경우에도, 덮개(102)를 닫지 않고 다른 처리 모듈을 사용해서 처리 대상의 웨이퍼의 처리를 계속하도록 웨이퍼 처리부(2)의 각 모듈의 제어를 행해도 된다.
또한, 웨이퍼 처리 장치(1)에 대하여 복수의 풉(100)이 반입되어 있는 경우, 모듈의 이상 상태에 의해 회수할 수 없게 된 웨이퍼(W)를 수용하고 있던 풉(100)만의 덮개(102)가 폐지되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 풉(100)에 회수할 수 있는 웨이퍼(W)가 존재하는 풉(100)의 덮개(102)는 폐지시키지 않고, 회수할 수 있는 웨이퍼(W)가 없어진 풉(100)의 덮개(102)만을 폐지하는 것이 바람직하다. 이러한 판단은, 예를 들어 각 풉(100)에 수용된 웨이퍼(W)의 반송 레시피를 기초로 행하여진다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 설명의 간략화를 위해서 1로트 4매의 웨이퍼(W)에 대하여 설명을 행했지만, 당연히 그 이상의 매수의 웨이퍼(W)를 구비하는 로트에 대해서도, 본 개시에 따른 기술을 적용할 수 있다. 이러한 경우에도, 처리 모듈에서 이상 상태가 발생하고 나서 미리 정해진 시간이 경과하고 또한 풉(100)에 회수할 수 있는 웨이퍼(W)가 없어졌을 때, 풉(100)의 덮개(102)를 폐지하도록 제어되면 된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 이상 상태가 발생한 타이밍을 기준으로 해서, 덮개(102)의 폐지를 판단하기 위한 미리 정해진 시간을 산출하였다. 그러나, 기준으로 하는 타이밍은, 임의로 설정할 수 있어, 예를 들어 웨이퍼 반송 기구(40)가 풉(100)에 대하여 마지막으로 액세스한 타이밍을 기준으로 해도 된다. 이러한 경우, 적어도, 웨이퍼 처리 장치(1)에서 웨이퍼 처리에 요하는 미리 정해진 시간이 경과했을 때 덮개(102)를 폐지하도록 제어를 행할 수 있으면, 종래에 비해서 덮개(102)의 개방 시간이 길어지지 않는다. 즉, 이상 상태의 발생에 의한 파티클의 부착 억제의 효과를 향수할 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태에서 생략, 치환, 변경되어도 된다.
예를 들어, 상술한 예에서는 웨이퍼 처리 장치(1)에 있어서, 예를 들어 COR 처리나 PHT 처리가 행하여지는 경우를 설명했지만, 모듈 구성은 이것에 한정되지 않고, 임의의 구성을 취할 수 있다. 즉, 예를 들어 본 개시에 따른 기술은, 예를 들어 연삭 처리 장치나 테스터에 적용할 수 있다. 또한, 예를 들어 도포 현상 장치나 에칭 장치에 적용되어도 된다.
또한, 이하와 같은 구성도 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
(1) 기판 처리부이며, 상기 기판 처리부는, 적어도 하나의 기판이 수용된 기판 수용 용기를 배치하도록 구성된 로드 포트를 갖고, 상기 기판 처리부는, 상기 로드 포트에 배치된 상기 기판 수용 용기로부터 기판을 취출하여, 당해 기판에 대하여 일련의 처리를 실시하도록 구성된, 기판 처리부와, 상기 로드 포트에 배치된 상기 기판 수용 용기의 덮개의 개폐를 제어하도록 구성된 제어부이며, 상기 제어부는, 상기 기판 수용 용기가 상기 로드 포트에 배치된 후에 상기 덮개를 개방하도록 제어하고, 상기 제어부는, 상기 기판 처리부에서 이상 상태가 발생하고, 미리 정해진 시간이 경과하고, 상기 기판 수용 용기로부터 취출된 기판 중 상기 기판 수용 용기에 회수 가능한 기판이 없을 경우에, 상기 덮개를 폐지하도록 제어하는, 제어부를 갖는 기판 처리 장치.
상기 (1)에 의하면, 기판 처리 장치에 있어서 이상 상태가 발생한 경우이어도 기판 수용 용기의 내부가 기판 처리 장치의 분위기에 노출되는 시간이 감소한다. 그 결과, 특히 기판 수용 용기에 있어서 대기하고 있는 기판에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
(2) 상기 제어부는, 상기 기판 처리부를 제어하도록 구성되고,
상기 제어부는, 상기 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 상기 회수 가능한 기판을 상기 기판 수용 용기에 회수하도록 제어하고,
상기 제어부는, 상기 회수 가능한 기판이 상기 기판 수용 용기에 회수된 후에 상기 덮개를 폐지하도록 제어하는, 상기 (1)에 기재된 기판 처리 장치.
(3) 상기 제어부는, 상기 기판 처리부에서 이상 상태가 발생한 경우에 상기 일련의 처리를 정지하도록 제어하고,
상기 제어부는, 상기 미리 정해진 시간이 경과하기 전에 상기 이상 상태가 해제된 경우에, 상기 덮개를 폐지하지 않고 상기 일련의 처리를 재개하도록 제어하는, 상기 (2)에 기재된 기판 처리 장치.
(4) 상기 제어부는, 상기 덮개를 폐지한 후, 상기 이상 상태가 해제된 경우에 상기 덮개를 재개방하도록 제어하는, 상기 (2) 또는 상기 (3)에 기재된 기판 처리 장치.
(5) 상기 이상 상태는, 상기 기판 처리부에서의 기판의 처리 경로 상의 모듈이 사용 불가로 된 상태인, 상기 (1) 내지 상기 (4) 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치.
(6) 상기 모듈은, 당해 모듈에서의 문제의 발생에 의해, 당해 문제로부터 복구 대기 상태로 되었을 때 사용 불가가 되는, 상기 (5)에 기재된 기판 처리 장치.
(7) 상기 모듈은, 당해 모듈이 메인터넌스 상태로 되었을 때 사용 불가가 되는, 상기 (5)에 기재된 기판 처리 장치.
(8) 상기 모듈은, 처리 모듈 또는 반송 모듈인, 상기 (5) 내지 상기 (7) 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치.
(9) 상기 이상 상태는, 상기 기판 처리부에서의 기판의 처리 경로 상으로부터 기판이 없어진 상태인, 상기 (1) 내지 상기 (4) 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치.
(10) 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법이며,
적어도 하나의 기판이 수용된 기판 수용 용기가 기판 처리 장치 내에 배치된 후에 당해 기판 수용 용기의 덮개를 개방하는 스텝과,
상기 기판 수용 용기로부터 기판을 취출하는 스텝과,
상기 기판 처리 장치에서 이상 상태가 발생하고, 미리 정해진 시간이 경과하고, 상기 기판 수용 용기로부터 취출된 기판 중 상기 기판 수용 용기에 회수 가능한 기판이 없을 경우에, 상기 덮개를 폐지하는 스텝을 갖는 방법.
1: 웨이퍼 처리 장치
100: 풉
102: 덮개
W: 웨이퍼

Claims (10)

  1. 기판 처리부이며, 상기 기판 처리부는, 적어도 하나의 기판이 수용된 기판 수용 용기를 배치하도록 구성된 로드 포트를 갖고, 상기 기판 처리부는, 상기 로드 포트에 배치된 상기 기판 수용 용기로부터 기판을 취출하여, 당해 기판에 대하여 일련의 처리를 실시하도록 구성된, 기판 처리부와,
    상기 로드 포트에 배치된 상기 기판 수용 용기의 덮개의 개폐를 제어하도록 구성된 제어부이며, 상기 제어부는, 상기 기판 수용 용기가 상기 로드 포트에 배치된 후에 상기 덮개를 개방하도록 제어하고, 상기 제어부는, 상기 기판 처리부에서 이상 상태가 발생하고, 또한 미리 정해진 시간이 경과하고, 또한 상기 기판 수용 용기로부터 취출된 기판 중 상기 기판 수용 용기에 회수 가능한 기판이 없을 경우에, 상기 덮개를 폐지하도록 제어하는, 제어부를 갖는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판 처리부를 제어하도록 구성되고,
    상기 제어부는, 상기 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 상기 회수 가능한 기판을 상기 기판 수용 용기에 회수하도록 제어하고,
    상기 제어부는, 상기 회수 가능한 기판이 상기 기판 수용 용기에 회수된 후에 상기 덮개를 폐지하도록 제어하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판 처리부에서 이상 상태가 발생한 경우에 상기 일련의 처리를 정지하도록 제어하고,
    상기 제어부는, 상기 미리 정해진 시간이 경과하기 전에 상기 이상 상태가 해제된 경우에, 상기 덮개를 폐지하지 않고 상기 일련의 처리를 재개하도록 제어하는, 기판 처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 덮개를 폐지한 후, 상기 이상 상태가 해제된 경우에 상기 덮개를 재개방하도록 제어하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이상 상태는, 상기 기판 처리부에서의 기판의 처리 경로 상의 모듈이 사용 불가가 된 상태인, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 모듈은, 당해 모듈에서의 문제의 발생에 의해, 당해 문제로부터 복구 대기 상태로 되었을 때 사용 불가가 되는, 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 모듈은, 당해 모듈이 메인터넌스 상태로 되었을 때 사용 불가가 되는, 기판 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 모듈은, 처리 모듈 또는 반송 모듈인, 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이상 상태는, 상기 기판 처리부에서의 기판의 처리 경로 상으로부터 기판이 없어진 상태인, 기판 처리 장치.
  10. 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법이며,
    적어도 하나의 기판이 수용된 기판 수용 용기가 기판 처리 장치 내에 배치된 후에 당해 기판 수용 용기의 덮개를 개방하는 스텝과,
    상기 기판 수용 용기로부터 기판을 취출하는 스텝과,
    상기 기판 처리 장치에서 이상 상태가 발생하고, 또한, 미리 정해진 시간이 경과하고, 또한 상기 기판 수용 용기로부터 취출된 기판 중 상기 기판 수용 용기에 회수 가능한 기판이 없을 경우에, 상기 덮개를 폐지하는 스텝을 갖는 방법.
KR1020217015822A 2018-11-05 2019-10-23 기판 처리 장치, 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법 KR102511267B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-208257 2018-11-05
JP2018208257A JP7113722B2 (ja) 2018-11-05 2018-11-05 基板処理装置、基板収容容器の蓋を開閉する方法、及びプログラム
PCT/JP2019/041455 WO2020095675A1 (ja) 2018-11-05 2019-10-23 基板処理装置、基板収容容器の蓋を開閉する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210080523A KR20210080523A (ko) 2021-06-30
KR102511267B1 true KR102511267B1 (ko) 2023-03-20

Family

ID=70610981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217015822A KR102511267B1 (ko) 2018-11-05 2019-10-23 기판 처리 장치, 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11569112B2 (ko)
JP (1) JP7113722B2 (ko)
KR (1) KR102511267B1 (ko)
CN (1) CN112930592A (ko)
TW (1) TWI831860B (ko)
WO (1) WO2020095675A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9820641B2 (en) 2003-04-29 2017-11-21 Aircraft Medical Limited Laryngoscope with camera attachment
CN115216749A (zh) * 2021-04-16 2022-10-21 上海新微技术研发中心有限公司 一种基片处理系统及其控制方法
TWI819760B (zh) * 2021-09-22 2023-10-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置、異常檢測方法及異常檢測程式

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251380A (ja) 2009-04-10 2010-11-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウエハローディング・アンローディング方法および装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6641349B1 (en) * 1999-04-30 2003-11-04 Tdk Corporation Clean box, clean transfer method and system
US6647642B2 (en) * 2000-12-15 2003-11-18 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
JP4401879B2 (ja) * 2004-07-07 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板の回収方法及び基板処理装置
JP4569956B2 (ja) 2005-01-24 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラム
JP4891199B2 (ja) * 2006-11-27 2012-03-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4893425B2 (ja) * 2007-03-30 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の基板処理装置、枚葉式の基板処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP4264115B2 (ja) * 2007-07-31 2009-05-13 Ｔｄｋ株式会社 被収容物の処理方法及び当該方法に用いられる蓋開閉システム
JP2010123733A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びその処理方法、並びに記憶媒体
JP4760919B2 (ja) 2009-01-23 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP2013065769A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6087161B2 (ja) 2012-02-03 2017-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板収容容器のパージ方法
JP6045946B2 (ja) * 2012-07-13 2016-12-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、プログラムおよび記録媒体
JP5993252B2 (ja) * 2012-09-06 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置及びこれを用いた熱処理装置、並びに蓋体開閉方法
US10269603B2 (en) 2013-07-09 2019-04-23 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, gas-purging method, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium containing abnormality-processing program
JP2015050417A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 東京エレクトロン株式会社 ロードポート装置及び基板処理装置
KR101799217B1 (ko) * 2013-09-30 2017-11-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP2015090890A (ja) 2013-11-05 2015-05-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2016063081A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置及び蓋体開閉方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251380A (ja) 2009-04-10 2010-11-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウエハローディング・アンローディング方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020077667A (ja) 2020-05-21
JP7113722B2 (ja) 2022-08-05
US11569112B2 (en) 2023-01-31
TWI831860B (zh) 2024-02-11
TW202025361A (zh) 2020-07-01
US20210375655A1 (en) 2021-12-02
KR20210080523A (ko) 2021-06-30
WO2020095675A1 (ja) 2020-05-14
CN112930592A (zh) 2021-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102511267B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 수용 용기의 덮개를 개폐하는 방법
JP4566035B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
JP4410121B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
KR100797666B1 (ko) 기판처리장치
KR102168381B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11581181B2 (en) Orientation chamber of substrate processing system with purging function
TWI386976B (zh) 塗布顯影裝置及塗布顯影裝置之操作方法與記憶媒體
JP2010192855A (ja) 基板処理装置
KR20180045316A (ko) 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
US20190096702A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer storage medium
JP5610009B2 (ja) 基板処理装置
KR102413131B1 (ko) 건식처리와 습식처리를 위한 하이브리드 기판처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법
CN110164794B (zh) 基板输送装置和基板处理系统
KR100666346B1 (ko) 기판세정장치 및 그 방법
KR100521401B1 (ko) 기판세정시스템
US20030051972A1 (en) Automated immersion processing system
TWI552253B (zh) 基板處理系統、基板運送方法及記憶媒體
JP5852787B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2020100381A1 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法
KR101612516B1 (ko) 건식 및 습식 처리를 위한 단일 플랫폼의 기판처리설비
KR100555893B1 (ko) 기판세정장치
CN110660706B (zh) 定向腔室及处理基板的方法
KR102241606B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20100054513A (ko) 기판 이송 장치
JP4748263B2 (ja) 塗布、現像装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant