TWI819760B - 基板處理裝置、異常檢測方法及異常檢測程式 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 339
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 251
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 title claims abstract description 229
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 57
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 291
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 41
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 157
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 60
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 33
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 133
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 99
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 49
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 36
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 29
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 29
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 25
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 25
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000012549 training Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002354 daily effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006403 short-term memory Effects 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D21/00—Measuring or testing not otherwise provided for
- G01D21/02—Measuring two or more variables by means not covered by a single other subclass
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
於基板處理裝置中,進行使用處理液之基板的處理。第一動作零部件及第二動作零部件用於基板的處理。第一動作零部件之第一動作值與第二動作零部件之第二動作值係藉由動作值取得部而取得。根據由動作值取得部所取得之第一動作值與第二動作值之相關性,而由異常判定部判定是否發生異常。
Description
本發明係關於處理基板之基板處理裝置、異常檢測方法及異常檢測程式。
基板處理裝置被使用在半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板或光碟用玻璃基板等之基板上進行成膜、顯影或洗淨等的各種處理。當基板處理裝置長期間運行時,則可能發生基板處理裝置之動作零部件損傷或劣化等的異常。
於日本專利特開2018-77764號公報,記載有可預知半導體製造裝置之異常的異常偵測裝置。於該異常偵測裝置中,以既定之周期收集表示半導體製造裝置之各部件狀態的狀態資訊。狀態資訊包含例如半導體製造裝置之各部件的溫度、壓力、氣體流量或電力等。所收集之狀態資訊以每既定單位當作記錄而被儲存。
根據所儲存之記錄,被生成監視半導體製造裝置之各部件狀態的監視帶(monitor band)。監視帶係於被判定所收集狀態資訊是否正常時所使用的波形,例如,根據在每既定周期設定之上限值及下限值,藉由實行內插所生成。根據狀態資訊與監視帶,可判定半導體製造裝置之各部件狀態是否異常。
如日本專利特開2018-77764號公報所記載之異常偵測裝置,希望可在基板處理裝置之故障前檢測出異常。
本發明之目的在於,提供一種可早期檢測出異常之基板處理裝置、異常檢測方法及異常檢測程式。
(1) 依照本發明一態樣的基板處理裝置,其包含使用處理液之基板的處理中所使用之第一動作零部件及第二動作零部件;其具備有:動作值取得部,其取得第一動作零部件之第一動作值與第二動作零部件之第二動作值;以及異常判定部,其根據由動作值取得部所取得之第一動作值與第二動作值之相關性,而判定是否發生異常。
於該基板處理裝置中,進行使用處理液之基板的處理。又,根據第一動作零部件之第一動作值與第二動作零部件之第二動作值之相關性,而被判定是否發生異常。因此,可於基板處理裝置之故障前早期檢測出基板處理裝置之異常。
(2)異常判定部根據:藉由利用動作值取得部所取得之第一動作值與第二動作值的組合而決定的資料點中,超過根據第一動作值與第二動作值之相關性所決定之容許範圍的資料點之比例而判定是否發生異常,如此亦可。於此情形下,可以簡單之處理來檢測出基板處理裝置之異常。
(3)容許範圍亦可藉由在基板的處理前利用動作值取得部所預先取得之第一動作值與第二動作值的組合而決定之資料點中,所含有之既定比例的資料點來決定。於此情形下,其可容易地決定用於判定異常之容許範圍。
(4)異常判定部亦可於每處理既定數量之基板時、或每經過既定時間時,判定是否發生異常。根據該構成,其可更容易地早期檢測出基板處理裝置之異常。
(5)第一動作零部件包含:第一調整閥,其根據第一脈衝值而調整供給至基板之處理液的流量;第二動作零部件包含:第二調整閥,其根據第二脈衝值而調整供給至基板之處理液的流量;第一動作值係被提供給第一調整閥之第一脈衝值,第二動作值係被提供給第二調整閥之第二脈衝值;如此亦可。
於此情形下,根據被提供給第一調整閥之第一脈衝值、及被提供給第二調整閥之第二脈衝值的相關性,其可早期檢測出基板處理裝置之異常。
(6)第一動作零部件包含:調整閥,其根據脈衝值而調整供給至基板之處理液的流量;第二動作零部件包含:壓力計,其對被導引至調整閥之處理液的壓力進行檢測;第一動作值係被提供給調整閥之脈衝值,第二動作值係由壓力計所檢測出之壓力;如此亦可。
於此情形下,根據被提供給調整閥之脈衝值、及由壓力計所檢測出之壓力的相關性,其可早期檢測出基板處理裝置之異常。
(7)第一動作零部件包含:第一流量計及第二流量計,其等分別對第一處理液及第二處理液的流量進行檢測;第二動作零部件包含:濃度計,其檢測混合處理液的濃度,該混合處理液係藉由將第一處理液與第二處理液混合而生成;第一動作值係混合處理液的濃度之理論值;該理論值藉由利用第一流量計及第二流量計所分別檢測出之第一處理液的流量與第二處理液的流量之比而計算出;第二動作值係混合處理液的濃度之實測值,該實測值由濃度計所檢測出;如此亦可。
於此情形下,根據由第一處理液的流量與第二處理液的流量之比而計算出之混合處理液的濃度之理論值、及由濃度計所檢測出之混合處理液的濃度之實測值的相關性,其可早期檢測出基板處理裝置之異常。
(8)基板處理裝置進而包含:貯存部,其流入第一處理液與第二處理液所混合之混合處理液;第一動作零部件包含:第一流量計及第二流量計,其等分別對第一處理液及第二處理液的流量進行檢測;第二動作零部件包含:濃度計,其對自貯存部流出之混合處理液的濃度進行檢測;流入至貯存部之混合處理液以第一時間到達濃度計,第一動作值係混合處理液的濃度之理論值;該理論值藉由於第一時間點與自第一時間點起經過第二時間的第二時間點之間,利用第一流量計及第二流量計所分別檢測出之第一處理液的流量之累積值與第二處理液的流量之累積值,而計算出;第二動作值係混合處理液的濃度之統計值,該統計值於自第一時間點起經過第一時間的第三時間點、與自第二時間點起經過第一時間的第四時間點之間,由濃度計所檢測出;如此亦可。
於此情形下,根據藉由第一處理液的流量之累積值與第二處理液的流量之累積值而計算出之混合處理液的濃度之理論值、與混合處理液的濃度之統計值的相關性,以判定是否於基板處理裝置發生異常。此處,由於在上述之混合處理液的濃度之理論值、與混合處理液的濃度之統計值之間存在有強的相關性,因此其可更確實地檢測出基板處理裝置之異常。
(9)第一動作零部件包含:第一流量計及第二流量計,其等分別對第一處理液及第二處理液的流量進行檢測;第二動作零部件包含:濃度計,其檢測混合處理液的濃度,該混合處理液係藉由將第一處理液與第二處理液混合而生成;其被準備濃度預測模型,該濃度預測模型對第一時間點與自第一時間點起經過第一時間的第二時間點之間之第一處理液的流量、第二處理液的流量、以及混合處理液的濃度、與自第二時間點起經過第二時間的第三時間點之混合處理液的濃度的關係,進行機器學習,第一動作值係混合處理液的濃度之預測值,該預測值係將在第四時間點與自第四時間點起經過第一時間的第五時間點之間由第一流量計所檢測出之第一處理液的流量、由第二流量計所檢測出之第二處理液的流量、以及由濃度計所檢測出之混合處理液的濃度,應用於濃度預測模型,藉此而取得自第五時間點起經過第二時間的第六時間點之混合處理液的濃度之預測值;第二動作值係混合處理液的濃度之實測值,該實測值於第六時間點由濃度計所檢測出;如此亦可。
於此情形下,根據由濃度預測模型取得之混合處理液的濃度之預測值、與由濃度計所檢測出之混合處理液的濃度之實測值的相關性,可對短期間內於基板處理裝置發生之單發性異常進行檢測。
(10)基板處理裝置進而包含有:貯存部,其貯存將第一處理液與第二處理液混合之混合處理液;基板處理部,其使用混合處理液而對基板進行處理;第一流路部,其將第一處理液與第二處理液混合而生成混合處理液,並將其導引至貯存部;第二流路部,其將貯存於貯存部之混合處理液導引至基板處理部;以及第三流路部,其將基板處理部未使用的混合處理液導引至貯存部;第一動作零部件包含:第一流量計及第二流量計,其等分別對第一處理液及第二處理液的流量進行檢測;第二動作零部件包含:濃度計,其對自貯存部流出之混合處理液的濃度進行檢測;通過第一流路部而流入至貯存部之混合處理液以第一時間到達濃度計;第一動作值係於各時間點貯存在貯存部之混合處理液的濃度之理論值;該理論值係藉由在單位時間內,通過第一流路部而流入至貯存部之混合處理液的容量、通過第二流路部而自貯存部流出之混合處理液的容量、以及通過第三流路部而流入至貯存部之混合處理液的容量、與由第一流量計及第二流量計所分別檢測出之第一處理液的流量及第二處理液的流量,而計算出,第二動作值係混合處理液的濃度之實測值,該實測值於自混合處理液通過第一流路部而流入於貯存部之時間點起經過第一時間的時間點,由濃度計所檢測出;如此亦可。
當被供給至基板處理部之混合處理液的濃度變動時,因基板處理部未使用的混合處理液返回貯存部,則使貯存於貯存部之混合處理液的濃度變動。即便在此情形下,上述構成根據藉由對貯存部流入或流出之混合處理液的容量、第一處理液的流量及第二處理液的流量而計算出之貯存於貯存部之混合處理液的濃度之理論值、與由濃度計所檢測出之混合處理液的濃度之實測值的相關性,其仍可判定是否於基板處理裝置發生異常。於此情形下,可使混合處理液的濃度之理論值、與混合處理液的濃度之統計值間的相關性變強。藉此,其可更確實地檢測基板處理裝置之異常。
(11)第一動作零部件包含:第一卡盤銷,其在保持基板之第一關閉狀態與未保持基板之第一開啟狀態之間遷移;第二動作零部件包含:第二卡盤銷,其在保持基板之第二關閉狀態與未保持基板之第二開啟狀態之間遷移;第一動作值係第一卡盤銷在第一關閉狀態與第一開啟狀態之間的遷移時間,第二動作值係第二卡盤銷在第二關閉狀態與第二開啟狀態之間的遷移時間;如此亦可。
於此情形下,根據第一卡盤銷的遷移時間與第二卡盤銷的遷移時間之相關性,其可早期檢測出基板處理裝置之異常。
(12)第一動作零部件包含:卡盤銷,其在保持基板之第一關閉狀態與未保持基板之第一開啟狀態之間遷移;第二動作零部件包含:卡盤驅動部,其在使卡盤銷遷移至第一關閉狀態的第二關閉狀態、與使卡盤銷遷移至第一開啟狀態的第二開啟狀態之間遷移;第一動作值係卡盤銷在第一關閉狀態與第一開啟狀態之間的遷移時間;第二動作值係卡盤驅動部在第二關閉狀態與第二開啟狀態之間的遷移時間;如此亦可。
於此情況下,根據卡盤銷的遷移時間與卡盤驅動部的遷移時間之相關性,其可早期檢測出基板處理裝置之異常。
(13)第一動作零部件包含:第一處理器具,其在不處理基板之第一待機位置與處理基板之第一處理位置之間遷移;第二動作零部件包含:第二處理器具,其在不處理基板之第二待機位置與處理基板之第二處理位置之間遷移;第一動作值係第一處理器具在第一待機位置與第一處理位置之間的遷移時間;第二動作值係第二處理器具在第二待機位置與第二處理位置之間的遷移時間;如此亦可。
於此情況下,根據第一處理器具的遷移時間與第二處理器具的遷移時間之相關性,其可早期檢測出基板處理裝置之異常。
(14)基板處理裝置進而具備有:動作值選擇部,其選擇由動作值取得部所取得之第二動作值中滿足既定基準的第二動作值,並選擇由動作值取得部所取得之第一動作值中與所選擇之第二動作值相對應的第一動作值;異常判定部根據由動作值選擇部所選擇之第一動作值之時間序列的變化,而判定是否發生異常;如此亦可。
於此情形下,根據所取得之第一動作值中滿足既定基準的第一動作值之時間序列的變化,而判定是否發生異常。藉此,其可正確地檢測出基板處理裝置之異常。
(15)第一動作零部件包含:轉矩感測器,其對旋轉驅動部之轉矩進行檢測;第二動作零部件包含:溫度感測器,其對旋轉驅動部之溫度進行檢測;第一動作值係由轉矩感測器所檢測出之旋轉驅動部的轉矩;第二動作值係由溫度感測器所檢測出之旋轉驅動部的溫度;如此亦可。
於此情形下,根據由溫度感測器所檢測出之旋轉驅動部的溫度,而可容易地選擇由轉矩感測器所檢測出之旋轉驅動部的轉矩中滿足既定基準的轉矩。藉此,其可容易地檢測出基板處理裝置之異常。
(16)第一動作值係由轉矩感測器所檢測出之旋轉驅動部的轉矩中,旋轉驅動部以既定之固定旋轉速度進行旋轉時之轉矩;第二動作值係由溫度感測器所檢測出之旋轉驅動部的溫度中,旋轉驅動部以固定旋轉速度進行旋轉時之溫度,如此亦可。於此情況下,其可更正確地檢測出基板處理裝置之異常。
(17) 依照本發明另一態樣的異常檢測方法,其係對基板處理裝置的異常進行檢測者,該基板處理裝置包含使用處理液之基板的處理中所使用之第一動作零部件及第二動作零部件;其包含有:取得彼此相關聯之第一動作零部件之第一動作值與第二動作零部件之第二動作值的步驟;以及根據所取得之第一動作值及第二動作值而判定是否發生異常的步驟。
根據該異常檢測方法,於使用處理液之基板的處理中,根據第一動作零部件之第一動作值與第二動作零部件之第二動作值的相關性而判定是否發生異常。因此,其可於基板處理裝置之故障前早期檢測出基板處理裝置之異常。
(18) 進而依照本發明另一態樣由處理裝置所執行之異常檢測程式,其係對基板處理裝置的異常進行檢測者,該基板處理裝置包含利用處理液對基板作處理中所使用之第一動作零部件及第二動作零部件;處理裝置執行:取得彼此相關聯之第一動作零部件之第一動作值與第二動作零部件之第二動作值的處理;以及根據所取得之第一動作值及第二動作值而判定是否發生異常的處理。
根據該異常檢測程式,於使用處理液之基板的處理中,根據第一動作零部件之第一動作值與第二動作零部件之第二動作值的相關性而判定是否發生異常。因此,其可於基板處理裝置之故障前早期檢測出基板處理裝置之異常。
<1>基板處理裝置之構成
以下,對於本發明之實施形態的基板處理裝置、異常檢測方法及異常檢測程式,使用圖式進行說明。於以下說明中,基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence,電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等。
圖1係表示本發明一實施形態的基板處理裝置之概略構成的方塊圖。如圖1所示,基板處理裝置1具備有基板處理部100及控制部200。基板處理部100包含有使用處理液而對基板進行各種處理之一個或複數個處理單元110。
具體而言,各處理單元110可為對基板供給洗淨液之洗淨單元,亦可為對基板供給塗佈液之塗佈單元,亦可為對基板供給顯影液之顯影單元。於各處理單元110,設有保持基板並使其旋轉之旋轉保持部、或對基板供給處理液之處理液供給部等。
又,當處理單元110為對基板供給蝕刻液之蝕刻單元時,其有在基板處理部100設置藥液生成部300的情形。藥液生成部300係生成使藥液的原液加以稀釋之稀釋藥液,並將其作為蝕刻液,供給至各基板處理部100。
控制部200由CPU(中央運算處理裝置)及記憶體、或微電腦等所構成。控制部200之CPU對基板處理部100或藥液生成部300中各種動作零部件的動作進行控制。於控制部200之記憶體,記憶有用以對基板處理裝置1之動作零部件的異常進行檢測之異常檢測程式。
又,控制部200之CPU於基板處理之執行中,自基板處理部100或藥液生成部300中各種動作零部件收集既定之資訊,並根據所收集之資訊的處理結果,對基板處理裝置1之異常進行檢測。以下,對與基板處理部100或藥液生成部300之各種動作零部件相關聯的基板處理裝置1之異常檢測例進行說明。
<2>第一實施形態
(1) 處理液供給部
第一實施形態中,對各處理單元110其作為基板處理部100之動作零部件所含之處理液供給部的異常進行檢測。圖2係表示第一實施形態中處理液供給部之構成圖。如圖2所示,複數個處理液供給部400連接至處理液進行循環之循環配管401。又,於循環配管401,插設有對處理液之壓力進行檢測的壓力計402。
處理液供給部400包含有上表面供給部410及下表面供給部420。上表面供給部410包含有配管411、流量計412、開閉閥413、調整閥414及噴嘴415。配管411連接至循環配管401。藉此,來自循環配管401的處理液於配管411流動。於配管411,自上游朝向下游依序插設有流量計412、開閉閥413、調整閥414及噴嘴415。
流量計412對在配管411流動之處理液的流量進行檢測,而將檢測結果提供給控制部200。開閉閥413對配管411之流路進行開閉。調整閥414例如包含馬達針形閥(motor needle valve),其根據控制部200之脈衝控制而對在配管411流動之處理液的流量進行調整。噴嘴415配置在基板W的上方,而對基板W的上表面供給處理液。
下表面供給部420包含有配管421、流量計422、開閉閥423、調整閥424及噴嘴425。配管421之上游端部在較流量計412更靠上游處連接至配管411。藉此,來自循環配管401之處理液於配管421流動。於配管421,自上游朝向下游依序插設有流量計422、開閉閥423、調整閥424及噴嘴425。
流量計422對在配管421流動之處理液的流量進行檢測,而將檢測結果提供給控制部200。開閉閥423對配管421之流路進行開閉。調整閥424例如包含馬達針形閥,其根據控制部200之脈衝控制而對在配管421流動之處理液的流量進行調整。噴嘴425被配置在基板W的下方,而對基板W的下表面供給處理液。
於本例中,藉由噴嘴415、425對處理對象之基板W的上表面及下表面以大致相同之頻率供給相同程度之流量的處理液。藉此,基板W的上表面及下表面被進行處理。處理對象之基板W亦可在藉由如後述圖19的旋轉保持部700而被保持及旋轉之狀態下進行處理。
(2) 控制部
圖3係表示控制部200之構成的功能方塊圖。如圖3所示,控制部200係作為功能部,其包含有動作值取得部210、異常判定部220及通知部230。控制部200之CPU執行被記憶在記憶體之異常檢測程式,藉此實現控制部200之功能部。控制部200之功能部一部分或全部係由電子電路等硬體而實現亦可。
動作值取得部210根據自流量計412提供之檢測結果,藉由將既定數之脈衝提供給調整閥414,以將在上表面供給部410之流路所流動之處理液的流量調整至既定值之方式,進行調整閥414之脈衝控制。藉此,動作值取得部210取得被提供給調整閥414之脈衝值而作為第一動作值。
同樣地,動作值取得部210根據自流量計422提供之檢測結果,藉由將既定數之脈衝提供給調整閥424,其以將在下表面供給部420之流路所流動之處理液的流量調整至既定值之方式,進行調整閥424之脈衝控制。藉此,動作值取得部210取得被提供至調整閥424之脈衝值而作為第二動作值。
再者,於處理液之供給剛開始後及供給剛結束後,其存在有處理液之流量未立即穩定之情形。因此,於處理液之供給剛開始後及供給剛結束後,不立即取得脈衝值亦可。於此情形下,則在處理液流量穩定之供給開始後的既定時間點至供給結束前的既定時間點之期間,取得脈衝值而作為第一動作值及第二動作值。
異常判定部220於每次進行調整閥414、424之脈衝控制時,將藉由給予調整閥414之脈衝值、給予調整閥424之脈衝值的組合所決定之資料點,標繪出來。圖4係表示相關性圖形的圖。如圖4所示,相關性圖形係將第一動作值及第二動作值作為各軸之二維圖形。具體而言,圖4之相關性圖形的橫軸係表示給予調整閥414之脈衝值,縱軸係表示給予調整閥424之脈衝值。
在相關性圖形中,根據給予調整閥414之脈衝值與給予調整閥424之脈衝值的相關性而預先決定容許範圍R。在本例中,容許範圍R係具有橢圓形狀,其係以如下之方式決定:藉由在基板的處理前預先取得之給予調整閥414之脈衝值與給予調整閥424之脈衝值的組合而決定之資料點中,所含有之既定比例(例如95%)的資料點。容許範圍R亦可將由資料點之分佈所獲得之回歸曲線作為基準而決定。容許範圍R較佳為,根據處理液供給部400裝設時等而在處理液供給部400經年劣化之前所取得的資料點而決定。
異常判定部220係在既定時機,根據所標繪之資料點中超過容許範圍R之資料點的比例,而判定是否發生異常。異常之判定可於每處理既定數量之基板W時進行,亦可於每經過既定時間時進行。於此情形下,其可容易地早期檢測出基板處理裝置1之異常。
在本例中,所標繪之資料點中,超過容許範圍R之資料點的比例超過既定臨限值時,則判定為發生異常。於此情形下,推測為在與調整閥414或調整閥424相關聯之動作零部件發生異常。與調整閥414或調整閥424相關聯之動作零部件包含有針、隔膜、軸承或馬達線圈等。
作為異常判定之另一例,其亦可為,在異常判定之時機,以包含所標繪之資料點的既定比例之方式更新容許範圍,根據更新後之容許範圍相對於預先決定之容許範圍R的變化率,以判定發生異常。容許範圍之變化率包含有容許範圍之長直徑的變化率、容許範圍之短直徑的變化率或容許範圍之面積的變化率。
通知部230當由異常判定部220判定為發生異常時,將該意旨通知給使用者。作為由通知部230所進行之通知例,當基板處理裝置1包含有顯示裝置時,顯示出表示異常發生之文字列;如此亦可。當基板處理裝置1包含有聲音輸出裝置時,可輸出表示相同內容之聲音,亦可輸出蜂鳴器等之警告聲。當基板處理裝置1包含有燈具等顯示燈時,亦可以與警告內容相對應之態樣使顯示燈點亮、熄滅或閃爍。
(3) 異常檢測處理
圖5係表示由圖3之控制部200所進行之異常檢測處理的流程圖。圖5之異常檢測處理藉由控制部200之CPU執行被記憶在記憶體之異常檢測程式而進行。異常檢測處理係與基板處理並行執行。以下,使用圖3之控制部200,並且使用圖5之流程圖而對異常檢測處理進行說明。
首先,動作值取得部210取得給予調整閥414之脈衝值(步驟S1)。又,動作值取得部210取得給予調整閥424之脈衝值(步驟S2)。步驟S1於基板W之上表面處理時被執行,步驟S2於基板W之下表面處理時被執行。步驟S1、S2之執行順序由基板處理之配方所決定。因此,步驟S1、S2任一者可先執行,亦可同時執行。
其次,異常判定部220將在步驟S1、S2取得之脈衝值的組合所決定之資料點,標繪成相關性圖形(步驟S3)。接著,異常判定部220判定當前時間點是否為異常之判定時機(步驟S4)。其亦可為,於每處理既定數量之基板W時,判定當前時間點為異常之判定時機。於每經過既定時間時,判定當前時間點為異常之判定時機,如此亦可。於當前時間點並非異常之判定時機時,異常判定部220返回步驟S1。直至當前時間點成為異常之判定時機為止,重複進行步驟S1~S4。
於當前時間點為異常之判定時機時,異常判定部220對被標繪成相關性圖形之資料點中,超過容許範圍R之資料點的比例進行評估(步驟S5)。其後,異常判定部220判定在步驟S5中所評估之比例是否超過既定之臨限值(步驟S6)。當比例為臨限值以下時,則異常判定部220判定為未發生異常,而返回步驟S1。當比例超過臨限值時,則異常判定部220判定為發生異常。此時,通知部230通知該意旨(步驟S7),而返回步驟S1。
再者,於步驟S4中,在基板處理裝置1對處理對象之全部基板W的處理結束時,判定當前時間點為異常之判定時機,如此亦可。該構成中,當步驟S6中比例為臨限值以下時,則結束異常檢測處理。或是,在步驟S7中執行通知後,則結束異常檢測處理。
(4) 效果
於本實施形態之基板處理裝置1中,藉由動作值取得部210取得給予調整閥414、424之脈衝值,並分別作為第一動作值及第二動作值。根據由動作值取得部210所取得之給予調整閥414之脈衝值與給予調整閥424之脈衝值的相關性,而由異常判定部220判定是否發生異常。此時,根據給予調整閥414之脈衝值與給予調整閥424之脈衝值的相關性,其可早期檢測出基板處理裝置1之異常。
發生異常與否,係根據如下的比例進行判定:由利用動作值取得部210所取得之給予調整閥414之脈衝值與給予調整閥424之脈衝值的組合而決定之資料點中,超過容許範圍R之資料點的比例。此時,可利用簡單之處理而對基板處理裝置1之異常進行檢測。
又,容許範圍R係以如下之方式決定:藉由在基板的處理前利用動作值取得部210所預先取得之給予調整閥414之脈衝值與給予調整閥424之脈衝值的組合而決定之資料點中,所含有之既定比例的資料點。因此,其可容易地決定用於判定異常之容許範圍R。
(5) 變形例
本實施形態中,取得給予調整閥414之脈衝值作為第一動作值,取得給予調整閥424之脈衝值作為第二動作值,但本實施形態並不受限定於此。由壓力計402所檢測出於循環配管401中流動之處理液的壓力,係被提供給動作值取得部210。於此,取得給予調整閥414之脈衝值作為第一動作值,而取得於循環配管401中流動之處理液的壓力作為第二動作值,如此亦可。
圖6係表示相關性圖形的圖。圖6之相關性圖形的橫軸係表示給予調整閥414之脈衝值,縱軸係表示處理液之壓力。如圖6所示,於每次進行調整閥414之脈衝控制時,將藉由給予調整閥414之脈衝值、處理液之壓力的組合而決定之資料點,標繪成相關性圖形。根據所標繪之資料點中,超過容許範圍R之資料點的比例,而判定是否發生異常。
於該構成中,當判定發生異常時,被推測係,在與調整閥414或循環配管401相關聯之動作零部件發生異常。再者,於變形例中,取得給予調整閥424之脈衝值作為第一動作值亦可。於該構成中,當判定為發生異常時,被推測係,在與調整閥424及循環配管401相關聯之動作零部件發生異常。
<3>第二實施形態
(1) 藥液生成部
第二實施形態中,對藥液生成部300之異常進行檢測。圖7係表示第二實施形態中藥液生成部300之構成圖。如圖7所示,藥液生成部300包含有原液供給部310、稀釋用液供給部320、混合配管330、氣體供給部340、混合槽350及供給配管360。
原液供給部310包含有配管311、開閉閥312、流量計313及調整閥314。配管311之上游端部係連接於供給藥液之原液的原液供給源301。藉此,來自原液供給源301之原液在配管311中流動。在本例中,原液為氫氟酸。
於配管311,自上游朝向下游依序插設有開閉閥312、流量計313及調整閥314。開閉閥312對配管311之流路進行開閉。流量計313對在配管311中流動之原液的流量進行檢測,並將檢測結果提供給控制部200。調整閥314包含有例如馬達針形閥,其根據控制部200之脈衝控制而對在配管311中流動之原液的流量進行調整。
稀釋用液供給部320包含有配管321、開閉閥322、流量計323及調整閥324。配管321之上游端部係被連接於供給稀釋用液之稀釋用液供給源302。藉此,來自稀釋用液供給源302之稀釋用液在配管321中流動。在本例中,稀釋用液為DIW(De-ionized water,去離子水)。
於配管321,自上游朝向下游依序被插設有開閉閥322、流量計323及調整閥324。開閉閥322對配管321之流路進行開閉。流量計323對在配管321流動之稀釋用液的流量進行檢測,並將檢測結果提供給控制部200。調整閥324包含有例如電動調壓調節器,其根據控制部200之脈衝控制而對在配管321流動之稀釋用液的流量進行調整。
混合配管330具有一條主管331及兩條支管332、333。主管331之上游端部係被連接於原液供給部310之配管311的下游端部及稀釋用液供給部320之配管321的下游端部。支管332係被連接於主管331之下游端部與混合槽350之間。支管333係被連接於主管331之下游端部與廢液槽303之間。於支管332、333,分別被插設有開閉閥334、335。
於主管331,藉由將自原液供給部310所供給之原液與自稀釋用液供給部320所供給之稀釋用液混合而生成稀釋藥液。在本例中,稀釋藥液為稀釋氫氟酸。於主管331中生成之稀釋藥液係通過支管332而被供給至混合槽350。
氣體供給部340包含有配管341及開閉閥342。配管341之上游端部係被連接於供給氣體之氣體供給源304。藉此,來自氣體供給源304之氣體於配管341中流動。在本例中,氣體為氮等惰性氣體。配管341之下游端部係被連接於混合槽350。開閉閥342被插設於配管341,而對配管341之流路進行開閉。
混合槽350貯存有原液與稀釋用液之混合液,作為稀釋藥液。於混合槽350,設有四個液面感測器351、352、353、354。液面感測器351~354分別對貯存在混合槽350之稀釋藥液的第一液面~第四液面進行檢測,並將檢測結果提供給控制部200。
再者,第一液面、第二液面、第三液面及第四液面係位於依序自下而上的面。具體而言,第一液面係較混合槽350之底面稍微靠上方的面。相較於第一液面,第二液面係在僅既定高度上方的面。相較於第四液面,第三液面係在僅既定高度下方的面。第四液面係較混合槽350之上表面稍微靠下方的面。
供給配管360具有一條主管361及兩條支管362、363。主管361之上游端部係連接於混合槽350。支管362係用於稀釋藥液之循環的循環配管,被連接於主管361之下游端部與混合槽350之間。支管363係用於基板W的處理用之處理配管,被連接於主管361之下游端部與基板處理部100之間。
於主管361,插設有濃度計364及加熱器365。於支管362,插設有泵366、過濾器367及開閉閥368。於支管363,插設有開閉閥369。濃度計364對在主管361流動之稀釋藥液的濃度進行計測,並將計測結果提供給控制部200。
驅動泵366同時將開閉閥368開放,藉此,來自混合槽350之稀釋藥液在加熱器365被加熱後,通過過濾器367而循環至混合槽350。在本例中,貯存在混合槽350之稀釋藥液係通過支管362而持續進行循環。
又,藉由將開閉閥342與開閉閥369開放,貯存在混合槽350之稀釋藥液藉由氣體而被加壓。藉此,貯存在混合槽350之稀釋藥液通過主管361而被導引至下游,當被加熱器365加熱後,通過支管363而被供給至基板處理部100。
如圖7以一點鏈線所示,藥液生成部300進而可含有與圖2之循環配管401同樣之循環配管370。此時,基板處理部100與混合槽350之間由循環配管370所連接。於基板處理部100中,自混合槽350供給之稀釋藥液的一部分被使用在洗淨等基板處理。所使用之稀釋藥液的容量由基板處理之配方所決定。被供給至基板處理部100之稀釋藥液的另外一部分未使用於基板處理,而通過循環配管370返回至混合槽350。
(2) 控制部
本實施形態中控制部200的構成,基本上與第一實施形態中圖3之控制部200的構成相同,因此,以下使用圖3對控制部200之動作簡單地進行說明。對於後述之第三~第七實施形態中之控制部200其亦相同。
於基板處理部100中,由於使用自藥液生成部300所供給之稀釋藥液,貯存在混合槽350之稀釋藥液的液面降低。於此,當由液面感測器352檢測到第二液面時,則開始稀釋藥液之補充。
具體而言,圖3之動作值取得部210將開閉閥312、322開放。又,動作值取得部210進行調整閥314之脈衝控制,以使自原液供給部310供給固定流量之原液。同樣地,動作值取得部210進行調整閥324之脈衝控制,以使自稀釋用液供給部320供給固定流量之稀釋用液。藉此,自原液供給部310及稀釋用液供給部320分別供給有固定流量之原液及稀釋用液。
被供給之原液及稀釋用液於混合配管330之主管331中被混合,藉此,生成稀釋藥液。動作值取得部210根據由流量計313、323所分別檢測出之原液的流量與稀釋用液的流量之比,而計算所生成之稀釋藥液的濃度之理論值,取得計算出之濃度的理論值而作為第一動作值。
所生成之稀釋藥液通過支管332被貯存在混合槽350,藉此,使貯存在混合槽350之稀釋藥液的液面上升。動作值取得部210於由液面感測器353檢測到第三液面時,將開閉閥312、322關閉。藉此,停止稀釋藥液之補充。動作值取得部210取得由濃度計364所檢測出之補充後稀釋藥液的濃度之實測值,作為第二動作值。
再者,於稀釋藥液之生成剛開始後及生成剛結束後,稀釋用液或原液之流量未立即穩定,因此,其存在有所生成之稀釋藥液的濃度變得不穩定之情形。於此,在稀釋藥液之生成剛開始後,將開閉閥335僅開放既定時間,並且將開閉閥334關閉,藉此將濃度不穩定之稀釋藥液廢棄至廢液槽303。又,於稀釋藥液之生成剛結束後,亦將開閉閥335開放既定時間,並且將開閉閥334關閉,藉此將濃度不穩定之稀釋藥液廢棄至廢液槽303。藉此,濃度已穩定之稀釋藥液被貯存在混合槽350。
圖8係表示相關性圖形的圖。圖8之相關性圖形的橫軸係表示濃度之理論值,縱軸係表示濃度之實測值。如圖8所示,異常判定部220於每次補充稀釋藥液時,將由所補充之稀釋藥液的濃度之理論值與實測值之組合而決定之資料點,標繪成相關性圖形。又,異常判定部220根據所標繪之資料點中超過容許範圍R之資料點的比例,而判定是否發生異常。當判定為發生異常時,被推測為,在與調整閥314、324或濃度計364相關聯之動作零部件發生異常。
通知部230在由異常判定部220判定為發生異常時,將該意旨通知給使用者。再者,本實施形態中,當由液面感測器351檢測到第一液面時,或由液面感測器354檢測到第四液面時,則停止藥液生成部300之控制。此時,通知部230亦將藥液生成部300之控制已停止的情形通知給使用者,如此亦可。
本例之異常檢測處理係除了在步驟S1、S2分別取得稀釋藥液的濃度之理論值及實測值以外,其餘與圖5之異常檢測處理相同。步驟S1例如在補充稀釋藥液的期間執行。步驟S2例如在停止稀釋藥液的補充後執行。
(3) 效果
本實施形態之基板處理裝置1中,藉由動作值取得部210,取得稀釋藥液的濃度之理論值,作為第一動作值,該理論值係藉由利用流量計313、323所分別檢測出之原液的流量與稀釋用液的流量之比而計算出。又,藉由動作值取得部210,取得由濃度計364所檢測出之稀釋藥液的濃度之實測值,作為第二動作值。
藉由異常判定部220,根據由動作值取得部210所取得之稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之實測值的相關性,判定是否發生異常。此時,根據稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之實測值的相關性,其可早期檢測出基板處理裝置1之異常。
本實施形態中,亦可為,異常判定部220根據第一動作值與第二動作值之差值,藉由霍特林(Hotelling)方法或累積和等而判定是否發生異常。於以下之第三~第五實施形態中亦相同。
<4>第三實施形態
(1) 動作值
第二實施形態中,根據由流量計313所檢測出之原液的流量之瞬間值、及由流量計323所檢測出之稀釋用液的流量之瞬間值之比,計算出稀釋藥液的濃度之理論值,而作為第一動作值。又,藉由濃度計364檢測出稀釋藥液的濃度之瞬間值,作為第二動作值。然而,本實施形態並不受限定於此。以下,對於第三實施形態中之動作值,一面適當參照圖7之藥液生成部300,一面對與第二實施形態中之動作值的不同點進行說明。
圖9係用以說明第三實施形態中動作值的圖。圖9表示,藉由流量計313、流量計323及濃度計364分別檢測出之原液的流量、稀釋用液的流量及稀釋藥液的濃度之時間序列。如圖9所示,在從開閉閥312、322被開放起經過既定時間後之時間點T1,原液與稀釋用液在混合配管330內混合,藉此,開始稀釋藥液之生成。
如上所述,於稀釋藥液之生成剛開始後,原液及稀釋用液之流量未立即穩定。因此,從時間點T1至經過既定時間後之時間點T2為止之期間,開閉閥335開放,而開閉閥334關閉。因此,所生成之稀釋藥液被廢棄至廢液槽303。在時間點T2,開閉閥335關閉,開閉閥334開放,藉此,開始稀釋藥液對混合槽350之供給。
在從時間點T2起經過既定時間ΔT1之時間點T4,開閉閥335開放,開閉閥334關閉。藉此,稀釋藥液對混合槽350之供給結束。圖3控制部200的動作值取得部210在從時間點T2起至時間點T4為止之期間,根據由流量計313所檢測出之原液流量的累積值、及由流量計323所檢測出之稀釋用液流量的累積值,計算出生成之稀釋藥液的濃度之理論值。又,動作值取得部210取得計算出之稀釋藥液的濃度之理論值,作為第一動作值。
在從時間點T2起經過較時間ΔT1更小之時間ΔT2的時間點T3,對混合槽350開始供給之時間點T2的稀釋藥液到達濃度計364。在自時間點T3起經過時間ΔT1的時間點T5,即在自時間點T4起經過時間ΔT2的時間點T5,結束對混合槽350供給之時間點T4的稀釋藥液則到達濃度計364。動作值取得部210於時間點T3至時間點T5之期間,計算出由濃度計364所檢測出之稀釋藥液的濃度之統計值。又,動作值取得部210取得計算出之稀釋藥液的濃度之統計值,作為第二動作值。
本實施形態中,上述之統計值為平均值,具體而言,其為將在時間點T3至時間點T5之期間的各時間點所檢測出之濃度的總和除以檢測次數的值。統計值亦可為附加權重之平均值等其他運算值。又,時間ΔT2可由測定來決定,亦可藉由根據流路的長度、流路的截面積及稀釋藥液的流量之運算來決定。
本實施形態中之異常檢測處理除了在步驟S1、S2分別取得稀釋藥液的濃度之理論值及統計值以外,其餘與圖5之異常檢測處理相同。步驟S1、S2例如在補充稀釋藥液的期間被執行。步驟S1雖可在較步驟S2僅更早時間ΔT2的時間點來執行,但亦可為在步驟S1結束前即開始步驟S2。
(2) 效果
本實施形態中,根據稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之統計值的相關性,其藉由控制部200之異常判定部220而判定是否發生異常。此處,本實施形態取得之稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之統計值間的相關性,較第二實施形態取得之稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之實測值間的相關性更強。因此,其可更確實地檢測出基板處理裝置1之異常。
<5> 第四實施形態
(1) 動作值
對於第四實施形態中之動作值,一面適當地參照圖7之藥液生成部300,一面對與第二實施形態中之動作值的不同點進行說明。本實施形態中,預先建構用以預測稀釋藥液之濃度的濃度預測模型。所建構之濃度預測模型被記憶在圖1之控制部200的記憶體等。
在濃度預測模型之建構時,於藥液生成部300之各部件進行與基板處理時相同之控制。其較佳為,濃度預測模型係於藥液生成部300之裝設時等、即在藥液生成部300經年劣化之前建構。圖10係用以說明濃度預測模型之建構程序之一例的圖。於圖10中,其表示出原液的流量、稀釋用液的流量、在基板處理部100中稀釋藥液往基板W的吐出量、及稀釋藥液的濃度之時間序列。
如圖10所示,當在濃度預測模型之建構時,依序檢測複數個時間點之原液的流量、稀釋用液的流量、稀釋藥液的吐出量及稀釋藥液的濃度。再者,原液的流量、稀釋用液的流量及稀釋藥液的濃度分別由流量計313、流量計323及濃度計364進行檢測。稀釋藥液的吐出量可由未圖示之流量計進行檢測,亦可藉由根據流路的容量及吐出時間等之運算而進行檢測。
在各時間點與自該時間點起往前既定時間ΔT11的時間點之間所檢測出之原液的流量、稀釋用液的流量、稀釋藥液的吐出量及稀釋藥液的濃度所構成的資料組,作為與各時間點相對應之說明變數而被取得。又,自各時間點起往後既定時間ΔT12之稀釋藥液的濃度,被作為與各時間點相對應之目的變數而被取得。根據所取得之與各時間點相對應之說明變數及目的變數,其生成訓練資料,該訓練資料表示與該時間點相對應之說明變數與目的變數的關係。
在圖10之例中,於時間點T11、與自時間點T11起經過時間ΔT11後之時間點T12之間,所檢測出的資料組成為與時間點T12相對應之說明變數。又,於自時間點T12起經過時間ΔT12後之時間點T13,所檢測出之稀釋藥液的濃度成為與時間點T12相對應之目的變數。又對較時間點T12更往後之時間點,藉由依序取得說明變數及目的變數,可生成複數個訓練資料。
預先準備Light GBM(Gradient Boosting Machine,梯度提升機),作為機器學習模型。藉由Light GBM對所生成之複數個訓練資料進行學習,而建構濃度預測模型。在本實施形態中,機器學習模型雖為Light GBM,但實施形態並不受限於此。機器學習模型亦可為線性回歸、Lasso(least absolute shrinkage and selection operator,最小絕對值收斂和選擇算子)回歸或LSTM(Long Short Term Memory,長短期記憶)等。
於基板處理時,由流量計313、323或濃度計364等對複數個時間點之原液的流量、稀釋用液的流量、稀釋藥液的吐出量及稀釋藥液的濃度進行檢測。圖3之控制部200的動作值取得部210取得在各時間點與自該時間點起往前時間ΔT11的時間點之間檢測出之原液的流量、稀釋用液的流量、稀釋藥液的吐出量及稀釋藥液的濃度,並作為與各時間點相對應之資料組。
此處,動作值取得部210根據所取得之與各時間點相對應的資料組、及預先建構的濃度預測模型,預測自各時間點起往後時間ΔT12之稀釋藥液的濃度。動作值取得部210取得稀釋藥液之濃度的預測值,作為第一動作值。又,動作值取得部210取得自各時間點起往後時間ΔT12時所檢測出之稀釋藥液的濃度之實測值,作為第二動作值。於此情形下,被製作出相關性圖形,其橫軸表示濃度的預測值,縱軸表示濃度的實測值。
本例之異常檢測處理係除了在步驟S1、S2分別取得稀釋藥液的濃度之預測值及實測值以外,其餘與圖5之異常檢測處理相同。步驟S1、S2係例如在補充稀釋藥液的期間被執行。
(2) 效果
本實施形態中,根據稀釋藥液之濃度的預測值與稀釋藥液之濃度的實測值之相關性,藉由異常判定部220判定是否發生異常。此處,於本實施形態所取得之稀釋藥液的濃度之預測值與稀釋藥液的濃度之實測值之間的相關性,較於第二實施形態所取得之稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之實測值間的相關性更強。因此,其可更確實地檢測出在較短期間內於基板處理裝置1發生之單發性的異常。
本實施形態中,訓練資料之說明變數雖包含有原液的流量、稀釋用液的流量、稀釋藥液的吐出量及稀釋藥液的濃度,但實施形態並不受限定於此。當稀釋藥液的吐出量對目的變數之貢獻較小時,則訓練資料之說明變數亦可不包含有稀釋藥液的吐出量。另一方面,訓練資料之說明變數亦可包含有原液的流量、稀釋用液的流量、稀釋藥液的吐出量及稀釋藥液的濃度以外之特徵量。於此情形下,其可更正確地預測稀釋藥液的濃度。
(3) 參考例
本實施形態中,原液及稀釋用液的流量分別藉由調整閥314、324而被控制為固定者。又,在流量未穩定之期間的稀釋用液及原液並未被供給至混合槽350,而是被廢棄至廢液槽303。於此構成中,原液及稀釋用液的流量對目的變數之貢獻較小,因此,訓練資料之說明變數亦可不包含有原液或稀釋用液的流量。即便如此,其仍可取得與稀釋藥液的濃度之實測值具有強相關性之稀釋藥液的濃度之預測值。
<6>第五實施形態
(1) 動作值
對於第五實施形態中之動作值,一面適當地參照圖7及後述之圖11的藥液生成部300,一面對與第三實施形態中之動作值的不同點進行說明。
圖11係圖7之藥液生成部300的局部放大圖。如圖11所示,於稀釋藥液之補充時的時間點t,容量W
1 (t)之稀釋藥液係於單位時間通過混合配管330而流入至混合槽350。在本例中,單位時間係流量計313、323所進行之流量檢測的周期τ1。因此,容量W
1 (t)係於時間點t與周期τ1前之時間點之間流入至混合槽350之稀釋藥液的容量,其根據由流量計313、323所分別檢測出之原液及稀釋用液的流量而被計算出。流入之稀釋用液的濃度C
0 (t)係根據原液及稀釋用液的流量以及原液的比重而被計算出。
又,容量W
2之稀釋藥液係於單位時間通過供給配管360而自混合槽350流出。容量W
2係不依存於時間之已知的固定值,其由泵366之動作參數所決定。
進而,於時間點t,容量W
3 (t)之稀釋藥液係於單位時間通過循環配管370而流入至混合槽350。此處,通過基板處理部100之稀釋藥液係於經過既定時間τ0後到達混合槽350。因此,容量W
3 (t)係藉由自容量W
2減去從時間點t起往前時間τ0之時間點(t-τ0)時在基板處理部100中所使用之稀釋藥液的容量而被計算出。時間τ0可由測定來決定,亦可藉由根據流路的長度、流路的截面積及稀釋藥液的流量之運算而決定。
藉由該等稀釋藥液之流入及流出,於混合槽350中,在時間點t貯存有容量W
(t)之稀釋藥液。時間點t之容量W
(t)的更新式及貯存在混合槽350之稀釋藥液的濃度C
(t)的更新式係由下述式(1)及式(2)而被計算出。
於式(2)中,τ2係通過供給配管360而自混合槽350流出之稀釋藥液通過循環配管370而流入至混合槽350為止的周期。周期τ2可由測定來決定,亦可藉由根據流路的長度、流路的截面積及稀釋藥液的流量之運算而決定。作為初始值之容量W
(t-τ1)及濃度C
(t-τ1)、C
(t-τ2)亦可依與實測值整合之方式來適當地決定。
圖3之控制部200的動作值取得部210根據式(2)而計算出在各時間點t貯存於混合槽350之稀釋藥液的濃度C
(t)。動作值取得部210取得計算出之稀釋藥液的濃度C
(t)的理論值,作為第一動作值。又,動作值取得部210取得於自各時間點t起經過圖9之時間ΔT2的時間點由濃度計364所檢測出之濃度(即濃度C
(t+ΔT2))的實測值,作為第二動作值。時間ΔT2係自混合槽350流出之稀釋藥液到達濃度計364為止之時間。於此情形下,被製作出相關性圖形,其橫軸表示濃度的理論值,縱軸表示濃度的實測值。
本例中之異常檢測處理係除了在步驟S1、S2分別取得稀釋藥液的濃度之預測值及實測值以外,其餘與圖5之異常檢測處理相同。步驟S1、S2可在補充稀釋藥液的期間執行。另一方面,步驟S1、S2亦可在未補充稀釋藥液的期間執行。於此情形下,在稀釋藥液之補充時以外的時間點,只要將W
1 (t)及濃度C
0 (t)設為0即可。
(2) 效果
本實施形態中,根據貯存在混合槽350之稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之實測值的相關性,藉由控制部200之異常判定部220而判定是否發生異常。於此,當被供給至基板處理部100之稀釋藥液的濃度變動時,因基板處理部100之未使用的稀釋藥液返回混合槽350,則使貯存於混合槽350之稀釋藥液的濃度變動。
即便於此情形下,根據本實施形態,依據對混合槽350流入或流出之稀釋藥液的容量、原液的流量及稀釋用液的流量,而被計算出貯存於混合槽350之稀釋藥液的濃度之理論值,因此,其可使稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之統計值間之相關性變強。藉此,其可更確實地檢測出基板處理裝置1之異常。
在根據式(2)所計算出之稀釋藥液的濃度之理論值與由濃度計364所檢測出之稀釋藥液的濃度之實測值之間,可能存在有固定的偏移量。因此,如將適當決定之偏差量加到流入至混合槽350之稀釋用液的濃度C
0 (t),以消除偏移量,如此亦可。於此情形下,即便於在稀釋藥液的濃度之計算剛開始後的期間,仍可使稀釋藥液的濃度之理論值與稀釋藥液的濃度之實測值間之相關性變強。
<7>第六實施形態
(1) 旋轉保持部
第六實施形態中,將各處理單元110所包含之旋轉保持部作為基板處理部100之動作零部件,而對其異常進行檢測。圖12係表示第六實施形態中旋轉保持部之構成的側視圖。如圖12所示,旋轉保持部500包含有旋轉卡盤510、複數根卡盤銷520及卡盤驅動部530。旋轉卡盤510被構成為,水平地保持基板W而使其旋轉,其包含有旋轉驅動部511、旋轉軸512、板支撐構件513及旋轉板514。
旋轉驅動部511設於圖1之處理單元110的上部,由未圖示之支撐構件所支撐。旋轉軸512被設置為,自旋轉驅動部511朝下方延伸。板支撐構件513被安裝於旋轉軸512之下端部。旋轉板514具有圓板狀,且藉由板支撐構件513而被水平支撐。藉由利用旋轉驅動部511使旋轉軸512旋轉,可使旋轉板514繞鉛直軸旋轉。
複數根卡盤銷520係對旋轉軸512以等角度間隔設於旋轉板514之周緣部。在本例中,八根卡盤銷520係對旋轉軸512以45度間隔設於旋轉板514之周緣部。各卡盤銷520包含有軸部521、銷支撐部522及保持部523。軸部521被設置為,於垂直方向上貫通旋轉板514。銷支撐部522被設置為,自軸部521之下端部於水平方向延伸。保持部523被設置為,自銷支撐部522之前端部朝下方突出。
各卡盤銷520係以軸部521為中心繞鉛直軸旋轉,藉此,在關閉狀態與開啟狀態間切換。於關閉狀態下,各保持部523抵接於基板W的外周端部(晶邊部)。於開啟狀態下,各保持部523離開基板W的外周端部。
卡盤驅動部530包含有例如旋轉致動器、磁鐵、線性滑動件及凸輪,其在關閉狀態與開啟狀態間切換。圖13係表示旋轉保持部500之構成的功能方塊圖。如圖13所示,控制部200將用以使卡盤驅動部530成為關閉狀態之指示(以下,稱為關閉指示)提供給卡盤驅動部530。又,控制部200將用以使卡盤驅動部530成為開啟狀態之指示(以下,稱為開啟指示)提供給卡盤驅動部530。
當對卡盤驅動部530提供關閉指示時,則藉由對旋轉致動器供給空氣,而使卡盤驅動部530成為關閉狀態。此時,藉由使磁鐵旋轉而使線性滑動件進行直行前進移動。線性滑動件之直行前進移動係藉由凸輪而轉換為使各卡盤銷520旋轉之旋轉移動。藉此,各卡盤銷520成為關閉狀態。另一方面,當對卡盤驅動部530提供開啟指示時,則藉由停止往旋轉致動器之空氣供給,而使卡盤驅動部530成為開啟狀態。此時,各卡盤銷520成為開啟狀態。
又,旋轉保持部500包含有複數個霍爾(Hall)感測器524及霍爾感測器531。複數個霍爾感測器524分別相對應於複數根卡盤銷520。各霍爾感測器524根據設於對應之卡盤銷520之未圖示的磁鐵而對該卡盤銷520之狀態進行檢測,並將檢測結果提供給控制部200。霍爾感測器531根據卡盤驅動部530之磁鐵對卡盤驅動部530之狀態進行檢測,並將檢測結果提供給控制部200。
(2) 控制部
在以下之說明中,將八根卡盤銷520分別稱為第一~第八卡盤銷520。第一及第二卡盤銷520成對,第三及第四卡盤銷520成對。第五及第六卡盤銷520成對,第七及第八卡盤銷520成對。以下,對於第一及第二卡盤銷520之控制部200的動作進行說明,但第三~第八卡盤銷520之控制部200的動作亦相同。
圖3之動作值取得部210對卡盤驅動部530提供關閉指示或開啟指示。又,動作值取得部210根據從對應於第一卡盤銷520之霍爾感測器524所提供的檢測結果,取得第一卡盤銷520之遷移時間,而作為第一動作值。同樣地,動作值取得部210根據從對應於第二卡盤銷520之霍爾感測器524所提供的檢測結果,取得第二卡盤銷520之遷移時間,而作為第二動作值。
卡盤銷520之遷移時間係從對卡盤驅動部530提供關閉指示起至卡盤銷520成為關閉狀態為止之時間,或是,從對卡盤驅動部530提供開啟指示起至卡盤銷520成為開啟狀態為止之時間。
圖14係用以說明關閉指示時卡盤銷520之遷移時間圖。如圖14所示,在時間點t1,對卡盤驅動部530提供關閉指示。此時,卡盤驅動部530自開啟狀態切換為關閉狀態。藉此,各卡盤銷520自開啟狀態切換為關閉狀態,在時間點t2,藉由霍爾感測器524檢測出各卡盤銷520處於關閉狀態。對於各卡盤銷520,動作值取得部210取得從提供關閉指示之時間點t1至檢測出處於關閉狀態之時間點t2為止的遷移時間Δt1。
圖15係用以說明開啟指示時卡盤銷520之遷移時間圖。如圖15所示,在時間點t11,對卡盤驅動部530提供開啟指示。此時,卡盤驅動部530自關閉狀態切換為開啟狀態。藉此,各卡盤銷520自關閉狀態切換為開啟狀態,在時間點t12,藉由霍爾感測器524而檢測出各卡盤銷520處於開啟狀態。對於各卡盤銷520,動作值取得部210取得從提供開啟指示之時間點t11至檢測出處於開啟狀態之時間點t12為止的遷移時間Δt11。
每當對卡盤驅動部530提供關閉指示或開啟指示時,圖3之異常判定部220將藉由第一卡盤銷520之遷移時間與第二卡盤銷520之遷移時間的組合所決定之資料點,標繪成相關性圖形。資料點亦可以關閉指示與開啟指示而個別地進行標繪。於此情形下,容許範圍R係以關閉指示與開啟指示而個別地決定。
異常判定部220根據所標繪之資料點中超過容許範圍R之資料點的比例,判定是否發生異常。當判定為發生異常時,被推測為在與第一或第二卡盤銷520相關聯之動作零部件發生異常。與第一或第二卡盤銷520相關聯之動作零部件包含有卡盤驅動部530之旋轉致動器、磁鐵、線性滑動件或凸輪等。通知部230在由異常判定部220判定為發生異常時,將該意旨通知給使用者。
本例中之異常檢測處理係除了在步驟S1、S2分別取得第一及第二卡盤銷520之遷移時間以外,其餘與圖5之異常檢測處理相同。步驟S1、S2係回應於對卡盤驅動部530之關閉指示或開啟指示而大致同時地執行。其亦可為,步驟S1、S2僅回應於關閉指示及開啟指示中之一者而執行。
(3) 效果
於本實施形態之基板處理裝置1中,藉由動作值取得部210而取得第一及第二卡盤銷520之遷移時間,並分別作為第一及第二動作值。根據由動作值取得部210所取得之第一卡盤銷520的遷移時間與第二卡盤銷520的遷移時間之相關性,由異常判定部220判定是否發生異常。於此情形下,根據第一卡盤銷520之遷移時間與第二卡盤銷520之遷移時間的相關性,可早期檢測出基板處理裝置1之異常。
(4) 變形例
本實施形態中,取得第一卡盤銷520之遷移時間,而作為第一動作值,取得第二卡盤銷520之遷移時間,而作為第二動作值,但其他實施形態並不受限定於此。對於各卡盤銷520之遷移時間與卡盤驅動部530之遷移時間,可能有時間差發生。
圖16係用以說明卡盤銷520及卡盤驅動部530之遷移時間圖。如圖16所示,在時間點t1,對卡盤驅動部530提供關閉指示。於此情形下,與圖14同樣地,在時間點t2,藉由霍爾感測器524而檢測出各卡盤銷520處於關閉狀態。另一方面,藉由霍爾感測器531檢測出卡盤驅動部530處於關閉狀態之時間點為較時間點t2更往後之時間點t3。於開啟指示中,亦可能有相同之時間差發生。
於此,其亦可為,取得任一卡盤銷520之遷移時間Δt1,而作為第一動作值,取得卡盤驅動部530之遷移時間Δt2,而作為第二動作值。或是,其亦可為,取代遷移時間Δt2,而是取得時間點t2至時間點t3之時間,而作為第二動作值。於該構成中,當判定為發生異常時,被推測為在與任一卡盤銷520或卡盤驅動部530相關聯之動作零部件發生異常。
(5) 參考例
參考例中之異常檢測處理,亦可為,對各卡盤銷520或卡盤驅動部530之遷移時間的時間變化進行監視,於遷移時間超過既定之容許範圍時,則判定為發生異常。然而,於參考例中,即便為實際上未發生異常時,仍有因遷移時間超過既定之容許範圍而被判定為發生異常之情形。因此,於參考例中,難以正確地檢測出異常。
<8>第七實施形態
(1) 處理液供給部
第七實施形態中,將各處理單元110所含之處理液供給部作為基板處理部100之動作零部件,而對其異常進行檢測。圖17係表示處理液供給部之構成圖。如圖17所示,處理液供給部600包含有掃描驅動部610、620及洗淨器具630、640。
各掃描驅動部610、620包含有例如步進馬達及編碼器。掃描驅動部610根據控制部200所進行之脈衝控制,使洗淨器具630在位於基板W外側的待機位置、及位於基板W中心之下方的處理位置之間移動。又,掃描驅動部610藉由編碼器檢測出洗淨器具630已到達處理位置,並將表示定位已完成之定位完成信號提供給控制部200。
掃描驅動部620根據控制部200所進行之脈衝控制,使洗淨器具640在位於基板W外側的待機位置、及位於基板W中心之下方的處理位置之間移動。又,掃描驅動部620藉由編碼器而檢測出洗淨器具640已到達處理位置,並將表示定位已完成之定位完成信號提供給控制部200。
各洗淨器具630、640例如為噴嘴,於處理位置將處理液供給至基板W下表面之中心附近。藉此,進行基板W之處理。其亦可為,基板W例如在由圖12之旋轉保持部500保持之狀態下進行處理。再者,其亦可為,洗淨器具630並非噴嘴,而是洗淨基板W之刷子(包含研磨刷)。同樣地,其亦可為,洗淨器具640並非噴嘴,而是洗淨基板W之刷子(包含研磨刷)。
又,在本例中,掃描驅動部610、620及洗淨器具630、640設於同一處理單元110,但其他實施形態並不受限定於此。只要以大致相同之頻率進行使用洗淨器具630之基板處理與使用洗淨器具640之基板處理,則被設成,將掃描驅動部610及洗淨器具630、掃描驅動部620及洗淨器具640設於個別之處理單元110,如此亦可。
(2) 控制部
圖3之動作值取得部210於基板處理時,藉由對掃描驅動部610進行脈衝控制,使洗淨器具630自待機位置朝向處理位置移動。又,動作值取得部210根據從掃描驅動部610提供之定位完成信號,取得洗淨器具630之遷移時間,作為第一動作值。洗淨器具630之遷移時間係自開始掃描驅動部610之脈衝控制起至提供定位完成信號為止之時間。
圖18係用以說明洗淨器具630之遷移時間圖。圖18之橫軸表示時間,縱軸表示往掃描驅動部610之脈衝值。如圖18所示,在時間點t21,開始掃描驅動部610之脈衝控制。於此情形下,洗淨器具630自待機位置朝向處理位置移動。在時間點t22,提供定位完成信號。藉此,動作值取得部210結束脈衝控制。又,動作值取得部210取得從脈衝控制開始之時間點t21至提供定位完成信號之時間點t22為止的遷移時間Δt21。
同樣地,動作值取得部210於基板處理時,藉由對掃描驅動部620進行脈衝控制,而使洗淨器具640自待機位置朝向處理位置移動。又,動作值取得部210根據從掃描驅動部620提供之定位完成信號,而取得洗淨器具640之遷移時間,作為第二動作值。洗淨器具640之遷移時間係自開始掃描驅動部620之脈衝控制起至提供定位完成信號為止之時間。
再者,各洗淨器具630、640於基板處理結束後,自處理位置返回待機位置。又,在上述之例中,雖洗淨器具630、640自待機位置朝處理位置的遷移時間分別為第一動作值及第二動作值,但其他實施形態並不受限定於此。其亦可為,洗淨器具630、640自處理位置朝待機位置的遷移時間分別為第一動作值及第二動作值。
當每次掃描驅動部610、620被脈衝控制時,圖3之異常判定部220將由洗淨器具630之遷移時間與洗淨器具640之遷移時間的組合所決定之資料點,標繪成相關性圖形。又,異常判定部220根據所標繪之資料點中超過容許範圍R之資料點的比例,而判定是否發生異常。當判定為發生異常時,被推測為在與掃描驅動部610、620相關聯之動作零部件發生異常。通知部230在由異常判定部220判定為發生異常時,將該意旨通知給使用者。
本例中之異常檢測處理係除了在步驟S1、S2分別取得洗淨器具630、640之遷移時間以外,其餘與圖5之異常檢測處理相同。其亦可為,步驟S1、S2之任一者先執行。於掃描驅動部610及洗淨器具630、掃描驅動部620及洗淨器具640設於個別之處理單元110時,步驟S1、S2亦可大致同時地執行。
(3) 效果
於本實施形態之基板處理裝置1中,藉由動作值取得部210取得洗淨器具630、640之遷移時間,並分別作為第一動作值及第二動作值。根據由動作值取得部210所取得之洗淨器具630的遷移時間與洗淨器具640的遷移時間之相關性,由異常判定部220判定其是否發生異常。於此情形下,根據洗淨器具630之遷移時間與洗淨器具640之遷移時間的相關性,其可早期檢測出基板處理裝置1之異常。
(4) 參考例
作為參考例中之異常檢測處理,其亦可為,對洗淨器具630或洗淨器具640之遷移時間的時間變化進行監視,當遷移時間超過既定之容許範圍時,判定為發生異常。然而,於參考例中,即便為實際上未發生異常時,仍有因遷移時間超過既定之容許範圍而判定為發生異常之情形。因此,於參考例中,則難以正確地檢測出異常。
<9>第八實施形態
(1) 旋轉保持部
第八實施形態中,將各處理單元110所含之旋轉保持部作為基板處理部100之動作零部件,而對其異常進行檢測。圖19係表示第八實施形態中旋轉保持部之構成的側視圖。如圖19所示,旋轉保持部700包含有旋轉驅動部710、旋轉軸720及吸附部730。
旋轉驅動部710被設於圖1之處理單元110之底部。旋轉軸720被設置為,自旋轉驅動部710朝上方延伸。吸附部730被安裝於旋轉軸720之上端部,且藉由吸附基板W而水平地保持基板W。藉由利用旋轉驅動部710使旋轉軸720旋轉,可使吸附部730繞鉛直軸旋轉。
於旋轉驅動部710,設有轉矩感測器711及溫度感測器712。轉矩感測器711對旋轉驅動部710之轉矩進行檢測,而將檢測結果提供給控制部200。溫度感測器712對旋轉驅動部710之溫度進行檢測,而將檢測結果提供給控制部200。再者,本例中所檢測之轉矩係以相對於額定轉矩之百分比[%]表示。
(2) 控制部
圖20係表示控制部200之構成的功能方塊圖。如圖20所示,本實施形態中控制部200進而包含有動作值選擇部240。以下,對本實施形態中控制部200的動作,主要以與圖3之控制部200的差異進行說明。
圖21係表示基板處理中旋轉驅動部710的旋轉速度及轉矩之變化的圖。於圖21之上部表示,處理一片基板W時,旋轉驅動部710之旋轉速度的時間變化。旋轉驅動部710之旋轉速度的時間變化由基板處理之配方所決定。於圖21之下部,與旋轉驅動部710之旋轉速度相對應地表示,當處理一片基板W時,旋轉驅動部710之轉矩的時間變化。
如圖21之A部所示,於旋轉驅動部710之旋轉速度急遽地變化時,旋轉驅動部710之轉矩也變成極大。於此,動作值取得部210根據基板處理之配方,自轉矩感測器711取得圖21之B部中旋轉驅動部710以既定的固定旋轉速度進行旋轉時之轉矩,作為第一動作值。又,動作值取得部210自溫度感測器712取得旋轉驅動部710以上述的固定旋轉速度進行旋轉時之溫度,作為第二動作值。
再者,於基板處理中旋轉驅動部710的旋轉速度大致固定時,亦可取得由轉矩感測器711所檢測出之全部轉矩,作為第一動作值。同樣地,於基板處理中旋轉驅動部710的旋轉速度大致固定時,亦可取得由溫度感測器712所檢測出之全部溫度,作為第二動作值。
圖22係表示所取得之轉矩及溫度的圖。於圖22之上部表示所取得之轉矩的時間變化。於圖22之下部,與轉矩相對應地表示所取得之溫度的時間變化。於圖22中表示,所取得之溫度是否在既定之基準溫度以上。於溫度為基準溫度以上時表示為「高」,於溫度未滿基準溫度時則表示為「低」。
如圖22之上部所示,轉矩於旋轉驅動部710以固定旋轉速度進行旋轉時被取得,因此不會極端地大幅變動,而是在較為受限之範圍內變動。另一方面,本發明人於進行各種實驗及考察後,對於旋轉驅動部710之轉矩及溫度,獲得以下之見解。
如圖22之C部所示,於基板處理之剛開始後的時間點,轉矩較大。同樣地,如圖22之D部所示,即便於自前次轉矩之取得時間點經過較長期間後的時間點,轉矩仍較大。又,於基板處理之剛開始後的時間點,或於自前次轉矩之取得時間點經過較長期間後的時間點,旋轉驅動部710之溫度較低。即,轉矩與溫度係具有相關性關係,即便旋轉驅動部710之旋轉速度為固定,於旋轉驅動部710之溫度較低時,轉矩仍較大。
此處,動作值選擇部240選擇由動作值取得部210所取得之溫度中在基準溫度以上的溫度。又,動作值選擇部240選擇由動作值取得部210所取得之轉矩中與所選擇之溫度相對應的轉矩。異常判定部220根據由動作值選擇部240所選擇之轉矩的變化來判定是否發生異常。
圖23係用以說明異常判定方法之一例的圖。圖23之橫軸表示取得轉矩之日期,縱軸表示取得之轉矩。如圖23所示,在本例中,根據每日所取得之轉矩來製作箱線圖,所製作之箱線圖依時間序列順序進行配置。又,對表示既定之轉矩基準值(在圖23之例中為3%)的直線是否通過箱線圖之箱部進行判定。當表示轉矩基準值的直線未通過箱線圖之箱形部分係既定次數(在本例中為既定日數)以上時,則判定為發生異常。
異常之判定方法並不受限定於上述例。其亦可為,對由動作值選擇部240所選擇之轉矩的時間變化進行監視,當轉矩超過預先決定之容許範圍係既定次數以上時,則判定為發生異常。通知部230在由異常判定部220判定為發生異常時,將該意旨通知給使用者。
(3) 異常檢測處理
圖24係表示圖20之控制部200所進行之異常檢測處理的流程圖。圖24之異常檢測處理藉由控制部200之CPU執行被記憶在記憶體之異常檢測程式而進行。異常檢測處理係與基板處理並行地每日執行。以下,使用圖20之控制部200,並且使用圖24之流程圖對異常檢測處理進行說明。
首先,動作值取得部210自轉矩感測器711取得旋轉驅動部710以既定之固定旋轉速度進行旋轉時之旋轉驅動部710的轉矩(步驟S11)。又,動作值取得部210自溫度感測器712取得與在步驟S11取得之轉矩相對應的溫度 (步驟S12)。步驟S11、S12係根據基板處理之配方,於旋轉之基板W的處理時大致同時地執行。
其次,動作值選擇部240選擇於步驟S12所取得之溫度中在基準溫度以上的溫度(步驟S13)。接著,動作值選擇部240選擇於步驟S11所取得之轉矩中與於步驟S13選擇之溫度相對應的轉矩(步驟S14)。
其後,異常判定部220則判定處理對象之全部基板的處理是否已結束(步驟S15)。當作為處理對象之全部基板的處理為未結束時,異常判定部220返回至步驟S11。重複進行步驟S11~S15,直至處理對象之全部基板的處理結束為止。
當處理對象之全部基板的處理結束時,異常判定部220使用於步驟S14所選擇之轉矩來製作箱線圖(步驟S16)。其次,異常判定部220將於步驟S16所製作之箱線圖與至前一天為止前所製作之箱線圖一起依時間序列順序進行配置(步驟S17)。
接著,異常判定部220對表示轉矩基準值之直線,是否通過於步驟S17所配置之箱線圖的箱形部分既定日數以上進行判定(步驟S18)。當直線通過箱線圖之箱形部分係在既定日數以上時,異常判定部220則判定為未發生異常,結束異常檢測處理。當直線未通過箱線圖之箱形部分係既定日數以上時,異常判定部220則判定為發生異常。在此情形下,通知部230通知該意旨(步驟S19),而結束異常檢測處理。
(4) 效果
於本實施形態之基板處理裝置1中,藉由動作值取得部210取得旋轉驅動部710之轉矩,作為第一動作值。又,藉由動作值取得部210取得旋轉驅動部710之溫度,作為第二動作值。並藉由動作值選擇部240而選擇由動作值取得部210所取得之溫度中在基準溫度以上的溫度。又,藉由動作值選擇部240選擇由動作值取得部210所取得之轉矩中與所選擇之溫度相對應的轉矩。
根據由動作值選擇部240所選擇之轉矩之時間序列的變化,由異常判定部220判定是否發生異常。此時,根據所取得之轉矩中滿足既定基準的轉矩之時間序列的變化,來判定是否發生異常,因此,其可容易且正確地檢測出基板處理裝置1之異常。
又,當作第一動作值而被取得之轉矩係旋轉驅動部710以固定旋轉速度進行旋轉時之轉矩。同樣地,當作第二動作值而被取得之溫度係旋轉驅動部710以固定旋轉速度進行旋轉時之溫度。因此,其可更正確地檢測出基板處理裝置1之異常。
(5) 參考例
作為參考例中之異常檢測處理,其亦可為,與旋轉驅動部710之溫度無關地,使用由動作值取得部210所取得之全部旋轉驅動部710的轉矩來製作上述之箱線圖。在該構成中,當表示轉矩基準值之直線未通過箱線圖之箱形部分係既定日數以上時,則判定為發生異常。
然而,於參考例中,因旋轉驅動部710之溫度低,而有表示轉矩基準值之直線未通過箱線圖之箱形部分的情形。即,即便於實際上未發生異常時,仍有因表示轉矩基準值之直線未通過箱線圖之箱形部分係既定日數以上,而被判定為發生異常之情形。因此,於參考例中,難以正確地檢測出異常。
<10>請求項之各構成要素與實施形態之各部件的對應關係
以下,對於請求項之各構成要素與實施形態之各部件的對應例進行說明,但本發明並不受限定於下列之例。其亦可使用具有請求項所記載之構成或功能的其他各種要素以作為請求項之各構成要素。
上述實施形態中,基板W係基板之例,基板處理裝置1係基板處理裝置之例,動作值取得部210係動作值取得部之例,異常判定部220係異常判定部之例。容許範圍R係容許範圍之例,動作值選擇部240係動作值選擇部之例,控制部200係處理裝置之例。
第一實施形態中,調整閥414係第一動作零部件或第一調整閥之例,調整閥424係第二動作零部件或第二調整閥之例。或者,第一實施形態中,調整閥414或調整閥424係第一動作零部件或調整閥之例,壓力計402係第二動作零部件或壓力計之例。
第二~第五實施形態中,流量計313係第一動作零部件或第一流量計之例,流量計323係第一動作零部件或第二流量計之例,濃度計364係第二動作零部件或濃度計之例。混合槽350係貯存部之例,基板處理部100係基板處理部之例,混合配管330係第一流路部之例,供給配管360係第二流路部之例,循環配管370係第三流路部之例。
第六實施形態中,第一卡盤銷520係第一動作零部件或第一卡盤銷之例,第二卡盤銷520係第二動作零部件或第二卡盤銷之例。或者,第六實施形態中,任一卡盤銷520係第一動作零部件或卡盤銷之例,卡盤驅動部530係第二動作零部件或卡盤驅動部之例。
第七實施形態中,洗淨器具630係第一動作零部件或第一處理器具之例,洗淨器具640係第二動作零部件或第二處理器具之例。第八實施形態中,旋轉驅動部710係旋轉驅動部之例,轉矩感測器711係第一動作零部件或轉矩感測器之例,溫度感測器712係第二動作零部件或溫度感測器之例。
1:基板處理裝置
100:基板處理部
110:處理單元
200:控制部
210:動作值取得部
220:異常判定部
230:通知部
240:動作值選擇部
300:藥液生成部
301:原液供給源
302:稀釋用液供給源
303:廢液槽
304:氣體供給源
310:原液供給部
311:配管
312:開閉閥
313:流量計
314:調整閥
320:稀釋用液供給部
321:配管
322:開閉閥
323:流量計
324:調整閥
330:混合配管
331:主管
332、333:支管
334、335:開閉閥
340:氣體供給部
341:配管
342:開閉閥
350:混合槽
351~354:液面感測器
360:供給配管
361:主管
362、363:支管
364:濃度計
365:加熱器
366:泵
367:過濾器
368:開閉閥
369:開閉閥
370:循環配管
400:處理液供給部
401:循環配管
402:壓力計
410:上表面供給部
411:配管
412:流量計
413:開閉閥
414:調整閥
415:噴嘴
420:下表面供給部
421:配管
422:流量計
423:開閉閥
424:調整閥
425:噴嘴
500:旋轉保持部
510:旋轉卡盤
511:旋轉驅動部
512:旋轉軸
513:板支撐構件
514:旋轉板
520:卡盤銷
521:軸部
522:銷支撐部
523:保持部
524:霍爾感測器
530:卡盤驅動部
531:霍爾感測器
600:處理液供給部
610、620:掃描驅動部
630、640:洗淨器具
700:旋轉保持部
710:旋轉驅動部
711:轉矩感測器
712:溫度感測器
720:旋轉軸
730:吸附部
C
(t)、C
0 (t):濃度
R:容許範圍
T1~T5、T11~T13、t、t1~t3、t11~t12、t21~t22:時間點
ΔT1~ΔT2、ΔT11~ΔT12:時間
Δt1~Δt2、Δt11、Δt21:遷移時間
W:基板
W
(t)、W
1 (t)、W
2、W
3 (t):容量
圖1係表示本發明一實施形態的基板處理裝置之概略構成的方塊圖。
圖2係表示第一實施形態中處理液供給部之構成圖。
圖3係表示控制部之構成的功能方塊圖。
圖4係表示相關性圖形的圖。
圖5係表示由圖3的控制部所進行之異常檢測處理的流程圖。
圖6係表示相關性圖形的圖。
圖7係表示第二實施形態中藥液生成部之構成圖。
圖8係表示相關性圖形的圖。
圖9係用以說明第三實施形態中動作值的圖。
圖10係用以說明濃度預測模型之建構程序之一例的圖。
圖11係圖7的藥液生成部的局部放大圖。
圖12係表示第六實施形態中旋轉保持部之構成的側視圖。
圖13係表示旋轉保持部之構成的功能方塊圖。
圖14係用以說明關閉指示時卡盤銷之遷移時間圖。
圖15係用以說明開啟指示時卡盤銷之遷移時間圖。
圖16係用以說明卡盤銷及卡盤驅動部之遷移時間圖。
圖17係表示處理液供給部之構成圖。
圖18係用以說明洗淨器具之遷移時間圖。
圖19係表示第八實施形態中旋轉保持部之構成的側視圖。
圖20係表示控制部之構成的功能方塊圖。
圖21係表示基板處理中旋轉驅動部的旋轉速度及轉矩之變化的圖。
圖22係表示所取得之轉矩及溫度的圖。
圖23係用以說明異常之判定方法之一例的圖。
圖24係表示圖20的控制部所進行之異常檢測處理的流程圖。
200:控制部
210:動作值取得部
220:異常判定部
230:通知部
412:流量計
414:調整閥
422:流量計
424:調整閥
Claims (18)
- 一種基板處理裝置,其包含使用處理液之基板的處理中所使用之第一動作零部件及第二動作零部件;其具備有: 動作值取得部,其取得上述第一動作零部件之第一動作值與上述第二動作零部件之第二動作值;以及 異常判定部,其根據由上述動作值取得部所取得之上述第一動作值與上述第二動作值之相關性,而判定是否發生異常。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中, 上述異常判定部根據:藉由利用上述動作值取得部所取得之上述第一動作值與上述第二動作值的組合而決定的資料點中,超過根據上述第一動作值與上述第二動作值之相關性所決定之容許範圍的資料點之比例,而判定是否發生異常。
- 如請求項2之基板處理裝置,其中, 上述容許範圍係:藉由在基板的處理前利用上述動作值取得部所預先取得之上述第一動作值與上述第二動作值的組合而決定之資料點中,所含有之既定比例的資料點,來決定。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述異常判定部於每處理既定數量之基板時、或每經過既定時間時,判定是否發生異常。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述第一動作零部件包含:第一調整閥,其根據第一脈衝值而調整供給至上述基板之處理液的流量; 上述第二動作零部件包含:第二調整閥,其根據第二脈衝值而調整供給至上述基板之處理液的流量; 上述第一動作值係被提供給上述第一調整閥之上述第一脈衝值, 上述第二動作值係被提供給上述第二調整閥之上述第二脈衝值。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述第一動作零部件包含:調整閥,其根據脈衝值而調整供給至上述基板之處理液的流量; 上述第二動作零部件包含:壓力計,其對被導引至上述調整閥之處理液的壓力進行檢測; 上述第一動作值係被提供給上述調整閥之上述脈衝值, 上述第二動作值係由上述壓力計所檢測出之壓力。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述第一動作零部件包含:第一流量計及第二流量計,其等分別對第一處理液及第二處理液的流量進行檢測; 上述第二動作零部件包含:濃度計,其檢測混合處理液的濃度,該混合處理液係藉由將上述第一處理液與上述第二處理液混合而生成; 上述第一動作值係上述混合處理液的濃度之理論值;該理論值藉由利用上述第一流量計及上述第二流量計所分別檢測出之上述第一處理液的流量與上述第二處理液的流量之比而計算出, 上述第二動作值係上述混合處理液的濃度之實測值;該實測值由上述濃度計所檢測出。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述基板處理裝置進而包含:貯存部,其流入第一處理液與第二處理液所混合之混合處理液; 上述第一動作零部件包含:第一流量計及第二流量計,其等分別對上述第一處理液及上述第二處理液的流量進行檢測; 上述第二動作零部件包含:濃度計,其對自上述貯存部流出之上述混合處理液的濃度進行檢測; 流入至上述貯存部之上述混合處理液以第一時間到達上述濃度計, 上述第一動作值係上述混合處理液的濃度之理論值;該理論值藉由於第一時間點與自上述第一時間點起經過第二時間的第二時間點之間,利用上述第一流量計及上述第二流量計所分別檢測出之上述第一處理液的流量之累積值與上述第二處理液的流量之累積值,而計算出, 上述第二動作值係上述混合處理液的濃度之統計值;該統計值於自上述第一時間點起經過上述第一時間的第三時間點、與自上述第二時間點起經過上述第一時間的第四時間點之間,由上述濃度計所檢測出。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述第一動作零部件包含:第一流量計及第二流量計,其等分別對第一處理液及第二處理液的流量進行檢測; 上述第二動作零部件包含:濃度計,其檢測混合處理液的濃度,該混合處理液係藉由將上述第一處理液與上述第二處理液混合而生成; 其被準備濃度預測模型,該濃度預測模型對第一時間點與自上述第一時間點起經過第一時間的第二時間點之間之上述第一處理液的流量、上述第二處理液的流量、以及上述混合處理液的濃度、與自上述第二時間點起經過第二時間的第三時間點之上述混合處理液的濃度的關係,進行機器學習, 上述第一動作值係上述混合處理液的濃度之預測值;該預測值係將在第四時間點與自上述第四時間點起經過上述第一時間的第五時間點之間由上述第一流量計所檢測出之上述第一處理液的流量、由上述第二流量計所檢測出之上述第二處理液的流量、以及由上述濃度計所檢測出之上述混合處理液的濃度,應用於上述濃度預測模型,藉此而取得之自上述第五時間點起經過上述第二時間的第六時間點之上述混合處理液的濃度之預測值, 上述第二動作值係上述混合處理液的濃度之實測值;該實測值於上述第六時間點由上述濃度計所檢測出。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述基板處理裝置進而包含有: 貯存部,其貯存將第一處理液與第二處理液混合之混合處理液; 基板處理部,其使用上述混合處理液而對基板進行處理; 第一流路部,其將上述第一處理液與上述第二處理液混合而生成上述混合處理液,並將其導引至上述貯存部; 第二流路部,其將貯存於上述貯存部之上述混合處理液導引至上述基板處理部;以及 第三流路部,其將上述基板處理部未使用的上述混合處理液導引至上述貯存部; 上述第一動作零部件包含:第一流量計及第二流量計,其等分別對上述第一處理液及上述第二處理液的流量進行檢測; 上述第二動作零部件包含:濃度計,其對自上述貯存部流出之上述混合處理液的濃度進行檢測; 通過上述第一流路部而流入至上述貯存部之上述混合處理液以第一時間到達上述濃度計, 上述第一動作值係於各時間點貯存在上述貯存部之上述混合處理液的濃度之理論值;該理論值係藉由在單位時間內,通過上述第一流路部而流入至上述貯存部之上述混合處理液的容量、通過上述第二流路部而自上述貯存部流出之上述混合處理液的容量、及通過上述第三流路部而流入至上述貯存部之上述混合處理液的容量、與由上述第一流量計及上述第二流量計所分別檢測出之上述第一處理液的流量及上述第二處理液的流量,而計算出, 上述第二動作值係上述混合處理液的濃度之實測值;該實測值在自上述混合處理液通過上述第一流路部而流入至上述貯存部之時間點起經過上述第一時間的時間點,由上述濃度計所檢測出。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述第一動作零部件包含:第一卡盤銷,其在保持上述基板之第一關閉狀態與未保持上述基板之第一開啟狀態之間遷移; 上述第二動作零部件包含:第二卡盤銷,其在保持上述基板之第二關閉狀態與未保持上述基板之第二開啟狀態之間遷移; 上述第一動作值係上述第一卡盤銷在上述第一關閉狀態與上述第一開啟狀態之間的遷移時間, 上述第二動作值係上述第二卡盤銷在上述第二關閉狀態與上述第二開啟狀態之間的遷移時間。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述第一動作零部件包含:卡盤銷,其在保持上述基板之第一關閉狀態與未保持上述基板之第一開啟狀態之間遷移; 上述第二動作零部件包含:卡盤驅動部,其在使上述卡盤銷遷移至上述第一關閉狀態的第二關閉狀態、與使上述卡盤銷遷移至上述第一開啟狀態的第二開啟狀態之間遷移; 上述第一動作值係上述卡盤銷在上述第一關閉狀態與上述第一開啟狀態之間的遷移時間, 上述第二動作值係上述卡盤驅動部在上述第二關閉狀態與上述第二開啟狀態之間的遷移時間。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中, 上述第一動作零部件包含:第一處理器具,其在不處理上述基板之第一待機位置與處理上述基板之第一處理位置之間遷移; 上述第二動作零部件包含:第二處理器具,其在不處理上述基板之第二待機位置與處理上述基板之第二處理位置之間遷移; 上述第一動作值係上述第一處理器具在上述第一待機位置與上述第一處理位置之間的遷移時間, 上述第二動作值係上述第二處理器具在上述第二待機位置與上述第二處理位置之間的遷移時間。
- 如請求項1之基板處理裝置,其進而具備有: 動作值選擇部,其選擇由上述動作值取得部所取得之上述第二動作值中滿足既定基準的第二動作值,並選擇由上述動作值取得部所取得之上述第一動作值中與所選擇之第二動作值相對應的第一動作值; 上述異常判定部根據由上述動作值選擇部所選擇之第一動作值之時間序列的變化,而判定是否發生異常。
- 如請求項14之基板處理裝置,其中, 上述第一動作零部件包含:轉矩感測器,其對旋轉驅動部之轉矩進行檢測; 上述第二動作零部件包含:溫度感測器,其對上述旋轉驅動部之溫度進行檢測; 上述第一動作值係由上述轉矩感測器所檢測出之上述旋轉驅動部的轉矩, 上述第二動作值係由上述溫度感測器所檢測出之上述旋轉驅動部的溫度。
- 如請求項15之基板處理裝置,其中, 上述第一動作值係由上述轉矩感測器所檢測出之上述旋轉驅動部的轉矩中,上述旋轉驅動部以既定之固定旋轉速度進行旋轉時之轉矩, 上述第二動作值係由上述溫度感測器所檢測出之上述旋轉驅動部的溫度中,上述旋轉驅動部以上述固定旋轉速度進行旋轉時之溫度。
- 一種異常檢測方法,其係對基板處理裝置的異常進行檢測者,該基板處理裝置包含使用處理液之基板的處理中所使用之第一動作零部件及第二動作零部件;其包含有: 取得彼此相關聯之上述第一動作零部件之第一動作值與上述第二動作零部件之第二動作值的步驟;以及 根據所取得之上述第一動作值及上述第二動作值而判定是否發生異常的步驟。
- 一種由處理裝置所執行之異常檢測程式,其係對基板處理裝置的異常進行檢測者,該基板處理裝置包含利用處理液對基板作處理中所使用之第一動作零部件及第二動作零部件;上述處理裝置執行: 取得彼此相關聯之上述第一動作零部件之第一動作值與上述第二動作零部件之第二動作值的處理;以及 根據所取得之上述第一動作值及上述第二動作值而判定是否發生異常的處理。
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---|---|---|---|
JP2021-154404 | 2021-09-22 | ||
JP2021154404 | 2021-09-22 | ||
JP2022-048503 | 2022-03-24 | ||
JP2022048503A JP2023046224A (ja) | 2021-09-22 | 2022-03-24 | 基板処理装置、異常検出方法および異常検出プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202318539A TW202318539A (zh) | 2023-05-01 |
TWI819760B true TWI819760B (zh) | 2023-10-21 |
Family
ID=85799918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111131592A TWI819760B (zh) | 2021-09-22 | 2022-08-23 | 基板處理裝置、異常檢測方法及異常檢測程式 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230236048A1 (zh) |
KR (1) | KR20230042644A (zh) |
CN (1) | CN115910823A (zh) |
TW (1) | TWI819760B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117469152B (zh) * | 2023-12-27 | 2024-04-12 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 流体泵异常检测方法、装置、电子设备和存储介质 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070179658A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-02 | Tetsuya Hamada | Substrate processing system capable of monitoring operation of substrate processing apparatus |
US20100211216A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Hitachi-Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of displaying abnormal state of substrate processing apparatus |
US20180138096A1 (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | Tokyo Electron Limited | Abnormality detection apparatus |
TW202025361A (zh) * | 2018-11-05 | 2020-07-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、開閉基板收納容器的蓋之方法、以及程式 |
-
2022
- 2022-08-23 TW TW111131592A patent/TWI819760B/zh active
- 2022-09-14 KR KR1020220115683A patent/KR20230042644A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-09-20 CN CN202211142052.3A patent/CN115910823A/zh active Pending
- 2022-09-21 US US17/949,708 patent/US20230236048A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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TW202025361A (zh) * | 2018-11-05 | 2020-07-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、開閉基板收納容器的蓋之方法、以及程式 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230236048A1 (en) | 2023-07-27 |
CN115910823A (zh) | 2023-04-04 |
TW202318539A (zh) | 2023-05-01 |
KR20230042644A (ko) | 2023-03-29 |
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