KR20230042644A - 기판 처리 장치, 이상 검출 방법 및 이상 검출 프로그램 - Google Patents

기판 처리 장치, 이상 검출 방법 및 이상 검출 프로그램 Download PDF

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데츠야 야마모토
유미코 히라토
다케히로 사노
다이이치 기타기시
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치에 있어서, 처리액을 사용한 기판의 처리가 실시된다. 제 1 동작 부품 및 제 2 동작 부품이 기판의 처리에 사용된다. 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 제 2 동작 부품의 제 2 동작값이 동작값 취득부에 의해 취득된다. 동작값 취득부에 의해 취득된 제 1 동작값과 제 2 동작값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 이상 판정부에 의해 판정된다.

Description

기판 처리 장치, 이상 검출 방법 및 이상 검출 프로그램{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, ABNORMALITY DETECTION METHOD AND ABNORMALITY DETECTION PROGRAM}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치, 이상 검출 방법 및 이상 검출 프로그램에 관한 것이다.
반도체 기판, 액정 표시 장치용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판 또는 광 디스크용 유리 기판 등의 기판에 성막, 현상 또는 세정 등의 각종 처리를 실시하기 위해 기판 처리 장치가 사용된다. 기판 처리 장치가 장기간 운용되면, 기판 처리 장치의 동작 부품의 손상 또는 열화 등의 이상이 발생하는 경우가 있다.
일본 공개특허공보 2018-77764호에는, 반도체 제조 장치의 이상을 예지하는 것이 가능한 이상 검지 장치가 기재되어 있다. 이 이상 검지 장치에 있어서는, 반도체 제조 장치의 각 부의 상태를 나타내는 상태 정보가 소정의 주기로 수집된다. 상태 정보는, 예를 들어 반도체 제조 장치의 각 부의 온도, 압력, 가스 유량 또는 전력 등을 포함한다. 수집된 상태 정보는, 소정의 단위마다 로그로서 격납된다.
격납된 로그에 기초하여, 반도체 제조 장치의 각 부의 상태를 감시하는 감시 밴드가 생성된다. 감시 밴드는, 수집되는 상태 정보가 정상인지의 여부를 판정할 때에 사용되는 파형으로, 예를 들어 소정의 주기마다 설정되는 상한값 및 하한값에 기초하여, 보간을 실시함으로써 생성된다. 상태 정보와 감시 밴드에 기초하여, 반도체 제조 장치의 각 부의 상태가 이상한지의 여부가 판정된다.
일본 공개특허공보 2018-77764호에 기재된 이상 검지 장치와 같이, 기판 처리 장치의 고장 전에 이상을 검출하는 것이 요망된다.
본 발명의 목적은, 이상을 조기에 검출하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 이상 검출 방법 및 이상 검출 프로그램을 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일 국면에 따르는 기판 처리 장치는, 처리액을 사용한 기판의 처리에 있어서 사용되는 제 1 동작 부품 및 제 2 동작 부품을 포함하는 기판 처리 장치로서, 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 제 2 동작 부품의 제 2 동작값을 취득하는 동작값 취득부와, 동작값 취득부에 의해 취득된 제 1 동작값과 제 2 동작값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는 이상 판정부를 구비한다.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 처리액을 사용한 기판의 처리가 실시된다. 또, 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 제 2 동작 부품의 제 2 동작값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 판정된다. 그 때문에, 기판 처리 장치의 고장 전에 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(2) 이상 판정부는, 동작값 취득부에 의해 취득된 제 1 동작값과 제 2 동작값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트 중, 제 1 동작값과 제 2 동작값의 상관에 기초하여 정해진 허용 범위를 초과하는 데이터 포인트의 비율에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정해도 된다. 이 경우, 간단한 처리로 기판 처리 장치의 이상을 검출할 수 있다.
(3) 허용 범위는, 기판의 처리 전에 동작값 취득부에 의해 미리 취득된 제 1 동작값과 제 2 동작값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트 중, 소정 비율의 데이터 포인트가 포함되도록 정해져도 된다. 이 경우, 이상 판정에 사용하는 허용 범위를 용이하게 정할 수 있다.
(4) 이상 판정부는, 소정수의 기판이 처리되거나, 또는 소정의 시간이 경과할 때마다 이상이 발생했는지의 여부를 판정해도 된다. 이 구성에 의하면, 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출하는 것이 보다 용이해진다.
(5) 제 1 동작 부품은, 제 1 펄스값에 기초하여 기판에 공급되는 처리액의 유량을 조정하는 제 1 조정 밸브를 포함하고, 제 2 동작 부품은, 제 2 펄스값에 기초하여 기판에 공급되는 처리액의 유량을 조정하는 제 2 조정 밸브를 포함하고, 제 1 동작값은, 제 1 조정 밸브에 부여된 제 1 펄스값이고, 제 2 동작값은, 제 2 조정 밸브에 부여된 제 2 펄스값이어도 된다.
이 경우, 제 1 조정 밸브에 부여된 제 1 펄스값과, 제 2 조정 밸브에 부여된 제 2 펄스값의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(6) 제 1 동작 부품은, 펄스값에 기초하여 기판에 공급되는 처리액의 유량을 조정하는 조정 밸브를 포함하고, 제 2 동작 부품은, 조정 밸브로 유도되는 처리액의 압력을 검출하는 압력계를 포함하고, 제 1 동작값은, 조정 밸브에 부여된 펄스값이고, 제 2 동작값은, 압력계에 의해 검출된 압력이어도 된다.
이 경우, 조정 밸브에 부여된 펄스값과, 압력계에 의해 검출된 압력의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(7) 제 1 동작 부품은, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 유량을 각각 검출하는 제 1 유량계 및 제 2 유량계를 포함하고, 제 2 동작 부품은, 제 1 처리액과 제 2 처리액이 혼합됨으로써 생성되는 혼합 처리액의 농도를 검출하는 농도계를 포함하고, 제 1 동작값은, 제 1 유량계 및 제 2 유량계에 의해 각각 검출된 제 1 처리액의 유량과 제 2 처리액의 유량의 비에 의해 산출된 혼합 처리액의 농도의 이론값이고, 제 2 동작값은, 농도계에 의해 검출된 혼합 처리액의 농도의 실측값이어도 된다.
이 경우, 제 1 처리액의 유량과 제 2 처리액의 유량의 비에 의해 산출된 혼합 처리액의 농도의 이론값과, 농도계에 의해 검출된 혼합 처리액의 농도의 실측값의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(8) 기판 처리 장치는, 제 1 처리액과 제 2 처리액이 혼합된 혼합 처리액이 유입되는 저류부를 추가로 포함하고, 제 1 동작 부품은, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 유량을 각각 검출하는 제 1 유량계 및 제 2 유량계를 포함하고, 제 2 동작 부품은, 저류부로부터 유출되는 혼합 처리액의 농도를 검출하는 농도계를 포함하고, 저류부에 유입된 혼합 처리액은, 제 1 시간에서 농도계에 도달하고, 제 1 동작값은, 제 1 시점과 제 1 시점으로부터 제 2 시간 경과한 제 2 시점 사이에, 제 1 유량계 및 제 2 유량계에 의해 각각 검출된 제 1 처리액의 유량의 적산값과 제 2 처리액의 유량의 적산값에 의해 산출된 혼합 처리액의 농도의 이론값이고, 제 2 동작값은, 제 1 시점으로부터 제 1 시간 경과한 제 3 시점과 제 2 시점으로부터 제 1 시간 경과한 제 4 시점 사이에, 농도계에 의해 검출된 혼합 처리액의 농도의 통계값이어도 된다.
이 경우, 제 1 처리액의 유량의 적산값과 제 2 처리액의 유량의 적산값에 의해 산출된 혼합 처리액의 농도의 이론값과, 혼합 처리액의 농도의 통계값의 상관에 기초하여 기판 처리 장치에 이상이 발생했는지의 여부가 판정된다. 여기서, 상기의 혼합 처리액의 농도의 이론값과, 혼합 처리액의 농도의 통계값 사이에는 강한 상관이 존재하므로, 기판 처리 장치의 이상을 보다 확실하게 검출할 수 있다.
(9) 제 1 동작 부품은, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 유량을 각각 검출하는 제 1 유량계 및 제 2 유량계를 포함하고, 제 2 동작 부품은, 제 1 처리액과 제 2 처리액이 혼합됨으로써 생성되는 혼합 처리액의 농도를 검출하는 농도계를 포함하고, 제 1 시점과 제 1 시점으로부터 제 1 시간 경과한 제 2 시점 사이에 있어서의 제 1 처리액의 유량, 제 2 처리액의 유량 및 혼합 처리액의 농도와, 제 2 시점으로부터 제 2 시간 경과한 제 3 시점에 있어서의 혼합 처리액의 농도의 관계를 기계 학습한 농도 예측 모델이 준비되고, 제 1 동작값은, 제 4 시점과 제 4 시점으로부터 제 1 시간 경과한 제 5 시점 사이에, 제 1 유량계에 의해 검출된 제 1 처리액의 유량, 제 2 유량계에 의해 검출된 제 2 처리액의 유량, 및 농도계에 의해 검출된 혼합 처리액의 농도를 농도 예측 모델에 적용함으로써 취득된, 제 5 시점으로부터 제 2 시간 경과한 제 6 시점에 있어서의 혼합 처리액의 농도의 예측값이고, 제 2 동작값은, 제 6 시점에 농도계에 의해 검출된 혼합 처리액의 농도의 실측값이어도 된다.
이 경우, 농도 예측 모델에 기초하여 취득된 혼합 처리액의 농도의 예측값과, 농도계에 의해 검출된 혼합 처리액의 농도의 실측값의 상관에 기초하여, 비교적 짧은 기간에 기판 처리 장치에 발생하는 단발적인 이상을 검출할 수 있다.
(10) 기판 처리 장치는, 제 1 처리액과 제 2 처리액이 혼합된 혼합 처리액을 저류하는 저류부와, 혼합 처리액을 사용하여 기판에 처리를 실시하는 기판 처리부와, 제 1 처리액과 제 2 처리액을 혼합하여 혼합 처리액을 생성하면서 저류부로 유도하는 제 1 유로부와, 저류부에 저류된 혼합 처리액을 기판 처리부로 유도하는 제 2 유로부와, 기판 처리부에 있어서의 미사용의 혼합 처리액을 저류부로 유도하는 제 3 유로부를 추가로 포함하고, 제 1 동작 부품은, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 유량을 각각 검출하는 제 1 유량계 및 제 2 유량계를 포함하고, 제 2 동작 부품은, 저류부로부터 유출되는 혼합 처리액의 농도를 검출하는 농도계를 포함하고, 제 1 유로부를 통하여 저류부에 유입된 혼합 처리액은, 제 1 시간에서 농도계에 도달하고, 제 1 동작값은, 단위 시간에, 제 1 유로부를 통하여 저류부에 유입되는 혼합 처리액의 용량, 제 2 유로부를 통하여 저류부로부터 유출되는 혼합 처리액의 용량, 및 제 3 유로부를 통하여 저류부에 유입되는 혼합 처리액의 용량과, 제 1 유량계 및 제 2 유량계에 의해 각각 검출된 제 1 처리액의 유량 및 제 2 처리액의 유량에 의해 산출된, 각 시점에 저류부에 저류되는 혼합 처리액의 농도의 이론값이고, 제 2 동작값은, 혼합 처리액이 제 1 유로부를 통하여 저류부에 유입된 시점으로부터 제 1 시간 경과한 시점에, 농도계에 의해 검출된 혼합 처리액의 농도의 실측값이어도 된다.
기판 처리부에 공급되는 혼합 처리액의 농도가 변동되는 경우, 기판 처리부에 있어서의 미사용의 혼합 처리액이 저류부에 되돌려짐으로써, 저류부에 저류되는 혼합 처리액의 농도가 변동된다. 이 경우에도, 상기의 구성에 의하면, 저류부에 유입 또는 유출되는 혼합 처리액의 용량과, 제 1 처리액의 유량 및 제 2 처리액의 유량에 의해 산출된 저류부에 저류되는 혼합 처리액의 농도의 이론값과, 농도계에 의해 검출된 혼합 처리액의 농도의 실측값의 상관에 기초하여 기판 처리 장치에 이상이 발생했는지의 여부가 판정된다. 이 경우, 혼합 처리액의 농도의 이론값과, 혼합 처리액의 농도의 통계값 사이의 상관을 강하게 할 수 있다. 이로써, 기판 처리 장치의 이상을 보다 확실하게 검출할 수 있다.
(11) 제 1 동작 부품은, 기판을 유지하는 제 1 닫힘 상태와, 기판을 유지하지 않는 제 1 열림 상태 사이에서 천이하는 제 1 척 핀을 포함하고, 제 2 동작 부품은, 기판을 유지하는 제 2 닫힘 상태와, 기판을 유지하지 않는 제 2 열림 상태 사이에서 천이하는 제 2 척 핀을 포함하고, 제 1 동작값은, 제 1 척 핀에 있어서의 제 1 닫힘 상태와 제 1 열림 상태 사이의 천이 시간이고, 제 2 동작값은, 제 2 척 핀에 있어서의 제 2 닫힘 상태와 제 2 열림 상태 사이의 천이 시간이어도 된다.
이 경우, 제 1 척 핀의 천이 시간과, 제 2 척 핀의 천이 시간의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(12) 제 1 동작 부품은, 기판을 유지하는 제 1 닫힘 상태와, 기판을 유지하지 않는 제 1 열림 상태 사이에서 천이하는 척 핀을 포함하고, 제 2 동작 부품은, 척 핀을 제 1 닫힘 상태로 천이시키는 제 2 닫힘 상태와, 척 핀을 제 1 열림 상태로 천이시키는 제 2 열림 상태 사이에서 천이하는 척 구동부를 포함하고, 제 1 동작값은, 척 핀에 있어서의 제 1 닫힘 상태와 제 1 열림 상태 사이의 천이 시간이고, 제 2 동작값은, 척 구동부에 있어서의 제 2 닫힘 상태와 제 2 열림 상태 사이의 천이 시간이어도 된다.
이 경우, 척 핀의 천이 시간과, 척 구동부의 천이 시간의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(13) 제 1 동작 부품은, 기판을 처리하지 않는 제 1 대기 위치와, 기판을 처리하는 제 1 처리 위치 사이에서 천이하는 제 1 처리구를 포함하고, 제 2 동작 부품은, 기판을 처리하지 않는 제 2 대기 위치와, 기판을 처리하는 제 2 처리 위치 사이에서 천이하는 제 2 처리구를 포함하고, 제 1 동작값은, 제 1 처리구에 있어서의 제 1 대기 위치와 제 1 처리 위치 사이의 천이 시간이고, 제 2 동작값은, 제 2 처리구에 있어서의 제 2 대기 위치와 제 2 처리 위치 사이의 천이 시간이어도 된다.
이 경우, 제 1 처리구의 천이 시간과, 제 2 처리구의 천이 시간의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(14) 기판 처리 장치는, 동작값 취득부에 의해 취득된 제 2 동작값 중 소정의 기준을 만족하는 제 2 동작값을 선택하고, 동작값 취득부에 의해 취득된 제 1 동작값 중 선택된 제 2 동작값에 대응하는 제 1 동작값을 선택하는 동작값 선택부를 추가로 구비하고, 이상 판정부는, 동작값 선택부에 의해 선택된 제 1 동작값의 시계열의 변화에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정해도 된다.
이 경우, 취득된 제 1 동작값 중, 소정의 기준을 만족하는 제 1 동작값의 시계열의 변화에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 판정된다. 이로써, 기판 처리 장치의 이상을 정확하게 검출할 수 있다.
(15) 제 1 동작 부품은, 스핀 구동부의 토크를 검출하는 토크 센서를 포함하고, 제 2 동작 부품은, 스핀 구동부의 온도를 검출하는 온도 센서를 포함하고, 제 1 동작값은, 토크 센서에 의해 검출된 스핀 구동부의 토크이고, 제 2 동작값은, 온도 센서에 의해 검출된 스핀 구동부의 온도여도 된다.
이 경우, 온도 센서에 의해 검출된 스핀 구동부의 온도에 기초하여, 토크 센서에 의해 검출된 스핀 구동부의 토크 중, 소정의 기준을 만족하는 토크를 용이하게 선택할 수 있다. 이로써, 기판 처리 장치의 이상을 용이하게 검출할 수 있다.
(16) 제 1 동작값은, 토크 센서에 의해 검출된 스핀 구동부의 토크 중, 스핀 구동부가 소정의 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 토크이고, 제 2 동작값은, 온도 센서에 의해 검출된 스핀 구동부의 온도 중, 스핀 구동부가 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 온도여도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치의 이상을 보다 정확하게 검출할 수 있다.
(17) 본 발명의 다른 국면에 따르는 이상 검출 방법은, 처리액을 사용한 기판의 처리에 있어서 사용되는 제 1 동작 부품 및 제 2 동작 부품을 포함하는 기판 처리 장치의 이상을 검출하는 이상 검출 방법으로서, 서로 상관하는 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 제 2 동작 부품의 제 2 동작값을 취득하는 것과, 취득된 제 1 동작값 및 제 2 동작값에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는 것을 포함한다.
이 이상 검출 방법에 의하면, 처리액을 사용한 기판의 처리에 있어서, 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 제 2 동작 부품의 제 2 동작값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 판정된다. 그 때문에, 기판 처리 장치의 고장 전에 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(18) 본 발명의 또 다른 국면에 따르는 이상 검출 프로그램은, 처리 장치에 의해 실행되고, 처리액을 사용한 기판의 처리에 있어서 사용되는 제 1 동작 부품 및 제 2 동작 부품을 포함하는 기판 처리 장치의 이상을 검출하는 이상 검출 프로그램으로서, 서로 상관하는 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 제 2 동작 부품의 제 2 동작값을 취득하는 처리와, 취득된 제 1 동작값 및 제 2 동작값에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는 처리를, 처리 장치에 실행시킨다.
이 이상 검출 프로그램에 의하면, 처리액을 사용한 기판의 처리에 있어서, 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 제 2 동작 부품의 제 2 동작값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 판정된다. 그 때문에, 기판 처리 장치의 고장 전에 기판 처리 장치의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도,
도 2 는, 제 1 실시형태에 있어서의 처리액 공급부의 구성을 나타내는 도면,
도 3 은, 제어부의 구성을 나타내는 기능 블록도,
도 4 는, 상관 그래프를 나타내는 도면,
도 5 는, 도 3 의 제어부에 의한 이상 검출 처리를 나타내는 플로 차트,
도 6 은, 상관 그래프를 나타내는 도면,
도 7 은, 제 2 실시형태에 있어서의 약액 생성부의 구성을 나타내는 도면,
도 8 은, 상관 그래프를 나타내는 도면,
도 9 는, 제 3 실시형태에 있어서의 동작값을 설명하기 위한 도면,
도 10 은, 농도 예측 모델의 구축 순서의 일례를 설명하기 위한 도면,
도 11 은, 도 7 의 약액 생성부의 부분 확대도,
도 12 는, 제 6 실시형태에 있어서의 회전 유지부의 구성을 나타내는 측면도,
도 13 은, 회전 유지부의 구성을 나타내는 기능 블록도,
도 14 는, 닫힘 지시시에 있어서의 척 핀의 천이 시간을 설명하기 위한 도면,
도 15 는, 열림 지시시에 있어서의 척 핀의 천이 시간을 설명하기 위한 도면,
도 16 은, 척 핀 및 척 구동부의 천이 시간을 설명하기 위한 도면,
도 17 은, 처리액 공급부의 구성을 나타내는 도면,
도 18 은, 세정구의 천이 시간을 설명하기 위한 도면,
도 19 는, 제 8 실시형태에 있어서의 회전 유지부의 구성을 나타내는 측면도,
도 20 은, 제어부의 구성을 나타내는 기능 블록도,
도 21 은, 기판 처리에 있어서의 스핀 구동부의 회전 속도 및 토크의 변화를 나타내는 도면,
도 22 는, 취득된 토크 및 온도를 나타내는 도면,
도 23 은, 이상 판정 방법의 일례를 설명하기 위한 도면,
도 24 는, 도 20 의 제어부에 의한 이상 검출 처리를 나타내는 플로 차트이다.
<1> 기판 처리 장치의 구성
이하, 본 발명의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치, 이상 검출 방법 및 이상 검출 프로그램에 대해 도면을 사용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정 표시 장치 혹은 유기 EL (Electro Luminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등을 말한다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 처리부 (100) 및 제어부 (200) 를 구비한다. 기판 처리부 (100) 는, 처리액을 사용하여 기판에 여러 가지 처리를 실시하는 하나 또는 복수의 처리 유닛 (110) 을 포함한다.
구체적으로는, 각 처리 유닛 (110) 은, 기판에 세정액을 공급하는 세정 유닛이어도 되고, 기판에 도포액을 공급하는 도포 유닛이어도 되고, 기판에 현상액을 공급하는 현상 유닛이어도 된다. 각 처리 유닛 (110) 에는, 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부, 또는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부 등이 형성된다.
또, 처리 유닛 (110) 이 기판에 에칭액을 공급하는 에칭 유닛인 경우에는, 기판 처리부 (100) 에 약액 생성부 (300) 가 형성되는 경우가 있다. 약액 생성부 (300) 는, 약액의 원액이 희석된 희석 약액을 에칭액으로서 생성하고, 각 기판 처리부 (100) 에 공급한다.
제어부 (200) 는, CPU (중앙 연산 처리 장치) 및 메모리, 또는 마이크로 컴퓨터 등으로 이루어진다. 제어부 (200) 의 CPU 는, 기판 처리부 (100) 또는 약액 생성부 (300) 에 있어서의 여러 가지 동작 부품의 동작을 제어한다. 제어부 (200) 의 메모리에는, 기판 처리 장치 (1) 의 동작 부품의 이상을 검출하기 위한 이상 검출 프로그램이 기억된다.
또, 제어부 (200) 의 CPU 는, 기판 처리의 실행 중에, 기판 처리부 (100) 또는 약액 생성부 (300) 에 있어서의 여러 가지 동작 부품으로부터 소정의 정보를 수집하고, 수집된 정보의 처리 결과에 기초하여, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 검출한다. 이하, 기판 처리부 (100) 또는 약액 생성부 (300) 의 여러 가지 동작 부품에 관련하는 기판 처리 장치 (1) 의 이상의 검출예에 대해 설명한다.
<2> 제 1 실시형태
(1) 처리액 공급부
제 1 실시형태에 있어서는, 기판 처리부 (100) 의 동작 부품으로서, 각 처리 유닛 (110) 에 포함되는 처리액 공급부의 이상이 검출된다. 도 2 는, 제 1 실시형태에 있어서의 처리액 공급부의 구성을 나타내는 도면이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 복수의 처리액 공급부 (400) 는, 처리액이 순환하는 순환 배관 (401) 에 접속된다. 또, 순환 배관 (401) 에는, 처리액의 압력을 검출하는 압력계 (402) 가 개재 삽입된다.
처리액 공급부 (400) 는, 상면 공급부 (410) 및 하면 공급부 (420) 를 포함한다. 상면 공급부 (410) 는, 배관 (411), 유량계 (412), 개폐 밸브 (413), 조정 밸브 (414) 및 노즐 (415) 을 포함한다. 배관 (411) 은, 순환 배관 (401) 에 접속된다. 이로써, 순환 배관 (401) 으로부터의 처리액이 배관 (411) 을 흐른다. 배관 (411) 에는, 유량계 (412), 개폐 밸브 (413), 조정 밸브 (414) 및 노즐 (415) 이 상류에서 하류를 향하여 이 순서로 개재 삽입된다.
유량계 (412) 는, 배관 (411) 을 흐르는 처리액의 유량을 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다. 개폐 밸브 (413) 는, 배관 (411) 의 유로를 개폐한다. 조정 밸브 (414) 는, 예를 들어 모터 니들 밸브를 포함하고, 제어부 (200) 에 의한 펄스 제어에 기초하여 배관 (411) 을 흐르는 처리액의 유량을 조정한다. 노즐 (415) 은, 기판 (W) 의 상방에 배치되고, 기판 (W) 의 상면에 처리액을 공급한다.
하면 공급부 (420) 는, 배관 (421), 유량계 (422), 개폐 밸브 (423), 조정 밸브 (424) 및 노즐 (425) 을 포함한다. 배관 (421) 의 상류 단부는, 유량계 (412) 보다 상류에 있어서, 배관 (411) 에 접속된다. 이로써, 순환 배관 (401) 으로부터의 처리액이 배관 (421) 을 흐른다. 배관 (421) 에는, 유량계 (422), 개폐 밸브 (423), 조정 밸브 (424) 및 노즐 (425) 이 상류에서 하류를 향하여 이 순서로 개재 삽입된다.
유량계 (422) 는, 배관 (421) 을 흐르는 처리액의 유량을 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다. 개폐 밸브 (423) 는, 배관 (421) 의 유로를 개폐한다. 조정 밸브 (424) 는, 예를 들어 모터 니들 밸브를 포함하고, 제어부 (200) 에 의한 펄스 제어에 기초하여 배관 (421) 을 흐르는 처리액의 유량을 조정한다. 노즐 (425) 은, 기판 (W) 의 하방에 배치되고, 기판 (W) 의 하면에 처리액을 공급한다.
본 예에 있어서는, 노즐 (415, 425) 에 의해 처리 대상인 기판 (W) 의 상면 및 하면에 대략 동일한 빈도로 동일한 정도의 유량의 처리액이 공급된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 및 하면이 처리된다. 처리 대상인 기판 (W) 은, 예를 들어 후술하는 도 19 의 회전 유지부 (700) 에 의해 유지 및 회전된 상태에서 처리되어도 된다.
(2) 제어부
도 3 은, 제어부 (200) 의 구성을 나타내는 기능 블록도이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (200) 는, 기능부로서, 동작값 취득부 (210), 이상 판정부 (220) 및 알림부 (230) 를 포함한다. 제어부 (200) 의 CPU 가 메모리에 기억된 이상 검출 프로그램을 실행함으로써, 제어부 (200) 의 기능부가 실현된다. 제어부 (200) 의 기능부의 일부 또는 전부가 전자 회로 등의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.
동작값 취득부 (210) 는, 유량계 (412) 로부터 부여되는 검출 결과에 기초하여, 상면 공급부 (410) 의 유로에 흐르는 처리액의 유량이 소정값으로 조정되도록, 소정수의 펄스를 조정 밸브 (414) 에 부여함으로써 조정 밸브 (414) 의 펄스 제어를 실시한다. 이로써, 동작값 취득부 (210) 는, 조정 밸브 (414) 에 부여되는 펄스값을 제 1 동작값으로서 취득한다.
마찬가지로, 동작값 취득부 (210) 는, 유량계 (422) 로부터 부여되는 검출 결과에 기초하여, 하면 공급부 (420) 의 유로에 흐르는 처리액의 유량이 소정값으로 조정되도록, 소정수의 펄스를 조정 밸브 (424) 에 부여함으로써 조정 밸브 (424) 의 펄스 제어를 실시한다. 이로써, 동작값 취득부 (210) 는, 조정 밸브 (424) 에 부여되는 펄스값을 제 2 동작값으로서 취득한다.
또한, 처리액의 공급 개시 직후 및 공급 종료 직후에는, 처리액의 유량이 안정되지 않는 경우가 있다. 그래서, 처리액의 공급 개시 직후 및 공급 종료 직후에는, 펄스값이 취득되지 않아도 된다. 이 경우, 처리액의 유량이 안정되는 공급 개시 후의 소정 시점으로부터 공급 종료 전의 소정 시점까지의 기간에, 펄스값이 제 1 및 제 2 동작값으로서 취득된다.
이상 판정부 (220) 는, 조정 밸브 (414, 424) 의 펄스 제어가 실시될 때마다, 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값과, 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트를 상관 그래프로 플롯한다. 도 4 는, 상관 그래프를 나타내는 도면이다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 상관 그래프는, 제 1 및 제 2 동작값을 각각 축으로 하는 이차원의 그래프이다. 구체적으로는, 도 4 의 상관 그래프의 가로축은 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값을 나타내고, 세로축은 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값을 나타낸다.
상관 그래프에는, 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값과 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값의 상관에 기초하여 허용 범위 (R) 가 미리 정해진다. 본 예에서는, 허용 범위 (R) 는, 타원 형상을 갖고, 기판의 처리 전에 미리 취득된 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값과, 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트 중, 소정 비율 (예를 들어 95 %) 의 데이터 포인트가 포함되도록 정해진다. 허용 범위 (R) 는, 데이터 포인트의 분포에 의해 얻어지는 회귀 곡선을 기준으로 정해져도 된다. 허용 범위 (R) 는, 처리액 공급부 (400) 의 설치시 등, 처리액 공급부 (400) 가 경년 열화되기 전에 취득된 데이터 포인트에 기초하여 정해지는 것이 바람직하다.
이상 판정부 (220) 는, 소정의 타이밍에, 플롯된 데이터 포인트 중, 허용 범위 (R) 를 초과하는 데이터 포인트의 비율에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정한다. 이상 판정은, 소정수의 기판 (W) 이 처리될 때마다 실시되어도 되고, 소정의 시간이 경과할 때마다 실시되어도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 조기에 검출하는 것이 용이해진다.
본 예에서는, 플롯된 데이터 포인트 중, 허용 범위 (R) 를 초과하는 데이터 포인트의 비율이 소정의 임계값을 초과한 경우에, 이상이 발생한 것으로 판정된다. 이 경우, 조정 밸브 (414) 또는 조정 밸브 (424) 에 관련하는 동작 부품에 이상이 발생한 것이 추측된다. 조정 밸브 (414) 또는 조정 밸브 (424) 에 관련하는 동작 부품은, 니들, 다이어프램, 베어링 또는 모터 코일 등을 포함한다.
이상 판정의 다른 예로서, 이상 판정의 타이밍에, 플롯된 데이터 포인트의 소정 비율을 포함하도록 허용 범위가 갱신되고, 미리 정해진 허용 범위 (R) 에 대한 갱신 후의 허용 범위의 변화율에 기초하여 이상이 발생한 것으로 판정되어도 된다. 허용 범위의 변화율은, 허용 범위의 장경의 변화율, 허용 범위의 단경의 변화율 또는 허용 범위의 면적의 변화율을 포함한다.
알림부 (230) 는, 이상 판정부 (220) 에 의해 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 그 취지를 사용자에게 알린다. 알림부 (230) 에 의한 알림의 예로서, 기판 처리 장치 (1) 가 표시 장치를 포함하는 경우에는, 이상이 발생한 것을 나타내는 문자열이 표시되어도 된다. 기판 처리 장치 (1) 가 음성 출력 장치를 포함하는 경우에는, 동일한 내용을 나타내는 음성이 출력되어도 되고, 버저 등의 경고음이 출력되어도 된다. 기판 처리 장치 (1) 가 램프 등의 표시등을 포함하는 경우에는, 경고의 내용에 대응하는 양태로 표시등이 점등, 소등 또는 점멸되어도 된다.
(3) 이상 검출 처리
도 5 는, 도 3 의 제어부 (200) 에 의한 이상 검출 처리를 나타내는 플로 차트이다. 도 5 의 이상 검출 처리는, 제어부 (200) 의 CPU 가 메모리에 기억된 이상 검출 프로그램을 실행함으로써 실시된다. 이상 검출 처리는, 기판 처리와 병행하여 실행된다. 이하, 도 3 의 제어부 (200) 와 함께, 도 5 의 플로 차트를 사용하여 이상 검출 처리를 설명한다.
먼저, 동작값 취득부 (210) 는, 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값을 취득한다 (스텝 S1). 또, 동작값 취득부 (210) 는, 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값을 취득한다 (스텝 S2). 스텝 S1 은 기판 (W) 의 상면 처리시에 실행되고, 스텝 S2 는 기판 (W) 의 하면 처리시에 실행된다. 스텝 S1, S2 의 실행 순서는, 기판 처리의 레시피에 의해 정해진다. 그 때문에, 스텝 S1, S2 는, 어느 것이 먼저 실행되어도 되고, 동시에 실행되어도 된다.
다음으로, 이상 판정부 (220) 는, 스텝 S1, S2 에서 취득된 펄스값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트를 상관 그래프로 플롯한다 (스텝 S3). 계속해서, 이상 판정부 (220) 는, 현시점이 이상 판정 타이밍인지의 여부를 판정한다 (스텝 S4). 소정수의 기판 (W) 이 처리될 때마다, 현시점이 이상 판정 타이밍인 것으로 판정되어도 된다. 혹은, 소정의 시간이 경과할 때마다 현시점이 이상 판정 타이밍인 것으로 판정되어도 된다. 현시점이 이상 판정 타이밍이 아닌 경우, 이상 판정부 (220) 는 스텝 S1 로 되돌아온다. 현시점이 이상 판정 타이밍이 될 때까지 스텝 S1 ∼ S4 가 반복된다.
현시점이 이상 판정 타이밍인 경우, 이상 판정부 (220) 는, 상관 그래프로 플롯된 데이터 포인트 중, 허용 범위 (R) 를 초과하는 데이터 포인트의 비율을 평가한다 (스텝 S5). 그 후, 이상 판정부 (220) 는, 스텝 S5 에서 평가된 비율이 소정의 임계값을 초과했는지의 여부를 판정한다 (스텝 S6). 비율이 임계값 이하인 경우, 이상 판정부 (220) 는, 이상이 발생한 것으로는 판정하지 않고, 스텝 S1 로 되돌아온다. 비율이 임계값을 초과한 경우, 이상 판정부 (220) 는, 이상이 발생한 것으로 판정한다. 이 경우, 알림부 (230) 는 그 취지를 알리고 (스텝 S7), 스텝 S1 로 되돌아온다.
또한, 스텝 S4 에 있어서, 기판 처리 장치 (1) 에 의한 처리 대상인 모든 기판 (W) 의 처리가 종료됐을 때에, 현시점이 이상 판정 타이밍인 것으로 판정되어도 된다. 이 구성에 있어서는, 스텝 S6 에서 비율이 임계값 이하인 경우에, 이상 검출 처리가 종료된다. 혹은, 스텝 S7 에서 알림이 실행된 후에, 이상 검출 처리가 종료된다.
(4) 효과
본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 조정 밸브 (414, 424) 에 대한 펄스값이 각각 제 1 및 제 2 동작값으로서 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된다. 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값과, 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 이상 판정부 (220) 에 의해 판정된다. 이 경우, 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값과, 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
이상이 발생했는지의 여부는, 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값과 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트 중, 허용 범위 (R) 를 초과하는 데이터 포인트의 비율에 기초하여 판정된다. 이 경우, 간단한 처리로 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 검출할 수 있다.
또, 허용 범위 (R) 는, 기판의 처리 전에 동작값 취득부 (210) 에 의해 미리 취득된 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값과 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트 중, 소정 비율의 데이터 포인트가 포함되도록 정해진다. 그 때문에, 이상 판정에 사용하는 허용 범위 (R) 를 용이하게 정할 수 있다.
(5) 변형예
본 실시형태에 있어서, 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값이 제 1 동작값으로서 취득되고, 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값이 제 2 동작값으로서 취득되지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 동작값 취득부 (210) 에는, 압력계 (402) 에 의해 검출된 순환 배관 (401) 에 흐르는 처리액의 압력이 부여된다. 그래서, 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값이 제 1 동작값으로서 취득되고, 순환 배관 (401) 에 흐르는 처리액의 압력이 제 2 동작값으로서 취득되어도 된다.
도 6 은, 상관 그래프를 나타내는 도면이다. 도 6 의 상관 그래프의 가로축은 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값을 나타내고, 세로축은 처리액의 압력을 나타낸다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 조정 밸브 (414) 의 펄스 제어가 실시될 때마다, 조정 밸브 (414) 에 대한 펄스값과, 처리액의 압력의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트가 상관 그래프로 플롯된다. 플롯된 데이터 포인트 중, 허용 범위 (R) 를 초과하는 데이터 포인트의 비율에 기초하여, 이상이 발생했는지의 여부가 판정된다.
이 구성에 있어서는, 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 조정 밸브 (414) 또는 순환 배관 (401) 에 관련하는 동작 부품에 이상이 발생한 것이 추측된다. 또한, 변형예에 있어서, 조정 밸브 (424) 에 대한 펄스값이 제 1 동작값으로서 취득되어도 된다. 이 구성에 있어서는, 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 조정 밸브 (424) 및 순환 배관 (401) 에 관련하는 동작 부품에 이상이 발생한 것이 추측된다.
<3> 제 2 실시형태
(1) 약액 생성부
제 2 실시형태에 있어서는, 약액 생성부 (300) 의 이상이 검출된다. 도 7 은, 제 2 실시형태에 있어서의 약액 생성부 (300) 의 구성을 나타내는 도면이다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 약액 생성부 (300) 는, 원액 공급부 (310), 희석용액 공급부 (320), 혼합 배관 (330), 기체 공급부 (340), 혼합 탱크 (350) 및 공급 배관 (360) 을 포함한다.
원액 공급부 (310) 는, 배관 (311), 개폐 밸브 (312), 유량계 (313) 및 조정 밸브 (314) 를 포함한다. 배관 (311) 의 상류 단부는, 약액의 원액을 공급하는 원액 공급원 (301) 에 접속된다. 이로써, 원액 공급원 (301) 으로부터의 원액이 배관 (311) 을 흐른다. 본 예에서는, 원액은 불산이다.
배관 (311) 에는, 개폐 밸브 (312), 유량계 (313) 및 조정 밸브 (314) 가 상류에서 하류를 향하여 이 순서로 개재 삽입된다. 개폐 밸브 (312) 는, 배관 (311) 의 유로를 개폐한다. 유량계 (313) 는, 배관 (311) 을 흐르는 원액의 유량을 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다. 조정 밸브 (314) 는, 예를 들어 모터 니들 밸브를 포함하고, 제어부 (200) 에 의한 펄스 제어에 기초하여 배관 (311) 을 흐르는 원액의 유량을 조정한다.
희석용액 공급부 (320) 는, 배관 (321), 개폐 밸브 (322), 유량계 (323) 및 조정 밸브 (324) 를 포함한다. 배관 (321) 의 상류 단부는, 희석용액을 공급하는 희석용액 공급원 (302) 에 접속된다. 이로써, 희석용액 공급원 (302) 으로부터의 희석용액이 배관 (321) 을 흐른다. 본 예에서는, 희석용액은 DIW (De-ionized water) 이다.
배관 (321) 에는, 개폐 밸브 (322), 유량계 (323) 및 조정 밸브 (324) 가 상류에서 하류를 향하여 이 순서로 개재 삽입된다. 개폐 밸브 (322) 는, 배관 (321) 의 유로를 개폐한다. 유량계 (323) 는, 배관 (321) 을 흐르는 희석용액의 유량을 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다. 조정 밸브 (324) 는, 예를 들어 전동 조압 레귤레이터를 포함하고, 제어부 (200) 에 의한 펄스 제어에 기초하여 배관 (321) 을 흐르는 희석용액의 유량을 조정한다.
혼합 배관 (330) 은, 1 개의 주관 (331) 및 2 개의 지관 (332, 333) 을 갖는다. 주관 (331) 의 상류 단부는, 원액 공급부 (310) 의 배관 (311) 의 하류 단부 및 희석용액 공급부 (320) 의 배관 (321) 의 하류 단부에 접속된다. 지관 (332) 은, 주관 (331) 의 하류 단부와 혼합 탱크 (350) 사이에 접속된다. 지관 (333) 은, 주관 (331) 의 하류 단부와 폐액 탱크 (303) 사이에 접속된다. 지관 (332, 333) 에는, 개폐 밸브 (334, 335) 가 각각 개재 삽입된다.
주관 (331) 에 있어서, 원액 공급부 (310) 로부터 공급되는 원액과, 희석용액 공급부 (320) 로부터 공급되는 희석용액이 혼합됨으로써 희석 약액이 생성된다. 본 예에서는, 희석 약액은 희불산이다. 주관 (331) 에 있어서 생성된 희석 약액은, 지관 (332) 을 통하여 혼합 탱크 (350) 에 공급된다.
기체 공급부 (340) 는, 배관 (341) 및 개폐 밸브 (342) 를 포함한다. 배관 (341) 의 상류 단부는, 기체를 공급하는 기체 공급원 (304) 에 접속된다. 이로써, 기체 공급원 (304) 으로부터의 기체가 배관 (341) 을 흐른다. 본 예에서는, 기체는 질소 등의 불활성 가스이다. 배관 (341) 의 하류 단부는 혼합 탱크 (350) 에 접속된다. 개폐 밸브 (342) 는, 배관 (341) 에 개재 삽입되고, 배관 (341) 의 유로를 개폐한다.
혼합 탱크 (350) 는, 원액과 희석용액의 혼합액을 희석 약액으로서 저류한다. 혼합 탱크 (350) 에는, 4 개의 액면 센서 (351, 352, 353, 354) 가 형성된다. 액면 센서 (351 ∼ 354) 는, 혼합 탱크 (350) 에 저류된 희석 약액의 제 1 ∼ 제 4 액면을 각각 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다.
또한, 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 액면은, 이 순서로 하방에서 상방에 위치하는 면이다. 구체적으로는, 제 1 액면은, 혼합 탱크 (350) 의 바닥면보다 약간 상방의 면이다. 제 2 액면은, 제 1 액면보다 소정 높이만큼 상방의 면이다. 제 3 액면은, 제 4 액면보다 소정 높이만큼 하방의 면이다. 제 4 액면은, 혼합 탱크 (350) 의 상면보다 약간 하방의 면이다.
공급 배관 (360) 은, 1 개의 주관 (361) 및 2 개의 지관 (362, 363) 을 갖는다. 주관 (361) 의 상류 단부는, 혼합 탱크 (350) 에 접속된다. 지관 (362) 는, 희석 약액의 순환에 사용되는 순환 배관이고, 주관 (361) 의 하류 단부와 혼합 탱크 (350) 사이에 접속된다. 지관 (363) 은, 기판 (W) 의 처리에 사용되는 처리 배관이고, 주관 (361) 의 하류 단부와 기판 처리부 (100) 사이에 접속된다.
주관 (361) 에는, 농도계 (364) 및 히터 (365) 가 개재 삽입된다. 지관 (362) 에는, 펌프 (366), 필터 (367) 및 개폐 밸브 (368) 가 개재 삽입된다. 지관 (363) 에는, 개폐 밸브 (369) 가 개재 삽입된다. 농도계 (364) 는, 주관 (361) 을 흐르는 희석 약액의 농도를 계측하고, 계측 결과를 제어부 (200) 에 부여한다.
펌프 (366) 가 구동됨과 함께, 개폐 밸브 (368) 가 개방됨으로써, 혼합 탱크 (350) 로부터의 희석 약액이, 히터 (365) 에 의해 가열된 후, 필터 (367) 를 통하여 혼합 탱크 (350) 에 순환된다. 본 예에서는, 혼합 탱크 (350) 에 저류된 희석 약액은, 지관 (362) 을 통하여 상시 순환된다.
또, 개폐 밸브 (342) 와 개폐 밸브 (369) 가 개방됨으로써, 혼합 탱크 (350) 에 저류된 희석 약액이 기체에 의해 가압된다. 이로써, 혼합 탱크 (350) 에 저류된 희석 약액이, 주관 (361) 을 통하여 하류로 유도되고, 히터 (365) 에 의해 가열된 후, 지관 (363) 을 통하여 기판 처리부 (100) 에 공급된다.
도 7 에 일점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 약액 생성부 (300) 는, 도 2 의 순환 배관 (401) 과 동일한 순환 배관 (370) 을 추가로 포함해도 된다. 이 경우, 기판 처리부 (100) 와 혼합 탱크 (350) 사이가 순환 배관 (370) 에 의해 접속된다. 기판 처리부 (100) 에 있어서는, 혼합 탱크 (350) 로부터 공급된 희석 약액의 일부가 세정 등의 기판 처리에 사용된다. 사용되는 희석 약액의 용량은, 기판 처리의 레시피에 의해 정해진다. 기판 처리부 (100) 에 공급된 희석 약액의 다른 일부는, 기판 처리에 사용되지 않고 순환 배관 (370) 을 통하여 혼합 탱크 (350) 에 되돌려진다.
(2) 제어부
본 실시형태에 있어서의 제어부 (200) 의 구성은, 기본적으로 제 1 실시형태에 있어서의 도 3 의 제어부 (200) 의 구성과 동일하기 때문에, 도 3 을 사용하여 제어부 (200) 의 동작을 간이적으로 설명한다. 후술하는 제 3 ∼ 제 7 실시형태에 있어서의 제어부 (200) 에 대해서도 마찬가지이다.
기판 처리부 (100) 에 있어서, 약액 생성부 (300) 로부터 공급된 희석 약액이 사용됨으로써, 혼합 탱크 (350) 에 저류된 희석 약액의 액면이 저하된다. 그래서, 액면 센서 (352) 에 의해 제 2 액면이 검출된 경우, 희석 약액의 보충이 개시된다.
구체적으로는, 도 3 의 동작값 취득부 (210) 는, 개폐 밸브 (312, 322) 를 개방한다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 원액 공급부 (310) 로부터 일정 유량의 원액이 공급되도록 조정 밸브 (314) 의 펄스 제어를 실시한다. 마찬가지로, 동작값 취득부 (210) 는, 희석용액 공급부 (320) 로부터 일정 유량의 희석용액이 공급되도록 조정 밸브 (324) 의 펄스 제어를 실시한다. 이로써, 원액 공급부 (310) 및 희석용액 공급부 (320) 로부터 일정 유량의 원액 및 희석용액이 각각 공급된다.
공급된 원액 및 희석용액이 혼합 배관 (330) 의 주관 (331) 에 있어서 혼합됨으로써, 희석 약액이 생성된다. 동작값 취득부 (210) 는, 유량계 (313, 323) 에 의해 각각 검출된 원액의 유량과 희석용액의 유량의 비에 기초하여, 생성되는 희석 약액의 농도의 이론값을 산출하고, 산출된 농도의 이론값을 제 1 동작값으로서 취득한다.
생성된 희석 약액이 지관 (332) 을 통하여 혼합 탱크 (350) 에 저류됨으로써, 혼합 탱크 (350) 에 저류된 희석 약액의 액면이 상승한다. 동작값 취득부 (210) 는, 액면 센서 (353) 에 의해 제 3 액면이 검출된 경우, 개폐 밸브 (312, 322) 를 폐지한다. 이로써, 희석 약액의 보충이 정지된다. 동작값 취득부 (210) 는, 농도계 (364) 에 의해 검출되는 보충 후의 희석 약액의 농도의 실측값을 제 2 동작값으로서 취득한다.
또한, 희석 약액의 생성 개시 직후 및 생성 종료 직후에는, 희석용액 또는 원액의 유량이 안정되지 않기 때문에, 생성되는 희석 약액의 농도가 불안정해지는 경우가 있다. 그래서, 희석 약액의 생성 개시 직후에는, 소정 시간만큼 개폐 밸브 (335) 가 개방됨과 함께 개폐 밸브 (334) 가 폐지됨으로써 농도가 불안정한 희석 약액이 폐액 탱크 (303) 에 폐기된다. 또, 희석 약액의 생성 종료 직후에도, 소정 시간만큼 개폐 밸브 (335) 가 개방됨과 함께 개폐 밸브 (334) 가 폐지됨으로써 농도가 불안정한 희석 약액이 폐액 탱크 (303) 에 폐기된다. 이로써, 농도가 안정된 희석 약액이 혼합 탱크 (350) 에 저류된다.
도 8 은, 상관 그래프를 나타내는 도면이다. 도 8 의 상관 그래프의 가로축은 농도의 이론값을 나타내고, 세로축은 농도의 실측값을 나타낸다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 이상 판정부 (220) 는, 희석 약액이 보충될 때마다, 보충된 희석 약액의 농도의 이론값과 실측값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트를 상관 그래프로 플롯한다. 또, 이상 판정부 (220) 는, 플롯된 데이터 포인트 중, 허용 범위 (R) 를 초과하는 데이터 포인트의 비율에 기초하여, 이상이 발생했는지의 여부를 판정한다. 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 조정 밸브 (314, 324) 또는 농도계 (364) 에 관련하는 동작 부품에 이상이 발생한 것이 추측된다.
알림부 (230) 는, 이상 판정부 (220) 에 의해 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 그 취지를 사용자에게 알린다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 액면 센서 (351) 에 의해 제 1 액면이 검출된 경우, 또는 액면 센서 (354) 에 의해 제 4 액면이 검출된 경우에는, 약액 생성부 (300) 의 제어가 정지된다. 이 경우에도, 알림부 (230) 는, 약액 생성부 (300) 의 제어가 정지된 것을 사용자에게 알려도 된다.
본 예에 있어서의 이상 검출 처리는, 스텝 S1, S2 에서 각각 희석 약액의 농도의 이론값 및 실측값이 취득되는 점을 제외하고, 도 5 의 이상 검출 처리와 동일하다. 스텝 S1 은, 예를 들어 희석 약액이 보충되는 기간에 실행된다. 스텝 S2 는, 예를 들어 희석 약액의 보충이 정지된 후에 실행된다.
(3) 효과
본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 유량계 (313, 323) 에 의해 각각 검출된 원액의 유량과 희석용액의 유량의 비에 의해 산출된 희석 약액의 농도의 이론값이 제 1 동작값으로서 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된다. 또, 농도계 (364) 에 의해 검출된 희석 약액의 농도의 실측값이 제 2 동작값으로서 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된다.
동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 희석 약액의 농도의 이론값과, 희석 약액의 농도의 실측값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 이상 판정부 (220) 에 의해 판정된다. 이 경우, 희석 약액의 농도의 이론값과, 희석 약액의 농도의 실측값의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 이상 판정부 (220) 는, 제 1 동작값과 제 2 동작값의 차분에 기초하여, 호텔링법 또는 누적합 등에 의해 이상이 발생했는지의 여부를 판정해도 된다. 이후의 제 3 ∼ 제 5 실시형태에 있어서도 마찬가지이다.
<4> 제 3 실시형태
(1) 동작값
제 2 실시형태에 있어서는, 유량계 (313) 에 의해 검출된 원액의 유량의 순시값과, 유량계 (323) 에 의해 검출된 희석용액의 유량의 순시값의 비에 기초하여, 희석 약액의 농도의 이론값이 제 1 동작값으로서 산출된다. 또, 농도계 (364) 에 의해 희석 약액의 농도의 순시값이 제 2 동작값으로서 검출된다. 그러나, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 이하, 제 3 실시형태에 있어서의 동작값에 대해, 도 7 의 약액 생성부 (300) 를 적절히 참조하면서, 제 2 실시형태에 있어서의 동작값과 상이한 점을 설명한다.
도 9 는, 제 3 실시형태에 있어서의 동작값을 설명하기 위한 도면이다. 도 9 에는, 유량계 (313), 유량계 (323) 및 농도계 (364) 에 의해 각각 검출되는 원액의 유량, 희석용액의 유량 및 희석 약액의 농도의 시계열이 나타난다. 도 9 에 나타내는 바와 같이, 개폐 밸브 (312, 322) 가 개방되고 나서 소정 시간 경과 후의 시점 T1 에서, 원액과 희석용액이 혼합 배관 (330) 내에서 혼합됨으로써, 희석 약액의 생성이 개시된다.
상기와 같이, 희석 약액의 생성 개시 직후에는, 원액 및 희석용액의 유량이 안정되지 않는다. 그래서, 시점 T1 로부터 소정 시간 경과 후의 시점 T2 까지의 기간, 개폐 밸브 (335) 가 개방되고, 개폐 밸브 (334) 가 폐지된다. 그 때문에, 생성된 희석 약액은 폐액 탱크 (303) 에 폐기된다. 시점 T2 에서, 개폐 밸브 (335) 가 폐지되고, 개폐 밸브 (334) 가 개방됨으로써, 혼합 탱크 (350) 에 대한 희석 약액의 공급이 개시된다.
시점 T2 로부터 소정 시간 ΔT1 이 경과한 시점 T4 에서, 개폐 밸브 (335) 가 개방되고, 개폐 밸브 (334) 가 폐지된다. 이로써, 혼합 탱크 (350) 에 대한 희석 약액의 공급이 종료된다. 도 3 의 제어부 (200) 의 동작값 취득부 (210) 는, 시점 T2 로부터 시점 T4 까지의 기간에, 유량계 (313) 에 의해 검출된 원액의 유량의 적산값과, 유량계 (323) 에 의해 검출된 희석용액의 유량의 적산값에 기초하여, 생성되는 희석 약액의 농도의 이론값을 산출한다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 산출된 희석 약액의 농도의 이론값을 제 1 동작값으로서 취득한다.
시점 T2 로부터 시간 ΔT1 보다 작은 시간 ΔT2 가 경과한 시점 T3 에서, 혼합 탱크 (350) 에 공급 개시된 시점 T2 의 희석 약액이 농도계 (364) 에 도달한다. 시점 T3 으로부터 시간 ΔT1 이 경과한 시점 T5, 즉 시점 T4 로부터 시간 ΔT2 가 경과한 시점 T5 에서, 혼합 탱크 (350) 에 공급 종료된 시점 T4 의 희석 약액이 농도계 (364) 에 도달한다. 동작값 취득부 (210) 는, 시점 T3 으로부터 시점 T5 까지의 기간에, 농도계 (364) 에 의해 검출된 희석 약액의 농도의 통계값을 산출한다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 산출된 희석 약액의 농도의 통계값을 제 2 동작값으로서 취득한다.
본 실시형태에서는, 상기의 통계값은 평균값이고, 구체적으로는, 시점 T3 으로부터 시점 T5 까지의 기간의 각 시점에 검출된 농도의 총합을 검출 횟수로 제산한 값이다. 통계값은, 가중 평균값 등의 다른 연산값이어도 된다. 또, 시간 ΔT2 는, 측정에 의해 결정되어도 되고, 유로의 길이, 유로의 단면적 및 희석 약액의 유량에 기초한 연산에 의해 결정되어도 된다.
본 실시형태에 있어서의 이상 검출 처리는, 스텝 S1, S2 에서 각각 희석 약액의 농도의 이론값 및 통계값이 취득되는 점을 제외하고, 도 5 의 이상 검출 처리와 동일하다. 스텝 S1, S2 는, 예를 들어 희석 약액이 보충되는 기간에 실행된다. 스텝 S1 은 스텝 S2 보다 시간 ΔT2 만큼 빠른 시점에서 실행 가능하지만, 스텝 S1 이 종료되기 전에 스텝 S2 가 개시되어도 된다.
(2) 효과
본 실시형태에 있어서는, 희석 약액의 농도의 이론값과 희석 약액의 농도의 통계값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 제어부 (200) 의 이상 판정부 (220) 에 의해 판정된다. 여기서, 본 실시형태에서 취득된 희석 약액의 농도의 이론값과 희석 약액의 농도의 통계값 사이의 상관은, 제 2 실시형태에서 취득된 희석 약액의 농도의 이론값과 희석 약액의 농도의 실측값 사이의 상관보다 강하다. 그 때문에, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 보다 확실하게 검출할 수 있다.
<5> 제 4 실시형태
(1) 동작값
제 4 실시형태에 있어서의 동작값에 대해, 도 7 의 약액 생성부 (300) 를 적절히 참조하면서, 제 2 실시형태에 있어서의 동작값과 상이한 점을 설명한다. 본 실시형태에 있어서는, 희석 약액의 농도를 예측하기 위한 농도 예측 모델이 미리 구축된다. 구축된 농도 예측 모델은, 도 1 의 제어부 (200) 의 메모리 등에 기억된다.
농도 예측 모델의 구축시에는, 기판 처리시와 동일한 제어가 약액 생성부 (300) 의 각 부에 실시된다. 농도 예측 모델은, 약액 생성부 (300) 의 설치시 등, 약액 생성부 (300) 가 경년 열화되기 전에 구축되는 것이 바람직하다. 도 10 은, 농도 예측 모델의 구축 순서의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 도 10 에는, 원액의 유량, 희석용액의 유량, 기판 처리부 (100) 에 있어서의 기판 (W) 에 대한 희석 약액의 토출량, 및 희석 약액의 농도의 시계열이 나타난다.
도 10 에 나타내는 바와 같이, 농도 예측 모델의 구축시에는, 복수의 시점에 있어서의 원액의 유량, 희석용액의 유량, 희석 약액의 토출량 및 희석 약액의 농도가 순차 검출된다. 또한, 원액의 유량, 희석용액의 유량 및 희석 약액의 농도는, 유량계 (313), 유량계 (323) 및 농도계 (364) 에 의해 각각 검출된다. 희석 약액의 토출량은, 도시하지 않는 유량계에 의해 검출되어도 되고, 유로의 용량 및 토출 시간 등에 기초하는 연산에 의해 검출되어도 된다.
각 시점과, 당해 시점으로부터 소정 시간 ΔT11 전에 있어서의 시점 사이에 검출된 원액의 유량, 희석용액의 유량, 희석 약액의 토출량 및 희석 약액의 농도로 이루어지는 데이터 세트가, 각 시점에 대응하는 설명 변수로서 취득된다. 또, 각 시점으로부터 소정 시간 ΔT12 후의 희석 약액의 농도가, 각 시점에 대응하는 목적 변수로서 취득된다. 취득된 각 시점에 대응하는 설명 변수 및 목적 변수에 기초하여, 당해 시점에 대응하는 설명 변수와 목적 변수의 관계를 나타내는 교사 데이터가 생성된다.
도 10 의 예에서는, 시점 T11 과, 시점 T11 로부터 시간 ΔT11 경과 후의 시점 T12 사이에 검출된 데이터 세트가, 시점 T12 에 대응하는 설명 변수가 된다. 또, 시점 T12 로부터 시간 ΔT12 경과 후의 시점 T13 에 검출된 희석 약액의 농도가, 시점 T12 에 대응하는 목적 변수가 된다. 시점 T12 보다 후의 시점에 대해서도, 설명 변수 및 목적 변수가 순차 취득됨으로써, 복수의 교사 데이터가 생성된다.
기계 학습 모델로서, LightGBM (Gradient Boosting Machine) 이 미리 준비된다. LightGBM 이 생성된 복수의 교사 데이터를 학습함으로써 농도 예측 모델이 구축된다. 본 실시형태에서는, 기계 학습 모델은 LightGBM 이지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 기계 학습 모델은, 선형 회귀, Lasso 회귀 또는 LSTM (Long Short Term Memory) 등이어도 된다.
기판 처리시에는, 복수의 시점에 있어서의 원액의 유량, 희석용액의 유량, 희석 약액의 토출량 및 희석 약액의 농도가 유량계 (313, 323) 또는 농도계 (364) 등에 의해 검출된다. 도 3 의 제어부 (200) 의 동작값 취득부 (210) 는, 각 시점과, 당해 시점으로부터 시간 ΔT11 전에 있어서의 시점 사이에 검출된 원액의 유량, 희석용액의 유량, 희석 약액의 토출량 및 희석 약액의 농도를, 각 시점에 대응하는 데이터 세트로서 취득한다.
여기서, 동작값 취득부 (210) 는, 취득된 각 시점에 대응하는 데이터 세트와, 미리 구축된 농도 예측 모델에 기초하여, 각 시점으로부터 시간 ΔT12 후에 있어서의 희석 약액의 농도를 예측한다. 동작값 취득부 (210) 는, 희석 약액의 농도의 예측값을 제 1 동작값으로서 취득한다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 각 시점으로부터 시간 ΔT12 후에 검출된 희석 약액의 농도의 실측값을 제 2 동작값으로서 취득한다. 이 경우, 가로축이 농도의 예측값을 나타내고, 세로축이 농도의 실측값을 나타내는 상관 그래프가 작성된다.
본 예에 있어서의 이상 검출 처리는, 스텝 S1, S2 에서 각각 희석 약액의 농도의 예측값 및 실측값이 취득되는 점을 제외하고, 도 5 의 이상 검출 처리와 동일하다. 스텝 S1, S2 는, 예를 들어 희석 약액이 보충되는 기간에 실행된다.
(2) 효과
본 실시형태에 있어서는, 희석 약액의 농도의 예측값과 희석 약액의 농도의 실측값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 이상 판정부 (220) 에 의해 판정된다. 여기서, 본 실시형태에서 취득된 희석 약액의 농도의 예측값과 희석 약액의 농도의 실측값 사이의 상관은, 제 2 실시형태에서 취득된 희석 약액의 농도의 이론값과 희석 약액의 농도의 실측값 사이의 상관보다 강하다. 그 때문에, 비교적 짧은 기간에 기판 처리 장치 (1) 에 발생하는 단발적인 이상을 보다 확실하게 검출할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 교사 데이터의 설명 변수는 원액의 유량, 희석용액의 유량, 희석 약액의 토출량 및 희석 약액의 농도를 포함하지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 목적 변수에 대한 희석 약액의 토출량의 기여가 비교적 작은 경우에는, 교사 데이터의 설명 변수는 희석 약액의 토출량을 포함하지 않아도 된다. 한편으로, 교사 데이터의 설명 변수는, 원액의 유량, 희석용액의 유량, 희석 약액의 토출량 및 희석 약액의 농도 이외의 특징량을 포함해도 된다. 이 경우, 희석 약액의 농도를 보다 정확하게 예측하는 것이 가능해진다.
(3) 참고예
본 실시형태에 있어서는, 원액 및 희석용액의 유량은, 각각 조정 밸브 (314, 324) 에 의해 일정하게 제어된다. 또, 유량이 안정되지 않는 기간의 희석용액 및 원액은, 혼합 탱크 (350) 에 공급되지 않고 폐액 탱크 (303) 에 폐기된다. 이 구성에 있어서는, 목적 변수에 대한 원액 및 희석용액의 유량의 기여는 비교적 작으므로, 교사 데이터의 설명 변수는 원액 또는 희석용액의 유량을 포함하지 않아도 된다. 이 경우에도, 희석 약액의 농도의 실측값과 강한 상관을 갖는 희석 약액의 농도의 예측값을 취득할 수 있다.
<6> 제 5 실시형태
(1) 동작값
제 5 실시형태에 있어서의 동작값에 대해, 도 7 및 후술하는 도 11 의 약액 생성부 (300) 를 적절히 참조하면서, 제 3 실시형태에 있어서의 동작값과 상이한 점을 설명한다.
도 11 은, 도 7 의 약액 생성부 (300) 의 부분 확대도이다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 희석 약액의 보충시의 시점 t 에는, 용량 W1 (t) 의 희석 약액이 단위 시간에 혼합 배관 (330) 을 통하여 혼합 탱크 (350) 에 유입된다. 본 예에서는, 단위 시간은 유량계 (313, 323) 에 의한 유량 검출의 주기 τ1 이다. 따라서, 용량 W1 (t) 는, 시점 t 와, 주기 τ1 전의 시점 사이에 혼합 탱크 (350) 에 유입되는 희석 약액의 용량이고, 유량계 (313, 323) 에 의해 각각 검출되는 원액 및 희석용액의 유량에 기초하여 산출된다. 유입되는 희석용액의 농도 C0 (t) 는, 원액 및 희석용액의 유량 그리고 원액의 비중에 기초하여 산출된다.
또, 용량 W2 의 희석 약액이 단위 시간에 공급 배관 (360) 을 통하여 혼합 탱크 (350) 로부터 유출된다. 용량 W2 는, 시간에 의존하지 않는 이미 알려진 일정값이고, 펌프 (366) 의 동작 파라미터에 의해 정해진다.
또한, 시점 t 에는, 용량 W3 (t) 의 희석 약액이 단위 시간에 순환 배관 (370) 을 통하여 혼합 탱크 (350) 에 유입된다. 여기서, 기판 처리부 (100) 를 통과한 희석 약액은, 소정의 시간 τ0 이 경과한 후에 혼합 탱크 (350) 에 도달한다. 따라서, 용량 W3 (t) 는, 시점 t 로부터 시간 τ0 전의 시점 (t-τ0) 에 기판 처리부 (100) 에서 사용된 희석 약액의 용량을 용량 W2 로부터 감산함으로써 산출된다. 시간 τ0 은, 측정에 의해 결정되어도 되고, 유로의 길이, 유로의 단면적 및 희석 약액의 유량에 기초한 연산에 의해 결정되어도 된다.
이들 희석 약액의 유입 및 유출에 의해, 혼합 탱크 (350) 에는, 시점 t 에 용량 W(t) 의 희석 약액이 저류된다. 시점 t 에 있어서의 용량 W(t) 의 갱신식 및 혼합 탱크 (350) 에 저류되는 희석 약액의 농도 C(t) 의 갱신식은, 하기 식 (1) 및 (2) 에 의해 산출된다.
Figure pat00001
식 (2) 에 있어서, τ2 는, 공급 배관 (360) 을 통하여 혼합 탱크 (350) 로부터 유출된 희석 약액이 순환 배관 (370) 을 통하여 혼합 탱크 (350) 에 유입될 때까지의 주기이다. 주기 τ2 는, 측정에 의해 결정되어도 되고, 유로의 길이, 유로의 단면적 및 희석 약액의 유량에 기초한 연산에 의해 결정되어도 된다. 초기값으로서의 용량 W(t-τ1) 및 농도 C(t-τ1), C(t-τ2) 는, 실측값에 정합하도록 적절히 결정되어도 된다.
도 3 의 제어부 (200) 의 동작값 취득부 (210) 는, 식 (2) 에 기초하여, 각 시점 t 에 혼합 탱크 (350) 에 저류된 희석 약액의 농도 C(t) 를 산출한다. 동작값 취득부 (210) 는, 산출된 희석 약액의 농도 C(t) 의 이론값을 제 1 동작값으로서 취득한다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 각 시점 t 로부터 도 9 의 시간 ΔT2 가 경과한 시점에 농도계 (364) 에 의해 검출된 농도 (즉 농도 C(t+ΔT2)) 의 실측값을 제 2 동작값으로서 취득한다. 시간 ΔT2 는, 혼합 탱크 (350) 로부터 유출된 희석 약액이 농도계 (364) 에 도달할 때까지의 시간이다. 이 경우, 가로축이 농도의 이론값을 나타내고, 세로축이 농도의 실측값을 나타내는 상관 그래프가 작성된다.
본 예에 있어서의 이상 검출 처리는, 스텝 S1, S2 에서 각각 희석 약액의 농도의 예측값 및 실측값이 취득되는 점을 제외하고, 도 5 의 이상 검출 처리와 동일하다. 스텝 S1, S2 는, 희석 약액이 보충되는 기간에 실행되어도 된다. 한편으로, 스텝 S1, S2 는, 희석 약액이 보충되지 않는 기간에도 실행되어도 된다. 이 경우, 희석 약액의 보충시 이외의 시점에서는, W1 (t) 및 농도 C0 (t) 를 0 으로 하면 된다.
(2) 효과
본 실시형태에 있어서는, 혼합 탱크 (350) 에 저류되는 희석 약액의 농도의 이론값과 희석 약액의 농도의 실측값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 제어부 (200) 의 이상 판정부 (220) 에 의해 판정된다. 여기서, 기판 처리부 (100) 에 공급되는 희석 약액의 농도가 변동되는 경우, 기판 처리부 (100) 에 있어서의 미사용의 희석 약액이 혼합 탱크 (350) 에 되돌려짐으로써, 혼합 탱크 (350) 에 저류되는 희석 약액의 농도가 변동된다.
이 경우에도, 본 실시형태에 의하면, 혼합 탱크 (350) 에 유입 또는 유출되는 희석 약액의 용량과, 원액의 유량 및 희석용액의 유량에 기초하여 혼합 탱크 (350) 에 저류되는 희석 약액의 농도의 이론값이 산출되므로, 희석 약액의 농도의 이론값과, 희석 약액의 농도의 통계값 사이의 상관을 강하게 할 수 있다. 이로써, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 보다 확실하게 검출할 수 있다.
식 (2) 에 기초하여 산출된 희석 약액의 농도의 이론값과, 농도계 (364) 에 의해 검출된 희석 약액의 농도의 실측값 사이에는, 일정한 편차량이 존재하는 경우가 있다. 그래서, 편차량이 없어지도록, 적절히 정해진 오프셋값이 혼합 탱크 (350) 에 유입되는 희석용액의 농도 C0 (t) 에 더해져도 된다. 이 경우, 희석 약액의 농도의 산출 개시 직후의 기간에 있어서도, 희석 약액의 농도의 이론값과 희석 약액의 농도의 실측값 사이의 상관을 강하게 할 수 있다.
<7> 제 6 실시형태
(1) 회전 유지부
제 6 실시형태에 있어서는, 기판 처리부 (100) 의 동작 부품으로서, 각 처리 유닛 (110) 에 포함되는 회전 유지부의 이상이 검출된다. 도 12 는, 제 6 실시형태에 있어서의 회전 유지부의 구성을 나타내는 측면도이다. 도 12 에 나타내는 바와 같이, 회전 유지부 (500) 는, 스핀 척 (510), 복수의 척 핀 (520) 및 척 구동부 (530) 를 포함한다. 스핀 척 (510) 은, 기판 (W) 을 수평으로 유지하여 회전시키도록 구성되고, 스핀 구동부 (511), 회전축 (512), 플레이트 지지 부재 (513) 및 스핀 플레이트 (514) 를 포함한다.
스핀 구동부 (511) 는, 도 1 의 처리 유닛 (110) 에 있어서의 상부에 형성되고, 도시하지 않는 지지 부재에 의해 지지된다. 회전축 (512) 은, 스핀 구동부 (511) 로부터 하방으로 연장되도록 형성된다. 플레이트 지지 부재 (513) 는, 회전축 (512) 의 하단부에 장착된다. 스핀 플레이트 (514) 는 원판상을 갖고, 플레이트 지지 부재 (513) 에 의해 수평으로 지지된다. 스핀 구동부 (511) 에 의해 회전축 (512) 이 회전함으로써, 스핀 플레이트 (514) 가 연직축의 둘레로 회전한다.
복수의 척 핀 (520) 은, 회전축 (512) 에 관하여 등각도 간격으로 스핀 플레이트 (514) 의 주연부에 형성된다. 본 예에서는, 8 개의 척 핀 (520) 이, 회전축 (512) 에 관하여 45 도 간격으로 스핀 플레이트 (514) 의 주연부에 형성된다. 각 척 핀 (520) 은, 축부 (521), 핀 지지부 (522) 및 유지부 (523) 를 포함한다. 축부 (521) 는, 스핀 플레이트 (514) 를 수직 방향으로 관통하도록 형성된다. 핀 지지부 (522) 는, 축부 (521) 의 하단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 형성된다. 유지부 (523) 는, 핀 지지부 (522) 의 선단부로부터 하방으로 돌출되도록 형성된다.
각 척 핀 (520) 은, 축부 (521) 를 중심으로 연직축의 둘레로 회전함으로써, 닫힘 상태와 열림 상태로 전환된다. 닫힘 상태에 있어서는, 각 유지부 (523) 가 기판 (W) 의 외주 단부 (베벨부) 에 맞닿는다. 열림 상태에 있어서는, 각 유지부 (523) 가 기판 (W) 의 외주 단부로부터 이간된다.
척 구동부 (530) 는, 예를 들어 로터리 액추에이터, 마그넷, 리니어 슬라이드 및 캠을 포함하고, 닫힘 상태와 열림 상태로 전환된다. 도 13 은, 회전 유지부 (500) 의 구성을 나타내는 기능 블록도이다. 도 13 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (200) 는, 척 구동부 (530) 를 닫힘 상태로 하기 위한 지시 (이하, 닫힘 지시라고 부른다.) 를 척 구동부 (530) 에 부여한다. 또, 제어부 (200) 는, 척 구동부 (530) 를 열림 상태로 하기 위한 지시 (이하, 열림 지시라고 부른다.) 를 척 구동부 (530) 에 부여한다.
척 구동부 (530) 에 닫힘 지시가 부여되면, 로터리 액추에이터에 에어가 공급됨으로써, 척 구동부 (530) 가 닫힘 상태가 된다. 이 경우, 마그넷이 회전함으로써 리니어 슬라이드가 직진 이동한다. 리니어 슬라이드의 직진 이동이 캠에 의해 각 척 핀 (520) 을 회전시키는 회전 이동으로 변환된다. 이로써, 각 척 핀 (520) 이 닫힘 상태가 된다. 한편, 척 구동부 (530) 에 열림 지시가 부여되면, 로터리 액추에이터에 대한 에어의 공급이 정지됨으로써, 척 구동부 (530) 가 열림 상태가 된다. 이 경우, 각 척 핀 (520) 이 열림 상태가 된다.
또, 회전 유지부 (500) 는, 복수의 홀 (Hall) 센서 (524) 및 홀 센서 (531) 를 포함한다. 복수의 홀 센서 (524) 는, 복수의 척 핀 (520) 에 각각 대응한다. 각 홀 센서 (524) 는, 대응하는 척 핀 (520) 에 형성된 도시하지 않는 마그넷에 기초하여 당해 척 핀 (520) 의 상태를 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다. 홀 센서 (531) 는, 척 구동부 (530) 의 마그넷에 기초하여 척 구동부 (530) 의 상태를 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다.
(2) 제어부
이하의 설명에서는, 8 개의 척 핀 (520) 을 각각 제 1 ∼ 제 8 척 핀 (520) 이라고 부른다. 제 1 및 제 2 척 핀 (520) 이 쌍이 되고, 제 3 및 제 4 척 핀 (520) 이 쌍이 된다. 제 5 및 제 6 척 핀 (520) 이 쌍이 되고, 제 7 및 제 8 척 핀 (520) 이 쌍이 된다. 이하, 제 1 및 제 2 척 핀 (520) 에 대한 제어부 (200) 의 동작을 설명하지만, 제 3 ∼ 제 8 척 핀 (520) 에 대한 제어부 (200) 의 동작도 동일하다.
도 3 의 동작값 취득부 (210) 는, 척 구동부 (530) 에 닫힘 지시 또는 열림 지시를 부여한다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 제 1 척 핀 (520) 에 대응하는 홀 센서 (524) 로부터 부여되는 검출 결과에 기초하여, 제 1 척 핀 (520) 의 천이 시간을 제 1 동작값으로서 취득한다. 마찬가지로, 동작값 취득부 (210) 는, 제 2 척 핀 (520) 에 대응하는 홀 센서 (524) 로부터 부여되는 검출 결과에 기초하여, 제 2 척 핀 (520) 의 천이 시간을 제 2 동작값으로서 취득한다.
척 핀 (520) 의 천이 시간은, 척 구동부 (530) 에 닫힘 지시가 부여되고 나서 척 핀 (520) 이 닫힘 상태가 될 때까지의 시간, 또는 척 구동부 (530) 에 열림 지시가 부여되고 나서 척 핀 (520) 이 열림 상태가 될 때까지의 시간이다.
도 14 는, 닫힘 지시시에 있어서의 척 핀 (520) 의 천이 시간을 설명하기 위한 도면이다. 도 14 에 나타내는 바와 같이, 시점 t1 에서 척 구동부 (530) 에 닫힘 지시가 부여된다. 이 경우, 척 구동부 (530) 가 열림 상태로부터 닫힘 상태로 전환된다. 이로써, 각 척 핀 (520) 이 열림 상태로부터 닫힘 상태로 전환되고, 시점 t2 에서 각 척 핀 (520) 이 닫힘 상태에 있는 것이 홀 센서 (524) 에 의해 검출된다. 동작값 취득부 (210) 는, 각 척 핀 (520) 에 대해, 닫힘 지시가 부여된 시점 t1 로부터 닫힘 상태에 있는 것이 검출된 시점 t2 까지의 천이 시간 Δt1 을 취득한다.
도 15 는, 열림 지시시에 있어서의 척 핀 (520) 의 천이 시간을 설명하기 위한 도면이다. 도 15 에 나타내는 바와 같이, 시점 t11 에서 척 구동부 (530) 에 열림 지시가 부여된다. 이 경우, 척 구동부 (530) 가 닫힘 상태로부터 열림 상태로 전환된다. 이로써, 각 척 핀 (520) 이 닫힘 상태로부터 열림 상태로 전환되고, 시점 t12 에서 각 척 핀 (520) 이 열림 상태에 있는 것이 홀 센서 (524) 에 의해 검출된다. 동작값 취득부 (210) 는, 각 척 핀 (520) 에 대해, 열림 지시가 부여된 시점 t11 로부터 열림 상태에 있는 것이 검출된 시점 t12 까지의 천이 시간 Δt11 을 취득한다.
도 3 의 이상 판정부 (220) 는, 척 구동부 (530) 에 닫힘 지시 또는 열림 지시가 부여될 때마다, 제 1 척 핀 (520) 의 천이 시간과, 제 2 척 핀 (520) 의 천이 시간의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트를 상관 그래프로 플롯한다. 데이터 포인트는, 닫힘 지시와 열림 지시에서 별개로 플롯되어도 된다. 이 경우, 허용 범위 (R) 는, 닫힘 지시와 열림 지시에서 별개로 정해진다.
이상 판정부 (220) 는, 플롯된 데이터 포인트 중, 허용 범위 (R) 를 초과하는 데이터 포인트의 비율에 기초하여, 이상이 발생했는지의 여부를 판정한다. 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 제 1 또는 제 2 척 핀 (520) 에 관련하는 동작 부품에 이상이 발생한 것이 추측된다. 제 1 또는 제 2 척 핀 (520) 에 관련하는 동작 부품은, 척 구동부 (530) 의 로터리 액추에이터, 마그넷, 리니어 슬라이드 또는 캠 등을 포함한다. 알림부 (230) 는, 이상 판정부 (220) 에 의해 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 그 취지를 사용자에게 알린다.
본 예에 있어서의 이상 검출 처리는, 스텝 S1, S2 에서 각각 제 1 및 제 2 척 핀 (520) 의 천이 시간이 취득되는 점을 제외하고, 도 5 의 이상 검출 처리와 동일하다. 스텝 S1, S2 는, 척 구동부 (530) 에 대한 닫힘 지시 또는 열림 지시에 응답하여 대략 동시에 실행된다. 스텝 S1, S2 는, 닫힘 지시 및 열림 지시의 일방에만 응답하여 실행되어도 된다.
(3) 효과
본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 제 1 및 제 2 척 핀 (520) 의 천이 시간이 각각 제 1 및 제 2 동작값으로서 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된다. 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 제 1 척 핀 (520) 의 천이 시간과, 제 2 척 핀 (520) 의 천이 시간의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 이상 판정부 (220) 에 의해 판정된다. 이 경우, 제 1 척 핀 (520) 의 천이 시간과, 제 2 척 핀 (520) 의 천이 시간의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(4) 변형예
본 실시형태에 있어서, 제 1 척 핀 (520) 의 천이 시간이 제 1 동작값으로서 취득되고, 제 2 척 핀 (520) 의 천이 시간이 제 2 동작값으로서 취득되지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 각 척 핀 (520) 의 천이 시간과, 척 구동부 (530) 의 천이 시간에는 시간차가 발생하는 경우가 있다.
도 16 은, 척 핀 (520) 및 척 구동부 (530) 의 천이 시간을 설명하기 위한 도면이다. 도 16 에 나타내는 바와 같이, 시점 t1 에서 척 구동부 (530) 에 닫힘 지시가 부여된다. 이 경우, 도 14 와 마찬가지로, 시점 t2 에서 각 척 핀 (520) 이 닫힘 상태에 있는 것이 홀 센서 (524) 에 의해 검출된다. 한편, 척 구동부 (530) 가 닫힘 상태에 있는 것이 홀 센서 (531) 에 의해 검출되는 것은, 시점 t2 보다 후의 시점 t3 이다. 열림 지시에 있어서도, 동일한 시간차가 발생하는 경우가 있다.
그래서, 어느 척 핀 (520) 의 천이 시간 Δt1 이 제 1 동작값으로서 취득되고, 척 구동부 (530) 의 천이 시간 Δt2 가 제 2 동작값으로서 취득되어도 된다. 혹은, 천이 시간 Δt2 를 대신하여, 시점 t2 로부터 시점 t3 까지의 시간이 제 2 동작값으로서 취득되어도 된다. 이 구성에 있어서는, 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 어느 척 핀 (520) 또는 척 구동부 (530) 에 관련하는 동작 부품에 이상이 발생한 것이 추측된다.
(5) 참고예
참고예에 있어서의 이상 검출 처리로서, 각 척 핀 (520) 또는 척 구동부 (530) 의 천이 시간의 시간 변화가 감시되고, 천이 시간이 소정의 허용 범위를 초과한 경우에, 이상이 발생한 것으로 판정하는 것도 가능하다. 그러나, 참고예에 있어서는, 실제로 이상이 발생하고 있지 않은 경우에도, 천이 시간이 소정의 허용 범위를 초과함으로써 이상이 발생한 것으로 판정되는 경우가 있다. 그 때문에, 참고예에 있어서는, 이상을 정확하게 검출하는 것은 곤란하다.
<8> 제 7 실시형태
(1) 처리액 공급부
제 7 실시형태에 있어서는, 기판 처리부 (100) 의 동작 부품으로서, 각 처리 유닛 (110) 에 포함되는 처리액 공급부의 이상이 검출된다. 도 17 은, 처리액 공급부의 구성을 나타내는 도면이다. 도 17 에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급부 (600) 는, 스캔 구동부 (610, 620) 및 세정구 (630, 640) 를 포함한다.
스캔 구동부 (610, 620) 의 각각은, 예를 들어 스테핑 모터 및 인코더를 포함한다. 스캔 구동부 (610) 는, 제어부 (200) 에 의한 펄스 제어에 기초하여, 기판 (W) 의 외방에 있는 대기 위치와, 기판 (W) 의 중심의 하방에 있는 처리 위치 사이에서 세정구 (630) 를 이동시킨다. 또, 스캔 구동부 (610) 는, 세정구 (630) 가 처리 위치에 도달한 것을 인코더에 의해 검출하고, 위치 결정이 완료된 것을 나타내는 위치 결정 완료 신호를 제어부 (200) 에 부여한다.
스캔 구동부 (620) 는, 제어부 (200) 에 의한 펄스 제어에 기초하여, 기판 (W) 의 외방에 있는 대기 위치와, 기판 (W) 의 중심의 하방에 있는 처리 위치 사이에서 세정구 (640) 를 이동시킨다. 또, 스캔 구동부 (620) 는, 세정구 (640) 가 처리 위치에 도달한 것을 인코더에 의해 검출하고, 위치 결정이 완료된 것을 나타내는 위치 결정 완료 신호를 제어부 (200) 에 부여한다.
세정구 (630, 640) 의 각각은, 예를 들어 노즐이고, 처리 위치에 있어서 기판 (W) 의 하면의 중심 근방에 처리액을 공급한다. 이로써, 기판 (W) 의 처리가 실시된다. 기판 (W) 은, 예를 들어 도 12 의 회전 유지부 (500) 에 의해 유지된 상태에서 처리되어도 된다. 또한, 세정구 (630) 는, 노즐이 아니라 기판 (W) 을 세정하는 브러시 (연마 브러시를 포함한다.) 여도 된다. 마찬가지로, 세정구 (640) 는, 노즐이 아니라 기판 (W) 을 세정하는 브러시 (연마 브러시를 포함한다.) 여도 된다.
또, 본 예에서는, 스캔 구동부 (610, 620) 및 세정구 (630, 640) 는 동일한 처리 유닛 (110) 에 형성되지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 세정구 (630) 를 사용한 기판 처리와 세정구 (640) 를 사용한 기판 처리가 대략 동일한 빈도로 실시되는 한, 스캔 구동부 (610) 및 세정구 (630) 와 스캔 구동부 (620) 및 세정구 (640) 가 별개의 처리 유닛 (110) 에 형성되어도 된다.
(2) 제어부
도 3 의 동작값 취득부 (210) 는, 기판 처리시에, 스캔 구동부 (610) 를 펄스 제어함으로써, 세정구 (630) 를 대기 위치로부터 처리 위치를 향하여 이동시킨다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 스캔 구동부 (610) 로부터 부여되는 위치 결정 완료 신호에 기초하여, 세정구 (630) 의 천이 시간을 제 1 동작값으로서 취득한다. 세정구 (630) 의 천이 시간은, 스캔 구동부 (610) 의 펄스 제어가 개시되고 나서 위치 결정 완료 신호가 부여될 때까지의 시간이다.
도 18 은, 세정구 (630) 의 천이 시간을 설명하기 위한 도면이다. 도 18 의 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 스캔 구동부 (610) 에 대한 펄스값을 나타낸다. 도 18 에 나타내는 바와 같이, 시점 t21 에서, 스캔 구동부 (610) 의 펄스 제어가 개시된다. 이 경우, 세정구 (630) 가 대기 위치로부터 처리 위치를 향하여 이동한다. 시점 t22 에서, 위치 결정 완료 신호가 부여된다. 이로써, 동작값 취득부 (210) 는 펄스 제어를 종료한다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 펄스 제어가 개시된 시점 t21 로부터 위치 결정 완료 신호가 부여된 시점 t22 까지의 천이 시간 Δt21 을 취득한다.
마찬가지로, 동작값 취득부 (210) 는, 기판 처리시에, 스캔 구동부 (620) 를 펄스 제어함으로써, 세정구 (640) 를 대기 위치로부터 처리 위치를 향하여 이동시킨다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 스캔 구동부 (620) 로부터 부여되는 위치 결정 완료 신호에 기초하여, 세정구 (640) 의 천이 시간을 제 2 동작값으로서 취득한다. 세정구 (640) 의 천이 시간은, 스캔 구동부 (620) 의 펄스 제어가 개시되고 나서 위치 결정 완료 신호가 부여될 때까지의 시간이다.
또한, 세정구 (630, 640) 의 각각은, 기판 처리의 종료 후, 처리 위치로부터 대기 위치로 되돌려진다. 또, 상기의 예에서는, 세정구 (630, 640) 의 대기 위치로부터 처리 위치로의 천이 시간이 각각 제 1 및 제 2 동작값이지만, 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 세정구 (630, 640) 의 처리 위치로부터 대기 위치로의 천이 시간이 각각 제 1 및 제 2 동작값이어도 된다.
도 3 의 이상 판정부 (220) 는, 스캔 구동부 (610, 620) 가 펄스 제어될 때마다, 세정구 (630) 의 천이 시간과, 세정구 (640) 의 천이 시간의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트를 상관 그래프로 플롯한다. 또, 이상 판정부 (220) 는, 플롯된 데이터 포인트 중, 허용 범위 (R) 를 초과하는 데이터 포인트의 비율에 기초하여, 이상이 발생했는지의 여부를 판정한다. 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 스캔 구동부 (610, 620) 에 관련하는 동작 부품에 이상이 발생한 것이 추측된다. 알림부 (230) 는, 이상 판정부 (220) 에 의해 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 그 취지를 사용자에게 알린다.
본 예에 있어서의 이상 검출 처리는, 스텝 S1, S2 에서 각각 세정구 (630, 640) 의 천이 시간이 취득되는 점을 제외하고, 도 5 의 이상 검출 처리와 동일하다. 스텝 S1, S2 는, 어느 것이 먼저 실행되어도 된다. 스캔 구동부 (610) 및 세정구 (630) 와 스캔 구동부 (620) 및 세정구 (640) 가 별개의 처리 유닛 (110) 에 형성되는 경우에는, 스텝 S1, S2 는 대략 동시에 실행되어도 된다.
(3) 효과
본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 세정구 (630, 640) 의 천이 시간이 각각 제 1 및 제 2 동작값으로서 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된다. 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 세정구 (630) 의 천이 시간과, 세정구 (640) 의 천이 시간의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 이상 판정부 (220) 에 의해 판정된다. 이 경우, 세정구 (630) 의 천이 시간과, 세정구 (640) 의 천이 시간의 상관에 기초하여, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 조기에 검출할 수 있다.
(4) 참고예
참고예에 있어서의 이상 검출 처리로서, 세정구 (630) 또는 세정구 (640) 의 천이 시간의 시간 변화가 감시되고, 천이 시간이 소정의 허용 범위를 초과한 경우에, 이상이 발생한 것으로 판정하는 것도 가능하다. 그러나, 참고예에 있어서는, 실제로 이상이 발생하고 있지 않은 경우에도, 천이 시간이 소정의 허용 범위를 초과함으로써 이상이 발생한 것으로 판정되는 경우가 있다. 그 때문에, 참고예에 있어서는, 이상을 정확하게 검출하는 것은 곤란하다.
<9> 제 8 실시형태
(1) 회전 유지부
제 8 실시형태에 있어서는, 기판 처리부 (100) 의 동작 부품으로서, 각 처리 유닛 (110) 에 포함되는 회전 유지부의 이상이 검출된다. 도 19 는, 제 8 실시형태에 있어서의 회전 유지부의 구성을 나타내는 측면도이다. 도 19 에 나타내는 바와 같이, 회전 유지부 (700) 는, 스핀 구동부 (710), 회전축 (720) 및 흡착부 (730) 를 포함한다.
스핀 구동부 (710) 는, 도 1 의 처리 유닛 (110) 에 있어서의 바닥부에 형성된다. 회전축 (720) 은, 스핀 구동부 (710) 로부터 상방으로 연장되도록 형성된다. 흡착부 (730) 는, 회전축 (720) 의 상단부에 장착되고, 기판 (W) 을 흡착함으로써 기판 (W) 을 수평으로 유지한다. 스핀 구동부 (710) 에 의해 회전축 (720) 이 회전함으로써, 흡착부 (730) 가 연직축의 둘레로 회전한다.
스핀 구동부 (710) 에는, 토크 센서 (711) 및 온도 센서 (712) 가 형성된다. 토크 센서 (711) 는, 스핀 구동부 (710) 의 토크를 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다. 온도 센서 (712) 는, 스핀 구동부 (710) 의 온도를 검출하고, 검출 결과를 제어부 (200) 에 부여한다. 또한, 본 예에서 검출되는 토크는, 정격 토크에 대한 백분율 [%] 로 나타낸다.
(2) 제어부
도 20 은, 제어부 (200) 의 구성을 나타내는 기능 블록도이다. 도 20 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 제어부 (200) 는, 동작값 선택부 (240) 를 추가로 포함한다. 이하, 본 실시형태에 있어서의 제어부 (200) 의 동작에 대해, 도 3 의 제어부 (200) 와 상이한 점을 주로 설명한다.
도 21 은, 기판 처리에 있어서의 스핀 구동부 (710) 의 회전 속도 및 토크의 변화를 나타내는 도면이다. 도 21 의 상부에는, 1 개의 기판 (W) 이 처리될 때의 스핀 구동부 (710) 의 회전 속도의 시간 변화가 나타난다. 스핀 구동부 (710) 의 회전 속도의 시간 변화는, 기판 처리의 레시피에 의해 정해진다. 도 21 의 하부에는, 1 개의 기판 (W) 이 처리될 때의 스핀 구동부 (710) 의 토크의 시간 변화가 스핀 구동부 (710) 의 회전 속도와 대응하도록 나타난다.
도 21 의 A 부에 나타내는 바와 같이, 스핀 구동부 (710) 의 회전 속도가 급격하게 변화될 때에는, 스핀 구동부 (710) 의 토크가 극단적으로 커진다. 그래서, 동작값 취득부 (210) 는, 기판 처리의 레시피에 기초하여, 도 21 의 B 부에 있어서의 스핀 구동부 (710) 가 소정의 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 토크를 토크 센서 (711) 로부터 제 1 동작값으로서 취득한다. 또, 동작값 취득부 (210) 는, 스핀 구동부 (710) 가 상기의 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 온도를 온도 센서 (712) 로부터 제 2 동작값으로서 취득한다.
또한, 기판 처리 중에 있어서의 스핀 구동부 (710) 의 회전 속도가 대략 일정한 경우에는, 토크 센서 (711) 에 의해 검출된 토크의 전부가 제 1 동작값으로서 취득되어도 된다. 마찬가지로, 기판 처리 중에 있어서의 스핀 구동부 (710) 의 회전 속도가 대략 일정한 경우에는, 온도 센서 (712) 에 의해 검출된 온도의 전부가 제 2 동작값으로서 취득되어도 된다.
도 22 는, 취득된 토크 및 온도를 나타내는 도면이다. 도 22 의 상부에는, 취득된 토크의 시간 변화가 나타난다. 도 22 의 하부에는, 취득된 온도의 시간 변화가 토크와 대응하도록 나타난다. 도 22 에 있어서는, 취득된 온도가 소정의 기준 온도 이상인지의 여부가 나타난다. 온도가 기준 온도 이상인 경우에는「고」로 나타나고, 온도가 기준 온도 미만인 경우에는「저」로 나타난다.
도 22 의 상부에 나타내는 바와 같이, 토크는, 스핀 구동부 (710) 가 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때에 취득되므로, 극단적으로 크게 변동되지 않고, 비교적 한정된 범위에서 변동된다. 한편으로, 본 발명자는, 여러 가지 실험 및 고찰을 실시한 결과, 스핀 구동부 (710) 의 토크 및 온도에 대해 이하의 지견을 얻었다.
도 22 의 C 부에 나타내는 바와 같이, 기판 처리의 개시 직후의 시점에 있어서는, 토크가 비교적 크다. 마찬가지로, 도 22 의 D 부에 나타내는 바와 같이, 전회의 토크의 취득 시점으로부터 비교적 장기간이 경과한 시점에 있어서도, 토크가 비교적 크다. 또, 기판 처리의 개시 직후의 시점, 또는 전회의 토크의 취득 시점으로부터 비교적 장기간이 경과한 시점에 있어서는, 스핀 구동부 (710) 의 온도가 비교적 낮다. 즉, 토크와 온도는 상관 관계를 갖고, 스핀 구동부 (710) 의 회전 속도가 일정해도, 스핀 구동부 (710) 의 온도가 비교적 낮을 때에는, 토크가 비교적 크다.
그래서, 동작값 선택부 (240) 는, 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 온도 중, 기준 온도 이상의 온도를 선택한다. 또, 동작값 선택부 (240) 는, 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 토크 중, 선택된 온도에 대응하는 토크를 선택한다. 이상 판정부 (220) 는, 동작값 선택부 (240) 에 의해 선택된 토크의 변화에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정한다.
도 23 은, 이상 판정 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 도 23 의 가로축은 토크가 취득된 날을 나타내고, 세로축은 취득된 토크를 나타낸다. 도 23 에 나타내는 바와 같이, 본 예에서는, 일별로 취득된 토크에 기초하여 상자 수염도가 작성되고, 작성된 상자 수염도가 시계열순으로 배치된다. 또, 소정의 토크 기준값 (도 23 의 예에서는 3 %) 을 나타내는 직선이 상자 수염도의 상자를 통과하는지의 여부가 판정된다. 소정 횟수 (본 예에서는 소정 일수) 이상 토크 기준값을 나타내는 직선이 상자 수염도의 상자 부분을 통과하지 않는 경우, 이상이 발생한 것으로 판정된다.
이상 판정 방법은, 상기의 예에 한정되지 않는다. 동작값 선택부 (240) 에 의해 선택된 토크의 시간 변화가 감시되고, 소정 횟수 이상 토크가 미리 정해진 허용 범위를 초과한 경우에, 이상이 발생한 것으로 판정되어도 된다. 알림부 (230) 는, 이상 판정부 (220) 에 의해 이상이 발생한 것으로 판정된 경우, 그 취지를 사용자에게 알린다.
(3) 이상 검출 처리
도 24 는, 도 20 의 제어부 (200) 에 의한 이상 검출 처리를 나타내는 플로 차트이다. 도 24 의 이상 검출 처리는, 제어부 (200) 의 CPU 가 메모리에 기억된 이상 검출 프로그램을 실행함으로써 실시된다. 이상 검출 처리는, 기판 처리와 병행하여 일별로 실행된다. 이하, 도 20 의 제어부 (200) 와 함께, 도 24 의 플로 차트를 사용하여 이상 검출 처리를 설명한다.
먼저, 동작값 취득부 (210) 는, 스핀 구동부 (710) 가 소정의 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 스핀 구동부 (710) 의 토크를 토크 센서 (711) 로부터 취득한다 (스텝 S11). 또, 동작값 취득부 (210) 는, 스텝 S11 에서 취득된 토크에 대응하는 온도를 온도 센서 (712) 로부터 취득한다 (스텝 S12). 스텝 S11, S12 는, 기판 처리의 레시피에 기초하여, 회전하는 기판 (W) 의 처리시에 대략 동시에 실행된다.
다음으로, 동작값 선택부 (240) 는, 스텝 S12 에서 취득된 온도 중, 기준 온도 이상의 온도를 선택한다 (스텝 S13). 계속해서, 동작값 선택부 (240) 는, 스텝 S11 에서 취득된 토크 중, 스텝 S13 에서 선택된 온도에 대응하는 토크를 선택한다 (스텝 S14).
그 후, 이상 판정부 (220) 는, 처리 대상인 모든 기판의 처리가 종료됐는지의 여부를 판정한다 (스텝 S15). 처리 대상인 모든 기판의 처리가 종료되어 있지 않은 경우, 이상 판정부 (220) 는 스텝 S11 로 되돌아온다. 처리 대상인 모든 기판의 처리가 종료될 때까지 스텝 S11 ∼ S15 가 반복된다.
처리 대상인 모든 기판의 처리가 종료된 경우, 이상 판정부 (220) 는, 스텝 S14 에서 선택된 토크를 사용하여 상자 수염도를 작성한다 (스텝 S16). 다음으로, 이상 판정부 (220) 는, 스텝 S16 에서 작성된 상자 수염도를 전일까지 작성된 상자 수염도와 함께 시계열순으로 배치한다 (스텝 S17).
계속해서, 이상 판정부 (220) 는, 소정 일수 이상 토크 기준값을 나타내는 직선이 스텝 S17 에서 배치된 상자 수염도의 상자 부분을 통과하는지의 여부를 판정한다 (스텝 S18). 소정 일수 이상 직선이 상자 수염도의 상자 부분을 통과하는 경우, 이상 판정부 (220) 는, 이상이 발생한 것으로는 판정하지 않고, 이상 검출 처리를 종료한다. 소정 일수 이상 직선이 상자 수염도의 상자 부분을 통과하지 않는 경우, 이상 판정부 (220) 는, 이상이 발생한 것으로 판정한다. 이 경우, 알림부 (230) 는 그 취지를 알리고 (스텝 S19), 이상 검출 처리를 종료한다.
(4) 효과
본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 스핀 구동부 (710) 의 토크가 제 1 동작값으로서 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된다. 또, 스핀 구동부 (710) 의 온도가 제 2 동작값으로서 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된다. 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 온도 중, 기준 온도 이상의 온도가 동작값 선택부 (240) 에 의해 선택된다. 또, 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 토크 중, 선택된 온도에 대응하는 토크가 동작값 선택부 (240) 에 의해 선택된다.
동작값 선택부 (240) 에 의해 선택된 토크의 시계열의 변화에 기초하여 이상 판정부 (220) 에 의해 이상이 발생했는지의 여부가 판정된다. 이 경우, 취득된 토크 중, 소정의 기준을 만족하는 토크의 시계열의 변화에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부가 판정되므로, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 용이하게 또한 정확하게 검출할 수 있다.
또, 제 1 동작값으로서 취득되는 토크는, 스핀 구동부 (710) 가 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 토크이다. 마찬가지로, 제 2 동작값으로서 취득되는 온도는, 스핀 구동부 (710) 가 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 온도이다. 그 때문에, 기판 처리 장치 (1) 의 이상을 보다 정확하게 검출할 수 있다.
(5) 참고예
참고예에 있어서의 이상 검출 처리로서, 스핀 구동부 (710) 의 온도에 상관없이, 동작값 취득부 (210) 에 의해 취득된 모든 스핀 구동부 (710) 의 토크를 사용하여 상기의 상자 수염도를 작성하는 것도 가능하다. 이 구성에 있어서는, 소정 일수 이상 토크 기준값을 나타내는 직선이 상자 수염도의 상자 부분을 통과하지 않는 경우에, 이상이 발생한 것으로 판정된다.
그러나, 참고예에 있어서는, 스핀 구동부 (710) 의 온도가 낮음으로써, 토크 기준값을 나타내는 직선이 상자 수염도의 상자 부분을 통과하지 않는 경우가 있다. 즉, 실제로 이상이 발생하고 있지 않은 경우에도, 소정 일수 이상 토크 기준값을 나타내는 직선이 상자 수염도의 상자 부분을 통과하지 않음으로써 이상이 발생한 것으로 판정되는 경우가 있다. 그 때문에, 참고예에 있어서는, 이상을 정확하게 검출하는 것은 곤란하다.
<10> 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 부의 대응 관계
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 부의 대응의 예에 대해 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다. 청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지 요소를 사용할 수도 있다.
상기 실시형태에 있어서는, 기판 (W) 이 기판의 예이고, 기판 처리 장치 (1) 가 기판 처리 장치의 예이고, 동작값 취득부 (210) 가 동작값 취득부의 예이고, 이상 판정부 (220) 가 이상 판정부의 예이다. 허용 범위 (R) 가 허용 범위의 예이고, 동작값 선택부 (240) 가 동작값 선택부의 예이고, 제어부 (200) 가 처리 장치의 예이다.
제 1 실시형태에 있어서는, 조정 밸브 (414) 가 제 1 동작 부품 또는 제 1 조정 밸브의 예이고, 조정 밸브 (424) 가 제 2 동작 부품 또는 제 2 조정 밸브의 예이다. 혹은, 제 1 실시형태에 있어서는, 조정 밸브 (414) 또는 조정 밸브 (424) 가 제 1 동작 부품 또는 조정 밸브의 예이고, 압력계 (402) 가 제 2 동작 부품 또는 압력계의 예이다.
제 2 ∼ 제 5 실시형태에 있어서는, 유량계 (313) 가 제 1 동작 부품 또는 제 1 유량계의 예이고, 유량계 (323) 가 제 1 동작 부품 또는 제 2 유량계의 예이고, 농도계 (364) 가 제 2 동작 부품 또는 농도계의 예이다. 혼합 탱크 (350) 가 저류부의 예이고, 기판 처리부 (100) 가 기판 처리부의 예이고, 혼합 배관 (330) 이 제 1 유로부의 예이고, 공급 배관 (360) 이 제 2 유로부의 예이고, 순환 배관 (370) 이 제 3 유로부의 예이다.
제 6 실시형태에 있어서는, 제 1 척 핀 (520) 이 제 1 동작 부품 또는 제 1 척 핀의 예이고, 제 2 척 핀 (520) 이 제 2 동작 부품 또는 제 2 척 핀의 예이다. 혹은, 제 6 실시형태에 있어서는, 어느 척 핀 (520) 이 제 1 동작 부품 또는 척 핀의 예이고, 척 구동부 (530) 가 제 2 동작 부품 또는 척 구동부의 예이다.
제 7 실시형태에 있어서는, 세정구 (630) 가 제 1 동작 부품 또는 제 1 처리구의 예이고, 세정구 (640) 가 제 2 동작 부품 또는 제 2 처리구의 예이다. 제 8 실시형태에 있어서는, 스핀 구동부 (710) 가 스핀 구동부의 예이고, 토크 센서 (711) 가 제 1 동작 부품 또는 토크 센서의 예이고, 온도 센서 (712) 가 제 2 동작 부품 또는 온도 센서의 예이다.

Claims (18)

  1. 처리액을 사용한 기판의 처리에 있어서 사용되는 제 1 동작 부품 및 제 2 동작 부품을 포함하는 기판 처리 장치로서,
    상기 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 상기 제 2 동작 부품의 제 2 동작값을 취득하는 동작값 취득부와,
    상기 동작값 취득부에 의해 취득된 상기 제 1 동작값과 상기 제 2 동작값의 상관에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는 이상 판정부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이상 판정부는, 상기 동작값 취득부에 의해 취득된 상기 제 1 동작값과 상기 제 2 동작값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트 중, 상기 제 1 동작값과 상기 제 2 동작값의 상관에 기초하여 정해진 허용 범위를 초과하는 데이터 포인트의 비율에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 허용 범위는, 기판의 처리 전에 상기 동작값 취득부에 의해 미리 취득된 상기 제 1 동작값과 상기 제 2 동작값의 세트에 의해 정해지는 데이터 포인트 중, 소정 비율의 데이터 포인트가 포함되도록 정해지는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이상 판정부는, 소정수의 기판이 처리되거나, 또는 소정의 시간이 경과할 때마다 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 동작 부품은, 제 1 펄스값에 기초하여 상기 기판에 공급되는 처리액의 유량을 조정하는 제 1 조정 밸브를 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 제 2 펄스값에 기초하여 상기 기판에 공급되는 처리액의 유량을 조정하는 제 2 조정 밸브를 포함하고,
    상기 제 1 동작값은, 상기 제 1 조정 밸브에 부여된 상기 제 1 펄스값이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 제 2 조정 밸브에 부여된 상기 제 2 펄스값인, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 동작 부품은, 펄스값에 기초하여 상기 기판에 공급되는 처리액의 유량을 조정하는 조정 밸브를 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 조정 밸브로 유도되는 처리액의 압력을 검출하는 압력계를 포함하고,
    상기 제 1 동작값은, 상기 조정 밸브에 부여된 상기 펄스값이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 압력계에 의해 검출된 압력인, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 동작 부품은, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 유량을 각각 검출하는 제 1 유량계 및 제 2 유량계를 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 제 1 처리액과 상기 제 2 처리액이 혼합됨으로써 생성되는 혼합 처리액의 농도를 검출하는 농도계를 포함하고,
    상기 제 1 동작값은, 상기 제 1 유량계 및 상기 제 2 유량계에 의해 각각 검출된 상기 제 1 처리액의 유량과 상기 제 2 처리액의 유량의 비에 의해 산출된 상기 혼합 처리액의 농도의 이론값이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 농도계에 의해 검출된 상기 혼합 처리액의 농도의 실측값인, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 제 1 처리액과 제 2 처리액이 혼합된 혼합 처리액이 유입되는 저류부를 추가로 포함하고,
    상기 제 1 동작 부품은, 상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액의 유량을 각각 검출하는 제 1 유량계 및 제 2 유량계를 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 저류부로부터 유출되는 상기 혼합 처리액의 농도를 검출하는 농도계를 포함하고,
    상기 저류부에 유입된 상기 혼합 처리액은, 제 1 시간에서 상기 농도계에 도달하고,
    상기 제 1 동작값은, 제 1 시점과 상기 제 1 시점으로부터 제 2 시간 경과한 제 2 시점 사이에, 상기 제 1 유량계 및 상기 제 2 유량계에 의해 각각 검출된 상기 제 1 처리액의 유량의 적산값과 상기 제 2 처리액의 유량의 적산값에 의해 산출된 상기 혼합 처리액의 농도의 이론값이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 제 1 시점으로부터 상기 제 1 시간 경과한 제 3 시점과 상기 제 2 시점으로부터 상기 제 1 시간 경과한 제 4 시점 사이에, 상기 농도계에 의해 검출된 상기 혼합 처리액의 농도의 통계값인, 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 동작 부품은, 제 1 처리액 및 제 2 처리액의 유량을 각각 검출하는 제 1 유량계 및 제 2 유량계를 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 제 1 처리액과 상기 제 2 처리액이 혼합됨으로써 생성되는 혼합 처리액의 농도를 검출하는 농도계를 포함하고,
    제 1 시점과 상기 제 1 시점으로부터 제 1 시간 경과한 제 2 시점 사이에 있어서의 상기 제 1 처리액의 유량, 상기 제 2 처리액의 유량 및 상기 혼합 처리액의 농도와, 상기 제 2 시점으로부터 제 2 시간 경과한 제 3 시점에 있어서의 상기 혼합 처리액의 농도의 관계를 기계 학습한 농도 예측 모델이 준비되고,
    상기 제 1 동작값은, 제 4 시점과 상기 제 4 시점으로부터 상기 제 1 시간 경과한 제 5 시점 사이에, 상기 제 1 유량계에 의해 검출된 상기 제 1 처리액의 유량, 상기 제 2 유량계에 의해 검출된 상기 제 2 처리액의 유량, 및 상기 농도계에 의해 검출된 상기 혼합 처리액의 농도를 상기 농도 예측 모델에 적용함으로써 취득된, 상기 제 5 시점으로부터 상기 제 2 시간 경과한 제 6 시점에 있어서의 상기 혼합 처리액의 농도의 예측값이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 제 6 시점에 상기 농도계에 의해 검출된 상기 혼합 처리액의 농도의 실측값인, 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    제 1 처리액과 제 2 처리액이 혼합된 혼합 처리액을 저류하는 저류부와,
    상기 혼합 처리액을 사용하여 기판에 처리를 실시하는 기판 처리부와,
    상기 제 1 처리액과 상기 제 2 처리액을 혼합하여 상기 혼합 처리액을 생성하면서 상기 저류부로 유도하는 제 1 유로부와,
    상기 저류부에 저류된 상기 혼합 처리액을 상기 기판 처리부로 유도하는 제 2 유로부와,
    상기 기판 처리부에 있어서의 미사용의 상기 혼합 처리액을 상기 저류부로 유도하는 제 3 유로부를 추가로 포함하고,
    상기 제 1 동작 부품은, 상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액의 유량을 각각 검출하는 제 1 유량계 및 제 2 유량계를 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 저류부로부터 유출되는 상기 혼합 처리액의 농도를 검출하는 농도계를 포함하고,
    상기 제 1 유로부를 통하여 상기 저류부에 유입된 상기 혼합 처리액은, 제 1 시간에서 상기 농도계에 도달하고,
    상기 제 1 동작값은, 단위 시간에, 상기 제 1 유로부를 통하여 상기 저류부에 유입되는 상기 혼합 처리액의 용량, 상기 제 2 유로부를 통하여 상기 저류부로부터 유출되는 상기 혼합 처리액의 용량, 및 상기 제 3 유로부를 통하여 상기 저류부에 유입되는 상기 혼합 처리액의 용량과, 상기 제 1 유량계 및 상기 제 2 유량계에 의해 각각 검출된 상기 제 1 처리액의 유량 및 상기 제 2 처리액의 유량에 의해 산출된, 각 시점에 상기 저류부에 저류되는 상기 혼합 처리액의 농도의 이론값이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 혼합 처리액이 상기 제 1 유로부를 통하여 상기 저류부에 유입된 시점으로부터 상기 제 1 시간 경과한 시점에, 상기 농도계에 의해 검출된 상기 혼합 처리액의 농도의 실측값인, 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 동작 부품은, 상기 기판을 유지하는 제 1 닫힘 상태와, 상기 기판을 유지하지 않는 제 1 열림 상태 사이에서 천이하는 제 1 척 핀을 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 기판을 유지하는 제 2 닫힘 상태와, 상기 기판을 유지하지 않는 제 2 열림 상태 사이에서 천이하는 제 2 척 핀을 포함하고,
    상기 제 1 동작값은, 상기 제 1 척 핀에 있어서의 상기 제 1 닫힘 상태와 상기 제 1 열림 상태 사이의 천이 시간이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 제 2 척 핀에 있어서의 상기 제 2 닫힘 상태와 상기 제 2 열림 상태 사이의 천이 시간인, 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 동작 부품은, 상기 기판을 유지하는 제 1 닫힘 상태와, 상기 기판을 유지하지 않는 제 1 열림 상태 사이에서 천이하는 척 핀을 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 척 핀을 상기 제 1 닫힘 상태로 천이시키는 제 2 닫힘 상태와, 상기 척 핀을 상기 제 1 열림 상태로 천이시키는 제 2 열림 상태 사이에서 천이하는 척 구동부를 포함하고,
    상기 제 1 동작값은, 상기 척 핀에 있어서의 상기 제 1 닫힘 상태와 상기 제 1 열림 상태 사이의 천이 시간이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 척 구동부에 있어서의 상기 제 2 닫힘 상태와 상기 제 2 열림 상태 사이의 천이 시간인, 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 동작 부품은, 상기 기판을 처리하지 않는 제 1 대기 위치와, 상기 기판을 처리하는 제 1 처리 위치 사이에서 천이하는 제 1 처리구를 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 기판을 처리하지 않는 제 2 대기 위치와, 상기 기판을 처리하는 제 2 처리 위치 사이에서 천이하는 제 2 처리구를 포함하고,
    상기 제 1 동작값은, 상기 제 1 처리구에 있어서의 상기 제 1 대기 위치와 상기 제 1 처리 위치 사이의 천이 시간이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 제 2 처리구에 있어서의 상기 제 2 대기 위치와 상기 제 2 처리 위치 사이의 천이 시간인, 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 동작값 취득부에 의해 취득된 상기 제 2 동작값 중 소정의 기준을 만족하는 제 2 동작값을 선택하고, 상기 동작값 취득부에 의해 취득된 상기 제 1 동작값 중 선택된 제 2 동작값에 대응하는 제 1 동작값을 선택하는 동작값 선택부를 추가로 구비하고,
    상기 이상 판정부는, 상기 동작값 선택부에 의해 선택된 제 1 동작값의 시계열의 변화에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는, 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 동작 부품은, 스핀 구동부의 토크를 검출하는 토크 센서를 포함하고,
    상기 제 2 동작 부품은, 상기 스핀 구동부의 온도를 검출하는 온도 센서를 포함하고,
    상기 제 1 동작값은, 상기 토크 센서에 의해 검출된 상기 스핀 구동부의 토크이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 온도 센서에 의해 검출된 상기 스핀 구동부의 온도인, 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 동작값은, 상기 토크 센서에 의해 검출된 상기 스핀 구동부의 토크 중, 상기 스핀 구동부가 소정의 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 토크이고,
    상기 제 2 동작값은, 상기 온도 센서에 의해 검출된 상기 스핀 구동부의 온도 중, 상기 스핀 구동부가 상기 일정 회전 속도로 회전하고 있을 때의 온도인, 기판 처리 장치.
  17. 처리액을 사용한 기판의 처리에 있어서 사용되는 제 1 동작 부품 및 제 2 동작 부품을 포함하는 기판 처리 장치의 이상을 검출하는 이상 검출 방법으로서,
    서로 상관하는 상기 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 상기 제 2 동작 부품의 제 2 동작값을 취득하는 것과,
    취득된 상기 제 1 동작값 및 상기 제 2 동작값에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는 것을 포함하는, 이상 검출 방법.
  18. 처리 장치에 의해 실행되고, 처리액을 사용한 기판의 처리에 있어서 사용되는 제 1 동작 부품 및 제 2 동작 부품을 포함하는 기판 처리 장치의 이상을 검출하는 이상 검출 프로그램으로서,
    서로 상관하는 상기 제 1 동작 부품의 제 1 동작값과 상기 제 2 동작 부품의 제 2 동작값을 취득하는 처리와,
    취득된 상기 제 1 동작값 및 상기 제 2 동작값에 기초하여 이상이 발생했는지의 여부를 판정하는 처리를,
    상기 처리 장치에 실행시키는, 이상 검출 프로그램.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4781832B2 (ja) * 2006-02-01 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP5635270B2 (ja) * 2009-02-13 2014-12-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理システム及び基板処理装置の表示方法及び基板処理装置のパラメータ設定方法及び記録媒体
JP2018077764A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 東京エレクトロン株式会社 異常検知装置
JP7113722B2 (ja) * 2018-11-05 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板収容容器の蓋を開閉する方法、及びプログラム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117469152A (zh) * 2023-12-27 2024-01-30 宁德时代新能源科技股份有限公司 流体泵异常检测方法、装置、电子设备和存储介质
CN117469152B (zh) * 2023-12-27 2024-04-12 宁德时代新能源科技股份有限公司 流体泵异常检测方法、装置、电子设备和存储介质

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