TWI472881B - 基板處理系統、基板處理方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Masatoshi Deguchi
Hideo Funakoshi
Toshichika Takei
Norifumi Sato
Wataru Kiyota
Daisuke Ishimaru
Shinichi Machidori
Ikuo Sunaka
Shigenori Kamei
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Tokyo Electron Ltd
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Description

基板處理系統、基板處理方法及電腦記憶媒體
本發明係關於一種基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記憶媒體。
例如於半導體元件製程中，可對例如半導體晶圓(以下稱「晶圓」。)進行光微影處理，在晶圓上的聚醯亞胺膜形成介層洞等既定圖案。亦即，依序在晶圓上進行塗布聚醯亞胺溶液以形成聚醯亞胺膜之塗布處理、使該聚醯亞胺膜曝光為既定圖案之曝光處理、使經曝光之聚醯亞胺膜顯影之顯影處理等，以在晶圓上的聚醯亞胺膜形成既定圖案。
此等一連串光微影處理通常係使用搭載有處理晶圓之各處理裝置或運送晶圓之運送裝置等之塗布顯影處理系統進行(專利文獻1)。
又，對晶圓施行處理時，需將晶圓正確配置於處理裝置之既定位置。此晶圓之對準係以例如固持晶圓並將其朝各處理裝置運送之夾鉗(以下稱「運送臂」。)進行。此時，於運送臂之基板固持部設置導件，接收晶圓時令晶圓滑行至基板固持部，藉此對準之(專利文獻2)。
[習知技術文獻]
【專利文獻1】日本特開平8-46010號公報
【專利文獻2】日本特開2010-258170號公報
然而，聚醯亞胺溶液粘度高，故以上述進行塗布處理之塗布處理裝置在晶圓上塗布聚醯亞胺溶液後，自塗布處理裝置送出晶圓時，聚醯亞胺膜之乾燥狀態尚不充分。因此，在以運送臂運送晶圓之期間內，有晶圓周緣部接觸運送臂，聚醯亞胺膜附著該運送臂之虞。如此聚醯亞胺膜若附著運送臂，該附著物即會於系統內飛散，或是轉印至其他晶圓，成為引起微粒污染之要因。
在此，本案發明人等嘗試在晶圓周緣部不接觸運送臂之狀態下運送晶圓。然而，在相關場合下，運送臂之導件不作用，無法定位晶圓。又，在將晶圓送入例如處理裝置前運送臂中心位置與晶圓中心位置偏移時，無法將晶圓正確配置於處理裝置之既定位置。因此，無法以該處理裝置適當處理晶圓。
鑑於上述情事，本發明之目的在於抑制塗布膜附著運送臂，並同時適當處理基板。
為達成上述目的，本發明係一種基板處理系統，包含：複數處理裝置，用以處理基板，具有用以在基板上塗布塗布液的塗布處理裝置；位置調節裝置，調節基板的中心位置；基板運送裝置，相對於該塗布處理裝置與該位置調節裝置運送基板；及控制部，控制該各裝置動作；該基板處理系統之特徵在於：該基板運送裝置包含：臂部，以大於基板半徑之曲率半徑沿基板周緣部彎曲；及固持部，自該臂部朝內側突出，固持基板背面；且該位置調節裝置具有：載置台，可任意旋轉或任意水平移動，用以固持基板的背面中心部；及位置偵測部，用以一面令基板旋轉，一面偵測出載置台上的基板之中心位置；該塗布處理裝置包含另一載置台，用以固持著基板的背面中心部；且該控制部依據該位置偵測部之偵測結果，求出該載置台上的基板之中心位置與該載置台之中心位置兩者的偏移量，以進行下述控制：藉由該載置台繞著鉛直軸進行的旋轉，使得載置台上 的基板旋轉，而使得基板之中心位於俯視觀之其方向與載置台進行該水平移動時之移動方向平行且通過該臂部之中心的直線上，接著使得載置台於該移動方向上進行水平移動，俾由該載置台固持之基板的中心位置與該臂部中心位置一致；然後以該臂部將該載置台上之基板加以接收，且將該基板運送至該塗布處理裝置，而在該臂部與該另一載置台之間進行基板的傳遞，俾該臂部所固持之基板的中心位置與該另一載置台的中心位置一致。
依本發明，首先，藉由位置調節裝置調節，俾由載置台固持之基板的中心位置與臂部中心位置一致。如此，其後藉由基板運送裝置自位置調節裝置送出基板時，即可自載置台朝臂部適當位置傳遞基板。亦即，臂部中心位置與基板的中心位置一致，基板不接觸臂部。其後，藉由基板運送裝置朝處理裝置運送基板，藉由該處理裝置處理基板。此時，基板經固持於臂部適當位置，故於處理裝置內，可正確配置基板於既定位置。因此，藉由處理裝置可適當處理基板。其後，藉由基板運送裝置自處理裝置送出基板時，亦如上述可固持基板於臂部適當位置。因此，於基板運送裝置基板不接觸臂部。因此，基板上的塗布膜不附著於臂部，不會如以往引起微粒污染。如以上依本發明，可抑制塗布膜附著運送臂，並同時適當處理基板。
該固持部亦可藉由該固持部與基板之間之摩擦力固持基板。且於該固持部前端部亦可形成連接真空泵之抽吸口，該固持部藉由自該抽吸口之抽吸固持基板。
該塗布液亦可係聚醯亞胺溶液。又，所謂聚醯亞胺溶液係使聚醯亞胺前驅物，例如聚醯胺酸溶解於溶媒之溶液。
該基板處理系統亦可包含：處理區塊，沿鉛直方向以多段方式堆疊有包含該塗布處理裝置之處理裝置；另一處理區塊，沿鉛直方向以多段方式堆疊有該位置調節裝置與其他處理裝置；及另一基板運送裝置，相對於該另一處理區塊之該位置調節裝 置與該其他處理裝置運送基板；且該另一基板運送裝置包含：另一臂部，以大於基板半徑之曲率半徑沿基板周緣部彎曲；及另一固持部，自該另一臂部朝內側突出，固持基板背面。
相關場合下，該另一固持部亦可藉由該另一固持部與基板之間之摩擦力固持基板。且於該另一固持部前端部亦可形成連接真空泵之抽吸口，該另一固持部藉由自該抽吸口之抽吸固持基板。
該複數處理裝置亦可包含：溫度調節裝置，調節基板溫度；熱處理裝置，對由該塗布處理裝置塗布該塗布液之基板進行熱處理，在該基板上形成塗布膜；及周緣部清洗裝置，將藉由該熱處理裝置形成之基板周緣部上的該塗布膜加以清洗去除；且該基板運送裝置相對於該溫度調節裝置、該熱處理裝置及該周緣部清洗裝置運送基板。
依另一觀點本發明係一種基板處理方法，使用一基板處理系統，該基板處理系統包含：複數處理裝置，用以處理基板，具有用以在基板上塗布塗布液的塗布處理裝置；位置調節裝置，調節基板的中心位置；及基板運送裝置，相對於該塗布處理裝置與該位置調節裝置運送基板；及控制部，用以控制各該裝置的動作；且該基板處理方法之特徵在於該基板運送裝置包含：臂部，以大於基板半徑之曲率半徑沿基板周緣部彎曲；及固持部，自該臂部朝內側突出，固持基板背面；且該位置調節裝置具有：載置台，可任意旋轉或任意水平移動，用以固持基板的背面 中心部；及位置偵測部，用以一面令基板旋轉，一面偵測出載置台上的基板之中心位置；該塗布處理裝置包含另一載置台，用以固持著基板的背面中心部；且該基板處理方法包含：位置調節步驟，藉由該位置調節裝置，依據該位置偵測部之偵測結果，求出該載置台上的基板之中心位置與該載置台之中心位置兩者的偏移量，以藉由該載置台繞著鉛直軸進行的旋轉，使得載置台上的基板旋轉，而使得基板之中心位於俯視觀之其方向與載置台進行該水平移動時之移動方向平行且通過該臂部之中心的直線上，接著使得載置台於該移動方向上進行水平移動，俾由該載置台固持之基板的中心位置與該臂部中心位置一致；及運送步驟，其後，使用該基板運送裝置在基板周緣部不接觸該臂部之狀態下自該位置調節裝置送出基板，而將該基板運送至該塗布處理裝置；且於該運送步驟後，在該臂部與該另一載置台之間進行基板的傳遞，俾該臂部所固持之基板的中心位置與該另一載置台的中心位置一致。
該塗布液亦可係聚醯亞胺溶液。
該固持部亦可藉由該固持部與基板之間之摩擦力固持基板。且於該固持部前端部亦可形成連接真空泵之抽吸口，該固持部藉由自該抽吸口之抽吸固持基板。
該複數處理裝置亦可包含：溫度調節裝置，調節基板溫度；熱處理裝置，對由該塗布處理裝置塗布該塗布液之基板進行熱處理，在該基板上形成塗布膜；及周緣部清洗裝置，將藉由該熱處理裝置形成之基板周緣部上的該塗布膜加以清洗去除；且該基板處理方法包含：第1溫度調節步驟，在該位置調節步驟前，藉由該溫度調節裝 置，調節基板溫度至既定溫度；熱處理步驟，藉由該塗布處理裝置在基板上塗布該塗布液後，藉由該熱處理裝置對基板進行熱處理，在該基板上形成塗布膜；第2溫度調節步驟，在該熱處理步驟後，藉由該溫度調節裝置調節基板溫度至既定溫度；另一位置調節步驟，在該第2溫度調節步驟後，藉由該位置調節裝置調節基板之中心位置；及周邊部清洗步驟，在該另一位置調節步驟後，藉由該周緣部清洗裝置將基板周緣部上的該塗布膜加以清洗去除；且相對於該溫度調節裝置、該熱處理裝置及該周緣部清洗裝置基板之運送係使用該基板運送裝置在基板周緣部不接觸該臂部之狀態下進行。
又，所謂第1溫度調節步驟與第2溫度調節步驟中之既定溫度係例如常溫。
且依又一觀點依本發明可提供一種程式，為藉由基板處理系統令上述基板處理方法實行，而在控制該基板處理系統之控制部電腦上動作。
且依再一觀點按照本發明可提供一種可讀取之電腦記憶媒體，收納有該程式。
依本發明，可抑制塗布膜附著運送臂，並同時適當處理基板。
以下，說明關於本發明實施形態。圖1係顯示作為依本發明之基板處理系統塗布顯影處理系統1內部構成概略之俯視圖。圖2及圖3係顯示塗布顯影處理系統1內部構成概略之側視圖。
塗布顯影處理系統1如圖1所示具有一體連接下列者之構成：匣盒站2，在與例如外部之間將收納有複數片晶圓W之匣盒C加以送入送出； 處理站3，具有在光微影處理中以單片式之方式施行既定處理之複數各種處理裝置；及介面站5，鄰接處理站3並在與曝光裝置4之間傳遞晶圓W。
於匣盒站2設有匣盒載置台10。於匣盒載置台10設有複數，例如4個匣盒載置板11。匣盒載置板11沿水平方向之X方向(圖1中之上下方向)排成一列設置。相對於塗布顯影處理系統1外部送入送出匣盒C時，可載置匣盒C於此等匣盒載置板11。
於匣盒站2如圖1所示設有可在沿X方向延伸之運送通道20上任意移動之晶圓運送裝置21。晶圓運送裝置21亦可沿鉛直方向或繞著鉛直軸(θ方向)任意移動，可在各匣盒載置板11上的匣盒C，與後述處理站3第3處理區塊G3之既定裝置之間運送晶圓W。
於處理站3設有包含各種裝置之複數，例如4個處理區塊G1、G2、G3、G4。例如於處理站3正面側(圖1X方向負方向側)設有第1處理區塊G1，於處理站3背面側(圖1X方向正方向側)設有第2處理區塊G2。且於處理站3匣盒站2側(圖1Y方向負方向側)作為另一處理區塊設有第3處理區塊G3，於處理站3介面站5側(圖1Y方向正方向側)作為又一處理區塊設有第4處理區塊G4。
於例如第1處理區塊G1如圖3所示沿鉛直方向堆疊有複數液處理裝置。自下而上依序重疊有5段下列者：顯影處理裝置30、31，對例如晶圓W進行顯影處理；廢液回收裝置32，回收由後述塗布處理裝置33排出之廢液；塗布處理裝置33，在晶圓W上作為塗布液塗布聚醯亞胺溶液，作為塗布膜形成聚醯亞胺膜；及周緣部清洗裝置34，清洗去除晶圓W周緣部上的聚醯亞胺膜。
又，聚醯亞胺溶液係令聚醯亞胺前驅物，例如聚醯胺酸溶解於溶媒之溶液。
顯影處理裝置30、31沿水平方向具有複數，例如4個於處理時收納晶圓W之杯體F，可並行處理複數晶圓W。又，關於廢液回收裝置32、塗布處理裝置33、周緣部清洗裝置34之詳細構成於後詳述。
於例如第2處理區塊G2如圖2所示沿鉛直方向與水平方向排成一排設有下列者：熱處理裝置40，對晶圓W進行熱處理；黏附裝置41，對晶圓W進行疏水化處理；位置調節裝置42，調節晶圓W之中心位置；及周邊曝光裝置43，使晶圓W外周部曝光。
又，熱處理裝置40、黏附裝置41、位置調節裝置42及周邊曝光裝置43之數量或配置可任意選擇。本實施形態中，設置例如第2處理區塊G2沿鉛直方向分為4層。例如第2處理區塊G2中，於對應第1處理區塊G1之顯影處理裝置30、31位置之層配置有熱處理裝置40。於對應例如第1處理區塊G1之廢液回收裝置32位置之層配置有熱處理裝置40與黏附裝置41。於對應例如第1處理區塊G1之塗布處理裝置33位置之層配置有熱處理裝置40與位置調節裝置42。於對應例如第1處理區塊G1之周緣部清洗裝置34位置之層配置有熱處理裝置40、位置調節裝置42及周邊曝光裝置43。
熱處理裝置40包含：熱板，載置晶圓W並加熱之；及冷卻板，載置晶圓W並冷卻之；可進行加熱處理與冷卻處理雙方。關於位置調節裝置42之詳細構成於後詳述。
於例如第3處理區塊G3如圖2及圖3所示設有用以傳遞晶圓W之傳遞裝置50、52、54、56與調節晶圓W溫度之溫度調節裝置51、53、55。自下而上依序配置此等裝置50~56。且於第3處理區塊G3最下層配置有用來暫時將由廢液回收裝置32回收之廢液或自周緣部清洗裝置34排出之廢液加以儲存，使該廢液朝塗布顯影處理系統1外部排出之廢液排出裝置60。於廢液排出裝置60設有用來暫時儲存廢液之儲存槽(未經圖示)，或用來使廢液排出之泵(未經圖示)等。
且於第4處理區塊G4設有用來傳遞晶圓W之傳遞裝置70、72、74、76與調節晶圓W溫度之溫度調節裝置71、73、75。自下而上 依序配置此等裝置70~76。
如圖1所示由第1處理區塊G1~第4處理區塊G4包圍之區域中形成有晶圓運送區域D。於晶圓運送區域D作為例如基板運送裝置配置有晶圓運送裝置80。
晶圓運送裝置80具有可沿例如Y方向、X方向或繞著鉛直軸(θ方向)或沿鉛直方向任意移動之運送臂81。晶圓運送裝置80可在晶圓運送區域D內移動，運送晶圓W至周圍的第1處理區塊G1、第2處理區塊G2、第3處理區塊G3及第4處理區塊G4內之既定裝置。
例如圖2所示可沿鉛直方向配置複數座，例如4座晶圓運送裝置80，運送晶圓W至例如各處理區塊G1~G4大致相同高度之既定裝置。又，本實施形態中，分別設置複數晶圓運送裝置80在對應第2處理區塊G2經分割之4層位置。
且於晶圓運送區域D設有在第3處理區塊G3與第4處理區塊G4之間以直線方式運送晶圓W之穿梭運送裝置90。
穿梭運送裝置90可沿例如Y方向以直線方式任意移動。穿梭運送裝置90可以支持晶圓W之狀態沿Y方向移動，在第3處理區塊G3之傳遞裝置52與第4處理區塊G4之傳遞裝置72之間運送晶圓W。
如圖1所示於第3處理區塊G3X方向正方向側旁，作為另一基板運送裝置設有晶圓運送裝置100。晶圓運送裝置100具有可沿例如X方向或繞著鉛直軸(θ方向)或沿鉛直方向任意移動之運送臂101。晶圓運送裝置100可以支持晶圓W之狀態沿鉛直方向移動，運送晶圓W至第3處理區塊G3內之既定裝置。
且於第4處理區塊G4X方向正方向側旁作為又一基板運送裝置尚設有晶圓運送裝置102。晶圓運送裝置102具有可沿例如X方向或繞著鉛直軸(θ方向)或沿鉛直方向任意移動之運送臂103。晶圓運送裝置102可以支持晶圓W之狀態沿鉛直方向移動，運送晶圓W至第4處理區塊G4內之既定裝置。又，後述晶圓運送裝置110之運送性能高時可省略晶圓運送裝置102。
於介面站5設有晶圓運送裝置110與傳遞裝置111。晶圓運送裝置110具有可沿例如Y方向或繞著鉛直軸(θ方向)或沿鉛直方向任意 移動之運送臂。晶圓運送裝置110可令例如運送臂支持晶圓W，在第4處理區塊G4內之既定裝置、傳遞裝置111及曝光裝置4之間運送晶圓W。
其次，說明關於上述塗布處理裝置33之構成。塗布處理裝置33如圖4及圖5所示具有可密封內部之處理容器130。於處理容器130晶圓運送區域D側側面如圖5所示在例如4處形成有晶圓W之送入送出口131。分別形成此等送入送出口131於對應後述塗布部140~143之位置。
於處理容器130內部設有例如在晶圓W上塗布聚醯亞胺溶液之4個塗布部140~143。塗布部140~143自Y方向負方向(圖5左方向)側朝Y方向正方向(圖5右方向)側以此順序排成一列配置。
如圖5所示於塗布部140~143X方向負方向(圖5下方向)側形成有沿Y方向(圖5左右方向)延伸之軌條150。軌條150自例如塗布部140Y方向負方向(圖5左方向)側外方形成至塗布部143Y方向正方向(圖5右方向)側外方。於軌條150安裝有2條臂151、152。在此，稱設於X方向負方向側之臂151為第1臂151，稱設於X方向正方向側之臂152為第2臂152。
第1臂151如圖4及圖5所示支持作為噴吐聚醯亞胺溶液之塗布液噴嘴之第1聚醯亞胺噴嘴153。第1臂151藉由圖5所示之噴嘴驅動部154，可在軌條150上任意移動。藉此，第1聚醯亞胺噴嘴153可自設置於塗布部140Y方向負方向側外方之待命部155移動至各塗布部140、141內晶圓W中心部上方，且可在該晶圓W表面上沿晶圓W之徑向移動。且第1臂151可藉由噴嘴驅動部154任意昇降，可調節第1聚醯亞胺噴嘴153之高度。第1聚醯亞胺噴嘴153如圖6所示經由供給管156連接對第1聚醯亞胺噴嘴153供給聚醯亞胺溶液之聚醯亞胺供給裝置157。
又，藉由待命部155，於第1聚醯亞胺噴嘴153待命中，可收納並清洗該第1聚醯亞胺噴嘴153之前端部。藉由例如聚醯亞胺溶液之潤洗液清洗此第1聚醯亞胺噴嘴153。又，將因清洗第1聚醯亞胺噴嘴153產生之廢液自連接例如待命部155之排液管158排出，以廢 液回收裝置32回收之。
第2臂152如圖4及圖5所示支持作為噴吐聚醯亞胺溶液之塗布液噴嘴之第2聚醯亞胺噴嘴160。第2臂152藉由圖5所示之噴嘴驅動部161可在軌條150上任意移動。藉此，第2聚醯亞胺噴嘴160可自設置於塗布部143Y方向正方向側外方之待命部162移動至各塗布部142、143內晶圓W中心部上方，且可在該晶圓W表面上沿晶圓W之徑向移動。且第2臂152可藉由噴嘴驅動部161任意昇降，可調節第2聚醯亞胺噴嘴160之高度。又，上述聚醯亞胺供給裝置157亦連接第2聚醯亞胺噴嘴160，對該第2聚醯亞胺噴嘴160供給聚醯亞胺溶液。
且藉由待命部162，於第2聚醯亞胺噴嘴160待命中，可收納並清洗該第2聚醯亞胺噴嘴160之前端部。藉由例如聚醯亞胺溶液之潤洗液清洗此第2聚醯亞胺噴嘴160。又，將因清洗第2聚醯亞胺噴嘴160產生之廢液自連接例如待命部162之排液管163排出，以廢液回收裝置32回收之。
於塗布部140如圖6所示作為固持晶圓W背面中心部並使其旋轉之另一載置台設有旋轉吸盤170。旋轉吸盤170具有水平之上表面，於該上表面設有抽吸例如晶圓W之抽吸口(未經圖示)。藉由自此抽吸口之抽吸，可在旋轉吸盤170上吸附固持晶圓W。
旋轉吸盤170安裝於軸171。於旋轉吸盤170下方，隔著此軸171設有包含例如馬達或缸筒等之旋轉驅動部172。藉由此旋轉驅動部172，旋轉吸盤170可以既定速度繞著鉛直軸旋轉，且可昇降。
於旋轉吸盤170下方側設有杯底173，俾包圍軸171。杯底173可承接並回收自由旋轉吸盤170固持之晶圓W背面側落下之液體。杯底173連接用來排出經回收之廢液之排液管174。
在旋轉吸盤170下方，杯底173上於例如2處設有朝晶圓W背面噴射潤洗液之背部潤洗噴嘴175、175。背部潤洗噴嘴175連接連通潤洗液供給源176之潤洗液供給管177。於潤洗液供給源176儲存有聚醯亞胺溶液之潤洗液。
於杯底173外周部設有剖面形狀呈山形，亦即朝上方呈凸狀突 出之形狀的引導環178。此引導環178外周部朝下方側彎曲延伸。
於旋轉吸盤170、由旋轉吸盤170固持之晶圓W及引導環178側方設有杯體180，俾包圍此等旋轉吸盤170、晶圓W及引導環178。杯體180可承接並回收自晶圓W飛散或落下之液體。
杯體180形成有大於晶圓W之開口部，俾於上方旋轉吸盤170可昇降，且於內周側面與引導環178外周緣之間形成有係排出通道之間隙181。
且於杯體180下部呈環狀形成有使杯體180內蒙氣排氣，並回收杯體180內廢液之氣液分離部182。於氣液分離部182藉由引導環178外周部與設於杯體180底面之分隔壁183形成彎曲通道。又，藉由此彎曲通道以氣液分離部182分離氣體與液體。亦即，氣液分離部182藉由分隔壁183區隔用來排出杯體180內廢液之外側區域184，與用來使杯體180內蒙氣排氣之內側區域185。外側區域184連接排出杯體180內廢液之排液管186。且內側區域185連接用來使杯體180內蒙氣排氣之排氣管187。
於杯體180下方設有用來將在杯底173與杯體180內回收之廢液加以收集，朝廢液回收裝置32排出之廢液容器190。廢液容器190上表面連接排出由杯底173回收之廢液之排液管174，與排出於杯體180內回收之廢液之排液管186。且廢液容器190下表面連接後述廢液回收裝置32之鉛直配管202。
又，關於塗布部141、142、143之構成與上述塗布部140相同故省略說明。
且周緣部清洗裝置34與上述塗布處理裝置33之構成大致相同。周緣部清洗裝置34不包含塗布處理裝置33之聚醯亞胺噴嘴153、160，代之以對由旋轉吸盤170固持之晶圓W周緣部供給潤洗液之邊緣潤洗噴嘴。邊緣潤洗噴嘴亦可於各塗布部140~143分別個別設置。且將各塗布部140~143由廢液容器190回收之廢液直接朝廢液排出裝置60排出。周緣部清洗裝置34之其他構成與塗布處理裝置33之構成相同故省略說明。
其次，說明關於上述廢液回收裝置32之構成。廢液回收裝置 32如圖4所示包含處理容器200。
於處理容器200內部，作為回收來自塗布處理裝置33之廢液之廢液回收部設有回收儲存槽201。回收儲存槽201經由鉛直配管202及傾斜配管203連接上述廢液容器190。鉛直配管202自廢液容器190朝鉛直下方延伸設置。傾斜配管203自鉛直配管202端部朝回收儲存槽201以既定角度傾斜延伸設置。此既定角度係廢液不會在傾斜配管203內堵塞而順暢流動之角度，例如係自水平方向在15度以上。且回收儲存槽201亦連接排出來自塗布處理裝置33待命部155、162之廢液之排液管158、163。
於處理容器200內部設有用來使廢液自回收儲存槽201排出之泵204。回收儲存槽201連接排液管205，如圖3所示排液管205連通廢液排出裝置60。又，藉由泵204自回收儲存槽201朝廢液排出裝置60排出廢液，且藉由廢液排出裝置60內之泵自該廢液排出裝置60朝塗布顯影處理系統1外部排出廢液。
又，於處理容器200內部亦可設置清洗回收儲存槽201內部之清洗機構(未經圖示)，或用來去除自回收儲存槽201排出之廢液雜質之過濾器(未經圖示)等。
其次，說明關於上述位置調節裝置42之構成。位置調節裝置42如圖7所示包含可密封內部之處理容器210。於處理容器210晶圓運送區域D側側面形成有晶圓W之送入送出口211。
於處理容器210內，作為吸附固持晶圓W背面中心部之載置台設有吸盤220。亦即，吸盤220不固持晶圓W周緣部。吸盤220具有水平之上表面，於該上表面設有抽吸例如晶圓W之抽吸口(未經圖示)。藉由自此抽吸口之抽吸，可在吸盤220上吸附固持晶圓W。
於吸盤220設有吸盤驅動部221。吸盤驅動部221經安裝在設於處理容器210內底面，沿X方向(圖7左右方向)延伸之軌條222上。藉由此吸盤驅動部221，吸盤220可沿軌條222任意移動，並可繞著鉛直軸任意轉動。又，本實施形態中，吸盤驅動部221與軌條222構成本發明之移動機構。
且於處理容器210內設有偵測由吸盤220固持之晶圓W中心位 置之位置偵測部223。位置偵測部223包含拍攝例如晶圓W周緣部之CCD相機，可偵測自由吸盤220固持之晶圓W中心位置，亦即晶圓W中心部既定位置起算之偏移量。又，根據由位置偵測部223偵測之偵測結果，藉由後述控制部300控制吸盤驅動部221之驅動，令吸盤220移動既定量。具體而言，令吸盤220移動，俾由吸盤220固持之晶圓W中心位置與由後述晶圓運送裝置80之臂部230固持之晶圓W中心位置一致。
其次，說明關於上述晶圓運送裝置80之運送臂81之構成。運送臂81如圖8所示包含大致呈3/4圓環狀構成之臂部230。臂部230以大於晶圓W徑之曲率半徑沿晶圓W周緣部彎曲。於臂部230複數處，例如4處設有自該臂部230朝內側突出，固持晶圓W周緣部背面之固持部231。於固持部231前端部如圖9所示設有樹脂製O形環232。此O形環232接觸晶圓W周緣部背面，藉由該O形環232與晶圓W之間之摩擦力，固持部231固持晶圓W周緣部背面。又，運送臂81可在此固持部231上水平固持晶圓W。且臂部230之曲率半徑大於晶圓W之徑，故晶圓W周緣部不接觸臂部230。且固持部231固持晶圓W周緣部背面，故相較於如以往固持晶圓側面之情形，即使在固持部231與晶圓W之間產生微粒，該微粒亦不易迴繞至晶圓W表面側。因此，可保持晶圓W表面潔淨。
於臂部230基端部如圖8所示設有與臂部230一體形成，且支持臂部230之支持部233。於支持部233設有臂驅動部(未經圖示)。藉由此臂驅動部，運送臂81可沿水平方向、鉛直方向或繞著鉛直軸(θ方向)任意移動。
其次，說明關於上述晶圓運送裝置100、102之運送臂101、103之構成。運送臂101如圖10所示包含作為大致呈C字形構成之另一臂部之臂部240。臂部240以大於晶圓W徑之曲率半徑沿晶圓W周緣部彎曲。於臂部240複數處，例如3處設有自該臂部240朝內側突出，固持晶圓W周緣部背面之固持部241。於固持部241前端部設有與圖9所示之O形環232相同之樹脂製O形環242。此O形環242接觸晶圓W周緣部背面，藉由該O形環242與晶圓W之間之摩擦力， 固持部241固持晶圓W周緣部背面。又，運送臂101可在此固持部241上水平固持晶圓W。且臂部240之曲率半徑大於晶圓W之徑，故晶圓W周緣部不接觸臂部240。且固持部241固持晶圓W周緣部背面，故相較於如以往固持晶圓側面之情形，即使在固持部241與晶圓W之間產生微粒，該微粒亦難以迴繞至晶圓W表面側。因此，可保持晶圓W表面潔淨。又，固持部241構成本發明中之另一固持部。
於臂部240基端部如圖10所示設有與臂部240一體形成，且支持臂部240之支持部243。於支持部243設有臂驅動部(未經圖示)。藉由此臂驅動部，運送臂101可沿水平方向、鉛直方向或繞著鉛直軸(θ方向)任意移動。
又，運送臂103之構成與上述運送臂101之構成相同故省略說明。
於以上塗布顯影處理系統1如圖1所示設有控制部300。控制部300係例如電腦，包含程式收納部(未經圖示)。於程式收納部收納有實行塗布顯影處理系統1中之晶圓處理之程式。又，該程式由例如硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取之記憶媒體H記錄，亦可自此記憶媒體H安裝於控制部300。
其次，說明關於使用如以上構成之塗布顯影處理系統1進行之晶圓W處理方法。
首先，將收納有複數片晶圓W之匣盒C載置於匣盒站2之既定匣盒載置板11。其後，藉由晶圓運送裝置21依序取出匣盒C內各晶圓W，將其運送至處理站3第3處理區塊G3之例如傳遞裝置54。
其次藉由晶圓運送裝置100將晶圓W運送至溫度調節裝置53，調節至既定溫度，例如常溫。其後藉由晶圓運送裝置80將晶圓W運送至第2處理區塊G2之黏附裝置41，對其進行黏附處理。其後藉由晶圓運送裝置80將晶圓W運送至第3處理區塊G3之溫度調節裝置55，調節至既定溫度，例如常溫。
其後藉由晶圓運送裝置80將晶圓W運送至第2處理區塊G2之位置調節裝置42。以位置調節裝置42調節晶圓W之中心位置。在 此，根據圖11說明關於藉由晶圓運送裝置80自溫度調節裝置55運送之晶圓W中心位置偏移既定位置時，於位置調節裝置42內進行之位置調節。
藉由位置調節裝置42，如圖11(a)所示調節晶圓W之中心位置，俾晶圓W於適當位置由運送臂81之臂部230固持，亦即臂部230中心位置與晶圓W中心位置一致。於位置調節裝置42以如此經位置調節後晶圓W之中心位置為起始位置P。又，吸盤220待命，俾該吸盤220之中心部CC 位於起始位置P。
在如此吸盤220待命之狀態下，如圖11(b)所示自運送臂81朝吸盤220傳遞晶圓W。此時，晶圓W中心部CW 偏移起始位置P(吸盤220之中心位置CC )。
其後，藉由吸盤驅動部221令晶圓W沿軌條222移動，如圖11(c)所示配置晶圓W於位置偵測部223可拍攝晶圓W周緣部之位置。其後，藉由吸盤驅動部221令晶圓W旋轉，並同時藉由位置偵測部223偵測晶圓W中心位置，亦即晶圓W中心部CW 之偏移量TX 、TY 。又，TX 、TY 係自吸盤220中心位置CC 起算之偏移量，TX 係X方向偏移量，TY 係Y方向偏移量。
其後，根據位置偵測部223之偵測結果，藉由控制部300調節晶圓W之中心位置。具體而言，如圖11(d)所示令晶圓W繞著鉛直軸轉動俾TY 為零。
其後，藉由吸盤驅動部221，如圖11(e)所示令晶圓W沿X方向移動俾晶圓W中心部CW 位於起始位置P。如此，晶圓W中心位置調節結束。又，自吸盤220朝運送臂81傳遞晶圓W。此時，晶圓W由運送臂81固持，俾運送臂81臂部230中心位置與晶圓W中心位置一致。亦即，晶圓W周緣部不接觸臂部230。
其次，將如此經傳遞至晶圓運送裝置80運送臂81之晶圓W運送至塗布處理裝置33，將其自例如運送臂81朝塗布部140旋轉吸盤170傳遞。此時，於塗布處理裝置33內，自運送臂81朝旋轉吸盤170傳遞晶圓W，俾如圖12所示由臂部230固持之晶圓W中心位置與旋轉吸盤170之中心位置一致。
其後，令第1聚醯亞胺噴嘴153移動至晶圓W中心部上方。接著藉由旋轉驅動部172令由旋轉吸盤170固持之晶圓W旋轉，並由第1聚醯亞胺噴嘴153對晶圓W中心部供給聚醯亞胺溶液。藉由因晶圓W之旋轉所產生之離心力使在晶圓W上所供給之聚醯亞胺溶液朝晶圓W表面整體擴散，於晶圓W表面塗布聚醯亞胺溶液。其後，停止由第1聚醯亞胺噴嘴153供給聚醯亞胺溶液後，持續令晶圓W旋轉。又，調整晶圓W上聚醯亞胺溶液之膜厚，使該聚醯亞胺溶液乾燥，在晶圓W上形成聚醯亞胺膜。又，亦可在晶圓W上形成聚醯亞胺膜後，自背部潤洗噴嘴175朝晶圓W背面噴射潤洗液，清洗該晶圓W背面。
又，由第1聚醯亞胺噴嘴153在晶圓W上塗布聚醯亞胺溶液時，在杯體180內或杯底173回收自晶圓W飛散之聚醯亞胺溶液。且由背部潤洗噴嘴175朝晶圓W背面塗布潤洗液時，在杯底173或杯體180內回收產生之廢液。又，經由廢液容器190、鉛直配管202及傾斜配管203將以杯體180或杯底173回收之廢液朝回收儲存槽201排出。此時，鉛直配管202與傾斜配管203具有既定傾斜角，故在鉛直配管202與傾斜配管203內廢液不會堵塞而可順暢流動。
其後藉由晶圓運送裝置80自塗布處理裝置33送出晶圓W。此時，與圖12所示之情形相同，自旋轉吸盤170朝運送臂81傳遞晶圓W，俾由旋轉吸盤170固持之晶圓W中心位置與由臂部230固持之晶圓W中心位置一致。因此，可以晶圓W周緣部不接觸臂部230之狀態由運送臂81固持晶圓W。
其後藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至熱處理裝置40，進行預烤處理。其後藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至第4處理區塊G4溫度調節裝置75，將其調節至既定溫度，例如常溫。
其後藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至第2處理區塊G2之位置調節裝置42。藉由位置調節裝置42調節晶圓W中心位置。在此晶圓W中心位置之調節與以圖11說明之晶圓W中心位置之調節相同故省略詳細說明。
其後藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至周緣部清洗裝置34。 此時，於周緣部清洗裝置34內，自運送臂81朝旋轉吸盤170傳遞晶圓W，俾由運送臂81臂部230固持之晶圓W中心位置與由旋轉吸盤170固持之晶圓W中心位置一致。
其後，令邊緣潤洗噴嘴移動至晶圓W周緣部上方。接著藉由旋轉驅動部172令由旋轉吸盤170固持之晶圓W旋轉，並自邊緣潤洗噴嘴對晶圓W周緣部供給潤洗液。藉由此潤洗液去除晶圓W周緣部上的聚醯亞胺膜，清洗該晶圓W周緣部。
其後藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至周邊曝光裝置43，進行周邊曝光處理。其後藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至第3處理區塊G3之傳遞裝置56。
其次藉由晶圓運送裝置100運送晶圓W至傳遞裝置52，藉由穿梭運送裝置90將其運送至第4處理區塊G4之傳遞裝置72。
其後藉由介面站5之晶圓運送裝置110運送晶圓W至曝光裝置4，進行曝光處理。
其次，藉由晶圓運送裝置110自曝光裝置4運送晶圓W至第4處理區塊G4之傳遞裝置70。其後，藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至第2處理區塊G2之熱處理裝置40，進行曝光後烘烤處理。其後，藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至第1處理區塊G1之顯影處理裝置30，進行顯影。顯影結束後，藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至第2處理區塊G2之熱處理裝置40，進行後烘烤處理。
其後，藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至第3處理區塊G3之傳遞裝置50，其後藉由匣盒站2之晶圓運送裝置21將其運送至既定匣盒載置板11之匣盒C。如此，於晶圓W上的聚醯亞胺膜形成既定圖案，結束一連串光微影處理。
依以上實施形態，於溫度調節裝置55調節晶圓W之溫度後，藉由位置調節裝置42進行調節，俾由吸盤220固持之晶圓W中心位置與由運送臂81臂部230固持之晶圓W中心位置一致。如此，即可在藉由晶圓運送裝置80自位置調節裝置42送出晶圓W時，自吸盤220傳遞晶圓W至臂部230之適當位置。亦即，傳遞晶圓W至運送臂81俾臂部230中心位置與晶圓W中心位置一致。且其後，即使在 藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W至塗布處理裝置33時，亦可自臂部230朝旋轉吸盤170適當傳遞晶圓W，俾由臂部230固持之晶圓W中心位置與由旋轉吸盤170固持之晶圓W中心位置一致。因此，可在由旋轉吸盤170固持之晶圓W上適當塗布聚醯亞胺溶液，形成聚醯亞胺膜。
且在以溫度調節裝置75調節晶圓W溫度後，亦藉由位置調節裝置42調節晶圓W中心位置。如此，即可在藉由晶圓運送裝置80自位置調節裝置42送出晶圓W時，自吸盤220朝運送臂81臂部230之適當位置傳遞晶圓W。且其後，在藉由晶圓運送裝置80朝周緣部清洗裝置34運送晶圓W時，亦可自臂部230朝旋轉吸盤170之適當位置傳遞晶圓W。因此，可朝由旋轉吸盤170固持之晶圓W周緣部上的適當位置供給潤洗液，適當清洗該周緣部。
且藉由位置調節裝置42調節晶圓W中心位置，故在其後藉由晶圓運送裝置80運送晶圓W中，晶圓W由運送臂81固持，俾臂部230中心位置與晶圓W中心位置一致。又，此時在運送臂81之固持部231與晶圓W之間產生摩擦力，故晶圓W不偏移固持部231而由運送臂81固持。因此，晶圓W周緣部不接觸臂部230。亦即，自塗布處理裝置33朝熱處理裝置40運送晶圓W、自熱處理裝置40朝溫度調節裝置75運送晶圓W、自溫度調節裝置75朝位置調節裝置42運送晶圓W、自位置調節裝置42朝周緣部清洗裝置34運送晶圓W時，晶圓W周緣部不接觸臂部230。因此，晶圓W上的聚醯亞胺膜不附著臂部230，不會如以往引起微粒污染。特別是若在晶圓上塗布高粘度塗布液(例如本實施形態之聚醯亞胺溶液)塗布膜即會易於附著運送臂，故本實施形態特別在使用高粘度塗布液時有用。
以上實施形態之塗布顯影處理系統1之位置調節裝置42雖係配置於第2處理區塊G2，但亦可如圖13所示配置於作為其他處理區塊之第3處理區塊G3及第4處理區塊G4。相關場合下，自上述溫度調節裝置55、75朝位置調節裝置42運送晶圓W不使用晶圓運送裝置80，代之以晶圓運送裝置100、102。如此，可省略一部分藉由運轉率高之晶圓運送裝置80進行之晶圓W之運送。且可在第2處理 區塊G2中配置有位置調節裝置42之位置另外配置處理時間長的熱處理裝置40。因此，可提升晶圓處理整體之處理能力。
又，即使在相關場合下，晶圓運送裝置100、102之運送臂101、103中臂部240之曲率半徑亦大於晶圓W之徑，故晶圓W周緣部不接觸臂部240。因此，晶圓W上的聚醯亞胺膜不附著臂部240，不會如以往引起微粒污染。
以上實施形態中，雖藉由位置調節裝置42令由吸盤220固持之晶圓W繞著鉛直軸轉動並令其沿X方向移動，但亦可令該晶圓W沿X方向及Y方向之水平方向2方向移動。亦即，亦可根據藉由位置偵測部223偵測之晶圓W中心部CW 之偏移量TX 、TY ，令晶圓W沿X方向及Y方向移動。相關場合下，亦可藉由例如吸盤驅動部221沿Y方向伸縮，令由吸盤220固持之晶圓W沿Y方向移動。
且亦可於以上實施形態之周緣部清洗裝置34設置與塗布處理裝置33之聚醯亞胺噴嘴153、160相同之塗布液噴嘴。相關場合下，作為周緣部清洗裝置34之塗布液噴嘴，可設置供給作為例如塗布液之光阻液之光阻噴嘴。又，在晶圓W上由光阻噴嘴供給光阻液，在該晶圓W上形成光阻膜。
且即使在以上實施形態之塗布處理裝置33中，亦可與周緣部清洗裝置34相同，設置對晶圓W周緣部供給潤洗液之邊緣潤洗噴嘴。
以上實施形態中，雖已說明關於作為塗布液使用聚醯亞胺溶液之情形，但本發明不僅可適當適用於聚醯亞胺溶液，亦可適當適用於其他塗布液、製造圖像感測器等時使用之彩色光阻等高粘度塗布液。
以上實施形態中，於運送臂81、101，固持晶圓W之固持部231、241雖分別包含O形環232、242，但本發明不限定於此。固持部231、241於該固持部231、241與晶圓W周緣部背面之間產生摩擦力即可，亦可不包含O形環232、242而代之以其他吸附墊等。或是亦可如圖14所示於固持部231前端部形成抽吸口310，固持部231藉由自抽吸口310抽吸固持晶圓W。相關場合下，抽吸口310經由 真空配管311連接真空泵312。又，即使於固持部241亦可同樣地形成連接真空泵312之抽吸口310。
且雖如上述本發明特別在使用高粘度塗布液時有用，但本發明亦可適當適用於相對較低粘度之塗布液、例如通常之光阻、或SOD(Spin On Dielectric)膜用處理液或SOG(Spin On Glass)膜用處理液。即使在相關場合下，亦可防止塗布膜附著運送臂，防止微粒污染。
以上，雖已參照附圖並同時說明關於本發明之較佳實施形態，但本發明不由相關例所限定。吾人應理解只要係熟悉該技藝者，於申請專利範圍所記載之構想範疇內當然可想到各種變更例或修正例，關於此等者當然亦屬於本發明之技術性範圍。本發明不限於此例可採取各種態樣。本發明亦可適用於基板係晶圓以外之FPD(平面顯示器)、光罩用倍縮遮罩等其他基板時。
C‧‧‧匣盒
CC 、CW ‧‧‧中心部
D‧‧‧晶圓運送區域
F‧‧‧杯體
G1、G2、G3、G4‧‧‧處理區塊
H‧‧‧記憶媒體
P‧‧‧起始位置
TX 、TY ‧‧‧偏移量
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧塗布顯影處理系統
2‧‧‧匣盒站
3‧‧‧處理站
4‧‧‧曝光裝置
5‧‧‧介面站
10‧‧‧匣盒載置台
11‧‧‧匣盒載置板
20‧‧‧運送通道
21‧‧‧晶圓運送裝置
30、31‧‧‧顯影處理裝置
32‧‧‧廢液回收裝置
33‧‧‧塗布處理裝置
34‧‧‧周緣部清洗裝置
40‧‧‧熱處理裝置
41‧‧‧黏附裝置
42‧‧‧位置調節裝置
43‧‧‧周邊曝光裝置
50、52、54、56‧‧‧傳遞裝置
51、53、55‧‧‧溫度調節裝置
60‧‧‧廢液排出裝置
70、72、74、76‧‧‧傳遞裝置
71、73、75‧‧‧溫度調節裝置
80、100、102、110‧‧‧晶圓運送裝置
81、101、103‧‧‧運送臂
90‧‧‧穿梭運送裝置
111‧‧‧傳遞裝置
130‧‧‧處理容器
131‧‧‧送入送出口
150‧‧‧軌條
151、152‧‧‧臂
153、160‧‧‧聚醯亞胺噴嘴
154、161‧‧‧噴嘴驅動部
155、162‧‧‧待命部
156‧‧‧供給管
157‧‧‧聚醯亞胺供給裝置
158、163、174、186、205‧‧‧排液管
170‧‧‧旋轉吸盤
171‧‧‧軸
172‧‧‧旋轉驅動部
173‧‧‧杯底
175‧‧‧背部潤洗噴嘴
176‧‧‧潤洗液供給源
177‧‧‧潤洗液供給管
178‧‧‧引導環
180‧‧‧杯體
181‧‧‧間隙
182‧‧‧氣液分離部
183‧‧‧分隔壁
184‧‧‧外側區域
185‧‧‧內側區域
187‧‧‧排氣管
190‧‧‧廢液容器
200、210‧‧‧處理容器
201‧‧‧回收儲存槽
202‧‧‧鉛直配管
203‧‧‧傾斜配管
204‧‧‧泵
211‧‧‧送入送出口
220‧‧‧吸盤
221‧‧‧吸盤驅動部
222‧‧‧軌條
223‧‧‧位置偵測部
230、240‧‧‧臂部
231、241‧‧‧固持部
232、242‧‧‧O形環
233、243‧‧‧支持部
140~143‧‧‧塗布部
300‧‧‧控制部
310‧‧‧抽吸口
311‧‧‧真空配管
312‧‧‧真空泵
圖1係顯示依本實施形態之塗布顯影處理系統內部構成概略之俯視圖。
圖2係顯示塗布顯影處理系統內部構成概略之側視圖。
圖3係顯示塗布顯影處理系統內部構成概略之側視圖。
圖4係顯示塗布處理裝置與廢液回收裝置構成概略之縱剖面圖。
圖5係顯示塗布處理裝置構成概略之橫剖面圖。
圖6係顯示塗布部構成概略之縱剖面圖。
圖7係顯示位置調節裝置構成概略之橫剖面圖。
圖8係顯示運送臂構成概略之俯視圖。
圖9係顯示運送臂固持部構成概略之俯視圖。
圖10係顯示運送臂構成概略之俯視圖。
圖11係顯示以位置調節裝置調節晶圓中心位置情形之說明圖，(a)顯示吸盤於既定位置待命之情形，(b)顯示自運送臂傳遞晶圓至吸盤之情形，(c)顯示藉由位置偵測部偵測晶圓中心位置之情 形，(d)顯示令晶圓繞著鉛直軸轉動之情形，(e)顯示令晶圓沿X方向移動之情形。
圖12係顯示於塗布處理裝置自運送臂傳遞晶圓至旋轉吸盤情形之說明圖。
圖13係顯示依另一實施形態之塗布顯影處理系統內部構成概略之側視圖。
圖14係顯示依又一實施形態之運送臂固持部構成概略之俯視圖。
C．．．匣盒
D．．．晶圓運送區域
G2、G3、G4．．．處理區塊
1．．．塗布顯影處理系統
2．．．匣盒站
3．．．處理站
4．．．曝光裝置
5．．．介面站
10．．．匣盒載置台
11．．．匣盒載置板
21．．．晶圓運送裝置
40．．．熱處理裝置
41．．．黏附裝置
42．．．位置調節裝置
43．．．周邊曝光裝置
50、52、54、56．．．傳遞裝置
51、53、55．．．溫度調節裝置
60．．．廢液排出裝置
70、72、74、76．．．傳遞裝置
71、73、75．．．溫度調節裝置
80、110．．．晶圓運送裝置
90．．．穿梭運送裝置

Claims (14)

  1. 一種基板處理系統，包含：複數處理裝置，用以處理基板，具有用以在基板上塗布塗布液的塗布處理裝置；位置調節裝置，用以調節基板之中心位置；基板運送裝置，相對於該塗布處理裝置與該位置調節裝置運送基板；及控制部，用以控制前述各裝置之動作；該基板處理系統之特徵在於：該基板運送裝置包含：臂部，以大於基板半徑之曲率半徑沿基板周緣部彎曲；及固持部，自該臂部朝內側突出，用以固持基板的背面；且該位置調節裝置具有：載置台，可任意旋轉或任意水平移動，用以固持基板的背面之中心部；及位置偵測部，用以一面令基板旋轉，一面偵測出載置台上的基板之中心位置；該塗布處理裝置包含另一載置台，用以固持著基板的背面中心部；且該控制部依據該位置偵測部之偵測結果，求出該載置台上的基板之中心位置與該載置台之中心位置兩者的偏移量，以進行下述控制：藉由該載置台繞著鉛直軸進行的旋轉，使得載置台上的基板旋轉，而使得基板之中心位於俯視觀之其方向與載置台進行該水平移動時之移動方向平行且通過該臂部之中心的直線上，接著使得載置台於該移動方向上進行水平移動，俾由該載置台固持之基板的中心位置與該臂部中心位置一致；然後以該臂部將該載置台上之基板加以接收，且將該基板運送至該塗布處理裝置，而在該臂部與該另一載置台之間進行基板的傳遞，俾該臂部所固持之基板的中心位置與該另一載置台的中心位置一致。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該固持部藉由該固持部與基板之間的摩擦力固持基板。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，於該固持部 前端部形成連接於真空泵之抽吸口，該固持部藉由自該抽吸口之抽吸來固持基板。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理系統，其中，該塗布液係聚醯亞胺溶液。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理系統，包含：處理區塊，沿鉛直方向以多段方式堆疊有包含該塗布處理裝置之處理裝置；另一處理區塊，沿鉛直方向以多段方式堆疊有該位置調節裝置與其他處理裝置；及另一基板運送裝置，對於該另一處理區塊之該位置調節裝置與該其他處理裝置，運送基板；且該另一基板運送裝置包含：另一臂部，以大於基板半徑之曲率半徑沿基板周緣部彎曲；及另一固持部，自該另一臂部朝內側突出，用以固持基板之背面。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理系統，其中，該另一固持部藉由該另一固持部與基板之間的摩擦力固持基板。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理系統，其中，於該另一固持部的前端部形成連接真空泵之抽吸口，該另一固持部藉由自該抽吸口之抽吸來固持基板。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理系統，其中，該複數處理裝置包含：溫度調節裝置，用以調節基板之溫度；熱處理裝置，用以對由該塗布處理裝置塗布好該塗布液之基板進行熱處理，在該基板上形成塗布膜；及周緣部清洗裝置，將藉由該熱處理裝置所形成之基板周緣部上的該塗布膜加以清洗去除；且該基板運送裝置對於該溫度調節裝置、該熱處理裝置及該周緣部清洗裝置運送基板。
  9. 一種基板處理方法，使用一基板處理系統，該基板處理系統包含：複數處理裝置，用以處理基板，具有用以在基板上塗布塗布液的塗布處理裝置；位置調節裝置，用以調節基板的中心位置；基板運送裝置，相對於該塗布處理裝置與該位置調節裝置運送基板；及控制部，用以控制各該裝置的動作；且該基板運送裝置包含：臂部，以大於基板半徑之曲率半徑沿基板周緣部彎曲；及固持部，自該臂部朝內側突出，用以固持基板之背面；該位置調節裝置具有：載置台，可任意旋轉或任意水平移動，用以固持基板之背面中心部；及位置偵測部，用以一面令基板旋轉，一面偵測出載置台上的基板之中心位置；該塗布處理裝置包含另一載置台，用以固持著基板的背面中心部；且該基板處理方法包含：位置調節步驟，於該位置調節裝置中，依據該位置偵測部之偵測結果，求出該載置台上的基板之中心位置與該載置台之中心位置兩者的偏移量，以藉由該載置台繞著鉛直軸進行的旋轉，使得載置台上的基板旋轉，而使得基板之中心位於俯視觀之其方向與載置台進行該水平移動時之移動方向平行且通過該臂部之中心的直線上，接著使得載置台於該移動方向上進行水平移動，俾由該載置台固持之基板的中心位置與該臂部中心位置一致；及運送步驟，其後，利用該基板運送裝置在基板周緣部不接觸該臂部之狀態下自該位置調節裝置送出基板，而將該基板運送至該塗布處理裝置；且於該運送步驟後，在該臂部與該另一載置台之間進行基板的傳遞，俾該臂部所固持之基板的中心位置與該另一載置台的中心位置一致。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，該塗布液係聚醯亞胺溶液。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之基板處理方法，其中，該固持部藉由該固持部與基板之間的摩擦力固持基板。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之基板處理方法，其中，於該固持部前端部形成連接於真空泵之抽吸口，且該固持部藉由自該抽吸口之抽吸固持基板。
  13. 如申請專利範圍第9或10項之基板處理方法，其中，該複數處理裝置包含：溫度調節裝置，調節基板之溫度；熱處理裝置，對由該塗布處理裝置塗布好該塗布液之基板進行熱處理，在該基板上形成塗布膜；及周緣部清洗裝置，將藉由該熱處理裝置所形成之基板周緣部上的該塗布膜加以清洗去除；且該基板處理方法包含：第1溫度調節步驟，在該位置調節步驟前，於該溫度調節裝置將基板溫度調節至既定溫度；熱處理步驟，於該塗布處理裝置中將該塗布液塗布在基板上之後，在該熱處理裝置中對基板進行熱處理，以在該基板上形成塗布膜；第2溫度調節步驟，在該熱處理步驟後，於該溫度調節裝置中將基板溫度調節至既定溫度；另一位置調節步驟，在該第2溫度調節步驟後，於該位置調節裝置調節基板之中心位置；及周邊部清洗步驟，在該另一位置調節步驟後，於該周緣部清洗裝置中將基板周緣部上的該塗布膜加以清洗去除；且對於該溫度調節裝置、該熱處理裝置及該周緣部清洗裝置的基板之運送，係使用該基板運送裝置在基板周緣部不接觸該臂部之狀態下進行。
  14. 一種可讀取之電腦記憶媒體，收納有一程式，該程式係基於藉由基板處理系統施行如申請專利範圍第9或10項之基板處理方法，而在控制該基板處理系統之控制部的電腦上動作。
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