TWI584878B - 處理液噴嘴及塗布處理裝置 - Google Patents

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TWI584878B
TWI584878B TW104101613A TW104101613A TWI584878B TW I584878 B TWI584878 B TW I584878B TW 104101613 A TW104101613 A TW 104101613A TW 104101613 A TW104101613 A TW 104101613A TW I584878 B TWI584878 B TW I584878B
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西村理志
井本直樹
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東京威力科創股份有限公司
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Description

處理液噴嘴及塗布處理裝置
本發明，係關於對基板供給處理液之處理液噴嘴、及具有該處理液噴嘴之塗布處理裝置。
近年來，例如半導體元件之製造程序中，半導體晶圓（以下，稱「晶圓」。）之大直徑化正在進展。且業界要求於安裝等特定之程序，晶圓之更薄化。又，若將例如大直徑且較薄的晶圓，直接搬運，或進行拋光處理，即有於晶圓發生翹曲或破損之虞。因此，例如為補強晶圓，將晶圓貼附於例如作為支持基板之晶圓或玻璃基板。
可使用例如於專利文獻1所記載之接合系統，在晶圓與支持基板之間夾設黏接劑，藉此接合該晶圓與支持基板。接合系統，包含： 塗布裝置，例如於晶圓塗布黏接劑； 熱處理裝置，對塗布有黏接劑之晶圓進行加熱；及 接合裝置，推壓晶圓與支持基板而以黏接劑將其接合。
上述接合裝置中，若推壓晶圓與支持基板，黏接劑即會自該晶圓與支持基板之間溢出。如此溢出之黏接劑，有對晶圓與支持基板之搬運程序或處理程序造成不良影響之虞。例如於搬運程序，黏接劑若附著於搬運晶圓與支持基板之搬運裝置，該黏接劑即會附著於其他晶圓或支持基板。且於處理程序，黏接劑有時亦會附著於對晶圓與支持基板進行既定之處理之處理裝置。此時，無法適當接合晶圓與支持基板。在此，有人提倡：於塗布裝置，自溶劑噴嘴對塗布有黏接劑之晶圓之外周部供給黏接劑之溶劑，去除該晶圓之外周部上的黏接劑。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2013－58569號公報
［發明所欲解決之課題］
然而，於溶劑中，有時會混入異物，有時會因該異物導致專利文獻1所記載之溶劑噴嘴阻塞。特別是溶劑噴嘴之口徑較小時，此問題會變得更為顯著。此時，無法適當去除晶圓之外周部上的黏接劑。
且發明人等調查發現，如此之異物會因各種原因產生。有時例如連接溶劑噴嘴之溶劑之供給管的一部分剝離，而產生異物。且有時亦會於例如定期維修時自溶劑噴嘴更換供給管之際，發生異物混入溶劑噴嘴之情形。且有時亦會發生例如溶劑噴嘴與供給管之接頭之間所設置之密封材剝離，而產生異物之情形。如此，難以確定異物之產生來源。
鑒於上述之問題點，本發明之目的在於：去除處理液中之異物，抑制處理液噴嘴之阻塞，自處理液噴嘴對基板適當供給處理液。 ［解決課題之手段］
為達成該目的，本發明，係一種處理液噴嘴，對基板供給處理液，其特徵在於包含： 中空之噴嘴本體； 處理液之流通空間，形成於該噴嘴本體之內部；及 處理液之流通路，連接「形成於該噴嘴本體之下部之處理液之噴吐口與該流通空間」，沿鉛直方向貫通該噴嘴本體；且 該流通空間，包含： 異物集取空間，形成於較該流通路之上端更下方，以使處理液中之異物沉降而加以集取。
依本發明，於處理液噴嘴之內部設置異物集取空間，故可緊接在自處理液噴嘴對基板供給處理液前，去除處理液中之異物。亦即，可與異物之發生源無關地，去除異物。因此，可抑制處理液噴嘴之阻塞，可自處理液噴嘴對基板適當供給處理液。
亦可形成該異物集取空間，俾該異物集取空間中異物之沉降速度，較該流通空間中處理液之流通速度快。
亦可決定該異物集取空間中處理液之流出面積，俾該沉降速度較該流通速度快。且亦可決定該異物集取空間中之深度，俾該沉降速度較該流通速度快。
亦可於該噴嘴本體，設置複數之對該流通空間供給處理液之處理液供給管。
亦可於該噴嘴本體，設置使該流通空間內排氣之排氣管。
依另一觀點之本發明，係一種塗布處理裝置，包含該處理液噴嘴，將用來接合基板彼此之黏接劑塗布於一基板之表面，其特徵在於包含： 旋轉固持部，固持基板並使其旋轉；及 黏接劑噴嘴，對由該旋轉固持部所固持之基板之中心部供給黏接劑；且 自該處理液噴嘴供給之處理液，係黏接劑之溶劑， 該處理液噴嘴，在由該黏接劑噴嘴塗布黏接劑之基板之外周部上供給黏接劑之溶劑，去除該外周部上之黏接劑。
且為達成該目的，本發明，係一種處理液噴嘴，對基板供給處理液，其特徵在於包含： 中空之噴嘴本體； 處理液之流通空間，形成於該噴嘴本體之內部； 處理液之流通路，連接「形成於該噴嘴本體之下部之處理液之噴吐口與該流通空間」，沿鉛直方向貫通該噴嘴本體； 過濾器，設於該流通路之上部，集取處理液中之異物並加以去除；及 固定構件，在與該噴嘴本體之間將該過濾器沿鉛直方向固定；且 該固定構件，包含： 本體部，以下表面固定該過濾器；及 突起部，自該本體部之上表面突起，抵接該流通空間之頂部面。
依本發明，於處理液噴嘴之內部設置過濾器，故可緊接在自處理液噴嘴對基板供給處理液前，去除處理液中之異物。亦即，可與異物之發生源無關地，去除異物。因此，可抑制處理液噴嘴之阻塞。
且固定構件中，其突起部抵接流通空間之頂部面，藉此，固定過濾器。作為固定過濾器之通常之方法，雖可想像例如螺著固定或嵌入固定等，但此時，會因滑動而產生異物。此點，依本發明，固定過濾器時，突起部僅抵接流通空間之頂部面，故可抑制異物之產生。因此，可更確實地抑制處理液噴嘴之阻塞，可自處理液噴嘴對基板適當供給處理液。
該流通空間之頂部面，亦可自中央部朝外周部往鉛直下方傾斜。
該突起部之前端部，亦可呈半球形狀。
依另一觀點之本發明，係一種處理液噴嘴，對基板供給處理液，其特徵在於包含： 中空之噴嘴本體； 處理液之流通空間，形成於該噴嘴本體之內部； 處理液之流通路，連接「形成於該噴嘴本體之下部之處理液之噴吐口與該流通空間」，沿鉛直方向貫通該噴嘴本體； 過濾器，設於該流通路，集取處理液中之異物並加以去除； 固定構件，在與該噴嘴本體之間沿鉛直方向固定該過濾器，具有磁性體；及 磁石，夾隔著該過濾器吸引該固定構件。
該磁石，亦可配置於該流通路之外側。
該過濾器與該固定構件，亦可分別配置於該流通路之上部。或是，該過濾器與該固定構件，亦可分別配置於該流通路之內部。
該流通空間，亦可包含： 異物集取空間，形成於較該流通路之上端更下方，以使處理液中之異物沉降而加以集取。
亦可形成該異物集取空間，俾該異物集取空間中異物之沉降速度，較該流通空間中處理液之流通速度快。
亦可決定該異物集取空間中處理液之流出面積，俾該沉降速度較該流通速度快。且亦可決定該異物集取空間中之深度，俾該沉降速度較該流通速度快。
亦可於該噴嘴本體，設置複數之對該流通空間供給處理液之處理液供給管。
亦可於該噴嘴本體，設置使該流通空間內排氣之排氣管。
且依另一觀點之本發明，係一種塗布處理裝置，包含該處理液噴嘴，將用來接合基板彼此之黏接劑塗布於一基板之表面，其特徵在於包含： 旋轉固持部，固持基板並使其旋轉；及 黏接劑噴嘴，對由該旋轉固持部所固持之基板之中心部供給黏接劑；且 自該處理液噴嘴供給之處理液，係黏接劑之溶劑， 該處理液噴嘴，在由該黏接劑噴嘴塗布黏接劑之基板之外周部上，供給黏接劑之溶劑，去除該外周部上的黏接劑。 ［發明之效果］
依本發明，可去除處理液中之異物，抑制處理液噴嘴之阻塞，自處理液噴嘴對基板適當供給處理液。
以下，說明關於本發明之實施形態。圖1，係顯示依本實施形態之接合系統1之構成之概略之俯視圖。圖2，係顯示接合系統1之內部構成之概略之側視圖。
接合系統1中，如圖3所示，以例如黏接劑G，將作為基板之被處理晶圓W與作為基板之支持晶圓S接合。以下，被處理晶圓W中，將以黏接劑G接合支持晶圓S之一面，稱為作為表面之「接合面WJ 」，將與該接合面WJ 相反之一側之面，稱為作為背面之「非接合面WN 」。同樣地，支持晶圓S中，將以黏接劑G接合被處理晶圓W之一面，稱為作為表面之「接合面SJ 」，將與接合面SJ 相反之一側之面，稱為作為背面之「非接合面SN 」。又，接合系統1中，接合被處理晶圓W與支持晶圓S，形成重合晶圓T。 又，被處理晶圓W，係作為產品之晶圓，例如於接合面WJ 形成複數之電子電路，非接合面WN 會被拋光處理。且支持晶圓S，係其直徑與被處理晶圓W相同，支持該被處理晶圓W之晶圓。又，本實施形態中，雖說明關於作為支持基板使用晶圓之情形，但亦可使用例如玻璃基板等其他基板。
接合系統1，如圖1所示，具有一體連接下列者之構成： 送入送出站2，在與例如外部之間，送入送出可分別收納複數之被處理晶圓W、複數之支持晶圓S、複數之重合晶圓T之匣盒CW 、CS 、CT ；及 處理站3，具有對被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T施行既定之處理之各種處理裝置。
於送入送出站2，設置匣盒載置台10。於匣盒載置台10，設置複數，例如4個匣盒載置板11。匣盒載置板11，沿X方向（圖1中之上下方向）排成一列而配置。於此等匣盒載置板11，在相對於接合系統1之外部送入送出匣盒CW 、CS 、CT 之際，可載置匣盒CW 、CS 、CT 。如此，送入送出站2，可保存複數之被處理晶圓W、複數之支持晶圓S、複數之重合晶圓T。又，匣盒載置板11之個數，不由本實施形態限定，可任意決定。且匣盒之一亦可用來回收故障晶圓。亦即，該匣盒，可將因各種要因被處理晶圓W與支持晶圓S之接合發生故障之晶圓，與其他正常之重合晶圓T分離。本實施形態中，複數之匣盒CT 中，1個匣盒CT 用來回收故障晶圓，另一方之匣盒CT 用來收納正常之重合晶圓T。
於送入送出站2，鄰接匣盒載置台10而設置晶圓搬運部20。於晶圓搬運部20，設置可在沿X方向延伸之搬運通道21上任意移動之晶圓搬運裝置22。晶圓搬運裝置22，可沿鉛直方向並繞著鉛直軸（θ方向）任意移動，在各匣盒載置板11上的匣盒CW 、CS 、CT ，與後述之處理站3之第3處理區塊G3之傳送裝置50、51之間，搬運被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T。
於處理站3，設置具有各種處理裝置之複數例如3個處理區塊G1、G2、G3。例如於處理站3之正面側（圖1中之X方向負方向側），設置第1處理區塊G1，於處理站3之背面側（圖1中之X方向正方向側），設置第2處理區塊G2。且於處理站3之送入送出站2側（圖1中之Y方向負方向側），設置第3處理區塊G3。
例如於第1處理區塊G1，自送入送出站2側依下列順序沿Y方向排列配置有：推壓被處理晶圓W與支持晶圓S而以黏接劑G將其接合之接合裝置30～33。又，接合裝置30～33之裝置數或配置可任意設定。
接合裝置30～33，包含： 傳遞部（未經圖示），用來在與外部之間傳遞被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T； 翻轉部（未經圖示），將支持晶圓S之表面背面翻轉； 接合部（未經圖示），推壓被處理晶圓W與支持晶圓S而以黏接劑G將其接合；及搬運部（未經圖示），相對於傳遞部、翻轉部及接合部，搬運被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T。
例如於第2處理區塊G2，如圖2所示，往朝送入送出站2側之方向（圖2中之Y方向負方向）依下列順序排列配置有： 於被處理晶圓W塗布黏接劑G，且去除被處理晶圓W之外周部上的黏接劑G之塗布處理裝置40，及 將塗布有黏接劑G之被處理晶圓W加熱至既定之溫度之熱處理裝置41～43，與相同的熱處理裝置44～46。 熱處理裝置41～43與熱處理裝置44～46，分別自下而上依此順序設置成3段。又，熱處理裝置41～46之裝置數量或鉛直方向及水平方向之配置可任意設定。
熱處理裝置44～46，包含： 加熱部（未經圖示），對被處理晶圓W進行加熱處理；及 溫度調節部（未經圖示），調節被處理晶圓W之溫度。 又，關於塗布處理裝置40之構成於後詳述。
例如於第3處理區塊G3，被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T之傳送裝置50、51，自下而上依此順序設置成2段。
如圖1所示，由第1處理區塊G1～第3處理區塊G3包圍之區域中，形成有晶圓搬運區域60。於晶圓搬運區域60，配置例如晶圓搬運裝置61。又，晶圓搬運區域60內之壓力在大氣壓以上，該晶圓搬運區域60中，進行被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T之所謂大氣系之搬運。
晶圓搬運裝置61，具有可沿例如鉛直方向、水平方向（Y方向、X方向）並繞著鉛直軸任意移動之搬運臂。晶圓搬運裝置61，可於晶圓搬運區域60內移動，朝周圍之第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內之既定之裝置，搬運被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T。
於以上之接合系統1，如圖1所示，設置控制部70。控制部70，係例如電腦，具有程式儲存部（未經圖示）。於程式儲存部，儲存有控制接合系統1中被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T之處理之程式。且於程式儲存部，亦儲存有控制上述之各種處理裝置或搬運裝置等驅動系之動作，以實現接合系統1中後述之接合處理之程式。又，該程式，亦可記錄於例如電腦可讀取之硬碟（HD）、軟碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）、記憶卡等電腦可讀取之記憶媒體H，自該記憶媒體H安裝至控制部70。
其次，說明關於上述之塗布處理裝置40之構成。塗布處理裝置40，如圖4所示，具有可密封內部之處理容器100。於處理容器100之晶圓搬運區域60側之側面，形成被處理晶圓W之送入送出口（未經圖示），於該送入送出口設置開合閘門（未經圖示）。
於處理容器100內之中央部，設置作為固持被處理晶圓W而使其旋轉之旋轉固持部之旋轉吸盤110。旋轉吸盤110，具有水平之上表面，於該上表面，設置例如抽吸被處理晶圓W之抽吸口（未經圖示）。藉由自此抽吸口抽吸，可將被處理晶圓W在旋轉吸盤110上吸附固持。
於旋轉吸盤110之下方，設置例如具有馬達等之吸盤驅動部111。旋轉吸盤110，可藉由吸盤驅動部111以既定之速度旋轉。且於吸盤驅動部111，設置例如缸筒等昇降驅動源，旋轉吸盤110可任意昇降。
於旋轉吸盤110之周圍，設置將自被處理晶圓W噴濺或流下之液體承接、回收之杯體112。杯體112之下表面，連接：將回收之液體排出之排出管113，與對杯體112內之環境抽真空而排氣之排氣管114。
如圖5所示，於杯體112之X方向負方向（圖5中之下方向）側，形成：沿Y方向（圖5中之左右方向）延伸之軌條120。軌條120，例如自杯體112之Y方向負方向（圖5中之左方向）側之外方，形成至Y方向正方向（圖5中之右方向）側之外方。於軌條120，安裝有臂121。
臂121，如圖4及圖5所示，支持：對被處理晶圓W供給液體狀之黏接劑G之黏接劑噴嘴122。臂121，可藉由圖5所示之噴嘴驅動部123，在軌條120上任意移動。藉此，黏接劑噴嘴122，可自設置於杯體112之Y方向正方向側之外方之待命部124，移動至杯體112內之被處理晶圓W之中心部上方，且可在該被處理晶圓W上沿被處理晶圓W之徑方向移動。且臂121，可藉由噴嘴驅動部123任意昇降，調節黏接劑噴嘴122之高度。
黏接劑噴嘴122，如圖4所示，連接：對該黏接劑噴嘴122供給黏接劑G之黏接劑供給管125。黏接劑供給管125，連通：於內部儲存黏接劑G之黏接劑供給源126。且於黏接劑供給管125，設置：包含控制黏接劑G之流量之閥或流量調節部等之供給設備群組127。
且如圖5所示，於杯體112與軌條120之間，形成：沿Y方向（圖5中之左右方向）延伸之軌條130。軌條130，自例如杯體112之Y方向負方向（圖5中之左方向）側之外方，形成至杯體112之中央附近。於軌條130，安裝有臂131。
臂131，如圖4及圖5所示，支持：作為處理液對被處理晶圓W供給黏接劑G之溶劑，以為處理液噴嘴之溶劑噴嘴132。臂121，可藉由圖5所示之噴嘴驅動部133，在軌條130上任意移動。藉此，溶劑噴嘴132，可自設置於杯體112之Y方向負方向側之外方之待命部134，移動至杯體112內之被處理晶圓W之外周部上方，且在該被處理晶圓W上沿被處理晶圓W之徑方向移動。且臂131，可藉由噴嘴驅動部133任意昇降，調節溶劑噴嘴132之高度。
溶劑噴嘴132，如圖4所示，連接：對該溶劑噴嘴132供給黏接劑G之溶劑，作為處理液供給管之溶劑供給管135。溶劑供給管135，如後述，連接溶劑噴嘴132之際，分支為2條。且溶劑供給管135，連通：於內部儲存黏接劑G之溶劑之溶劑供給源136。且於溶劑供給管135，設置包含控制黏接劑G之溶劑之流量之閥或流量調節部等之供給設備群組137。又，於黏接劑G之溶劑，使用例如有機類之稀釋劑。
又，本實施形態中，支持黏接劑噴嘴122之臂121與支持溶劑噴嘴132之臂131，雖分別各自安裝於軌條120、130，但亦可安裝於同一軌條。且黏接劑噴嘴122與溶劑噴嘴132，雖分別各自由臂121、131支持，但亦可由同一臂支持。
且塗布處理裝置40中各部之動作，由上述之控制部70控制。
其次，說明關於上述之溶劑噴嘴132之構成。溶劑噴嘴132，如圖6及圖7所示，包含上部塊200與下部塊201。下部塊201嵌入形成於臂131之溝槽部131a，溶劑噴嘴132由臂131支持。
上部塊200與下部塊201為一體，構成依本發明之中空之噴嘴本體。於此等上部塊200與下部塊201為一體之噴嘴本體之內部，形成溶劑流通之流通空間202。又，流通空間202，結合後述之上部塊200之上部空間210與下部塊201之下部空間230而形成。
於上部塊200，形成：自下表面朝上方凹陷之上部空間210。上部空間210（流通空間202）之頂部面211，自其中央部朝外周部往鉛直下方傾斜。於頂部面211之中央部，形成：用來使流通空間202之內部排氣之排氣口212。且頂部面211之外緣部呈段狀朝下方凹陷，於該外緣部，用來對流通空間202供給溶劑之溶劑供給口213形成於例如2處。
上部塊200之上表面，連接：用來連接排氣管220之管接頭221。排氣管220，經由管接頭221連通排氣口212。又，頂部面211傾斜，故於流通空間202流通之溶劑中之氣泡，可集中於頂部面211之中央部，經由排氣口212自排氣管220排出。
且於上部塊200之上表面，設置：複數，例如2個用來連接溶劑供給管135之管接頭222。溶劑供給管135，經由管接頭222連通溶劑供給口213。又，自溶劑供給管135經由溶劑供給口213對流通空間202供給溶劑。
下部塊201中，如圖6～圖8所示，形成：自上表面朝下方凹陷之下部空間230。如上述，此下部空間230與上部塊200之上部空間210結合，形成流通空間202。下部空間230（流通空間202），具有：用來使溶劑中之異物沉降而集取之異物集取空間231。異物集取空間231，形成於：後述之突出部240之周圍，較流入口241（流通路244之上端）更下方。此異物集取空間231之具體設計方法於後詳述。又，於下部塊201，亦可設置：將由異物集取空間231集取之異物排出之異物排出管（未經圖示）。
下部塊201中，於下部空間230之中央部，形成：自底面突出之突出部240。於突出部240之上表面，形成：溶劑自流通空間202流入之流入口241。且於下部塊201，形成：自下表面中央部朝下方突出之噴嘴部242。於噴嘴部242之下表面，形成溶劑之噴吐口243。噴吐口243之直徑，例如在0.1mm以下。於突出部240與噴嘴部242，形成：連接流入口241與噴吐口243，將此等突出部240與噴嘴部242沿鉛直方向貫通之溶劑之流通路244。又，流通路244之上部，呈自流入口241直徑逐漸減小之推拔形狀。
於下部塊201之側面，設置：自該側面朝外方突出之環狀之環250。環250之上表面抵接上部塊200，於該上表面設置環狀之密封材251，例如樹脂製O形環。
其次，說明關於上述之異物集取空間231之構成。異物集取空間231，係用來使於流通空間202流動之溶劑中之異物沉降之空間，首先，說明關於溶劑噴嘴132內溶劑之流向。如圖9所示，自溶劑供給管135被供給至流通空間202之溶劑，經過異物集取空間231上昇後，依序通過流入口241與流通路244，自噴吐口243被噴吐（圖9中之虛線箭頭係溶劑之流通通道）。
形成異物集取空間231，俾異物集取空間231中異物之沉降速度，較流通空間202中溶劑之流通速度快。作為如此用來使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快之參數，存在有溶劑自異物集取空間231流出之際異物集取空間231之流出面積A。本實施形態中，流出面積A亦係以俯視視之異物集取空間231之面積。又，藉由調節流出面積A，異物之沉降速度可較溶劑之流通速度快。具體而言，流出面積A若較大，自異物集取空間231流出之溶劑之流通速度即較慢，故異物集取空間231中異物易於沉降。
且作為用來使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快之參數，存在有異物集取空間231之深度D。例如異物集取空間231之深度D若較小，自溶劑供給管135被供給至流通空間202之溶劑，有時即會沖擊下部塊201之底面（異物集取空間231之底面）。此時，異物集取空間231內溶劑之流動紊亂，無法使異物適當沉降。在此，為使異物集取空間231內之溶劑之流動不紊亂，並使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快，需確保異物集取空間231之深度D。
且為使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快，自複數之溶劑供給口213對流通空間202供給溶劑亦係有效。此時，對流通空間202分散供給溶劑，故可使流通空間202內溶劑之流通速度變慢。如此，於異物集取空間231，異物即變得易於沉降。
又，藉由進行例如模擬，或是進行實驗，可使異物集取空間231之形狀最佳化。換言之，只要可滿足自異物集取空間231流出之溶劑之流動不紊亂，並使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快之條件，異物集取空間231之形狀、溶劑供給口213之數量或配置、形狀（溶劑供給管135之數量或配置、形狀）可任意設計。
亦即，異物集取空間231之形狀不由本實施形態限定。且溶劑供給口213之數量（溶劑供給管135之數量）亦不由本實施形態限定，可為1個，亦可為3個以上。且溶劑供給口213雖形成於流通空間202之上表面，但不限定於此，例如溶劑供給口213亦可形成於流通空間202之側面，自流通空間202之側方供給溶劑。且亦可使溶劑供給口213之直徑較溶劑供給管135之直徑大，減慢對流通空間202供給之溶劑之速度。
又，發明人等使用本實施形態之溶劑噴嘴132進行模擬發現，以異物集取空間231可去除直徑在80μm以上之異物。
其次，說明關於使用如以上構成之接合系統1進行之被處理晶圓W與支持晶圓S之接合處理方法。
首先，將收納有複數片被處理晶圓W之匣盒CW 、收納有複數片支持晶圓S之匣盒CS 、及空的匣盒CT ，載置至送入送出站2之既定之匣盒載置板11。其後，以晶圓搬運裝置22將匣盒CW 內之被處理晶圓W取出，搬運至處理站3之第3處理區塊G3之傳送裝置50。此時，被處理晶圓W，以其非接合面WN 朝下方之狀態被搬運。
其次，被處理晶圓W，由晶圓搬運裝置61搬運至塗布處理裝置40。將被送入塗布處理裝置40之被處理晶圓W，自晶圓搬運裝置61傳遞至旋轉吸盤110而加以吸附固持。此時，吸附固持被處理晶圓W之非接合面WN 。
接著，以臂121將待命部124之黏接劑噴嘴122移動至被處理晶圓W之中心部之上方。其後，以旋轉吸盤110使被處理晶圓W旋轉，同時自黏接劑噴嘴122對被處理晶圓W之接合面WJ 供給黏接劑G。經供給之黏接劑G因離心力擴散至被處理晶圓W之接合面WJ 全面，於該被處理晶圓W之接合面WJ 塗布黏接劑G。
其後，將黏接劑噴嘴122移動至待命部124，並以臂131將待命部134之溶劑噴嘴132移動至被處理晶圓W之外周部上方。此時，如圖10所示，溶劑噴嘴132，配置於：自被處理晶圓W之外側面WS 既定之距離L，例如5mm～7.5mm之位置。此距離L，係以控制部70，根據例如黏接劑G之種類、塗布在被處理晶圓W上的黏接劑G之目標膜厚、對被處理晶圓W進行加熱之熱處理溫度、或推壓被處理晶圓W與支持基板之壓力而決定。
其後，以旋轉吸盤110使被處理晶圓W旋轉，同時自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W之外周部WE 供給黏接劑G之溶劑。經供給之黏接劑G之溶劑，因離心力在被處理晶圓W之外周部WE 上朝外側面WS 流動。以此黏接劑G之溶劑去除被處理晶圓W之外周部WE 上的黏接劑G。
此時，如圖9所示，溶劑噴嘴132中，自溶劑供給管135對流通空間202供給溶劑，以異物集取空間231使該溶劑中之異物沉降而加以集取。又，將異物經去除之溶劑，通過流通路244而自噴吐口243噴吐。如此，溶劑中之異物由異物集取空間231去除，故可抑制溶劑噴嘴132之阻塞。
其次，將被處理晶圓W，以晶圓搬運裝置61搬運至熱處理裝置41。熱處理裝置41中，首先，以加熱部將被處理晶圓W加熱至既定之溫度，例如100℃～300℃。藉由進行該加熱，被處理晶圓W上的黏接劑G被加熱，該黏接劑G硬化。其後，藉由溫度調節部，調節被處理晶圓W之溫度至既定之溫度。
其次，將被處理晶圓W，以晶圓搬運裝置61搬運至接合裝置30。接合裝置30中，於接合部，以被處理晶圓W之接合面WJ 朝上方之狀態，亦即黏接劑G朝上方之狀態，使被處理晶圓W由第1固持部固持。
針對被處理晶圓W，進行上述之塗布處理裝置40中之處理、熱處理裝置41中之處理、接合裝置30中之處理之期間，在該被處理晶圓W之後，接著進行支持晶圓S之處理。將支持晶圓S，以晶圓搬運裝置61搬運至接合裝置30。接合裝置30中，以翻轉部翻轉支持晶圓S之表面背面。亦即，支持晶圓S之接合面SJ 朝下方。其後，於接合部，以支持晶圓S之接合面SJ 朝下方之狀態，使支持晶圓S由第2固持部固持。
接合裝置30中，被處理晶圓W與支持晶圓S分別由第1固持部與第2固持部固持後，即調節被處理晶圓W與支持晶圓S之水平方向之位置與鉛直方向之位置，然後，使被處理晶圓W之接合面WJ 與支持晶圓S之接合面SJ 抵接，以黏接劑G黏接被處理晶圓W與支持晶圓S。且對被處理晶圓W與支持晶圓S以既定之溫度，例如200℃進行加熱，並同時推壓，更強固地黏接而接合被處理晶圓W與支持晶圓S。
其次，將接合有被處理晶圓W與支持晶圓S之重合晶圓T，以晶圓搬運裝置61搬運至熱處理裝置42。又，於熱處理裝置42，將重合晶圓T之溫度，調節至既定之溫度，例如常溫（23℃）。其後，將重合晶圓T，以晶圓搬運裝置61搬運至傳送裝置51，其後，以送入送出站2之晶圓搬運裝置22將其搬運至既定之匣盒載置板11之匣盒CT 。如此，一連串被處理晶圓W與支持晶圓S之接合處理結束。
依以上之實施形態，於溶劑噴嘴132之內部設置異物集取空間231，故可緊接在自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W供給溶劑前，去除溶劑中之異物。亦即，可與異物之發生源無關地，去除異物。因此，即使如本實施形態，噴吐口243之直徑小，亦可抑制溶劑噴嘴132之阻塞，可自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W適當供給溶劑。且可對被處理晶圓W供給不含有異物之溶劑，故可適當去除被處理晶圓W之外周部WE 上的黏接劑G。
且形成異物集取空間231，俾藉由調節其流出面積A或深度D，異物集取空間231中異物之沉降速度，較流通空間202中溶劑之流通速度快。且藉由設置複數溶劑供給管135，可對流通空間202分散供給溶劑，減小流通空間202內溶劑之流通速度。因此，可以異物集取空間231使異物適當沉降而加以集取。
以上之實施形態中，雖以配置被處理晶圓W於下側，且配置支持晶圓S於上側之狀態，接合此等被處理晶圓W與支持晶圓S，但被處理晶圓W與支持晶圓S之上下配置亦可相反。此時，於支持晶圓S之接合面SJ 塗布黏接劑G，且使被處理晶圓W之表面背面翻轉。又，接合支持晶圓S與被處理晶圓W。惟，就保護被處理晶圓W上的電子電路等之觀點而言，宜在被處理晶圓W上塗布黏接劑G。
且以上之實施形態中，雖於塗布處理裝置40對被處理晶圓W與支持晶圓S中任一方塗布黏接劑G，但亦可對被處理晶圓W與支持晶圓S雙方塗布黏接劑G。
以上之實施形態中，作為本發明之處理液噴嘴，雖已說明使用塗布處理裝置40中之溶劑噴嘴132之情形，但本發明之處理液噴嘴亦可適用於其他處理。本發明之處理液噴嘴，亦可適用於例如光微影處理中，於晶圓塗布光阻液之際，以潤洗液清洗晶圓之外周部之EBR噴嘴（Edge Bead Remover噴嘴）。或是，本發明之處理液噴嘴，亦可適用在於晶圓塗布其他塗布液之噴嘴。且本發明，亦可適用於基板係晶圓以外之FPD（平面顯示器）、光罩用倍縮遮罩等其他基板之情形。
惟，如上述實施形態，以黏接劑G接合被處理晶圓W與支持晶圓S之接合處理中，以溶劑噴嘴132去除被處理晶圓W之外周部上的黏接劑G之際所要求之精度極高。因此，自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W適當供給溶劑相當重要，作為處理液噴嘴使用溶劑噴嘴132時本發明特別有用。
下部塊201中，如圖11～圖13所示，形成自上表面朝下方凹陷之下部空間230。如上述，此下部空間230與上部塊200之上部空間210結合，形成流通空間202。下部空間230（流通空間202），具有：用來使溶劑中之異物沉降而集取之異物集取空間231。異物集取空間231，形成於：後述之突出部240之周圍，較流入口272（流通路275之上端）更下方。此異物集取空間231之具體設計方法於後詳述。又，於下部塊201，亦可設置：將由異物集取空間231集取之異物排出之異物排出管（未經圖示）。
下部塊201中，於下部空間230之中央部，形成：自底面突出之突出部240。於突出部240之上表面，形成：配置有後述之過濾器260與固定構件261之溝槽部241。於溝槽部241之底面，形成：溶劑自流通空間202流入之流入口272。且於下部塊201，形成：自下表面中央部朝下方突出之噴嘴部273。於噴嘴部273之下表面，形成溶劑之噴吐口274。噴吐口244之直徑，在例如0.1mm以下。於突出部240與噴嘴部273，形成：連接流入口272與噴吐口274，沿鉛直方向貫通此等突出部240與噴嘴部273之溶劑之流通路275。又，流通路275之上部，呈自流入口272直徑逐漸減小之推拔形狀。
於下部塊201之側面，設置：自該側面朝外方突出之環狀之環250。環250之上表面抵接上部塊200，於該上表面設置環狀之密封材251，例如樹脂製O形環。
溶劑噴嘴132，更包含： 過濾器260，集取並去除溶劑中之異物；及 固定構件261，固定過濾器260。 過濾器260與固定構件261，配置於下部塊201之溝槽部241。又，溶劑以既定之流速通過過濾器260，故固定若鬆弛，過濾器260即有振動等移動之虞，此時，有因過濾器260移動導致異物產生之虞。因此，過濾器260需以固定構件261適當固定。
於過濾器260，使用：形成有複數之例如直徑為數十μm之孔，厚度為數十μm之網格板。過濾器260中孔之直徑，可對應預想之異物之直徑任意設定。配置過濾器260，俾包覆流通路275之流入口272。
固定構件261，包含：以下表面固定過濾器260之樹脂製本體部262。於本體部262之中央部，形成：供溶劑流通之貫通孔263。且固定構件261，包含：自本體部262之上表面突起之樹脂製突起部264。突起部264，於貫通孔263之周圍設置2個。突起部264之前端部264a呈半球形狀。又，前端部264a大致呈半球形狀即可，簡言之呈圓滑狀即可。
又，突起部264抵接上部空間210（流通空間202）之頂部面211，固定構件261在與突出部240之間沿鉛直方向固定過濾器260。此時，突起部264與頂部面211之接觸面積小，故可抑制異物之產生。且突起部264之前端部若平坦而有棱角，則與頂部面211接觸之際該前端部即會被刮削而有異物產生之虞，但本實施形態之前端部264a圓滑，故可抑制該異物之產生。且頂部面211自中央部朝外周部往鉛直下方傾斜，故突起部264順著頂部面211傾斜，可抑制突起部264發生挫曲。又，突起部264之行為穩定，可以固定構件261確實固定過濾器260。
又，固定構件261中，在圖13所示之本體部262之外側面262a與突出部240之溝槽部241之內側面241a之間，設置間隙，配置於溝槽部241。因此，固定構件261與突出部240因滑動而不產生異物。
其次，說明關於上述之異物集取空間231之構成。異物集取空間231，係用來使於流通空間202流動之溶劑中之異物沉降之空間，首先，說明關於溶劑噴嘴132內溶劑之流向。如圖14所示，自溶劑供給管135被供給至流通空間202之溶劑，經過異物集取空間231上昇後，依序通過固定構件261之貫通孔263、過濾器260、流入口272、流通路275，自噴吐口274被噴吐（圖14中之虛線箭頭係溶劑之流通通道）。
形成異物集取空間231，俾異物集取空間231中異物之沉降速度，較流通空間202中溶劑之流通速度快。作為如此用來使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快之參數，存在有溶劑自異物集取空間231流出之際異物集取空間231之流出面積A。本實施形態中，流出面積A亦係以俯視視之異物集取空間231之面積。又，藉由調節流出面積A，異物之沉降速度較溶劑之流通速度快。具體而言，流出面積A若較大，自異物集取空間231流出之溶劑之流通速度即較慢，故異物集取空間231中異物易於沉降。
且作為用來使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快之參數，存在有異物集取空間231之深度D。例如異物集取空間231之深度D若較小，自溶劑供給管135被供給至流通空間202之溶劑，有時即會沖擊下部塊201之底面（異物集取空間231之底面）。此時，異物集取空間231內溶劑之流動紊亂，無法使異物適當沉降。在此，為使異物集取空間231內之溶劑之流動不紊亂，並使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快，需確保異物集取空間231之深度D。
且為使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快，自複數之溶劑供給口213對流通空間202供給溶劑亦係有效。此時，對流通空間202分散供給溶劑，故可使流通空間202內溶劑之流通速度變慢。如此，於異物集取空間231，異物即變得易於沉降。
又，藉由進行例如模擬，或是進行實驗，可使異物集取空間231之形狀最佳化。換言之，只要可滿足自異物集取空間231流出之溶劑之流動不紊亂，並使異物之沉降速度較溶劑之流通速度快之條件，異物集取空間231之形狀、溶劑供給口213之數量或配置、形狀（溶劑供給管135之數量或配置、形狀）可任意設計。
亦即，異物集取空間231之形狀不由本實施形態限定。且溶劑供給口213之數量（溶劑供給管135之數量）亦不由本實施形態限定，可為1個，亦可為3個以上。且溶劑供給口213雖形成於流通空間202之上表面，但不限定於此，例如溶劑供給口213亦可形成於流通空間202之側面，自流通空間202之側方供給溶劑。且亦可使溶劑供給口213之直徑較溶劑供給管135之直徑大，減慢對流通空間202供給之溶劑之速度。
又，發明人等使用本實施形態之溶劑噴嘴132進行模擬發現，以異物集取空間231可去除直徑在80μm以上之異物。
其次，說明關於使用如以上構成之接合系統1進行之被處理晶圓W與支持晶圓S之接合處理方法。
首先，將收納有複數片被處理晶圓W之匣盒CW 、收納有複數片支持晶圓S之匣盒CS 、及空的匣盒CT ，載置於送入送出站2之既定之匣盒載置板11。其後，以晶圓搬運裝置22將匣盒CW 內之被處理晶圓W取出，搬運至處理站3之第3處理區塊G3之傳送裝置50。此時，將被處理晶圓W，以其非接合面WN 朝下方之狀態搬運。
其次，被處理晶圓W，由晶圓搬運裝置61搬運至塗布處理裝置40。將被送入塗布處理裝置40之被處理晶圓W，自晶圓搬運裝置61傳遞至旋轉吸盤110而加以吸附固持。此時，吸附固持被處理晶圓W之非接合面WN 。
接著，以臂121將待命部124之黏接劑噴嘴122移動至被處理晶圓W之中心部之上方。其後，以旋轉吸盤110使被處理晶圓W旋轉，同時自黏接劑噴嘴122對被處理晶圓W之接合面WJ 供給黏接劑G。經供給之黏接劑G因離心力擴散至被處理晶圓W之接合面WJ 全面，於該被處理晶圓W之接合面WJ 塗布黏接劑G。
其後，將黏接劑噴嘴122移動至待命部124，並以臂131將待命部134之溶劑噴嘴132移動至被處理晶圓W之外周部上方。此時，如圖15所示，將溶劑噴嘴132，配置於自被處理晶圓W之外側面WS 既定之距離L，例如5mm～7.5mm之位置。此距離L，係以控制部70，根據例如黏接劑G之種類、塗布在被處理晶圓W上的黏接劑G之目標膜厚、對被處理晶圓W進行加熱之熱處理溫度、或推壓被處理晶圓W與支持基板之壓力而決定。
其後，以旋轉吸盤110使被處理晶圓W旋轉，同時自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W之外周部WE 供給黏接劑G之溶劑。經供給之黏接劑G之溶劑，因離心力在被處理晶圓W之外周部WE 上朝外側面WS 流動。以此黏接劑G之溶劑去除被處理晶圓W之外周部WE 上的黏接劑G。
此時，如圖14所示，溶劑噴嘴132中，自溶劑供給管135對流通空間202供給溶劑，以異物集取空間231使該溶劑中之異物沉降而加以集取。且溶劑自流通空間202流入流通路275之際，以過濾器260集取該溶劑中之異物。又，將異物經去除之溶劑，自噴吐口274噴吐。此時，溶劑中之異物由異物集取空間231與過濾器260以2階段集取，故可確實去除該異物。因此，可抑制溶劑噴嘴132之阻塞。
其次，將被處理晶圓W，以晶圓搬運裝置61搬運至熱處理裝置41。熱處理裝置41中，首先，以加熱部將被處理晶圓W加熱至既定之溫度，例如100℃～300℃。藉由進行該加熱，被處理晶圓W上的黏接劑G被加熱，該黏接劑G硬化。其後，藉由溫度調節部，調節被處理晶圓W之溫度至既定之溫度。
其次，將被處理晶圓W，以晶圓搬運裝置61搬運至接合裝置30。接合裝置30中，於接合部，以被處理晶圓W之接合面WJ 朝上方之狀態，亦即黏接劑G朝上方之狀態，使被處理晶圓W由第1固持部固持。
針對被處理晶圓W，進行上述之塗布處理裝置40中之處理、熱處理裝置41中之處理、接合裝置30中之處理之期間，在該被處理晶圓W之後，接著進行支持晶圓S之處理。將支持晶圓S，以晶圓搬運裝置61搬運至接合裝置30。接合裝置30中，以翻轉部翻轉支持晶圓S之表面背面。亦即，支持晶圓S之接合面SJ 朝下方。其後，於接合部，以支持晶圓S之接合面SJ 朝下方之狀態，使支持晶圓S由第2固持部固持。
於接合裝置30，被處理晶圓W與支持晶圓S分別由第1固持部與第2固持部固持後，即調節被處理晶圓W與支持晶圓S之水平方向之位置與鉛直方向之位置，然後，使被處理晶圓W之接合面WJ 與支持晶圓S之接合面SJ 抵接，以黏接劑G黏接被處理晶圓W與支持晶圓S。且對被處理晶圓W與支持晶圓S以既定之溫度，例如200℃進行加熱，並同時推壓，更強固地黏接而接合被處理晶圓W與支持晶圓S。
其次，將接合有被處理晶圓W與支持晶圓S之重合晶圓T，以晶圓搬運裝置61搬運至熱處理裝置42。又，於熱處理裝置42，將重合晶圓T之溫度，調節至既定之溫度，例如常溫（23℃）。其後，將重合晶圓T，以晶圓搬運裝置61搬運至傳送裝置51，其後，以送入送出站2之晶圓搬運裝置22將其搬運至既定之匣盒載置板11之匣盒CT 。如此，一連串被處理晶圓W與支持晶圓S之接合處理結束。
依以上之實施形態，於溶劑噴嘴132之內部設置異物集取空間231與過濾器260，故可緊接在自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W供給溶劑前，去除溶劑中之異物。亦即，可與異物之發生源無關地，去除異物。且如此由異物集取空間231與過濾器260以2階段集取異物，故可確實去除該異物。因此，即使如本實施形態，噴吐口274之直徑較小，亦可抑制溶劑噴嘴132之阻塞，可自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W適當供給溶劑。且可對被處理晶圓W供給不含有異物之溶劑，故可適當去除被處理晶圓W之外周部WE 上的黏接劑G。
且過濾器260之固定構件261中，其突起部264抵接流通空間202之頂部面211，藉此，固定過濾器260。又，突起部264之前端部264a呈半球形狀，故前端部264a不因接觸頂部面211而被刮削。因此，固定過濾器260時，突起部264以較小的接觸面積抵接頂部面211，且前端部264a不因此抵接而被刮削，故可抑制異物之產生。因此，可更確實地抑制溶劑噴嘴132之阻塞。
且流通空間202之頂部面211，自中央部朝外周部往鉛直下方傾斜，故固定構件261之突起部264順著頂部面211傾斜，可抑制突起部264發生挫曲。因此，可以固定構件261適當地固定過濾器260。
且形成異物集取空間231，俾藉由調節其流出面積A或深度D，異物集取空間231中異物之沉降速度，較流通空間202中溶劑之流通速度快。且藉由設置複數溶劑供給管135，可對流通空間202分散供給溶劑，減小流通空間202內溶劑之流通速度。因此，可以異物集取空間231使異物適當沉降而加以集取。
以上之實施形態之溶劑噴嘴132中，固定過濾器260之固定構件261之構成，不由本實施形態限定。亦可使用例如磁石（Magnet）固定過濾器260。關於使用如此之磁石之實施形態，以下，使用圖16～圖19說明。
如圖16所示，溶劑噴嘴132，不包含上述實施形態之固定構件261，而代之以固定構件300。固定構件300由磁性體，例如金屬構成。且於固定構件300之中央部，形成：供溶劑流通之貫通孔301。
於下部塊201之突出部240，在流通路275之外側形成孔310於例如2處。於各孔310之內部，嵌入：由支持構件311支持之磁石312。又，溶劑噴嘴132之其他之構成，與上述實施形態之溶劑噴嘴132之構成相同，故省略說明。
此時，以固定構件300與過濾器260配置於突出部240之溝槽部241之狀態，固定構件300被磁石312吸引，過濾器260由固定構件300固定。亦即，固定構件300不接觸流通空間202之頂部面211等，以非接觸之狀態固定過濾器260。因此，可更確實地抑制：固定過濾器260之際產生異物。
且只要卸除磁石312，即可輕易卸除固定構件300與過濾器260，亦可使溶劑噴嘴132之維修變得容易。
如圖17及圖18所示，溶劑噴嘴132，不包含上述實施形態之突出部240與噴嘴部273，而代之以固持部320與噴嘴部321。於固持部320，形成：配置過濾器260與固定構件300之溝槽部322。又，固定構件300，與圖16所示之例相同，由磁性體構成。且圖17及圖18之例中，過濾器260與固定構件300以俯視視之雖呈略圓形狀，但俯視形狀不由此限定，亦可與上述實施形態相同，呈略矩形狀。
噴嘴部321，自固持部320朝鉛直下方延伸。於噴嘴部321之內部，形成：與上述實施形態相同之溶劑之流通路275。於此流通路275之上端（溝槽部322之底面），形成流入口272，於流通路275之下端，形成噴吐口274。
於噴嘴部321之外側，設置：由支持構件330支持之磁石331。於支持構件330之中央部，形成貫通孔332，噴嘴部321嵌入貫通孔332。又，溶劑噴嘴132之其他之構成，與上述實施形態之溶劑噴嘴132之構成相同，故省略說明。
此時，以固定構件300與過濾器260配置於固持部320之溝槽部322之狀態，固定構件300被磁石331吸引，過濾器260由固定構件300固定。亦即，固定構件300以非接觸之狀態固定過濾器260。因此，可更確實地抑制：固定過濾器260之際產生異物。
且磁石331埋入支持構件330，構造單純。因此，溶劑噴嘴132之製造變得容易，且品質亦穩定。
上述實施形態中，過濾器260雖設於流通路275之上部，但如圖19所示，過濾器260亦可設於流通路275之內部。溶劑噴嘴132，不包含上述實施形態之噴嘴部321，而代之以噴嘴部340。於噴嘴部340之內部，形成溶劑之流通路275，噴嘴部340包含：包圍流通路275之磁石341。且過濾器260與磁性體所構成之固定構件300一體構成，配置於流通路275之內部。又，溶劑噴嘴132之其他之構成，與上述實施形態之溶劑噴嘴132之構成相同，故省略說明。
此時，以固定構件300與過濾器260配置於流通路275之內部之狀態，固定構件300被磁石341吸引，固定過濾器260。亦即，固定構件300不接觸流通路275之側面，以非接觸之狀態固定過濾器260。因此，可更確實地抑制：固定過濾器260之際產生異物。
以上之實施形態之溶劑噴嘴132中，於其內部雖設置異物集取空間231，但亦可省略該異物集取空間231。亦即，亦可僅以過濾器260去除溶劑中之異物。
如圖20所示，溶劑噴嘴132之流通空間202中，省略異物集取空間231，僅形成於固定構件261之正上方。且對流通空間202供給溶劑之溶劑供給口213，於流通空間202之頂部面211之中央部形成於1處。伴隨此，連接上部塊200之溶劑供給管135亦為1個。又，溶劑噴嘴132之其他之構成，與上述實施形態之溶劑噴嘴132之構成相同，故省略說明。
此時，自溶劑供給管135被供給至流通空間202之溶劑，依序通過流通空間202、固定構件261之貫通孔263、過濾器260、流入口272、流通路275，自噴吐口274被噴吐。又，溶劑通過過濾器260之際，集取該溶劑中之異物而加以去除。因此，可抑制溶劑噴嘴132之阻塞，可自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W適當供給溶劑。
在此，如上述實施形態，於溶劑噴嘴132形成異物集取空間231時，可藉由異物集取空間231與過濾器260以2階段集取異物，故可提升異物之去除能力。相對於此，如本實施形態，於溶劑噴嘴132不形成異物集取空間231時，雖僅以過濾器260去除異物，但可使異物集取空間231之構造單純化，故溶劑噴嘴132之製造變得容易，且品質亦穩定。因此，異物集取空間231之有無，對應所要求之異物之去除能力選擇即可。
又，圖20所示之例中，亦可不使用固定構件261，代之以如圖16～圖19所示，使用磁石固定過濾器260。
以上之實施形態中，雖以配置被處理晶圓W於下側，且配置支持晶圓S於上側之狀態，接合此等被處理晶圓W與支持晶圓S，但被處理晶圓W與支持晶圓S之上下配置亦可相反。此時，於支持晶圓S之接合面SJ 塗布黏接劑G，且使被處理晶圓W之表面背面翻轉。又，接合支持晶圓S與被處理晶圓W。惟，就保護被處理晶圓W上的電子電路等之觀點而言，宜在被處理晶圓W上塗布黏接劑G。
且以上之實施形態中，雖於塗布處理裝置40對被處理晶圓W與支持晶圓S中任一方塗布黏接劑G，但亦可對被處理晶圓W與支持晶圓S雙方塗布黏接劑G。
以上之實施形態中，作為本發明之處理液噴嘴，雖已說明使用塗布處理裝置40中之溶劑噴嘴132之情形，但本發明之處理液噴嘴亦可適用於其他處理。本發明之處理液噴嘴，亦可適用於：例如光微影處理中，於晶圓塗布光阻液之際，以潤洗液清洗晶圓之外周部之EBR噴嘴（Edge Bead Remover噴嘴）。或是，本發明之處理液噴嘴，亦可適用在於晶圓塗布其他塗布液之噴嘴。且本發明，亦可適用於：基板係晶圓以外之FPD（平面顯示器）、光罩用倍縮遮罩等其他基板之情形。
惟，如上述實施形態，以黏接劑G接合被處理晶圓W與支持晶圓S之接合處理中，以溶劑噴嘴132去除被處理晶圓W之外周部上的黏接劑G之際所要求之精度極高。因此，自溶劑噴嘴132對被處理晶圓W適當供給溶劑相當重要，作為處理液噴嘴使用溶劑噴嘴132時本發明特別有用。
以上，雖已參照附圖，同時說明關於本發明之適當之實施形態，但本發明不由相關例限定。吾人應理解，只要係孰悉該技藝者，當然可在申請專利範圍所記載之構想之範疇內，達成各種變更例或修正例，關於此等者，當然亦屬於本發明之技術範圍。
1‧‧‧接合系統
40‧‧‧塗布處理裝置
110‧‧‧旋轉吸盤
122‧‧‧黏接劑噴嘴
131‧‧‧臂
132‧‧‧溶劑噴嘴
135‧‧‧溶劑供給管
200‧‧‧上部塊
201‧‧‧下部塊
202‧‧‧流通空間
210‧‧‧上部空間
211‧‧‧頂部面
212‧‧‧排氣口
213‧‧‧溶劑供給口
220‧‧‧排氣管
221‧‧‧管接頭
222‧‧‧管接頭
230‧‧‧下部空間
231‧‧‧異物集取空間
240‧‧‧突出部
241‧‧‧流入口
243‧‧‧噴吐口
244‧‧‧流通路
250‧‧‧環
251‧‧‧密封材
272‧‧‧流入口
273‧‧‧噴嘴部
274‧‧‧噴吐口
275‧‧‧流通路
260‧‧‧過濾器
261‧‧‧固定構件
262‧‧‧本體部
264‧‧‧突起部
300‧‧‧固定構件
312、331、341‧‧‧磁石
G‧‧‧黏接劑
S‧‧‧支持晶圓
T‧‧‧重合晶圓
W‧‧‧被處理晶圓
［圖1］係顯示依本實施形態之接合系統之構成之概略之俯視圖。 ［圖2］係顯示依本實施形態之接合系統之內部構成之概略之側視圖。 ［圖3］係被處理晶圓與支持晶圓之側視圖。 ［圖4］係顯示塗布處理裝置之構成之概略之縱剖面圖。 ［圖5］係顯示塗布處理裝置之構成之概略之橫剖面圖。 ［圖6］係顯示溶劑噴嘴之構成之概略之立體圖。 ［圖7］係顯示溶劑噴嘴之構成之概略之縱剖面圖。 ［圖8］係顯示下部塊之構成之概略之縱剖面之立體圖。 ［圖9］係顯示溶劑噴嘴之內部中溶劑之流向之說明圖。 ［圖10］係顯示去除被處理晶圓之外周部上之黏接劑之情形之說明圖。 ［圖11］係顯示溶劑噴嘴之構成之概略之立體圖。 ［圖12］係顯示溶劑噴嘴之構成之概略之縱剖面圖。 ［圖13］係顯示下部塊、過濾器及固定構件之構成之概略之縱剖面之立體圖。 ［圖14］係顯示溶劑噴嘴之內部中溶劑之流向之說明圖。 ［圖15］係顯示去除被處理晶圓之外周部上之黏接劑之情形之說明圖。 ［圖16］係顯示依另一實施形態之下部塊、過濾器及固定構件之構成之概略之縱剖面之立體圖。 ［圖17］係顯示依另一實施形態之噴嘴部、過濾器及固定構件之構成之概略之縱剖面之立體圖。 ［圖18］係顯示依另一實施形態之噴嘴部、過濾器及固定構件之構成之概略之縱剖面之立體圖。 ［圖19］係顯示依另一實施形態之噴嘴部、過濾器及固定構件之構成之概略之縱剖面之立體圖。 ［圖20］係顯示依另一實施形態之溶劑噴嘴之構成之概略之縱剖面圖。
131‧‧‧臂
132‧‧‧溶劑噴嘴
135‧‧‧溶劑供給管
200‧‧‧上部塊
201‧‧‧下部塊
202‧‧‧流通空間
210‧‧‧上部空間
211‧‧‧頂部面
212‧‧‧排氣口
213‧‧‧溶劑供給口
220‧‧‧排氣管
221‧‧‧管接頭
222‧‧‧管接頭
230‧‧‧下部空間
231‧‧‧異物集取空間
240‧‧‧突出部
241‧‧‧流入口
250‧‧‧環
251‧‧‧密封材
272‧‧‧流入口
273‧‧‧噴嘴部
274‧‧‧噴吐口

Claims (20)

  1. 一種處理液噴嘴，對基板供給處理液，其特徵在於包含：中空之噴嘴本體；處理液之流通空間，形成於該噴嘴本體之內部；及處理液之流通路，連接「形成於該噴嘴本體之下部之處理液之噴吐口」與該流通空間，沿鉛直方向貫通該噴嘴本體；且該流通空間，包含：異物集取空間，形成於較該流通路之上端更下方，以使處理液中之異物沉降而加以集取。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理液噴嘴，其中將該異物集取空間形成為：使得該異物集取空間中異物之沉降速度，大於該流通空間中處理液之流通速度。
  3. 如申請專利範圍第2項之處理液噴嘴，其中將該異物集取空間中處理液之流出面積決定成：使得該沉降速度大於該流通速度。
  4. 如申請專利範圍第2項之處理液噴嘴，其中將該異物集取空間之深度決定成：使得該沉降速度較該流通速度快。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理液噴嘴，其中於該噴嘴本體，設置對該流通空間供給處理液的複數之處理液供給管。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理液噴嘴，其中於該噴嘴本體，設置使該流通空間內排氣之排氣管。
  7. 一種塗布處理裝置，包含如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理液噴嘴，該塗布處理裝置將用來接合基板彼此之黏接劑塗布於一基板之表面，其特徵在於包含：旋轉固持部，固持基板並使其旋轉；及黏接劑噴嘴，對由該旋轉固持部所固持之基板之中心部供給黏接劑；且自該處理液噴嘴所供給之處理液，係黏接劑之溶劑，該處理液噴嘴，在由該黏接劑噴嘴塗布黏接劑之基板之外周部上供給黏接劑之溶劑，以去除該外周部上之黏接劑。
  8. 一種處理液噴嘴，對基板供給處理液，其特徵在於包含：中空之噴嘴本體；處理液之流通空間，形成於該噴嘴本體之內部；處理液之流通路，連接「形成於該噴嘴本體之下部之處理液之噴吐口」與該流通空間，沿鉛直方向貫通該噴嘴本體；過濾器，設於該流通路之上部，集取處理液中之異物並加以去除；及固定構件，在此固定構件與該噴嘴本體之間沿鉛直方向固定該過濾器；且該固定構件包含：本體部，以下表面固定該過濾器；及突起部，自該本體部之上表面突起，抵接該流通空間之頂部面；且該流通空間，包含： 異物集取空間，形成於較該流通路之上端更下方，以使處理液中之異物沉降而加以集取。
  9. 如申請專利範圍第8項之處理液噴嘴，其中該流通空間之頂部面，自中央部朝外周部往鉛直下方傾斜。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之處理液噴嘴，其中該突起部之前端部，呈半球形狀。
  11. 一種處理液噴嘴，對基板供給處理液，其特徵在於包含：中空之噴嘴本體；處理液之流通空間，形成於該噴嘴本體之內部；處理液之流通路，連接「形成於該噴嘴本體之下部之處理液之噴吐口」與該流通空間，沿鉛直方向貫通該噴嘴本體；過濾器，設於該流通路，集取處理液中之異物並加以去除；固定構件，在此固定構件與該噴嘴本體之間沿鉛直方向固定該過濾器，具有磁性體；及磁石，夾隔著該過濾器吸引該固定構件；且該流通空間，包含：異物集取空間，形成於較該流通路之上端更下方，以使處理液中之異物沉降而加以集取。
  12. 如申請專利範圍第11項之處理液噴嘴，其中該磁石配置於該流通路之外側。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之處理液噴嘴，其中該過濾器與該固定構件，分別配置於該流通路之上部。
  14. 如申請專利範圍第11或12項之處理液噴嘴，其中該過濾器與該固定構件，分別配置於該流通路之內部。
  15. 如申請專利範圍第8、9、11、12項之處理液噴嘴，其中將該異物集取空間形成為：使得該異物集取空間中異物之沉降速度，大於該流通空間中處理液之流通速度。
  16. 如申請專利範圍第15項之處理液噴嘴，其中將該異物集取空間中處理液之流出面積決定成：使得該沉降速度大於該流通速度。
  17. 如申請專利範圍第15項之處理液噴嘴，其中將該異物集取空間之深度決定成：使得該沉降速度較該流通速度快。
  18. 如申請專利範圍第8、9、11、12項中任一項之處理液噴嘴，其中於該噴嘴本體，設置對該流通空間供給處理液的複數之處理液供給管。
  19. 如申請專利範圍第8、9、11、12項中任一項之處理液噴嘴，其中於該噴嘴本體，設置使該流通空間內排氣之排氣管。
  20. 一種塗布處理裝置，包含如申請專利範圍第8、9、11、12項中任一項之處理液噴嘴，將用來接合基板彼此之黏接劑塗布於一基板之表面，其特徵在於包含：旋轉固持部，固持基板並使其旋轉；及黏接劑噴嘴，對由該旋轉固持部所固持之基板之中心部供給黏接劑；且自該處理液噴嘴供給之處理液，係為黏接劑之溶劑，該處理液噴嘴，在由該黏接劑噴嘴塗布黏接劑之基板之外周部上，供給黏接劑之溶劑，以去除該外周部上的黏接劑。
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