TWI544570B

TWI544570B - 基板保持裝置及基板保持方法

Info

Publication number: TWI544570B
Application number: TW102111194A
Authority: TW
Inventors: 岩下泰治; 平河修; 真鍋英二; 田村武; 福冨亮
Original assignee: 東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2012-04-04
Filing date: 2013-03-28
Publication date: 2016-08-01
Also published as: JP5913162B2; TW201405699A; KR102024386B1; JP2013232630A; US20130264780A1; US9343349B2; KR20130112778A

Description

基板保持裝置及基板保持方法

揭示之實施形態係與基板保持裝置及基板保持方法相關。

以往，進行保持矽晶圓或化合物半導體晶圓等之基板之基板保持裝置為普遍所知。作為這樣的基板保持裝置係例如具有利用白努利(Bernoulli)之原理且以非接觸狀態吸附保持基板之白努利卡盤(參閱專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2009-194217號公報

但是，上述之基板保持裝置係有不容易保持彎曲之基板的問題。這是由於若基板彎曲時，基板會由保持面變成為浮動之狀態，恐怕會導致基板下沈。

實施形態之一態樣係提供能夠適切地保持彎曲之基板之基板保持裝置及基板保持方法作為目的。

關於實施形態之一態樣之基板保持裝置係具備有第1保持部、第2保持部、控制部。第1保持部係吸附保持包含基板之中央部的第1區域。第2保持部係吸附保持比位於基板之第1區域更外周側之第2區域。且，第1保持部係在吸附保持基板之第1區域後，第2保持部係吸附保持基板之第2區域。

根據實施形態之一態樣，能夠適切地保持彎曲的基板。

T‧‧‧重合基板

W‧‧‧被處理基板

S‧‧‧支撐基板

G‧‧‧黏著劑

1‧‧‧剝離系統

30‧‧‧剝離處理平台

31‧‧‧剝離裝置

32‧‧‧收授室

110‧‧‧第2搬送裝置

33‧‧‧第1洗淨裝置

210‧‧‧轉盤

211‧‧‧本體部

212‧‧‧吸附保持部

212a‧‧‧第1保持部

212b‧‧‧第2保持部

40‧‧‧第2搬送區域

120‧‧‧第3搬送裝置

50‧‧‧控制裝置

51‧‧‧搬送控制部

[圖1]圖1係表示關於第1實施形態之剝離系統之構成的模式平面圖。

[圖2]圖2係重合基板、被處理基板及支撐基板的模式側視圖。

[圖3]圖3係第1洗淨裝置之模式側視圖。

[圖4A]圖4A係轉盤之模式平面圖。

[圖4B]圖4B係表示第1保持部及第2保持部與吸氣裝置之連結關係的圖。

[圖5A]圖5A係轉盤所引起之吸附保持動作之說明圖。

[圖5B]圖5B係轉盤所引起之吸附保持動作之說明圖。

[圖5C]圖5C係轉盤所引起之吸附保持動作之說明圖。

[圖6]圖6係表示關於第2實施形態之第1保持部所具有之多孔介質及第2保持部所具有之多孔介質之疏密關係的圖。

[圖7]圖7係表示關於第3實施形態之第1保持部及第2保持部與吸氣裝置之連結關係的圖。

[圖8]圖8係表示轉盤之其他構成的模式平面圖。

[圖9]圖9係關於第5實施形態之轉盤的模式側面圖。

[圖10]圖10係表示關於第6實施形態之轉盤之一例的模式平面圖。

[圖11]圖11係表示關於第6實施形態之轉盤之其他一例的模式平面圖。

[實施形態]

以下，參閱附加圖面，對本申請所揭示之基板保持裝置及基板保持方法之實施形態進行詳細說明。此外，在以下所示之實施形態中，對進行剝離重合基板之剝離系統，關於適用本申請所揭示之基板保持裝置時之例子進行說明，本申請所揭示之基板保持裝置除了剝離系統以外亦可適用。

(第1實施形態) <1.剝離系統>

首先，參閱圖1及圖2，對關於第1實施形態之剝離系統的構成進行說明。圖1係表示關於第1實施形態之剝離系統之構成的模式平面圖，圖2係重合基板、被處理基板及支撐基板的模式側視圖。此外，在下述中，為了明確位置關係，因此規定彼此正交之X軸、Y軸及Z軸，且將Z軸正方向設為垂直向上的方向。

關於圖1所示之第1實施形態的剝離系統1係使被處理基板W與支撐基板S由黏著劑G所接合之重合基板T剝離成被處理基板W與支撐基板S的系統(參閱圖2)。

如圖2所示，將在被處理基板W之板面中介隔著黏著劑G，與支撐基板S接合之側的板面稱為「接合面Wj」，與接合面Wj相反側之板面稱為「非接合面Wn」。又，在支撐基板S之板面中介隔著黏著劑G，與被處理基板W接合之側的板面稱為「接合面Sj」，與接合面Sj相反側之板面稱為「非接合面Sn」。

被處理基板W係例如複數之電子回路形成於矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板的基板，將形成有電子回路之一側的板面設為接合面Wj。又，被處理基板W係例如藉由被研磨處理非接合面Wn進行薄型化。另一方，支撐基板S係與被處理基板W大約相同直徑的基板，支撐被處理基板W。作為支撐基板S，矽晶圓之其他例如能夠使用化合物半導體晶圓或玻璃基板等。

剝離系統1係如圖1所示，具備搬入搬出站10、第1搬送區域20、剝離處理平台30、第2搬送區域40及控制裝置50。搬入搬出站10及剝離處理平台30係介隔著第1搬送區域20並排配置於Y軸方向。又，搬入搬出站10、第1搬送區域20及剝離處理平台30的X軸負方向側係配置有第2搬送區域40。

在剝離系統1中，被搬入至搬入搬出站10之重合基板T係介隔著第1搬送區域20被搬送至剝離處理平台30，在剝離處理平台30中，被剝離成被處理基板W與支撐基板S。剝離後之被處理基板W係介隔著第2搬送區域40被搬送至後處理站M，剝離後之支撐基板S係介隔著第1搬送區域20被搬送至搬入搬出站10。此外，在剝離系統1中，亦能夠使不良之被處理基板W介隔著第1搬送區域20搬送至搬入搬出站10。

在搬入搬出站10中，收容有複數個被處理基板W之匣盒Cw、收容有複數個支撐基板S之匣盒Cs及收容有複數個重合基板T之匣盒Ct係在與剝離系統1之外部之間進行搬入搬出。像這樣的搬入搬出站10係設置有匣盒載置台11，在該匣盒載置台11中，設置有載置各個匣盒Cw，Cs，Ct之複數個匣盒載置板12a~12c。此外，在匣盒Cw中收容有例如作為不良品且由剝離處理平台30所搬送之被處理基板W。

在第1搬送區域20中，進行搬送搬入搬出站10及剝離處理平台30間的被處理基板W、支撐基板S及重合基板T。在第1搬送區域20中，設置有進行搬送被處理基板W、支撐基板S及重合基板T之第1搬送裝置21。

第1搬送裝置21係具備可朝向水平方向移動、垂直方向移動及將垂直軸設為中心進行旋轉之搬送臂22與被安裝至該搬送臂22之前端之夾盤23的搬送機械手臂。像這樣的第1搬送裝置21係使用夾盤23來保持基板，且藉由搬送臂22將由夾盤23所保持之基板搬送至所希望之位置。

在剝離處理平台30中，進行重合基板T之剝離、洗淨剝離後之被處理基板W及支撐基板S等。在該剝離處理平台30中，剝離裝置31、收授室32、第1洗淨裝置33及第2洗淨裝置34係被配置於X軸正方向，且依照第1洗淨裝置33、收授室32、剝離裝置31及第2洗淨裝置34之順序來並排配置。

在剝離裝置31中，進行將由第1搬送裝置21所搬送之重合基板T剝離成被處理基板W與支撐基板S 之剝離處理。

在收授室32中，設置有藉由剝離裝置31將由重合基板T所剝離之被處理基板W搬送至第1洗淨裝置33之第2搬送裝置110。第2搬送裝置110係白努利卡盤，以非接觸狀態保持被處理基板W且搬送至第1洗淨裝置33。

在此，白努利卡盤係由設置於保持面之噴出口朝向被處理基板W之板面使氣體噴射，按照保持面與被處理基板W之板面的間隔，伴隨著氣體之流速進行變化，利用負壓之變化以非接觸狀態保持被處理基板W。

第1洗淨裝置33係洗淨由第2搬送裝置110所搬送之被處理基板W。第1洗淨裝置33係具備吸附保持被處理基板W的同時進行旋轉之轉盤210，使用像這樣的轉盤210使被處理基板W旋轉的同時，對被處理基板W藉由噴上洗淨液來洗淨被處理基板W。關於像這樣的第1洗淨裝置33之構成係使用圖3進行說明。

藉由第1洗淨裝置33所洗淨之被處理基板W係介隔著第2搬送區域40被搬送至後處理站M，在後處理站M施加預定之後處理。此外，預定之後處理是指例如安裝被處理基板W之處理或對被處理基板W切割每晶片之處理等。

第2洗淨裝置34係在剝離裝置31中，洗淨由重合基板T所剝離之支撐基板S。藉由第2洗淨裝置34所洗淨之支撐基板S係藉由第1搬送裝置21搬送至搬入搬出站10。

第2搬送區域40係設置於剝離處理平台30與後處理站M之間。在第2搬送區域40中，設置有可在X軸方向延伸之搬送路41上移動之第3搬送裝置120，藉由該第3搬送裝置120來搬送剝離處理平台30及後處理站M之間的被處理基板W。第3搬送裝置120係與第2搬送裝置110相同，利用白努利卡盤的原理以非接觸狀態搬送被處理基板W。

又，在第2搬送區域40中，第3洗淨裝置43及第4洗淨裝置44係配置在X軸負方向且依照第3洗淨裝置43、第4洗淨裝置44之順序來並排配置。該些第3洗淨裝置43及第4洗淨裝置44係例如與第1洗淨裝置33相同構成之洗淨裝置，各自具備與轉盤210相同之轉盤220，230。被處理基板W係除了藉由該些第3洗淨裝置43及第4洗淨裝置44進行洗淨之外，並收授至後處理站M。

另外，在第2搬送區域40中，在剝離系統1與後處理站M之間配置有用於收授被處理基板W之收授部45。收授部45係具備吸附保持被處理基板W之多孔性卡盤240。被處理基板W係藉由第3洗淨裝置43及第4洗淨裝置44被洗淨後，藉由第3搬送裝置120載置於多孔性卡盤240上，藉由多孔性卡盤240進行吸附保持。

此外，多孔性卡盤240係與轉盤210，220，230相異，不具有旋轉功能，又由於並非進行被處理基板 W之洗淨者，因此與轉盤210相比較，直徑較大。

控制裝置50係控制剝離系統1之動作之裝置，具備例如搬送控制部51。搬送控制部51係控制由轉盤所引起之被處理基板W之吸附保持動作或由第2搬送裝置110及第3搬送裝置120所引起之搬送基板等的處理部。

此外，控制裝置50係藉由讀出記憶於例如電腦未圖示之記憶部的程式且執行，控制剝離系統1之動作。像這樣的程式係藉由電腦記錄於可讀取之記錄媒體者，亦可為由其記錄媒體安裝於控制裝置50之記憶部者。藉由電腦作為可讀取之記錄媒體，有例如硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

被處理基板W之厚度係例如為35~100μm之薄度，容易產生彎曲。特別是被處理基板W彎曲為凹狀時，轉盤210之吸附面與被處理基板W之外周部的距離相差較遠，因此被處理基板W有無法藉由轉盤210適切地吸附保持之可能性。這樣的情況下，恐怕會導致在第2搬送裝置110或第3搬送裝置120等之基板保持裝置與轉盤210，220，230或多孔性卡盤240等之基板保持裝置之間的被處理基板W之收授會變得困難。

因此，在關於第1實施形態之剝離系統1中，沿著徑方向將轉盤210之吸附面分割成複數個區域，透過由內側區域階段性地吸附保持被處理基板W，對被處理基板W之彎曲進行矯正。

以下，對關於本申請所揭示之基板保持裝置的一例亦即轉盤210之具體的構成及動作進行說明。此外，基板保持裝置之其他一例亦即轉盤220，230係與轉盤210相同構成，因此省略該些轉盤220，230之構成及動作的說明。

<2.第1洗淨裝置之構成>

首先，使用圖3對關於第1洗淨裝置33之構成係進行說明。圖3係第1洗淨裝置之模式側視圖。

如圖3所示，第1洗淨裝置33係具有可密封內部之處理容器331。處理容器331之側面係形成有被處理基板W之搬入搬出口(未圖示)，像這樣的搬入搬出口中，設置有未圖示之開關閘門。

在處理容器331內之中央部，設置有吸附保持被處理基板W且使旋轉之轉盤210。轉盤210係具備有設置於圓板狀之本體部211、本體部211之上面側之吸附保持部212。

吸附保持部212係包含由例如碳化矽等之陶瓷材料所形成之多孔介質所構成。轉盤210係藉由介隔著吸附保持部212所具有之多孔介質，吸引載置於本體部211之上面的被處理基板W，吸附保持像這樣的被處理基板W。

在轉盤210的下方，設置有支柱213。支柱213係下端部藉由基部214所支撐，且在上端部支撐轉盤 210。基部214係固定於例如處理容器331之底面。

在基部214中，設置有使支柱213旋轉之馬達等的驅動部(未圖示)。藉由像這樣的驅動部，若支柱213進行旋轉時，伴隨著旋轉轉盤210將變得可旋轉。又，在未圖示之驅動部中，設置有汽缸等的升降驅動源，藉由像這樣的升降驅動源，能夠使支柱213及轉盤213上升下降。

又，在轉盤210的周圍，阻止由被處理基板W飛散或落下之液體，設置有可進行回收之凹槽333。在凹槽333的下方，連接有對回收之液體進行排出之排出管334與對凹槽333內之環境進行真空處理且排氣之排氣管335。

又，第1洗淨裝置33係對被處理基板W具備供給有機溶劑等之洗淨液之洗淨液噴嘴68。洗淨液噴嘴68係沿著設置於處理容器331內之未圖示之導軌，可由凹槽333外之待機部69移動至凹槽333內之被處理基板W的中心位置。又，洗淨液噴嘴68係藉由未圖示之升降機構，調節至被處理基板W的高度。

洗淨液噴嘴68係例如2流體噴嘴，與用於供給洗淨液之供給管61及用於供給氮等惰性氣體之供給管64各自連接。在供給管61，將洗淨液儲存於內部之洗淨液供給源62係介隔著包含控制洗淨液之流動的閥或流量調節部等之供給機器群63進行連接。又，在供給管64，將惰性氣體儲存於內部之氣體供給源65係介隔著包含控制惰性氣體之流動的閥或流量調節部等之供給機器群66進行連接。

供給至洗淨液噴嘴68之洗淨液及惰性氣體係在洗淨液噴嘴68內被混合，由洗淨液噴嘴68供給至被處理基板W。第1洗淨裝置33係使轉盤210旋轉的同時，藉由對被處理基板W供給洗淨液等，來洗淨被處理基板W。

在像這樣的第1洗淨裝置33中，洗淨液等不止被供給至被處理基板W之表面，亦供給至背面，轉盤210之本體部211的直徑係形成比被處理基板W之直徑還小。因此，被處理基板W比轉盤210更外側處不會被吸附保持，具體來說，係指比吸附保持部212更外側的部份。在這樣的狀況下，被處理基板W容易發生彎曲。

另一方，關於第1實施形態之吸附保持部212係具備第1保持部212a與第2保持部212b。即，吸附保持部212之吸附面係被分割為第1保持部212a之吸附面與第2保持部212b之吸附面的狀態。

<3.轉盤之構成及動作>

接下來，藉由使用圖4A及圖4B，對轉盤210之構成及動作進行具體說明。圖4A係轉盤210之模式平面圖。又，圖4B係表示第1保持部212a及第2保持部212b與吸氣裝置之連結關係的圖。

如圖4A所示，吸附保持部212係被分割為與本體部211同心圓狀之第1保持部212a及第2保持部212b。

第1保持部212a係配罝於本體部211之中央部，吸附保持包含被處理基板W之中央部的區域(以下記載為「第1區域」)。又，第2保持部212b係配罝於比第1保持部212a更外周側，吸附保持比被處理基板W之第1區域更外周側的區域(以下記載為「第2區域」)。

又，如圖4B所示，第1保持部212a及第2保持部212b係連接至吸氣裝置216。具體而言，第1保持部212a係介隔著吸氣管215a且連接至吸氣裝置216，第2保持部212b係介隔著吸氣管215b且連接至吸氣裝置216。此外，吸氣裝置216係配置於例如基部214內，各吸氣管215a，215b係配置於支柱213內。

在各吸氣管215a，215b中，各自設置有為了調整由吸氣裝置216所供給之氣體流量的閥217a，217b(相當於流量調節閥之一例)，藉由控制裝置50之搬送控制部51，控制像這樣的閥217a，217b的開關。搬送控制部51係藉由控制像這樣的閥217a，217b之開關，來控制第1保持部212a及第2保持部212b的動作時序，即被處理基板W之吸附保持時序。

此外，如上述，轉盤210係具備旋轉功能。因此，在第1實施形態中，將第1保持部212a及第2保持部212b連接至單一的吸氣裝置216，透過簡化吸氣管等之配線，藉由吸氣管等，使轉盤210之旋轉動作不受阻礙。

接下來，使用圖5A~圖5C，對關於轉盤210所引起之被處理基板W的吸附保持動作進行說明。圖5A~圖5C係轉盤210所引起之吸附保持動作之說明圖。

如圖5A所示，被處理基板W係在轉盤210上設為凹狀彎曲者。即，被處理基板W係，設為外周部由轉盤210之吸附保持部212所遠離之方向彎曲者。此時，將使第1保持部212a及第2保持部212b動作前之被處理基板W與第2保持部212b的最大距離設為L1。此外，為了使容易理解，強調並表示被處理基板W比實際更彎曲。

搬送控制部51係在第1保持部212a及第2保持部212b中，首先，僅使第1保持部212a進行動作。具體而言，搬送控制部51係僅開放閥217a(參閱圖4B)，僅使第1保持部212a進行吸氣。

如此，僅透過第1保持部212a進行吸氣，由於不會產生第2保持部212b所引起之下沈，因此第1保持部212a係能夠以更強的吸附力，吸附保持被處理基板W。該結果，如圖5B所示，包含被處理基板W之中央部之第1區域係藉由第1保持部212a被吸附保持。又，被處理基板W之第1區域係透過藉由第1保持部212a進行吸附保持，使被處理基板W及第2保持部212b間的最大距離由L1縮短至L2。

接下來，搬送控制部51係使第2保持部212b 進行動行。具體而言，搬送控制部51係僅開放閥217b(參閱圖4B)，使用第1保持部212a及第2保持部212b兩者進行吸氣。

此時，被處理基板W及第2保持部212b間之最大距離係由L1縮短至L2的狀態，因此第2保持部212b與被處理基板W之最大距離為L1時做比較，能夠容易吸附保持被處理基板W。

該結果如圖5C所示，被處理基板W之第2區域係藉由第2保持部212b進行吸附保持，在吸附保持部212之全面，被處理基板W為被吸附保持之狀態。

如上述，關於第1實施形態之吸附保持部210係具備第1保持部212a與第2保持部212b。第1保持部212a係吸附保持包含被處理基板W之中央部的第1區域。又，第2保持部212b係吸附保持比位於被處理基板W之第1區域更外周側之第2區域。接下來，在第1實施形態中，第1保持部212a係在吸附保持被處理基板W之第1區域後，第2保持部212b設為吸附保持被處理基板W之第2區域。

即，透過由第1保持部212a使吸附保持被處理基板W之第1區域，除了縮短第2保持部212b與被處理基板W之距離，藉由第2保持部212b，使設為吸附保持被處理基板W之第2區域。藉此，第2保持部212b係即使被處理基板W為彎曲，亦能夠吸附保持這樣的被處理基板W。因此，根據第1實施形態，能夠適切地保持彎曲之基板。

此外，第1保持部212a之吸附面積(即，被處理基板W之第1區域的面積)係形成比第2保持部212b之吸附面積(即，被處理基板W之第2區域的面積)更小(參閱圖4A)。這是由於第1保持部212a主要係將縮短被處理基板W及第2保持部212b間的距離為目的者，透過即使僅縮短被處理基板W及第2保持部212b間的距離，也能夠容易地吸附保持第2保持部212b之被處理基板W。

又，設置在第3洗淨裝置43之轉盤220、設置在第4洗淨裝置44之轉盤230、設置在收授部45之多孔性卡盤240(參閱圖1)皆與轉盤210有相同構成，與轉盤210進行相同的吸附保持動作者。

(第2實施形態)

用於第1保持部212a之多孔介質及用於第2保持部212b之多孔介質係並不需相同，亦可使用不同材料者。以下使用圖6對關於像這樣的觀點進行說明。圖6係表示關於第2實施形態之第1保持部212a所具有之多孔介質及第2保持部212b所具有之多孔介質之疏密關係的圖。

如圖6所示，例如，使用較低密度之多孔介質作為第1保持部212a之多孔介質，亦可使用比用於第1保持部212a之多孔介質更高密度之多孔介質作為第2保持部212b之多孔介質。在此，「低密度」係指例如形成於多孔介質之氣孔的大小較大或形成於多孔介質之氣孔的數量較少的意思。

如此，透過將用於第2保持部212b之多孔介質的密度設為比用於第1保持部212a之多孔介質的密度更高，能夠相對的提高第2保持部212b的吸附力，且能夠更確實地吸附保持彎曲之被處理基板W。

又，與上述相反，將密度高的多孔介質作為第1保持部212a之多孔介質使用，亦可使用比用於第1保持部212a之多孔介質更低密度的多孔介質作為第2保持部212b之多孔介質。

即，如關於第1實施形態之轉盤210，第1保持部212a及第2保持部212b連結於單一的吸氣裝置時，由圖5B所示之狀態變為圖5C所示之狀態時，第1保持部212a之吸氣量會下降，第1保持部212a之吸附力會減弱。該結果，第1保持部212a係不能完全吸附保持被處理基板W，被處理基板W之彎曲恐怕會有回復原狀(即，如圖5A所示之狀態)之可能性。

在此，將用於第1保持部212a之多孔介質的密度設為比用於第2保持部212b之多孔介質的密度更高，若相對的提高第1保持部212a之吸附力的話，即使由圖5B所示之狀態變為圖5C之狀態時，亦能夠使被處理基板W之彎曲回復原狀之事態不易發生。

(第3實施形態)

在上述之第1實施形態中，表示第1保持部212a與第2保持部212b與單一的吸氣裝置216(參閱圖4B)相連接時的例子，亦可將第1保持部及第2保持部連接於各自之不同的吸氣裝置。以下使用圖7對關於像這樣的觀點進行說明。圖7係表示關於第3實施形態之第1保持部及第2保持部與吸氣裝置之連結關係的圖。

如圖7所示，設置在轉盤210_1之吸附保持部212_1係被分割為第1保持部212a_1及第2保持部212b_1。

第1保持部212a_1係介隔著吸氣管215a_1且連接於吸氣裝置216a，第2保持部212b_1係介隔著吸氣管215b_1且連接於吸氣裝置216b。在吸氣管215a_1中，設置有用於調整由吸氣裝置216a所供給之氣體的流量之閥217a_1，在吸氣管吸気管215b_1中，設置有用於調整由吸氣裝置216b所供給之氣體的流量之閥217b_1。

如此，對於第1保持部212a_1及第2保持部212b_1，亦可個別連接吸氣裝置216a，216b。藉此，即使使第1保持部212a_1及第2保持部212b_1中的一方動作時，另一方之吸氣量(吸附力)亦不會產生變化，因此能夠穩定進行第1保持部212a_1及第2保持部212b_1的吸附動作。

(第4實施形態)

又，在上述之各實施形態中，對關於將吸附保持部分割成第1保持部及第2保持部的2部份時之情況的例子進行說明，吸附保持部亦可被分割成3個以上。以下對像這樣的觀點進行說明。圖8係表示轉盤之其他構成的模式平面圖。

如圖8所示，設置在轉盤210_2之吸附保持部212_2係被分割為第1保持部212c、第2保持部212d及第3保持部212e之3部份。第1保持部212c、第2保持部212d及第3保持部212e係依照第1保持部212c、第2保持部212d及第3保持部212e的順序，由本體部211_2之中心部朝向外周部配置為同心圓狀。

且，轉盤210_2係由本體部211_2之中心部起依次即依照第1保持部212c、第2保持部212d及第3保持部212e的順序，吸附保持被處理基板W。如此，透過增加吸附保持部212_2的分割數，能夠平穩地矯正被處理基板W之彎曲。

此外，如第1實施形態中的說明，第1保持部212c、第2保持部212d及第3保持部212e的吸附面積係依照第1保持部212c、第2保持部212d及第3保持部212e的順序增大為較佳。

又，如第2實施形態中的說明，亦可將第1保持部212c、第2保持部212d及第3保持部212e所具有之多孔介質的密度依照第1保持部212c、第2保持部212d及第3保持部212e的順序增高為較佳。藉此，比起第1保持部212c能夠更相對地提高第2保持部212d之吸附力、比起第2保持部212d能夠更相對地提高第3保持部212e之吸附力，且能夠更確實地吸附保持彎曲之被處理基板W。

(第5實施形態)

在第1~4實施形態中，轉盤之表面(被處理基板W之保持面)係形成為平面。在第5實施形態中，如圖9所示，轉盤210_3係具有吸附保持部212、包圍吸附保持部212之下部及其周緣所配置之本體部211_3。且，配置於吸附保持部212之周緣之本體部211_3的上面係形成比第1保持部212a及第2保持部212b之上面更高之高度h。即，轉盤210_3之外周部係變為比第1保持部212a及第2保持部212b之上面更高之高度h。藉由設成為該形狀，即使在轉盤210_3上被處理基板彎曲成凹狀，亦能夠進行吸附。此外，合適的高度h約為0.1~1.0mm左右。此外，高度h若超過1.0mm時，吸附被處理基板W時，被處理基板W恐怕會有被裂開的可能性。

此外，剝離後之被處理基板W係在無法保持且放置之狀態下，周緣會彎曲。在此，為了不斷地使剝離後之被處理基板W之周緣不彎曲，藉由第2搬送裝置110使被處理基板W保持平坦(不彎曲)狀態，並收授至轉盤210。相同地，藉由第3搬送裝置120使被處理基板W保持平坦(不彎曲)狀態，在轉盤210、220、230、多孔性卡盤240之間各自進行搬送。在此，對於轉盤210，即使第 2搬送裝置在平坦(不彎曲)的狀態下傳遞被處理基板W，在轉盤210之周緣部之保持力較弱時，由第2搬送裝置110將被處理基板W傳遞至轉盤210之後，被處理基板W會立刻回復原來的形狀，被處理基板W之周緣會產生彎曲。這對於轉盤220、230、多孔性卡盤240亦相同。但是，根據上述之第1~5實施形態，在轉盤210、220、230、多孔性卡盤240，能夠強力的保持被處理基板W之周緣部，因此被處理基板W之周緣部亦不會彎曲。

(第6實施形態)

在第1實施形態中，第1保持部212a之吸附面積係比第2保持部212b之吸附面積更小。但是，如圖10所示，第1保持部212a之吸附面積與第2保持部212b之吸附面積亦可同等。又，如圖11所示，第1保持部212a之吸附面積亦可比第2保持部212b之吸附面積大。不管是哪一個情況下，皆設置第1保持部212a與第2保持部212b，因此可使被處理基板W不會被彎曲並進行保持。

此外，亦可組合前述之第1~6實施形態來進行，藉由組合更可使被處理基板W不會被彎曲並進行保持。

更進一步之效果或變形例係能夠容易由具有該發明技術領域之通常知識者進行導出。因此，比本發明之廣泛之態樣係不限定於如以上述之表示且不限定於所記述之具體細節及代表性的實施形態。因此，藉由添附之申請專利範圍及其均等物，由不脫離所定義之總合之發明概念精神或範圍，能夠進行各式各樣的變更。