JP5869943B2 - 基板保持装置および基板保持方法 - Google Patents

Description

開示の実施形態は、基板保持装置および基板保持方法に関する。

従来、シリコンウェハや化合物半導体ウェハ等の基板の保持を行う基板保持装置が知られている。かかる基板保持装置としては、たとえば、ベルヌーイの原理を利用して基板を非接触状態で吸着保持するベルヌーイチャックがある（特許文献１参照）。

特開２００９−１９４２１７号公報

しかしながら、上述したベルヌーイチャックを用いて基板を吸着保持した場合、基板がベルヌーイチャックの保持面内で回転あるいは微動することがあった。これは、たとえば各パッドからの送気量に偏りがある場合に、保持面内において吸着力の偏りが生じることがあるためである。

実施形態の一態様は、基板を安定して保持することのできる基板保持装置および基板保持方法を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る基板保持装置は、本体部と、移動機構とを備える。本体部は、第１吸着保持部と、第２吸着保持部とを備える。第１吸着保持部は、本体部の保持面に設けられ、流体を噴出して基板との間に負圧を発生させることによって基板を保持面内において非接触状態で吸着保持する。第２吸着保持部は、電圧を印加することによって基板との間に発生する力であって、第１吸着保持部の吸着力よりも小さい力を用いて、非接触状態で吸着保持された基板の保持面内での動きを止める。移動機構は、本体部を移動させる。また、基板保持装置は、第１吸着保持部を用いて基板を保持面内において非接触状態で吸着保持し、かつ、第２吸着保持部を用いて基板の保持面内での動きを止めた状態で、移動機構を用いて本体部を移動させる。

実施形態の一態様によれば、基板を安定して保持することができる。

図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。 図２は、重合基板、被処理基板および支持基板の模式側面図である。 図３は、第３搬送装置の模式側面図である。 図４は、第３搬送装置の模式斜視図である。 図５は、第３搬送装置による吸着保持動作の説明図である。 図６は、搬送制御部が実行する処理手順を示すフローチャートである。 図７は、第３搬送装置の他の構成を示す模式平面図である。 図８は、第３搬送装置の他の構成を示す模式平面図である。 図９は、第３搬送装置の他の構成を示す模式平面図である。 図１０は、第３搬送装置の他の構成を示す模式側面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板保持装置および基板保持方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態では、重合基板の剥離を行う剥離システムに対して本願の開示する基板保持装置を適用する場合の例について説明するが、本願の開示する基板保持装置は、剥離システム以外にも適用可能である。

（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図であり、図２は、重合基板、被処理基板および支持基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔを、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離するシステムである（図２参照）。

図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。

被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、たとえば、化合物半導体ウェハまたはガラス基板などを用いることができる。

剥離システム１は、図１に示すように、搬入出ステーション１０と、第１搬送領域２０と、剥離処理ステーション３０と、第２搬送領域４０と、制御装置５０とを備える。搬入出ステーション１０および剥離処理ステーション３０は第１搬送領域２０を介してＹ軸方向に並べて配置される。また、搬入出ステーション１０、第１搬送領域２０および剥離処理ステーション３０のＸ軸負方向側には、第２搬送領域４０が配置される。

剥離システム１では、搬入出ステーション１０へ搬入された重合基板Ｔが第１搬送領域２０を介して剥離処理ステーション３０へ搬送され、剥離処理ステーション３０において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離される。剥離後の被処理基板Ｗは第２搬送領域４０を介して後処理ステーションＭへ搬送され、剥離後の支持基板Ｓは第１搬送領域２０を介して搬入出ステーション１０へ搬送される。なお、剥離システム１では、不良となった被処理基板Ｗを第１搬送領域２０を介して搬入出ステーション１０へ搬送することもできる。

搬入出ステーション１０では、複数の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗ、複数の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓおよび複数の重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔが剥離システム１の外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション１０には、カセット載置台１１が設けられており、このカセット載置台１１に、カセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔのそれぞれが載置される複数のカセット載置板１２ａ〜１２ｃが設けられる。なお、カセットＣｗには、たとえば、不良品として剥離処理ステーション３０から搬送されてきた被処理基板Ｗが収容される。

第１搬送領域２０では、搬入出ステーション１０および剥離処理ステーション３０間における被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送が行われる。第１搬送領域２０には、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う第１搬送装置２１が設置される。

第１搬送装置２１は、水平方向への移動、鉛直方向への移動および鉛直軸を中心とする旋回が可能な搬送アーム２２と、この搬送アーム２２の先端に取り付けられたフォーク２３とを備える搬送ロボットである。かかる第１搬送装置２１は、フォーク２３を用いて基板を保持するとともに、フォーク２３によって保持された基板を搬送アーム２２によって所望の場所まで搬送する。

剥離処理ステーション３０では、重合基板Ｔの剥離、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの洗浄等が行われる。この剥離処理ステーション３０には、剥離装置３１、受渡室３２、第１洗浄装置３３および第２洗浄装置３４が、Ｘ軸正方向に、第１洗浄装置３３、受渡室３２、剥離装置３１、第２洗浄装置３４の順で並べて配置される。

剥離装置３１では、第１搬送装置２１によって搬送された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。

受渡室３２には、剥離装置３１によって重合基板Ｔから剥離された被処理基板Ｗを第１洗浄装置３３へ搬送する第２搬送装置１１０が設置される。第２搬送装置１１０は、ベルヌーイチャックであり、被処理基板Ｗを非接触状態で保持して第１洗浄装置３３へ搬送する。

ここで、ベルヌーイチャックは、保持面に設けられた噴出口（後述する吸着保持部）から被処理基板Ｗの板面へ向けて気体を噴射させ、保持面と被処理基板Ｗの板面との間隔に応じて気体の流速が変化することに伴う負圧の変化を利用して被処理基板Ｗを非接触状態で保持する。

第１洗浄装置３３は、第２搬送装置１１０によって搬送された被処理基板Ｗの洗浄を行う。第１洗浄装置３３は、被処理基板Ｗを吸着保持しながら回転するスピンチャック２１０を備え、かかるスピンチャック２１０を用いて被処理基板Ｗを回転させながら、被処理基板Ｗに対して洗浄液を吹き付けることによって被処理基板Ｗを洗浄する。

第１洗浄装置３３によって洗浄された被処理基板Ｗは、第２搬送領域４０を介して後処理ステーションＭへ搬送され、後処理ステーションＭにおいて所定の後処理が施される。なお、所定の後処理とは、たとえば被処理基板Ｗをマウントする処理や、被処理基板Ｗをチップ毎にダイシングする処理などである。

第２洗浄装置３４は、剥離装置３１において重合基板Ｔから剥離された支持基板Ｓの洗浄を行う。第２洗浄装置３４によって洗浄された支持基板Ｓは、第１搬送装置２１によって搬入出ステーション１０へ搬送される。

第２搬送領域４０は、剥離処理ステーション３０と後処理ステーションＭとの間に設けられる。第２搬送領域４０には、Ｘ軸方向に延在する搬送路４１上を移動可能な第３搬送装置１２０が設置され、この第３搬送装置１２０によって剥離処理ステーション３０および後処理ステーションＭ間における被処理基板Ｗの搬送が行われる。第３搬送装置１２０は、第２搬送装置１１０と同様、ベルヌーイチャックの原理を利用して被処理基板Ｗを非接触状態で搬送する。かかる第３搬送装置１２０の構成については、図３等を用いて説明する。

また、第２搬送領域４０には、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４が、Ｘ軸負方向に、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４の順で並べて配置される。これら第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４は、たとえば第１洗浄装置３３と同様の構成の洗浄装置であり、スピンチャック２１０と同様のスピンチャック２２０，２３０をそれぞれ備える。被処理基板Ｗは、これら第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４によって洗浄されたうえで、後処理ステーションＭへ受け渡される。

さらに、第２搬送領域４０には、剥離システム１と後処理ステーションＭとの間で被処理基板Ｗの受け渡しを行うための受渡部４５が配置される。受渡部４５は、被処理基板Ｗを吸着保持するポーラスチャック２４０を備える。被処理基板Ｗは、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４によって洗浄された後、第３搬送装置１２０によってポーラスチャック２４０上に載置され、ポーラスチャック２４０によって吸着保持される。

なお、ポーラスチャック２４０は、スピンチャック２１０，２２０，２３０と異なり回転機能を有しておらず、また、被処理基板Ｗの洗浄を行うものではないためスピンチャック２１０と比較して径が大きい。

制御装置５０は、剥離システム１の動作を制御する装置であり、たとえば搬送制御部５１を備える。搬送制御部５１は、第２搬送装置１１０および第３搬送装置１２０による重合基板Ｔや被処理基板Ｗ等の基板の搬送を制御する処理部である。

なお、制御装置５０は、たとえばコンピュータであり、図示しない記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置５０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体として、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

ここで、ベルヌーイチャックのように基板を非接触状態で吸着保持する吸着保持装置においては、たとえば基板との間に発生させた負圧に偏りがある場合に、基板が保持面内で回転あるいは微動する可能性があった。

そこで、第１の実施形態に係る剥離システム１では、基板を非接触状態で吸着保持する第２搬送装置１１０および第３搬送装置１２０に対して静電吸着機構を設け、かかる機構を用いて基板を固定することで、基板の回転・微動を防止することとした。

以下では、本願の開示する基板保持装置の一例である第３搬送装置１２０の具体的な構成および動作について説明する。なお、基板保持装置の他の一例である第２搬送装置１１０は、第３搬送装置１２０と同一構成であるため、第２搬送装置１１０の構成および動作については説明を省略する。

＜２．第３搬送装置の構成＞
まず、第３搬送装置１２０の構成について図３および図４を参照して説明する。図３は、第３搬送装置１２０の模式側面図であり、図４は、第３搬送装置１２０の模式斜視図である。

図３に示すように、第３搬送装置１２０は、本体部１２１と、第１吸着保持部１２２と、第２吸着保持部１２３と、係止部１２４とを備える。本体部１２１は、被処理基板Ｗと略同径を有する円板状の部材である（図４参照）。

第１吸着保持部１２２は、ベルヌーイの原理を利用して被処理基板Ｗを非接触で吸着保持する部材である。かかる第１吸着保持部１２２は、本体部１２１に対して複数設けられる。具体的には、図４に示すように、第１吸着保持部１２２は、本体部１２１の主面に対して円周状に、かつ、内周側と外周側の二重に配置される。また、各第１吸着保持部１２２は、互いに所定の間隔を空けて配置される。

各第１吸着保持部１２２は、送気管１３１を介して送気装置１３２と接続され、送気装置１３２から送気管１３１を介して送気される気体を噴出する。

具体的には、各第１吸着保持部１２２は、本体部１２１と対向する被処理基板Ｗへ近づくに連れて口径が漸次大きくなる形状を有しており、気体は、かかる被処理基板Ｗの板面に沿って噴出されることとなる。この結果、被処理基板Ｗの板面に負圧が生じ、この負圧が被処理基板Ｗの板面と第３搬送装置１２０の保持面との間隔に応じて変化することで、被処理基板Ｗは、非接触状態で保持された状態となる。このように、第１吸着保持部１２２は、流体を噴出して基板との間に負圧を発生させることによって基板を非接触状態で吸着保持する。

第２吸着保持部１２３は、いわゆる静電チャックであり、電圧を印加することによって被処理基板Ｗとの間に発生する力を用いて被処理基板Ｗを吸着保持する。

第２吸着保持部１２３は、第１吸着保持部１２２間の領域に設けられる。第１の実施形態において、第２吸着保持部１２３は、図４に示すように、内周側の第１吸着保持部１２２と外周側の第１吸着保持部１２２との間の領域に設けられる。このように、本体部１２１の空きスペースに第２吸着保持部１２３を設けることで、第３搬送装置１２０の大型化を防ぐことができる。

また、第２吸着保持部１２３は、被処理基板Ｗの周方向に沿って延在する長さＬ１が、被処理基板Ｗの径方向に沿って延在する長さＬ２よりも長く形成される。このように、第２吸着保持部１２３は、被処理基板Ｗの周方向に沿って延在する形状に形成されるため、被処理基板Ｗの回転を好適に防止することができる。また、第２吸着保持部１２３は、本体部１２１に対して円周状に並べて複数設けられるため、被処理基板Ｗの回転をより好適に防止することができる。

なお、第２吸着保持部１２３による吸着方式としては、たとえばクーロン力型やジョンソン・ラベック力型等を用いることができる。クーロン力型の場合には、誘電層として絶縁材料を使用し、電極と被処理基板Ｗとの間に誘起された電荷により生じるクーロン力（静電吸着力）を用いて被処理基板Ｗを吸着保持する。ジョンソン・ラベック力型の場合には、誘電層に対して導電性を付与し、誘電層内での電荷移動によって生じるジョンソン・ラベック力を用いて被処理基板Ｗを吸着保持する。

係止部１２４は、本体部１２１の主面と直交する向きに突出する部材であり、本体部１２１の外周に対して所定の間隔を空けて複数設けられる。これらの係止部１２４によって、被処理基板Ｗは、本体部１２１からの脱落等が防止される。

なお、第１の実施形態では、第２吸着保持部１２３によって被処理基板Ｗが固定される。したがって、第３搬送装置１２０は、必ずしも係止部１２４を備えることを要しない。

第３搬送装置１２０は、図３に示すように、移動機構１４０をさらに備える。移動機構１４０は、第１アーム１４１と、第２アーム１４２と、基部１４３とを備える。第１アーム１４１は、水平方向に延在し、先端部において第３搬送装置１２０を支持する。第２アーム１４２は、鉛直方向に延在し、先端部において第１アーム１４１の基端部を支持する。

基部１４３は、搬送路４１（図１参照）に固定され、第２アーム１４２を支持する。基部１４３には、モータ等の駆動機構が設けられており、かかる駆動機構によって第２アーム１４２は鉛直方向に昇降する。なお、受渡室３２に配置される第２搬送装置１１０が備える移動機構の基部は、たとえば受渡室３２の床面に固定される。

＜３．第３搬送装置による吸着保持動作＞
次に、第３搬送装置１２０による被処理基板Ｗの吸着保持動作について、図５を参照して説明する。図５は、第３搬送装置１２０による吸着保持動作の説明図である。

なお、第３搬送装置１２０による吸着保持動作は、制御装置５０が備える搬送制御部５１によって制御される。また、図５では、一例として、第３搬送装置１２０が、第１洗浄装置３３のスピンチャック２１０から被処理基板Ｗを受け取る場合の例について説明するが、第３搬送装置１２０がスピンチャック２２０，２３０やポーラスチャック２４０から被処理基板Ｗを受け取る場合についても同様である。

まず、スピンチャック２１０の構成について説明する。スピンチャック２１０は、洗浄中の被処理基板Ｗを保持するものであり、第１洗浄装置３３の図示しない処理容器内に設けられる。

図５に示すように、スピンチャック２１０は、円板状の本体部２１１と、本体部２１１の上面側に設けられた吸着保持部２１２とを備える。吸着保持部２１２は、たとえば炭化ケイ素などのセラミック素材で形成される多孔質体を含んで構成され、図示しない吸気管を介して真空ポンプなどの吸気装置と接続される。スピンチャック２１０は、本体部２１１の上面に載置された被処理基板Ｗを吸着保持部２１２が有する多孔質体を介して吸引することにより、かかる被処理基板Ｗを吸着保持する。

また、スピンチャック２１０の下方には、支柱２１３が設けられる。支柱２１３は、下端部が基部２１４によって支持されるとともに、上端部においてスピンチャック２１０を支持する。基部２１４は、たとえば第１洗浄装置３３の図示しない処理容器の床面に固定される。

基部２１４には、支柱２１３を回転させるモータ等の駆動部（図示せず）が設けられる。かかる駆動部によって支柱２１３が回転すると、かかる回転に伴ってスピンチャック２１０が回転することとなる。

第３搬送装置１２０は、スピンチャック２１０の上方からスピンチャック２１０へ向けて降下する。そして、スピンチャック２１０上の被処理基板Ｗよりもわずかに上方の受渡位置に到達すると、第１吸着保持部１２２を用いて被処理基板Ｗを吸着保持することによってスピンチャック２１０から被処理基板Ｗを受け取る。

そして、第３搬送装置１２０は、第１吸着保持部１２２によって非接触状態で吸着保持された被処理基板Ｗを第２吸着保持部１２３によってさらに吸着保持する。これにより、被処理基板Ｗは、第２吸着保持部１２３によって固定された状態となり、保持面内での回転・微動が防止される。

ここで、第２吸着保持部１２３は、第１吸着保持部１２２による被処理基板Ｗの吸着力よりも弱い力で被処理基板Ｗを吸着保持する。これは、第２吸着保持部１２３が、被処理基板Ｗを固定するために補助的に設けられる吸着保持部であり、比較的小さい吸着力を与えるだけで被処理基板Ｗの動きを止めることができるためである。また、第２吸着保持部１２３の吸着力を小さくすることにより、第２吸着保持部１２３によって生じる静電気等が被処理基板Ｗ上に形成される電子回路へ与える影響を小さくすることもできる。

次に、第１吸着保持部１２２および第２吸着保持部１２３の動作タイミングについて図６を用いて説明する。図６は、第１吸着保持部１２２および第２吸着保持部１２３の動作タイミングを示すフローチャートである。

なお、図６には、第３搬送装置１２０が受渡位置に到達してから被処理基板Ｗの受け取りが完了するまでの、第１吸着保持部１２２および第２吸着保持部１２３の動作タイミングを示している。また、第１吸着保持部１２２、第２吸着保持部１２３およびスピンチャック２１０の動作タイミングは、搬送制御部５１によって制御される。

図６に示すように、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０が被処理基板Ｗの受渡位置に到達すると、第１吸着保持部１２２を作動させ、第３搬送装置１２０に対して被処理基板Ｗを吸着保持させる（ステップＳ１０１）。なお、このとき、第２吸着保持部１２３は、オフされた状態である。

つづいて、搬送制御部５１は、第２吸着保持部１２３を作動させることによって（ステップＳ１０２）、第２吸着保持部１２３に対して被処理基板Ｗを固定させる。これにより、被処理基板Ｗの保持面内での回転・微動が防止される。その後、搬送制御部５１は、スピンチャック２１０を停止して（ステップＳ１０３）、処理を終了する。

上述してきたように、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０は、第１吸着保持部１２２と、第２吸着保持部１２３とを備える。第１吸着保持部１２２は、気体を噴出して被処理基板Ｗとの間に負圧を発生させることによって被処理基板Ｗを非接触状態で吸着保持する。第２吸着保持部１２３は、電圧を印加することによって被処理基板Ｗとの間に発生する力を用いて被処理基板Ｗを吸着保持する。

これにより、第２吸着保持部１２３によって被処理基板Ｗが固定されるため、被処理基板Ｗが保持面内において回転したり微動したりすることがない。したがって、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０によれば、基板を安定して保持することができる。

なお、上述した第１の実施形態では、基板保持装置の一例として第３搬送装置１２０を用いて説明したが、第２搬送装置１１０も第３搬送装置１２０と同様の構成であり、第３搬送装置１２０と同様、保持面内での基板の回転・微動を防止することができる。

たとえば、第２搬送装置１１０は、剥離装置３１によって支持基板Ｓから剥離された被処理基板Ｗを剥離装置３１から受け取って第１洗浄装置３３へ搬送する処理を行う。このとき、第２搬送装置１１０は、第２吸着保持部を用いることで、剥離装置３１から第１洗浄装置３３へ被処理基板Ｗを搬送するまでの間、被処理基板Ｗの保持面内における回転・微動を防止することができる。

（第２の実施形態）
ところで、第３搬送装置が備える第２吸着保持部の数は、上述した第１の実施形態において示した例に限定されない。

そこで、以下では、第３搬送装置が備える第２吸着保持部の数に関する変形例について図７および図８を用いて説明する。図７および図８は、第３搬送装置の他の構成を示す模式平面図である。なお、以下では、上述した第１の実施形態の構成要素に対応する構成要素には同一の符号を付し、第１の実施形態と重複する説明については適宜、省略する。

たとえば、図７に示すように、第３搬送装置１２０ａは、本体部１２１ａに対して１つの第２吸着保持部１２３ａを備える構成であってもよい。これにより、第２吸着保持部１２３ａによって生じる静電気等が被処理基板Ｗ上に形成される電子回路へ与える影響をより小さくすることができる。また、第３搬送装置１２０ａの軽量化を図ることもできる。なお、図７に示す符号１２５は、軽量化のために本体部１２１ａに形成される切欠部である。

また、図８に示すように、第３搬送装置１２０ｂは、本体部１２１ｂに対して２つの第２吸着保持部１２３ｂを備える構成であってもよい。これら２つの第２吸着保持部１２３ｂは、本体部１２１ｂの中心部を挟んで互いに対向する位置に設けられる。

このように、第３搬送装置１２０ｂは、本体部１２１ｂにおける互いに対向する位置に２つの第２吸着保持部１２３ｂを備えることとしてもよい。これにより、第２吸着保持部１２３ｂによって生じる静電気等が被処理基板Ｗ上に形成される電子回路へ与える影響を小さくしつつ、被処理基板Ｗの回転・微動をより確実に防止することができる。

（第３の実施形態）
また、上述した各実施形態では、内周側に配置された第１吸着保持部１２２と外周側に配置された第１吸着保持部１２２との間の領域に対して第２吸着保持部１２３，１２３ａ，１２３ｂを配置する場合の例について説明した。しかし、第２吸着保持部１２３，１２３ａ，１２３ｂの配置は、これに限ったものではない。

以下では、第２吸着保持部の配置に関する変形例について図９および図１０を用いて説明する。図９は、第３搬送装置の他の構成を示す模式平面図であり、図１０は、第３搬送装置の他の構成を示す模式側面図である。

たとえば図９に示すように、第３搬送装置１２０ｃは、外周側に配置された第１吸着保持部１２２の間に第２吸着保持部１２３ｃを設けた構成であってもよい。これにより、第２吸着保持部１２３ｃは、被処理基板Ｗのより外周側を吸着保持することとなるため、被処理基板Ｗの回転をより少ない力で止めることができる。

なお、図９では、第３搬送装置１２０ｃが４つの第２吸着保持部１２３ｃを備える場合の例について示したが、第３搬送装置１２０ｃが備える第２吸着保持部１２３ｃの個数は、図示のものに限定されない。

また、図１０に示すように、第３搬送装置１２０ｄは、係止部１２４ｄに対して第２吸着保持部１２３ｄを設けた構成であってもよい。かかる場合、第２吸着保持部１２３ｄは、被処理基板Ｗの側面を吸着保持することとなる。

このように、本体部１２１ｄの外周部に設けられる係止部１２４ｄに対して第２吸着保持部１２３ｄを設け、第２吸着保持部１２３ｄに対して被処理基板Ｗの側面を吸着保持させることとすれば、被処理基板Ｗの回転を更に少ない力で止めることができる。

なお、上述してきた各実施形態では、第１吸着保持部から噴出される流体が気体である場合の例について説明したが、第１吸着保持部は、気体に代えて水または各種処理液等を噴出することとしてもよい。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板
Ｓ 支持基板
Ｇ 接着剤
１ 剥離システム
３０ 剥離処理ステーション
３１ 剥離装置
３２ 受渡室
１１０ 第２搬送装置
３３ 第１洗浄装置
２１０ スピンチャック
４０ 第２搬送領域
１２０ 第３搬送装置
１２１ 本体部
１２２ 第１吸着保持部
１２３ 第２吸着保持部
１２４ 係止部
５０ 制御装置
５１ 搬送制御部

Claims (6)

1. 保持面と、前記保持面に設けられ、流体を噴出して基板との間に負圧を発生させることによって前記基板を前記保持面内において非接触状態で吸着保持する第１吸着保持部と、電圧を印加することによって前記基板との間に発生する力であって、前記第１吸着保持部の吸着力よりも小さい力を用いて、前記非接触状態で吸着保持された前記基板の前記保持面内での動きを止める第２吸着保持部とを備える本体部と、
   前記本体部を移動させる移動機構と
   を備え、
   前記第１吸着保持部を用いて前記基板を前記保持面内において非接触状態で吸着保持し、かつ、前記第２吸着保持部を用いて前記基板の前記保持面内での動きを止めた状態で、前記移動機構を用いて前記本体部を移動させること
   を特徴とする基板保持装置。
2. 前記第２吸着保持部は、
   前記基板の周方向に沿って延在する形状に形成されること
   を特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
3. 前記第２吸着保持部は、
   円周状に並べて複数設けられること
   を特徴とする請求項１または２に記載の基板保持装置。
4. 前記第１吸着保持部は、
   円周状に並べて設けられる複数の内周側保持部と、
   前記内周側保持部よりも外周側において前記内周側保持部と同心円状に並べて設けられる複数の外周側保持部と
   を備え、
   前記第２吸着保持部は、
   前記内周側保持部と前記外周側保持部との間の領域に設けられること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板保持装置。
5. 前記第１吸着保持部は、
   円周状に並べて設けられる複数の内周側保持部と、
   前記内周側保持部よりも外周側において前記内周側保持部と同心円状に並べて設けられる複数の外周側保持部と
   を備え、
   前記第２吸着保持部は、
   前記第１吸着保持部間の領域に設けられること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板保持装置。
6. 保持面と、前記保持面に設けられ、流体を噴出して基板との間に負圧を発生させることによって前記基板を前記保持面内において非接触状態で吸着保持する第１吸着保持部と、電圧を印加することによって前記基板との間に発生する力であって、前記第１吸着保持部の吸着力よりも小さい力を用いて、前記非接触状態で吸着保持された前記基板の前記保持面内での動きを止める第２吸着保持部とを備える本体部のうち前記第１吸着保持部によって、前記基板を前記保持面内において非接触状態で吸着保持する第１吸着保持工程と、
   前記本体部のうち前記第２吸着保持部によって、前記非接触状態で吸着保持された前記基板の前記保持面内での動きを止める第２吸着保持工程と、
   前記第１吸着保持部を用いて前記基板を前記保持面内において非接触状態で吸着保持し、かつ、前記第２吸着保持部を用いて前記基板の前記保持面内での動きを止めた状態で、前記本体部を移動させる移動機構によって、前記本体部を移動させる移動工程と
   を含むことを特徴とする基板保持方法。

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