JP2014044974A - 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】被処理基板と支持基板を適切に剥離する。
【解決手段】剥離装置30は、被処理ウェハWを吸着保持する第1の保持部110と、第1の保持部110に対向して設けられ、支持ウェハSを吸着保持する第2の保持部111と、支持ウェハSを非接触状態で保持するベルヌーイチャック180と、第1の保持部110に保持された重合ウェハTの側方から被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構161と、第1の保持部110に保持された重合ウェハTの側方から被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に流体を供給する流体供給機構と、を有している。
【選択図】図3

Description

本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」とする)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。ここで、例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第1ホルダーと、支持基板を保持する第2ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている(特許文献1)。
特開平9−167724号公報
しかしながら、発明者らが鋭意検討したところ、特許文献1に記載の剥離装置を用いた場合、単に液体を噴射するだけでは、ウェハと支持基板を剥離することが現実的に困難な場合があることが分かった。
そこで発明者らは、ウェハと支持基板の接合面に対して先端が尖った切込機構を挿入して切り込みを入れ、ウェハと支持基板の剥離を行うことを試みた。かかる剥離は、当該剥離を円滑に行うため、例えば接合されたウェハと支持基板のいずれか一方を保持し、他方を保持せずに自由にした状態で行われる。そして、例えばウェハを保持する場合、剥離した支持基板は保持部で受け止められ保持される。
かかる場合、単に保持部で支持基板を受け止めて保持しようとすると、支持基板が損傷を被るおそれがある。また保持部で支持基板を受け止める際に、パーティクルが発生するおそれがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板を適切に剥離することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、被処理基板を吸着保持する吸着保持部と、支持基板を非接触状態で保持する非接触保持部と、前記吸着保持部に保持された重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構と、を有することを特徴としている。
本発明によれば、吸着保持部に保持された重合基板と対向する位置に非接触保持部を配置した後、当該重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に対して、先端が尖った切込機構を挿入して切り込みを入れて、被処理基板と支持基板を剥離することができる。そして剥離された支持基板を、待機している非接触保持部により非接触状態で受け止めて保持することができる。このように非接触状態で支持基板を保持することができるので、従来のように支持基板が損傷を被ることがなく、またパーティクルが発生することもない。したがって本発明によれば、被処理基板と支持基板を適切に剥離することができる。
前記非接触保持部には、当該非接触保持部に保持された重合基板又は剥離後の支持基板のガイド部材が設けられていてもよい。
前記ガイド部材は、少なくとも前記切込機構に対向する位置に設けられていてもよい。
前記吸着保持部は、被処理基板を面接触状態で吸着保持し、前記吸着保持部は、重合基板を加熱する加熱機構を有していてもよい。
前記吸着保持部は、被処理基板の一部を保持する保持部材を複数有していてもよい。
前記剥離装置は、前記吸着保持部を回転させる回転機構を有していてもよい。
前記剥離装置は、前記吸着保持部に対向して設けられ、支持基板を面接触状態で吸着保持する他の吸着保持部を有し、前記他の吸着保持部は、重合基板を加熱する他の加熱機構を有していてもよい。
前記他の吸着保持部には、当該他の吸着保持部に保持された重合基板又は剥離後の支持基板の他のガイド部材が設けられていてもよい。
前記剥離装置は、前記吸着保持部に保持された重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に流体を供給する流体供給機構を有し、前記切込機構と前記流体供給機構は一体に形成されていてもよい。
前記切込機構は樹脂からなっていてもよい。
別な観点による本発明は、前記剥離装置を備えた剥離システムであって、前記剥離装置を備えた処理ステーションと、前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。
また別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、吸着保持部に保持された重合基板と対向する位置に非接触保持部を配置する配置工程と、その後、前記吸着保持部に保持された重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に対して、先端が尖った切込機構を挿入して切り込みを入れ、当該重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、その後、剥離された支持基板を非接触状態で前記非接触保持部により保持する基板保持工程と、を有することを特徴としている。
前記吸着保持部は、被処理基板を面接触状態で吸着保持し、前記吸着保持部には、重合基板を加熱する加熱機構が設けられ、前記剥離工程において、前記加熱機構によって前記吸着保持部に保持された重合基板を加熱しながら当該重合基板を剥離してもよい。
前記吸着保持部は、複数の保持部材によって被処理基板の一部を保持してもよい。
前記剥離工程において、回転機構によって前記吸着保持部に保持された重合基板を回転させながら当該重合基板を剥離してもよい。
前記吸着保持部に対向する位置には、支持基板を面接触状態で吸着保持する他の吸着保持部が設けられ、前記他の吸着保持部には、重合基板を加熱する他の加熱機構が設けられ、前記剥離工程の前に、前記他の加熱機構によって前記他の吸着保持部に保持された重合基板を加熱してもよい。
前記剥離工程において、前記切込機構によって形成された被処理基板と支持基板の接合面の切り込みに対して、流体供給機構から流体を供給して、被処理基板と支持基板を剥離してもよい。
前記切込機構は樹脂からなっていてもよい。
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
本発明によれば、被処理基板と支持基板を適切に剥離することができる。
本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 剥離装置の構成の概略を示す横断面図である。 剥離機構の構成の概略を示す平面図である。 切込機構の構成の概略を示す側面図である。 エアノズルの構成の概略を示す側面図である。 ベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。 熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 ベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。 ベルヌーイチャックと反転機構の構成の概略を示す側面図である。 第2の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。 熱処理装置のベルヌーイチャックに保持された重合ウェハの接合状態を検査する様子を示す説明図である。 剥離装置のベルヌーイチャックで重合ウェハを保持する様子を示す説明図である。 第2の保持部で重合ウェハを保持する様子を示す説明図である。 第1の保持部で重合ウェハを保持し、ベルヌーイチャックを第1の保持部の下方に配置した様子を示す説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハの接合面に切込機構によって切り込みを入れる様子を示す平面視における説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハの接合面に切込機構によって切り込みを入れる様子を示す縦断面視における説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハの接合面にエアノズルから気体を供給する様子を示す平面視における説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハの接合面にエアノズルから気体を供給する様子を示す縦断面視における説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す平面視における説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す縦断面視における説明図である。 第1の保持部から第2の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる第1の保持部の構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる第1の保持部の構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかる保持部の構成の概略を示す平面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる剥離システム1の構成の概略を示す平面図である。
剥離システム1では、図2に示すように被処理基板としての被処理ウェハWと支持基板としての支持ウェハSとが接合された重合基板としての重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する。以下、被処理ウェハWにおいて、支持ウェハSと接合される面を「接合面W」といい、当該接合面Wと反対側の面を「非接合面W」という。同様に、支持ウェハSにおいて、被処理ウェハWと接合される面を「接合面S」といい、当該接合面Sと反対側の面を「非接合面S」という。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、SOI(Silicon On Insulater)ウェハである。被処理ウェハW上には、例えばSiOからなる絶縁膜が形成されている。支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径の円板形状を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
剥離システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットC、C、Cが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション3と、搬入出ステーション2と処理ステーション3との間に形成されたウェハ搬送領域4とを一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション2、ウェハ搬送領域4、処理ステーション3は、この順でY方向(図1中の上下方向)に並べて配置されている。
搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば3つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、X方向(図1中の左右方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、剥離システム1の外部に対してカセットC、C、Cを搬入出する際に、カセットC、C、Cを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。
またカセット載置台10には、重合ウェハTの水平方向の向きを調節する位置調節装置12が設けられている。なお位置調節装置12は、複数の重合ウェハTを収容してバッファとしても機能している。
ウェハ搬送領域4には、第1の搬送装置20が配置されている。第1の搬送装置20は、例えば鉛直方向、水平方向(X方向、Y方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第1の搬送装置20は、ウェハ搬送領域4内を移動し、搬入出ステーション2と処理ステーション3との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。
処理ステーション3は、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30を有している。剥離装置30のX方向正方向側(図1中の右方向側)には、重合ウェハTを熱処理する熱処理装置31が配置されている。また剥離装置30のX方向負方向側(図1中の左方向側)には、被処理ウェハWを一旦載置するトランジション装置32が配置されている。剥離装置30とトランジション装置32との間には、第2の搬送装置33が設けられている。このように処理ステーション3には、トランジション装置32、第2の搬送装置33、剥離装置30、熱処理装置31が、この順で並べて配置されている。なお、熱処理装置31は多段に積層されていてもよい。
次に、上述した剥離装置30の構成について説明する。剥離装置30は、図3に示すように、内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100の側面には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
処理容器100の内部には、被処理ウェハW(重合ウェハT)を下面で吸着保持する吸着保持部としての第1の保持部110と、支持ウェハS(重合ウェハT)を上面で吸着保持する他の吸着保持部としての第2の保持部111とが設けられている。第1の保持部110は、第2の保持部111の上方に設けられ、第2の保持部111と対向するように配置されている。すなわち、処理容器100の内部では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、重合ウェハTに対する剥離処理が行われる。
第1の保持部110には、例えばポーラスチャックが用いられる。第1の保持部110は、平板状の本体部120を有している。本体部120の下面側には、多孔質体であるポーラス121が設けられている。ポーラス121は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、ポーラス121としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
また、本体部120の内部であってポーラス121の上方には吸引空間122が形成されている。吸引空間122は、例えばポーラス121を覆うように形成されている。吸引空間122には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に連通する吸引管(図示せず)が接続されている。そして、吸引管から吸引空間122とポーラス121を介して被処理ウェハの非接合面Wが吸引され、当該被処理ウェハWが第1の保持部110に面接触状態で吸着保持される。
さらに、本体部120の内部であって吸引空間122の上方には、被処理ウェハW側から重合ウェハTを加熱する加熱機構123が設けられていている。加熱機構123には、例えばヒータが用いられる。
第1の保持部110の上面側には、当該第1の保持部110を回転させる回転機構130が設けられている。回転機構130は、第1の保持部110の上面を支持する支持板131と、支持板131の上面に設けられたシャフト132と、支持板131とシャフト132を介して第1の保持部110を回転させるための駆動部133とを有している。駆動部133は、シャフト132を回転させるモータを備え、例えば処理容器100の天井面に当接して支持されている。
第2の保持部111は、平板状の本体部140を有している。本体部140の内部には、支持ウェハSを吸着保持するための吸引管141が設けられている。吸引管141は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。そして、吸引管141から支持ウェハSの非接合面Sが吸引され、当該支持ウェハSが第2の保持部111に面接触状態で吸着保持される。
また本体部140の内部には、支持ウェハS側から重合ウェハTを加熱する他の加熱機構としての加熱機構142が設けられている。なお加熱機構142には、例えばヒータが用いられる。
本体部140の外周部には、重合ウェハT又は支持ウェハSの他のガイド部材としてのガイド部材143が設けられている。ガイド部材143は、その頂部が少なくとも第2の保持部111上の重合ウェハTよりも上方に位置するように鉛直方向に延伸している。またガイド部材143は、図4に示すように本体部140の外周部に複数個所、例えば4箇所に設けられている。かかるガイド部材143によって、重合ウェハT又は支持ウェハSが第2の保持部111から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。またガイド部材144によって、第2の保持部111におけるウェハWの位置合わせも行われる。
第2の保持部111の下方には、図3に示すように例えばシリンダなどの昇降駆動源を備えた昇降機構144が設けられている。この昇降機構144により、第2の保持部111は昇降自在になっている。
また第2の保持部111の下方には、重合ウェハT(支持ウェハS)を昇降させる昇降機構150が設けられている。昇降機構150は、重合ウェハTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン151を例えば3本有している。昇降ピン151は、例えばシリンダなどの昇降駆動源を備えた駆動部152により上下動できる。また第2の保持部111の中央部付近には、第2の保持部111を厚み方向に貫通する貫通孔153が例えば3箇所に形成されている。そして、昇降ピン151は貫通孔153を挿通し、第2の保持部111の上面から突出可能になっている。
処理容器100の内部には、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離機構160が設けられている。剥離機構160は、昇降機構144が取り付けられた支持部材(図示せず)に支持され、昇降機構144によって昇降自在に構成されている。なお、剥離機構160は処理容器100又は第1の保持部110に支持されていてもよい。かかる場合、剥離機構160は、当該剥離機構160を昇降させるための昇降機構を内蔵していてもよい。
剥離機構160は、図5に示すように、重合ウェハTの側方から被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に挿入されて切り込みを入れる切込機構161と、重合ウェハTの側方から被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に流体、例えば気体を供給する流体供給機構162とを有している。
切込機構161には、図6に示すようにその先端部161aが尖った刃物が用いられる。切込機構161には、樹脂、例えばPBI樹脂(ポリベンゾイミダゾール樹脂)、PEEK樹脂(ポリエーテルエーテルケトン樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)などが用いられる。
流体供給機構162は、図5に示すように流体としての気体を供給する、流体ノズルとしてのエアノズル163を有している。エアノズル163の先端部は、図7に示すように先鋭化され、さらに当該先端部には気体を供給する供給口164が形成されている。エアノズル163には、図5に示すように当該エアノズル163に気体を供給する供給管165が接続されている。供給管165は、内部に気体を貯留する気体供給源166に連通している。供給管165には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群167が設けられている。なお、気体としては、例えばドライエアや、窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。
図5に示すように切込機構161とエアノズル163は、支持部材168に支持されて一体に形成されている。またエアノズル163の両側に、一対の切込機構161が設けられている。これら一対の切込機構161とエアノズル163は、重合ウェハTの外周部側面に沿って配置されている。
支持部材168は、例えばモータなどを備えた駆動部170に支持されている。駆動部170上には水平方向(図5中のX方向)に延伸するレール171が設けられ、支持部材168はレール171に取り付けられている。かかる構成により、支持部材168はレール171に沿って移動自在に構成されている。すなわち、切込機構161とエアノズル163は、重合ウェハTに対して進退自在に構成されている。
図3及び図4に示すように処理容器100の内部には、支持ウェハS(重合ウェハT)を非接触状態で保持する非接触保持部としてのベルヌーイチャック180が設けられている。ベルヌーイチャック180は、平面視において略円形状を有している。ベルヌーイチャック180の外周部には、図8に示すように第1の切り欠き181が4か所に形成されている。これら第1の切り欠き181により、ベルヌーイチャック180と第1の搬送装置20との間で重合ウェハT又は支持ウェハSを受け渡す際に、当該第1の搬送装置20の保持部20aがベルヌーイチャック180と干渉するのを防止できる。またベルヌーイチャック180には、第2の切り欠き182が形成されている。第2の切り欠き182は、X方向負方向側の端部からベルヌーイチャック180の中央部付近まで形成されている。この第2の切り欠き182により、ベルヌーイチャック180が昇降機構150の昇降ピン151と干渉するのを防止でき、さらに剥離機構160が水平方向に移動する際に当該剥離機構160と干渉するのを防止できる。
ベルヌーイチャック180には、不活性ガスとして例えば窒素ガスを噴出するガス噴出口183が複数配置されている。各ガス噴出口183には、ガス供給管184を介して、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源185が接続されている。そして、ベルヌーイチャック180は、不活性ガスを噴出することにより重合ウェハT又は支持ウェハSを浮遊させ、非接触の状態で重合ウェハT又は支持ウェハSを吸引懸垂し保持することができる。なお、ガス噴出口183の個数や配置は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。
ベルヌーイチャック180の外周部には、重合ウェハT又は支持ウェハSのガイド部材186が設けられている。ガイド部材186は、図3に示すようにその頂部が少なくともベルヌーイチャック180上の重合ウェハTよりも上方に位置するように鉛直方向に延伸している。また、ガイド部材186は、ベルヌーイチャック180の外周部に複数個所、例えば5箇所に設けられている。かかるガイド部材186によって、重合ウェハT又は支持ウェハSがベルヌーイチャック180から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。特にガイド部材186aは、剥離機構60の切込機構161に対向する位置に設けられている。例えば後述するように重合ウェハTの側方から被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に切込機構161を挿入する際(或いは流体供給機構162から流体を供給する際)に、切込機構161を適切に挿入できないと被処理ウェハWに対して支持ウェハSが水平方向にずれる場合がある。かかる場合でもガイド部材186aによって、支持ウェハSが第1の保持部110から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。またガイド部材186aによって、支持ウェハSが位置ずれした際の位置調整も行われる。
ベルヌーイチャック180は、図3及び図4に示すように支持アーム190に支持されている。支持アーム190には、駆動部191が取り付けられている。駆動部191は、X方向に延伸するレール192に取り付けられている。レール192は、ウェハ搬送領域4側から第1の保持部110及び第2の保持部111まで延伸している。この駆動部191により、ベルヌーイチャック180はレール192に沿って、外部との間で重合ウェハT又は支持ウェハSの受け渡しを行う受渡位置P1と、第1の保持部110によって重合ウェハTを剥離させる剥離位置P2との間で移動可能になっている。
次に、上述した熱処理装置31の構成について説明する。熱処理装置31は、図9に示すように内部を密閉可能な処理容器200を有している。処理容器200の側面には、重合ウェハTの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
処理容器200の天井面には、当該処理容器200の内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給口201が形成されている。ガス供給口201には、ガス供給源202に連通するガス供給管203が接続されている。ガス供給管203には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群204が設けられている。そしてガス供給口201から処理容器200の内部に不活性ガスを供給することで、処理容器200の内部を低酸素雰囲気にすることができ、かかる低酸素雰囲気中で重合ウェハTを熱処理することができる。
処理容器200の底面には、当該処理容器200の内部の雰囲気を吸引する吸気口205が形成されている。吸気口205には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置206に連通する吸気管207が接続されている。
処理容器200の内部には、重合ウェハTを加熱処理する加熱部210と、重合ウェハTを温度調節する温度調節部211が設けられている。加熱部210と温度調節部211はX方向に並べて配置されている。
加熱部210は、熱板220を収容して熱板220の外周部を保持する環状の保持部材221と、その保持部材221の外周を囲む略筒状のサポートリング222を備えている。熱板220は、厚みのある略円盤形状を有し、重合ウェハTを載置して加熱することができる。また、熱板220には、例えばヒータ223が内蔵されている。熱板220の加熱温度は例えば制御部350により制御される。また熱板220は、例えば重合ウェハTを350℃〜450℃に加熱処理することができる。
熱板220の外周部には、重合ウェハT又は支持ウェハSのガイド部材224が設けられている。ガイド部材224は、その頂部が少なくとも熱板220上の重合ウェハTよりも上方に位置するように鉛直方向に延伸している。またガイド部材224は、図10に示すように熱板220の外周部に複数個所、例えば4箇所に設けられている。かかるガイド部材224によって、重合ウェハT又は支持ウェハSが熱板220から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。
熱板220の下方には、図9に示すように重合ウェハTを昇降させる昇降機構230が設けられている。昇降機構230は、重合ウェハTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン231が例えば3本設けられている。昇降ピン231は、例えばシリンダなどの昇降駆動源を備えた駆動部232により上下動できる。また熱板220の中央部付近には、当該熱板220を厚み方向に貫通する貫通孔233が例えば3箇所に形成されている。そして、昇降ピン231は貫通孔233を挿通し、熱板220の上面から突出可能になっている。
温度調節部211は、温度調節板240を有している。温度調節板240には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材(図示せず)が内蔵されている。温度調節板240の冷却温度は例えば制御部350により制御され、温度調節板240上に載置された重合ウェハTが所定の温度に冷却される。
温度調節板240の外周部には、切り欠き241が4か所に形成されている。これら切り欠き241により、温度調節板240と第1の搬送装置20との間で重合ウェハTを受け渡す際に、当該第1の搬送装置20の保持部20aが温度調節板240と干渉するのを防止できる。また温度調節板240には、X方向に沿った2本のスリット242が形成されている。スリット242は、温度調節板240の熱板220側の端面から温度調節板240の中央部付近まで形成されている。このスリット242により、温度調節板240が加熱部210の昇降ピン231と干渉するのを防止できる。
温度調節板240の外周部には、重合ウェハT又は支持ウェハSのガイド部材243が設けられている。ガイド部材243は、その頂部が少なくとも温度調節板240上の重合ウェハTよりも上方に位置するように鉛直方向に延伸している。またガイド部材243は、図10に示すように温度調節板240の外周部に複数個所、例えば4箇所に設けられている。かかるガイド部材243によって、重合ウェハT又は支持ウェハSが温度調節板240から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。
温度調節板240は、温度調節板240を支持する支持部244と一体に形成されている。支持部244は、支持アーム245に支持されている。支持アーム245には、駆動部246が取り付けられている。駆動部246は、X方向に延伸するレール247に取り付けられている。レール247は、温度調節部211から加熱部210まで延伸している。この駆動部246により、温度調節板240は、レール247に沿って加熱部210と温度調節部211との間を移動可能になっている。
温度調節板240には、当該温度調整板240における支持ウェハSの有無を検知する第1のウェハ検知機構250が設けられている。第1のウェハ検知機構250には、例えばCCDカメラを用いてもよいし、静電容量センサを用いてもよい。
温度調節部211の温度調節板240の上方には、重合ウェハTを非接触状態で保持するベルヌーイチャック260が設けられている。ベルヌーイチャック260は、図11に示すように不活性ガスとして例えば窒素ガスを噴出するガス噴出口261が複数配置されている。図示の例においては、複数のガス噴出口261は、ベルヌーイチャック260の同心円上であって、二重の同心円上にそれぞれ等間隔に配置されている。各ガス噴出口261には、ガス供給管262を介して、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源263が接続されている。そして、ベルヌーイチャック260は、不活性ガスを噴出することにより重合ウェハTを浮遊させ、非接触の状態で重合ウェハTを吸引懸垂し保持することができる。なお、ガス噴出口261の個数や配置は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。
ベルヌーイチャック260は、図12に示すようにベルヌーイチャック260を水平軸周りに回動させて反転させる反転機構270に支持されている。反転機構270は、例えばアクチュエータを備えた駆動部271に支持されている。この駆動部271により、反転機構270は水平軸周りに回動自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
ベルヌーイチャック260には、図9に示すようにベルヌーイチャック260における支持ウェハSの有無を検知する第2のウェハ検知機構280が設けられている。第2のウェハ検知機構280には、例えばCCDカメラを用いてもよいし、静電容量センサを用いてもよい。
またベルヌーイチャック260のX方向正方向側には、ベルヌーイチャック260に保持された重合ウェハTの側方から流体、例えば気体を供給するエアノズル290が設けられている。エアノズル290は、支持部材291に支持され、当該支持部材291によって昇降自在に構成されている。エアノズル290には、当該エアノズル290に気体を供給する供給管292が接続されている。供給管292は、内部に気体を貯留する気体供給源293に連通している。供給管292には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群294が設けられている。なお、気体としては、例えばドライエアや、窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。
次に、上述した第2の搬送装置33の構成について説明する。第2の搬送装置33は、図13に示すように被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック300を有している。ベルヌーイチャック300は、支持アーム301に支持されている。支持アーム301は、第1の駆動部302に支持されている。この第1の駆動部302により、支持アーム301は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第1の駆動部302の下方には、第2の駆動部303が設けられている。この第2の駆動部303により、第1の駆動部302は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
以上の剥離システム1には、図1に示すように制御部350が設けられている。制御部350は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、剥離システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム1における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部350にインストールされたものであってもよい。
次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理方法について説明する。図14は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
先ず、複数枚の重合ウェハTを収容したカセットC、空のカセットC、及び空のカセットCが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。第1の搬送装置20によりカセットC内の重合ウェハTが取り出され、位置調節装置12に搬送される。このとき、重合ウェハTは、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で搬送される。そして、位置調節装置12において、重合ウェハTのノッチ部の位置を検出しながら当該重合ウェハTの向きが調節される。その後、第1の搬送装置20により重合ウェハTは処理ステーション3の熱処理装置31に搬送される。
熱処理装置31に搬入された重合ウェハTは、第1の搬送装置20から温度調節板240に受け渡される。その後、駆動部246により温度調節板240をレール247に沿って熱板220の上方まで移動させ、重合ウェハTは予め上昇して待機していた昇降ピン231に受け渡される。その後、昇降ピン231が下降して、重合ウェハTが熱板220上に載置される。そして、熱板220上の重合ウェハTは、所定の温度、例えば400℃に加熱される(図14の工程A1)。このように重合ウェハTが加熱処理されることにより、被処理ウェハWと支持ウェハSとの間の結合が促進されて、後述する工程A7〜A9において被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離されやすくなる。
なお、この工程A1の加熱処理によって被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離される場合があるが、かかる場合でもガイド部材224によって、被処理ウェハWは支持ウェハSに対して位置ずれすることなく、熱板220から飛び出したり、滑落することがない。
その後、昇降ピン231が上昇すると共に、温度調節板240が熱板220の上方に移動する。続いて重合ウェハTが昇降ピン231から温度調節板240に受け渡され、温度調節板240がウェハ搬送領域20側に移動する。この温度調節板240の移動中に、重合ウェハTは所定の温度、例えば常温である23℃に温度調節される(図14の工程A2)。
その後、図15に示すように重合ウェハTは、予め下降して温度調節板240の上方で待機していたベルヌーイチャック260に受け渡され非接触状態で保持される。続いて、ベルヌーイチャック260に保持された重合ウェハTの外側面に対して、エアノズル290から気体を供給する。そして、第1のウェハ検知機構250と第2のウェハ検知機構280によって、温度調節板240における支持ウェハSの有無とベルヌーイチャック260における支持ウェハSの有無がそれぞれ検知され、被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離されているか否かが検査される。こうして、重合ウェハTの接合状態が検査される(図14の工程A3)。
具体的には工程A3において、例えば工程A1での加熱処理によって被処理ウェハWと支持ウェハSの接合が切断された場合には、被処理ウェハWと支持ウェハSは剥離する。そして、被処理ウェハWのみがベルヌーイチャック260に保持され、支持ウェハSは落下して温度調節板240上に載置される。このとき、ガイド部材243によって、支持ウェハSは温度調節板240から飛び出したり、滑落することなく適切な位置に載置される。
なお、工程A1での加熱処理によって被処理ウェハWと支持ウェハSの接合が切断された場合でも、被処理ウェハWと支持ウェハSは表面張力によって貼り付いている場合がある。そうすると、重合ウェハTをベルヌーイチャック260に保持しただけでは被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離しない場合がある。かかる場合でも、重合ウェハTの外側面にエアノズル290から気体を供給しているので、被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離させて、重合ウェハTの接合状態を適切に検査することができる。
そして工程A3において、第1のウェハ検知機構250と第2のウェハ検知機構280によって、重合ウェハTが被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離されたと検知された場合、反転機構270によってベルヌーイチャック260を反転させて、被処理ウェハWの表裏面を反転させる。そして、被処理ウェハWはベルヌーイチャック260から第1の搬送装置20に受け渡されて、搬入出ステーション2に搬送され、さらに搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される。同様に支持ウェハSも温度調節板240から第1の搬送装置20に受け渡されて、搬入出ステーション2に搬送され、さらに搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される。このように被処理ウェハWと支持ウェハSは後続の剥離処理が行われることなく、回収される(図14の工程A4)。
一方、工程A3において、例えば工程A1での加熱処理によって被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離されていない場合には、重合ウェハTはベルヌーイチャック260によって非接触状態で保持される。かかる場合、重合ウェハTはベルヌーイチャック260から温度調節板240に再度受け渡される。さらに重合ウェハTは、温度調節板240から第1の搬送装置20に受け渡され、剥離装置30に搬送される。
剥離装置30に搬入された重合ウェハTは、図16に示すように受渡位置P1において第1の搬送装置20からベルヌーイチャック180に受け渡され、ベルヌーイチャック180に非接触状態で保持される。その後、駆動部191によりベルヌーイチャック180を受渡位置P1から剥離位置P2に移動させる。
剥離位置P2において、重合ウェハTは予め上昇して待機していた昇降ピン151に受け渡される。その後、昇降ピン151が下降して、図17に示すように重合ウェハTが第2の保持部111に吸着保持される。そして、第2の保持部111上の重合ウェハTは、加熱機構142によって所定の温度、例えば250℃に加熱される(図14の工程A5)。この工程A5において、ベルヌーイチャック180は剥離位置P2に移動している。
ここで、例えば工程A5での加熱処理によって被処理ウェハWと支持ウェハSの接合が切断され、被処理ウェハWと支持ウェハSは剥離する場合がある。この場合、その後重合ウェハTが第2の保持部111から第1の保持部110に受け渡される際に、支持ウェハSは第2の保持部111に落下する。かかる場合でも、第2の保持部111のガイド部材143によって、支持ウェハSは第2の保持部111から飛び出したり、滑落することなく適切な位置に載置される。そして、この支持ウェハSは、ベルヌーイチャック180を介して第1の搬送装置20に受け渡され、搬入出ステーション2に搬送されて回収される。
なお、工程A5において被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離したか否かは、第2の保持部111の吸引管141からの吸引によって検知される。例えば吸引管141からの吸引圧力が大きい場合、第2の保持部111上に支持ウェハSが残存しており、被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離している。一方、例えば吸引管141からの吸引圧力が小さい場合、第2の保持部111上に支持ウェハSが残存しておらず、被処理ウェハWと支持ウェハSは剥離していない。
その後、昇降機構144により第2の保持部111が上昇して、図18に示すように重合ウェハTは第2の保持部111から第1の保持部110に受け渡され、第1の保持部110に吸着保持される。第1の保持部110に保持された重合ウェハTは、加熱機構123によって所定の温度、例えば250℃に維持される。その後、第2の保持部111を下降させると共に、ベルヌーイチャック180を受渡位置P1に移動させて、第1の保持部110の下方に配置する(図14の工程A6)。このとき、ベルヌーイチャック180は、第1の保持部110に保持された重合ウェハTとの距離Hが3mm〜5mmとなる位置に配置される。またこのとき、剥離機構160は、切込機構161とエアノズル163が被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面の高さに位置するように配置される。
そして、図19及び図20に示すように支持部材168を重合ウェハT側に移動させて、重合ウェハTの側方から被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に切込機構161を挿入する(図14の工程A7)。そうすると、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に切り込みCが入る。
その後、図21及び図22に示すように切り込みCに対して、エアノズル163から気体を供給する(図14の工程A8)。このエアノズル163から供給された気体は、図21に示すように被処理ウェハWと支持ウェハSの間において、ウェハ面内で拡散する。この気体によって、被処理ウェハWと支持ウェハSが分離される。そして所定の時間が経過すると、図23及び図24に示すように気体がウェハ面内全面に拡散する。このようにエアノズル163から被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に気体を供給する間、回転機構130によって第1の保持部110に保持された被処理ウェハWを回転させる。そして、エアノズル163からの気体と被処理ウェハWの回転によって、被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離される(図14の工程A9)。この工程A7〜A9において、ベルヌーイチャック180のガス噴出口183から不活性ガスが噴出されている。このベルヌーイチャック180によって支持ウェハSに作用する吸引力も、重合ウェハTの剥離に寄与し、補助的な役割を果たしている。また工程A5〜A9において、重合ウェハTは所定の温度に加熱されているので、被処理ウェハWと支持ウェハSとの間の結合が促進されて、重合ウェハTの剥離を容易に行うことができる。
なお、図21及び図23中のハッチ部分は、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面における気体の拡がりを示している。
このように工程A9で剥離された支持ウェハSは、落下してベルヌーイチャック180に非接触状態で保持される。このとき、ガス噴出口183から噴出される不活性ガスがエアクッションとして機能するので、支持ウェハSは損傷を被ることがなく、また支持ウェハSからパーティクルが発生することもない。また、ベルヌーイチャック180上のガイド部材186によって、支持ウェハSはベルヌーイチャック180から飛び出したり、滑落することなく適切な位置に保持される。そして、支持ウェハSを保持したベルヌーイチャック180を受渡位置P1に移動させる。その後、支持ウェハSはベルヌーイチャック180から第1の搬送装置20に受け渡されて、搬入出ステーション2に搬送され、さらに搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される。
一方、工程A9で剥離された被処理ウェハWは、第1の保持部110に保持されている。その後、図25に示すように第2の搬送装置33のベルヌーイチャック300を第1の保持部110に保持された被処理ウェハWの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック300を上昇させると共に、第1の保持部110における吸引管123からの被処理ウェハWの吸引を停止する。そして、第1の保持部110からベルヌーイチャック300に被処理ウェハWが受け渡される。その後被処理ウェハWは、第2の搬送装置233によりトランジション装置32に搬送される。このとき、第2の搬送装置33の支持アーム301によって、被処理ウェハWの表裏面が反転される。すなわち、トランジション装置32において、被処理ウェハWの接合面Wが上方を向くように載置される。
その後、被処理ウェハWは、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。そして、被処理ウェハWは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理が終了する。
以上の実施の形態によれば、工程A6において第1の保持部110に保持された重合ウェハTと対向する位置にベルヌーイチャック180を配置した後、工程A7〜A9において重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する。そうすると、剥離された支持ウェハSを、待機しているベルヌーイチャック180により非接触状態で受け止めて保持することができる。このように非接触状態で支持ウェハSを保持することができるので、従来のように支持ウェハが損傷を被ることがなく、また支持ウェハからのパーティクルが発生することもない。したがって本実施の形態によれば、被処理ウェハWと支持ウェハSを適切に剥離することができる。
またベルヌーイチャック180にはガイド部材186が設けられているので、重合ウェハT又は支持ウェハSがベルヌーイチャック180から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。特にガイド部材186aは、剥離機構60の切込機構161に対向する位置に設けられているので、工程A7において被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に切込機構161を挿入する際に、切込機構161を適切に挿入できない場合でも、支持ウェハSが第1の保持部110から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。
また第2の保持部111にはガイド部材143が設けられているので、重合ウェハT又は支持ウェハSが第2の保持部111から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。特に工程A5での加熱処理によって被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離した場合でも、当該剥離した支持ウェハSが第2の保持部111から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。
また、工程A5において第2の保持部111に保持された重合ウェハTを所定の温度に加熱すると共に、工程A6〜A9において第1の保持部110に保持された重合ウェハTを所定の温度に加熱しているので、被処理ウェハWと支持ウェハSとの間の結合が促進されて、重合ウェハTの剥離をより容易に行うことができる。
また工程A7〜A9において、重合ウェハTの側方から被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に対して切込機構161を挿入して切り込みCを入れ、さらに切り込みCに対して、エアノズル163から気体を供給して、被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する。このように切込機構161により形成された切り込みCに対してエアノズル163から気体を供給するので、例えば気体の供給圧力が小さい場合でも、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に気体を容易に進入させることができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSをより容易に剥離することができる。
また、エアノズル163から気体を供給する間、回転機構130によって第1の保持部110に保持された被処理ウェハWを回転させるので、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離をより容易に行うことができる。
また、切込機構161と流体供給機構162は一体に形成されているので、切込機構161による切り込みCの形成と、その後のエアノズル163からの気体の供給とを連続して円滑に行うことができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSを効率よく剥離することができる。さらに、切込機構161とエアノズル163を移動させるための駆動部170を共有できるので、剥離装置30の構成を簡略化することができ、当該剥離装置30の製造コストも低廉化することができる。
さらに切込機構161は樹脂からなるので、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に切込機構161を挿入する際に、当該被処理ウェハWと支持ウェハSが損傷を被るのを抑制することができる。
また以上の実施の形態の剥離システム1によれば、熱処理装置31において重合ウェハTを熱処理した後、剥離装置30において重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム1内で、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を効率よく行うことができる。また、剥離装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する間に、熱処理装置31において別の重合ウェハTを熱処理することもできる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
以上の実施の形態では、剥離装置30の第1の保持部110は、被処理ウェハW(重合ウェハT)を面接触状態で吸着保持していたが、被処理ウェハWの一部(重合ウェハTの一部)を吸着保持してもよい。例えば図26に示すように第1の保持部110は、被処理ウェハWの一部(重合ウェハTの一部)を吸着保持する複数の保持部材400と、当該複数の保持部材400を支持する支持板401とを有している。
保持部材400は、図27に示すように剥離機構160に対向する位置にX方向に並べて配置されている。なお、保持部材400の個数や配置は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。例えば図27中の点線箇所に保持部材400を配置してもよい。
なお、剥離装置30のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置30の構成と同様であるので説明を省略する。
かかる場合、工程A7において被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に切込機構161を挿入する際、重合ウェハTにおいて保持部材400で保持されていない箇所の鉛直方向の高さを自由に変位させることができる。またその後の工程8において切り込みCにエアノズル163から気体を供給する際にも、重合ウェハTの鉛直方向の高さを自由に変位させることができる。このように重合ウェハTを任意に撓ませることができるので、例えば被処理ウェハWと支持ウェハSの接合力が強い場合でも、工程A9において被処理ウェハWと支持ウェハSを適切に剥離することができる。
なお、本実施の形態の第1の保持部110は加熱機構を有していないので、工程A7〜A9において第1の保持部110に保持された重合ウェハTは加熱されない。但し、工程A5において第2の保持部111に保持された重合ウェハTは所定の温度に加熱され、この加熱された重合ウェハTに対して工程A7〜A9が行われる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSを容易に剥離することができる。
以上の実施の形態では、工程A1における熱処理装置31での重合ウェハTの加熱、工程A5における第2の保持部111での重合ウェハTの加熱、工程A7〜A9における第1の保持部110での重合ウェハTの加熱を行っていたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合力に応じて、いずれかの加熱を省略してもよい。例えば工程A1における重合ウェハTの加熱を省略する場合には、剥離システム1から熱処理装置31自体を省略してもよい。また例えば工程A5における重合ウェハTの加熱を省略する場合には、剥離装置30から第2の保持部111自体を省略してもよい。さらに例えば工程A7〜A9における重合ウェハTの加熱を省略する場合には、第1の保持部110から加熱機構123を省略しても良い。
以上の実施の形態では、工程A8において第1の保持部110を回転させて被処理ウェハWを回転させていたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合力におうじて、この被処理ウェハWの回転を省略してもよい。かかる場合、剥離装置30から回転機構130自体を省略してもよい。
以上の実施の形態の剥離機構160は切込機構161と流体供給機構162を有していたが、例えば被処理ウェハWと支持ウェハSの接合力が弱い場合には、流体供給機構162を省略してもよい。かかる場合、上述した工程A8を省略することができる。
また以上の実施の形態の剥離装置30において、被処理ウェハWと支持ウェハSをさらに効率よく剥離するために、次の方法を用いてもよい。
例えばエアノズル163の供給口164を重合ウェハTの厚み方向に移動させてもよい。このように供給口164を移動させるため、例えば移動機構としての駆動部170によってエアノズル163をスイングさせてもよいし、別途の移動機構(図示せず)を設けてエアノズル163をスイングさせてもよい。
かかる場合、制御部350によってエアノズル163の供給口164を重合ウェハTの厚み方向に移動させながら、当該供給口164から重合ウェハTに対して気体を供給する。この気体によって重合ウェハTの外周部が振動するため、気体が被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に進入し易くなる。このため、被処理ウェハWと支持ウェハSをさらに効率よく剥離することができる。
また、例えば制御部350と供給機器群167によって、相対的に多い供給量と相対的に少ない供給量でエアノズル163から気体を繰り返し供給するように、エアノズル163からの気体の供給量を制御してもよい。かかる場合でも、この気体によって重合ウェハTの外周部が振動するため、気体が被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に進入し易くなる。このため、被処理ウェハWと支持ウェハSをさらに効率よく剥離することができる。
また以上の実施の形態の剥離装置30において、剥離機構160の切込機構161の先端とエアノズル163の先端は、平面視において重合ウェハTの外周部に沿って湾曲していてもよい。かかる場合、切込機構161の先端と重合ウェハTとの距離が均一になるので、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に均一な切り込みCを入れることができる。またエアノズル163の供給口164と重合ウェハTとの距離も均一になるので、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に均一な圧力で気体を供給することができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSをより適切に剥離することができる。なお、本実施の形態において、エアノズル163のみを重合ウェハTの外周部に沿って湾曲させてもよい。
以上の実施の形態では、流体供給機構162はエアノズル163を有し、重合ウェハTに対して気体を供給していたが、流体供給機構162から供給される流体は気体に限定されない。例えば流体供給機構162は、液体である純水を供給する流体ノズルとしての純水ノズル(図示せず)を有していてもよい。そして、被処理ウェハWと支持ウェハSの接合面に対して純水ノズルから純水が供給され、当該純水によって被処理ウェハWと支持ウェハSが剥離される。かかる場合、被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する際、当該被処理ウェハWと支持ウェハSの表面を洗浄することもできる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理のスループットを向上させることができる。
また、例えば流体供給機構162は、気体と純水を供給する2流体ノズル(図示せず)を有していてもよい。かかる場合、2流体ノズルからの気体によって被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離すると共に、2流体ノズルからの純水によって被処理ウェハWと支持ウェハSの表面を洗浄することができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理のスループットを向上させることができる。
以上の実施の形態では、切込機構161と流体供給機構162が一体に形成されていたが、これら切込機構161と流体供給機構162は個別に設けられていてもよい。
以上の実施の形態の剥離装置30では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの上下配置を反対にしてもよい。
以上の実施の形態では、被処理ウェハWがSOIウェハである場合について説明したが、本実施の形態の剥離システム1は他の重合ウェハTの剥離に用いられてもよい。剥離システム1は、例えば被処理ウェハWと支持ウェハSが接着剤を介して接合された重合ウェハTを剥離してもよい。被処理ウェハWは製品となるウェハであって、例えば接合面W上に複数の電子回路等を備えた複数のデバイスが形成されている。また被処理ウェハWは、例えば非接合面Wが研磨処理され、薄型化(例えば厚みが50μm〜100μm)されていてもよい。かかる場合、剥離システム1には、剥離後の被処理ウェハWを洗浄する洗浄装置と、剥離後の支持ウェハSを洗浄する洗浄装置がそれぞれ設けられる。なお、被処理ウェハWには、当該被処理ウェハWの損傷を抑制するため、ダイシングフレームとダイシングテープが設けられていてもよい。
以上の実施の形態では、ベルヌーイチャック180は支持ウェハSを非接触状態で保持していたが、このベルヌーイチャック180に代えて、図28に示すように支持ウェハSの全面を面接触状態で保持する保持部410を用いてもよい。保持部410は、例えばベルヌーイチャック180と同形状を有し、ベルヌーイチャック180からガス噴出口183を省略した構成を有している。
ここで、例えば支持ウェハSを全面ではなく一部を保持する一部保持部を用いた場合、被処理ウェハWから剥離した支持ウェハSを受け止めて保持する際に、一部保持部が支持ウェハSの中心部からずれた位置を保持する場合がある。かかる場合、一部保持部が支持ウェハSを適切に保持することができず、支持ウェハSが滑落するおそれがある。また、一部支持部は支持ウェハSの一部のみを保持するため、剥離した支持ウェハSを受け止める際に支持ウェハSの一部に力が作用して、支持ウェハSが損傷を被るおそれがある。さらにこれによりパーティクルが発生するおそれもある。
この点、保持部410が支持ウェハSの全面を面接触状態で保持する場合、当該保持部410によって支持ウェハSを適切な位置に保持することができる。また剥離した支持ウェハSを受け止める際にも、支持ウェハSに作用する力を全面に分散させることができるので、支持ウェハSが損傷を被るのを抑制でき、パーティクルの発生も抑制することができる。
なお、以上の剥離システム1には、後処理システム(図示せず)が接続されていてもよい。後処理システムは、トランジション装置32に接続して配置される。また後処理システムには、被処理ウェハWに対して種々の処理を行う装置、例えば被処理ウェハWの洗浄装置等が配置される。かかる場合、一連のプロセスにおいて、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離後、被処理ウェハWの後処理を行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
1 剥離システム
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
20 第1の搬送装置
30 剥離装置
31 熱処理装置
110 第1の保持部
111 第2の保持部
123 加熱機構
130 回転機構
142 加熱機構
143 ガイド部材
160 剥離機構
161 切込機構
162 流体供給機構
180 ベルヌーイチャック
186 ガイド部材
350 制御部
400 保持部材
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ

Claims (20)

  1. 被処理基板と支持基板が接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、
    被処理基板を吸着保持する吸着保持部と、
    支持基板を非接触状態で保持する非接触保持部と、
    前記吸着保持部に保持された重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に挿入されて切り込みを入れる、先端が尖った切込機構と、を有することを特徴とする、剥離装置。
  2. 前記非接触保持部には、当該非接触保持部に保持された重合基板又は剥離後の支持基板のガイド部材が設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の剥離装置。
  3. 前記ガイド部材は、少なくとも前記切込機構に対向する位置に設けられていることを特徴とする、請求項2に記載の剥離装置。
  4. 前記吸着保持部は、被処理基板を面接触状態で吸着保持し、
    前記吸着保持部は、重合基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の剥離装置。
  5. 前記吸着保持部は、被処理基板の一部を保持する保持部材を複数有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の剥離装置。
  6. 前記吸着保持部を回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の剥離装置。
  7. 前記吸着保持部に対向して設けられ、支持基板を面接触状態で吸着保持する他の吸着保持部を有し、
    前記他の吸着保持部は、重合基板を加熱する他の加熱機構を有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の剥離装置。
  8. 前記他の吸着保持部には、当該他の吸着保持部に保持された重合基板又は剥離後の支持基板の他のガイド部材が設けられていることを特徴とする、請求項7に記載の剥離装置。
  9. 前記吸着保持部に保持された重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に流体を供給する流体供給機構を有し、
    前記切込機構と前記流体供給機構は一体に形成されていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載の剥離装置。
  10. 前記切込機構は樹脂からなることを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の剥離装置。
  11. 請求項1〜10のいずれかに記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、
    前記剥離装置を備えた処理ステーションと、
    前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
    前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
  12. 被処理基板と支持基板が接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
    吸着保持部に保持された重合基板と対向する位置に非接触保持部を配置する配置工程と、
    その後、前記吸着保持部に保持された重合基板の側方から被処理基板と支持基板の接合面に対して、先端が尖った切込機構を挿入して切り込みを入れ、当該重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、
    その後、剥離された支持基板を非接触状態で前記非接触保持部により保持する基板保持工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。
  13. 前記吸着保持部は、被処理基板を面接触状態で吸着保持し、
    前記吸着保持部には、重合基板を加熱する加熱機構が設けられ、
    前記剥離工程において、前記加熱機構によって前記吸着保持部に保持された重合基板を加熱しながら当該重合基板を剥離することを特徴とする、請求項12に記載の剥離方法。
  14. 前記吸着保持部は、複数の保持部材によって被処理基板の一部を保持することを特徴とする、請求項12に記載の剥離方法。
  15. 前記剥離工程において、回転機構によって前記吸着保持部に保持された重合基板を回転させながら当該重合基板を剥離することを特徴とする、請求項12〜14のいずれかに記載の剥離方法。
  16. 前記吸着保持部に対向する位置には、支持基板を面接触状態で吸着保持する他の吸着保持部が設けられ、
    前記他の吸着保持部には、重合基板を加熱する他の加熱機構が設けられ、
    前記剥離工程の前に、前記他の加熱機構によって前記他の吸着保持部に保持された重合基板を加熱することを特徴とする、請求項12〜15のいずれかに記載の剥離方法。
  17. 前記剥離工程において、前記切込機構によって形成された被処理基板と支持基板の接合面の切り込みに対して、流体供給機構から流体を供給して、被処理基板と支持基板を剥離することを特徴とする、請求項12〜16のいずれかに記載の剥離方法。
  18. 前記切込機構は樹脂からなることを特徴とする、請求項12〜17
    のいずれかに記載の剥離方法。
  19. 請求項12〜18のいずかに記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
  20. 請求項19に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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