JP2005116678A - 半導体ウエハの剥離方法およびこれを用いた剥離装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 加熱剥離性を有する両面接着シート3を介して半導体ウエハ1と支持材2を貼り合わせたワークWについて、支持材2の表面を吸着台4に吸着保持して加熱して接着層3bの接着力を略消滅させるとともに、半導体ウエハ1の裏面側からベルヌーイチャック5を近接させて非接触状態で半導体ウエハ1を剥離して空中に浮遊した状態で懸垂保持する。
【選択図】 図2
Description
第1に、半導体ウエハを挟持して吸着保持しているとき、その空間では略真空状態となる。したがって、両面接着シートの剥離を判定した後に上部テーブルの吸着を解除して上側に退避させるとき、支持材と上部テーブルの接触面は、真空に近い状態にあるので、両部材の接触面に負圧が発生する。その結果、半導体ウエハに反りなどを発生させる問題がある。
前記半導体ウエハと支持材を貼り合わせた両面接着シートの接着力を弱める第1過程と、
前記両面接着シートの接着力を弱めながら前記両面接着シートから半導体ウエハを非接触状態で剥離手段により剥離する第2過程と、
を備えたことを特徴とする。
前記支持材を保持する保持手段と、前記保持された支持材に貼り合わせてある両面接着シートを加熱する加熱手段と、加熱により接着力の弱まった前記両面接着シートから非接触状態で半導体ウエハを剥離する剥離手段とを備えたことを特徴とする。
前記半導体ウエハと支持材を貼り合わせた両面接着シートの接着力を弱める第1過程と、
前記半導体ウエハに剥離手段を接触させて保持しながら接着力の弱まった前記両面接着シートの一端側から半導体ウエハを剥離してゆく第2過程と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハの剥離方法。
2 … 支持材
3 … 両面接着シート
5 … ベルヌーイチャック
7 … ロボットアーム
Claims (8)
- 両面接着シートを介して支持材と貼り合わされた半導体ウエハを両面接着シートから剥離する半導体ウエハの剥離方法であって、
前記半導体ウエハと支持材を貼り合わせた両面接着シートの接着力を弱める第1過程と、
前記両面接着シートの接着力を弱めながら前記両面接着シートから半導体ウエハを非接触状態で剥離手段により剥離する第2過程と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハの剥離方法。 - 請求項1に記載の半導体ウエハの剥離方法において、
前記両面接着シートは、加熱または冷却により接着力の弱まるものであって、
前記第1過程では、前記両面接着シートを加熱または冷却することを特徴とする半導体ウエハの剥離方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体ウエハの剥離方法において、
前記第1過程では、前記支持材の表面を下向き姿勢で保持し、
前記第2過程では、剥離手段から半導体ウエハ面に向けて気体を噴出することで前記剥離手段と前記半導体ウエハ面との間隙で発生する差圧により非接触状態で懸垂保持しながら半導体ウエハを両面接着シートから剥離することを特徴とする半導体ウエハの剥離方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体ウエハの剥離方法において、
前記第1過程では、支持材の表面を上向き姿勢で保持し、
前記第2過程では、接着力の弱まった両面接着シートから自重により剥離して落下する半導体ウエハを保持することを特徴とする半導体ウエハの剥離方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体ウエハの剥離方法において、
前記第1過程では、支持材の表面を上向き姿勢で保持し、
前記第2過程では、接着力の弱まった両面接着シートから半導体ウエハを吸引しながら剥離して保持することを特徴とする半導体ウエハの剥離方法。 - 加熱により接着力の弱まる両面接着シートを介して支持材と貼り合わされた半導体ウエハを両面接着シートから剥離する半導体ウエハの剥離装置であって、
前記支持材を保持する保持手段と、
前記保持された支持材に貼り合わせてある両面接着シートを加熱する加熱手段と、
加熱により接着力の弱まった前記両面接着シートから非接触状態で半導体ウエハを剥離する剥離手段と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハの剥離装置。 - 請求項6に記載の半導体ウエハの剥離装置において、
前記剥離手段は、半導体ウエハ面に向けて気体を噴出することで前記剥離手段と前記半導体ウエハ面との間隙で発生する差圧により非接触状態で懸垂保持しながら半導体ウエハを両面接着シートから剥離するものであることを特徴とする半導体ウエハの剥離装置。 - 請求項6に記載の半導体ウエハの剥離装置において、
前記保持手段は、支持材の表面側を上向き姿勢で保持し、
前記剥離手段は、半導体ウエハ面を吸着保持するロボットアームであり、
前記ロボットアームを半導体ウエハ面に近接させて吸引し、両面接着シートから半導体ウエハを剥離させて吸着保持することを特徴とする半導体ウエハの剥離装置。
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KR1020040078197A KR101165094B1 (ko) | 2003-10-06 | 2004-10-01 | 반도체 웨이퍼의 박리방법 및 이것을 사용한 박리장치 |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339607A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Lintec Corp | 転写装置とその方法、剥離装置とその方法、貼付装置とその方法 |
JP2009218428A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
JP2009218427A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
JP2010056343A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Lintec Corp | シート剥離装置及び剥離方法 |
JP4757359B2 (ja) * | 2008-08-13 | 2011-08-24 | イーアールエス エレクトロニック ゲーエムベーハー | プラスチックディスク、特に成型ウエハを熱処理する方法及び装置 |
JP2011181941A (ja) * | 2011-04-15 | 2011-09-15 | Lintec Corp | 半導体ウエハの処理方法 |
WO2012176629A1 (ja) * | 2011-06-20 | 2012-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム、剥離方法、及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2013149658A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム |
JP2014044974A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
KR101823718B1 (ko) * | 2011-01-19 | 2018-01-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI271815B (en) * | 2004-11-30 | 2007-01-21 | Sanyo Electric Co | Method for processing stuck object and electrostatic sticking method |
JP4401322B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2010-01-20 | 日東電工株式会社 | 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法 |
JP4746003B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2011-08-10 | リンテック株式会社 | 移載装置及び移載方法 |
WO2010121068A2 (en) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Suss Microtec, Inc. | Improved apparatus for temporary wafer bonding and debonding |
US8950459B2 (en) | 2009-04-16 | 2015-02-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
NO20093232A1 (no) * | 2009-10-28 | 2011-04-29 | Dynatec Engineering As | Anordning for waferhandtering |
US9859141B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-01-02 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus and method for aligning and centering wafers |
US9837295B2 (en) | 2010-04-15 | 2017-12-05 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing |
JP2012109538A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-06-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 積層体、およびその積層体の分離方法 |
JP5802106B2 (ja) | 2010-11-15 | 2015-10-28 | 東京応化工業株式会社 | 積層体、および分離方法 |
CN102543662B (zh) * | 2010-12-30 | 2016-02-03 | 上海微电子装备有限公司 | 热盘及应用其的硅片加热系统 |
WO2012140987A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム及び剥離方法 |
KR20230055404A (ko) | 2012-11-30 | 2023-04-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 반송 시스템, 노광 장치, 반송 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조방법, 및 흡인 장치 |
KR102046534B1 (ko) | 2013-01-25 | 2019-11-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 방법 |
US9349645B2 (en) * | 2013-10-16 | 2016-05-24 | Nxp B.V. | Apparatus, device and method for wafer dicing |
JP2017528903A (ja) * | 2014-06-27 | 2017-09-28 | エリッヒ・タールナー | 第一の基板を剥離するための、試料ホルダ、装置及び方法 |
CN104760400B (zh) * | 2015-04-03 | 2017-01-18 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 拆解装置 |
KR102313768B1 (ko) * | 2015-05-06 | 2021-10-18 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 양면 테이프 및 이를 이용한 발광소자 제조방법 |
US20170140971A1 (en) * | 2015-11-14 | 2017-05-18 | Nachiket R. Raravikar | Adhesive with tunable adhesion for handling ultra-thin wafer |
CN106920759B (zh) * | 2015-12-28 | 2020-04-24 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种芯片保护壳去除方法及装置 |
JP6427131B2 (ja) | 2016-03-18 | 2018-11-21 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
US11260646B2 (en) * | 2016-11-15 | 2022-03-01 | Corning Incorporated | Methods for processing a substrate |
WO2019054338A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | 日本碍子株式会社 | チップ部品の製造方法 |
KR102505213B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2023-03-03 | 삼성전자주식회사 | 분리용 전자 장치 및 이의 공정 방법 |
KR20210141155A (ko) * | 2020-05-15 | 2021-11-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 디본딩 장치 |
DE102020003736A1 (de) | 2020-06-22 | 2021-12-23 | Mycon Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum bauteilschonenden Trennen von Klebverbindungen |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60216567A (ja) * | 1985-03-11 | 1985-10-30 | Hitachi Ltd | ウエハの切削装置 |
JPH0369112A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Fujitsu Ltd | ホットプレートオーブン |
US5169196A (en) * | 1991-06-17 | 1992-12-08 | Safabakhsh Ali R | Non-contact pick-up head |
KR0129119B1 (ko) * | 1992-11-27 | 1998-04-07 | 모리시다 요이찌 | 반도체칩의 제거방법 및 제거장치 |
KR0144164B1 (ko) * | 1995-05-12 | 1998-07-01 | 문정환 | 엘오씨 반도체 패키지 및 반도체 장치를 패키징하는 방법 |
CA2225131C (en) * | 1996-12-18 | 2002-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor article |
US6017776A (en) * | 1997-04-29 | 2000-01-25 | Micron Technology, Inc. | Method of attaching a leadframe to singulated semiconductor dice |
KR100278137B1 (ko) * | 1997-09-04 | 2001-01-15 | 가나이 쓰도무 | 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법 |
JP2000036501A (ja) * | 1998-05-12 | 2000-02-02 | Sharp Corp | ダイボンド装置 |
JP3816253B2 (ja) * | 1999-01-19 | 2006-08-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4275254B2 (ja) | 1999-06-17 | 2009-06-10 | リンテック株式会社 | 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置 |
JP3597754B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2004-12-08 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4456234B2 (ja) * | 2000-07-04 | 2010-04-28 | パナソニック株式会社 | バンプ形成方法 |
US6319754B1 (en) * | 2000-07-10 | 2001-11-20 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wafer-dicing process |
JP3906962B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2007-04-18 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE10048881A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-03-07 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers |
JP3748375B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2006-02-22 | シャープ株式会社 | 半導体チップのピックアップ装置 |
JP2002237515A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-08-23 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法 |
JP4482243B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2010-06-16 | 株式会社新川 | ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置 |
JP3800977B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2006-07-26 | 株式会社日立製作所 | Zn−Al系はんだを用いた製品 |
DE10128923A1 (de) * | 2001-06-15 | 2003-01-23 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
JP4266106B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2009-05-20 | 株式会社東芝 | 粘着性テープの剥離装置、粘着性テープの剥離方法、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップのピックアップ方法及び半導体装置の製造方法 |
US7332819B2 (en) * | 2002-01-09 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Stacked die in die BGA package |
DE10212420A1 (de) * | 2002-03-21 | 2003-10-16 | Erich Thallner | Einrichtung zur Aufnahme eines Wafers |
US6861321B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-03-01 | Asm America, Inc. | Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock |
JP3831287B2 (ja) * | 2002-04-08 | 2006-10-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
JP3704113B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2005-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | ボンディングステージ及び電子部品実装装置 |
KR100480628B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 에어 블로잉을 이용한 칩 픽업 방법 및 장치 |
US20050056946A1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-17 | Cookson Electronics, Inc. | Electrical circuit assembly with improved shock resistance |
-
2003
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- 2004-10-01 KR KR1020040078197A patent/KR101165094B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339607A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Lintec Corp | 転写装置とその方法、剥離装置とその方法、貼付装置とその方法 |
JP2009218428A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
JP2009218427A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
KR101260603B1 (ko) | 2008-08-13 | 2013-05-03 | 에엘에스 일렉트로닉 게엠베하 | 플라스틱 디스크, 특히 몰드 웨이퍼의 열처리용 장치 및 그 방법 |
JP4757359B2 (ja) * | 2008-08-13 | 2011-08-24 | イーアールエス エレクトロニック ゲーエムベーハー | プラスチックディスク、特に成型ウエハを熱処理する方法及び装置 |
JP2011176329A (ja) * | 2008-08-13 | 2011-09-08 | Ers Electronic Gmbh | プラスチックディスク、特に成型ウエハを熱処理する方法及び装置 |
JP2010056343A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Lintec Corp | シート剥離装置及び剥離方法 |
KR101823718B1 (ko) * | 2011-01-19 | 2018-01-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템 |
JP2011181941A (ja) * | 2011-04-15 | 2011-09-15 | Lintec Corp | 半導体ウエハの処理方法 |
WO2012176629A1 (ja) * | 2011-06-20 | 2012-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム、剥離方法、及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2013004845A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2013149658A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム |
JP2014044974A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
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