DE602004009259T2 - Verfahren zum trennen einer halbleiterscheibe und trennapparat, der das verfahren anwendet - Google Patents

Verfahren zum trennen einer halbleiterscheibe und trennapparat, der das verfahren anwendet Download PDF

Info

Publication number
DE602004009259T2
DE602004009259T2 DE602004009259T DE602004009259T DE602004009259T2 DE 602004009259 T2 DE602004009259 T2 DE 602004009259T2 DE 602004009259 T DE602004009259 T DE 602004009259T DE 602004009259 T DE602004009259 T DE 602004009259T DE 602004009259 T2 DE602004009259 T2 DE 602004009259T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor wafer
double
sided adhesive
adhesive film
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE602004009259T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602004009259D1 (de
Inventor
Saburo Kameyama-shi Miyamoto
Yukitoshi Kameyama-shi Hase
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of DE602004009259D1 publication Critical patent/DE602004009259D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602004009259T2 publication Critical patent/DE602004009259T2/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • (1) Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Trennen einer Halbleiterscheibe, die gehalten wird, indem sie mit einem Trägerelement, wie einer Glasplatte, über eine doppelseitige Klebefolie von dem Trägerelement verbunden ist und einen Trennapparat, der das Verfahren anwendet.
  • (2) Beschreibung des Stands der Technik
  • Im Allgemeinen wird eine Halbleiterscheibe einem Prozess zum Bilden einer Anzahl von Vorrichtungen auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe unterzogen. Danach wird in einem Rückseitenschleifprozess die Rückseite der Halbleiterscheibe auf eine gewünschte Dicke geschliffen oder poliert. Die sich ergebende Halbleiterscheibe wird in Vorrichtungen in einem Vereinzelungsprozessor vereinzelt.
  • In den vergangenen Jahren bestand mit dem raschen Fortschreiten einer Anwendung der Bedarf nach dem Verringern der Stärke einer Halbleiterscheibe auf 100 μm, auf 50 μm und in manchen Fällen sogar auf 25 μm. Eine so dünne Halbleiterscheibe ist brüchig und unterliegt leicht Verzerrung, wobei ihre Handhabung außergewöhnlich schwer ist. Folglich wird die Halbleiterscheibe gehalten, indem sie über eine doppelseitige Klebefolie mit der Oberfläche eines Trägerelements verbunden wird, das eine Stärke wie eine Glasplatte aufweist. Nachdem die Halbleiterscheibe durch Rückverstärken mit dem Trägerelement verstärkt wurde, wie zuvor beschrieben, wird auf der Rückseite der Halbleiterscheibe das Rückseitenschleifen ausgeführt und die Halbleiterscheibe wird von dem Trägerelement getrennt.
  • Bisher ist das Mittel zum Trennen einer Halbleiterscheibe, die gehalten wird, indem sie über eine doppelseitige Klebefolie mit einem Trägerelement verbunden ist, wie folgt ausgeführt. Es wird eine doppelseitige ultraviolett-gehärtete Klebefolie verwendet, deren Klebfestigkeit durch Bestrahlung mit ultravioletter Strahlung geschwächt wird. Zunächst wird die Klebfestigkeit vorübergehend durch Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen herabgesetzt. Im nachfolgenden Prozess wird die Halbleiterscheibe durch zwei obere und untere Tafeln im Sandwich-Verfahren gebildet und in einem Vakuumszustand erwärmt, so dass sie schrumpf-verformt wird, wodurch die Fläche zwischen der doppelseitigen Klebefolie und der Halbleiterscheibe vermindert und die Halbleiterscheibe zum Schweben gebracht wird.
  • Nach Beendigung des Schrumpfens und der Trennung der doppelseitigen Klebefolie wird das Ansaugen der oberen Tafel abgebrochen und die obere Tafel wird zur oberen Seite verworfen. Danach wird in einem Zustand, in dem die Halbleiterscheibe auf der unteren Tafel durch Ansaugen befestigt wird, ein Halteelement angesaugt und von einem Transportarm bewegt, wodurch die Halbleiterscheibe von der doppelseitigen Klebefolie getrennt wird. Ein solches Mittel wird vorgeschlagen und ausgeführt (siehe beispielsweise JP-A 2001-7179 ).
  • Als verwendete doppelseitige Klebefolie wird nicht nur eine ultraviolett-gehärtete doppelseitige Klebefolie, sondern auch eine doppelseitige Klebefolie verwendet, die eine Erwärmungstrennbarkeit aufweist, und die bei Erwärmung schäumt und deren Klebfestigkeit abnimmt.
  • Das herkömmliche Mittel weist die nachfolgend genannten Probleme auf.
  • Zunächst wird, wenn eine Halbleiterscheibe im Sandwich-Verfahren gebildet und durch Ansaugen gehalten wird, nahezu ein Vakuumzustand in dem Raum erhalten. Daher sind, nachdem das Trennen der doppelseitigen Klebefolie bestimmt ist, wenn das Ansaugen der oberen Tafel abgebrochen und die obere Tafel zur oberen Seite verworfen wurde, die Kontaktflächen des Trägerelements und der oberen Tafel nahezu in einem Vakuumszustand, so dass negativer Druck auf die Kontaktflächen beider Elemente erzeugt wird. Dies verursacht das Problem des Auftretens einer Verformung in der Halbleiterscheibe.
  • Zweitens ändert sich die Verteilung der Klebfestigkeit in hohem Maße entsprechend den Bedingungen, wie das Ausmaß der Schrumpfverformung der doppelseitigen Klebefolie, das Ausmaß des Ultraviolett-Härtens und Ähnliches. Wenn die Halbleiterscheibe, die an der unteren Tafel durch Ansaugen befestigt ist, angehoben und durch energisches Halten durch Ansaugen des Trägerelements bewegt wird, wirkt eine lokale Trennungsspannung an der Halbleiterscheibe und es ist möglich, dass es zu Verformung oder zum Brechen kommt.
  • Aus WO 03/001587 A2 ist ein Verfahren zum Übertragen eines scheibenförmigen Werkstücks von einem Werkstückträger und eine Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens bekannt.
  • In dem bekannten Verfahren kann das Werkstück eine Halbleiterscheibe sein, die durch eine erste doppelseitige Klebefolie an dem Werkstückträger angebracht ist. Zum Trennen der Halbleiterscheibe von dem Werkstückträger wird die Klebwirkung der ersten Klebefolie geschwächt. In einem weiteren Schritt wird die Halbleiterscheibe an einem Rückhalteelement mit einer zweiten doppelseitigen Klebefolie angebracht, bei dem das Rückhalteelement dann von dem Werkstückträger zusammen mit der Halbleiterscheibe wegbewegt wird. Zum Trennen der Halbleiterscheibe von dem Rückhalteelement wird die Klebwirkung der zweiten Klebefolie geschwächt und die Halbleiterscheibe wird auf einer Trägerfolie platziert. In einem weiteren Schritt wird das Rückhalteelement von der Halbleiterscheibe wegbewegt, während der Druck zwischen der zweiten Klebefolie und der Halbleiterscheibe angelegt wird, wodurch die Halbleiterscheibe von dem Rückhalteelement weggedrückt wird, so dass sie auf der Trägerfolie verbleibt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung der zuvor genannten Umstände gemacht, und es ist eine ihrer Hauptaufgaben, ein Halbleiterscheibentrennverfahren und einen Apparat bereitzustellen, der in der Lage ist, eine Halbleiterscheibe, die gehalten wird, indem sie über eine doppelseitige Klebefolie spannungsfrei mit einem Trägerelement verbunden ist, glatt zu trennen.
  • Um die zuvor genannte Aufgabe zu erfüllen, wendet die vorliegende Erfindung folgende Ausgestaltung an:
    Ein Verfahren zum Trennen einer Halbleiterscheibe, die über eine doppelseitige Klebefolie von der doppelseitigen Klebefolie mit einem Trägerelement verbunden ist, wobei das Verfahren umfasst:
    einen ersten Schritt des Speicherns der Klebfestigkeit der doppelseitigen Klebefolie, um die Halbleiterscheibe und das Trägerelement miteinander zu verbinden; und
    einen zweiten Schritt zum kontaktfreien Trennen der Halbleiterscheibe von der doppelseitigen Klebefolie, während die Klebfestigkeit der doppelseitigen Klebefolie durch Trennmittel geschwächt wird.
  • Gemäß dem Halbleiterscheibentrennverfahren der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiterscheibe von der doppelseitigen Klebefolie kontaktfrei getrennt, so dass eine Trennspannung, die auf die Halbleiterscheibe zur Zeit des Trennens wirkt, klein ist. Zur Zeit des Trennens der doppelseitigen Klebefolie, deren Klebfestigkeit geschwächt ist, wirkt eine kleine Trennspannung, die so wirkt, dass sie an die Umgebung der Halbleiterscheibe abgegeben wird, zur Mitte der Halbleiterscheibe hin, so dass die Halbleiterscheibe von der äußeren Endseite der doppelseitigen Klebefolie zur Mitte hin getrennt wird. Daher kann die Spannung, die durch das Trennen auf die Halbleiterscheibe verursacht wird, vermindert werden und die Halbleiterscheibe kann glatt ohne Spannung getrennt werden, während eine Verformung und das Brechen der Halbleiterscheibe verhindert wird.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterscheibentrennverfahren kann in dem ersten Schritt das Trägerelement in solcher Stellung gehalten werden, dass die Fläche des Trägerelements nach unten zeigt und in dem zweiten Schritt die Halbleiterscheibe von der doppelseitigen Klebefolie getrennt wird, während die Halbleiterscheibe kontaktfrei durch einen Differenzdruck, der in einem Spalt zwischen dem Trennmittel und der Rückseite der Halbleiterscheibe durch Ausstoßen von Gas von dem Trennmittel zur Rückseite der Halbleiterscheibe erzeugt wird, in einer Suspension gehalten wird.
  • Gemäß dem Verfahren wird der Differenzdruck von dem atmosphärischen Druck in dem Spalt zwischen dem Trennmittel und der Rückseite einer Halbleiterscheibe durch Gas erzeugt, das zur Rückseite der Halbleiterscheibe ausgestoßen wird, wobei die Halbleiterscheibe in dem Raum in einer Suspension gehalten wird, während ein vorbestimmter Abstand beibehalten wird. Daher kann die Halbleiterscheibe in einem Zustand getrennt werden, in dem die Verformungsspannung auf die Halbleiterscheibe, die in dem Rückseitenschleifprozess erzeugt wird, verteilt wird und schwindet und sie kann wie sie ist transportiert werden.
  • Vorzugsweise wird als doppelseitige Klebefolie eine der folgenden verwendet. Beispielsweise kann eine doppelseitige Klebefolie verwendet werden, deren Klebfestigkeit durch Erwärmen oder Kühlen geschwächt wird. In dem ersten Schritt wird die doppelseitige Klebefolie erwärmt oder gekühlt. Eine andere doppelseitige Klebefolie wird durch Bilden einer Klebeschicht erhalten, die eine Erwärmungstrennbarkeit aufweist, und die bei Erwärmung geschäumt und ausgedehnt wird und Klebfestigkeit an mindestens einer der Flächen eines Foliengrundmaterials verliert. In dem ersten Schritt wird die doppelseitige Klebefolie erwärmt. Noch eine andere doppelseitige Klebefolie wird durch Sandwich-Bildung des Foliengrundmaterials durch ultraviolett-gehärtete Klebeschichten gebildet, so dass die Klebeschichten ihre Klebfestigkeiten bei unterschiedlichen Wellenlängen verlieren. In dem ersten Schritt wird die doppelseitige Klebefolie mit einem ultravioletten Strahl bestrahlt.
  • Um die zuvor genannte Aufgabe zu erfüllen, wendet die vorliegende Erfindung auch folgende Ausgestaltung an:
    Einen Apparat zum Trennen einer Halbleiterscheibe, die über eine doppelseitige Klebefolie mit einem Trägerelement verbunden ist, deren Klebfestigkeit durch Erwärmen von der doppelseitigen Klebefolie geschwächt wird, wobei der Apparat umfasst:
    ein Haltemittel zum Halten des Trägerelements;
    ein Erwärmungsmittel zum Erwärmen der doppelseitigen Klebefolie, die mit dem Trägerelement verbunden ist; und
    ein Trennmittel zum Trennen der Halbleiterscheibe von der doppelseitigen Klebefolie, deren Klebfestigkeit durch kontaktfreies Erwärmen geschwächt wird.
  • In dem erfindungsgemäßen Halbleiterscheibentrennapparat wird die doppelseitige Klebefolie durch das Erwärmungsmittel in einem Zustand erwärmt, in dem die Trägerelementseite durch das Haltemittel gehalten wird. In einem Zustand, in dem die Klebfestigkeit der erwärmten doppelseitigen Klebefolie geschwächt ist, wird die Halbleiterscheibe kontaktfrei durch das Trennmittel getrennt. Daher kann das Halbleiterscheibentrennverfahren des ersten Gesichtspunkts der vorliegenden Erfindung geeignet ausgeführt werden.
  • Das Trennmittel trennt die Halbleiterscheibe von der doppelseitigen Klebefolie, während die Halbleiterscheibe kontaktfrei durch einen Differenzdruck, der in einem Spalt zwischen dem Trennmittel und der Fläche der Halbleiterscheibe durch Ausstoßen von Gas zur Rückseite der Halbleiterscheibe erzeugt wird, in einer Suspension gehalten wird.
  • Um die zuvor genannte Aufgabe zu erfüllen, wendet die vorliegende Erfindung auch folgende Ausgestaltung an:
    Einen Apparat zum Trennen einer Halbleiterscheibe, die über eine doppelseitige Klebefolie mit einem Trägerelement verbunden ist, deren Klebfestigkeit durch Kühlen von der doppelseitigen Klebefolie geschwächt wird, wobei der Apparat umfasst:
    ein Haltemittel zum Halten des Trägerelements;
    ein Kühlmittel zum Kühlen der doppelseitigen Klebefolie, die mit dem Trägerelement verbunden ist; und
    ein Trennmittel zum kontaktfreien Trennen der Halbleiterscheibe von der doppelseitigen Klebefolie, deren Klebfestigkeit durch Kühlen geschwächt wird.
  • In dem erfindungsgemäßen Halbleiterscheibentrennapparat wird in einem Zustand, in dem die Trägerelementseite von dem Haltemittel gehalten wird, die doppelseitige Klebefolie durch das Kühlmittel gekühlt. In einem Zustand, in dem die Klebfestigkeit der gekühlten doppelseitigen Klebefolie geschwächt ist, wird die Halbleiterscheibe kontaktfrei durch das Trennmittel getrennt. Daher kann das Trennverfahren des ersten Gesichtspunkts der vorliegenden Erfindung geeignet ausgeführt werden.
  • Das Trennmittel trennt die Halbleiterscheibe von der doppelseitigen Klebefolie, während die Halbleiterscheibe kontaktfrei durch einen Differenzdruck, der in einem Spalt zwischen dem Trennmittel und der Rückseite der Halbleiterscheibe durch Ausstoßen von Gas zur Rückseite der Halbleiterscheibe erzeugt wird, in einer Suspension gehalten wird.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Zur Veranschaulichung der Erfindung sind in den Zeichnungen verschiedene Formen gezeigt, die gegenwärtig bevorzugt werden, wobei jedoch verstanden werden muss, dass die Erfindung nicht auf die genaue Anordnung und die Hilfsmittel beschränkt ist, die gezeigt sind.
  • 1 ist eine Seitenansicht eines Werkstücks, das durch Verbinden eines Trägerelements mit einer Halbleiterscheibe erhalten wird;
  • 2A und 2B sind Seitenansichten, die jeweils einen Trennprozess darstellen, der von einem Trennmittel einer ersten Ausführungsform ausgeführt wird; und
  • 3A und 3B sind Seitenansichten, die jeweils einen Trennprozess darstellen, der von einem anderen Trennmittel ausgeführt wird.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 zeigt ein Werkstück W, das durch Verbinden eines Trägerelements 2, das die Form einer Glasplatte annimmt, mit einer Vorrichtungsbildungsfläche (Oberfläche) einer Halbleiterscheibe 1 über eine doppelseitige Klebefolie 3 erhalten wird. In einem Zustand, in dem die Rückseite der Halbleiterscheibe 1 durch das Trägerelement 2 rückverstärkt ist, wird die Rückseite der Halbleiterscheibe 1 in einem Rückseitenschleifprozess auf eine gewünschte Stärke geschliffen. Danach wird die Halbleiterscheibe 1, die dünn geschliffen wurde, von der doppelseitigen Klebefolie 3 getrennt und dem nachfolgenden Prozess unterzogen.
  • Die doppelseitige Klebefolie 3 wird gebildet, indem Klebstoffschichten 3b und 3c vorgesehen werden, die eine Erwärmungstrennbarkeit aufweisen, und die bei Erwärmung schäumen und sich ausdehnen und die die Klebfestigkeit an beiden Seiten eines Foliengrundmaterials 3a verlieren. Die Klebstoffschichten 3b und 3c weisen unterschiedliche Erwärmungstrenncharakteristiken auf solche Weise auf, dass die Klebfestigkeit der Klebstoffschicht 3b zum Halten der Halbleiterscheibe 1 durch Klebkraft bei ungefähr 70°C fast verschwindet und die der Klebstoffschicht 3c zum Halten des Trägerelements durch Klebkraft bei ungefähr 120°C fast verschwindet.
  • Ein Prozess zum Trennen der Halbleiterscheibe 1 von dem Werkstück W, das dem Rückseitenschleifprozess unterzogen wird, wird nun mit Bezug auf 2A und 2B beschrieben.
  • Wie in 2A gezeigt, wird zuerst das Werkstück W auf eine Ansaugträgerstufe 4 in solch eine Stellung geladen, dass die Rückseite der Halbleiterscheibe 1 nach oben zeigt und durch Ansaugen auf der Oberseite der Ansaugträgerstufe 4 über einen Ansaugträgerteil 4a von der Oberflächenseite des Trägerelements 2 durch Ansaugen gehalten wird. Ein Bernoulli-Chuck 5 ist über der Ansaugträgerstufe 4 angeordnet, so dass sie in senkrechter und waagerechter Richtung über Antriebsmittel (nicht gezeigt) beweglich ist.
  • Der Bernoulli-Chuck 5 stößt Gas zum Werkstück W hin aus, so dass ein Differenzdruck von dem atmosphärischen Druck in einem Spalt zwischen dem Bernoulli-Chuck 5 und der Fläche der Halbleiterscheibe 1 durch Erzeugung eines negativen Drucks durch den Ejektoreffekt und den Bernoulli-Effekt und die Erzeugung eines positiven Drucks durch einen Luftkisseneffekt erzeugt wird, wodurch ermöglicht wird, dass ein Objekt unterhalb der Unterseite des Bernoulli-Chucks 5 positioniert wird, um in einem Zustand gehalten zu werden, in dem das Objekt in der Luft schwebt. Folglich wird der Bernoulli-Chuck 5 verwendet, um ein Objekt kontaktfrei in einer Suspension zu halten oder zu tragen.
  • Die Ansaugträgerstufe 4 weist eine Heizvorrichtung 6 auf und das Werkstück W wird auf eine Temperatur erwärmt, bei der die Klebstoffschicht 3b an einer Niedertemperaturseite ihre Klebfestigkeit verliert. Der Bernoulli-Chuck 5 wird auf eine Höhe abgesenkt mit einem vorbestimmten kleinen Intervall zur Oberseite des Werkstücks W, das heißt, die Rückseite zeigt nach oben zur Halbleiterscheibe 1 und durch die Gasausstoßoperation wird eine kontaktfreie Suspension ausgeführt. Das kleine Intervall wird ordnungsgemäß geändert und gemäß der Form und dem Gewicht nach dem Schleifen der Halbleiterscheibe 1 und der Suspensionshaltefähigkeit des Bernoulli-Chucks 5 bestimmt. Im Falle dieser Ausführungsform wird das kleine Intervall beispielsweise in einem Bereich von 0,1 bis 1,0 mm eingestellt.
  • Wenn die Klebfestigkeit der Klebstoffschicht 3b aufgrund von Erwärmung verschwindet, erfährt die Halbleiterscheibe 1 die Ansaugkraft des Bernoulli-Chucks 5, wird von der doppelseitigen Klebefolie 3 getrennt und, wie in 2B gezeigt, mit dem kleinen Intervall von der Unterseite des Bernoulli-Chucks 5 kontaktlos in einer Suspension gehalten. Zu diesem Zeitpunkt veranlasst der Bernoulli-Chuck 5, dass der positive und der negative Druck wirken, um die Halbleiterscheibe 1 in einer Suspension zu halten, wodurch die Verformungsspannung, die auf die Halbleiterscheibe 1 zur Zeit des Schleifens wirkt, zu korrigieren. Das heißt, die Verformungsspannung auf die Halbleiterscheibe 1 kann verteilt werden, so dass sie verschwindet. Durch Bewegen des Bernoulli-Chucks 5 während der Zustand beibehalten wird, wird die Halbleiterscheibe 1 zu einer gewünschten Position transportiert.
  • Mit dieser Ausgestaltung kann die Halbleiterscheibe 1 kontaktfrei in dem Zustand getrennt werden, in dem die Klebfestigkeit der doppelseitigen Klebefolie 3, die das Trägerelement 2 mit der Halbleiterscheibe 1 verbindet, fast verschwunden ist. Da eine kleine Trennspannung, die so wirkt, dass sie an die Umgebung der Halbleiterscheibe 1 abgegeben wird, dazu neigt, zur Mitte der Halbleiterscheibe 1 zu wirken, wird die Halbleiterscheibe 1 von der äußeren Endseite der doppelseitigen Klebefolie zur Mitte hin getrennt. Folglich kann die Spannung, die durch das Trennen der Halbleiterscheibe 1 verursacht wird, vermindert werden und die Halbleiterscheibe 1 kann glatt ohne Spannung getrennt werden, während eine Verformung und das Brechen der Halbleiterscheibe 1 verhindert wird.
  • Indem Gas unter Verwendung des Bernoulli-Chucks 5 zum Werkstück W hin ausgestoßen wird, wird der Differenzdruck von dem atmosphärischen Druck in dem Spalt zwischen dem Bernoulli-Chuck 5 und der Fläche der Halbleiterscheibe 1 durch Erzeugung eines negativen Drucks aufgrund des Ejektoreffekts und des Bernoulli-Effekts und durch die Erzeugung eines positiven Drucks aufgrund des Luftkisseneffekts erzeugt. Folglich kann, wenn ein Objekt, das unterhalb der Unterseite des Bernoulli-Chucks 5 positioniert ist, in einem Zustand in einer Suspension gehalten wird, in dem das Objekt in der Luft schwebt, das Objekt in einem Zustand transportiert werden, in dem die Verformungsspannung, die erzeugt wird, wenn die Halbleiterscheibe 1 geschliffen wird, korrigiert wird, so dass sie verschwindet. Folglich kann ein Problem, wie beispielsweise, wenn die Halbleiterscheibe 1 in eine Kassette oder Ähnliches geladen wird, ein Endabschnitt der Halbleiterscheibe 1 in Kontakt mit der Kassette kommt und aufgrund einer Verformung oder Ähnlichem beschädigt wird, ebenfalls vermieden werden.
  • Zweites Beispiel (zeigt die Erfindung nicht)
  • In der ersten Ausführungsform muss, da die Vorrichtungsbildungsfläche der getrennten Halbleiterscheibe 1 nach unten zeigt, die Halbleiterscheibe 1 umgedreht werden, bevor sie auf einen Prozessor des nachfolgenden Prozesses geladen wird. In dem nachfolgend beschriebenen Trennmittel ist der Umdrehprozess nicht notwendig.
  • Wie in 3A gezeigt, wird das Werkstück W im Trennmittel zuerst unterhalb der Ansaugträgerstufe 4 in solch eine Stellung geladen, dass die Rückseite der Halbleiterscheibe 1 nach unten zeigt und von der Oberflächenseite des Trägerelements 2 über die Ansaugträgerstufe 4a von der Unterseite der Ansaugträgerstufe 4 durch Ansaugen gehalten wird. Ein Roboterarm 7 als Transportarm, der an seiner Oberseite Ansauglöcher aufweist, ist unterhalb der Unterseite des Werkstücks W angeordnet, das von der Ansaugträgerstufe 4 durch Ansaugen gehalten wird, wobei die Rückseite an der Halbleiterscheibe 1 mit einem vorbestimmten kleinen Intervall nach unten zeigt.
  • Danach wird das Werkstück W von der Heizvorrichtung 6, die in der Ansaugträgerstufe 4 vorgesehen ist, erwärmt. Wenn die Klebfestigkeit der Klebstoffschicht 3b aufgrund des Erwärmens fast verschwindet, wie in 3B gezeigt, wird die Halbleiterscheibe 1 getrennt und von der doppelseitigen Klebstoffschicht 3 durch die Totlast und die Saugkraft des Roboterarms 7 fallen gelassen und von dem Roboterarm 7 aufgenommen und gehalten.
  • Da die Vorrichtungsbildungsfläche der Halbleiterscheibe 1, die von dem Roboterarm aufgenommen und durch Ansaugen von dem Roboterarm 7 gehalten wird, nach oben zeigt, kann durch Bewegen des Roboterarms 7 die Halbleiterscheibe 1 in der Stellung in den nächsten Prozessor, ein Gehäuseelement oder Ähnliches geladen werden.
  • Mit dieser Ausgestaltung kann die Halbleiterscheibe 1 kontaktfrei in dem Zustand getrennt werden, in dem die Klebfestigkeit der doppelseitigen Klebefolie 3, die das Trägerelement 3 mit der die Halbleiterscheibe 1 verbindet, fast verschwunden ist. Da eine kleine Trennspannung, die so wirkt, dass sie an die Umgebung der Halbleiterscheibe 1 abgegeben wird, dazu neigt, zur Mitte der Halbleiterscheibe 1 zu wirken, wird zu diesem Zeitpunkt die Halbleiterscheibe 1 von der äußeren Endseite der doppelseitigen Klebefolie zur Mitte hin getrennt. Folglich kann die Spannung, die durch das Trennen der Halbleiterscheibe 1 verursacht wird, vermindert werden und die Halbleiterscheibe 1 kann glatt ohne Spannung getrennt werden, während eine Verformung und das Brechen der Halbleiterscheibe 1 verhindert wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist auf die zuvor genannte Ausführungsform nicht beschränkt, sondern kann auch wie folgt abgewandelt werden.
    • (1) In jedem der zuvor genannten Beispiele weist die Halbleiterscheibe 1 die Erwärmungstrennbarkeit auf und wird geschäumt und ausgedehnt, wenn die Klebstoffschichten 3a und 3b in der doppelseitigen Klebefolie 3 erwärmt werden, so dass sie ihre Klebfestigkeit verlieren. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Form beschränkt. Es ist ausreichend, dass die Zeitpunkte, zu denen die Klebstoffschichten ihre Klebfestigkeit verlieren, unterschiedlich sind.
  • Beispielsweise ist es ausreichend, die Klebstoffschicht 3c auf der Trägerelementseite zu verwenden, deren Klebfestigkeit vermindert wird, indem die Klebstoffschicht 3c durch Bestrahlung mit einem ultravioletten Strahl gehärtet wird, und die Klebstoffschicht 3c mit einer Klebstoffschicht zu kombinieren, die einen anderen Zustand des Verlierens der Klebfestigkeit aufweist. Alternativ können auch ultraviolett-gehärtete Klebstoffschichten 3b und 3c verwendet werden. In diesem Fall ist es ausreichend, ultraviolett-gehärtete Klebstoffschichten zu kombinieren, so dass ihre Klebfestigkeiten bei unterschiedlichen Wellenlängen verloren gehen. Außerdem können die Klebfestigkeiten der Klebstoffschichten 3b und 3c durch Kühlen verloren gehen. In diesem Fall ist es ausreichend, Temperaturen herzustellen, bei denen die Klebfestigkeiten der Klebstoffschichten 3b und 3c verloren gehen, die unterschiedlich voneinander sind.
  • Für den Fall, dass die doppelseitigen Klebefolien verwendet werden, deren Klebfestigkeiten durch Kühlen verloren gehen, ist es ausreichend, einen Apparat wie folgt zu bauen.
  • In dem Fall der Verwendung des Apparats des ersten oder zweiten Beispiels wird beispielsweise als erste Form anstelle der Heizvorrichtung 6, die in der Ansaugträgerstufe 4 vorgesehen ist, ein Kühlmedium in der Ansaugträgerstufe zum Zirkulieren gebracht. Als zweite Form ist es ausreichend, kalten Wind zum Werkstück W zu blasen, das auf der Ansaugträgerstufe 4 gehalten wird.
    • (2) Obgleich die Halbleiterscheibe 1 getrennt wird, während die Rückseite der Halbleiterscheibe 1 durch den Roboterarm 7 in dem zweiten Beispiel getrennt wird, kann das Ansaugen gestoppt werden, und die Halbleiterscheibe, die durch die Totlast fallen gelassen wird, kann aufgenommen werden.
    • (3) Obgleich die Halbleiterscheibe 1 vollständig von der doppelseitigen Klebefolie 3 in jedem der vorher genannten Beispiele getrennt wird, können auch folgende Formen angewendet werden. In einem Zustand, in dem die Klebstoffschicht 3b und das Foliengrundmaterial 3a der doppelseitigen Klebefolie auf der Oberflächenseite der Halbleiterscheibe 1 belassen werden und die Klebstoffschicht 3c des Trägerelements 2 zurückgelassen wird, kann die Halbleiterscheibe 1 getrennt werden. In diesem Fall kann die Klebefolie, die auf der Halbleiterscheibe 1 verbleibt, als Oberflächenschutzfolie dienen.
  • In dem Fall, in dem die Klebefolie als Oberflächenschutzfolie, wie zuvor beschrieben, belassen wird, wird die Oberflächenschutzfolie unter Verwendung eines Oberflächenschutzfolien-Trennmechanismus' getrennt.
  • In diesem Fall wird eine Trennfolie mit der Oberfläche der Klebefolie über eine Trennleiste, eine Trennrolle oder Ähnliches verbunden, danach kann die Klebefolie, die ein Stück mit der Trennfolie bildet, von der Oberfläche der Halbleiterscheibe 1 getrennt werden. Somit kann die Klebefolie wirksam von der Oberfläche der Halbleiterscheibe 1 in einem Zustand getrennt werden, in dem unnötige Rückstände fast beseitigt werden.

Claims (6)

  1. Verfahren zum Trennen einer Halbleiterscheibe (1), die über eine doppelseitige Klebefolie (3) von der doppelseitigen Klebefolie (3) mit einem Trägerelement (2) verbunden ist, wobei das Verfahren umfasst: einen ersten Schritt des Schwächens der Klebfestigkeit der doppelseitigen Klebefolie (3) zum Verbinden der Halbleiterscheibe (1) und des Trägerelements (2) miteinander; und einen zweiten Schritt des Trennens der Halbleiterscheibe (1) von der doppelseitigen Klebefolie (3), während die Klebfestigkeit der doppelseitigen Klebefolie (3) durch ein Trennmittel (5) geschwächt wird, dadurch gekennzeichnet, dass in dem zweiten Schritt die Halbleiterscheibe (1) von der doppelseitigen Klebefolie (3) getrennt wird, während die Halbleiterscheibe (1) kontaktfrei durch einen Differenzdruck, der in einem Spalt zwischen dem Trennmittel (5) und der Rückseite der Halbleiterscheibe (1) durch Ausstoßen von Gas von dem Trennmittel (5) zur Rückseite der Halbleiterscheibe (1) erzeugt wird, in einer Suspension gehalten wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem im ersten Schritt das Trägerelement in solcher Stellung gehalten wird, dass die Fläche des Trägerelements nach unten zeigt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Klebfestigkeit der doppelseitigen Klebefolie (3) durch Erwärmen oder Kühlen geschwächt wird und in dem ersten Schritt die doppelseitige Klebefolie (3) erwärmt oder gekühlt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die doppelseitige Klebefolie (3) durch Bilden einer Klebefolie (3b, 3c) erhalten wird, die eine Erwärmungstrennbarkeit aufweist, und die bei Erwärmung geschäumt und ausgedehnt wird, und die die Klebfestigkeit an mindestens einer der Flächen eines Schichtträgermaterials (3a) verliert und in dem ersten Schritt die doppelseitige Klebefolie (3) erwärmt wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die doppelseitige Klebefolie (3) durch Sandwich-Bildung des Foliengrundmaterials (3a) durch ultraviolett-gehärtete Klebefolien (3b, 3c) gebildet wird, so dass die Klebefolien (3b, 3c) ihre Klebfestigkeit bei unterschiedlichen Wellenlängen verlieren und in dem ersten Schritt die doppelseitige Klebefolie (3) mit einer ultravioletten Strahlung bestrahlt wird.
  6. Apparat zum Trennen einer Halbleiterscheibe (1), die über eine doppelseitige Klebefolie (3) mit einem Trägerelement (2) verbunden ist, deren Klebfestigkeit durch Erwärmen oder Kühlen der doppelseitigen Klebefolie (3) geschwächt wird, wobei der Apparat umfasst: ein Haltemittel (4) zum Halten des Trägerelements (2); ein Erwärmungs- oder Kühlmittel (6) zum Erwärmen oder Kühlen der doppelseitigen Klebefolie (3), die mit dem Trägerelement (2) verbunden ist; und ein Trennmittel (5) zum Trennen der Halbleiterscheibe (1) von der doppelseitigen Klebefolie (3), deren Klebfestigkeit durch Erwärmen oder Kühlen geschwächt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Trennmittel (5) die Halbleiterscheibe (1) von der doppelseitigen Klebefolie (3) trennt, während die Halbleiterscheibe kontaktfrei durch einen Differenzdruck, der in einem Spalt zwischen dem Trennmittel (5) und der Rückseite der Halbleiterscheibe (1) durch Ausstoßen von Gas zur Rückseite der Halbleiterscheibe (1) erzeugt wird, in einer Suspension gehalten wird.
DE602004009259T 2003-10-06 2004-09-09 Verfahren zum trennen einer halbleiterscheibe und trennapparat, der das verfahren anwendet Expired - Fee Related DE602004009259T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003347059 2003-10-06
JP2003347059A JP4130167B2 (ja) 2003-10-06 2003-10-06 半導体ウエハの剥離方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602004009259D1 DE602004009259D1 (de) 2007-11-15
DE602004009259T2 true DE602004009259T2 (de) 2008-07-10

Family

ID=34309180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004009259T Expired - Fee Related DE602004009259T2 (de) 2003-10-06 2004-09-09 Verfahren zum trennen einer halbleiterscheibe und trennapparat, der das verfahren anwendet

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7384811B2 (de)
EP (2) EP1523030B1 (de)
JP (1) JP4130167B2 (de)
KR (1) KR101165094B1 (de)
CN (1) CN100466189C (de)
AT (1) ATE375003T1 (de)
DE (1) DE602004009259T2 (de)
TW (1) TWI286352B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020003736A1 (de) 2020-06-22 2021-12-23 Mycon Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum bauteilschonenden Trennen von Klebverbindungen

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI271815B (en) * 2004-11-30 2007-01-21 Sanyo Electric Co Method for processing stuck object and electrostatic sticking method
JP4401322B2 (ja) * 2005-04-18 2010-01-20 日東電工株式会社 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法
JP4885483B2 (ja) * 2005-06-06 2012-02-29 リンテック株式会社 転写装置とその方法、剥離装置とその方法、貼付装置とその方法
JP4746003B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
JP4826593B2 (ja) * 2008-03-11 2011-11-30 Ｔｄｋ株式会社 電子部品の製造方法
JP4844578B2 (ja) * 2008-03-11 2011-12-28 Ｔｄｋ株式会社 電子部品の製造方法
DE102008041250A1 (de) * 2008-08-13 2010-02-25 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Bearbeiten von Kunststoffscheiben, insbesondere Moldwafern
JP5203856B2 (ja) * 2008-08-28 2013-06-05 リンテック株式会社 シート剥離装置及び剥離方法
EP2419928A2 (de) 2009-04-16 2012-02-22 Süss Microtec Lithography GmbH Verbessertes gerät für provisorisches waferbonding und -debonding
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
NO20093232A1 (no) * 2009-10-28 2011-04-29 Dynatec Engineering As Anordning for waferhandtering
US9837295B2 (en) 2010-04-15 2017-12-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing
US9859141B2 (en) 2010-04-15 2018-01-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for aligning and centering wafers
JP2012109538A (ja) * 2010-10-29 2012-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体、およびその積層体の分離方法
JP5802106B2 (ja) 2010-11-15 2015-10-28 東京応化工業株式会社 積層体、および分離方法
CN102543662B (zh) * 2010-12-30 2016-02-03 上海微电子装备有限公司 热盘及应用其的硅片加热系统
JP5323867B2 (ja) * 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2012140987A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム及び剥離方法
JP5149977B2 (ja) * 2011-04-15 2013-02-20 リンテック株式会社 半導体ウエハの処理方法
JP2013004845A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Tokyo Electron Ltd 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5685554B2 (ja) * 2012-01-17 2015-03-18 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
JP2014044974A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6358564B2 (ja) 2012-11-30 2018-07-18 株式会社ニコン 搬送システム、露光装置、搬送方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに吸引装置
KR102046534B1 (ko) 2013-01-25 2019-11-19 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
US9349645B2 (en) * 2013-10-16 2016-05-24 Nxp B.V. Apparatus, device and method for wafer dicing
KR102112905B1 (ko) 2014-06-27 2020-05-19 에리히 탈너 제1 기판을 제거하기 위한 샘플 홀더, 장치 및 방법
CN104760400B (zh) * 2015-04-03 2017-01-18 合肥京东方光电科技有限公司 拆解装置
KR102313768B1 (ko) * 2015-05-06 2021-10-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 양면 테이프 및 이를 이용한 발광소자 제조방법
US20170140971A1 (en) * 2015-11-14 2017-05-18 Nachiket R. Raravikar Adhesive with tunable adhesion for handling ultra-thin wafer
CN106920759B (zh) * 2015-12-28 2020-04-24 上海新微技术研发中心有限公司 一种芯片保护壳去除方法及装置
JP6427131B2 (ja) 2016-03-18 2018-11-21 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
KR102437535B1 (ko) * 2016-11-15 2022-08-30 코닝 인코포레이티드 기판을 처리하는 방법
JP7088942B2 (ja) * 2017-09-12 2022-06-21 日本碍子株式会社 チップ部品の製造方法
KR102505213B1 (ko) * 2017-12-08 2023-03-03 삼성전자주식회사 분리용 전자 장치 및 이의 공정 방법
KR20210141155A (ko) * 2020-05-15 2021-11-23 삼성전자주식회사 기판 디본딩 장치

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60216567A (ja) * 1985-03-11 1985-10-30 Hitachi Ltd ウエハの切削装置
JPH0369112A (ja) * 1989-08-08 1991-03-25 Fujitsu Ltd ホットプレートオーブン
US5169196A (en) * 1991-06-17 1992-12-08 Safabakhsh Ali R Non-contact pick-up head
KR0129119B1 (ko) * 1992-11-27 1998-04-07 모리시다 요이찌 반도체칩의 제거방법 및 제거장치
KR0144164B1 (ko) * 1995-05-12 1998-07-01 문정환 엘오씨 반도체 패키지 및 반도체 장치를 패키징하는 방법
KR100304161B1 (ko) * 1996-12-18 2001-11-30 미다라이 후지오 반도체부재의제조방법
US6017776A (en) * 1997-04-29 2000-01-25 Micron Technology, Inc. Method of attaching a leadframe to singulated semiconductor dice
KR100278137B1 (ko) * 1997-09-04 2001-01-15 가나이 쓰도무 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법
JP2000036501A (ja) * 1998-05-12 2000-02-02 Sharp Corp ダイボンド装置
JP3816253B2 (ja) * 1999-01-19 2006-08-30 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP4275254B2 (ja) 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP3597754B2 (ja) * 2000-04-24 2004-12-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4456234B2 (ja) * 2000-07-04 2010-04-28 パナソニック株式会社 バンプ形成方法
US6319754B1 (en) * 2000-07-10 2001-11-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-dicing process
JP3906962B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
DE10048881A1 (de) * 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
JP3748375B2 (ja) * 2000-11-24 2006-02-22 シャープ株式会社 半導体チップのピックアップ装置
JP2002237515A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法
JP4482243B2 (ja) * 2001-03-13 2010-06-16 株式会社新川 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP3800977B2 (ja) * 2001-04-11 2006-07-26 株式会社日立製作所 Ｚｎ−Ａｌ系はんだを用いた製品
DE10128923A1 (de) * 2001-06-15 2003-01-23 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
JP4266106B2 (ja) * 2001-09-27 2009-05-20 株式会社東芝 粘着性テープの剥離装置、粘着性テープの剥離方法、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップのピックアップ方法及び半導体装置の製造方法
US7332819B2 (en) * 2002-01-09 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Stacked die in die BGA package
DE10212420A1 (de) * 2002-03-21 2003-10-16 Erich Thallner Einrichtung zur Aufnahme eines Wafers
US6861321B2 (en) * 2002-04-05 2005-03-01 Asm America, Inc. Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock
JP3831287B2 (ja) * 2002-04-08 2006-10-11 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP3704113B2 (ja) * 2002-09-26 2005-10-05 住友大阪セメント株式会社 ボンディングステージ及び電子部品実装装置
KR100480628B1 (ko) * 2002-11-11 2005-03-31 삼성전자주식회사 에어 블로잉을 이용한 칩 픽업 방법 및 장치
US20050056946A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Cookson Electronics, Inc. Electrical circuit assembly with improved shock resistance

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020003736A1 (de) 2020-06-22 2021-12-23 Mycon Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum bauteilschonenden Trennen von Klebverbindungen

Also Published As

Publication number Publication date
EP1523030A3 (de) 2005-08-31
US7384811B2 (en) 2008-06-10
TW200520083A (en) 2005-06-16
US20050074952A1 (en) 2005-04-07
KR20050033440A (ko) 2005-04-12
CN100466189C (zh) 2009-03-04
CN1606134A (zh) 2005-04-13
EP1523030A2 (de) 2005-04-13
DE602004009259D1 (de) 2007-11-15
EP1523030B1 (de) 2007-10-03
KR101165094B1 (ko) 2012-07-12
TWI286352B (en) 2007-09-01
JP2005116678A (ja) 2005-04-28
ATE375003T1 (de) 2007-10-15
JP4130167B2 (ja) 2008-08-06
EP1793415A1 (de) 2007-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004009259T2 (de) Verfahren zum trennen einer halbleiterscheibe und trennapparat, der das verfahren anwendet
DE19957111B4 (de) Halbleitervorrichtung mit flacher Schutzklebstofffolie und Herstellungsverfahren dafür
DE69836398T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Zerteilen eines Wafers und zum Trennen von Bauelementen
DE60214226T3 (de) Verfahren zur herstellung von folienstrukturen
DE102005010377B4 (de) Waferbearbeitungs-Verfahren
EP2382656B1 (de) Trennverfahren für ein schichtsystem umfassend einen wafer
DE112011102435B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Zusammenbonden von zwei Wafern durch Molekularadhäsion
DE10139092B4 (de) Halbleiterchip-Aufnahmeverfahren
DE102011002546B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer mehrschichtigen Struktur mit Trimmen nach dem Schleifen
DE102006035031B9 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers
US20050032332A1 (en) Method for separating semiconductor wafer from supporting member, and apparatus using the same
DE69218107T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen von Abziehbildern
US6700639B2 (en) Liquid crystal display apparatus and production method
DE60033747T2 (de) Verfahren zum Ablösen eines Gegenstandes und Vorrichtung dafür
DE1752331B2 (de) Verfahren zum zerteilen eines halbleiterplaettchens
DE10312662A1 (de) Halbleitereinrichtungsherstellungsanordnung und Halbleitereinrichtungsherstellungsverfahren zum Bilden von Halbleiterchips durch Teilen von Halbleiterwafern
DE19805146A1 (de) Verfahren zur Chipherstellung und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung
DE102012101237A1 (de) Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat
DE102019208258A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
WO2010018125A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum thermischen bearbeiten von kunststoffscheiben, insbesondere moldwafern
DE69936057T2 (de) Verfahren und anordnung zur herstellung von höckern
DE60210910T2 (de) Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe, in dem ein laminiertes Substrat als Stütze für diese Scheibe verwendet wird
DE1704624A1 (de) Verfahren zur Herstellung durchsichtiger Schichtenkoerper
DE102022211012A1 (de) Bearbeitungsvorrichtung
US6099675A (en) Resist removing method

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee