WO2012026262A1 - 剥離システム、剥離方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

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WO2012026262A1
WO2012026262A1 PCT/JP2011/066941 JP2011066941W WO2012026262A1 WO 2012026262 A1 WO2012026262 A1 WO 2012026262A1 JP 2011066941 W JP2011066941 W JP 2011066941W WO 2012026262 A1 WO2012026262 A1 WO 2012026262A1
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processed
peeling
cleaning
wafer
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修 平河
直人 吉高
正隆 松永
典彦 岡本
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a peeling system for peeling a polymerization substrate from a substrate to be processed and a support substrate, a peeling method using the peeling system, and a computer storage medium.
  • the diameter of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) has been increased. Further, in a specific process such as mounting, it is required to make the wafer thinner. For example, if a thin wafer with a large diameter is transported or polished as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, for example, in order to reinforce the wafer, the wafer is attached to, for example, a wafer that is a support substrate or a glass substrate. Then, after a predetermined process such as a wafer polishing process is performed in a state where the wafer and the support substrate are bonded in this way, the wafer and the support substrate are peeled off.
  • a predetermined process such as a wafer polishing process is performed in a state where the wafer and the support substrate are bonded in this way, the wafer and the support substrate are peeled off.
  • the wafer and the support substrate are peeled off using, for example, a peeling device.
  • the peeling apparatus includes, for example, a first holder that holds a wafer, a second holder that holds a support substrate, and a nozzle that ejects liquid between the wafer and the support substrate.
  • the liquid is applied between the wafer bonded from the nozzle and the support substrate with an injection pressure larger than the bonding strength between the wafer and the support substrate, preferably at least twice as large as the bonding strength.
  • the wafer and the support substrate are peeled off by spraying (Patent Document 1).
  • the wafer and the support substrate are peeled off after the wafer and the support substrate are peeled off as described above, and then the wafer bonding surface and the support substrate bonding surface are respectively cleaned.
  • Patent Document 1 when the peeling apparatus described in Patent Document 1 is used, it is necessary to clean the wafer and the support substrate with separate apparatuses, but it has not been considered at all to efficiently perform such a series of peeling processes. . For this reason, there was room for improvement in the throughput of the entire peeling process.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to efficiently perform a separation process between a substrate to be processed and a support substrate and improve the throughput of the separation process.
  • the present invention provides a peeling system for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive to the substrate to be processed and the support substrate. And a peeling processing station that performs a predetermined process on the superposed substrate, a carry-in / out station that carries in / out a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate with respect to the peeling processing station, the peeling processing station, and the carry-in / out station.
  • a first transport device that transports a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate, and the peeling processing station includes a peeling device that peels the superposed substrate from the target substrate and the support substrate, A first cleaning device that cleans the substrate to be processed peeled by the peeling device, a second cleaning device that cleans the support substrate peeled by the peeling device, the peeling device, and the first A second transfer device that transfers the substrate to be processed with the cleaning device, the second transfer device supporting a bonding surface on which the adhesive is attached to the substrate to be processed, and A support plate having a supply port for supplying a cleaning liquid to the bonding surface of the substrate, a holding member for holding a non-bonding surface to which no adhesive is attached, and the support plate and the holding member are supported. And a reversing mechanism for reversing the front and back surfaces of the substrate to be processed.
  • the first cleaning device cleans the peeled substrate to be processed, and in the second cleaning device.
  • the peeled support substrate can be washed.
  • a series of peeling processes from the peeling of the substrate to be processed and the support substrate to the cleaning of the substrate to be processed and the cleaning of the support substrate can be efficiently performed in one peeling system.
  • the cleaning of the substrate to be processed and the cleaning of the support substrate can be performed in parallel.
  • another substrate to be processed and a support substrate can be processed in the first cleaning device and the second cleaning device while the substrate to be processed and the support substrate are peeled in the peeling device. Therefore, it is possible to efficiently perform the separation process between the substrate to be processed and the support substrate and improve the throughput of the separation process.
  • the second transport device is used. That is, after the substrate to be processed is carried out from the peeling apparatus by the support plate, the substrate to be processed is supported by the support plate and the holding member, the front and back surfaces of the substrate to be processed are reversed, and the substrate to be processed is subjected to the first cleaning. Transport to equipment.
  • the cleaning liquid can be supplied from the supply port of the support plate to clean the bonding surface of the substrate to be processed and the support plate. Since the substrate to be processed can be cleaned by the second transfer device in this way, the cleaning time of the substrate to be processed in the first cleaning device thereafter can be shortened, and the throughput of the peeling process can be further improved.
  • the support plate can also be cleaned, the next substrate to be processed can be appropriately transported.
  • a separation processing station that performs predetermined processing on the substrate to be processed, the support substrate, and the polymerization substrate, a loading / unloading station that carries the substrate to be processed, the support substrate, or the polymerization substrate to / from the separation processing station, and the separation processing.
  • a first transfer device that transfers a substrate to be processed, a support substrate, or a superposed substrate between the station and the carry-in / out station, and the separation processing station converts the superposed substrate into the target substrate and the support substrate.
  • a peeling device that peels off, a first cleaning device that cleans a substrate that has been peeled off by the peeling device, and a second cleaning device that cleans a support substrate peeled off by the peeling device A second transfer device that transfers the substrate to be processed between the peeling device and the first cleaning device, and the second transfer device has an adhesive adhered to the substrate to be processed.
  • a support plate that supports the bonding surface and has a supply port for supplying a cleaning liquid to the bonding surface of the substrate to be processed; a holding member that holds a non-bonding surface to which the adhesive is not attached in the substrate to be processed;
  • a reversing mechanism for reversing the front and back surfaces of the substrate to be processed supported by the supporting plate and the holding member, and the separation method is a separation device for separating the superposed substrate from the substrate to be treated and the supporting substrate in the separation apparatus.
  • the substrate to be processed peeled off in the process is carried out from the peeling apparatus, and then supported by sandwiching the substrate to be processed by the support plate and the holding member, and the front and back surfaces of the substrate to be processed are reversed, and then the substrate to be processed
  • the substrate is transported to the first cleaning device, and in the first cleaning device, a cleaning liquid is supplied from a supply port of the support plate to clean the bonding surface of the substrate to be processed and the support plate.
  • a peeling system for executing a peeling method for peeling a polymerization substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive to the substrate to be processed and the support substrate.
  • a readable computer storage medium storing a program that operates on a computer of a control unit for controlling, the peeling system comprising: a peeling processing station that performs predetermined processing on a substrate to be processed, a support substrate, and a superposed substrate; A substrate to be processed, a support substrate or a polymerization substrate is transported between a loading / unloading station for loading / unloading a substrate to be processed, a support substrate or a polymerization substrate with respect to the separation processing station, and the separation processing station and the loading / unloading station. A first transfer device, and the peeling treatment station peels the superposed substrate into the substrate to be processed and the support substrate.
  • a peeling device a first cleaning device for cleaning the substrate to be processed peeled by the peeling device, a second cleaning device for cleaning the support substrate peeled by the peeling device, the peeling device and the first
  • a second transport device that transports the substrate to be processed between the first cleaning device and the second transport device, which supports the bonding surface to which the adhesive adheres on the substrate to be processed; and
  • a support plate having a supply port for supplying a cleaning liquid to the bonding surface of the substrate to be processed; a holding member for holding a non-bonding surface to which the adhesive is not attached in the substrate to be processed; and the support plate and the holding member.
  • a reversing mechanism for reversing the front and back surfaces of the substrate to be processed wherein the peeling method includes a peeling step of peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the supporting substrate in the peeling device;
  • the treatment peeled off in the peeling step by the transfer device A transport step of transporting the substrate from the peeling device to the first cleaning device; a first cleaning step of cleaning the substrate to be processed transported in the transport step in the first cleaning device; And a second cleaning step for cleaning the support substrate peeled off in the peeling step, and the transporting step uses the support plate to remove the substrate to be processed peeled off in the peeling step.
  • the cleaning liquid is supplied from the supply port of the support plate to clean the bonding surface of the substrate to be processed and the support plate.
  • the present invention it is possible to efficiently perform the separation process between the substrate to be processed and the support substrate, and to improve the throughput of the separation process.
  • FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a peeling system 1 according to the present embodiment.
  • a superposed wafer T as a superposed substrate in which a target wafer W as a target substrate and a support wafer S as a support substrate are bonded with an adhesive G is used as a target wafer W. And the support wafer S is peeled off.
  • a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as “bonding surface W J ”, and a surface opposite to the bonding surface W J is referred to as “non-bonding surface W N ”. That's it.
  • the support wafer S, the surface to be bonded to the wafer W through the adhesive G is referred to as "bonding surface S J", while the opposite side of the surface as the joint surface S J "non-bonding surface S N "
  • wafer W is a wafer as a product, a plurality of electronic circuits are formed, for example, joint surface W J.
  • the wafer W is, for example, non-bonding surface W N is polished, thin (e.g., thickness of 50 [mu] m) it is.
  • the support wafer S is a wafer having the same diameter as the wafer W to be processed and supporting the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.
  • the peeling system 1 includes cassettes C W , C S , and C T that can accommodate, for example, a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T, respectively.
  • the interface station 5 that transfers the wafer W to be processed to and from the station 4 is integrally connected.
  • the loading / unloading station 2 and the peeling treatment station 3 are arranged side by side in the X direction (vertical direction in FIG. 1).
  • a wafer transfer region 6 is formed between the carry-in / out station 2 and the peeling processing station 3.
  • the interface station 5 is arranged on the Y direction negative direction side (left direction side in FIG. 1) of the carry-in / out station 2, the peeling processing station 3, and the wafer transfer region 6.
  • the loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10.
  • a plurality of, for example, three cassette mounting plates 11 are provided on the cassette mounting table 10.
  • the cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the Y direction (left and right direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the peeling system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T .
  • the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T.
  • the number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined. Further, the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 are inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the superposed wafer T including the defective target wafer
  • the first transfer device 20 is disposed in the wafer transfer region 6.
  • the first transfer device 20 includes a transfer arm that can move around, for example, a vertical direction, a horizontal direction (Y direction, X direction), and a vertical axis.
  • the first transfer device 20 moves in the wafer transfer region 6 and can transfer the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T between the carry-in / out station 2 and the separation processing station 3.
  • the peeling processing station 3 has a peeling device 30 that peels the superposed wafer T into the processing target wafer W and the supporting wafer S.
  • a first cleaning device 31 that cleans the wafer to be processed W that has been peeled off is disposed on the negative side in the Y direction of the peeling device 30 (left side in FIG. 1).
  • a second transfer device 32 is provided between the peeling device 30 and the first cleaning device 31.
  • a second cleaning device 33 for cleaning the peeled support wafer S is arranged on the positive side in the Y direction of the peeling device 30 (right side in FIG. 1).
  • the first cleaning device 31, the second transport device 32, the peeling device 30, and the second cleaning device 33 are arranged in this order from the interface station 5 side in the peeling processing station 3.
  • the interface station 5 is provided with a third transfer device 41 that is movable on the transfer path 40 extending in the X direction.
  • the third transfer device 41 is also movable in the vertical direction and the vertical axis ( ⁇ direction), and can transfer the wafer W to be processed between the separation processing station 3 and the post-processing station 4.
  • predetermined post-processing is performed on the processing target wafer W peeled off at the peeling processing station 3.
  • predetermined post-processing for example, processing for mounting the processing target wafer W, processing for inspecting electrical characteristics of electronic circuits on the processing target wafer W, processing for dicing the processing target wafer W for each chip, and the like are performed. .
  • the peeling apparatus 30 includes a processing container 100 that can seal the inside.
  • a loading / unloading port (not shown) for the processing target wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T is formed on the side surface of the processing container 100, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.
  • a suction port 101 for sucking the atmosphere inside the processing container 100 is formed on the bottom surface of the processing container 100.
  • An intake pipe 103 communicating with a negative pressure generator 102 such as a vacuum pump is connected to the intake port 101.
  • a first holding unit 110 that holds the wafer W to be processed by suction on the lower surface and a second holding unit 111 that places and holds the support wafer S on the upper surface are provided.
  • the first holding unit 110 is provided above the second holding unit 111 and is disposed so as to face the second holding unit 111. That is, in the inside of the processing container 100, the peeling process is performed on the superposed wafer T in a state where the processing target wafer W is arranged on the upper side and the supporting wafer S is arranged on the lower side.
  • a porous chuck is used for the first holding unit 110.
  • the first holding part 110 has a plate-like main body part 120.
  • a porous body 121 is provided on the lower surface side of the main body 120.
  • the porous body 121 has, for example, substantially the same diameter as the wafer to be processed W, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer to be processed W.
  • silicon carbide is used as the porous body 121.
  • a suction space 122 is formed inside the main body 120 and above the porous body 121.
  • the suction space 122 is formed so as to cover the porous body 121, for example.
  • a suction tube 123 is connected to the suction space 122.
  • the suction pipe 123 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump. Then, the non-joint surface W N of the processing target wafer is sucked from the suction pipe 123 through the suction space 122 and the porous body 121, and the processing target wafer W is sucked and held by the first holding unit 110.
  • a heating mechanism 124 for heating the wafer W to be processed is provided inside the main body 120 and above the suction space 122.
  • a heating mechanism 124 for example, a heater is used.
  • a support plate 130 that supports the first holding unit 110 is provided on the upper surface of the first holding unit 110.
  • the support plate 130 is supported on the ceiling surface of the processing container 100. Note that the support plate 130 of the present embodiment may be omitted, and the first holding unit 110 may be supported in contact with the ceiling surface of the processing container 100.
  • a suction tube 140 for sucking and holding the support wafer S is provided inside the second holding unit 111.
  • the suction tube 140 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump.
  • a heating mechanism 141 for heating the support wafer S is provided inside the second holding unit 111.
  • a heater is used for the heating mechanism 141.
  • the moving mechanism 150 that moves the second holding unit 111 and the supporting wafer S in the vertical direction and the horizontal direction is provided below the second holding unit 111.
  • the moving mechanism 150 includes a vertical moving unit 151 that moves the second holding unit 111 in the vertical direction and a horizontal moving unit 152 that moves the second holding unit 111 in the horizontal direction.
  • the vertical moving unit 151 includes a support plate 160 that supports the lower surface of the second holding unit 111, a drive unit 161 that moves the support plate 160 up and down, and a support member 162 that supports the support plate 160.
  • the drive unit 161 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw.
  • the support member 162 is configured to be extendable in the vertical direction, and is provided at, for example, three locations between the support plate 160 and a support body 171 described later.
  • the horizontal moving unit 152 includes a rail 170 extending along the X direction (left and right direction in FIG. 3), a support 171 attached to the rail 170, and a drive unit 172 that moves the support 171 along the rail 170.
  • the drive unit 172 includes, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw.
  • the raising / lowering pin (not shown) for supporting and raising / lowering the superposition
  • the elevating pin is inserted through a through hole (not shown) formed in the second holding part 111 and can protrude from the upper surface of the second holding part 111.
  • the first cleaning device 31 has a processing container 180 that can be sealed inside.
  • a loading / unloading port (not shown) for the processing target wafer W is formed on the side surface of the processing container 180, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.
  • a porous chuck 190 that holds and rotates the wafer W to be processed is provided at the center of the processing container 180.
  • the porous chuck 190 has a flat plate-shaped main body 191 and a porous body 192 provided on the upper surface side of the main body 191.
  • the porous body 192 has, for example, substantially the same diameter as the wafer W to be processed, and is in contact with the non-joint surface W N of the wafer W to be processed.
  • silicon carbide is used as the porous body 192.
  • a suction tube (not shown) is connected to the porous body 192, and the non-bonded surface W N of the wafer to be processed W is sucked from the suction tube through the porous body 192, thereby It can be sucked and held on the porous chuck 190.
  • a chuck driving unit 193 provided with a motor or the like is provided below the porous chuck 190.
  • the porous chuck 190 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 193.
  • the chuck driving unit 193 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, for example, and the porous chuck 190 is movable up and down.
  • a cup 194 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W to be processed.
  • a discharge pipe 195 for discharging the collected liquid
  • an exhaust pipe 196 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 194.
  • a rail 200 extending along the Y direction is formed on the negative side in the X direction (downward direction in FIG. 5) of the cup 194.
  • the rail 200 is formed, for example, from the outside of the cup 194 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 5) side to the outside of the Y direction positive direction (right direction in FIG. 5) side.
  • An arm 201 is attached to the rail 200.
  • the arm 201 supports a cleaning liquid nozzle 203 that supplies a cleaning liquid, for example, an organic solvent, to the wafer W to be processed.
  • the arm 201 is movable on the rail 200 by a nozzle driving unit 204 shown in FIG.
  • the cleaning liquid nozzle 203 can move from the standby unit 205 installed on the outer side of the cup 194 on the positive side in the Y direction to above the center of the wafer W to be processed in the cup 194, and further on the wafer W to be processed. Can be moved in the radial direction of the wafer W to be processed.
  • the arm 201 can be moved up and down by a nozzle driving unit 204 and the height of the cleaning liquid nozzle 203 can be adjusted.
  • a two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 203.
  • a supply pipe 210 that supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid nozzle 203 is connected to the cleaning liquid nozzle 203.
  • the supply pipe 210 communicates with a cleaning liquid supply source 211 that stores the cleaning liquid therein.
  • the supply pipe 210 is provided with a supply device group 212 including a valve for controlling the flow of the cleaning liquid, a flow rate adjusting unit, and the like.
  • a supply pipe 213 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas, to the cleaning liquid nozzle 203 is connected to the cleaning liquid nozzle 203.
  • the supply pipe 213 communicates with a gas supply source 214 that stores an inert gas therein.
  • the supply pipe 213 is provided with a supply device group 215 including a valve for controlling the flow of the inert gas, a flow rate adjusting unit, and the like.
  • the cleaning liquid and the inert gas are mixed in the cleaning liquid nozzle 203 and supplied from the cleaning liquid nozzle 203 to the wafer W to be processed.
  • a mixture of a cleaning liquid and an inert gas may be simply referred to as “cleaning liquid”.
  • lifting pins may be provided below the porous chuck 190 for supporting the wafer W to be processed from below and lifting it.
  • the elevating pins can pass through a through hole (not shown) formed in the porous chuck 190 and protrude from the upper surface of the porous chuck 190. Then, instead of raising and lowering the porous chuck 190, the raising and lowering pins are raised and lowered, and the wafer W to be processed is transferred to and from the porous chuck 190.
  • the configuration of the second cleaning device 33 is substantially the same as the configuration of the first cleaning device 31 described above.
  • the second cleaning device 33 is provided with a spin chuck 220 instead of the porous chuck 190 of the first cleaning device 31.
  • the spin chuck 220 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking, for example, the support wafer S is provided on the upper surface.
  • the support wafer S can be sucked and held on the spin chuck 220 by suction from the suction port. Since the other structure of the 2nd washing
  • cleaning apparatus 33 is the same as that of the structure of the 1st washing
  • a back rinse nozzle (not shown) for injecting the cleaning liquid toward the back surface of the support wafer S, that is, the non-bonding surface SN is provided below the spin chuck 220. Also good. The non-bonding surface SN of the support wafer S and the outer peripheral portion of the support wafer S are cleaned by the cleaning liquid sprayed from the back rinse nozzle.
  • Second transfer unit 32 includes a support plate 230 for supporting the joint surface W J of wafer W as shown in FIG. 7, the Bernoulli chuck as a holding member for holding the non-bonding surface W N of the wafer W 231.
  • a plurality of supply ports 240 for supplying a cleaning liquid, for example, an organic solvent, are uniformly formed in a horizontal plane.
  • the plurality of supply ports 240 are connected to a supply pipe 241 that is provided inside the support plate 230 and supplies cleaning liquid to the plurality of supply ports 240.
  • the supply pipe 241 is connected to a cleaning liquid supply source 242 that stores the cleaning liquid therein. With this configuration, the cleaning liquid are supplied to the bonding surface W J of wafer W from the plurality of supply ports 240.
  • the support plate 230 is supported by the support arm 243 as shown in FIG.
  • the support arm 243 is supported by the first drive unit 244.
  • the first drive unit 244 allows the support arm 243 to rotate around the horizontal axis and extend and contract in the horizontal direction.
  • a second driving unit 245 is provided below the first driving unit 244. By this second drive unit 245, the first drive unit 244 can rotate about the vertical axis and can move up and down in the vertical direction.
  • the second drive unit 245 is attached to the rail 246.
  • the rail 246 is provided on the positive side in the X direction (upward side in FIG. 1) of the peeling device 30 and the first cleaning device 31, and the peeling device 30 and the first cleaning device 31. Is extended in the Y direction (left-right direction in FIG. 1).
  • the second drive unit 245 can move on the rail 246, and the support plate 230 can move between the transport device 30 and the first cleaning device 31.
  • the support arm 243, the first drive unit 244, the second drive unit 245, and the rail 246 constitute a first moving mechanism in the present invention.
  • the Bernoulli chuck 231 has a larger diameter than the wafer W to be processed, and is configured in a substantially 3/4 annular shape with a large diameter.
  • the Bernoulli chuck 231 can float and hold the wafer W to be processed in a non-contact state by floating the outer peripheral portion of the wafer W to be processed by ejecting air.
  • the Bernoulli chuck 231 has a larger diameter than the porous chuck 190 of the first cleaning device 31, and delivers the wafer W to be processed from the support plate 230 and the Bernoulli chuck 231 to the porous chuck 190 as will be described later. At this time, the Bernoulli chuck 231 and the porous chuck 190 do not interfere with each other.
  • the Bernoulli chuck 231 is supported by the support arm 250 as shown in FIG.
  • the support arm 250 is supported by the first drive unit 251.
  • the first drive unit 251 allows the support arm 250 to rotate around the horizontal axis and extend and contract in the horizontal direction.
  • a second driving unit 252 is provided below the first driving unit 251. By this second drive unit 252, the first drive unit 251 can rotate about the vertical axis and can move up and down in the vertical direction.
  • the second drive unit 252 is attached to the rail 253.
  • the rail 253 is provided on the X direction negative direction side (downward side in FIG. 1) of the peeling device 30 and the first cleaning device 31, and the peeling device 30 and the first cleaning device 31. Is extended in the Y direction (left-right direction in FIG. 1).
  • the second drive unit 252 can move on the rail 253, and the Bernoulli chuck 231 can move between the transport device 30 and the first cleaning device 31.
  • the support arm 250, the first drive unit 251, the second drive unit 252, and the rail 253 constitute a second moving mechanism in the present invention.
  • the support arms 243 and 250 and the first drive units 244 and 251 constitute a reversing mechanism in the present invention.
  • the third transport device 41 has the same configuration as the Bernoulli chuck 231, the support arm 250, the first drive unit 251, and the second drive unit 252 in the second transport device 32 described above. Description is omitted. And the 2nd drive part 252 of the 3rd conveying apparatus 41 is attached to the conveying path 40 shown in FIG. 1, and the 3rd conveying apparatus 41 can move on the conveying path 40.
  • FIG. 1 the Bernoulli chuck 231, the support arm 250, the first drive unit 251, and the second drive unit 252 in the second transport device 32 described above. Description is omitted.
  • the 2nd drive part 252 of the 3rd conveying apparatus 41 is attached to the conveying path 40 shown in FIG. 1, and the 3rd conveying apparatus 41 can move on the conveying path 40.
  • the control unit 300 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the peeling system 1.
  • the program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses to realize a peeling process described later in the peeling system 1.
  • the program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 300 from the storage medium H.
  • FIG. 11 is a flowchart showing an example of main steps of the peeling process.
  • a cassette C T accommodating a plurality of bonded wafer T, an empty cassette C W, and an empty cassette C S is placed on the predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2.
  • the superposed wafer T in the cassette CT is taken out by the first transfer device 20 and transferred to the peeling device 30 of the peeling processing station 3.
  • the superposed wafer T is transported in a state where the processing target wafer W is disposed on the upper side and the support wafer S is disposed on the lower side.
  • the overlapped wafer T carried into the peeling apparatus 30 is sucked and held by the second holding unit 111. Thereafter, the second holding unit 111 is raised by the moving mechanism 150, and the overlapped wafer T is sandwiched and held between the first holding unit 110 and the second holding unit 111 as shown in FIG. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction on the first holding portion 110, the non-bonding surface S N of the support wafer S is held by suction to the second holding portion 111.
  • the superposed wafer T is heated to a predetermined temperature, for example, 200 ° C. by the heating mechanisms 124 and 141. As a result, the adhesive G in the superposed wafer T is softened.
  • the second holding unit 111 and the support wafer S are vertically moved by the moving mechanism 150 as shown in FIG. And move horizontally, that is, diagonally downward.
  • maintenance part 111 are peeled (process A1 of FIG. 11).
  • the second holding unit 111 moves 100 ⁇ m in the vertical direction and moves 300 mm in the horizontal direction.
  • the thickness of the adhesive G in bonded wafer T is a example 30 [mu] m ⁇ 40 [mu] m
  • the height of the electronic circuit formed on the bonding surface W J of the processing target wafer W (bump) is For example, 20 ⁇ m. Therefore, the distance between the electronic circuit on the processing target wafer W and the support wafer S is very small. Therefore, for example, when the second holding unit 111 is moved only in the horizontal direction, the electronic circuit and the support wafer S may come into contact with each other, and the electronic circuit may be damaged.
  • the second holding unit 111 by moving the second holding unit 111 in the horizontal direction and also in the vertical direction as in the present embodiment, the contact between the electronic circuit and the support wafer S is avoided, and the electronic circuit is damaged. Can be suppressed.
  • the ratio of the vertical movement distance and the horizontal movement distance of the second holding unit 111 is set based on the height of the electronic circuit (bump) on the wafer W to be processed.
  • the wafer W to be processed peeled off by the peeling device 30 is transferred to the first cleaning device 31 by the second transfer device 32.
  • a transfer method of the wafer W to be processed by the second transfer device 32 will be described.
  • the support plate 230 is moved into the peeling device 30, and the support plate 230 is disposed below the processing target wafer W held by the first holding unit 110 as shown in FIG. Thereafter, the support plate 230 is raised, and the suction of the wafer W to be processed from the suction tube 123 in the first holding unit 110 is stopped. Then, the processing target wafer W is delivered from the first holding unit 110 to the support plate 230. Thereafter, as shown in FIG. 16, the support plate 230 is lowered, and the support plate 230 is moved to the outside of the peeling device 30.
  • the Bernoulli chuck 231 is moved above the support plate 230 as shown in FIG. Subsequently, as shown in FIG. 18, the Bernoulli chuck 231 is lowered, and the wafer W to be processed is sandwiched and supported by the support plate 230 and the Bernoulli chuck 231. At this time, the processing target wafer W is sucked and held by the Bernoulli chuck 231.
  • the support arms 243 and 250 are rotated so that the front and back surfaces of the wafer W to be processed supported by the support plate 230 and the Bernoulli chuck 231 are reversed. That is, the support plate 230 is disposed above the Bernoulli chuck 231.
  • the wafer to be processed W supported by the support plate 230 and the Bernoulli chuck 231 is moved into the first cleaning device 31, and the wafer to be processed W is arranged above the porous chuck 190 as shown in FIG.
  • the porous chuck 190 is raised above the cup 194 and kept waiting.
  • the wafer to be processed W is lowered, and the wafer to be processed W is delivered to the porous chuck 190 from the support plate 230 and Bernoulli chuck 231 as shown in FIG.
  • the Bernoulli chuck 231 is further lowered and moved to the outside of the first cleaning device 31.
  • the cleaning liquid is supplied to the bonding surface W J of wafer W from the supply port 240 of the support plate 230.
  • the bonding surface W J of wafer W is temporarily cleaned, the support plate 230 itself is cleaned.
  • bonding surface W J of wafer W When bonding surface W J of wafer W is cleaned, it lowers the porous chuck 190 to a predetermined position. Subsequently, the arm 201 moves the cleaning liquid nozzle 203 of the standby unit 205 to above the center of the wafer W to be processed. Thereafter, while rotating the wafer W by the porous chuck 190, and supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 203 to the bonding surface W J of wafer W. Supplied cleaning liquid is diffused over the entire surface of the bonding surface W J of wafer W by centrifugal force, the bonding surface W J of the treated wafer W is cleaned (step A2 in FIG. 11).
  • the plurality of superposed wafers T carried into the carry-in / out station 2 have been inspected in advance, and the superposed wafer T including the normal target wafer W and the defective target wafer W are arranged.
  • the superposed wafer T is discriminated.
  • the transfer of the wafer W to be processed by the third transfer device 41 is substantially the same as the transfer of the wafer W to be processed by the second transfer device 32 described above, and thus the description thereof is omitted.
  • predetermined post-processing is performed on the wafer W to be processed in the post-processing station 4 (step A3 in FIG. 11).
  • the processing target wafer W is commercialized.
  • wafer W with a peel defects from bonded wafer T including a defect is conveyed to the station 2 loading and unloading by the first transfer device 20. Thereafter, the defective wafer W to be processed is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A4 in FIG. 11).
  • the support wafer S peeled by the peeling device 30 is transferred to the second cleaning device 33 by the first transfer device 20. Then, in the second cleaning device 33, bonding surface S J of the support wafer S is cleaned (step A5 in FIG. 11). Note that the cleaning of the support wafer S in the second cleaning device 33 is the same as the cleaning of the wafer W to be processed in the first cleaning device 31 described above, and thus the description thereof is omitted.
  • the support wafer S which joint surface S J is cleaned is conveyed to station 2 loading and unloading by the first transfer device 20. Thereafter, the support wafer S is unloaded from the loading / unloading station 2 and collected (step A6 in FIG. 11). In this way, a series of separation processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.
  • the first cleaning device 31 cleans the peeled wafer W to be processed
  • the second cleaning device 32 the peeled support wafer S can be cleaned.
  • a series of stripping processes from the stripping of the processing target wafer W and the supporting wafer S to the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the supporting wafer S can be efficiently performed in one stripping system 1. Can be done well.
  • the cleaning of the processing target wafer W and the cleaning of the support wafer S can be performed in parallel.
  • the other wafer to be processed W and the support wafer S can be processed by the first cleaning device 31 and the second cleaning device 33. . Therefore, the wafer W to be processed and the support wafer S can be efficiently peeled, and the throughput of the peeling process can be improved.
  • the process from the separation of the wafer to be processed W and the support wafer S to the post-processing of the wafer to be processed W can be performed, so that the throughput of the wafer processing can be further improved.
  • the second transfer device 32 is used. That is, after the wafer W to be processed is unloaded from the peeling device 30 by the support plate 230, the wafer W to be processed is supported by the support plate 230 and the Bernoulli chuck 231, and the front and back surfaces of the wafer W to be processed are reversed. The processed wafer W is transferred to the first cleaning device 31. Then, it is possible in the first cleaning device 31, the cleaning liquid is supplied from the supply port 240 of the support plate 230, washing the support plate 230 itself and the bonding surface W J of the processing target wafer W.
  • the wafer W to be processed can be cleaned by the second transfer device 32 in this way, the cleaning time of the wafer W to be processed in the first cleaning device 31 can be shortened, and the throughput of the peeling process is further improved. be able to.
  • the support plate 230 can also be cleaned, the next wafer to be processed W can be appropriately transferred.
  • the second transfer device 32 since the second transfer device 32 includes the Bernoulli chuck 231 that holds the wafer W to be processed, the wafer W to be processed can be appropriately held by suction. Further, since the Bernoulli chuck 231 has a larger diameter than the porous chuck 190, it is possible to avoid the Bernoulli chuck 231 from interfering with the porous chuck 190 when the wafer W to be processed is transferred from the Bernoulli chuck 231 to the porous chuck 190. .
  • the second holding unit 111 is moved in the vertical direction and the horizontal direction in the peeling device 30, but the first holding unit 110 may be moved in the vertical direction and the horizontal direction. Alternatively, both the first holding unit 110 and the second holding unit 111 may be moved in the vertical direction and the horizontal direction.
  • the second holding unit 111 is moved in the vertical direction and the horizontal direction. However, the second holding unit 111 is moved only in the horizontal direction, and the moving speed of the second holding unit 111 is increased. It may be changed. Specifically, the moving speed at the start of moving the second holding unit 111 may be reduced, and then the moving speed may be gradually accelerated. That is, when the second holding unit 111 starts to move, the bonding area between the processing target wafer W and the support wafer S is large, and the electronic circuit on the processing target wafer W is easily affected by the adhesive G. The moving speed of the second holding unit 111 is reduced.
  • the electronic circuit on the wafer to be processed W becomes less susceptible to the adhesive G, so that the moving speed of the second holding unit 111 is gradually increased. Accelerate to. Even in such a case, contact between the electronic circuit and the support wafer S can be avoided, and damage to the electronic circuit can be suppressed.
  • the second holding unit 111 is moved in the vertical direction and the horizontal direction in the peeling apparatus 30.
  • the distance between the electronic circuit on the processing target wafer W and the support wafer S is used. If is sufficiently large, the second holding part 111 may be moved only in the horizontal direction. In such a case, contact between the electronic circuit and the support wafer S can be avoided, and the movement of the second holding unit 111 can be easily controlled.
  • the second wafer 111 may be moved only in the vertical direction to peel the wafer W to be processed and the support wafer S, and the outer peripheral edge of the second holder 111 is moved only in the vertical direction. The to-be-processed wafer W and the support wafer S may be peeled off.
  • the wafer to be processed W and the support wafer S are separated in a state where the wafer to be processed W is arranged on the upper side and the support wafer S is arranged on the lower side.
  • the vertical arrangement of the wafer W and the support wafer S may be reversed.
  • the third transfer device 41 has the Bernoulli chuck 231, but may have a porous chuck (not shown) instead of the Bernoulli chuck 231. Even in such a case, the wafer W to be processed thinned by the porous chuck can be appropriately sucked and held.
  • the two-fluid nozzle is used as the cleaning liquid nozzle 203 of the first cleaning apparatus 31 and the second cleaning apparatus 33.
  • the form of the cleaning liquid nozzle 203 is not limited to this embodiment.
  • Various nozzles can be used.
  • a nozzle body in which a nozzle for supplying a cleaning liquid and a nozzle for supplying an inert gas are integrated a spray nozzle, a jet nozzle, a megasonic nozzle, or the like may be used.
  • a cleaning liquid heated to 80 ° C. may be supplied.
  • a nozzle for supplying IPA isopropyl alcohol
  • IPA isopropyl alcohol
  • a temperature adjusting device for cooling the processing target wafer W heated by the peeling device 30 to a predetermined temperature may be provided.
  • the temperature of the wafer W to be processed is adjusted to an appropriate temperature, so that subsequent processing can be performed more smoothly.
  • FIG. 23 is a plan view in which portions of the peeling device 30, the first cleaning device 31, and the second transport device 32 are extracted from the peeling system 1.
  • the second transfer device 32 has a holding unit 350 that holds the wafer W to be processed.
  • the holding portion 350 is supported by a plurality of, for example, two arm portions 352 configured in a multi-joint shape via a support member 351. Furthermore, the arm part 352 is supported by the drive part 353.
  • the two arm portions 352 are configured to be able to expand and contract in the horizontal direction and to turn around the vertical axis.
  • the arm 352 can be moved up and down in the vertical direction by the drive unit 353. With this configuration, the holding unit 350 can move in a horizontal plane and can also be raised and lowered.
  • the holding part 350 has a holding plate 360 made of a Bernoulli chuck.
  • the holding plate 360 can hold the wafer W to be processed in a state where it floats from below the wafer W to be processed.
  • a plurality of, for example, four guides 361 for guiding the periphery of the wafer W to be processed are provided on the outer periphery of the holding plate 360.
  • the guide 361 can prevent the position of the processing target wafer W from being shifted with respect to the holding plate 360.
  • the holding plate 360 can be rotated around a horizontal central axis (around the central axis of the support member 351), and the upper and lower surfaces of the holding plate 360 can be reversed.
  • the holding plate 360 is inverted from the state in which the processing target wafer W is held on the upper surface of the holding plate 360 from below the processing target wafer W, and the posture is changed to the state in which the processing target wafer W is held on the lower surface of the holding plate 360.
  • the support member 351, the arm portion 352, and the drive portion 353 constitute a reversing mechanism that reverses the front and back surfaces of the wafer W to be processed.
  • the holding plate 360 is moved into the peeling apparatus 30, and the processing target wafer W is transferred from the first holding unit 110 to the holding plate 360.
  • the wafer W to be processed is held in a state where it floats from the holding plate 360 and is not displaced in the horizontal direction by the guide 361. Thereafter, the holding plate 360 is moved to the outside of the peeling device 30.
  • the upper and lower surfaces of the holding plate 360 are inverted, and the posture is changed to a state where the processing target wafer W is held on the lower surface of the holding plate 360.
  • the holding plate 360 is moved into the first cleaning device 31, and the wafer W to be processed is transferred to the porous chuck 190.
  • the second transport device 32 can be further simplified, and the reliability of the device is improved.
  • the holding plate 360 is a Bernoulli chuck, the processing target wafer W can be held in a floating state. For this reason, even when the surface on the holding plate 360 side of the processing target wafer W is dirty, the dirt does not move to the holding plate 360. Further, since the wafer W to be processed can be held in a floating state, even if a product (device such as an electronic circuit) is formed on the wafer W to be processed, the product is not damaged.
  • the guide 361 may be configured to be able to contact and separate from the holding plate 360.
  • the guide 361 is received in a state where the guide 361 is separated from the holding plate 360, and then the guide 361 is brought closer to the holding plate 360.
  • the periphery of the wafer W to be processed may be held by the guide 361.
  • the guide 361 may be operated in the reverse order of this operation. With such a configuration, the reliability of the apparatus is further improved.
  • the holding plate 360 can be moved at a higher speed while holding the wafer W to be processed.
  • the temperature of the processing target wafer W held on the holding plate 360 may be positively adjusted by ejecting a gas whose temperature is adjusted to a predetermined temperature from the holding plate 360 that is a Bernoulli chuck.
  • gas containing ions may be ejected from the holding plate 360 to prevent the wafer W to be processed held on the holding plate 360 from being charged.
  • an inert gas may be ejected from the holding plate 360.
  • oxidation of copper which is a device formed on the processing target wafer W, can be prevented.
  • the post-processing station 4 performs post-processing on the wafer to be processed W to produce a product has been described. It can also be applied to the case where it is peeled off.
  • the three-dimensional integration technology is a technology that meets the recent demand for higher integration of semiconductor devices. Instead of arranging a plurality of highly integrated semiconductor devices in a horizontal plane, This is a technique of three-dimensional lamination. Also in this three-dimensional integration technique, it is required to reduce the thickness of wafers to be processed, and the wafers to be processed are bonded to a support wafer to perform a predetermined process.
  • a peeling system that peels a polymerization substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded together with an adhesive to the substrate to be processed and the support substrate, and performs a predetermined process on the substrate to be processed, the support substrate, and the polymerization substrate.
  • a substrate to be processed and a support substrate between a processing station, a loading / unloading station for loading / unloading a substrate to be processed, a supporting substrate or a superposed substrate with respect to the peeling processing station, and the peeling processing station and the loading / unloading station.
  • the said peeling process station is a peeling apparatus which peels a superposition
  • a second transport device that transports the substrate, and the second transport device is provided on the outer periphery of the holding plate and held on the holding plate, and holds the substrate to be processed in a non-contact state.
  • a reversing mechanism for reversing the front and back surfaces of the substrate to be processed held by the holding plate.
  • the guide may be movable toward and away from the holding plate. Further, a gas whose temperature is adjusted to a predetermined temperature may be ejected from the holding plate. Further, a gas containing ions may be ejected from the holding plate. Further, an inert gas may be ejected from the holding plate.
  • the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
  • the present invention is not limited to this example and can take various forms.
  • the present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
  • FPD flat panel display

Abstract

　剥離システムの剥離処理ステーションは、重合基板を剥離する剥離装置と、剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、剥離装置と第１の洗浄装置との間で被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置とを有している。第２の搬送装置は、被処理基板の接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、被処理基板の非接合面を保持する保持部材と、支持板と保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有する。

Description

剥離システム、剥離方法及びコンピュータ記憶媒体
　本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
　近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
　かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。
日本国特開平９－１６７７２４号公報
　ところで、ウェハと支持基板の剥離処理は、上述のようにウェハと支持基板を剥離した後、これらウェハの接合面と支持基板の接合面をそれぞれ洗浄して終了する。
　しかしながら、特許文献１に記載の剥離装置を用いた場合、かかるウェハと支持基板の洗浄を別個の装置で行う必要があるが、かかる一連の剥離処理を効率よく行うことは全く考慮されていなかった。このため、剥離処理全体のスループットに改善の余地があった。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させることを目的とする。
　前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有する。
　本発明の剥離システムによれば、剥離装置において重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、第１の洗浄装置において、剥離された被処理基板を洗浄すると共に、第２の洗浄装置において、剥離された支持基板を洗浄することができる。このように本発明によれば、一の剥離システム内で、被処理基板と支持基板の剥離から被処理基板の洗浄と支持基板の洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置と第２の洗浄装置において、被処理基板の洗浄と支持基板の洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置において被処理基板と支持基板を剥離する間に、第１の洗浄装置と第２の洗浄装置において別の被処理基板と支持基板を処理することもできる。したがって、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、剥離処理のスループットを向上させることができる。
　また、剥離装置で剥離された被処理基板を第１の洗浄装置に搬送する際、前記第２の搬送装置が用いられる。すなわち、支持板によって被処理基板を剥離装置から搬出した後、支持板と保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、被処理基板を第１の洗浄装置に搬送する。そして、第１の洗浄装置において、支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と支持板を洗浄することができる。このように第２の搬送装置で被処理基板を洗浄できるので、その後の第１の洗浄装置における被処理基板の洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、支持板も洗浄できるので、次の被処理基板を適切に搬送することができる。
　別な観点による本発明は、剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離システムは、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有し、前記剥離方法は、前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、前記第２の搬送装置により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から前記第１の洗浄装置に搬送する搬送工程と、前記第１の洗浄装置において、前記搬送工程で搬送された被処理基板を洗浄する第１の洗浄工程と、前記第２の洗浄装置において、前記剥離工程で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄工程と、を有し、前記搬送工程は、前記支持板により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から搬出し、その後、前記支持板と前記保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、その後、被処理基板を前記第１の洗浄装置に搬送し、当該第１の洗浄装置において、前記支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と前記支持板を洗浄する。
　また別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、前記剥離システムは、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有し、前記剥離方法は、前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、前記第２の搬送装置により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から前記第１の洗浄装置に搬送する搬送工程と、前記第１の洗浄装置において、前記搬送工程で搬送された被処理基板を洗浄する第１の洗浄工程と、前記第２の洗浄装置において、前記剥離工程で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄工程と、を有し、前記搬送工程は、前記支持板により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から搬出し、その後、前記支持板と前記保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、その後、被処理基板を前記第１の洗浄装置に搬送し、当該第１の洗浄装置において、前記支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と前記支持板を洗浄する。
　本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させることができる。
本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 支持板の構成の概略を示す平面図である。 支持板の構成の概略を示す縦断面図である。 ベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。 第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。 第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。 支持板を第１の保持部の下方に配置した様子を示す説明図である。 第１の保持部から支持板に被処理ウェハが受け渡された様子を示す説明図である。 ベルヌーイチャックを支持板の上方に配置した様子を示す説明図である。 支持板とベルヌーイチャックで被処理ウェハを支持する様子を示す説明図である。 支持板とベルヌーイチャックで支持された被処理ウェハの表裏面を反転させた様子を示す説明図である。 支持板とベルヌーイチャックで支持された被処理ウェハをポーラスチャックの上方に配置した様子を示す説明図である。 支持板とベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハが受け渡された様子を示す説明図である。 被処理ウェハと支持板を洗浄する様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる第２の搬送装置の構成の概略を示す平面図である。 第２の搬送装置における保持板とガイドを示す平面図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
　剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
　剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
　搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。また、インターフェイスステーション５は、搬入出ステーション２、剥離処理ステーション３及びウェハ搬送領域６のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
　ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
　剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
　インターフェイスステーション５には、Ｘ方向に延伸する搬送路４０上を移動自在な第３の搬送装置４１が設けられている。第３の搬送装置４１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３と後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
　なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
　次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
　処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を吸引する吸気口１０１が形成されている。吸気口１０１には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置１０２に連通する吸気管１０３が接続されている。
　処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
　第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体１２１が設けられている。多孔質体１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
　また、本体部１２０の内部であって多孔質体１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えば多孔質体１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２と多孔質体１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
　また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
　第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は処理容器１００の天井面に当接して支持されてもよい。
　第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
　また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
　第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
　鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば３箇所に設けられている。
　水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
　なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
　次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
　処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体１９２とを有している。多孔質体１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、多孔質体１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管から多孔質体１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
　ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
　ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。
　図５に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
　アーム２０１には、図４及び図５に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図５に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。
　洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図４に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
　なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。
　また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図６に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
　なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＳＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。
　次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図７に示すように被処理ウェハＷの接合面ＷＪを支持する支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを保持する保持部材としてのベルヌーイチャック２３１とを有している。
　支持板２３０の表面は、図８に示すように洗浄液、例えば有機溶剤を供給するための複数の供給口２４０が水平面内で均一に形成されている。複数の供給口２４０には、図９に示すように支持板２３０の内部に設けられ、複数の供給口２４０に洗浄液を供給する供給管２４１が接続されている。供給管２４１は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２４２に接続されている。かかる構成により、複数の供給口２４０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液が供給されるようになっている。
　支持板２３０は、図７に示すように支持アーム２４３に支持されている。支持アーム２４３は、第１の駆動部２４４に支持されている。この第１の駆動部２４４により、支持アーム２４３は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２４４の下方には、第２の駆動部２４５が設けられている。この第２の駆動部２４５により、第１の駆動部２４４は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
　第２の駆動部２４５は、レール２４６に取り付けられている。レール２４６は、図１に示すように剥離装置３０と第１の洗浄装置３１のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）に設けられ、当該剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間をＹ方向（図１中の左右方向）に延伸している。そして、第２の駆動部２４５はレール２４６上を移動可能になっており、支持板２３０は搬送装置３０と第１の洗浄装置３１との間を移動可能になっている。なお、支持アーム２４３、第１の駆動部２４４、第２の駆動部２４５及びレール２４６が、本発明における第１の移動機構を構成している。
　ベルヌーイチャック２３１は、図１０に示すように被処理ウェハＷよりも大きい径を有し、大きい径の略３／４円環状に構成されている。そして、ベルヌーイチャック２３１は、空気を噴出することにより被処理ウェハＷの外周部を浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハＷを吸引懸垂し保持することができる。また、ベルヌーイチャック２３１は、第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０よりも大きい径を有しており、後述するように支持板２３０とベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際に、ベルヌーイチャック２３１とポーラスチャック１９０が干渉しないようになっている。
　ベルヌーイチャック２３１は、図７に示すように支持アーム２５０に支持されている。支持アーム２５０は、第１の駆動部２５１に支持されている。この第１の駆動部２５１により、支持アーム２５０は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２５１の下方には、第２の駆動部２５２が設けられている。この第２の駆動部２５２により、第１の駆動部２５１は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
　第２の駆動部２５２は、レール２５３に取り付けられている。レール２５３は、図１に示すように剥離装置３０と第１の洗浄装置３１のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）に設けられ、当該剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間をＹ方向（図１中の左右方向）に延伸している。そして、第２の駆動部２５２はレール２５３上を移動可能になっており、ベルヌーイチャック２３１は搬送装置３０と第１の洗浄装置３１との間を移動可能になっている。なお、支持アーム２５０、第１の駆動部２５１、第２の駆動部２５２及びレール２５３が、本発明における第２の移動機構を構成している。
　なお、以上の第２の搬送装置３２において、支持アーム２４３、２５０及び第１の駆動部２４４、２５１が、本発明における反転機構を構成している。
　なお、第３の搬送装置４１は、上述した第２の搬送装置３２におけるベルヌーイチャック２３１、支持アーム２５０、第１の駆動部２５１及び第２の駆動部２５２と同様の構成を有しているので説明を省略する。そして、第３の搬送装置４１の第２の駆動部２５２は、図１に示した搬送路４０に取り付けられ、第３の搬送装置４１は搬送路４０上を移動可能になっている。
　以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
　次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１１は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
　先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
　剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１２に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
　その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
　続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１３に示すように移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図１４に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図１１の工程Ａ１）。
　このとき、第２の保持部１１１は、鉛直方向に１００μｍ移動し、且つ水平方向に３００ｍｍ移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ～４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成された電子回路（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。したがって、被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、電子回路と支持ウェハＳが接触し、電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上の電子回路（バンプ）の高さに基づいて設定される。
　その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。
　先ず、支持板２３０を剥離装置３０内に移動させ、図１５に示すように支持板２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、支持板２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０から支持板２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。その後、図１６に示すように支持板２３０を下降させ、当該支持板２３０を剥離装置３０の外部に移動させる。
　その後、図１７に示すように支持板２３０の上方に、ベルヌーイチャック２３１を移動させる。続いて、図１８に示すようにベルヌーイチャック２３１を下降させて、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で被処理ウェハＷを挟み込んで支持する。このとき、ベルヌーイチャック２３１により被処理ウェハＷが吸着保持される。
　次に図１９に示すように、支持アーム２４３、２５０を回動させて、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転させる。すなわち、支持板２３０をベルヌーイチャック２３１の上方に配置する。
　その後、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１内に移動させ、図２０に示すように被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０の上方に配置する。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、被処理ウェハＷを下降させ、図２１に示すように支持板２３０とベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。その後、ベルヌーイチャック２３１をさらに下降させ、第１の洗浄装置３１の外部に
移動させる。
　その後、図２２に示すように支持板２３０を若干程度上昇させ、当該支持板２３０の供給口２４０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液が供給される。こうして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが仮洗浄されると共に、支持板２３０自体も洗浄させる。
　被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図１１の工程Ａ２）。
　ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
　正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第３の搬送装置４１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、この第３の搬送装置４１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１１の工程Ａ３）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
　一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ４）。
　被処理ウェハＷに上述した工程Ａ２～Ａ４が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図１１の工程Ａ５）。なお、第２の洗浄装置３３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄と同様であるので説明を省略する。
　その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ６）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
　以上の実施の形態によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３２において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
　また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
　また、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１に搬送する際、上記第２の搬送装置３２が用いられる。すなわち、支持板２３０によって被処理ウェハＷを剥離装置３０から搬出した後、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で被処理ウェハＷを挟んで支持し、当該被処理ウェハＷの表裏面を反転させ、被処理ウェハＷを第１の洗浄装置３１に搬送する。そして、第１の洗浄装置３１において、支持板２３０の供給口２４０から洗浄液を供給し、被処理ウェハＷの接合面ＷＪと支持板２３０自体を洗浄することができる。このように第２の搬送装置３２で被処理ウェハＷを洗浄できるので、その後の第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、支持板２３０も洗浄できるので、次の被処理ウェハＷを適切に搬送することができる。
　また、第２の搬送装置３２は被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３１を有しているので、被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。さらにベルヌーイチャック２３１がポーラスチャック１９０よりも大きい径を有しているので、ベルヌーイチャック２３１からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際、ベルヌーイチャック２３１がポーラスチャック１９０と干渉するのを回避できる。
　以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第１の保持部１１０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。
　以上の剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第２の保持部１１１を水平方向のみに移動させ、当該第２の保持部１１１の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第２の保持部１１１を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第２の保持部１１１を移動させ始める際には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が大きく、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け易いため、第２の保持部１１１の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け難くなるため、第２の保持部１１１の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。
　また、以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離が十分大きい場合には、第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避できると共に、第２の保持部１１１の移動の制御が容易になる。さらに、第２の保持部１１１を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよく、第２の保持部１１１の外周部端部を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよい。
　なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
　以上の実施の形態では、第３の搬送装置４１はベルヌーイチャック２３１を有していたが、このベルヌーイチャック２３１に代えて、ポーラスチャック（図示せず）を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。
　以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３の洗浄液ノズル２０３には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０３の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０３として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
　また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、洗浄液ノズル２０３に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０３からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
　以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
　次に、第２の搬送装置３２の他の実施の形態について説明する。既述と同じ部分については、説明を省略する。本実施の形態における第２の搬送装置３２を、図２３に示す。図２３は、剥離システム１において、剥離装置３０、第１の洗浄装置３１、及び第２の搬送装置３２の部分を抜き出した平面図である。
　第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷを保持する保持部３５０を有している。保持部３５０は、支持部材３５１を介して、多関節状に構成された複数、例えば２つのアーム部３５２に支持されている。さらにアーム部３５２は、駆動部３５３に支持されている。この駆動部３５３により、２つのアーム部３５２は、水平方向に伸縮自在、且つ鉛直軸周りに旋回自在に構成されている。また駆動部３５３により、アーム部３５２は鉛直方向に昇降できる。かかる構成により、保持部３５０は、水平面内で移動可能であり、また昇降も可能となっている。
　保持部３５０の平面図を図２４に示す。保持部３５０は、ベルヌーイチャックよりなる保持板３６０を有している。そして、保持板３６０は、被処理ウェハＷの下方から被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できる。また、保持板３６０の外周には、被処理ウェハＷの周縁をガイドするためのガイド３６１が複数、例えば４つ設けられている。ガイド３６１により、保持板３６０に対して被処理ウェハＷの位置がずれることを防止できる。また、保持板３６０は、水平な中心軸周り（支持部材３５１の中心軸周り）に回動可能であり、当該保持板３６０の上下面を反転できる構成となっている。つまり、保持板３６０は、被処理ウェハＷの下方から保持板３６０の上面で被処理ウェハＷを保持した状態から反転して、保持板３６０の下面に被処理ウェハＷを保持した状態に姿勢変換できる。なお、本実施の形態では、支持部材３５１、アーム部３５２及び駆動部３５３が、被処理ウェハＷの表裏面を反転させる反転機構を構成している。
　次に、本実施の形態における第２の搬送装置３２の動作について説明する。先ず、保持板３６０を剥離装置３０内に移動させ、第１の保持部１１０から保持板３６０に被処理ウェハＷが受け渡される。被処理ウェハＷは、保持板３６０から浮上した状態で、且つガイド３６１により水平方向にずれないようにして保持される。その後、保持板３６０を剥離装置３０の外部に移動させる。
　その後、保持板３６０の上下面を反転させ、保持板３６０の下面に被処理ウェハＷを保持した状態に姿勢変換する。
　その後、保持板３６０を第１の洗浄装置３１内に移動させ、被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０に受け渡す。本実施の形態の構成によれば、第２の搬送装置３２をさらに単純化することが可能であり、装置の信頼性が向上する。また、保持板３６０はベルヌーイチャックなので、被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できる。このため、被処理ウェハＷにおける保持板３６０側の面が汚れている場合でも、その汚れが保持板３６０に移ることはない。また、被処理ウェハＷを浮上させた状態で保持できるので、被処理ウェハＷに製品（電子回路等のデバイス）が形成されていても、その製品が破損することはない。
　以上の実施の形態において、ガイド３６１を保持板３６０に対して接離自在な構成としてもよい。この場合、保持板３６０が被処理ウェハＷを受け取る際には、ガイド３６１が保持板３６０に対して離れた状態で被処理ウェハＷを受け取り、その後ガイド３６１を保持板３６０に対して近づける。あるいは、このときガイド３６１により被処理ウェハＷの周縁を保持してもよい。そして、被処理ウェハＷが水平方向にずれない状態になった後、保持板３６０の移動を開始する。なお、保持板３６０が他の部分に被処理ウェハＷを受け渡す際には、この動作と逆の順序でガイド３６１を動作させればよい。このような構成とすることにより、さらに装置の信頼性が向上する。また、被処理ウェハＷを保持した状態で、保持板３６０をさらに速い速度で移動させることが可能となる。
　また、ベルヌーイチャックである保持板３６０から、所定温度に温度調整された気体を噴出させて、保持板３６０に保持された被処理ウェハＷの温度を積極的に調整してもよい。
　また、イオンが含まれた気体を保持板３６０から噴出させて、保持板３６０に保持された被処理ウェハＷの帯電を防止してもよい。
　また、不活性気体を保持板３６０から噴出させてもよく、かかる場合、例えば被処理ウェハＷに形成されたデバイスである銅の酸化を防止できる。
　さらに、上述した実施の形態を部分的に組合せて実施してもよいことはいうまでもない。
　また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
　またさらに別な接合方法として、発明者らは次のようなものを提案する。すなわち、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、前記第２の搬送装置は、被処理基板を非接触状態で保持する保持板と、前記保持板の外周に設けられ、前記保持板に保持された被処理基板のガイドと、前記保持板に保持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有する。
　かかる剥離システムにおいて、前記ガイドは前記保持板に対して接離自在であってもよい。また、前記保持板から所定温度に温度調整された気体を噴出させてもよい。また、前記保持板からイオンが含まれた気体を噴出させてもよい。また、前記保持板から不活性気体を噴出させてもよい。
　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
　　１　　剥離システム
　　２　　搬入出ステーション
　　３　　剥離処理ステーション
　　４　　後処理ステーション
　　５　　インターフェイスステーション
　　６　　ウェハ搬送領域
　　２０　第１の搬送装置
　　３０　剥離装置
　　３１　第１の洗浄装置
　　３２　第２の搬送装置
　　３３　第２の洗浄装置
　　４１　第３の搬送装置
　　２３０　支持板
　　２３１　ベルヌーイチャック
　　２４０　供給口
　　２４３　支持アーム
　　２４４　第１の駆動部
　　２４５　第２の駆動部
　　２４６　レール
　　２５０　支持アーム
　　２５１　第１の駆動部
　　２５２　第２の駆動部
　　２５３　レール
　　３００　制御部
　　Ｇ　　接着剤
　　Ｓ　　支持ウェハ
　　ＳＪ　　接合面
　　ＳＮ　　非接合面
　　Ｔ　　重合ウェハ
　　Ｗ　　被処理ウェハ
　　ＷＪ　　接合面
　　ＷＮ　　非接合面

Claims (7)

  1. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
    被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
    前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
    前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、
    前記剥離処理ステーションは、
    重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
    前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
    前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、
    前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、
    前記第２の搬送装置は、
    被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、
    被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、
    前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有する。
  2. 請求項１に記載の剥離システムであって、
    前記第２の搬送装置は、
    前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記支持板を移動させる第１の移動機構と、
    前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、前記保持部材を移動させる第２の移動機構と、を有する。
  3. 請求項１に記載の剥離システムであって、
    前記保持部材は、ベルヌーイチャックである。
  4. 請求項１に記載の剥離システムであって、
    前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有する。
  5. 剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
    前記剥離システムは、
    被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
    前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
    前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、
    前記剥離処理ステーションは、
    重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
    前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
    前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、
    前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、
    前記第２の搬送装置は、
    被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、
    被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、
    前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有し、
    前記剥離方法は、
    前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、
    前記第２の搬送装置により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から前記第１の洗浄装置に搬送する搬送工程と、
    前記第１の洗浄装置において、前記搬送工程で搬送された被処理基板を洗浄する第１の洗浄工程と、
    前記第２の洗浄装置において、前記剥離工程で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄工程と、を有し、
    前記搬送工程は、
    前記支持板により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から搬出し、
    その後、前記支持板と前記保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、
    その後、被処理基板を前記第１の洗浄装置に搬送し、当該第１の洗浄装置において、前記支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と前記支持板を洗浄する。
  6. 請求項５に記載の剥離方法であって、
    前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有し、
    前記第１の洗浄工程後、前記後処理ステーションにおいて被処理基板に後処理を行う後処理工程を有する。
  7. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記剥離システムは、
    被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
    前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
    前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する第１の搬送装置と、を有し、
    前記剥離処理ステーションは、
    重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
    前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
    前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、
    前記剥離装置と前記第１の洗浄装置との間で、被処理基板を搬送する第２の搬送装置と、を有し、
    前記第２の搬送装置は、
    被処理基板において接着剤が付着した接合面を支持し、且つ被処理基板の接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板と、
    被処理基板において接着剤が付着していない非接合面を保持する保持部材と、
    前記支持板と前記保持部材で支持された被処理基板の表裏面を反転させる反転機構と、を有し、
    前記剥離方法は、
    前記剥離装置において、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、
    前記第２の搬送装置により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から前記第１の洗浄装置に搬送する搬送工程と、
    前記第１の洗浄装置において、前記搬送工程で搬送された被処理基板を洗浄する第１の洗浄工程と、
    前記第２の洗浄装置において、前記剥離工程で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄工程と、を有し、
    前記搬送工程は、
    前記支持板により、前記剥離工程で剥離された被処理基板を前記剥離装置から搬出し、
    その後、前記支持板と前記保持部材で被処理基板を挟んで支持し、当該被処理基板の表裏面を反転させ、
    その後、被処理基板を前記第１の洗浄装置に搬送し、当該第１の洗浄装置において、前記支持板の供給口から洗浄液を供給し、被処理基板の接合面と前記支持板を洗浄する。
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