CN110512178B - 腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。腔室内衬用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间，包括：第一围挡部；自第一围挡部向工艺空间内侧弯折延伸形成的过渡连接部；自过渡连接部向背离第一围挡部的方向弯折延伸形成的第二围挡部；第一围挡部、过渡连接部和第二围挡部共同形成工艺空间；过渡连接部上设置有第一收容结构，用于收容工艺腔室内产生的颗粒杂质。通过所设置的第一收容结构，能够有效收集工艺腔室内产生的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室中的硅片表面，进而能够提高硅片的工艺良率，降低制作成本。

Description

腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种腔室内衬、一种包括该腔室内衬的工艺腔室和一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。

背景技术

随着集成电路制程的进一步提升，集成电路中的沟槽和线宽尺寸越来越小，微小的颗粒都能够对硅片的工艺结果造成很大的损害，例如：不同导线的导通、同一导线的断连、形成空穴而造成更大能耗和发热等，出现这些问题的硅片上的芯片单元将不能使用而报废，从而降低了产品的良率。因此，在硅片的加工过程中需要严格控制颗粒杂质，包括颗粒杂质的大小(典型颗粒杂质的测量的尺寸为0.08μm和0.16μm)和数量(典型不超过10颗)。

物理气相沉积工艺是集成电路制造过程中一道非常重要的工艺流程，主要应用于芯片中导线的制作、阻挡层的生成、金属硬掩膜的形成等。该工艺一般在高真空的腔室内一个相对密闭的空间中进行，密闭空间将内部等离子体屏蔽在其空间内。

在物理气相沉积工艺过程中，被电离的等离子体在外加的电场、磁场和射频等的作用下轰击靶材，靶材原子被轰击后以不同的速度和角度远离靶材，一部分沉积在硅片表面或者沟槽中形成所需要的薄膜，还有一部分沉积在工艺组件暴露在等离子体中的表面。这些表面在零部件加工后会进行喷砂或者铝熔射处理，增大表面粗糙度以提高对颗粒的吸附能力。其面上沉积的薄膜厚度随着工艺不断进行而增厚，表面对被溅射出粒子的吸附能力减弱，部分粒子会脱落形成工艺颗粒，还有部分粒子粘结在一起形成较大的颗粒。当工艺组件上溅镀的薄膜足够厚时(颗粒增加趋势明显)，工艺组件需要进行更换清洗。

如图1和图2所示，为现有技术中物理气相沉积设备的工艺腔室的结构示意图。该工艺腔室200主要包括腔室本体210、第一腔室内衬220、基座230、靶材240和第二腔室内衬250。其中，第一腔室内衬220和第二腔室内衬250的一部分表面(和等离子体接触表面)

进行了喷砂或者铝熔射处理，以增大表面的吸附能力。基座230上放置有硅片300。

如图2所示，第一腔室内衬220的内表面由与靶材240的外圆周形成预定间隔d的圆柱面A和下部较长的圆柱面B组成，圆柱面A和圆柱面B通过两次连续的圆弧过渡相连，两个圆弧面形成了一个斜面C，工艺过程中部分被轰击下来的靶材粒子落在圆柱面A和圆弧面C上，这些粒子中有一部分在工艺中脱落经过斜面C的后更容易掉落在工艺中的硅片上而造成颗粒增多。

其次，由于存在预定间隔d，第一腔室内衬220没有专门设计接地结构，靶材240和第一腔室内衬220之间可能会有造成打火，形成更多颗粒。

此外，工艺气体一般通过第二腔室内衬250上圆周方向一周的进气孔251进入两个腔室内衬之间区域，填满该区域后然后往下通过两个腔室内衬底部的间隙进入到密闭空腔内，此时气体速度较大，会吹起沉积和掉落在第二腔室内衬250底部的颗粒，带起部分颗粒进入到硅片上方而沉积到硅片上，增加硅片上面的颗粒数量。

因此，如何设计一种新型的腔室内衬成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种腔室内衬、一种包括该腔室内衬的工艺腔室和一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种腔室内衬，用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间，包括：

第一围挡部；

过渡连接部，自所述第一围挡部向所述工艺空间内侧弯折延伸形成所述过渡连接部；

第二围挡部，自所述过渡连接部向背离所述第一围挡部的方向弯折延伸形成所述第二围挡部；

所述第一围挡部、所述过渡连接部和所述第二围挡部共同形成所述工艺空间；

所述过渡连接部上设置有第一收容结构，所述第一收容结构用于收容所述工艺腔室内产生的颗粒杂质。

优选地，所述第二围挡部包括：

与所述过渡连接部连接的侧壁；

自所述侧壁向所述工艺空间内侧弯折延伸形成的底壁；其中，

所述底壁上设置有第二收容结构，所述第二收容结构用于收容所述工艺腔室内产生的颗粒杂质；和/或，

所述底壁上设置有导气结构，所述导气结构用于降低进入所述工艺腔室内的工艺气体的流速。

优选地，所述过渡连接部包括朝向所述第一围挡部的第一顶面以及朝向所述第二围挡部的第一底面，所述第一收容结构包括自所述第一顶面向所述第一底面凹陷且未贯穿所述第一底面的凹槽。

优选地，所述凹槽的纵截面呈弧形结构。

优选地，所述弧形结构满足下述关系式：

0°≤a≤45°；

15°≤b≤75°；

2mm≤c≤5mm；

其中，a为所述弧形结构的远离所述工艺空间一侧的第一侧边与所述工艺腔室的竖直轴线的夹角；b为所述弧形结构的靠近所述工艺空间一侧的第二侧边与所述工艺腔室的竖直轴线的夹角；c为所述弧形结构的圆心与所述第一顶面之间的垂直距离。

优选地，所述底壁包括朝向所述过渡连接部的第二顶面以及背离所述过渡连接部的第二底面；

所述第二顶面为自所述底壁与所述侧壁连接的位置处向所述过渡连接部的方向倾斜的倾斜面，以形成所述第二收容结构；和/或，

所述第二底面为自所述底壁与所述侧壁连接的位置处向所述过渡连接部的方向倾斜的倾斜面，以形成所述导气结构。

优选地，所述第二顶面满足下述关系式：

15°≤e≤80°；

其中，e为所述第二顶面与所述工艺腔室的竖直轴线的夹角；和/或，

所述第二底面满足下述关系式：

5°≤f≤25°；

其中，f为所述第二底面与水平方向的夹角。

优选地，还包括：

自所述第一围挡部或所述过渡连接部向所述工艺空间外侧凸出的凸出部，所述凸出部上设置有诱电线圈槽，所述诱电线圈槽用于容纳诱电线圈，以将所述腔室内衬上的电荷导出。

本发明的第二方面，提供了一种工艺腔室，包括：

腔室本体；

位于腔室本体内的第一腔室内衬，所述第一腔室内衬为前文记载的所述的腔室内衬。

优选地，还包括：

靶材，位于所述腔室本体的顶部；

所述第一围挡部位于所述腔室本体的顶部，且与所述靶材的外圆周之间具有预定间隔；

所述第二围挡部位于所述腔室本体底部。

优选地，还包括：

第二腔室内衬，套设在所述第一腔室内衬的外侧，且所述第二腔室内衬上设置有进气孔；

所述第二腔室内衬与所述第一腔室内衬之间能形成与所述进气孔连通的导气通道。

本发明的第三方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的所述的工艺腔室。

本发明的腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。通过在过渡连接部上设置第一收容结构，其能够收集颗粒杂质，因此，当将该结构的腔室内衬应用于工艺腔室内时，该腔室内衬能够有效收集从第一围挡部和靶材脱落的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室中的硅片表面，进而能够提高硅片的工艺良率，降低制作成本。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为现有技术中工艺腔室的结构示意图；

图2为图1中所示工艺腔室的局部示意图；

图3为本发明第一实施例中腔室内衬的结构示意图；

图4为图3中所示腔室内衬的剖视图；

图5为图4中所示腔室内衬的局部示意图；

图6为本发明第二实施例中工艺腔室的结构示意图；

图7为图6中所示工艺腔室的局部示意图。

附图标记说明

100：腔室内衬；

110：第一围挡部；

120：过渡连接部；

121：第一收容结构；

122：第一顶面；

123：第一底面；

130：第二围挡部；

131：侧壁；

132：底壁；

132a：第二顶面；

132b：第二底面；

133：第二收容结构；

134：导气结构；

140：凸出部；

141：诱电线圈槽；

200：工艺腔室；

210：腔室本体；

220：第一腔室内衬；

230：基座；

240：靶材；

250：第二腔室内衬；

251：进气孔；

300：硅片。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

如图3、图4和图5所示，本发明的第一方面，涉及一种腔室内衬100，其可以用于在下述的工艺腔室200内形成限制等离子体分布的工艺空间S，也就是说，该腔室内衬100将工艺腔室200在工艺阶段所产生的等离子体限定在工艺空间S内，防止等离子体泄露到工艺腔室200外部，能够提高工艺腔室200的工艺速率以及工艺良率。

其中，上述腔室内衬100包括第一围挡部110、自该第一围挡部110向工艺空间S内侧弯折延伸形成的过渡连接部120以及自该过渡连接部120向背离第一围挡部110的方向弯折延伸形成的第二围挡部130。

上述第一围挡部110、过渡连接部120和第二围挡部130共同形成工艺空间S。

其中，上述过渡连接部120上设置有第一收容结构121，该第一收容结构121用于收容工艺腔室200内产生的颗粒杂质。

具体地，当将上述结构的腔室内衬100应用于下述的工艺腔室200时，如图6和图7所示，可以将第一围挡部110设置在靠近工艺腔室200的顶部位置处(例如，与位于工艺腔室200顶部的靶材240的外圆周相对间隔设置，具有预定间隔d)，第二围挡部130设置在靠近工艺腔室200的底部位置处。这样，从第一围挡部110和靶材脱落的颗粒杂质会落在第一收容结构121上。

因此，本实施例结构的腔室内衬100，通过在过渡连接部120上设置第一收容结构121，其能够有效收集从第一围挡部110和靶材脱落的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室200中的硅片300的表面，进而能够提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

需要说明的是，对于第一收容结构121的具体结构并没有作出限定，其只要能够满足收容第一围挡部110和靶材所脱落的颗粒杂质即可。例如，该第一收容结构121可以是槽结构，孔结构等等。

优选地，如图4所示，上述第二围挡部130包括与过渡连接部120连接的侧壁131、自侧壁131向工艺空间S内侧弯折延伸形成的底壁132。

其中，底壁132上设置有第二收容结构133，该第二收容结构133用于收容工艺腔室200内产生的颗粒杂质。

具体地，当将上述结构的腔室内衬100应用于下述的工艺腔室200时，该腔室内衬100在工艺腔室200的设置方式可以参考前文相关记载。如前记载，第一收容结构121可以有效收集从第一围挡部110和靶材脱落的颗粒杂质，但是，不可避免地有部分颗粒杂质会脱离该第一收容结构121(例如，第一收容结构121内所容纳的颗粒杂质已饱和，或者因为其他原因导致落在其内的颗粒杂质与其发生脱离)。这样，通过所设置的第二收容结构133，可以进一步收集该部分颗粒杂质。

因此，本实施例结构的腔室内衬100，通过在第二围挡部130上设置第二收容结构133，其能够有效收集从第一围挡部110和靶材脱落的颗粒杂质或者从第一收容结构121所脱落的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室200中的硅片300的表面，进而能够提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

优选地，如图4和图5所示，上述底壁132上还设置有导气结构134，该导气结构134用于降低进入工艺腔室200内的工艺气体的流速。

当将上述结构的腔室内衬100应用于下述的工艺腔室200时，该腔室内衬100在工艺腔室200的设置方式可以参考前文相关记载。为了提高屏蔽效果，如图6和图7所示，该工艺腔室200还包括第二腔室内衬250，该第二腔室内衬250的具体结构以及设置位置可以参考下文相关记载，在此先不作具体描述。

具体地，工艺气体通过第二腔室内衬250圆周方向的进气孔251进入到第二腔室内衬250与该结构的腔室内衬100之间，填充满该区域后往下通过两个腔室内衬底部的间隙进入到工艺空间内，从而为工艺腔室200提供所需要的工艺气体。

这样，如果工艺气体的流速过大，其会吹起沉积和掉落在第二腔室内衬250底部的颗粒杂质，导致该部分颗粒杂质进入到工艺腔室200内。

基于上述情况，本发明的发明人在底壁132上设置了导气结构134，其能够提前增大气流通道，从而能够降低工艺气体的流速，这样，可以避免工艺气体吹起沉积和掉落在第二腔室内衬250底部的颗粒杂质，进而能够减少落到工艺腔室200中的硅片300的表面的颗粒杂质数量，提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

应当理解的是，上述第二收容结构133和导气结构134可以根据实际需要作出具体选择，例如，可以仅仅在底壁132上设置有第二收容结构133，或者，也可以仅仅在底壁132上设置有导气结构134，再或者，可以在底壁132上同时设置有第二收容结构133和导气结构134等。

优选地，如图3和图4所示，作为上述过渡连接部120的一种具体结构，上述过渡连接部120包括朝向第一围挡部110的第一顶面122以及朝向第二围挡部130的第一底面123。其中，上述第一收容结构121包括自第一顶面122向第一底面123凹陷且未贯穿第一底面123的凹槽。

本实施例结构的腔室内衬100，通过在过渡连接部120上设置凹槽结构形成第一收容结构121，结构简单，可以降低腔室内衬100的制作成本。同时，该结构的第一收容结构121，能够有效收集从第一围挡部110和靶材脱落的颗粒杂质，从而能够进一步避免该些颗粒杂质落到工艺腔室200中的硅片300的表面，进而能够提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

需要说明的是，对于凹槽的具体形状并没有作出限定，例如，凹槽的截面可以呈方形、圆形、椭圆形、弧形、V型等规则形状或者其他不规则的形状。

优选地，如图4所示，为了更好地收集从第一围挡部110和靶材脱落的颗粒杂质，上述凹槽的纵截面可以呈弧形结构。

优选地，如图5所示，为了更好地收集从第一围挡部110和靶材脱落的颗粒杂质，本发明的发明人多次对上述弧形结构进行设计修改和试验，终于发现，当上述弧形结构满足下述关系式时，其收集颗粒杂质的效果更好，具体地如下所示：

0°≤a≤45° (1)

15°≤b≤75° (2)

2mm≤c≤5mm (3)

其中，a为弧形结构的远离工艺空间一侧的第一侧边与工艺腔室的竖直轴线的夹角。b为弧形结构的靠近工艺空间一侧的第二侧边与工艺腔室的竖直轴线的夹角。c为弧形结构的圆心与第一顶面之间的垂直距离。

作为一组更优选地取值，上述a可以为5°，b可以为30°，c可以为3mm。

优选地，如图4和图5所示，作为上述第二围挡部130的一种具体结构，其底壁132包括朝向过渡连接部120的第二顶面132a以及背离过渡连接部120的第二底面132b。

其中，第二顶面132a为自底壁132与侧壁131连接的位置处向过渡连接部120的方向倾斜的倾斜面，以形成第二收容结构133。

第二底面132b为自底壁132与侧壁131连接的位置处向过渡连接部120的方向倾斜的倾斜面，以形成导气结构134。

本实施例结构的腔室内衬100，倾斜的第二顶面132a形成了第二收容结构133。倾斜的第二底面132b形成了导气结构134。因此，第二收容结构133和导气结构134的结构简单，能够有效降低腔室内衬100的制作成本。同时，还能够进一步有效避免颗粒杂质落到工艺腔室200中的硅片300的表面，从而能够提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

优选地，如图4和图5所示，为了更好地避免颗粒杂质落到硅片300的表面，本发明的发明人多次对上述第二顶面132a和第二底面132b进行设计修改和试验，终于发现，当上述第二顶面132a和第二底面132b满足下述关系式时，其避免颗粒杂质落到硅片表面的效果更好，具体地如下所示：

第二顶面132a满足下述关系式：

15°≤e≤80° (4)

其中，e为第二顶面132a与工艺腔室的竖直轴线的夹角。

第二底面132b满足下述关系式：

5°≤f≤25° (5)

其中，f为第二底面132b与水平方向的夹角。

作为一组更优选地取值，上述e可以为75°，f可以为15°。

优选地，如图3和图4所示，上述腔室内衬100还包括自第一围挡部110或过渡连接部120向工艺空间外侧凸出的凸出部140。其中，该凸出部140上设置有诱电线圈槽141，该诱电线圈槽141用于容纳诱电线圈(图中并未示出)，以将腔室内衬100上的电荷导出。从而可以减少甚至避免打火现象发生，进而可以提高工艺良率，降低制作成本。

应当理解的是，可以在凸出部140上设置有一个诱电线圈槽141，还可以沿凸出部140的周向设置多个诱电线圈槽141，这样，可以及时地将腔室内衬100的电荷导走。

本发明的第二方面，如图6和图7所示，提供了一种工艺腔室200，包括腔室本体210、位于腔室本体210内的第一腔室内衬220和用于承载硅片300的基座230。其中，该第一腔室内衬220为前文记载的腔室内衬100。

本实施例结构的工艺腔室200，其第一腔室内衬220为具有前文记载的腔室内衬100的结构，其通过在过渡连接部120上设置第一收容结构121，能够有效收集从第一围挡部110脱落的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到基座230上所承载的硅片300的表面，进而能够提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

优选地，如图6和图7所示，上述工艺腔室200还包括靶材240，其位于腔室本体210的顶部。

其中，上述第一围挡部110位于腔室本体210的顶部，且与靶材240的外圆周之间具有预定间隔d。第二围挡部130位于腔室本体210底部。

这样，第一收容结构121能够有效收集从第一围挡部110和靶材240脱落的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到基座230上所承载的硅片300的表面，进而能够提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

优选地，如图6和图7所示，上述工艺腔室200还包括第二腔室内衬250。其中，该第二腔室内衬250套设在第一腔室内衬220的外侧，该第二腔室内衬250上设置有进气孔251。并且，该第二腔室内衬250与第一腔室内衬220之间能形成与进气孔251连通的导气通道(图中未标号)。

具体地，工艺气体通过第二腔室内衬250圆周方向的进气孔251进入到第二腔室内衬250与第一腔室内衬220之间，填充满该区域后往下通过两个腔室内衬底部的间隙进入到工艺空间内，从而为腔室本体210提供所需要的工艺气体。

这样，当第一腔室内衬220包括上述的导气结构134时，其能够提前增大气流通道，从而能够降低工艺气体的流速，这样，可以避免工艺气体吹起沉积和掉落在第二腔室内衬250底部的颗粒杂质，进而能够减少落到基座230中的硅片300表面的颗粒杂质数量，提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

本发明的第三方面，提供了一种半导体处理设备(图中并未示出)，包括前文记载的的工艺腔室200。

本实施例结构的半导体处理设备，具有前文记载的工艺腔室200，该工艺腔室200又包括前文记载的腔室内衬100，其通过在过渡连接部120上设置第一收容结构121，能够有效收集从第一围挡部110和靶材240脱落的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到基座230上所承载的硅片300的表面，进而能够提高硅片300的工艺良率，降低制作成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种腔室内衬，用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间，其特征在于，包括：

第一围挡部；

过渡连接部，自所述第一围挡部向所述工艺空间内侧弯折延伸形成所述过渡连接部；

第二围挡部，自所述过渡连接部向背离所述第一围挡部的方向弯折延伸形成所述第二围挡部；

所述第一围挡部、所述过渡连接部和所述第二围挡部共同形成所述工艺空间；

所述过渡连接部上设置有第一收容结构，所述第一收容结构用于收容所述工艺腔室内产生的颗粒杂质。

2.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述第二围挡部包括：

与所述过渡连接部连接的侧壁；

自所述侧壁向所述工艺空间内侧弯折延伸形成的底壁；其中，

所述底壁上设置有第二收容结构，所述第二收容结构用于收容所述工艺腔室内产生的颗粒杂质；和/或，

所述底壁上设置有导气结构，所述导气结构用于降低进入所述工艺腔室内的工艺气体的流速。

3.根据权利要求2所述的腔室内衬，其特征在于，所述过渡连接部包括朝向所述第一围挡部的第一顶面以及朝向所述第二围挡部的第一底面，所述第一收容结构包括自所述第一顶面向所述第一底面凹陷且未贯穿所述第一底面的凹槽。

4.根据权利要求3所述的腔室内衬，其特征在于，所述凹槽的纵截面呈弧形结构。

5.根据权利要求4所述的腔室内衬，其特征在于，所述弧形结构满足下述关系式：

0 °≤a≤45°；

15°≤b≤75°；

2mm≤c≤5mm；

其中，a为所述弧形结构的远离所述工艺空间一侧的第一侧边与所述工艺腔室的竖直轴线的夹角；b为所述弧形结构的靠近所述工艺空间一侧的第二侧边与所述工艺腔室的竖直轴线的夹角；c为所述弧形结构的圆心与所述第一顶面之间的垂直距离。

6.根据权利要求2所述的腔室内衬，其特征在于，所述底壁包括朝向所述过渡连接部的第二顶面以及背离所述过渡连接部的第二底面；

所述第二顶面为自所述底壁与所述侧壁连接的位置处向所述过渡连接部的方向倾斜的倾斜面，以形成所述第二收容结构；和/或，

所述第二底面为自所述底壁与所述侧壁连接的位置处向所述过渡连接部的方向倾斜的倾斜面，以形成所述导气结构。

7.根据权利要求6所述的腔室内衬，其特征在于，所述第二顶面满足下述关系式：

15 °≤e≤80°；

其中，e为所述第二顶面与所述工艺腔室的竖直轴线的夹角；和/或，

所述第二底面满足下述关系式：

5 °≤f≤25°；

其中，f为所述第二底面与水平方向的夹角。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的腔室内衬，其特征在于，还包括：

自所述第一围挡部或所述过渡连接部向所述工艺空间外侧凸出的凸出部，所述凸出部上设置有诱电线圈槽，所述诱电线圈槽用于容纳诱电线圈，以将所述腔室内衬上的电荷导出。

9.一种工艺腔室，其特征在于，包括：

腔室本体；

位于腔室本体内的第一腔室内衬，所述第一腔室内衬为权利要求1至8中任意一项所述的腔室内衬。

10.根据权利要求9所述的工艺腔室，其特征在于，还包括：

靶材，位于所述腔室本体的顶部；

所述第一围挡部位于所述腔室本体的顶部，且与所述靶材的外圆周之间具有预定间隔；

所述第二围挡部位于所述腔室本体底部。

11.根据权利要求10所述的工艺腔室，其特征在于，还包括：

第二腔室内衬，套设在所述第一腔室内衬的外侧，且所述第二腔室内衬上设置有进气孔；

所述第二腔室内衬与所述第一腔室内衬之间能形成与所述进气孔连通的导气通道。

12.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求9至11任意一项所述的工艺腔室。

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