JP2001196301A - 液処理装置 - Google Patents

液処理装置

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JP2001196301A
JP2001196301A JP2000326889A JP2000326889A JP2001196301A JP 2001196301 A JP2001196301 A JP 2001196301A JP 2000326889 A JP2000326889 A JP 2000326889A JP 2000326889 A JP2000326889 A JP 2000326889A JP 2001196301 A JP2001196301 A JP 2001196301A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板表面において均一な液処理を行うことので
きる液処理装置を提供する。 【解決手段】フォトレジスト膜が形成されてなるウエハ
Wに現像液を供給し、現像処理を行う現像処理装置であ
って、ウエハWを水平に保持するウエハ保持部3と、こ
のウエハ保持部3の上方に保持され、所定の水平方向に
移動しながらウエハW上に現像液を供給するリニアノズ
ル4と、リニアノズル4から吐出される現像液に吐出抵
抗を与える抵抗バー6とを有する。これにより、リニア
ノズル4を用いるスキャン方式の現像において、特に、
供給する現像液の吐出圧の低い場合であっても、すべて
の吐出孔から均一に現像液を吐出させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレジストが
塗布され、露光処理がされた半導体ウエハ等の基板の表
面に現像液を供給して現像処理を行う液処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板としての半導体ウエハにフォトレジストを塗布
し、露光処理によりマスクパターンをフォトレジストに
転写し、これを現像処理することにより回路パターンを
形成する。
【0003】ここで、現像処理工程においては、現像液
をノズルから半導体ウエハに連続的に供給し、パターン
形成面に現像液を所定時間だけ液盛りして接触させるこ
とにより塗布レジスト膜の潜像パターンを現像するいわ
ゆるパドル方式が一般的に採用されている。
【0004】パドル方式としては、多数の液吐出孔を一
直線上に所定の間隔で配列してなるいわゆるリニアノズ
ルを用いるものが現在の主流である。このようなリニア
ノズルを用いる現像方式としては、(1)リニアノズル
から現像液を吐出しつつウエハを180度回転させるこ
とでウエハ上に液盛りを行う「回転方式」と、(2)ウ
エハを回転させず、リニアノズルをウエハに対して一方
向に平行に移動させることで液盛りを行う「スキャン方
式」とに大きく分けられる。
【0005】前者の回転方式は、近時の現像液の消費量
を節減しかつ短時間でかつ均一に液盛りするという要求
から考案されたものである。しかしながら、この回転方
式であると、レジストの種類によっては、回転中心であ
るウエハの中央部付近のチップが不良品になってしまう
ということがある。
【0006】すなわち、回転方式においては、ノズルを
固定した状態でウエハを180度回転させることでウエ
ハ全体に亘って現像液の液盛りを行うが、このような方
法であるとウエハの中央部付近にのみ常に新鮮な現像液
が供給されることになるため、周辺部分と比較してこの
部位のみ過度に現像が進んでしまうことが考えられる。
最近の回路パターンの微細化及び高密度化に伴い、レジ
ストがより高性能つまり高解像度化され、従来では無視
されていたような問題がクローズアップされており、例
えば、化学増幅型レジスト(CAR)を用いた場合に
は、この現像が顕著に現われ、所望の解像度を得ること
ができないということがある。
【0007】一方、スキャン方式によれば、上記回転方
式に比べ液盛りに若干時間がかかるものの、前述のよう
な問題が生じないため、近年有望視されている。
【0008】ところで、スキャン現像方式においては、
前述したリニアノズルを用い、このリニアノズルの吐出
孔とウエハの表面とを近接させ多数の吐出孔から同時に
現像液を吐出する。そして、リニアノズルを水平方向に
平行に移動(スキャン移動)させることでウエハ上に現
像液膜を形成するようにしている。
【0009】ここで、前記リニアノズルは、内部に設け
られた液溜部内に現像液を溜めた後、この液溜部を加圧
することで、前記多数の吐出孔を通して現像液を吐出す
るように構成されている。この場合、各吐出孔からすだ
れ状に供給された現像液は、ウエハの面上で幾分広がっ
て隣りの液流同士が合体し、カーテン状もしくは膜状と
なってウエハ上に供給されることになる。そして、現像
液の吐出速度に合わせて前記リニアノズルを移動させる
ことで、前記膜状の液流を、ウエハ上に載せていくこと
ができる。
【0010】このような現像方式において重要なこと
は、すべての吐出孔から、現像液が均等に吐出され、均
一な厚さの膜状液流が形成されることである。しかし、
吐出開始直後においては、これが不均一になりやすいと
いうことがある。また、特に、ウエハに塗布するレジス
トの種類によっては、レジストに対するインパクトの影
響等を小さくするために、現像液の吐出量を少なくかつ
吐出速度を遅くする必要がある。この場合には、さらに
均一な厚さの膜状液流を形成することが困難になる。
【0011】一方、ウエハの直径に対応する長さを有す
るスリット状の吐出孔を備えたリニアノズルがある。こ
のノズルは一般にスリットノズルと称されるものである
が、このようなスリットノズルにおいては、吐出圧のむ
らが生じやすく、さらに、均一厚さの膜状液流を形成す
ることが困難であるということがある。
【0012】また、このような方式では、供給ノズル
を、当該ノズルの先端がウエハ上に供給された現像液と
接触する状態で移動させるので、疎水性材料により構成
された供給ノズルを用いると、現像液がノズルの表面で
弾かれてしまい、現像液を均一な状態で基板表面に供給
しにくくなって、現像ムラが発生しやすいという問題が
ある。
【0013】また親水性材料により構成された供給ノズ
ルを用いた場合では、例えば50mm/秒程度のゆっく
りしたスキャンスピードでは、供給ノズルを移動させる
ときに現像液が押し出される状態となり、ノズルの進行
方向に対する先行位置に現像液が回り込んでしまう。こ
のように現像が供給ノズルより先回りすると、この部分
の現像が進んでしまい、次にこの部分に供給ノズルが移
動して当該部分に現像液が供給されると、2回現像が行
われた状態と同じになり、他の部分よりも現像が進みす
ぎて、線幅が不均一になってしまう。
【0014】ここでウエハWの全体に亘って現像液の先
回り現像が生じ、何れの箇所も2回現像が行われる状態
となれば現像ムラの発生は抑えられるが、実際には現像
液が先回りする箇所としない箇所とが発生し、結局現像
ムラが生じて線幅が不均一になってしまうという状態で
ある。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、リニ
アノズル若しくはスリットノズルを用いるスキャン方式
の現像において、例えば供給する現像液の吐出圧が低い
場合であっても、全ての吐出孔から均一に現像液を吐出
させることのできる液処理装置を提供することにある。
【0016】本発明の目的は、基板表面において均一な
液処理を行うことのできる液処理装置を提供することに
ある。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の主要な観点によれば、基板に液を供給
し、所定の処理を行う液処理装置であって、前記基板を
水平に保持する基板保持機構と、前記基板保持機構の上
方に保持され、所定の水平方向に移動しながら前記基板
上に前記液を供給する液供給ノズルと、前記液供給ノズ
ルの進行方向に沿う前記基板の手前側に配置され、前記
ノズルから吐出される前記液に吐出抵抗を与える吐出抵
抗付与手段とを具備することを特徴とする液処理装置が
提供される。
【0018】このような構成によれば、液供給ノズルか
ら吐出される液に吐出抵抗を与えることで、液の吐出状
態をノズルの全幅に亘って均一に調整することが可能に
なる。また、液に吐出抵抗を与えることで、吐出直後の
液が広がるから膜状の現像液流を形成することが容易に
なる。ここで、液の一例としては例えば現像液が挙げら
れ、本発明を現像液処理装置に適用できることが確認さ
れる。
【0019】ここで、1の実施形態によれば、前記吐出
抵抗付与手段は、前記現像液供給ノズルの、現像液吐出
開始位置に設けられている。このような構成によれば、
吐出開始直後に吐出圧を高めて吐出状態の均一化を図る
ことが可能になる。
【0020】また、他の1の実施形態によれば、前記現
像液供給ノズルは、前記基板の幅に対応する範囲に亘っ
て設けられた現像液吐出孔を有するものである。この場
合、前記現像液供給ノズルの現像液吐出孔は、前記基板
の幅に対応する範囲に亘って並設設けられた複数の吐出
孔からなるものであっても良いし、前記基板の幅に対応
する範囲に亘って設けられたスリット状の吐出孔からな
るものであっても良い。
【0021】1の実施形態によれば、前記吐出抵抗付与
手段は、前記現像液供給ノズルの下面に近接して設けら
れ、前記現像液供給ノズルの吐出孔の幅よりも若干大き
い幅を有する板材若しくは棒材である。
【0022】さらなる他の1の実施形態によれば、前記
吐出抵抗付与手段は、前記現像液供給ノズルの下面に近
接して設けられ、現像液を排出できる排出路を有する板
材である。この排出路は、例えば板材を貫通するように
設けられた複数の液排出孔から構成される。
【0023】また、他の1の実施形態によれば、前記吐
出抵抗付与手段は、前記現像液供給ノズルの下面に対向
して設けられ、吐出される現像液に対して気流を吹き付
ける気流吹き付け手段である。
【0024】また、本発明の別の観点によれば、基板に
液を供給し、所定の処理を行う液処理装置であって、前
記基板を水平に保持する基板保持機構と、前記基板保持
機構の上方に保持され、所定の水平方向に移動しながら
前記基板上に前記液を供給する液供給ノズルとを具備
し、前記液供給ノズルは、内部に設けられたバッファ室
を介して吐出孔から前記液が吐出するように構成され、
かつ前記バッファ室内に前記液に吐出抵抗を付与する吐
出抵抗付与手段が配置されていることを特徴とする液処
理装置が提供される。
【0025】このような構成によれば、液が基板上に供
給される際のインパクトを低減することができる。
【0026】他の1の実施形態によれば、バッファ室内
の内壁に前記液を前記吐出孔に案内する案内溝が設けら
れ、あるいは吐出抵抗付与手段の表面に前記液を前記吐
出孔に案内する案内溝が設けられている。これにより、
液はこれら案内溝により案内されて液供給ノズルから確
実に、液切れがするようなことなく吐出させることがで
きる。他の1の実施形態によれば、案内溝はスパイラル
状に設けられている。
【0027】また、他の1の実施形態によれば、吐出抵
抗付与手段を構成する部材は、前記液と接触する部位が
親水性である。これにより、液が吐出抵抗付与手段の全
体に確実に広がることができる。
【0028】また、他の1の実施形態によれば、液供給
ノズルは、前記基板の幅に対応する範囲に亘って設けら
れた液吐出孔を有し、前記吐出抵抗付与手段は、前記複
数の液吐出孔に沿って設けられた棒材である。これによ
り、液供給ノズルが基板の幅に対応する範囲に亘って広
い範囲に液吐出孔を有していても、棒材からなる吐出抵
抗付与手段の作用により液が棒材の軸方向に広がろうと
するので、ノズルの長手方向における液の吐出量をより
均一にすることができる。
【0029】本発明に係る液処理装置は、基板を略水平
に保持する基板保持部と、この基板保持部に保持された
基板の表面に処理液を供給するための、基板の有効領域
の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出孔が形成
され、基板と相対的に移動可能に設けられた供給ノズル
と、を備え、前記供給ノズルは、前記吐出孔を構成する
部材の先端を基板表面に供給された処理液と接触させな
がら基板と相対的に移動して基板表面に処理液を供給す
るように構成され、前記吐出孔を構成する部材は、供給
ノズルの進行方向に対する前方側でかつ基板表面の処理
液と接触する部位が疎水性であることを特徴とする。
【0030】このような構成では、供給ノズルから基板
表面に処理液を供給する際に、基板表面の処理液が供給
ノズルの進行方向に対する先行位置に先回りしようとし
ても、処理液は、前記吐出孔を構成する部材の進行方向
に沿って前方側に接触すると、当該部材の疎水性表面で
弾かれるので、前記処理液の先回り現象の発生を抑える
ことができる。
【0031】また本発明では、前記供給ノズルの吐出孔
を構成する部材の、供給ノズルの進行方向に対する前記
疎水性部位の後方側であって基板表面の処理液を接触す
る部位を親水性としてもよく、この場合には当該部位へ
の処理液の付着力が大きいので、より処理液の先回りを
抑えることができる。
【0032】ここで疎水性とは、当該疎水性部位の表面
張力が前記供給ノズルの吐出孔を構成する部材の材質の
本来の表面張力よりも小さいということであり、親水性
とは、当該親水性部位の表面張力が前記供給ノズルの吐
出孔を構成する部材の材質の本来の表面張力よりも大き
いということである。
【0033】さらに本発明では、基板を略水平に保持す
る基板保持部と、この基板保持部に保持された基板の表
面に処理液を供給するための、基板の有効領域の幅とほ
ぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出孔が形成され、基
板と相対的に移動可能に設けられた供給ノズルと、を備
え、前記供給ノズルは、供給ノズルの進行方向に対する
前方側に、前記吐出孔を構成する部材に連続するよう
に、吐出孔から吐出された処理液を基板の表面に案内す
るためのガイドが設けられていることを特徴とする。
【0034】本発明の1の実施形態によれば、ガイドに
は、前記供給ノズルから供給される液の流路を、前記供
給ノズルの前記基板に対する相対的な移動方向とは逆方
向に案内する液案内部材が設けられている。またこの際
前記ガイドの先端を、前記吐出孔よりも供給ノズルの進
行方向に対する後方側に位置するように湾曲するように
してもよい。
【0035】このような構成では、供給ノズルにて基板
表面に処理液を供給する際に、基板表面の処理液が供給
ノズルの進行方向に対する先行位置に先回りしようとし
ても、処理液は、ガイドより先行する位置への進行をガ
イドにより阻止されるので、前記処理液の先回り現象の
発生を抑えることができる。
【0036】さらに本発明では、基板を略水平に保持す
る基板保持部と、この基板保持部に保持された基板の表
面に処理液を供給するための、基板の有効領域の幅とほ
ぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出孔が形成され、基
板と相対的に移動可能に設けられた供給ノズルと、を備
え、前記供給ノズルの液の吐出方向は、前記基板表面に
対して垂直な方向よりも、前記供給ノズルの前記基板に
対する相対的な移動方向とは逆方向に傾けて設定されて
なることを特徴とする液処理装置が提供される。
【0037】このような構成によれば、供給ノズルの進
行方向とは逆方向に液が吐出されるため、現像液の先回
りを抑制することができる。
【0038】本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と
利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認
することができる。
【0039】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を図面
を参照して説明する。
【0040】図1は一実施形態に係る現像処理装置1を
示す概略構成図であり、図2は平面図である。
【0041】図1に示すように、この現像処理装置1
は、アウターカップ2と、このアウターカップ2内に設
けられ被処理基板としてのウエハW(レジスト液が塗布
され露光処理されたウエハ)を保持するウエハ保持部3
と、リニアノズル4をスキャン駆動し前記ウエハW上に
処理液としての現像液を供給する現像液供給部5と、前
記アウターカップ2内に設けられ前記リニアノズル4か
ら吐出される現像液に抵抗を与えるための抵抗バー6
と、現像後のウエハWをリンス処理するためのリンスノ
ズル7を備えたリンス液供給部8と、これら各機構を制
御する制御部9とを有する。
【0042】前記アウターカップ2の上端開口は、図2
に示すように、例えば矩形状に形成されている。また、
前記ウエハ保持部3は、図1に示すように、ウエハWを
吸着保持するスピンチャック10と、このスピンチャッ
ク10を回転駆動すると共に昇降駆動するスピンチャッ
ク駆動機構11とを備えている。このウエハ保持部3
は、現像液供給部5によって供給された現像液をリンス
除去する際にウエハWを高速で回転させ、遠心力により
現像液を振り切る機能を有する。ウエハWの縁部から振
り切られた現像液は、前記アウターカップ2により受け
止められ、このカップ2の下端部に設けられた図示しな
い排液路から外部に排出されるようになっている。
【0043】一方、現像液供給部5は、前記リニアノズ
ル4を保持する例えばエアシリンダ等の上下駆動機構1
3と、この上下駆動機構13を例えばX方向に沿って設
けられたレールに沿ってスキャン駆動するX方向リニア
ガイド機構12とを有する。この現像液供給部5は、前
記リニアノズル4を図に実線で示す待機部14(HOM
E)から上下に駆動しかつ、X方向に移動させること
で、前記アウターカップ2内のBIGIN位置に位置さ
せる。そして、前記X方向リニアガイド機構12を作動
させることで、前記リニアノズル4をウエハWの表面に
沿って図にENDで示す位置までX方向にスキャン駆動
する。
【0044】図3は、前記リニアノズル4のみを示す概
略構成図である。このリニアノズル4は、前記ウエハW
の直径よりも若干長い幅の本体を有し、その下面には複
数の現像液吐出孔15が例えば2mmピッチで穿設され
ている。このノズル4内には図示しない液溜めが設けら
れており、図に16a,16bで示す供給配管から供給
された現像液は、この液溜めに一旦貯留された後、前記
吐出孔15から略均一な圧力で吐出されることになる。
【0045】ここで、このリニアノズル4は、図3に示
す供給系17に接続されている。この供給系17では、
現像液の入った現像液タンク18に不活性ガス、例えば
2ガスが吹き込まれ、このガス圧により現像液がフィ
ルタ19、液量コントローラ20、開閉弁21及び供給
管22を通じてリニアノズル4に送られるようになって
いる。
【0046】現像液の供給−停止は、各開閉弁21によ
って行われるようになっており、この開閉弁21は前記
制御部9によって制御されるようになっている。また、
前記液量コントローラ20も、前記制御部9に接続され
ている。吐出圧制御手段としての液量コントローラ20
は、制御部9からの制御信号に基づいて吐出孔15から
吐出される現像液の吐出圧を制御することができる。ま
た、吐出圧は、開閉弁21の調節によって、あるいは現
像液タンク18に吹き込まれる不活性ガスの吹き込み圧
の調整によって制御してもよい。
【0047】一方、図1に示すように、前記アウターカ
ップ2内には、リニアノズル4から吐出される現像液流
に対して所定の吐出抵抗を与えるための例えばテフロン
(登録商標)樹脂製の抵抗バー6が設けられている。こ
の抵抗バー6は、前記リニアノズル4のスキャンスター
ト位置、すなわち、BIGIN位置に対応して設けられ
ている。この抵抗バー6は、図4(a)に示すように、
前記リニアノズル4の下面と所定の隙間Gを存して対向
配置されることで、このリニアノズル4の各吐出孔15
を通じて吐出される現像液に吐出抵抗を与える。このこ
とで、前記リニアノズル4内の液溜部内の圧力を一時的
に上昇させ、通常より高い圧力が各吐出孔15から吐出
される現像液に印加されるようにする。
【0048】従って、この抵抗バー6と前記リニアノズ
ル4の間の隙間Gは、このように圧力を上昇させること
のできる寸法として規定される。この実施形態では、隙
間Gは、3mmに設定されている。また、この抵抗バー
6からウエハWまでの距離は、前記リニアノズル4がB
IGIN位置から起動され前記ウエハWに達する時点で
所定の一定速度になるための加速距離を考慮して決定さ
れる。この実施形態では、0〜25mm以内に配置され
る。
【0049】このことで、例えば、多数の吐出孔15の
うち、何らかの原因でいくつかの吐出孔15から現像液
が吐出されていない場合であっても、液溜め部内の圧力
を一時的に上昇させ全ての吐出孔15から現像液を吐出
することができる。
【0050】一方、図1に示すように、前記リンス液供
給部8は、前記リンスノズル7を保持する上下駆動機構
35と、この上下駆動機構35をX方向に駆動するX方
向リニアガイド機構34とを有する。このリンスノズル
7は、前記リニアノズル4の待機部14と前記アウター
カップ2を挟んだ逆側の位置に配置されている。前記リ
ニアノズル7は、図示しないリンス液タンクに接続され
ており、このリンス液タンク内のリンス液を不活性ガス
例えばN2 ガスで加圧することにより、リンス液を吐出
できるようになっている。
【0051】前記リンス液供給部8は、前記制御部9に
接続されており、この制御部9の指令によって前記リン
スノズル7を前記ウエハWの中央部に対向位置決めし、
このウエハW上にリンス液を噴射するようになってい
る。
【0052】次に、この装置の動作について、図5のフ
ローチャートを参照して説明する。
【0053】まず、前記ウエハWがこの現像処理装置に
ロードされる(ステップS1)。すなわち、スピンチャ
ック10がアウターカップ2の上方まで上昇駆動され、
前工程でレジスト液が塗布され露光処理されたウエハW
が図示しないアームからこのスピンチャック10上に受
け渡され保持される。その後、スピンチャック10が下
降駆動され、ウエハWはアウターカップ2内に収容され
る。
【0054】次に、前記リニアノズル4が、待機部14
(HOME)からZ駆動され、アウターカップ2の上方
に移動される。ついで、下降駆動されることで、リニア
ノズル4を前記カップ2内のBIGIN位置に位置させ
る(ステップS2)。このことで、前記リニアノズル4
の下面は、前記抵抗バー6と約3mm程度の隙間Gを存
して対向する。
【0055】ついで、前記開閉弁21が開かれて前記リ
ニアノズル4の各吐出孔15から現像液が供給開始され
る(ステップS3)。この現像液は、吐出直後に前記抵
抗バー6に衝突し、吐出に対する抵抗力が作用すること
になる。このことで、前記ノズル4内の液溜部が昇圧
し、これにより上述したように、全ての各吐出孔15か
ら現像液が均一に吐出されることになる。
【0056】このことで、現像液をウエハW上に供給す
る場合の現像液の吐出圧が低い場合であっても、吐出開
始当初の吐出圧を一時的に高めることで、全での吐出孔
15から均一に現像液を吐出させることができる。
【0057】しかも、リニアノズル4から吐出された現
像液は、図4(b)に示すように前記抵抗バー6に当た
って広がるから、各吐出孔15からすだれ状に吐出され
た液流同士が接触し、膜状の液流を形成することができ
る。また、このときの表面張力によっても全ての吐出孔
15から均一に現像液を吐出させることができると考え
られる。
【0058】次に、前記X方向リニアガイド機構12が
作動し、このリニアノズル4をX方向にスキャン駆動す
る(ステップS4)。前記リニアノズル4の下方から抵
抗バー6がなくなっても、一旦形成された膜状の液流
は、表面張力により膜状を維持したまま前記ウエハW側
に移動することになる。
【0059】そして、前記リニアノズル4は、図1に矢
印で示す状態でX方向に一定速度例えば5〜20cm/
secのスキャンスピードで、移動しながらウエハW上
に現像液を供給する。このことによって、ノズル4の通
過後には約1mmの均一な現像液膜が形成されていく。
【0060】ついで、前記リニアノズル4がウエハWの
他端側にオーバースキャンしたならば現像液の供給が停
止され、X方向リニアガイド機構12によるX方向のス
キャンも停止される(ステップS5)。以上の現像液供
給工程の間、ウエハWの周縁部から垂れ落ちた余剰の現
像液は前記カップ2に受け止められ、図示しない排出路
から外部に排出されるようになっている。
【0061】リニアノズル4が待機部14に戻されかつ
所定の現像時間が経過したならば、ウエハWのリンス
(現像液の除去)が行われる(ステップS7)。すなわ
ち、前記リンス液供給部8が作動し、前記リンスノズル
7をウエハWの中央部に対向させ、ウエハWの中央部に
リンス液としての純水が供給される。これと同時に前記
スピンチャック駆動機構11が作動することでウエハW
は高速で回転され、ウエハW上の現像液がリンス液と共
に洗い流される。つぎに、純水の供給が停止され、回転
が継続されることで、ウエハWは振り切り乾燥される
(ステップS8)。
【0062】ウエハWの乾燥が終了したならば、ウエハ
Wはこの現像処理装置からアンロードされる(ステップ
S9)。すなわち、前記ウエハWがスピンチャック10
によって上昇駆動され、図示しないアームによって取り
出され、この現像処理装置から排出される。
【0063】以上のような構成によれば、スキャン現像
方式において、現像液の吐出圧が低い場合であっても、
すべての吐出孔から均一な状態で現像液を吐出すること
ができる。
【0064】なお、この実施形態は、このような塗布現
像ユニット以外の装置にも適用可能であることはもちろ
んである。また、その他発明の要旨を変更しない範囲で
種々変形可能である。
【0065】この現像処理装置は、図6〜図8に示す塗
布現像処理システムに適用されることが好ましい。
【0066】図6に示すように、この塗布現像処理シス
テムは、ウエハWが収容されたカセットCRからウエハ
Wを順次取り出すカセット部60と、カセット部60に
よって取り出されたウエハWに対しレジスト液塗布及び
現像のプロセス処理を行うプロセス処理部61と、レジ
スト液が塗布されたウエハWを図示しない露光装置に受
け渡すインタフェース部62とを備えている。
【0067】前記カセット部60には、カセットCRを
位置決め保持するための4つの突起部70aと、この突
起部70aによって保持されたカセットCR内からウエ
ハWを取り出す第1のサブアーム機構71とが設けられ
ている。このサブアーム機構71は、θ方向に回転自在
に構成され、カセットから取り出したウエハWを、前記
プロセス処理部61に設けられたメインアーム機構72
側に受け渡す機能を有する。
【0068】このカセット部60とプロセス処理部61
間でのウエハWの受け渡しは第3の処理ユニット群G3
を介して行われるようになっている。この第3の処理ユ
ニット群G3は、図8に示すように複数のプロセス処理
ユニットを縦形に積み上げて構成したものである。すな
わち、この処理ユニット群G3は、ウエハWを冷却処理
するクーリングユニット(COL)、ウエハWに対する
レジスト液の定着性を高める疎水化処理を行なうアドヒ
ージョンユニット(AD)、ウエハWの位置合わせをす
るアライメントユニット(ALIM)、ウエハWを待機
させておくためのエクステンションユニット(EX
T)、レジスト塗布後の加熱処理を行なう2つのプリベ
ーキングユニット(PREBAKE)、露光処理後の加
熱処理を行なうポストエキスポージャーベーキングユニ
ット(PEBAKE)及びポストベーキングユニット
(POBAKE)が順次下から上へと積み上げて構成さ
れている。
【0069】なお、この図に示すように、前記メインア
ーム機構72を挟んだ前記第3の処理ユニット群G3の
反対側には、第4の処理ユニット群G4が設けられてい
るが、前記第3の処理ユニット群G3と略同様に構成さ
れているので、その詳しい説明は省略する。
【0070】また、図6に示すように、このメインアー
ム機構72の周囲には、前記第3、第4の処理ユニット
群G3、G4を含む第1〜第5の処理ユニット群G1〜
G5がこのメインアーム機構72を囲むように設けられ
ている。前述した第3の処理ユニット群G3、G4と同
様に、他の処理ユニット群G1、G2、G5も各種の処
理ユニットを上下方向に積み上げ的に構成されている。
【0071】この実施形態の現像処理装置(DEV)
は、図7に示すように、前記第1、第2の処理ユニット
群G1、G2に設けられている。この第1、第2の処理
ユニット群G1、G2は、レジスト塗布装置(COT)
と現像処理装置(DEV)とを上下方向に積み上げ構成
したものである。
【0072】一方、前記メインアーム機構72は、図8
に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド79
と、ガイド79に沿って上下駆動されるメインアーム7
8を備えている。また、このメインアーム78は平面方
向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム78を上下方向に駆
動することで、ウエハWを前記各処理ユニット群G1〜
G5の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせるこ
とができるようになっている。
【0073】前記第1のサブアーム機構71からメイン
アーム機構72への前記ウエハWの受け渡しは、前記第
3の処理ユニット群G3の前記エクステンションユニッ
ト(EXT)及びアライメントユニット(ALIM)を
介して行われる。
【0074】ウエハWを受け取ったメインアーム機構7
2は、先ず、このウエハWを第3の処理ユニット群G3
のアドヒージョンユニット(AD)に搬入し、疎水化処
理を行なう。ついで、アドヒージョンユニット(AD)
からウエハWを搬出し、クーリングユニット(COL)
で冷却処理する。
【0075】冷却処理されたウエハWは、前記メインア
ーム機構72によって前記第1の処理ユニット群G1
(若しくは第2の処理ユニット群G2)のレジスト液塗
布装置(COT)に対向位置決めされ、搬入される。こ
のレジスト液塗布装置(COT)によりレジスト液が塗
布されたウエハWは、メインアーム機構72によってア
ンロードされ、第3、第4の処理ユニット群G3、G4
の加熱処理ユニット(PEBAKE)でレジスト溶媒を
蒸発させる加熱処理を施される。
【0076】次に、前記ウエハWはクーリングユニット
(COL)で冷却された後、第4の処理ユニット群G4
のエクステンションユニット(EXT)を介して前記イ
ンタフェース部62に設けられた第2のサブアーム機構
64に受け渡される。
【0077】ウエハWを受け取った第2のサブアーム機
構64は、受け取ったウエハWを順次バッファカセット
(BUCR)内に収納する。その後、図示しない露光装
置より受け取り信号が出されるとバッファカセット(B
UCR)に収納されたウエハを順次サブアーム機構64
により露光装置に受け渡す。この露光装置による露光が
終了したならば、露光済みウエハをサブアーム機構64
で受け取り、周辺露光ユニット(WEE)により、ウエ
ハ周縁部を例えば2mmの幅で周辺露光処理する。
【0078】周辺露光処理された後のウエハWは、前記
とは逆に第4の処理ユニット群G4を介してメインアー
ム機構72に受け渡され、このメインアーム機構72
は、この露光後のウエハWをポストエキスポージャーベ
ーキングユニット(PEBAKE)に受け渡す。このこ
とで、前記ウエハWは加熱処理され、その後、クーリン
グユニット(COL)にて所定の温度に冷却処理され
る。
【0079】ついで、ウエハWは、メインアーム機構7
2により、この実施形態の現像装置(DEV)に挿入さ
れ、現像処理が施される。現像処理後のウエハWは、い
ずれかのベーキングユニットに搬送され、加熱乾燥した
後、この第3の処理ユニット群G3のエクステンション
ユニット(EXT)を介してカセット部60に排出され
る。
【0080】なお、前記第5の処理ユニット群G5は、
選択的に設けられるもので、この例では前記第4の処理
ユニット群G4と同様に構成されている。また、この第
5の処理ユニット群G5はレール65によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構72及び前記第1〜
第4の処理ユニット群G1〜G4に対するメンテナンス
処理を容易に行ない得るようになっている。
【0081】この発明の現像処理装置を、図6〜図8に
示した冷却現像ユニットに適用した場合、複数のウエハ
の並行処理が容易に行なえるから、ウエハWの塗布現像
処理工程を非常に効率的に行なうことができる。また、
各処理ユニットが上下に積上げ式に構成されているから
装置の設置面積を著しく減少させることができる。
【0082】なお、この発明は上記一実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々
変形可能である。
【0083】例えば、上記一実施形態では、前記リニア
ノズル4は、複数の円形吐出孔15を有するものであっ
たが、図9に示すように、一本(若しくは数本)のスリ
ット状の吐出孔90を有するノズル4′であっても良
い。
【0084】さらに、上記一実施形態では、抵抗バー6
を使用して吐出抵抗を与えていたが、これに限定される
ものではなく、吐出に対して抵抗を与えることのできる
手段であれば良い。例えば、図10(a)に示すように
2 ノズルを通したN2 ブローをノズル4の下面に対し
て吹き付けることによっても同様の作用効果を得ること
ができる。
【0085】また、図10(b)に示すように、前記抵
抗バー6に代えて多数の孔101が穿設されてなるメッ
シュ板102を配置しても良い。ここで、多数の孔10
1は、現像液の排出通路として機能することになる。こ
のような構成によっても、前記一実施形態と同様の作用
効果を得ることができる。
【0086】以上述べたように、この発明によれば、リ
ニアノズル若しくはスリットノズルを用いるスキャン方
式の現像において、特に、供給する現像液の吐出圧が低
い場合であっても、全ての吐出孔から均一に現像液を吐
出させることのできる現像処理装置を得ることができ
る。
【0087】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【0088】この実施形態では、図11に示すように、
ノズル104内に抵抗バー106を設けたものである。
ノズル104内には円筒状のバッファ室107が設けら
れ、そのほぼ中心には抵抗バー106が配置されてい
る。そして、バッファ室107の上部の供給路108か
らこのバッファ室107内に現像液が供給され、一旦抵
抗バー106に当たり、バッファ107室の下部に設け
られた吐出孔109からウエハW上に現像液が供給され
るようになっている。
【0089】本実施形態では、特に、現像液が一旦抵抗
バー106に当たってウエハW上に供給される構成であ
るので、直接ウエハW上に現像液が供給される場合と比
べて現像液がウエハ上に供給される際のインパクトを低
減することができる。また、現像液が抵抗バー106の
軸方向に広がろうとするので、ノズル104の長手方向
における現像液の吐出量をより均一にすることが可能と
なる。
【0090】抵抗バー106の材質として、石英等の親
水性のものが好ましい。これにより、現像液が抵抗バー
106の軸方向により確実に広がろうとするからであ
る。
【0091】また、図12に示すように、バッファ室1
07の内壁の円周方向に溝110を、軸方向に所定の間
隔をもって設けるようにしてもよい。これにより、供給
路108から供給された現像液はバッファ室107内で
この溝110により案内されて吐出孔109より確実に
(液切れがするようなことはなく)吐出させることがで
きる。
【0092】図12に示した実施形態と同様の趣旨で、
図13に示すように、抵抗バー106の表面にスパイラ
ル状の溝111を設けてもよい。
【0093】次に、本発明のまた別の実施形態について
説明する。
【0094】図14及び図15にこの実施の形態を示す
概略図である。202は基板であるウエハWの裏面中心
部を真空吸着し、略水平に保持する基板保持部をなすス
ピンチャックである。このスピンチャックは駆動部22
0により回転及び昇降できるように構成されている。
【0095】ウエハWがスピンチャック202に吸着保
持された状態において、ウエハWの側方を囲むようにし
てカップ203が設けられており、カップ203は各々
上下可動な外カップ231と内カップ232とからな
る。内カップ232は円筒の上部側が上方内側に傾斜
し、上部側開口部が下部側開口部より狭くなるように形
成されており、昇降部230により外カップ231が上
昇すると外カップ231の移動範囲の一部において連動
して昇降するように構成されている。
【0096】カップ203の下部側はスピンチャック2
02の周囲を囲む円板233と、円板233の周り全周
に亘って凹部を形成し、底面に排液口234が形成され
ている液受け部235とにより構成されている。この液
受け部235の側面より僅かに内側に外カップ231
(及び内カップ232)が収まっており、前記凹部とカ
ップ203とによりウエハWの上方レベル及び下方レベ
ルに跨ってウエハWの側方を囲っている。また円板23
3の周縁部には上端がウエハWの裏面に接近する断面山
形のリング体236が設けられている。
【0097】続いてスピンチャック202に吸着保持さ
れたウエハWに処理液である現像液を供給するための供
給ノズル204について説明する。この供給ノズル20
4は、例えば図16に示すように、現像液が供給される
細長い四角形状のノズル本体241と、その下面に設け
られたノズル部242とを備えており、前記ノズル部2
42には例えばウエハWの有効領域(デバイスの形成領
域)の幅と同じかそれ以上の長さに亘って多数の吐出孔
243が配列されていて、例えば図17に示すように、
吐出孔243はノズル本体241に通流路244により
接続されている。ここでノズル部242は吐出孔243
を構成する部材に相当し、これらノズル本体241やノ
ズル部242は例えばポリテトラフルオロエチレン(P
TFE)や、ポピプロピレン(PP)、ポリエチレン
(PE)、ポリビニルカーボネート(PVC)、ポリア
セタール(POM)などの材料により構成されている。
【0098】このような供給ノズル204は後述のよう
に水平方向に移動可能に構成されており、例えば図17
に斜線で示す領域である、当該供給ノズル204の進行
方向(図18において矢印で示す方向)に対する前方側
であって、この供給ノズル204からウエハWに現像液
Dを供給するときに、ノズル部242がウエハW上の現
像液Dに接触する部位を含む領域240の表面が疎水性
となっている。
【0099】例えばこの例では当該供給ノズル204の
通流路244よりも前記進行方向に対する前方側の領域
242aの表面が疎水化されて疎水性となっており、例
えば通流路244よりも前記進行方向に対する後方側の
領域242bの表面は親水化されて親水性となってい
る。
【0100】ここでノズル部242の表面を疎水性又は
親水性に改質するとは、これら表面の表面張力を変化さ
せるということである。具体的には例えばノズル部24
2の表面を疎水性に改質した場合には、当該表面の表面
張力は小さくなり、現像液等の処理液との親和性が小さ
くなるので、当該表面に現像液が接触すると、現像液は
当該表面で弾かれる状態となる。
【0101】一方前記表面を親水性に改質した場合に
は、当該表面の表面張力が大きくなり、現像液との親和
性が大きいので、この表面に現像液が接触すると、当該
表面への現像液の濡れ性がよくなって、当該表面と現像
液との付着力が大きい状態となる。
【0102】またノズル部242の表面の改質の一例を
挙げると、例えば疎水性に改質する場合は、図示しない
チャンバ内においてノズル部242の疎水性にしようと
する領域にフッ素化合物のガスのプラズマを照射するこ
とにより、当該領域が疎水化される。ここでフッ素化合
物のガスとしては、例えばF2 ガスやC2 4 ガス、C
4 ガスなどを用いることができ、これらのガスを反応
気体としてプラズマ処理される。
【0103】また親水性に改質する場合は、図示しない
チャンバ内においてノズル部242の親水性にしようと
する領域に、COガスやO2 ガス、N2 ガス等のプラズ
マを照射することにより、当該領域が親水化され、これ
らのガスを反応気体としてプラズマ処理される。
【0104】このような供給ノズル204は、第1の移
動機構206によりカップ203の外側に設けられたガ
イドレール205に沿って、図15に示すカップ203
の外側の待機位置(ガイドレール205の一端側の位
置)からウエハWの上方側を通って前記待機位置とウエ
ハWを挟んで対向する位置まで移動可能に設けられてい
る。
【0105】つまりガイドレール205は、図15にも
示すように例えば外カップ231の一辺と平行になるよ
うにX方向に延びるように設けられており、ガイドレー
ル205の一端側に第1の移動機構206が位置してい
る。第1の移動機構206はアーム部261とベース部
262とにより構成されており、前記多数の処理液の吐
出孔243がY方向に配列されるように供給ノズル20
4をアーム部261により吊下げ支持し、移動部である
ベース部262を介してガイドレール205に沿って移
動できるようになっている。
【0106】前記ベース部262は例えば図18に示す
ように、例えばボールネジ機構263などにより構成さ
れる昇降機構264を有しており、例えばモータなどの
図示しない動力源からの駆動力によりアーム部261を
Z方向へ移動(上下)させることができる。
【0107】また図15中符号250はウエハWに洗浄
液を供給してウエハWの表面を洗浄するための洗浄ノズ
ルであり、この洗浄ノズル250は例えば第2の移動機
構251により、図15に示すカップ203の外側の待
機位置(ガイドレール205の他端側の位置)からウエ
ハWの上方側を通って前記待機位置とウエハWを挟んで
対向する位置まで水平に移動可能に設けられている。
【0108】ここで図15において第1の移動機構20
6及び第2の移動機構251が夫々示されている位置は
既述の非作業時における供給ノズル204及び洗浄ノズ
ル250の待機位置であって、ここには例えば上下可動
の板状体により構成された第1の移動機構206及び第
2の移動機構251の待機部252,253が設けられ
ている。
【0109】これまで述べてきた駆動部220、昇降部
230、第1の移動機構206及び第2の移動機構25
1は夫々制御部207と接続されており、例えば駆動部
220によるスピンチャック202の昇降に応じて第1
の移動機構206による処理液の供給(スキャン)を行
うように、各部を連動させたコントロールを可能として
いる。またカップ203、第1の移動機構206及び第
2の移動機構251は箱状の筐体271により囲まれた
一ユニットとして形成されており、図示しない搬送アー
ムによりウエハWの受け渡しがなされる。
【0110】次に本実施の形態における作用について説
明する。先ずスピンチャック202がカップ203の上
方まで上昇し、既に前工程でレジストが塗布され、露光
処理されたウエハWが図示しない搬送アームからスピン
チャック202に受け渡される。そしてウエハWが図1
4中実線で示す所定の位置に来るようにスピンチャック
202が下降する。なおこのとき外カップ231及び内
カップ232は共に下降した状態である。
【0111】続いて第1の移動機構206がガイドレー
ル205に沿って外カップ231とウエハWの周縁との
間に対応する位置まで案内され、続いてその位置からウ
エハWの周縁外側の待機位置まで下降する。このとき供
給ノズル204の位置(高さ)はウエハWに対して現像
液の供給を行う高さにセットされるため、吐出孔243
はウエハW表面レベルよりも例えば1mm程度高い位置
に置かれる。
【0112】そして図19(a)、(b)に示すよう
に、現像液Dの吐出を開始しながら供給ノズル204を
ウエハWの一端側から他端側へと移動(図19(a)、
(b)中左から右への移動)させることにより、ウエハ
Wの表面に例えば1.2mmの高さの液膜を形成する。
この際供給ノズル204の先端は、ウエハ表面上に供給
された現像液Dと接触する位置にあり、供給ノズル20
4の先端をウエハ上の現像液Dと接触させた状態で供給
ノズル204を一方向にスキャンさせることにより、当
該ノズル204の先端部によりウエハ上の現像液Dが押
し広げられ、ウエハWの表面全体に満偏なく現像液Dが
液盛りされることとなる。
【0113】またこのとき供給ノズル204の移動は、
当該供給ノズル204の吐出孔243が配列されている
吐出領域の中心がウエハWの中心上方を通過するように
して行われ、例えば約50mm/secのスキャンスピ
ードで行われる。
【0114】そして前記ウエハWの他端側の内カップ2
32上方にて供給ノズル204のスキャン及び現像液D
の供給を停止する。ここでウエハWへの現像液Dの吐出
が複数回必要な場合には、前記停止位置にて供給ノズル
204をスキャンさせる高さ例えばウエハW表面から1
mm上方まで上昇させ、スキャンしたルートを戻るよう
に例えば現像液Dの供給を行う。
【0115】現像液Dの塗布終了後、図19(c)に示
すように現像液DをウエハWの表面に液盛りしたままの
状態にして静止現像が行われる。そして第1の移動機構
206は待機部252へと戻り、この第1の移動機構2
06と入れ替わって待機部253から第2の移動機構2
51がウエハW側へと移動する。
【0116】そして図19(d)に示すように、ウエハ
Wの中央上方に洗浄ノズル250の吐出部が位置するよ
うに位置決めすると共にスピンチャック202を回転さ
せ、洗浄ノズル250から洗浄液R例えば純水をウエハ
W中心部に供給して、ウエハWの遠心力により洗浄液R
をウエハWの中心部から周縁部へ広げることにより現像
液Dが洗い流される。その後このウエハWは図19
(e)に示すように、スピン乾燥などの工程を経て現像
処理が終了する。
【0117】この際現像液Dと洗浄液Rは内リング23
2を伝って下方側へと流れて液受け部235へと貯溜さ
れ、これらの液は排液口234から図示しないドレイン
ラインを通って排出される。
【0118】これまで述べてきたように、本発明に係る
実施の形態では供給ノズル204のノズル部242の通
流路244よりも進行方向に対する前方側の領域242
aを改質して疎水性としているので、供給ノズル204
を50mm/秒程度のスピードでスキャンさせて現像液
Dの液盛りを行う場合であっても、現像液Dが供給ノズ
ル204よりも進行方向に対する先行位置に回り込むと
いういわゆる現像液Dの先回り現像を抑えて、均一性の
高い現像処理を行うことができる。
【0119】つまり現像液Dの液盛りを行う際、供給ノ
ズル204の吐出孔243からウエハ表面に吐出された
現像液Dがノズル部242よりも先回りしようとして
も、ノズル部242の前方側は疎水性であるので、現像
液Dは当該表面で弾かれ、後方側に戻される状態とな
る。このため図20に示すように、現像液Dは供給ノズ
ル204の通流路244よりも前方側になかなか進行で
きず、結局現像液Dの先回り現象の発生が抑えられる。
これによりウエハWの全ての箇所において現像の進行の
程度がほぼ揃えられるので、現像線幅の均一性を高める
ことができる。
【0120】また上述の例のように供給ノズル204の
ノズル部242の通流路244よりも進行方向に対する
後方側を親水性に改質すると、当該表面は現像液Dの濡
れ性が大きく、現像液Dは当該表面に付着しやすいの
で、ノズル部242よりも先回りしようとする現像液D
が少なくなる。さらに先回りしてノズル部242の前方
側表面で弾かれた現像液Dも当該親水性の表面に付着し
やすいので、より現像液Dの先回り現象の発生が抑えら
れる。
【0121】また親水性の表面には現像液Dが馴染みや
すいので、この親水性表面がウエハ表面の現像液Dに接
触しても当該現像液Dが乱されにくく、供給ノズル20
4をスキャンさせて現像液Dの液盛りを行うときにこの
親水性表面で現像液Dを押し広げることにより、より均
一性の高い現像液の液盛りを行うことができ、現像線幅
の均一性をより高くすることができる。
【0122】続いて本発明の他の例について図21
(a)により説明すると、この例では供給ノズル204
には、ノズル部242の長さ方向に沿って、ノズルの進
行方向側の前方側に、通流路244に連続するようにほ
ぼ垂直なガイド208が設けられている。このガイド2
08は吐出孔243から吐出された現像液をウエハ表面
に案内するためのものであり、ウエハ表面に現像液を供
給するときには、ガイド208の先端がウエハ表面から
わずかに浮上した位置に位置するように、ガイド208
の高さや供給ノズル204の供給時の高さ位置が決定さ
れている。
【0123】このような構成では、ガイド208は吐出
孔243の通流路244に連続して設けられているの
で、吐出孔243から吐出された現像液Dはこのガイド
208に沿ってウエハ表面に向かって流れて行き、当該
表面に供給される。この際ガイド208はノズル204
の進行方向側の前方側に設けられており、ガイド208
の先端はウエハ表面近傍に位置しているので、図21
(b)に示すように、現像液Dが供給ノズル204より
も先回りしようとしても、ガイド205に衝突して流れ
がガイド208により妨げられる。このように現像液D
はガイド208よりも進行方向側の先行位置までは進む
ことが出来ないので、現像液の先回り現象が抑えられ、
均一性の高い現像処理を行うことができる。
【0124】ここで、ガイドの構成としては、ウエハに
対する供給ノズル204の移動方向とは逆方向に現像液
Dを案内する液案内部材が設けられていてもよい。一例
としては、例えば図22(a)に示すように、ガイド2
81の先端を進行方向に対して後方側に湾曲するように
構成してもよい。このようにすると、ガイド281の先
端はウエハ表面において吐出孔243の進行方向に対す
る前面位置よりも後方側に位置するので、吐出孔243
から吐出された現像液Dはこのガイド281に沿って流
れて行き、当該ウエハ表面の進行方向側の後方位置に供
給される。そしてこの位置においてガイド281により
現像液Dの先回りが阻止されるので、より現像液Dの先
回り現象が抑えられ、均一性の高い現像処理を行うこと
ができる。なおこの例においては、ガイド281の先端
を進行方向に対して後方側に屈曲するように構成しても
同様の効果が得られる。また、必ずしもガイド281の
先端を後方側に屈曲させる構成に限らず、例えば図22
(b)に示すように、供給ノズル204から供給される
現像液Dの流路をノズル204の進行方向とは逆方向に
変える部分を有していれば、先端は後方側に屈曲してい
なくてもよい。
【0125】このような現像装置は、上述の実施形態と
同様に、図6〜図8に示したシステムに適用することが
可能である。
【0126】以上において本発明では、供給ノズル20
4の疎水性とする部位は、通流路244の進行方向に対
して前方側全体ではなくて、進行方向に対して前方側で
あってウエハ表面に供給された現像液と接触する部位で
あれば上述の効果が得られ、また疎水性表面の進行方向
に対して後方側を親水性とすれば、より均一性の高い現
像処理を行うことができるが、この親水性とする部位
も、通流路244の進行方向に対して後方側全体ではな
くて、進行方向に対して後方側であってウエハ表面に供
給された現像液と接触する部位であれば同様の効果が得
られる。
【0127】また供給ノズル204の表面を疎水化や親
水化する手法としては、上述の例に限らず、PTFEな
どの既述の材質により構成されたノズル部242の疎水
化(親水化)しようとする部位に疎水化材料(親水化材
料)を塗布することにより当該部位を疎水性(親水性)
とするようにしてもよい。
【0128】さらに供給ノズル204を、図23
(a)、(b)に示すように、アーム部261の先端側
の回転軸部265にて吊下げ支持し、前記回転軸部26
5を図示しない駆動機構により左右に回転できるように
構成して、供給ノズル204から処理液が吐出される方
向を下方垂直方向を中心にX方向前後に傾けるようにし
てもよい。つまり現像液の液盛りの際には、供給ノズル
204を進行方向と逆方向へ吐出孔243が向くように
角度θ傾けて、現像液の吐出及び供給ノズル204のス
キャンを開始するようにしてもよく、この場合には進行
方向と逆方向へ吐出孔243が向いているので、さらに
現像液の先回り現象を抑えることが出来る。
【0129】さらにまたガイドを設ける構成では、ノズ
ル部242やガイドの材質は特に限定されないが、ノズ
ル部242及びガイドの進行方向に対して前方側であっ
てウエハ表面に供給された現像液と接触する部位を疎水
性とすれば、より現像液の先回り現象が抑えられるので
望ましく、さらに疎水性表面の進行方向に対して後方側
を親水性とすれば、より均一性の高い現像処理を行うこ
とができるので望ましい。
【0130】次に、本発明の更に別の実施形態について
説明する。
【0131】図23に示した実施形態では、液盛りの際
に供給ノズル204を進行方向と逆方向へ吐出孔243
が向くように傾けていたが、この実施形態では、図24
に示すように、供給ノズル301自体を傾けるのではな
く吐出孔302を角度θ′傾けたものである。そして、
供給ノズル301の吐出孔302が露出する側とは反対
側の方向303に向けて供給ノズル301をスキャンさ
せるように構成したものである。この場合、これとは反
対方向にスキャンする場合には例えばウエハWを180
度回転させるようにすればよい。
【0132】本実施形態によっても現像液の先回り現象
を抑えることが出来る。
【0133】本発明は上述した実施形態には限定されな
い。
【0134】例えば、本発明の液処理装置は、現像処理
に限らずレジストの塗布処理にも適用することができ、
基板と供給ノズルとを相対的に回転させながら処理液の
液膜を形成するタイプの液処理装置にも適用できる。
【0135】さらに、上記一実施形態では、被処理基板
として半導体ウエハを例に挙げたが、これに限定される
ものではない。例えばLCD製造用のガラス基板を現像
処理する装置であっても良い。
【0136】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、供給ノズ
ルの基板表面上の処理液供給位置よりも供給ノズルの進
行方向に対する先行位置に処理液が先回りするという現
象の発生を抑えられるので、基板面内における液処理の
進行の程度が揃えられ、均一性の高い液処理が行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態にかかる現像処理装置を
示す概略構成図。
【図2】同実施形態に係る現像処理装置の平面図。
【図3】同実施形態に係るリニアノズルの斜視図及びリ
ンス液供給系統を示す構造図。
【図4】同実施形態に係るリニアノズル及び抵抗バー
(抵抗付与手段)との位置関係及び作用を説明するため
の模式図。
【図5】同実施形態に係る動作を説明するためのフロー
チャートを示す図。
【図6】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す平面配置図。
【図7】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す正面配置図。
【図8】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す背面配置図。
【図9】この発明の他の実施形態を示す斜視図。
【図10】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。
【図11】この発明の更に別の実施形態を示すリニアノ
ズルの断面図。
【図12】図11に示した実施形態の変形例を示すリニ
アノズルの断面図。
【図13】図11に示した実施形態の別の実施形態を示
す吐出抵抗付与手段としての棒材の斜視図。
【図14】本発明に係る液処理装置の実施の形態を表す
断面図。
【図15】本発明に係る液処理装置の実施の形態を表す
平面図。
【図16】前記液処理装置の供給部を示す斜視図。
【図17】前記液処理装置の供給ノズルを示す側面図。
【図18】前記液処理装置の供給部を示す側面図。
【図19】前記液処理装置の作用について示した工程
図。
【図20】前記液処理装置の供給ノズルの作用について
示した側面図。
【図21】本発明に係る液処理装置の他の実施の形態の
供給ノズルについて示す斜視図。
【図22】本発明に係る液処理装置のさらに他の実施の
形態の供給ノズルについて示す側面図。
【図23】液処理装置の他の実施の形態の供給ノズルに
ついて示す側面図。
【図24】液処理装置の別の実施の形態の供給ノズルに
ついて示す断面図。
【符号の説明】
1…現像処理装置、2…アウターカップ、3…ウエハ保
持部、4…リニアノズル、5…現像液供給部、6…抵抗
バー、7…リンスノズル、8…リンス液供給部、9…制
御部、10…スピンチャック、11…スピンチャック駆
動機構、12…X方向リニアガイド機構、13…上下駆
動機構、14…待機部、15…現像液吐出孔、16a,
16b…供給配管、17…供給系、18…現像液タン
ク、19…フィルタ、20…液量コントローラ、21…
開閉弁、22…供給管、60…カセット部、61…プロ
セス処理部、62…インタフェース部、64…第2のサ
ブアーム機構、65…レール、70a…突起部、71…
第1のサブアーム機構、72…メインアーム機構、78
…メインアーム、79…ガイド、90…吐出孔、101
…孔、102…メッシュ板、104…ノズル、105,
106…抵抗バー、107…バッファ室、108…供給
路、109…吐出孔、110,111…溝、202…ス
ピンチャック、203…カップ、204…供給ノズル、
205…ガイドレール、206…第1の移動機構、20
7…制御部、208…ガイド、220…駆動部、230
…昇降部、231…外カップ、232…内カップ、23
3…円板、234…排液口、235…液受け部、236
…リング体、240…領域、241…ノズル本体、24
2…ノズル部、243…吐出孔、244…通流路、25
0…洗浄ノズル、251…第2の移動機構、252,2
53…待機部、261…アーム部、262…ベース部、
263…ボールネジ機構、264…昇降機構、265…
回転軸部、271…筐体、281…ガイド、301…供
給ノズル、302…吐出孔、303…方向

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に液を供給し、所定の処理を行う液
    処理装置であって、 前記基板を水平に保持する基板保持機構と、 前記基板保持機構の上方に保持され、所定の水平方向に
    移動しながら前記基板上に前記液を供給する液供給ノズ
    ルと、 前記液供給ノズルの進行方向に沿う前記基板の手前側に
    配置され、前記ノズルから吐出される前記液に吐出抵抗
    を与える吐出抵抗付与手段とを具備することを特徴とす
    る液処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1の液処理装置において、 前記液が、現像液であることを特徴とする液処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1の液処理装置において、 前記吐出抵抗付与手段は、前記液供給ノズルの、液吐出
    開始位置に設けられていることを特徴とする液処理装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項1の液処理装置において、 前記液供給ノズルは、前記基板の幅に対応する範囲に亘
    って設けられた液吐出孔を有するものであることを特徴
    とする液処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項4の液処理装置において、 前記液吐出孔は、前記基板の幅に対応する範囲に亘って
    並設設けられた複数の吐出孔からなることを特徴とする
    液処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項4の液処理装置において、 前記液吐出孔は、前記基板の幅に対応する範囲に亘って
    設けられたスリット状の吐出孔からなることを特徴とす
    る液処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項1の液処理装置において、 前記吐出抵抗付与手段は、前記液供給ノズルの下面に近
    接して設けられ、前記液供給ノズルの吐出孔の幅よりも
    若干大きい幅を有する板材若しくは棒材であることを特
    徴とする液処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項1の液処理装置において、 前記吐出抵抗付与手段は、前記液供給ノズルの下面に近
    接して設けられ、前記液を排出できる排出路を有する板
    材であることを特徴とする液処理装置。
  9. 【請求項9】 請求項8の液処理装置において、 前記排出路は、前記板材を貫通するように設けられた複
    数の液排出孔であることを特徴とする液処理装置。
  10. 【請求項10】 請求項1の液処理装置において、 前記吐出抵抗付与手段は、前記液供給ノズルの下面に対
    向して設けられ、吐出される液に対して気流を吹き付け
    る気流吹き付け手段を有することを特徴とする液処理装
    置。
  11. 【請求項11】 請求項1の液処理装置は、 前記液供給ノズルから吐出される前記液の吐出圧を制御
    する吐出圧制御手段をさらに備えることを特徴とする液
    処理装置。
  12. 【請求項12】 基板に液を供給し、所定の処理を行う
    液処理装置であって、 前記基板を水平に保持する基板保持機構と、 前記基板保持機構の上方に保持され、所定の水平方向に
    移動しながら前記基板上に前記液を供給する液供給ノズ
    ルとを具備し、 前記液供給ノズルは、内部に設けられたバッファ室を介
    して吐出孔から前記液が吐出するように構成され、かつ
    前記バッファ室内に前記液に吐出抵抗を付与する吐出抵
    抗付与手段が配置されていることを特徴とする液処理装
    置。
  13. 【請求項13】 請求項12の液処理装置において、 前記バッファ室内の内壁に前記液を前記吐出孔に案内す
    る案内溝が設けられていることを特徴とする液処理装
    置。
  14. 【請求項14】 請求項12の液処理装置において、 前記吐出抵抗付与手段の表面に前記液を前記吐出孔に案
    内する案内溝が設けられていることを特徴とする液処理
    装置。
  15. 【請求項15】 請求項14の液処理装置において、 前記案内溝はスパイラル状に設けられていることを特徴
    とする液処理装置。
  16. 【請求項16】 請求項12の液処理装置において、 前記吐出抵抗付与手段を構成する部材は、前記液と接触
    する部位が親水性であることを特徴とする液処置装置。
  17. 【請求項17】 請求項12の液処理装置において、 前記液供給ノズルは、前記基板の幅に対応する範囲に亘
    って設けられた液吐出孔を有し、 前記吐出抵抗付与手段は、前記複数の液吐出孔に沿って
    設けられた棒材であることを特徴とする液処理装置。
  18. 【請求項18】 基板を略水平に保持する基板保持部
    と、 この基板保持部に保持された基板の表面に処理液を供給
    するための、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上
    の長さに亘って吐出孔が形成され、基板と相対的に移動
    可能に設けられた供給ノズルと、を備え、 前記供給ノズルは、前記吐出孔を構成する部材の先端を
    基板表面に供給された処理液と接触させながら基板と相
    対的に移動して基板表面に処理液を供給するように構成
    され、前記吐出孔を構成する部材は、供給ノズルの進行
    方向に対する前方側でかつ基板表面の処理液と接触する
    部位が疎水性であることを特徴とする液処理装置。
  19. 【請求項19】 請求項18の液処理装置において、 前記供給ノズルの吐出孔を構成する部材は、供給ノズル
    の進行方向に対する前記疎水性部位の後方側であって基
    板表面の処理液と接触する部位が親水性であることを特
    徴とする液処理装置。
  20. 【請求項20】 基板を略水平に保持する基板保持部
    と、 この基板保持部に保持された基板の表面に処理液を供給
    するための、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上
    の長さに亘って吐出孔が形成され、基板と相対的に移動
    可能に設けられた供給ノズルと、を備え、 前記供給ノズルは、供給ノズルの進行方向に対する前方
    側に、前記吐出孔を構成する部材に連続するように、吐
    出孔から吐出された処理液を基板の表面に案内するため
    のガイドが設けられていることを特徴とする液処理装
    置。
  21. 【請求項21】 請求項20の液処理装置において、 前記ガイドには、前記供給ノズルから供給される液の流
    路を、前記供給ノズルの前記基板に対する相対的な移動
    方向とは逆方向に案内する液案内部材が設けられている
    ことを特徴とする液処理装置。
  22. 【請求項22】 請求項20の液処理装置において、 前記ガイドの先端は、前記吐出孔よりも供給ノズルの進
    行方向に対する後方側に位置するように湾曲されている
    ことを特徴とする液処理装置。
  23. 【請求項23】 請求項20の液処理装置において、 前記供給ノズルは、前記基板保持部に保持された基板の
    一端側から他端側へ基板と相対的に移動して基板表面に
    処理液の供給を行うものであることを特徴とする液処理
    装置。
  24. 【請求項24】 基板を略水平に保持する基板保持部
    と、 この基板保持部に保持された基板の表面に処理液を供給
    するための、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上
    の長さに亘って吐出孔が形成され、基板と相対的に移動
    可能に設けられた供給ノズルと、を備え、 前記供給ノズルの液の吐出方向は、前記基板表面に対し
    て垂直な方向よりも、前記供給ノズルの前記基板に対す
    る相対的な移動方向とは逆方向に傾けて設定されてなる
    ことを特徴とする液処理装置。
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