TWI284937B - A method for treating substrates and device thereof - Google Patents

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TWI284937B
TWI284937B TW091116254A TW91116254A TWI284937B TW I284937 B TWI284937 B TW I284937B TW 091116254 A TW091116254 A TW 091116254A TW 91116254 A TW91116254 A TW 91116254A TW I284937 B TWI284937 B TW I284937B
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TW
Taiwan
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liquid
substrate
recovery
nozzle
processing
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TW091116254A
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Osamu Tamada
Tsuyoshi Mitsuhashi
Minobu Matsunaga
Katsushi Yoshioka
Kenji Sugimoto
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
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Description

1284937 五、發明說明( 1) [發明所屬之領域] 本發明是有 關一 種 基 板 處 理 方 法 及 其 裝 置 5 其係 將 顯 像液、抗蝕液 、沖洗 液 等 之 處 理 液 , 在 整 體 上 成 爲 帶 狀 的供應於基板 ,以 實 施 所 要 的 處 理 者 〇 [相關之技術背景] 例如在於半 導體 裝 置 的 製 造 過 程 中 5 近 年 來 被 廣 泛 採 用的對於形成 在半 導 體 晶 圓 表 面 之 抗光 蝕 劑 層 膜 的 顯 像 處理方法之一* 是狹 縫 掃 描 顯 像 方 式 者 Ο 此 顯 像 方 式 是 例 如在日本國特 開平 1 1-22 1 5 1 1 號 公 報 等 所公佈 的 一 面 使在其下端部 份持有 狹 縫 狀 吐 液 □ 之 顯 像 液 吐 出 噴 嘴 在水平方向以 直線 狀的 從 被 以 水 平 姿 勢 保 持在 晶 圓 夾 頭上成爲靜止 狀態 的 晶 圓 之 —* 端 移 動 到 其 另 一 端 5 一 面 將顯像液從顯 像液 吐 出 噴 嘴 的 狹 縫 狀 吐 液 □ 吐 出 於 晶 圓 上,以將顯像 液堆 積 在 晶 圓 上 者 〇 如 此 使 晶 圓 在 於 靜 止狀態下進行 顯像 液 的 堆 積 時 , 就 可 大 幅 的 提 高 抗 蝕 刻 膜圖案的線寬 度之 均 勻 性 〇 [發明欲解決之問題] 然而,顯像 液吐 出 噴 嘴 所 掃 描 的 平 面 域 是 成 爲 矩形 狀,而相對的 ,半 導 體 晶 圓 和 圍 繞 在 其 周 圍 的 顯 像 液 承 液杯外圍是圓 形者 0 因 而 從 顯 像 液 吐 出 噴 嘴 的 狹 縫 狀 吐液口所吐出 的顯 像 液 中 有 一 部 分 是 不 會 被 堆 積 在 晶 圓上,於顯像 液吐 出 噴 嘴 掃 描 時 , 會 滴 落 在 晶 圓 面 外 , 而被廢棄,而有顯 像 液 被 浪 費 掉 之 問 題 點 0 [發明之解決毛段] - 3- 1284937 五、發明說明(2) 本發明乃有鑑於上述事情,主要目的是在提供一種基 板處理裝置,其係在於一面使具有狹縫吐液口或由多數 小孔所排列的吐液口之處理液吐出噴嘴掃描,一面將處 理液從吐液口吐出於基板上之處理方式中,可消除處理 液的浪費者。 本發明爲達成此目的,係採取如下之構成者。 即,本發明是一種將處理液供應於基板上,以實施所 要的處理之基板處理方法,而該處理方法係包含以下的 過程: 從處理液吐出噴嘴將處理液以整體上成爲帶狀的吐出 於水平姿勢的基板之處理液吐出過程; 使上述處理液吐出噴嘴對基板在水平方向相對的移動 之水平移動過程;和, 由設置在包圍着上述基板的承液杯周邊之回收容器, 將上述處理液吐出噴嘴所吐出於基板面外的處理液回收 之處理液回收過程者。 依本發明時,當邊使處理液吐出噴嘴對基板在水平方 向相對的移動,邊從該噴嘴將處理液以整體上成爲帶狀 的吐出於基板上時,如處理液中有一部分被吐出在基板 面外,則該處理液會滴落於放置在承液杯周邊的回收容 器內,而被所回收。由此,可將在以往是被廢棄的部分 之未使用處理液加以回收,而可消除處理液的浪費。 又,本發明是一種將處理液供應於基板上,以對基板 實施所要的處理之基板處理裝置,而該處理裝置係包含 37 五、發明說明(3) 以下要素: 將基板保持在水平姿勢之基板保持手段; 設置在上述基板保持手段所保持的基板之外圍,而包 圍着該基板之承液杯; 在其下端部位具有狹縫狀或由多數小孔所排列之吐液 〇,而從該吐液口將處理液吐出於基板上之處理液吐出 噴嘴; 使上述處理液吐出噴嘴對基板在水平方向相對的移動 之水平方向移動手段;和, 設置在上述承液杯的周邊,而將上述處理液吐出噴嘴 的吐液口所吐出於基板面外之處理液回收之回收容器者。 依本發明時,很適合於實施上述發明方法。 在本發明中,上述回收容器是以被支持成爲可在於要 將上述處理液吐出噴嘴的吐液口所吐出於基板外的處理 液回收之回收位置與退避位置之間移動者爲理想。以如 此構成時,當處理液吐出噴嘴不吐出處理液於基板上時 ,回收容器會被移動到退避位置上,而不會妨礙到其他 的操作。 在本發明中,上述回收容器的與承液杯相對且靠近的 一面是形成爲順着承液杯外圍形狀之形狀者爲理想。依 此構成時承液杯的外圍與回收容器的相對面之間的間隙 會縮小,而可將更多的從處理液吐出噴嘴所吐出於基板 面外的處理液回收到回收容器內。 在本發明中是以具備可使上述承液杯對基板在上下 1284937 五、發明說明(4 ) 方向相對的移動之上下移動手段;且,上述回收容器是 與上述承液杯固定成爲一體,而上述回收容器是與上述 承液杯一起的對基板在上下方向相對的移動之構成者爲 理想。依此構成時,當要將處理液從處理液吐出噴嘴吐 出於基板上時,承液杯是會被移動到相對於基板的下方 ,而與承液杯固定成一體的回收容器也會移動到基板的 下方位置,以將從處理液吐出噴嘴的吐液口所吐出於基 板面外的處理液回收在回收容器內。當處理液吐出噴嘴 不吐出處理液於基板上時,例如,在於基板上堆積顯像 液,於經過所定時間後,要將純水吐出於基板上,而使 基板旋轉之時,承液杯是要相對於基板向上方移動,而 與承液杯固定成一體的回收容器也會移動到基板的上方 位置,由此可防止由基板上所飛散的純水或顯像液之混 入於回收容器內的處理液(顯像液)中。 在本發明中,上述回收容器是以介以回收配管連接於 處理液貯液槽者爲理想。依此構成時,從處理液吐出噴 嘴的吐液口所吐出於基板面外而滴落在回收容器內之處 理液會通過回收配管而被收集、儲存在處理液貯液槽內 。由此可將被回收,而儲存在處理液貯液槽內的處理液 再利用。 又,上述回收用配管中是以串聯着控制閥者爲理想, 依此構成時,可防止貯存在處理液貯液槽中的處理液之 經由回收用配管而與空氣接觸者。 又,在本發明中,是以具備可將上述回收容器的內側 1284937 五、發明說明(5) 面加以洗淨,並使其乾燥之洗淨•乾燥手段者爲理想。 依此構成時,由洗淨•乾燥手段,適宜的將回收容器的 內側面洗淨,並使其乾燥,由此,可防止顯像液等的處 理液仍舊附着在回收容器的內側面,致使所回收的處理 液濃度產生變動之情形。 本發明是可適用於對半導體晶圓等基板表面所供應的 顯像液、抗鈾劑、沖洗液等的處理液之回收,尤其是很 適用於狹縫掃描顯像方式中的顯像液之回收上。 又,本發明是一種將處理液供應於基板上,以實施所 要處理之基板處理方法,而該方法係包含以下的過程: 從處理液吐出噴嘴將處理液以整體上成爲帶狀的吐出 於水平姿勢的基板之處理液吐出過程; 使上述處理液吐出噴嘴對基板在水平方向相對的移動 之水平移動過程;和, 使用一種具備可接收從上述處理液吐出噴嘴所吐出的 處理液之回收□,並使該回收口與上述處理液吐出噴嘴 的吐液口對置的、配置在上述處理液吐出噴嘴下方之回 收容器,以將從上述處理液吐出噴嘴所吐出於基板面外 之處理液,由上述回收口接收後回收之處理液回收過程 者。 本發明也解決了如下述之技術問題。 例如,爲了要抑制上述的處理液之浪費而採取如下手 法時,會有不妥之情況,即,也可考慮使處理液吐出噴 嘴的狹縫狀吐液口之吐出寬度(吐液口的狹縫方向之長 1284937 五、發明說明(6) 度)一面隨着基板(例如半導體晶圓)的直徑變更,即一面 使處理液吐出噴嘴的吐液口之吐出面積變化,一面將處 理液吐出於基板,就可減少處理液吐出噴嘴在掃描時滴 落於基板面外之處理液。然而,採取這種手法時,從處 理液吐出噴嘴所吐出於基板的處理液之流量會產生變化 之現象,在於處理液吐出噴嘴在基板上掃描一趟之中, 從處理液吐出噴嘴所吐出於基板的流量會有所變化,會 產生由於此變化所引起的處理不勻(例如顯像不勻),而 引起處理精度(例如顯像精度)惡化之問題。 相對的,依本發明時,處理液吐出噴嘴的吐液口之面 積是不會變化,因而,可防止由於吐出面積變化所引起 的流量變化。而可使從處理液吐出噴嘴所吐出於基板的 處理液之流量保持在一定値。由此,可防止由於吐出於 基板的處理液流量變化所引起的基板處理上不勻。又, 從處理液吐出噴嘴所吐出於基板面外的處理液,可由設 置在該處理液吐出噴嘴的吐液口下方並與該吐液口對置 之回收容器的回收口所回收,因此,處理液是只在於從 吐液口吐出到到達回收口之間曝露在空氣中,而可減少 處理液的對空氣之曝露。由此,可減低處理液的曝露於 空氣中所引起的處理液特性之變化,可將處理液保持在 良好狀態下再使用。 在本發明中,上述處理液回收過程是邊使上述回收容 器與基板邊緣保持在某間隙之下,邊使上述回收容器沿 着上述基板邊緣在上述吐液口的長度方向移動者爲理想。 1284937 五、發明說明(7) 依此構成時,回收容器是會與基板邊緣保持在某間隙之 下,沿着該基板邊緣,在吐液口的長度方向移動,因而 ,可防止被吐出於基板面上供給基板處理用的處理液之 流入於回收容器的回收口中,而在回收口只回收被吐出 於基板面外的,未能供給基板處理之未使用處理液。由 此可更提高所回收的處理液之品質。 本發明是包括適合於實施上述發明的方法之下述基板 處理裝置。 即,本發明是一種將處理液供應於基板上,以實施所 要處理之基板處理裝置,而該裝置係包含以下的要素: 將基板保持在水平姿勢之基板保持手段; 在其下端部位具有狹縫狀或由多數小孔所排列之吐液 口,而從該吐液口將處理液吐出於基板上之處理液吐出 Df嘴; 使上述處理液吐出噴嘴對基板在水平方向相對的移動 之水平移動手段;和 具備可接收從上述處理液吐出噴嘴所吐出的處理液之 回收口,並使該回收口與上述處理液吐出噴嘴的吐液口 對置的、配置在上述處理液吐出噴嘴下方之回收容器, 而該回收容器是將從上述處理液吐出噴嘴所吐出於基板 面外的處理液,由上述回收口接收後回收者。 又,本發明中,較理想的是更包含: 可檢測上述處理液吐出噴嘴與基板的相對位置之噴嘴 位置檢測手段;和, 1284937 五、發明說明(8) 依據上述噴嘴位置檢測手段所測出的上述處理液吐出 噴嘴之位置,使上述回收容器在上述吐液口的長度方向 移動之回收容器移動手段;而, 上述回收容器是由上述回收容器移動手段,使其邊與 基板邊緣保持在某間隙之下,邊沿着該基板邊緣在上述 吐液口的長度方向移動者。 又,在本發明中較理想的是: 上述回收容器是有兩個以並排的設置在上述吐液口的 長度方向;而, 其一個上述回收容器是在將上述吐液口的長度方向之 長度分成兩份所形成的第1、第2範圍中之第1範圍內 移動,另一個上述回收容器是在上述第2範圍內移動者。 依此構成時,兩個回收容器是以沿着基板邊緣,分別 在吐液口的長度方向移動,由此,可由兩個回收容器分 別將在處理液吐出噴嘴兩端側的吐出於基板外之未使用 處理液加以回收。 在本發明中,上述回收口的縱斷面是以形成爲漏斗狀 者爲理想。依此構成時,可使從處理液吐出噴嘴所吐出 的處理液很順利的注入於回收口內。 在本發明中,較理想的是: 上述水平移動手段是可使上述處理液吐出噴嘴在水平 方向移動;且, 上述回收容器是和上述處理液吐出噴嘴同步的在水平 方向移動者。 -10- 1284937 五、發明說明(9) 依此構成時,從在水平方向移動的處理液吐出噴嘴所 吐出的處理液可由和處理液吐出噴嘴同步的在水平方向 移動之回收容器所順利的回收。 在此場合中,上述回收容器是以連結在上述處理液吐 出噴嘴者爲理想。依此構成時,不必另設要使回收容器 移動的專用移動手段,而可使回收容器追隨於處理液吐 出噴嘴移動。 在本發明中,較理想的是更具備: 可將由上述回收口所回收的處理液供應於上述處理液 吐出噴嘴,以使其從該處理液吐出噴嘴吐出之循環手段 者。該循環手段是例如由:連接在上述處理液吐出噴嘴 ,而可將要供應於上述處理液吐出噴嘴的處理液予以貯 存之處理液貯存手段;和連接在上述回收容器,可將該 回收容器所回收的處理液供應於上述處理液貯存手段之 供應手段所構成。 依此構成時,被吐出於基板面外的未使用處理液會在 回收容器的回收口被回收後,從處理液吐出噴嘴吐出, 因而,可將未使用的處理液再使用。 [實施例] 以下參照圖面詳細說明本發明的理想實施例。 •第1實施例 第1圖及第2圖是表示本發明第1實施例,第i圖是 基板處理裝置的一種之顯像處理裝置的槪略構成平面圖 ,第2圖是第1圖的Π - Π箭頭方向側視圖。 -11- 1284937 五、發明說明(ίο) 此顯像處理裝置是具備:將基板,例如半導體晶圓W ,由吸附保持在水平姿勢之晶圓夾頭1 〇、在其上端固定 着晶圓夾頭1 〇並被支持成爲垂直狀態的旋轉支承軸1 2 、及,可使連結在旋轉支承軸1 2的晶圓夾頭1 0及旋轉 支承軸1 2以垂直軸爲中心旋轉之旋轉馬達1 4。在晶圓 夾頭10的周圍設有包圍着裝在晶圓夾頭10上的晶圓之 圓形顯像液承液杯1 6。顯像液承液杯是被支持成爲可在 上下方向往復移動自如者。 在顯像液承液杯1 6的一旁設有導軌1 8,在導軌1 8上 搭配滑動自如的支架驅動裝置2 0,在支架驅動裝置2 0 上固定着噴嘴支架22。在噴嘴支架22上以水平姿勢吊 掛着顯像液吐出噴嘴24,顯像液吐出噴嘴24是配置在 與導軌1 8成正交的方向。顯像液吐出噴嘴24的下端面 是有在長度方向延伸的狹縫狀吐液口 26,並經由圖未示 的顯像液供應管連接於顯像液供應源。而可由支架驅動 裝置20使噴嘴支架22沿着導軌1 8在水平方向直線的 移動,以使顯像液吐出噴嘴24邊向箭頭A方向掃描, 邊從顯像液吐出噴嘴24的吐液口 26將顯像液吐出於晶 圓W上之構成者。當在晶圓W上堆滿顯像液後,顯像 液吐出噴嘴24會被向箭頭A方向的反方向移動,回到 原來的位置。 又,在顯像液承液杯1 6的另一旁設有從堆滿顯像液 開始經過所定時間後要使顯像反應停止而將純水(沖洗) 吐出於晶圓W上的純水吐出噴嘴2 8。純水吐出噴嘴2 8 - 12- 1284937 五、發明說明(11) 是經由圖未示的純水供應管連接於純水供應源。此純水 吐出噴嘴28是被支持成爲可在箭頭B方向的水平面內 轉動。 在此裝置中,在顯像液承液杯1 6的周邊設有要將從 顯像液吐出噴嘴24的狹縫狀吐液口 26所吐出於晶圓W 面外的顯像液回收用之回收容器3 0。在圖示例中,是在 顯像液吐出噴嘴24的移動方向之顯像液承液杯1 6前後 ,設置一對回收容器30、30者。又,回收容器30也可 只設置在顯像液承液杯1 6的前側或後側者。 回收容器3 0的與顯像液吐出噴嘴24移動方向成正交 方向之寬度尺寸是和顯像液吐出噴嘴24的長度方向之 尺寸相等或大若干,成爲矩形,其與顯像液承液杯16 相對且靠近的一面是形成爲沿着顯像液承液杯的外圍形 狀之圓弧狀,而回收容器3 0與顯像液承液杯1 6之間是 構成爲幾乎沒有間隙者。當然,回收容器3 0的形狀不 侷限於圖示例者。例如第3圖所示,使回收容器3 0的 與顯像液承液杯1 7相對一面之上部伸出到顯像液承液 杯1 7的上端邊緣上方,使其延伸到晶圓w的外圍邊緣 附近之形狀者。 回收容器30是設有顯像液流出口 32,顯像液流出口 32是連接於回收用配管34,回收用配管34是在管道上 連接於顯像液貯液槽3 6。在回收用配管3 4的回收容器 30側及顯像液貯液槽36側分別串聯控制閥38、40。顯 像液貯液槽3 6是具密閉構造,可貯存回收到內部的顯 -13- 1284937 五、發明說明(12) 像液42。又,串聯着控制閥46的取出用配管44是插入 在顯像液貯液槽3 6中。 回收容器30是被支持成爲可在要回收顯像液吐出噴 嘴24的狹縫狀吐液口 26所吐出於晶圓W面外的顯像液 之回收位置(第1圖及第2圖所示的位置)與退避位置之 間移動。退避位置是可設定在和回收位置同一水平面內 ,而如第1圖箭頭C所示的使回收容器3 0在水平面內 往復移動,也可將退避位置設置在回收位置下方,而如 第2圖箭頭D所示的,使回收容器3 0在回收位置與退 避位置之間升降。又,如回收容器30在第1圖及第2 圖所示位置,而對操作上並無特別的障礙時,也可將回 收容器30固定。 又,如第2圖所示,也可在回收容器30裝設可將其 內側面洗淨並使其乾燥之洗淨•乾燥裝置3 1。而由洗淨· 乾燥裝置3 1適宜的將回收容器3 0之內側面洗淨並使其 乾燥。由此,可防止顯像液仍舊附着在回收容器3 0的 內側面,致使所回收的顯像液濃度產生變動之情形,在 此場合中,洗淨所用過的洗淨液之廢液是經由圖未示的 排液用配管與顯像液分別的排出。 又,回收容器3 0的平面形狀並不侷限於第1圖所示 者。例如第4圖所示,將第1圖所示的前後一對回收容 器30、30分別在與顯像液吐出噴嘴24移動方向成正交 的方向分成兩半,而成爲4個回收容器48之構成,又 ,也構成爲更細分塊的回收容器。以這種構成的場合中 -14- 1284937 五、發明說明(13) ’要使回收容器48移動到退避位置並不需要多大的空 間就可使回收容器容易的退避。第4圖中的符號50是 表示顯像液流出口。又,在於將回收容器固定也無妨時 ’也可如第5圖所示的,構成爲與顯像液承液杯1 6 — 體化之回收容器52。以這種構成時,可將更多的從顯像 液吐出噴嘴24所吐出於晶圓W面外之未使用顯像液回 收到回收容器52內。第4圖及第5圖中的符號50、54 是表示顯像液流出口。 以下說明具備如上述構成的顯像處理裝置之處理動作 —例。 當其表面已形成曝光後的抗光鈾膜之晶圓W被搬進裝 置內,而被保持在晶圓夾頭10上時,將回收容器30移 動到回收位置。接着,從顯像液供應源經由顯像液供應 管將顯像液供應於顯像液吐出噴嘴24內,一面從狹縫 狀吐液口 26將顯像液吐出於晶圓W上(處理液吐出過程) ,一面由支架驅動裝置20使顯像液吐出噴嘴24在箭頭 A方向掃描(水平移動過程)。由此將顯像液堆積在晶圓 W上。此時,從顯像液吐出噴嘴24的狹縫狀吐液口 26 所吐出於晶圓W面外之顯像液會滴落在回收容器3 0內 (處理液回收過程)。滴落於回收容器30內的顯像液會經 由回收用配管34被集中貯存於顯像液貯液槽36內。貯 存在顯像液貯液槽3 6內的顯像液42經過濃度校驗,於 必要時經過濃度調整,而被再利用。 在晶圓W上的顯像液堆積作業完畢後,由支架驅動裝 -15- 1284937 五、發明說明(14) 置20使顯像液吐出噴嘴24向箭頭A方向的反方向移動 。使其回到原來位置,接着,使回收容器3 0從回收位 置移動到退避位置,關閉串聯在回收用配管34上之控 制閥38、40。將串聯在回收用配管34上的控制閥38、 4 〇關閉,就可防止貯存在顯像液貯液槽3 6內的顯像液 42通過回收用配管34與空氣接觸。 接着,使顯像液承液杯1 6上升,從在晶圓W上堆積 顯像液開始經過所定時間後,開動純水吐出噴嘴28,從 純水吐出噴嘴將純水吐出於晶圓W上,以使在在晶圓 W表面上的抗光蝕劑膜之顯像反應停止。接着開動旋轉 馬達1 4,使被保持在晶圓夾頭1 〇上的晶圓W在水平面 內以垂直軸爲中心旋轉,由此,使晶圓W乾燥。晶圓 w的乾燥處理完畢時,使旋轉馬達1 4停止,將晶圓W 從裝置內搬出。 第6圖及第7圖是在於第5圖所示的、具備與顯像液 承液杯固定成一體的回收容器之顯像處理裝置中,有關 其處理動作的說明圖。此裝置的顯像液承液杯56之腹 部直徑是比其上面開口爲大。此乃爲了要在於如第7圖 所示的使顯像液承液杯56上升的狀態下,將純水吐出 於晶圓W上後使其旋轉乾燥之際,減少從晶圓W上飛 散的純水或顯像液在顯像液承液杯56內壁面彈回者。 在該顯像液承液杯56上部的縮小直徑部分之外壁面上 ,固定着要回收從顯像液吐噴嘴24所吐出於晶圓W面 外的未使用顯像液之回收容器5 8。圖中的符號6 0、 -16- 1284937 五、發明說明(15) 6 2都是顯像液吐出噴嘴2 4待機位置。 這種構成的裝置中,由顯像液吐出噴嘴24要將顯像 液堆積在晶圓W上時,如第6圖所示,使顯像液承液杯 5 6及回收容器5 8靜止在比晶圓W稍微低的位置。在此 狀態下,邊從顯像液吐出噴嘴24的狹縫狀吐液口將顯 像液吐出於晶圓上,邊使顯像液吐出噴嘴24向箭頭方 向移動。由此,將顯像液堆積在晶圓W上,而從顯像液 吐出噴嘴的狹縫狀吐液口所吐出於晶圓W面外的顯像液 會被回收到回收容器5 8內。 當對晶圓W上的顯像液供應完畢時,如第7圖所示’ 顯像液吐出噴嘴24會移動到待機位置60,由圖未示的 上下移動機構使顯像液承液杯56上升,與顯像液承液 杯56成一體的回收容器58也會上升,而靜止在晶圓W 上方的位置。然後,從晶圓W上的堆積顯像液開始經過 所定時間時,從純水吐出噴嘴(第6圖及第7圖中未示) 將純水吐出於晶圓W上,以使在晶圓W上的抗光蝕劑 膜之顯像反應停止,接着,被保持在晶圓夾頭1 〇的晶 圓被旋轉而被乾燥。此時,回收容器5 8的上面開口是 位於比晶圓W更上方,因而,如從晶圓W上有純水或 顯像液的飛散,其霧也不必擔心會混入於回收容器5 8 內的顯像液。當晶圓W的乾燥完畢時,顯像液承液杯 5 6及回收容器5 8會移動到原來的下方位置,然後晶圓 W會被從裝置內搬出。 又,在上述實施形態中,是對於在其下端面具有狹縫 -17- 1284937 五、發明說明(16) 狀吐液口之顯像液吐出噴嘴24的顯像處理裝置加以說 明者,而對於在其下端部位具有由多數小孔在長度方向 排列所構成的多孔狀吐液口之顯像液吐出噴嘴的裝置中 ,本發明也和上述同樣的可以適用。又,在上述實施形 態中是對於顯像處理裝置加以說明者,而本發明也可適 用於其他的基板處理裝置上。 •第2實施例 第8圖是本發明第2實施例的基板處理裝置之槪略構 成平面圖。第9圖是其側面圖。 又,本實施例是以具備可將作爲處理液的顯像液吐出 於作爲基板的例如半導體晶圓(以下單稱「晶圓」)上的 處理液吐出噴嘴之基板顯像裝置爲例加以說明。又,本 發明並不侷限於此,而可廣泛的應用在可將適當的處理 液(例如抗蝕液、沖洗液等)吐出於晶圓的處理面,以對 晶圓實施處理的各種基板處理裝置及該裝置所用的處理 液吐出噴嘴上。 如第9圖所示,此基板顯像裝置是具備可將晶圓W保 持在水平姿勢的晶圓夾頭101。晶圓夾頭101是介以旋 轉軸103連結於電動馬達105,且連接於圖未示的真空 管路,以將晶圓W由真空吸附加以保持。此晶圓夾頭 1 0 1是由電動馬達1 05的驅動,可在於吸住保持晶圓W 的狀態下,以軸P 1爲中心旋轉。又,上述晶圓夾頭1 〇 1 是相當於本發明中的基板保持手段。 在晶圓夾頭1 0 1的周圍設置圍繞於被晶圓夾頭1 〇 1所 -18- 1284937 五、發明說明(17) 保持的晶圓w周圍之內側承液杯1 02,此內側承液杯 1 02是可由圖未示的升降機構使其升降,於要將晶圓W 驅動旋轉時使其上升,以防止堆積在晶圓W上的顯像液 之飛散於四周。此時,飛散在內側承液杯1 02內的顯像 液會由設在內側承液杯1 02的圖未示之廢液回收構造所 回收。當晶圓W的驅動旋轉結束時,內側承液杯1 02會 下降,以使晶圓W可由晶圓夾頭1 0 1上搬出。在內側承 液杯102的周圍配置大致正方形的外側承液杯104。 如第8圖所示,在外側承液杯1 04的兩側分別配置供 後述的處理液吐出噴嘴107待機用之待機桶106a、106b 。又,在該外側承液杯104的旁邊配置導軌110。裝在 該導軌1 1 0上而可沿着導軌1 1 0滑動自如的噴嘴驅動機 構1 09是將以伸臂支承着處理液吐出噴嘴1 07的支架臂 1 〇8支承成爲可升降狀態。而由噴嘴驅動機構1 09的滑 動,可使後述的處理液吐出噴嘴1 07在X方向進退移動 。上述噴嘴驅動機構1 09和導軌1 1 0是相當於本發明中 的水平移動手段。 如第9圖所示,在支架臂1 08的內部構成一體的送液 管108a是連接於由支架臂108以伸臂支承的處理液吐 出噴嘴107。又,此送液管108a是在支架臂108的底端 連接於和顯像液貯液槽1 1 1連通的顯像液供應管Π 1 a。 在顯像液供應管1 1 1 a的途中設置可由控制器1 1 2的指 示而執行顯像液供應管1 1 1 a的開閉之控制閥1 1 3。和顯 像液供應管111 a連通的顯像液貯液槽1 1 1並連接於可對 -19- 1284937 五、發明說明(18) 貯存在其內部的顯像液Q加壓之氮氣加壓管1 1 1 b。又 ,上述顯像液貯液槽1 1 1是相當於本發明中的處理液貯 液槽。 又,如第9圖所示,上述基板顯像裝置是具備可檢測 噴嘴1 07與晶圓W的相對位置之噴嘴位置檢測器1 1 4。 要保持晶圓W的晶圓夾頭1 0 1、要支承噴嘴1 〇 7的噴嘴 驅動機構109及待機構106a、106b等的位置關係是已 知者,而關於使噴嘴驅動機構1 09沿着導軌1 1 0所移動 的距離,也可從使噴嘴驅動機構109滑動的馬達(圖未 示)之驅動旋轉量,由編碼器(圖未示)等來檢測並算出, 因而可檢測噴嘴1 07與晶圓的相對位置。又,噴嘴位置 檢測器1 1 4也可採用位置檢測器或光學檢測器,以檢測 噴嘴1 07與晶圓W的相對位置。由噴嘴位置檢測器1 1 4 所測出的噴嘴1 07與晶圓W的相對位置是輸出於控制器 1 1 2。又,上述噴嘴位置檢測器1 1 4是相當於本發明中 的位置檢測手段。 接着,參照第1〇圖〜第12圖說明本發明特徵之一的 處理液吐出噴嘴1 07。第1 〇圖是處理液吐出噴嘴1 〇7的 槪略斜視圖,第1 1圖是處理液吐出噴嘴1 07的底面圖 ,第12圖是第8圖的處理液吐出噴嘴107的ΧΠ -ΧΠ 箭頭方向斷面圖。 如第8圖及第1 1圖所示,此處理液吐出噴嘴(以下有 時單稱爲噴嘴)1 〇 7是在其底面具有可向晶圓W吐出顯 像液Q之吐液口 l〇7a。如第1 1圖所示,吐液口 l〇7a -20- 1284937 五、發明說明(19 ) 是由多數(本實施例中爲7個)長圓形的長孔吐出口 10 73^ 107a7在其長徑方向排列成一直線所構成。各長 圓形的長孔是例如以短徑爲0.1〜1 . 〇mm,長徑爲4 2mm 的尺寸所形成者。 如第1 2圖所示,在噴嘴1 〇 7的內部設有可供從送液 管l〇8a所送來的顯像液Q滯留之處理液滯留室107b, 和可將該顯像液Q引導到吐液口 107a的導液通道107c。 依此噴嘴107時,從送液管108a朝下方向供應於處 理液滯留室l〇7b內的顯像液Q會在處理液滯留室丨07b 的底部改變爲朝上方向流動,流入於導液通道1 07c,而 被引導到吐出口 l〇7ai〜 107a7,從吐出口 107ai〜 107a7 吐出。 參照第1 3圖、第1 4圖說明有關從噴嘴1 07的吐液口 1 〇7a向晶圓W所吐出的顯像液Q之情形。第1 3圖顯像 液Q從顯像液吐出噴嘴1 0 7所吐出的樣子,第1 4圖是 顯像液Q從各吐出口所吐出的樣子之放大圖。從噴嘴 107的吐液口 107a向晶圓W所吐出的顯像液Q是如第 1 3圖所示,在整體上成爲帶狀的向晶圓w吐出。又, 從各吐出口 liHai-lOTa?所吐出的顯像液是如第14圖 所示,越離開吐出口 107an,其形狀會越尖細。此尖細 是產生在各個的吐出口 lOTai-lina?,因而,對晶圓W 而言,從吐液口 1 0 7 a所吐出的顯像液Q是如上述的、 在整體上成爲均勻的帶狀者。 又’如第1 0圖所示,在該噴嘴1 〇 7的下面側近旁之 -21- 1284937 五、發明說明(2〇) Y方向,並排的放置兩個可接收從噴嘴1 07所吐出於晶 圓W面外的顯像液Q之回收構件1 1 5。此回收構件1 1 5 是如下說明的可在Y方向移動自如。參照第1 5圖、第 1 6圖說明此回收構件1 1 5。第1 5圖是回收構件1 1 5的 槪略平面圖,第1 6圖是其側面圖。 在噴嘴1 07的側面1 07d側之Y方向,並排的設置兩 組具備:位於Y方向的進給螺桿1 1 6、將該進給螺桿 1 1 6的一端支承爲可轉動的軸承1 1 7、和連結在進給螺 桿1 1 6的另一端,而可轉動該進給螺桿1 1 6的馬達1 1 8 之回收裝置驅動機構1 1 9。在第1 0圖左側的回收構件 1 1 5之支持體1 20之螺紋孔1 2 1中,旋入位於第1 〇圖左 側的回收裝置驅動機構1 1 9之進給螺桿1 1 6,第1 0圖右 側的回收構件1 1 5之支持體1 20的螺紋孔1 2 1中,旋入 位於第1 0圖右側的回收裝置驅動機構1 1 9之進給螺桿 1 1 6。當馬達1 1 8轉動時,進給螺桿1 1 6會旋轉,由該 進給螺桿1 1 6的旋轉,回收構件1 1 5的支持體1 20會在 Y方向移動,即,回收構件1 1 5會在Y方向移動。使馬 達1 1 8的旋轉方向爲正轉或倒轉,就可改變回收構件 1 1 5的移動方向。 控制器1 1 2是依據噴嘴位置檢測器1 1 4所檢測的噴嘴 1 07與晶圓W之相對位置,以控制馬達1 1 8的驅動,而 使用回收構件1 1 5對於晶圓W邊緣保持某間隙之下,使 該回收構件1 1 5沿着晶圓W邊緣在吐液口 1 07a的長度 方向(Y方向)移動。在此所謂的「間隙」是指可防止吐 -22- 1284937 五、發明說明(21) 出於晶圓W面上的、供給基板處理用的顯像液Q之流 入於回收構件1 1 5的回收口 1 2 2,且,回收口 1 2 2只回 收到吐出於基板面外的、未能供給基板處理用之未使用 的處理液之條件下,所適宜設定的間隙者。又上述控制 器1 1 2和回收裝置驅動機構1 1 9是相當於本發明中的回 收容器移動手段。 接着說明形成在上述回收構件1 1 5上的、要接收從噴 嘴107所吐出的顯像液Q之回收口 122。如第10圖及 第1 2圖所示,在回收構件1 1 5的頂面1 1 5a形成細長的 回收口 1 22,例如細長的矩形回收口 1 22是形成爲其長 度方向在Y方向者。如第1 5圖所示,此回收構件1 1 5 是使設在其頂面1 15a的回收口 122位於噴嘴107的吐 液口 107a之下方(本實施例是正下方),並與吐液口 l〇7a對置的、連結於噴嘴107。在具體上,回收口 122 的短邊(X方向的長度)是形成爲例如比噴嘴1 07的吐液 口 107a之短徑稍微大一點的尺寸(例如1〜3mm),而, 回收口 122的長邊(Y方向的長度)是形成爲例如爲噴嘴 107的吐液口 107a之Y方向長度一半的尺寸(例如 15 0mm)。此回收口 122是如第12圖所示,其縱斷面是 形成爲漏斗狀者。形成爲漏斗狀時,可使從噴嘴1 所 吐出的顯像液Q順利的注入於回收口 1 22內。在本實施 例中,回收口 1 22是形成爲細長矩形者,但也可形成爲 長圓形等各種細長形狀。 又,如第12圖所示,此回收口 122的Z方向之高度 -23- 1284937 五、發明說明(22) 是在比晶圓W處理面爲低的位置。而由在比晶圓W處 理面爲低位置的回收構件1 15之回收口 122來回收從噴 嘴1 07的吐液口 1 07a所吐出於晶圓W面外之顯像液Q ,且,使顯像液Q的向回收口 1 22之流入速度與在回收 口 1 22的對顯像液Q之回收速度爲大致相等者。即,在 回收口 1 22上不會有顯像液Q未能順利的被回收於回收 口 1 22內而溢出之情形,因此,也不會有由於回收構件 115是位於噴嘴107下面而引起從噴嘴107的吐液口 1 〇7a所吐出顯像液Q的流量產生變化之情形。 又,回收口 122的短邊及長邊的長度並不侷限於上述 尺寸,而只要設定爲從噴嘴107的吐液口 107a所吐出 的顯像液Q之到達回收口 1 22時的大小以上者即可。 噴嘴1 07的吐液口 107a與回收構件1 1 5的回收口 122 之間的距離是由要儘量的抑制顯像液Q的從噴嘴1 07的 吐液口 107a吐出後之曝露於空氣之點上,以儘量縮短 爲理想,而如能滿足下述條件時,可使噴嘴1 07的底面 與回收構件1 15的頂面1 15a無限的接近,或使噴嘴107 的底面與回收構件1 1 5的頂面接觸,即,使噴嘴1 1 7的 吐液口 1 17a與回收構件1 15的回收口 122位於同一平 面內者。上述的條件是指可使從噴嘴107的吐液口 107a 所吐出的顯像液Q之流量不致於產生變化者。具備此條 件的手段是可例舉如第1 8圖所示的、在於回收構件1 1 5 兩端中的與另一回收構件1 1 5相鄰一側之端頭,在Z方 向開成比晶圓W的處理面高度爲低之凹槽ί25者。又, •24- 1284937 五、發明說明(23) 如使在Y方向並排的兩個回收構件1 1 5彼此之間成爲緊 貼狀態時,在回收構件1 1 5的頂面1 1 5a會由兩個回收 口 1 22的連結而形成單一回收口。以如此構成時,雖將 回收構件1 1 5置於與噴嘴1 07底面接觸的位置,從噴嘴 1 0 7 a所吐出的顯像液Q的流量也不會有變化的情形。. 又,上述回收構件1 1 5是相當於本發明中的回收容器 ,上述回收口 1 22是相當於本發明中的回收口。 如第1 0圖、第1 2圖所示,回收構件1 1 5的底部是連 接在回收管1 2 3的一端,如第9圖所示,此回收管1 2 3 的另一端是連接於顯像液貯液槽1 1 1。從回收口 1 22所 回收到回收構件1 1 5內部的顯像液Q是經由回收管1 23 供應於顯像液貯液槽1 1 1。如第9圖所示,在此回收管 1 23的途中,設有可將顯像液Q不致於逆流的供應於顯 像液貯液槽1 1 1之顯像液再供應設備1 24。顯像液再供 應設備1 24是依照控制器1 1 2的指示而動作,其係具備 可將從回收管1 23來的顯像液Q貯存在其內部的貯液槽 (圖未示),和可將貯存在該貯液槽的顯像液Q介以止回 閥送出之泵等,而可將由回收構件1 1 5所回收的顯像液 Q,以不致於逆流的供應於顯像液貯液槽111者。 又,上述電動馬達105、噴嘴驅動機構109、控制閥 1 1 3、噴嘴位置檢測器Π 4、回收裝置驅動機構1 1 9、和 顯像液再供應設備1 24等都連接於控制器1 1 2。控制器 1 1 2是對噴嘴1 〇7的移動量、晶圓W的轉速、顯像液Q 的吐出時刻、回收構件Π 5的移動量、和所回收的顯像 -25- 1284937 五、發明說明(24) 液Q之供應於顯像液貯液槽π 1等,以總括性的控制者。 又’上述顯像液再供應設備1 24是相當於本發明中的 供應手段,上述顯像液貯液槽Π 1和顯像液再供應設備 1 24是相當於本發明中的循環手段。 接着參照第8圖、第9圖以及第1 7圖說明基板顯像 處理裝置的動作。第1 7圖是從噴嘴1 07將顯像液Q吐 出於晶圓W時,回收構件1 1 5的移動軌跡之說明圖。 由圖未示的基板搬運機構所搬入的晶圓W被放置在 晶圓夾頭1 0 1上時,晶圓夾頭1 0 1會將該晶圓W吸附保 持。與此動作大致同時,噴嘴驅動機構1 09會使支架臂 108上升,以將由支架臂108所支承的噴嘴107從待機 構10 6a拉出。又,噴嘴驅動機構1〇9會沿著導軌110 移動,而使噴嘴1 07移動到外側承液杯1 04內的顯像處 理開始位置時,使支架臂1 0 8下降,以將噴嘴1 0 7降到 處理開始的高度。此時,兩個回收構件1 1 5是如第15 圖、第16圖的實線所示,在於噴嘴107的吐液口 107a 下方位置成爲互相靠近之狀態。, 在此,控制器1 1 2會使控制閥1 1 3打開,將顯像液貯 液槽1 1 1內的顯像液Q經由處理液供應管1 1 1 a及送液 管l〇8a供應於噴嘴107。噴嘴107會在於被供應顯像液 Q之同時,從吐液口 1 〇7a吐出顯像液Q。從吐液口 1 07a所吐出的顯像液Q會被兩個回收構件1 1 5的回收 口 1 2 2所回收。 當顯像液Q開始從噴嘴1 07吐出時,噴嘴驅動機構 -26- 1284937 五、發明說明(25) 109會再度沿着導軌1 10在X方向以一定速度移動。與 此移動之同時,如第1 7圖所示,位於吐液口 1 〇7a下方 位置的兩個回收構件1 1 5就會對晶圓W邊緣保持某間隙 之狀態下沿着晶圓W的邊緣,在吐液口 l〇7a的長度方 向(Y方向)移動,而且,噴嘴107是在晶圓W的上方, 邊以一定速度移動,邊將顯像液Q吐出於晶圓W上。 吐出於晶圓W面上的顯像液Q會由於表面張力而被保 持(堆積)在晶圓W上,而,被吐出於晶圓W面外的未 使用顯像液Q會被經常在於噴嘴1 07下方位置、且對晶 圓W的邊緣保持某間隙的狀態下沿著晶圓W的邊緣移 動之回收構件1 1 5的回收口 1 22所回收。又,從噴嘴 1 07向晶圓W吐出的顯像液Q是如上述的、在整體上成 爲帶狀的吐出者(參照第1 3圖、第1 4圖)。 當噴嘴1 07通過晶圓W上,來到離開晶圓W的位置 時,控制器1 1 2會使控制閥1 1 3關閉,結束從噴嘴1 07 吐出顯像液Q。而當噴嘴1 07到達外側承液杯1 04內的 移動停止位置時,噴嘴驅動機構1 09會暫停,使噴嘴 107上升後,再將噴嘴107移動到另一待機桶l〇6b,以 將噴嘴107放在待機桶l〇6b內待機。 又,上述從噴嘴107的吐液口 l〇7a向水平姿勢的基 板W吐出在整體上成爲帶狀的顯像液Q之過程是相當 於本發明的處理液吐出過程,使噴嘴1 07在基板W上相 對於基板W移動的過程是相當於本發明的水平移動過程 ,使具備細長回收口 1 2 2的回收構件1 1 5在噴嘴1 0 7的 -27- 1284937 五、發明說明(26) 吐液口 107a下方與該吐液口 107a對置,以使從噴嘴 1 〇7所吐出於基板W面外的顯像液Q由回收口 1 22接收 之過程是相當於本發明的處理液回收過程。 晶圓夾頭1 0 1會將在晶圓W上所堆積的顯像液Q在 保持此狀態下維持一定時間。此時,在晶圓W上由顯像 液Q進行顯像處理。經過一定時間後,爲了要防止顯像 液Q的飛散到周圍,而使內側承液杯1 02上升後,晶圓 夾頭1 0 1會以高速的旋轉,將顯像液Q甩掉。然後,進 行沖洗等的顯像後處理後,使內側承液杯1 02下降,由 基板搬運機構將晶圓W搬出,結束一連串的顯像處理。 依如上述本實施例基板顯像裝置時,並未使噴嘴1 0 7 的吐液口 l〇7a之吐出面積產生變化。因而,可防止由 於吐出面積變化所引起的顯像液Q流量的變化,可使從 噴嘴1 07所吐出於晶圓W的顯像液Q流量爲一宰値, 可防止由於吐出於晶圓W的顯像液Q流量的變化所引 起的晶圓W之顯像不均勻,因而,也不要例如在於要使 噴嘴1 07的吐出面積變化也要將從噴嘴1 07所吐出的顯 像液Q控制在一定流量之場合中的、複雜構成之流量控 制機構。又,從噴嘴1 07所吐出於晶圓W面外的顯像液 Q是由與噴嘴107的吐液口 l〇7a對置的回收構件1 15 之細長回收口 1 22所回收,因而,顯像液Q是只在於從 吐液口 107a被吐出到到達回收口 122之間曝露於空氣 ,因而,可減低顯像液Q的曝露於空氣,而可減低由於 顯像液Q的曝露於空氣所引起的特性變化。 -28- 1284937 五、發明說明(27) 回收構件1 1 5是對晶圓W邊緣保持某間隙之狀態下, 沿着晶圓W的邊緣在吐液口 107a的長度方向(Y方向) 移動,因而可防止吐出於晶圓W面上的顯像液Q,也即 供給基板處理所用的顯像液Q之流入於回收構件1 1 5的 回收口 1 22,而在回收口 1 22只回收未使用的顯像液Q ,也即未能供給基板處理的顯像液Q,因此,可提高所 回收的顯像液Q之品質。 又,兩個回收構件1 1 5是對晶圓W邊緣保持某間隙之 狀態下,分別沿着晶圓W的邊緣在吐液口 1 07a的長度 方向(Y方向)移動,因而,在噴嘴1〇7兩端側被吐出於 晶圓W面外的未使用顯像液Q,可分別由兩個回收構件 1 1 5所回收。 又,回收口 1 22的縱斷面是形成爲漏斗狀者,因而, 可使從噴嘴1 07所吐出的顯像液Q很順利的注入於回收 口 122 內。 又,回收構件115是連結在噴嘴107,當使噴嘴107 對基板保持手段之晶圓夾頭1 〇 1相對的移動時,回收構 件1 15會追隨於噴嘴107移動,因而’回收構件1 15是 不必與噴嘴驅動機構1 0 9分開的另設移動手段。 又,被吐出於晶圓W面外的未使用顯像液Q是被回 收構件1 1 5的回收口 1 22所回收後由噴嘴1 07吐出,因 而,可將未使用顯像液Q再使用’而可有效的活用。 又,具備如上述噴嘴1 07的基板顯像裝置是可向晶圓 W將顯像液Q在整體上成爲帶狀的吐出’因而,可經常 -29- 1284937 五、發明說明(28) 的將顯像性能未劣化之顯像液Q以不改變流速的,大致 均勻的吐出於晶圓W的處理面整面上。因此,可對晶圓 W的處理面整面上進行均勻的顯像處理。又,顯像液Q 會以平穩的供應於晶圓W上,因而也不會傷及抗鈾膜。 又,本發明也可如下述的變形實施。 (1) 上述實施例是以晶圓W的位置爲固定,而噴嘴 107會移動之構成,而,本發明也可適用與其相反的晶 圓W會移動之構成。 (2) 在上述實施例裝置中,將處理液(例如顯像液Q)吐 出於晶圓W之際,是使回收構件1 1 5對晶圓W邊緣保 持某間隙之狀態下,沿着晶圓W的邊緣在吐液口 1 07a 的長度方向(Y方向)移動之構成者,但,也可使回收構 件1 1 5不干涉到晶圓夾頭1 0 1和晶圓W等,而不在Y 方向移動的固定位置之狀態下,使該回收構件1 1 5的一 部分位於晶圓W的下側之構成。在此場合中,被吐出於 晶圓W面上的顯像液Q、也即供給基板處理用的顯像液 Q會有流入於回收構件1 1 5的回收口 1 22之事,但,未 使噴嘴107的吐液口 107a之吐出面積變化,因而,可 防止由於吐出面積的變化所引起的顯像液Q流量的變化 ,可使從噴嘴1 07所吐出於晶圓W的顯像液Q流量爲 一定値,因此,對於可防止由於吐出於晶圓W的顯像液 Q流量的變化所引起的晶圓W之顯像不均勻之事並無改 變 0 (3) 在上述實施例裝置中,是由兩個回收構件115來回 -30- 1284937
五、發明說明(29) 收被吐出於晶圓W面外的處理液(例如顯像液)之構成, 但,也可由一個回收構件1 1 5來回收之構成。在此場合 中,對於被吐出於晶圓W面外的處理液(例如顯像液Q) 之回收效率雖會降低,但,可將所回收的處理液再利用。 (4) 在上述實施例裝置中,是具備兩個回收構件驅動機 構1 1 9以個別的分別驅動兩個回收構件1 1 5之構成,但 ,也可由單一回收構件驅動機構以驅動兩個回收構件 1 1 5之構成。此單一回收構件驅動機構是例如具備:設 置在噴嘴107的側面107d之位置,而在Y方向延伸之 導軌;裝在該導軌上而可滑動自如之兩個滑動構件;和 配置在該兩個滑動構件之間,其兩端分別抵住於滑動構 件各個滑動構件的伸縮自如之伸縮機構;而回收構件 1 1 5是分別連結於所對應的滑動構件,使其伸縮機構伸 縮,就可使兩個回收構件1 1 5互相背離或互相接近的移 動之連動構造者。 (5) 在上述實施例裝置中,由回收構件1 15所回收的處 理液(例如顯像液Q)是先供應於顯像液貯液槽1 1 1後才 使其由噴嘴1 07吐出之構成者,但,也可將由回收構件 1 1 5所回收的處理液(例如顯像液Q)直接的供應於噴嘴 107° (6) 在上述實施例裝置中,如第1 1圖所示,噴嘴1〇7 的吐液口 1 〇7a是由在Y方向排成一列的多數個(例如7 個)長圓形長孔之吐出口 ltnai-lOVa?所形成者,但也 可如第19圖A所示,使噴嘴107的吐液口 l〇7a由在Y -31 - 1284937 五、發明說明(3〇) 方向細長的狹縫狀單一長孔之吐出口 1 70所形成。此單 一長孔是例如由其短邊寬度爲0.1〜1 .〇mm,長邊寬度爲 8吋或3 00mm的尺寸所形成。又,也可如第19圖B所 示’將此吐出口 170在X方向以多數個(例如兩個)並排 設置,以形成噴嘴1 0 7的吐液口 1 0 7 a者。又,也可如 第19圖C所示,將n個長圓形長孔之吐出口 i71ai〜 1 7 1 an,使其長徑互爲平行的排成一列以構成爲噴嘴i 07 的吐液口 107a者。噴嘴107的吐液口 l〇7a無論採用任 何構成,只要隨着其吐液口 1 07a的大小,以設定回收 構件1 1 5的回收口 1 22之大小即可。 (7)上述實施例是以基板顯像裝置爲例所說明者,但, 本發明並不侷限於這種裝置,而可廣泛的應用在要將適 宜的處理液(例如抗蝕劑液、沖洗液等)吐出於基板處理 面,以對基板進行處理的各種基板處理裝置,及該裝置 所用的處理液吐出噴嘴上。 又,本發明是可由不逸出其思想或本質之下,以其他 的具體形態實施之,因而,顯示本發明的範圍者並非只 限於以上的說明,而應參照申請專利範圍之敘述者。 [附圖簡單說明] 附圖所示的是說明本發明用的、現在認爲很理想的幾 個形態,但請理解,本發明並不侷限於如圖示的構成及 手段者。 第1圖:本發明第1實施例的、基板處理裝置中的一 種顯像處理裝置之槪略構成平面圖。 -32- 1284937 五、發明說明(31 ) 第2圖:第1圖的II-II箭頭方向斷面圖。 第3圖:回收容器的、與第1圖不同形狀之主要部位 槪略斷面圖。 第4圖:回收容器的、與第1圖不同構成例之槪略平 面圖。 第5圖:回收容器的、另一不同構成例之槪略平面圖。 第6圖:在於具備和顯像液承液杯固定成一體的回收 容器之顯像處理裝置中,說明其處理動作用的圖,而是 袠示從顯像液噴嘴將顯像液吐出於晶圓上時的狀態之主 要部位槪略斷面圖。 第7圖:同第6圖的、表示將顯像液供應於晶圓上後 ’從純水吐出噴嘴將純水吐出於晶圓上時的狀態之主要 部位槪略斷面圖。 第8圖:本發明第2實施例的基板處理裝置之槪略構 成平面圖。 第9圖:第8圖的基板處理裝置之側面圖。 第1 〇圖:處理液吐出噴嘴之槪略斜視圖。 第1 1圖:處理液吐出噴嘴之底面圖。 第12圖:第8圖的處理液吐出噴嘴之XII-XII箭頭方 向斷面圖。 弟1 3圖·從處理液吐出噴嘴所吐出的顯像液之樣子 圖。 第1 4圖:從各吐出口所吐出的顯像液的樣子之放大 圖。 -33- 1284937 五、發明說明(32 ) 第1 5圖:回收構件之槪略平面圖。 第1 6圖:第1 5圖的回收構件之側面圖。 第1 7圖:從噴嘴將顯像液吐出於基板之際,回收構 件的移動軌跡之說明圖。 第1 8圖:變形例的回收構件之槪略構成圖。 第1 9圖A〜C :變形例的噴嘴之吐液口平面圖。 [符號說明] 10 晶圓夾頭 12 旋轉支承軸 14 旋轉馬達 1 6、1 7、56 顯像液承液杯 18 導軌 20 支架驅動裝置 22 噴嘴支架 | 24 顯像液吐出噴嘴 26 吐液口 28 純水吐出噴嘴 30、48、52、5 8 回收容器 3 1 洗淨•乾燥裝置 32 、 50 、 54 顯像液流出口 34 回收用配管 36 顯像液貯液槽 38、 40 、 46 控制閥 42 顯像液 -34- 1284937 五、發明說明(33) 44 取出用配管 60、62 顯像液吐出噴嘴的待機位置 W 晶圓 101 晶圓夾頭 102 內側承液杯 103 旋轉軸 104 外側承液杯 105 電動馬達 106a 、 106b 待機桶 107 處理液吐出噴嘴 107a 吐液口 107ai 〜107a7 吐出口 107b 處理液滯留室 107c 導液通道 108 支架臂 108a 送液管 109 噴嘴驅動機構 110 導軌 111 顯像液貯液槽 111a 顯像液供應管 111b 氮氣加壓管 1 12 控制器 113 控制閥 1 14 噴嘴位置檢測器 -35- 1284937 五、發明說明(34) 115 回收構件 116 進給螺桿 1 17 軸承 118 馬達 119 回收構件驅動機構 120 支持體 121 螺紋孔 122 回收口 123 回收管 124 顯像液再供應設備 125 凹槽 170 吐出口 171ai 〜171a7 吐出口 Q 顯像液 - 36 -

Claims (1)

  1. I284R37 六、申請專利範圍 第9 1 1 1 62 54號「基板處理方法及其處理裝置」專利案,.凡月㉔修正) 六申請專利範圍: t::二:一 ..__j 1 · 一種基板處理方法,其係將處理液供應於基板上以實 施所要的處理之基板處理方法,其包含以下之過程: 從處理液吐出噴嘴將處理液以整體上成爲帶狀的吐 出於水平姿勢的基板之處理液吐出過程; 使上述處理液吐出噴嘴對基板在水平方向相對的移 動之水平移動過程;和, 由設置在包圍着上述基板的承液杯周邊之回收容器 ,將上述處理液吐出噴嘴所吐出於基板面外之未使用 的處理液回收之未使用處理液回收過程;以及 在包圍上述基板的承液杯,把自處理液吐出噴嘴所 吐出於基板面上之已使用於基板處理的處理液予以回 收的使用過處理液回收過程。 2. —種基板處理裝置,其係將處理液供應於基板,以對 基板實施所要的處理之基板處理裝置,其包含以下之 要素: 將基板保持在水平姿勢之基板保持裝置; 承液杯,設置在上述基板保持裝置所保持的基板之 外圍,而包圍着該基板,用以回收吐出於基板面上之 已使用於基板處理的處理液; 在其下端部位具有狹縫狀或由多數小孔所排列之吐 -卜 1284937 -、申請專利範圍 液口,而從該吐液口將處理液吐出於基板上之處理液 吐出噴嘴; 使上述處理液吐出噴嘴對基板在水平方向相對的移 動之水平移動裝置;和, 設置在上述承液杯的周邊,而將上述處理液吐出噴 嘴的吐液口所吐出於基板面外之未使用的處理液回收 之回收容器者。 3·如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中, 上述回收容器是被支持成爲可在於要將上述處理液 吐出噴嘴的吐液口所吐出於基板外之未使用的處理液 回收之回收位置與退避位置之間移動者。 4.如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中, 上述回收容器的與上述承液杯相對且靠近的一面是 形成爲順着承液杯外圍形狀之形狀者。 5 ·如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中又具有 可使上述承液杯對基板在上下方向相對的移動之上 下移動裝置;且 上述回收容器與上述承液杯是固定成爲一體,而, 上述回收容器是與上述承液杯一起的對基板在上下 方向相對地移動者。 6··如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中, 上述回收容器是藉由回收用配管連接於處理液貯液 -1- 1284937 六、申請專利範圍 槽者。 7 ·如申請專利範圍第6項之基板處理裝置,其中, 上述回收用配管中是串聯着控制閥者。 8 ·如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中又具有 可將上述回收容器的內側面加以洗淨,並使其乾燥 之洗淨•乾燥裝置者。 9·如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中, 上述處理液爲顯像液者。 10.—種基板處理方法,其係在於將處理液供應於基板上 ,以實施所要處理之基板處理方法,其包含以下之過 程: 從處理液吐出噴嘴將處理液以整體上成爲帶狀的吐 出於水平姿勢的基板之處理液吐出過程; 使上述處理液噴嘴對基板在水平方向相對地移動之 水平移動過程;和, 使用一種具備可接收從上述處理液吐出噴嘴所吐出 的處理液之回收口,並使該回收口與上述處理液吐出 噴嘴的吐液口對置的、配置在上述處理液吐出噴嘴下 方之回收容器,以將從上述處理液吐出噴嘴所吐出於 基板面外之未使用的處理液由上述回收口接收後回收 之處理液回收過程;以及 在包圍上述基板的承液杯’把自處理液吐出噴嘴所 -3一 1284937 六、申請專利範圍 吐出於基板面上之已使用於基板處理的處理液予以回 收的使用過處理液回收過程。 11·如申請專利範圍第10項之基板處理方法,其中, 上述處理液回收過程是邊使上述回收容器與基板邊 緣保持在某間隙之下,邊使上述回收容器沿着上述基 板邊緣在上述吐液口的長度方向移動者。 12.—種基板處理裝置,其係在於將處理液供應於基板上 ,以實施所要處理之基板處理裝置,其包含以下之要 素: 將基板保持在水平姿勢之基板保持裝置; 承液杯,設置在上述基板保持手段所保持的基板之 外圍,而包圍着該基板,用以回收吐出於基板面上之 已使用於基板處理的處理液; 在其下端部位具有狹縫狀或由多數小孔所排列之吐 液口,而從該吐液口將處理液吐出於基板上之處理液 吐出噴嘴; 使上述處理液吐出噴嘴對基板在水平方向相對的移 動之水平移動裝置;和, 具備可接收從上述處理液吐液噴嘴所吐出之未使用 的處理液之回收口,並使該回收口與上述處理液吐出 噴嘴的吐液口對置的、配置在上述處理液吐出噴嘴下 方之回收容器,而該回收容器是將從上述處理液吐出 噴嘴所吐出於基板面外之未使用的處理液,由上述回 -4 一 1284937 六、申請專利範圍 收口接收後回收者。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之基板處理裝置,其中又具 有: 可檢測上述處理液吐出噴嘴與基板的相對位置之噴 嘴位置檢測裝置;和, 依據上述噴嘴位置檢測裝置所測出的上述處理液吐 出噴嘴之位置,使上述回收容器在上述吐液口的長度 方向移動之回收容器移動裝置;而, 上述回收容器是由上述回收容器移動裝置,邊使其 與基板邊緣保持在某間隙之下,邊沿着該基板邊緣在 上述吐液口的長度方向移動者。 14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置,其中, 上述回收容器是有兩個以並排設置在上述吐液口之 長度方向;而 其一個上述回收容器是在將上述吐液口的長度方向 之長度分成兩份所形成的第1、第2範圍中之第1範圍 內移動,另一個上述回收容器是在上述第2範圍內移 動者。 15. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置,其中, 上述回收口的縱斷面是形成爲漏斗狀者。 16·如申請專利範圍第12項之基板處理裝置,其中, 上述水平移動裝置是可使上述處理液吐出噴嘴在水 平方向移動;且, 一 5 - 1284937 六、申請專利範圍 上述回收容器是和上述處理液吐出噴嘴同步地在水 平方向移動者。 i 7.如申請專利範圍第16項之基板處理裝置,其中, 上述回收容器是連結在上述處理液吐出噴嘴者。 18. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置,其中又具 有: 可將由上述回收口所回收之未使用的處理液供應於 上述處理液吐出噴嘴,以使其從該處理液吐出噴嘴吐 出之循環裝置者。 19. 如申請專利範圍第18項之基板處理裝置,其中, 上述循環裝置是具備: 連接於上述處理液吐出噴嘴,而可將要供應於上述 處理液吐出噴嘴的處理液予以貯存之處理液貯存裝置 ;和 連接於上述回收容器,而可將上述回收容器所回收 之未使用的處理液供應於上述處理液貯存裝置之供應 裝置者。 20. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置,其中, 上述處理液是顯像液者。 -6 一
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9640382B2 (en) 2012-03-28 2017-05-02 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN113441354A (zh) * 2021-07-15 2021-09-28 安徽帝晶光电科技有限公司 一种新型高效高精度Mini LED封胶装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4426403B2 (ja) * 2004-08-31 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置
JP4476217B2 (ja) * 2005-12-27 2010-06-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7940669B2 (en) * 2007-06-15 2011-05-10 Silver Spring Networks, Inc. Route and link evaluation in wireless mesh communications networks
US8092599B2 (en) * 2007-07-10 2012-01-10 Veeco Instruments Inc. Movable injectors in rotating disc gas reactors
JP5523062B2 (ja) * 2008-11-20 2014-06-18 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5835188B2 (ja) * 2012-11-06 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体
CN103630959A (zh) * 2013-03-05 2014-03-12 苏州秀诺光电科技有限公司 一种全息光栅的显影方法及其专用设备
TWI569349B (zh) 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
SG11201606084RA (en) 2014-01-27 2016-08-30 Veeco Instr Inc Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
CN103823334A (zh) * 2014-03-06 2014-05-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 图形化光刻胶的形成方法
US20150262848A1 (en) * 2014-03-11 2015-09-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method for discharge of processing liquid from nozzle
KR102174762B1 (ko) * 2018-11-28 2020-11-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
JPH07130618A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3116297B2 (ja) * 1994-08-03 2000-12-11 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
KR100210841B1 (ko) * 1996-12-26 1999-07-15 구본준 포토 레지스트 코팅장치
JP3578577B2 (ja) * 1997-01-28 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給方法及びその装置
SG71082A1 (en) * 1997-01-30 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for coating resist and developing the coated resist
TW418452B (en) * 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
JP3686241B2 (ja) * 1997-11-18 2005-08-24 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP3722629B2 (ja) 1997-12-05 2005-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 現像液吐出ノズルおよび現像液供給装置
KR200205172Y1 (ko) * 1998-08-22 2001-01-15 김영환 반도체 웨이퍼 제조용 코팅장치
US6382849B1 (en) * 1999-06-09 2002-05-07 Tokyo Electron Limited Developing method and developing apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9640382B2 (en) 2012-03-28 2017-05-02 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN113441354A (zh) * 2021-07-15 2021-09-28 安徽帝晶光电科技有限公司 一种新型高效高精度Mini LED封胶装置
CN113441354B (zh) * 2021-07-15 2022-08-12 安徽帝晶光电科技有限公司 一种新型高效高精度Mini LED封胶装置

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