KR102174762B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102174762B1
KR102174762B1 KR1020180149700A KR20180149700A KR102174762B1 KR 102174762 B1 KR102174762 B1 KR 102174762B1 KR 1020180149700 A KR1020180149700 A KR 1020180149700A KR 20180149700 A KR20180149700 A KR 20180149700A KR 102174762 B1 KR102174762 B1 KR 102174762B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
recovery
recovery unit
unit
chuck
Prior art date
Application number
KR1020180149700A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200063680A (ko
Inventor
이현희
용수빈
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180149700A priority Critical patent/KR102174762B1/ko
Publication of KR20200063680A publication Critical patent/KR20200063680A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102174762B1 publication Critical patent/KR102174762B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하고, 회전하여 상기 기판에 분사된 처리액이 상기 기판에 도포되도록 하는 척과, 상기 척의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 제1 회수막을 구비하여 상기 기판에서 이탈한 처리액을 회수하는 제1 회수부, 및 상기 제1 회수부의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 상기 제1 회수막보다 높은 위치에 배치된 제2 회수막을 구비하여 상기 기판에서 이탈한 처리액을 회수하는 제2 회수부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 세정 등 다양한 공정이 실시된다. 여기서, 사진공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정을 포함한다. 기판 상에 감광액을 도포하고(즉, 도포 공정), 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하며(즉, 노광 공정), 기판의 노광처리된 영역을 선택적으로 현상한다(즉, 현상 공정).
도포 공정 중 감광액의 도포는 회전하는 기판에 감광액을 주입하는 것으로 수행될 수 있다. 이 때, 기판의 표면에 도포된 감광액 중 일부는 원심력에 의하여 기판에서 이탈할 수 있다. 비산하는 감광액은 별도의 수단에 의하여 회수될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 비산하는 감광액의 회수 효율이 향상된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 지지하고, 회전하여 상기 기판에 분사된 처리액이 상기 기판에 도포되도록 하는 척과, 상기 척의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 제1 회수막을 구비하여 상기 기판에서 이탈한 처리액을 회수하는 제1 회수부, 및 상기 제1 회수부의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 상기 제1 회수막보다 높은 위치에 배치된 제2 회수막을 구비하여 상기 기판에서 이탈한 처리액을 회수하는 제2 회수부를 포함한다.
상기 처리액은 감광액을 포함한다.
상기 제1 회수막 및 상기 제2 회수막은, 상기 기판의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 상기 기판의 중심으로 진행할수록 상향 경사지어 형성된다.
상기 제1 회수막의 상부 말단은 제1 개구를 포함하고, 상기 제1 개구의 직경은 상기 기판의 직경보다 크게 형성된다.
상기 제2 회수막의 상부 말단은 제2 개구를 포함하고, 상기 제2 개구의 직경은 상기 기판의 직경보다 작게 형성된다.
상기 제2 회수부는 상기 제1 회수부에 착탈 가능하다.
상기 제2 회수부는, 상기 제1 회수부의 상측에서 하강하여 상기 제1 회수부에 부착되고, 상기 제1 회수부의 상측으로 상승하여 상기 제1 회수부에서 이탈된다.
상기 제2 회수부는 서로 결합 및 결합 해제 가능한 복수의 부분 회수부를 포함하고, 상기 복수의 부분 회수부가 결합됨에 따라 상기 제2 회수부는 상기 제1 회수부에 부착되고, 상기 복수의 부분 회수부가 결합 해제됨에 따라 상기 제2 회수부는 상기 제1 회수부에서 이탈된다.
상기 복수의 부분 회수부는 상기 기판의 회전 중심축에 수직한 방향으로 이동하여 상기 제1 회수부에 부착되거나 상기 제1 회수부에서 이탈된다.
상기 제2 회수부는, 상기 기판에서 이탈한 처리액을 수용하는 제2 수용함, 및 상기 제2 수용함에 연결되어 상기 수용된 처리액을 배출하는 제2 배출구를 포함한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 제2 배출구에 연결 및 연결 해제 가능하고, 상기 제2 배출구에서 배출된 처리액을 배출시키는 배출관을 더 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 제2 회수부가 제1 회수부에 착탈되는 것을 나타낸 도면이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하여 기판에 처리액이 도포되는 것을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 회수부가 제1 회수부에 착탈되는 것을 나타낸 도면이다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하여 기판에 처리액이 도포되는 것을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 제2 회수부가 제1 회수부에 착탈되는 것을 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 척(100), 구동부(200), 제1 회수부(300), 제2 회수부(400), 분사부(500) 및 이동부(600)를 포함하여 구성된다.
척(100)은 기판을 지지하는 역할을 수행한다. 또한, 척(100)은 회전하여 기판에 분사된 처리액이 기판에 도포되도록 할 수 있다. 본 발명에서 처리액은 사진 공정에서 이용되는 감광액일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
척(100)은 척 플레이트(110) 및 회전축(120)을 포함할 수 있다. 척 플레이트(110)는 대체로 원판의 형상으로 제공될 수 있다. 척 플레이트(110)는 기판의 안착을 위한 안착면을 가질 수 있다. 안착면의 가장자리에는 지지핀(130)이 구비될 수 있다. 지지핀(130)은 기판에 대한 공정 시 기판의 가장자리를 지지하여 기판이 척 플레이트(110)에 고정되도록 할 수 있다. 회전축(120)은 일단이 척 플레이트(110)의 중심 하부에 결합되고, 타단이 구동부(200)에 결합될 수 있다. 회전축(120)은 구동부(200)의 회전력을 척 플레이트(110)에 전달할 수 있다.
구동부(200)는 척(100)을 회전시키는 역할을 수행한다. 구동부(200)의 회전력이 회전축(120)을 따라 전달되어 척 플레이트(110)가 회전할 수 있다. 이에, 척 플레이트(110)에 고정된 기판이 회전할 수 있다. 척 플레이트(110)와 함께 기판이 회전함에 따라 기판에 분사된 처리액에 기판의 상부 표면에 도포될 수 있다.
제1 회수부(300)는 기판에서 이탈한 처리액을 회수하는 역할을 수행한다. 이를 위하여, 제1 회수부(300)는 척(100)의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 제1 회수막(310)을 구비할 수 있다. 기판에서 이탈한 처리액이 제1 회수막(310)과 충돌하면서 제1 회수부(300)에 수용될 수 있게 된다.
처리액의 수용을 위하여 제1 회수부(300)는 제1 수용함(320)을 구비할 수 있다. 제1 수용함(320)은 제1 내측판(321) 및 제1 외측판(322)이 제1 하측판(323)이 연결됨으로써 형성될 수 있다. 제1 내측판(321) 및 제1 외측판(322)은 동일한 중심축을 가지면서 직경이 다른 원통 형상으로 제공될 수 있다. 제1 외측판(322)은 제1 내측판(321)의 외측에 구비될 수 있으며, 제1 내측판(321), 제1 외측판(322) 및 제1 하측판(323)의 결합체에 의하여 제1 수용함(320)이 형성될 수 있다.
제1 수용함(320)에는 수용된 처리액을 배출하는 제1 배출구(330)가 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 배출구(330)는 제1 하측판(323)에 구비될 수 있다. 제1 배출구(330)에서 배출된 처리액은 제1 배출라인(340)을 따라 이동하여 제1 회수부(300)에서 제거될 수 있다.
제2 회수부(400)는 기판에서 이탈한 처리액을 회수하는 역할을 수행한다. 이를 위하여, 제2 회수부(400)는 제1 회수부(300)의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 제2 회수막(410)을 구비할 수 있다. 기판에서 이탈한 처리액이 제2 회수막(410)과 충돌하면서 제2 회수부(400)에 수용될 수 있게 된다.
처리액의 수용을 위하여 제2 회수부(400)는 제2 수용함(420)을 구비할 수 있다. 제2 수용함(420)은 제2 내측판(421) 및 제2 외측판(422)이 제2 하측판(423)에 연결됨으로써 형성될 수 있다. 제2 내측판(421) 및 제2 외측판(422)은 동일한 중심축을 가지면서 직경이 다른 원통 형상으로 제공될 수 있다. 제2 외측판(422)은 제2 내측판(421)의 외측에 구비될 수 있으며, 제2 내측판(421), 제2 외측판(422) 및 제2 하측판(423)의 결합체에 의하여 제2 수용함(420) 형성될 수 있다.
제2 수용함(420)에는 수용된 처리액을 배출하는 제2 배출구(430)가 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 배출구(430)는 제2 하측판(423)에 구비될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는 제2 배출구(430)에 연결 및 연결 해제 가능하고, 제2 배출구(430)에서 배출된 처리액을 배출시키는 배출관(450)을 포함할 수 있다. 제2 배출구(430)는 배출관(450)을 통하여 제2 배출라인(440)에 연결될 수 있다. 제2 배출구(430)에서 배출된 처리액은 제2 배출라인(440)을 따라 이동하여 제2 회수부(400)에서 제거될 수 있다.
기판의 회전 속도에 따라 처리액의 이탈 범위가 달라질 수 있다. 기판의 회전 속도가 상대적으로 느린 경우 처리액의 이탈 범위가 좁게 형성되지만, 기판의 회전 속도가 상대적으로 빠른 경우 처리액의 이탈 범위가 넓게 형성될 수 있다. 처리액의 이탈 범위가 제1 회수부(300)에 의하여 회수 가능한 범위를 벗어나는 경우 처리액이 기판 처리 장치(10)에서 이탈하여 기판 처리 장치(10)를 수용하고 있는 챔버(미도시)의 내부에서 분사될 수 있다. 이러한 경우 챔버에 구비된 다른 장비가 손상될 수 있다.
제2 회수부(400)는 제1 회수부(300)에 의하여 회수되지 않는 처리액을 회수하는 역할을 수행한다. 특히, 제2 회수부(400)는 고속 회전하는 기판에서 이탈한 처리액까지 회수할 수 있다. 이를 위하여, 제2 회수부(400)에 구비된 제2 회수막(410)은 제1 회수부(300)의 제1 회수막(310)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 여기서, 제2 회수막(410)의 높이는 기판의 최고 회전 속도에서 형성되는 처리액의 이탈 범위에 의해 결정될 수 있다. 즉, 제2 회수막(410)의 높이는 기판이 최고 속도로 회전할 때 기판에서 이탈하는 모든 처리액을 회수할 수 있는 정도로 결정될 수 있다.
상대적으로 느린 속도로 기판이 회전하는 경우 제1 회수부(300)만에 의하여 처리액이 회수되고, 상대적으로 빠른 속도로 기판이 회전하는 경우 제1 회수부(300)와 함께 제2 회수부(400)에 의하여 처리액을 회수될 수 있다. 예를 들어, 사전에 설정된 기준 회전 속도 미만으로 기판이 회전하는 경우 제1 회수부(300)만에 의하여 처리액이 회수되고, 기준 회전 속도 이상으로 기판이 회전하는 경우 제1 회수부(300) 및 제2 회수부(400)에 의하여 처리액이 회수될 수 있다.
제1 회수막(310) 및 제2 회수막(410)은 기판의 측면을 감싸도록 환형으로 제공될 수 있다. 또한, 제1 회수막(310) 및 제2 회수막(410)은 기판의 중심으로 진행할수록 상향 경사지어 형성될 수 있다. 이에, 제1 회수막(310) 또는 제2 회수막(410)에 충돌한 처리액은 제1 회수막(310) 또는 제2 회수막(410)의 표면을 타고 흐르다가 제1 수용함(320) 또는 제2 수용함(420)으로 낙하하여 수용될 수 있다.
제1 회수막(310)의 상부 말단은 제1 개구를 포함할 수 있다. 제1 개구는 기판의 출입 통로로 이용될 수 있다. 이를 위하여, 제1 개구의 직경(D1)은 기판의 직경보다 크게 형성될 수 있다. 기판은 제1 개구를 통과함으로써 척(100)에 안착되거나, 척(100)에서 제거될 수 있다.
제2 회수막(410)의 상부 말단은 제2 개구를 포함할 수 있다. 제2 개구는 척(100)에 안착된 기판으로 처리 가스를 분사하기 위한 통로로 이용될 수 있다. 제2 개구의 직경(D2)은 기판의 직경보다 작게 형성될 수 있다. 제2 개구의 직경(D2)이 기판의 직경보다 작게 형성됨에 따라 기판에서 이탈한 처리액이 제2 회수막(410)에 충돌할 가능성이 증가하고, 처리액이 챔버의 내부로 분사되는 것이 효과적으로 방지될 수 있다.
분사부(500)는 기판으로 처리액을 분사하는 역할을 수행한다. 분사부(500)는 분사 노즐(510) 및 이송부(520)를 포함할 수 있다. 분사 노즐(510)은 처리액을 분사할 수 있다. 이를 위하여, 처리액을 분사할 때 분사 노즐(510)의 말단은 기판에 인접하여 배치될 수 있다. 이송부(520)는 분사 노즐(510)을 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 이송부(520)는 분사 노즐(510)의 말단이 기판에 인접하도록 분사 노즐(510)을 이동시킬 수 있다. 또한, 이송부(520)는 기판 상에서의 분사 지점을 조절할 수 있다. 즉, 이송부(520)는 기판의 표면에 평행한 방향으로 분사 노즐(510)을 이동시켜 기판의 서로 다른 지점에 처리액이 분사되도록 할 수 있다. 또한, 이송부(520)는 척(100)의 상부로 분사 노즐(510)이 위치되도록 하거나 척(100)의 상부에서 분사 노즐(510)이 제거되도록 분사 노즐(510)을 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 기판이 척(100)에 안착되거나 척(100)에서 기판이 제거되는 경우 이송부(520)는 분사 노즐(510)이 척(100)의 상부에서 제거되도록 하고, 기판에 처리액이 분사되도록 하는 경우 이송부(520)는 분사 노즐(510)이 척(100)의 상부 즉, 기판의 상부에 위치하도록 할 수 있다.
이동부(600)는 제2 회수부(400)를 이동시키는 역할을 수행한다. 제1 회수부(300)의 위치가 고정된 상태에서 이동부(600)는 제2 회수부(400)를 이동시킬 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 제2 회수부(400)는 제1 회수부(300)에 착탈 가능하다. 제2 회수부(400)는 제1 회수부(300)의 상측에서 하강하여 제1 회수부(300)에 부착되고, 제1 회수부(300)의 상측으로 상승하여 제1 회수부(300)에서 이탈될 수 있다.
이동부(600)는 실린더(610) 및 피스톤(620)을 포함하여 구성될 수 있다. 피스톤(620)이 실린더(610)에 삽입됨에 따라 이동부(600)의 길이가 감소되고, 피스톤(620)이 실린더(610)에서 방출됨에 따라 이동부(600)의 길이가 증가할 수 있다.
실린더(610)는 챔버의 상부 커버(미도시)에 결합될 수 있다. 피스톤(620)의 일측 말단은 실린더(610)에 수용되어 있고, 타단은 제2 회수부(400)에 결합될 수 있다. 피스톤(620)이 실린더(610)에서 방출됨에 따라 이동부(600)의 길이가 증가하면서 제2 회수부(400)가 하강할 수 있다. 피스톤(620)이 실린더(610)에 삽입됨에 따라 이동부(600)의 길이가 감소되면서 제2 회수부(400)가 상승할 수 있다. 실린더(610)에 대한 피스톤(620)의 이동은 유압에 의하여 수행될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
제2 회수부(400)가 하강하여 제1 회수부(300)에 부착되면서 제2 회수부(400)의 제2 배출구(430)는 배출관(450)에 결합될 수 있다. 또한, 제2 회수부(400)가 상승하여 제1 회수부(300)에서 이탈하면서 제2 회수부(400)의 제2 배출구(430)는 배출관(450)에서 결합 해제될 수 있다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하여 기판에 처리액이 도포되는 것을 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 기판(W)은 척(100)에 안착될 수 있다. 척(100)에 안착된 기판(W)은 지지핀(130)에 고정될 수 있다. 기판(W)이 척(100)에 안착되기 이전에 제2 회수부(400)는 제1 회수부(300)에서 이탈한 상태를 유지할 수 있다.
도 5를 참조하면, 분사부(500)는 기판(W)에 처리액을 분사할 수 있다. 기판(W)의 회전 속도가 기준 회전 속도 미만인 경우 제2 회수부(400)가 제1 회수부(300)에서 이탈한 상태에서 기판(W)에 대한 처리액 도포 공정이 수행될 수 있다.
구동부(200)에 의하여 척 플레이트(110)가 회전하면서 기판(W)이 회전할 수 있다. 회전하는 기판(W)에 처리액이 분사됨에 따라 기판(W)의 표면에 처리액이 도포될 수 있게 된다.
기판(W)의 표면에 존재하는 처리액 중 일부는 원심력에 의하여 기판(W)에서 이탈할 수 있다. 이탈된 처리액은 제1 회수부(300)에 의하여 회수될 수 있다. 제1 회수부(300)의 제1 수용함(320)에 수용된 처리액은 제1 배출구(330) 및 제1 배출라인(340)을 통해 배출될 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 회수부(400)는 하강하여 제1 회수부(300)에 부착되고, 이어서 분사부(500)는 기판(W)에 처리액을 분사할 수 있다. 기판(W)의 회전 속도가 기준 회전 속도 이상인 경우 제2 회수부(400)가 제1 회수부(300)에서 부착된 상태에서 기판(W)에 대한 처리액 도포 공정이 수행될 수 있다.
기판(W)의 표면에 존재하는 처리액 중 일부는 원심력에 의하여 기판(W)에서 이탈할 수 있다. 이탈된 처리액은 제1 회수부(300) 및 제2 회수부(400)에 의하여 회수될 수 있다. 제1 회수부(300)의 제1 수용함(320)에 수용된 처리액은 제1 배출구(330) 및 제1 배출라인(340)을 통해 배출될 수 있다. 제2 회수부(400)의 제2 수용함(420)에 수용된 처리액은 제2 배출구(430), 배출관(450) 및 제2 배출라인(440)을 통해 배출될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이고, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 회수부가 제1 회수부에 착탈되는 것을 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(20)는 척(1100), 구동부(1200), 제1 회수부(1300), 제2 회수부(1400), 분사부(1500) 및 이동부(1600)를 포함하여 구성된다.
척(1100)은 기판(W)을 지지하는 역할을 수행한다. 척(1100)은 척 플레이트(1110) 및 회전축(1120)을 포함할 수 있다. 구동부(1200)는 척(1100)을 회전시키는 역할을 수행한다. 구동부(1200)의 회전력이 회전축(1120)을 따라 전달되어 척 플레이트(1110)가 회전할 수 있다. 제1 회수부(1300) 및 제2 회수부(1400)는 기판(W)에서 이탈한 처리액을 회수하는 역할을 수행한다. 분사부(1500)는 기판(W)으로 처리액을 분사하는 역할을 수행한다. 분사부(1500)는 분사 노즐(1510) 및 이송부(1520)를 포함할 수 있다. 이동부(1600)는 제2 회수부(1400)를 이동시키는 역할을 수행한다. 제1 회수부(1300)의 위치가 고정된 상태에서 이동부(1600)는 제2 회수부(1400)를 이동시킬 수 있다. 척(1100), 구동부(1200), 제1 회수부(1300), 제2 회수부(1400), 분사부(1500) 및 이동부(1600)의 형태 및 기능은 전술한 척(100), 구동부(200), 제1 회수부(300), 제2 회수부(400), 분사부(500) 및 이동부(600)의 형태 및 기능과 동일하거나 유사하므로 이하 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
제2 회수부(1400)는 서로 결합 및 결합 해제 가능한 복수의 부분 회수부(1401, 1402)를 포함할 수 있다. 도 8 및 도 9는 2개의 부분 회수부(1401, 1402)로 제2 회수부(1400)가 구성된 것을 도시하고 있으나, 3개 이상의 부분 회수부로 제2 회수부(1400)구 구성될 수도 있다. 이하, 2개의 부분 회수부(1401, 1402)로 제2 회수부(1400)가 구성된 것을 위주로 설명하기로 한다.
이동부(1600)는 부분 회수부(1401, 1402)를 이동시키는 역할을 수행한다. 이동부(1600)는 실린더(1610) 및 피스톤(1620)을 포함할 수 있다. 피스톤(1620)이 실린더(1610)에 삽입됨에 따라 이동부(1600)의 길이가 감소되고, 피스톤(1620)이 실린더(1610)에서 방출됨에 따라 이동부(1600)의 길이가 증가할 수 있다.
실린더(1610)는 챔버의 측벽(미도시)에 결합될 수 있다. 피스톤(1620)의 일측 말단은 실린더(1610)에 수용되어 있고, 타단은 제2 회수부(1400)에 결합될 수 있다. 피스톤(1620)이 실린더(1610)에서 방출됨에 따라 이동부(1600)의 길이가 증가하면서 제2 회수부(1400)가 제1 회수부(1300)쪽으로 이동할 수 있다. 피스톤(1620)이 실린더(1610)에 삽입됨에 따라 이동부(1600)의 길이가 감소되면서 제2 회수부(1400)가 제1 회수부(1300)에서 이탈될 수 있다. 실린더(1610)에 대한 피스톤(1620)의 이동은 유압에 의하여 수행될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
도 9를 참조하면, 복수의 부분 회수부(1401, 1402)가 결합됨에 따라 제2 회수부(1400)는 제1 회수부(1300)에 부착되고, 복수의 부분 회수부(1401, 1402)가 결합 해제됨에 따라 제2 회수부(1400)는 제1 회수부(1300)에서 이탈될 수 있다.
복수의 부분 회수부(1401, 1402)는 기판(W)의 회전 중심축(Ax)에 수직한 방향으로 이동하여 제1 회수부(1300)에 부착되거나 제1 회수부(1300)에서 이탈될 수 있다. 여기서, 기판(W)의 회전 중심축(Ax)은 척(1100)의 회전 중심축(Ax)인 것으로도 이해될 수 있다. 부분 회수부(1401, 1402)가 결합하여 제2 회수부(1400)가 제1 회수부(1300)에 부착되면서 제2 회수부(1400)의 제2 배출구(1430)는 배출관(1450)에 결합될 수 있다. 또한, 부분 회수부(1401, 1402)가 결합 해제되어 제2 회수부(1400)가 제1 회수부(1300)에서 이탈하면서 제2 회수부(1400)의 제2 배출구(1430)는 배출관(1450)에서 결합 해제될 수 있다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하여 기판에 처리액이 도포되는 것을 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 기판(W)은 척(1100)에 안착될 수 있다. 척(1100)에 안착된 기판(W)은 지지핀에 고정될 수 있다. 기판(W)이 척(1100)에 안착되기 이전에 제2 회수부(1400)의 부분 회수부(1401, 1402)는 제1 회수부(1300)에서 이탈한 상태를 유지할 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제2 회수부(1400)의 부분 회수부(1401, 1402)가 수평 이동하여 제1 회수부(1300)에 부착되고, 이어서 분사부(1500)는 기판(W)에 처리액을 분사할 수 있다.
기판(W)의 표면에 존재하는 처리액 중 일부는 원심력에 의하여 기판(W)에서 이탈할 수 있다. 이탈된 처리액은 제1 회수부(1300) 및 제2 회수부(1400)에 의하여 회수될 수 있다. 제1 회수부(1300)의 제1 수용함에 수용된 처리액은 제1 배출구(1330) 및 제1 배출라인(1340)을 통해 배출될 수 있다. 제2 회수부(1400)의 제2 수용함에 수용된 처리액은 제2 배출구(1430), 배출관(1450) 및 제2 배출라인(1440)을 통해 배출될 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10, 20: 기판 처리 장치 100, 1100: 척
110, 1110: 척 플레이트 120, 1120: 회전축
200, 1200: 구동부 300, 1300: 제1 회수부
310: 제1 회수막 320: 제1 수용함
321: 제1 내측판 322: 제1 외측판
323: 제1 하측판 330, 1330: 제1 배출구
340, 1340: 제1 배출라인 400, 1400: 제2 회수부
410: 제2 회수막 420: 제2 수용함
421: 제2 내측판 422: 제2 외측판
423: 제2 하측판 430, 1430: 제2 배출구
440, 1440: 제2 배출라인 450, 1450: 배출관
500, 1500: 분사부 510, 1510: 분사 노즐
520, 1520: 이송부 600, 1600: 이동부
610, 1610: 실린더 620, 1620: 피스톤
1401, 1402: 부분 회수부

Claims (11)

  1. 기판을 지지하고, 회전하여 상기 기판에 분사된 처리액이 상기 기판에 도포되도록 하는 척;
    상기 척의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 제1 회수막을 구비하여 상기 기판에서 이탈한 처리액을 회수하는 제1 회수부;
    상기 제1 회수부의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고, 상기 제1 회수막보다 높은 위치에 배치된 제2 회수막을 구비하여 상기 기판에서 이탈한 처리액을 회수하는 제2 회수부; 및
    상기 척에 상기 기판이 안착되도록 하기 위하여 상기 제2 회수부를 이동시키는 이동부를 포함하되,
    상기 제2 회수막은 상기 기판으로 처리액을 분사하기 위한 통로인 제2 개구를 포함하고,
    상기 제2 개구의 직경은 상기 기판의 직경보다 작게 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 처리액은 감광액을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 회수막 및 상기 제2 회수막은,
    상기 기판의 측면을 감싸도록 환형으로 제공되고,
    상기 기판의 중심으로 진행할수록 상향 경사지어 형성되는 기판 처리 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 회수막의 상부 말단은 제1 개구를 포함하고,
    상기 제1 개구의 직경은 상기 기판의 직경보다 크게 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 회수부는 상기 제1 회수부에 착탈 가능한 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 회수부는,
    상기 제1 회수부의 상측에서 하강하여 상기 제1 회수부에 부착되고,
    상기 제1 회수부의 상측으로 상승하여 상기 제1 회수부에서 이탈되는 기판 처리 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 회수부는 서로 결합 및 결합 해제 가능한 복수의 부분 회수부를 포함하고,
    상기 복수의 부분 회수부가 결합됨에 따라 상기 제2 회수부는 상기 제1 회수부에 부착되고,
    상기 복수의 부분 회수부가 결합 해제됨에 따라 상기 제2 회수부는 상기 제1 회수부에서 이탈되는 기판 처리 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 복수의 부분 회수부는 상기 기판의 회전 중심축에 수직한 방향으로 이동하여 상기 제1 회수부에 부착되거나 상기 제1 회수부에서 이탈되는 기판 처리 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 회수부는,
    상기 기판에서 이탈한 처리액을 수용하는 제2 수용함; 및
    상기 제2 수용함에 연결되어 상기 수용된 처리액을 배출하는 제2 배출구를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 배출구에 연결 및 연결 해제 가능하고, 상기 제2 배출구에서 배출된 처리액을 배출시키는 배출관을 더 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020180149700A 2018-11-28 2018-11-28 기판 처리 장치 KR102174762B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180149700A KR102174762B1 (ko) 2018-11-28 2018-11-28 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180149700A KR102174762B1 (ko) 2018-11-28 2018-11-28 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200063680A KR20200063680A (ko) 2020-06-05
KR102174762B1 true KR102174762B1 (ko) 2020-11-05

Family

ID=71089094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180149700A KR102174762B1 (ko) 2018-11-28 2018-11-28 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102174762B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267278A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
JP2001269609A (ja) * 2000-03-28 2001-10-02 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置
KR100488753B1 (ko) * 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190442A (ja) * 1992-01-10 1993-07-30 Hitachi Ltd 薬液処理装置
JPH104079A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4043593B2 (ja) * 1998-04-30 2008-02-06 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267278A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
JP2001269609A (ja) * 2000-03-28 2001-10-02 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置
KR100488753B1 (ko) * 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200063680A (ko) 2020-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102569133B (zh) 液体处理装置及液体处理方法
TWI726154B (zh) 塗布顯影方法及塗布顯影裝置
US6162294A (en) Spin coating bowl exhaust system
CN108074858A (zh) 基板湿式处理装置
KR101983897B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4343069B2 (ja) 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。
CN105981139B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
US8834672B2 (en) Semiconductor development apparatus and method using same
JP6863691B2 (ja) 基板処理装置
US9855579B2 (en) Spin dispenser module substrate surface protection system
KR20200123249A (ko) 레지스트 막의 두께를 조정하기 위한 시스템 및 방법
KR102174762B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI713667B (zh) 光阻製程工具以及用於清洗光阻製程工具的杯洗盤和方法
TW202046400A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP2007510283A (ja) 処理液塗布装置及び処理液塗布方法
KR102540992B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3289208B2 (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP6799409B2 (ja) 基板処理装置
KR20220030589A (ko) 기판 처리 장치
TW202042324A (zh) 單晶圓濕處理設備
JP2893151B2 (ja) 処理装置及びその洗浄方法
KR20160026419A (ko) 프리 디스펜스 유닛 및 기판 처리 장치
KR20220091774A (ko) 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판 처리장치
KR20220065220A (ko) 기판 처리 장치
NL1030447C2 (nl) Inrichting en werkwijze voor megasonische immersielithografie belichting.

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right