TWI405620B - 液處理中之噴嘴洗淨，處理液乾燥防止方法及其裝置 - Google Patents

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Kenichi Miyamoto
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Description

液處理中之噴嘴洗淨，處理液乾燥防止方法及其裝置
本發明係關於執行將例如光阻等之處理液吐出至基板之處理的處理液供給噴嘴之洗淨、處理液乾燥防止方法以及其裝置。
一般，在半導體裝置之製造中，為了在屬於被處理基板之半導體晶圓塗佈光阻液，並曝光處理光罩圖案而形成電路圖案，利用光微影技術。在該光微影技術中，藉由旋轉塗佈法，在晶圓等塗佈光阻液，並將依此所形成之光阻膜因應特定電路圖案而進行曝光，且將該曝光圖案予以顯像處理，依此形成電路圖案。
在如此之光微影工程中，一般執行光阻之塗佈、顯像之塗佈、顯像裝置使用連接有曝光裝置之塗佈、顯像處理系統。在該塗佈、顯像處理系統中，光阻液之塗佈係藉由自塗佈噴嘴吐出光阻液至被例如旋轉吸盤保持之晶圓之略中心部，接著使晶圓旋轉，利用該旋轉之離心力，使晶圓表面上之光阻液自晶圓W之中心朝向邊緣擴散而執行。
上述光阻液為含有由有機材料所構成之光阻膜之成分，和該成分之溶劑例如稀釋液，當與空氣接觸時容易乾燥。在光阻液乾燥之狀態下，使用塗佈噴嘴執行塗佈處理之時，塗佈因乾燥而使濃度等產生變化之光阻液，其結果須擔心產生塗佈不良。
因此，在以往，作為防止塗佈噴嘴內之光阻液之乾燥的手段，自塗佈噴嘴將光阻液吐出至晶圓表面而執行塗佈處理之後，吸引殘存在塗佈噴嘴內之光阻液，接著將塗佈噴嘴之前端浸漬在待機單元之溶劑貯留部之溶劑內部，並吸引塗佈噴嘴，依此在塗佈噴嘴之前端內部之光阻液層之外側形成空氣層和光阻液之溶劑層(例如，參照專利文獻1)。
再者，作為另外之防止光阻液乾燥的手段，所知的有具有收容噴嘴，至少在噴嘴前端周圍之內周面形成漏斗狀之洗淨室；沿著洗淨室之漏斗狀之內周面而將當作洗淨液之溶劑流入至周方向的洗淨液供給手段；在洗淨室之下方與該洗淨室連通，成為藉由洗淨液供給手段所供給之溶劑廢液路之流路管；和被設置在流路管之下方，將溶劑貯留在較該流路管之下端部上方之高度位置的第一溶劑滯留部，藉由被貯留在第一溶劑滯留部之溶劑氣化，在洗淨室內形成溶劑雰圍，依此將待機中之噴嘴置放在溶劑雰圍中，以防止光阻液之乾燥固化的方法(例如，參照專利文獻2)。再者，若藉由專利文獻2所記載之技術，於噴嘴被收容在洗淨室內之時，洗淨液供給手段將溶劑以特定量供給至洗淨室內，並形成繞著噴嘴旋轉之溶劑的渦流，依此可以執行噴嘴前端之洗淨。
〔專利文獻1〕日本特開2006-302934號公報(申請專利範圍、第8圖)
〔專利文獻2〕日本特開2007-317706號公報(申請 專利範圍、第2圖)
但是，專利文獻1所記載之技術因係藉由將塗佈噴嘴之前端浸漬在待機單元之溶劑貯留部之溶劑內部，並吸引塗佈噴嘴，防止塗佈噴嘴之前端內部之光阻液乾燥的構成，故必須在待機單元設置溶劑貯留部，需擔心會導致裝置大型化。再者，藉由將噴嘴前端浸漬於溶劑貯留部之溶劑內部，雖然可以執行噴嘴之洗淨，但是針對噴嘴前端部之洗淨並未提及。
對此，在專利文獻2所記載之技術中，於噴嘴被收容在洗淨室內之時，洗淨液供給手段將溶劑以特定量供給至洗淨室內，並形成繞著噴嘴旋轉之溶劑的渦流，依此可以執行噴嘴前端之洗淨。但是，在專利文獻2所記載之內容中，因在洗淨室之下方形成溶劑雰圍部，故導致裝置之大型化。再者，因係將噴嘴放置在溶劑雰圍中防止光阻液乾燥的構成，故需擔心較專利文獻1所記載之技術需要更多之溶劑。
該發明係鑑於上述事情而所研究出，其目的在於抑制裝置之大型化，可確實執行液處理所使用之噴嘴之洗淨效率之提升及處理液之乾燥防止的噴嘴洗淨、乾燥防止方法以及其裝置。
為了解決上述課題，申請專利範圍第1項所記載之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其特徵為：在執行從處理液供給用之噴嘴對基板吐出處理液之處理的液處理中，具有：將上述噴嘴收容在該噴嘴之前端周圍之內周面形成漏斗狀之洗淨室內，並使該漏斗狀內周面之下端位在該噴嘴之前端上方的工程；吸引殘存在上述噴嘴內之處理液，使噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側之工程；從供給處理液之溶劑的第1溶劑供給手段沿著上述洗淨室之漏斗狀之內周面在周方向流入特定量上述溶劑，藉由繞著上述噴嘴之前端部旋轉之上述溶劑之渦流，執行洗淨之工程；從供給處理液之溶劑的第2溶劑供給手段向上述洗淨室之漏斗狀部之上部流入特定量上述溶劑，在上述洗淨室內形成上述溶劑之滯留處的工程；及吸引上述噴嘴，使噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側，並且將上述滯留處之溶劑吸引至噴嘴之前端部內，在噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層的工程。
在本發明中，以具有於使上述噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側之工程前，排出上述噴嘴前端內部之處理液的工程為佳(申請專利範圍第2項)。再者，以具有在上述噴嘴之前端內部從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層之工程後，使上述溶劑層之溶劑之液面後退至處理液供給管路側之工程為佳 (申請專利範圍第3項)。
再者，在該發明中，即使從上述第2溶劑供給手段沿著上述洗淨室之內周面在周方向流入處理液之溶劑亦可(申請專利範圍第4項)，或是即使從上述第2溶劑供給手段沿著上述洗淨室之內周面，在與自上述第1溶劑供給手段被流入至洗淨室內之第1溶劑之旋轉方向相反之周方向流入處理液之溶劑亦可(申請專利範圍第5項)。
再者，將從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑之流量設為大於或等於相對於從上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑之流量為佳(申請專利範圍第6項)。
再者，即使從第1溶劑供給手段流入之第1溶劑，和從第2溶劑供給手段流入之第2溶劑為同種類之溶劑亦可(申請專利範圍第7項)，或是即使不同種類亦可。此時，從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑係揮發性比上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑之揮發性低之溶劑為佳(申請專利範圍第8項)。在此，被供給至噴嘴洗淨之第1溶劑可使用稀釋液，被用以防止光阻液乾燥之第2溶劑可以使用較稀釋液揮發性低之溶劑，例如環己酮、丙二醇甲醚醋酸酯(Propylene glycol methyl ether acetate：PGMEA)或甲己酮(MAK)等。
再者，於藉由上述溶劑之渦流予以洗淨的工程時，使上述噴嘴上下移動來執行為佳(申請專利範圍第9項)。
再者，申請專利範圍第10項所記載之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置係使申請專利範圍第1項所記載之噴嘴 洗淨及處理液乾燥防止方法具體化，其特徵為在執行從處理液供給用之噴嘴對基板吐出處理液之處理的液處理中，具有：收容上述噴嘴，該噴嘴之前端側之內周面構成漏斗狀之洗淨室；沿著上述洗淨室之上述漏斗狀側之內周面而旋轉供給處理液之溶劑的第1溶劑供給手段；向上述洗淨室之上述漏斗狀部之上部側供給處理液之溶劑的第2溶劑供給手段；吸引上述噴嘴之吸引手段；被配置在該噴嘴之前端周圍之內周面形成漏斗狀之洗淨室內，使該漏斗狀之內周面之下端位於該噴嘴之前端上方，並使上述噴嘴在上述洗淨室和對基板吐出處理液之位置之間移動的噴嘴移動手段；及控制上述第1及第2溶劑供給手段、上述吸引手段及上述噴嘴移動手段之控制手段；藉由上述控制手段，於上述噴嘴被收容在上述洗淨室內之時，藉由上述吸引手段使上述噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側，之後，藉由從第1溶劑供給手段向上述洗淨室內供給特定量溶劑，形成繞著上述噴嘴之前端部旋轉之溶劑之渦流而洗淨噴嘴，之後，藉由從上述第2溶劑供給手段向上述洗淨室內供給特定量，在上述洗淨室內形成溶劑之滯留處，接著，藉由上述吸引手段吸引上述噴嘴，在噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層。
在本發明中，藉由上述控制手段，使上述噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側之前，排出上述噴嘴前端內部之處理液為佳(申請專利範圍第11項)。再者 ，藉由上述控制手段，在上述噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層之後，使上述溶劑層之溶劑之液面後退至處理液供給管路側為佳(申請專利範圍第12項)。
再者，在本發明中，即使將連接上述第1溶劑供給手段之上述洗淨室之第1流入口設置在洗淨室之漏斗狀內周面之切線方向亦可(申請專利範圍第13項)，或是即使將連接上述第1溶劑供給手段之上述洗淨室之第1流入口，設在洗淨室之漏斗狀內周面之切線方向，將連接上述第2溶劑供給手段之上述洗淨室之第2流入口，設置在洗淨室之漏斗狀部之上述內周面之切線方向，並且將上述第1流入口和第2流入口設為相同切線方向亦可(申請專利範圍第14項)。
再者，即使將連接上述第1溶劑供給手段之上述洗淨室之第1流入口設置在洗淨室之漏斗狀內周面之切線方向，將連接上述第2溶劑供給手段之上述洗淨室之第2流入口，設置在洗淨室之漏斗狀部之上部內周面之切線方向，並且將上述第1流入口和第2流入口設為互相相向之切線方向亦可(申請專利範圍第15項)。
再者，將從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑之流量設為大於或等於從上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑之流量為佳(申請專利範圍第16項)。
再者，即使從上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑和從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑為同種類之溶 劑亦可(申請專利範圍第17項)，或是即使從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑係揮發性比上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑之揮發性低的溶劑亦可(申請專利範圍第18項)。
再者，藉由上述控制手段，於噴嘴洗淨之時，驅動噴嘴移動手段使噴嘴上下移動為佳(申請專利範圍第19項)。
若藉由申請專利範圍第1、10、13項所記載之發明時，在將執行液處理之噴嘴，收容在該噴嘴之前端周圍之內周面形成漏斗狀之洗淨室內之狀態下，吸引殘存在噴嘴內之處理液，使噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側，接著將溶劑自第1溶劑供給手段沿著洗淨室之漏斗狀之內周面以特定量流入至周方向，藉由繞著噴嘴之前端部旋轉之溶劑的渦流，可以執行洗淨。於洗淨後，將溶劑從第2溶劑供給手段以特定量流入至洗淨室之漏斗狀部之上部，在洗淨室內形成溶劑之滯留處之狀態下，吸引噴嘴，使噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側，並且將滯留處之溶劑吸引至噴嘴之前端部內，可以在噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層。因此，可以在收容之噴嘴之前端周圍之內周面形成漏斗狀之洗淨室內，執行噴嘴前端部之洗淨，並且可以在噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和抑制處理液乾燥之溶劑層。
若藉由申請專利範圍第2、11所記載之發明時，使噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側之前，藉由 排出噴嘴前端內部之處理液，可以於排出殘存在噴嘴前端內部之處理液之後，於噴嘴前端內部形成空氣層。
若藉由申請專利範圍第3、12所記載之發明時，在噴嘴之前端內部，自處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層之後，使溶劑層之溶劑之液面後退至處理液供給管路側，依此於噴嘴之前端部不會吸入溶劑之液滴，可以形成空氣層。
若藉由申請專利範圍第4、14項所記載之發明時，藉由將處理液之溶劑自第2溶劑供給手段沿著洗淨室之內周面流入至周方向，則可以藉由流入至洗淨室之漏斗狀部之上部的溶劑之渦流，執行噴嘴前端部之洗淨。
若藉由申請專利範圍第5、15項所記載之發明時，藉由將處理液之溶劑自第2溶劑供給手段沿著洗淨室之內周面，流入至與自第1溶劑供給手段流入至洗淨室內之第1溶劑之旋轉方向相反之周方向，相對於第1溶劑之旋轉流第2溶劑成為相反之旋轉流，第2溶劑之流速則下降。依此，可以容易在洗淨室內形成第2溶劑之滯留處。
若藉由申請專利範圍第6、16所記載之發明時，藉由相對於自第1溶劑供給手段所流入之第1溶劑之流量，將自上述第2溶劑供給手段所流入之第2溶劑之流量設為同等以上，則容易在洗淨室內形成第2溶劑之滯留處。
若藉由申請專利範圍第7、17所記載之發明時，藉由將自第1溶劑供給手段所流入之第1溶劑，和自第2溶劑供給手段所流入之第2溶劑設為同種類之溶劑，則可以在 相同溶劑供給源連接第1溶劑供給手段和第2溶劑供給手段而將溶劑流入至洗淨室內。
若藉由申請專利範圍第8、18所記載之發明時，藉由相對於自第1溶劑供給手段流入至洗淨室內之第1溶劑，將自第2溶劑供給手段流入至洗淨室內之第2溶劑設為揮發性低之溶劑，則可以使為了防止處理液乾燥而形成被封入噴嘴之前端內部之處理液之溶劑層的溶劑揮發延遲，並可以抑制噴嘴內之處理液乾燥。
若藉由申請專利範圍第9、19項所記載之發明時，藉由溶劑之渦流予以洗淨之工程時，藉由使噴嘴在上下移動，則可以使噴嘴外周之洗淨面和溶劑之渦流之接觸部變化，並且可以謀求洗淨面積之增大。
若藉由該發明，因構成上述般，故可以取得如下般之效果。
(1)若藉由申請專利範圍1、10、13所記載之發明時，因可以在所收容之液處理用之噴嘴之前端周圍之內周面形成漏斗狀之洗淨室內，執行噴嘴前端部之洗淨，並且可以在噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和抑制處理液乾燥之溶劑層，故可以抑制裝置之大型化，並且可以確實執行提升噴嘴之洗淨效率及處理液之乾燥防止。
(2)若藉由申請專利範圍第2、11所記載之發明時 ，因於排出殘存在噴嘴前端內部之處理液之後，在噴嘴前端內部形成空氣層，故不會使噴嘴之前端部吸入處理液之液滴地形成空氣層。
(3)若藉由申請專利範圍第3、12項所記載之發明時，因不會使噴嘴之前端部吸入溶劑之液滴地形成空氣層，故於執行下一個工程的處理之時，可以防止溶劑吐出至基板。
(4)若藉由申請專利範圍第4、14項所記載之發明時，藉由自第2溶劑供給手段流入洗淨室之漏斗狀部之上部的溶劑之渦流，可以執行噴嘴前端部之洗淨，故除上述(1)之外，可以謀求更提升洗淨效率。
(5)若藉由申請專利範圍5、15所記載之發明時，因可以容易在洗淨室內形成第2溶劑之滯留處，故除上述(1)之外，又可以容易在噴嘴前端內部形成抑制處理液之乾燥的溶劑層，並且可以確實防止處理液之乾燥。
(6)若藉由申請專利範圍6、16所記載之發明時，因可以容易在洗淨室內形成第2溶劑之滯留處，故除上述(1)~(5)之外，又可以容易在噴嘴前端內部形成抑制處理液之乾燥的溶劑層，並且可以確實防止處理液之乾燥。
(7)若藉由申請專利範圍第7、17項所記載之發明時，因於相同之溶劑供給源連接第1溶劑供給手段和第2溶劑供給手段而將溶劑流入至洗淨室內，故除上述(1)~(6)之外，又謀求裝置之小型化。
(8)若藉由申請專利範圍8、18所記載之發明時， 因為了防止處理液之乾燥，可以使形成被封入至噴嘴前端內部之處理液之溶劑層的溶劑揮發延遲，並可抑制噴嘴內之處理液之乾燥，故除上述(1)~(6)之外，又可以確實防止處理液之乾燥。
(9)若藉由申請專利範圍第9、19項所記載之發明時，藉由溶劑之渦流予以洗淨之工程時，藉由使噴嘴在上下移動，因可以使噴嘴外周之洗淨面和溶劑之渦流之接觸部變化，並且可以謀求洗淨面積之增大，故除上述(1)~(8)之外，又可以謀求洗淨效率之提升。
 〔用以實施發明之最佳型態〕
以下，根據圖面，詳細說明本發明之最佳實施型態。在此，針對將具備本發明所涉及之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置之液處理裝置適用於執行光阻液之塗佈處理之塗佈裝置的實施型態予以說明。
第1圖為表示上述塗佈裝置之一例的概略剖面圖，第2圖為表示上述塗佈裝置之概略斜視圖。
上述塗佈裝置2具備有吸引吸附屬於基板之半導體晶圓W(以下稱為晶圓W)之背面側中央部而予以水平保持之構成基板保持部的旋轉吸盤21，和對被保持在旋轉吸盤21之晶圓W吐出(供給)屬於處理液之光阻液的多數例如10根之處理液供給噴嘴4A~4J，和對晶圓W吐出(供給)光阻液之溶劑例如稀釋液的具有一根溶劑供給噴嘴5 (以下，稱為稀釋劑噴嘴5)的噴嘴單元4。
上述旋轉吸盤21經軸部22連結於驅動機構(旋轉吸盤馬達)23，藉由該驅動機構23構成旋轉及升降自如。
在保持在旋轉吸盤21之晶圓W之周緣外側，以包圍該晶圓W之方式，設置有上部側開口之杯罩體3，該杯罩體3之側面上端側傾斜於內側。杯罩體3之底部側，設置有構成凹部狀之液體接收部31，在晶圓W之周緣下方側於整個全周被區劃成外側區域32和內側區域33，在外側區域32之底部，連接用以排出貯留之處理液等之排液的排液路34，再者在內側區域33之底部連接有兩個排氣路35a、35b。
再者，在晶圓W之下方側設置有圓形板37，以包圍該圓形板37之外側，設置有中央隆起之剖面略三角形狀之環構件38，在該環構件38之外端面，設置成延伸至下方之圓筒壁39進入至外側區域32內，傳達該圓筒壁39及環構件38之表面，而處理液等被引導至外側區域32內。並且，雖然省略圖示，但是支撐晶圓W之背面側而能夠升降之升降銷被設置成上下貫通圓形板37，藉由該升降銷和後述主搬運手段共同合作，構成執行對旋轉吸盤21交接晶圓W。
上述噴嘴單元4係如第2至第5圖所示般，係藉由在共通之支撐部41一體固定用以對晶圓W供給處理液例如光阻液之多數根例如10根之處理液供給噴嘴4A~4J，和用以對晶圓W供給處理液之溶劑例如稀釋液之例如1根 溶劑供給噴嘴5而構成。並且，在支撐部41設置有無圖示之調溫機構。
上述處理液供給噴嘴4A~4J和溶劑供給噴嘴5係例如第3圖至第5圖所示般，以沿著塗佈裝置2之長度方向(Y軸方向)而配列成一直線上之方式，在上述支撐部41固定以溶劑供給噴嘴5為中心在兩側各有5根之處理液供給噴嘴4A~4E、4F~4J。
然後，如第4圖所示般，各處理液供給噴嘴4A~4J各在途中經具備有流量調整部CA~CJ之各不同的處理液供給管路42A~42J而連接有各個不同的處理液供給源43A~43J，且該流量調整部CA~CJ具備有回吸閥VA~VJ，或開關閥或質量流量控制器等。該些處理液供給管路42A~42J，和用以供給被上述調溫機構調溫之流體的例如兩根噴嘴調溫配管(無圖示)係藉由可撓性材料所構成，如後述般，於噴嘴單元4移動時，成為不妨礙噴嘴單元4之動作。再者，該些處理液供給管路42A~42J和噴嘴調溫配管係在例如第2圖中以一點鏈線所示般被收集之狀態下，伸出至後述底板48之下方側，例如在該底板48之下方側，被連接於回吸閥VA~VJ、流量調整部CA~CJ、處理液供給源43A~43J、泵或過濾器等。
上述回吸閥VA~VJ構成吸引手段，流量調整部CA~CJ為構成調整處理液之流量的手段。再者，在上述處理液供給源43A~43J，貯留即使例如各個光阻液之種類，或即使相同種類黏度等也不同之光阻液，例如I-Line光 阻液或KrF光阻液、ArF光阻液等以當作處理液。
再者，上述溶劑供給噴嘴5係經溶劑供給管路52而連接於溶劑供給源53。在溶劑供給管路52中設置有具備有開關閥或質量流量控制器等之流量調整部51。
上述回吸閥VA~VJ於使來自對應之處理液供給噴嘴4A~4J之處理液的吐出停止之時，用以使殘留在處理液供給噴嘴4A~4J內之處理液之前端液面後退(回吸)至處理液供給管路42A~42J側，例如具備有伸縮管，且該伸縮管在內部形成有連通於處理液供給管路42A~42J之吸引室。然後，藉由使該伸縮管伸張，將吸引室內設為負壓，可以使處理液供給噴嘴4A~4J內之處理液後退至處理液供給管路42A~42J側。再者，在回吸閥VA~VJ設置滾針，藉由利用該滾針改變上述吸引室之最大容積，使可以調節處理液之前端液面之後退距離。該回吸閥VA~VJ，係藉由後述控制手段之控制器100控制驅動。
在上述杯罩3之外面，設置有例如上述噴嘴單元4之待機單元6。該待機單元6係在Y軸方向將具有收容各處理液供給噴嘴4A~4J和溶劑供給噴嘴5之11個洗淨室62的容器配列在一直線上。容器61係如第4圖及第6圖所示般，以例如處理液供給噴嘴4A代表說明時，具有收容該處理液供給噴嘴4A(以下稱為噴嘴4A)，該噴嘴4A之前端側之內周面構成漏斗狀之洗淨室62。此時，洗淨室62係由與收容噴嘴4A及支撐部41之開擴開口凹部63之下端連通的圓筒狀胴體部64，和連通於該圓筒狀胴體部 64之下端的朝下方縮小之錐狀漏斗部65所形成。並且，圓筒狀胴體部64和漏斗部65相加之長度大約為25mm~30mm。
在上述洗淨室62之漏斗部65之下端經連通路66設置有貯留洗淨液例如稀釋液等之液排出室67。並且，液排出室67之底面傾斜於Y方向，在被設置於與高底面相連之一方側壁67a的供給口68a連接有與例如N2 氣體供給源(無圖示)連接之N2 氣體供給管69a，在被設置於與低底面相連之側壁67b之下端部的液排出口68b連接有排液管69b(參照第4圖)。
連接有沿著如上述般所形成之洗淨室62之漏斗部65之內周面，旋轉供給光阻液之溶劑例如稀釋液的第1溶劑供給手段71。再者，在洗淨室62之漏斗部65之上部側之圓筒狀胴體部64之下部側，連接有供給光阻液之溶劑例如稀釋液的第2溶劑供給手段72。
此時，第1溶劑供給手段71係將連接於溶劑供給源70之第1溶劑供給管路73連接於被設置在洗淨室62之洗淨室之漏斗部65之內周面之切線方向的第1流入口74而構成(參照第6圖(b))。再者，第2溶劑供給手段72係將連接於溶劑供給源70之第2溶劑供給管路75連接於被設置在洗淨室62之漏斗部65之上部之圓筒狀胴體部64之內周面之切線方向的第2流入口76而構成(參照第6圖(c))。並且，此時，第1流入口74和第2流入口76係被設置在相同之切線方向。再者，在第1溶劑供給管路 73及第2溶劑供給管路75之間，設置有各具備開關閥或質量流量控制器等之流量調整部CK、CL。流量調整部CK、CL係藉由後述之控制手段之控制器100，控制驅動。依據控制器100之控制，例如相對於自第1溶劑供給手段71被供給(流入)至洗淨室62內之溶劑之稀釋液之流量，將自第2溶劑供給手段72被供給(流入)至洗淨室62內之溶劑之稀釋液之流量設定成同等以上。
在噴嘴4A被收容在如上述般所構成之洗淨室62內之狀態下，藉由屬於吸引手段之回吸閥VA，使噴嘴4A內之光阻液之液面後退至處理液供給管路側，之後，當屬於溶劑之稀釋液從第1溶劑供給手段71被供給(流入)至洗淨室62內時，稀釋液沿著漏斗部65之內周面流動。此時，稀釋液成為繞著噴嘴4A之前端部旋轉之渦流，可以除去附著於噴嘴4A之前端部的光阻液。接著，當屬於溶劑之稀釋液從第2溶劑供給手段72被供給(流入)至洗淨室62內時，稀釋液則沿著漏斗部65之上部之圓筒狀胴體部64之內周面流動，在洗淨室62之漏斗部65和圓筒狀胴體部64之下端部附近形成稀釋液之滯留處。在該狀態，藉由回吸閥VA吸引噴嘴4A，在噴嘴4A之前端內部，從處理液供給管路42A側依序形成光阻液層(處理液層)和空氣層和光阻液之溶劑層即是稀釋液層。依此，噴嘴4A之前端內部之光阻液藉由空氣層和稀釋液層與空氣隔絕，可以防止光阻液乾燥。
被供給至洗淨室62內之稀釋液經連通路66流入液體 排出室67內，自該液體排出室67經被設置在容器61之底部之液體排出口68b而自排液管69b排出至外部。
在上述實施型態中，雖然針對第1流入口74和第2流入口76被設置在相同切線方向之情形予以說明，但是即使如第7圖(a)所示般，將第2流入口76a設置在與第1流入口74相向之切線方向亦可。如此一來，藉由將第1流入口74和第2流入口76a設置在互相相向之切線方向，相對於自第1溶劑供給手段71被流入至洗淨室62內之溶劑(稀釋液)之旋轉流，自第2溶劑供給手段72流入至洗淨室62內之溶劑(稀釋液)成為相反之旋轉流，第2溶劑之流速則下降。依此，可以容易在洗淨室內形成第2溶劑之滯留處。
再者，第2流入口76之設置位置並不限定於上述構造，例如第7圖(b)所示般，朝向洗淨室62之中心部開口設置第2流入口76b亦可。
並且，在上述實施型態中，雖然針對第1溶劑供給手段71和第2溶劑供給手段72之溶劑供給源70為相同之時，即是第1及第2溶劑為稀釋液之時予以說明，但是即使如第8圖所示般，使第1溶劑供給手段71之溶劑供給源70A和第2溶劑供給手段72之溶劑供給源70B分開，將從第1溶劑供給手段71之溶劑供給源70A被供給(流入)至洗淨室62內之第1溶劑，和自第2溶劑供給手段72之溶劑供給源70B被供給(流入)至洗淨室62內之第2溶劑設為不同種類亦可。此時，相對於用以洗淨之第1 溶劑例如稀釋液，將用以防止光阻液乾燥之第2溶劑設為相對於第1溶劑即是稀釋劑揮發性低之溶劑例如環己酮、丙二醇甲醚醋酸酯(Propylene glycol methyl ether acetate：PGMEA)或甲己酮(MAK)等為佳。如此一來，藉由相對於洗淨用之溶劑(稀釋液)降低光阻液之乾燥防止用溶劑之揮發性，可以延遲為了防止光阻液乾燥而形成被封入至噴嘴4A之前端內部之光阻液之乾燥防止用之溶劑層的溶劑揮發，並可以抑制噴嘴4A內之光阻液之乾燥。
上述噴嘴單元4如第2圖及第5圖(a)所示般，構成沿著藉由升降機構44向Z方向延伸之升降軸45而升降自如(在Z軸方向移動自如)，並且構成藉由水平方向移動機構46而沿著塗佈裝置2之長邊方向(Y軸方向)而設置之導軌47，噴嘴單元4可以在通過晶圓W之旋轉中心O上之直線L上移動。以上述升降機構44和水平方向移動機構46構成本發明中之移動手段。並且，第2圖中，符號48為底板。
在此，上述噴嘴單元4之處理液供給噴嘴4A~4J和溶劑供給噴嘴5，係如第5圖(a)所示般，被配列在通過晶圓W之旋轉中心O上之直線L上，再者，待機單元6之各洗淨室62和液排出室67也例如第5圖(b)所示般，被配列成位於通過晶圓W之旋轉中心O上之直線L上。並且，在第5圖(a)、(b)中，為了圖示方便，比起晶圓W，放大描畫噴嘴單元4或待機單元6，噴嘴單元4描畫有通常看不見之噴嘴前端之吐出孔。
上述升降機構44及水平方向移動機構46係藉由例如馬達構成驅動源，依此上述噴嘴單元4被構成可以在例如噴嘴單元4之各處理液供給噴嘴4A~4J之前端位於僅比上述待機單元6之容器63之上面更些許例如1mm~2mm左右上方側之待機位置，各處理液供給噴嘴4A~4J之前端部被收容在各洗淨室62內之位置，和處理液供給噴嘴4A~4J、溶劑供給噴嘴5中之任一噴嘴供給處理液或溶劑至晶圓W之旋轉中心O之位置之間移動，並且以各處理液供給噴嘴4A~4J在各個洗淨室62內上下移動之方式，升降自如，在Y軸方向移動自如。
上述回吸閥VA~VJ、噴嘴單元4之流量調整部CA~CJ、待機單元6之流量調整部CK、CL、升降機構44以及水平方向移動機構46係藉由屬於控制手段之控制器100控制驅動。即是，以事先所設定之時序執行僅一根處理液供給噴嘴4A(4B~4J)之回吸，或所有之處理液供給噴嘴4A~4J之回吸，此時之回吸的光阻液或溶劑之量如後述般，自各個處理液供給噴嘴4A(4B~4J)吐出之溶劑或光阻液之量，或者回吸或吐出該些量之時之回吸閥VA~VJ或流量調整部CA~CJ、CK、CL之控制量、待機單元6中之流量調整部之控制量等，被事先儲存於控制器100，根據設定之處理程式，執行回吸等之處理。
接著，針對在塗佈裝置2所進行之本發明之方法，參照第9圖予以說明。首先，於執行塗佈處理之後，使噴嘴單元4移動至與待機單元6相向之位置，將各處理液供給 噴嘴4A~4J之前端收容在各個對應之洗淨室62內。在該狀態下，藉由假配藥(Dummydispense)將處理液供給噴嘴4A~4J(以處理液供給噴嘴4A為代表表示)之前端內部之光阻液RL排出至洗淨室62內(參照第9圖(a))。接著，藉由各個處理液供給噴嘴4A~4J之被設置在各處理液供給管路42A~42J之各回吸閥VA~VJ，執行第一次的吸引(參照第9圖(b))。如此一來，各處理液供給噴嘴4A~4J內之處理液71之液面例如第9圖(a)以處理液供給噴嘴4A為代表表示般從吸引前之狀態，如第9圖(b)所示般後退至處理液供給管路42A側，該液面從噴嘴4A之前端上升。在此，噴嘴4A內之光阻液RL之液面，以從噴嘴前端上升1mm~3mm左右之方式，藉由回吸閥VA吸引為佳。如此，藉由假配藥排出噴嘴4A之前端內部之光阻液RL，排出殘存在噴嘴前端內部之光阻液，可以防止噴嘴前端部內之光阻液液滴的吸入。
接著，藉由自上述第1溶劑供給手段71以特定量供給溶劑例如稀釋液TL至洗淨室62內，依此形成繞著噴嘴4A之前端部旋轉之稀釋液TL之渦流而洗淨噴嘴4A之前端部(參照第9圖(c))。接著，藉由自上述第2溶劑供給手段72以特定量供給溶劑例如稀釋液TL至洗淨室62內，依此在洗淨室62內形成稀釋液TL之滯留處(參照第9圖(d))。在該狀態，藉由回吸閥VA吸引噴嘴4A，在噴嘴4A之前端內部，從處理液供給管路42A側依序形成光阻液層R(處理液層)和空氣層A和稀釋液層T (處理液之溶劑層)(參照第9圖(d))。在此，噴嘴4A內之稀釋液TL之液面，以從噴嘴前端上升5mm~15mm左右之方式，藉由回吸閥VA吸引為佳。之後，在停止自第1溶劑供給手段71及第2溶劑供給手段72供給溶劑例如稀釋液之狀態下，藉由回吸閥VA吸引噴嘴4A，在噴嘴4A之前端內部形成空氣層A(參照第9圖(e))。如此一來，以藉由在稀釋液層T(處理液之溶劑層)之前端側形成空氣層A，可以防止在噴嘴4A之前端內部吸入稀釋液之液滴為佳。在該狀態下，噴嘴單元4之各處理液供給噴嘴4A~4J在待機單元6待機。
接著，使用在各處理液供給噴嘴4A~4J之前端形成光阻液層R(處理液層)和空氣層A和稀釋液層T(處理液之溶劑層)之噴嘴單元4，針對以塗佈裝置2執行晶圓W之塗佈處理之時，以使用噴嘴單元4之一處理液供給噴嘴4A執行塗佈處理之情形為例予以說明。
首先，執行自該處理液供給噴嘴4A排出稀釋液層T(處理液之溶劑層)之處理。即是，如第9圖(f)所示般，以該處理液供給噴嘴4A與待機單元6之洗淨室62對向之方式，使噴嘴單元4移動，藉由流量調整部CA吐出特定量之光阻液而予以排出。然後，執行光阻液之回吸。此時，為了減少光阻液之廢棄量，藉由事先實驗求出用以僅排出稀釋液層T之光阻液之供給量，使光阻液之液面下降例如2mm左右，如此排出稀釋液層T。在此，用以供給該量之光阻液之流量調整部CA之控制量被事先儲存在控 制器100。
接著，使噴嘴單元4移動至處理液供給噴嘴4A將塗佈液供給至晶圓W之塗佈位置，自該處理液供給噴嘴4A將光阻液供給至晶圓W而執行塗佈處理。在此，該塗佈處理係使旋轉吸盤21位於杯罩3之上方側，藉由與無圖示之升降銷之共同合作將依據無圖示之主搬運手段自前工程所搬運之晶圓W交接至旋轉吸盤21上，使旋轉吸盤21下降至處理位置。
然後，將噴嘴單元4移動至溶劑供給噴嘴5對被保持在旋轉吸盤21之晶圓W之旋轉中心O供給溶劑之位置，供給屬於溶劑之稀釋液。然後，藉由旋轉吸盤21使晶圓W旋轉，藉由該離心力使稀釋液從晶圓W之中心O擴散至周緣部。接著，終止旋轉吸盤21之旋轉，將噴嘴單元4移動至處理液供給噴嘴4A對被保持在旋轉吸盤21之晶圓W之旋轉中心O供給光阻液之位置，供給光阻液。然後，藉由旋轉吸盤21使晶圓W旋轉，藉由該離心力使光阻液A從晶圓W之中心O擴散至周緣部。在此，光阻液係藉由例如稀釋液以晶圓W表面浸濕之狀態被塗佈。如此一來，被塗佈光阻液之晶圓W使旋轉吸盤21位於杯罩3之上方側，藉由無圖示之升降銷，被交接至無圖示之主搬運手段。
另外，於結束塗佈處理之後，於不執行特定時間以上之塗布液吐出之時，將所使用之處理液供給噴嘴4A收容在待機單元6之洗淨室62內，如上述般，藉由假配藥排 出處理液供給噴嘴4A之前端內部之光阻液(參照第9圖(a))→藉由回吸閥VA之吸引形成空氣層A(參照第9圖(b))→藉由自第1溶劑供給手段71對洗淨室62內供給稀釋液TL洗淨噴嘴4A之前端部(參照第9圖(c))→藉由自第2溶劑供給手段72對洗淨室62內供給溶劑例如稀釋液TL形成滯留處(參照第9圖(d))→藉由回吸閥VA之吸引而在噴嘴4A的前端內部從處理液供給管路42A側依序形成光阻液層R(處理液層)和空氣層A和稀釋液層T(處理液之溶劑層)(參照第9圖(d))。
之後，使用與上述一處理液供給噴嘴4A不同之其他處理液供給噴嘴4B執行塗佈處理之時，與處理液供給噴嘴4A相同，執行其他處理液供給噴嘴4B之稀釋液層T之排出，接著使用該處理液供給噴嘴4B對晶圓W執行屬於處理液之光阻液的塗佈處理，接著將噴嘴單元4(處理液供給噴嘴4B~4J)移動至待機單元6之上方之後，將各處理液供給噴嘴4B~4J各收容在洗淨室62內，並藉由自第1溶劑供給手段71對洗淨室62內供給稀釋液TL洗淨噴嘴4B之前端部。順便執行用以在該處理液供給噴嘴4B之前端內部形成光阻液層R和空氣層A和稀釋液層T之處理。此時，噴嘴單元4通常係在空氣中待機為佳，例如在噴嘴單元4之各處理液供給噴嘴4A~4J之前端位於較上述待機單元6之容器63些許上面例如1.5mm~2mm左右上方側的待機位置待機。
在此，排出所使用之處理液供給噴嘴4A之溶劑，執 行特定之塗佈處理，接著執行所使用之處理液供給噴嘴4A之第一次之吸引，接著洗淨處理液供給噴嘴4A之前端部，針對藉由回吸閥VA所使用之處理液供給噴嘴4A執行第2次之吸引之一連串之動作，或接著使用其他處理液供給噴嘴4B等執行下一個的塗佈處理之時之一連串動作，係根據被儲存在控制器100之處理程式而執行。
在如此之方法中，因在處理液供給噴嘴4A~4J之前端於光阻液層R之外側形成空氣層A和稀釋液T，故避免光阻液層R和大氣接觸。再者，雖然在光阻液層R和稀釋液層T之間，形成有空氣層A，但該空氣層A由於溶劑之揮發而成為飽和狀態，故形成處理液不乾燥之氛圍，抑制處理液供給噴嘴4A~4J內之處理液之乾燥。此時，藉由形成在光阻液層R和稀釋液層T之間的空氣層A，抑制光阻液層R和稀釋液層T之接觸，防止稀釋液層T之溶劑混入處理液。
如此一來，在該發明中，因藉由將各處理液供給噴嘴4A~4J收容在洗淨室62內，執行前端部之洗淨，並且在前端內部之光阻液層R之外側形成空氣層A和稀釋液層T，抑制處理液之乾燥，故即使為一體設置多數噴嘴的一體型噴嘴，不用擔心不使用之噴嘴中之處理液曝露於空氣中，可以確實抑制處理液乾燥。再者，比起在設置有多數噴嘴之噴嘴單元4安裝乾燥防止用之構件之時，抑制噴嘴單元4之大型化，即使增加一體設置之處理液供給噴嘴之數量，僅增加噴嘴部份大型化即可。
再者，由於抑制處理液供給噴嘴4A~4J內之處理液之乾燥，故不需要於執行塗佈處理之前或定期性排出由於乾燥而變質之處理液，抑制高價處理液之浪費，在成本控制上有效用。
並且，在所有處理液供給噴嘴4A~4J中，藉由第1次之回吸，使處理液供給噴嘴4A~4J內之處理液後退，接著，於執行所有處理液供給噴嘴4A~4J之洗淨之後，形成溶劑之滯留處而執行第2次之回吸，依此可以在所有噴嘴4A~4J之內部，容易且有效率同時一起形成光阻液層R和空氣層A和稀釋液層T。
並且，又因將噴嘴單元4之處理液供給噴嘴4A~4J和溶劑供給噴嘴5配列在通過晶圓W之旋轉中心O上的直線L上，將上述洗淨室62和液排出室67設置在通過上述旋轉中心O上的直線L上，故可以使處理液供給噴嘴4A~4J在水平方向之一方向(Y方向)移動，並且藉由升降，可以使噴嘴單元4在從處理液供給噴嘴4A~4J供給處理液至晶圓W之位置，和從處理液供給噴嘴4A~4J排出稀釋液至液排出室67之位置，和處理液供給噴嘴4A~4J被收容在洗淨室62內而吸引溶劑之位置之間移動。即是，不使用使噴嘴單元4在水平方向之其他方向(X方向)移動之驅動機構即可朝特定位置移動，故可以簡化使噴嘴單元4移動之手段。
接著，一面參照第11圖及第12圖，一面針對組裝上述塗佈裝置2之塗佈、顯像裝置連接有曝光部(曝光裝置 )之光阻圖案形成之塗佈、顯像處理系統之全體構成予以簡單說明。圖中，符號S1為用以搬入搬出密閉收納例如13片晶圓W之載體8之載體載置部，設置有具備多數排列載體8之可載置的載置部80a之載體台80，和從該載體台80觀看被設置在前方之壁面的開關部81，和用以在開關部81自載體8取出晶圓W之交接手段82。
在上述載體載置部S1之後側，連接有以框體83包圍周圍之處理部S2，在該處理部S2從前側依序交互配列設置有使加熱、冷卻系統之單元多層化之層架單元U1、U2、U3，和執行該些層架單元U1~U3以及液處理單元U4、U5之各單元間之晶圓W之交接的主搬運手段MA1、MA2。即是，層架單元U1、U2、U3以及主搬運手段MA1、MA2從載體載置部S1側觀看被配置列在前後一列，在各連接部位形成有無圖示之晶圓搬運用之開口部，晶圓W在處理部S2內從一端側之層架單元U1至另一端側之層架單元U3可以自由移動。
上述層架單元U1、U2、U3係被設為將用以執行在液處理單元U4、U5所執行之處理之前處理及後處理之各種單元疊層多層例如10層之構成，其組合包含有交接單元、疏水化處理單元(ADH)、用以將晶圓W調整成特定溫度之調溫單元(CPL)、用以於塗佈光阻液之前執行晶圓W之加熱處理之加熱單元(BAKE)、用以於塗佈光阻液之後執行晶圓W之加熱處理的被稱為預烘烤單元等之加熱單元(PAB)、用以對顯像處理後之晶圓W施予加熱處 理的被稱為後烘烤等之加熱單元(POST)等。
再者，液處理單元U4、U5係如第12圖所示般，構成將反射防止膜塗佈單元(BARC)、本發明所涉及之塗佈裝置(COT)2、對晶圓W供給顯像液而施予顯像處理之顯像單元(DEV)等疊層多層例如5層。
在上述處理部S2中之層架單元U3之後側，經介面部S3連接有曝光部S4。該介面部S3係藉由在處理部S2和曝光部S4之間被前後設置之第1搬運室84和第2搬運室85所構成，各具備升降自如及繞著垂直軸旋轉自如且進退自如之第1搬運臂86及第2搬運臂87。
再者，在第1搬運室84設置層架單元U6，該層架單元U6係上下疊層例如交接單元，或高精度調溫單元(CPL)及將晶圓W施予後曝光烘烤處理之加熱、冷卻單元(PEB)等。
當針對如上述般所構成之光阻圖案形成系統中之晶圓W之流程之一例予以說明時，被載置在載體載置部S1之載體8內之晶圓W係以調溫單元(CPL)→反射防止膜形成單元(BARC)→加熱單元(BAKE)→調溫單元(CPL)→塗佈裝置(COT)2→加熱單元(PAB)→曝光部S4之路徑搬運，在此執行曝光處理。曝光處理後之晶圓W係以加熱單元(PEB)→高精度調溫單元(CPL)→顯像單元(DEV)→加熱單元(POST)→調溫單元(CPL)→載體載置部S1之載體8之路徑被搬運。
並且，在上述實施型態中，雖然針對將本發明所涉及 之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置適用於半導體晶圓之塗佈、顯像處理系統之時予以說明，但是亦可以適用於除半導體晶圓以外之被處理基板，例如FPD(平面顯示器)基板等之塗佈、顯像處理處理系統。
W‧‧‧半導體晶圓(基板)
2‧‧‧塗佈裝置
4‧‧‧噴嘴單元
4A~4J‧‧‧處理液供給噴嘴
6‧‧‧待機單元
42A~42J‧‧‧處理液供給管路
44‧‧‧升降機構(移動手段)
46‧‧‧水平方向移動機構(移動手段)
61‧‧‧容器
62‧‧‧洗淨室
64‧‧‧圓筒狀胴體部
65‧‧‧漏斗部
67‧‧‧液排出室
70、70A、70B‧‧‧溶劑供給源
71‧‧‧第1溶劑供給手段
72‧‧‧第2溶劑供給手段
73‧‧‧第1溶劑供給管路
74a‧‧‧第1流入口
75‧‧‧第2溶劑供給管路
76、76a、76b‧‧‧第2流入口
100‧‧‧控制器
VA~VJ‧‧‧回吸閥(吸引手段)
CA~CL‧‧‧流量調整部
R‧‧‧光阻液層(處理液層)
A‧‧‧空氣層
T‧‧‧稀釋液層(溶劑層)
第1圖為表示具備本發明所涉及之噴嘴洗淨以及處理液乾燥防止裝置之塗佈裝置之一例的概略面圖。
第2圖為表示上述塗佈裝置之概略斜視圖。
第3圖為表示該發明中之噴嘴單元的斜視圖。
第4圖為表示上述噴嘴單元之正面剖面圖。
第5圖為表示上述噴嘴單元和待機單元和晶圓之位置關係的概略俯視圖。
第6圖為表示該發明所涉及之噴嘴洗淨以及處理液乾燥防止裝置之重要部位之剖面圖(a)，沿著(a)之I-I線之放大剖面圖(b)以及沿著(a)之II-II線之放大剖面圖(c)。
第7圖為表示本發明中之第2溶劑供給部之另外型態的放大剖面圖。
第8圖為表示本發明中之第1溶劑供給手段和第2溶劑供給手段之另外型態的剖面圖。
第9圖為說明上述噴嘴洗淨以及處理液乾燥防止裝置中之噴嘴之洗淨工程、乾燥防止工程的概略剖面圖。
第10圖為說明上述噴嘴之另外洗淨工程的概略剖面 圖。
第11圖為表示組裝上述塗佈裝置之塗佈、顯像處理系統之一例的俯視圖。
第12圖為表示上述塗佈、顯像處理系統之一例的概略斜視圖。
4A‧‧‧處理液供給噴嘴
42A‧‧‧處理液供給管路
44‧‧‧升降機構
46‧‧‧水平方向移動機構
6‧‧‧待機單元
61‧‧‧容器
62‧‧‧洗淨室
63‧‧‧凹部
64‧‧‧圓筒狀胴體部
65‧‧‧漏斗部
66‧‧‧連通路
67‧‧‧液排出室
70‧‧‧溶劑供給源
71‧‧‧第1溶劑供給手段
72‧‧‧第2溶劑供給手段
73‧‧‧第1溶劑供給管路
74‧‧‧第1流入口
75‧‧‧第2溶劑供給管路
76‧‧‧第2流入口
100‧‧‧控制器
CK、CL‧‧‧流量調整部

Claims (20)

  1. 一種液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其特徵為：在執行從處理液供給用之噴嘴對基板吐出處理液之處理的液處理中，具有：將上述噴嘴收容在該噴嘴之前端周圍之內周面形成漏斗狀之洗淨室內，並使該漏斗狀內周面之下端位在該噴嘴之前端上方的工程；吸引殘存在上述噴嘴內之處理液，使噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側之工程；從供給處理液之溶劑的第1溶劑供給手段沿著上述洗淨室之漏斗狀之內周面在周方向流入特定量上述溶劑，藉由繞著上述噴嘴之前端部旋轉之上述溶劑之渦流，執行洗淨之工程；從供給處理液之溶劑的第2溶劑供給手段向上述洗淨室之漏斗狀部之上部流入特定量上述溶劑，在上述洗淨室內形成上述溶劑之滯留處的工程；及吸引上述噴嘴，使噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側，並且將上述滯留處之溶劑吸引至噴嘴之前端部內，在噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層的工程。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其中，具有於使上述噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供 給管路側之工程前，排出上述噴嘴前端內部之處理液的工程。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其中，具有在上述噴嘴之前端內部從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層之工程後，使上述溶劑層之溶劑之液面後退至處理液供給管路側之工程。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其中，從上述第2溶劑供給手段沿著上述洗淨室之內周面在周方向流入處理液之溶劑。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其中，從上述第2溶劑供給手段沿著上述洗淨室之內周面，在與從上述第1溶劑供給手段流入至洗淨室內之第1溶劑之旋轉方向相反的周方向流入處理液之溶劑。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其中，將從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑之流量設為大於或等於從上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑之流量。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其中，從上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑，和從上述 第2溶劑供給手段流入之第2溶劑為同種類之溶劑。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其中，從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑係揮發性比從上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑之揮發性低的溶劑。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止方法，其中，於藉由上述溶劑之渦流予以洗淨的工程時，使上述噴嘴上下移動來執行。
  10. 一種液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其特徵為：在執行從處理液供給用之噴嘴對基板吐出處理液之處理的液處理中，具有：收容上述噴嘴，該噴嘴之前端側之內周面構成漏斗狀之洗淨室；沿著上述洗淨室之上述漏斗狀側之內周面而旋轉供給處理液之溶劑的第1溶劑供給手段；向上述洗淨室之上述漏斗狀部之上部側供給處理液之溶劑的第2溶劑供給手段；吸引上述噴嘴之吸引手段；被配置在該噴嘴之前端周圍之內周面形成漏斗狀之洗淨室內，使該漏斗狀之內周面之下端位於該噴嘴之前端上方，並使上述噴嘴在上述洗淨室和對基板吐出處理液之位 置之間移動的噴嘴移動手段；及控制上述第1及第2溶劑供給手段、上述吸引手段及上述噴嘴移動手段之控制手段；藉由上述控制手段，於上述噴嘴被收容在上述洗淨室內之時，藉由上述吸引手段使上述噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側，之後，藉由從上述第1溶劑供給手段向上述洗淨室內供給特定量溶劑，形成繞著上述噴嘴之前端部旋轉之溶劑之渦流而洗淨噴嘴，之後，藉由從上述第2溶劑供給手段向上述洗淨室內供給特定量，在上述洗淨室內形成溶劑之滯留處，接著，藉由上述吸引手段吸引上述噴嘴，在噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，藉由上述控制手段，於使上述噴嘴內之處理液之液面後退至處理液供給管路側前，排出上述噴嘴前端內部之處理液。
  12. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，藉由上述控制手段，在上述噴嘴之前端內部，從處理液供給管路側依序形成處理液層和空氣層和處理液之溶劑層之後，使上述溶劑層之溶劑之液面後退至處理液供給管路側。
  13. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中 之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，將連接上述第1溶劑供給手段之上述洗淨室之第1流入口，設置在洗淨室之漏斗狀內周面之切線方向。
  14. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，將連接上述第1溶劑供給手段之上述洗淨室之第1流入口，設置在洗淨室之漏斗狀內周面之切線方向，將連接上述第2溶劑供給手段之上述洗淨室之第2流入口，設置在洗淨室之漏斗狀部之上部內周面之切線方向，並且將上述第1流入口和第2流入口設為相同之切線方向。
  15. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，將連接上述第1溶劑供給手段之上述洗淨室之第1流入口，設置在洗淨室之漏斗狀內周面之切線方向，將連接上述第2溶劑供給手段之上述洗淨室之第2流入口，設置在洗淨室之漏斗狀部之上部內周面之切線方向，並且將上述第1流入口和第2流入口設為互相相向之切線方向。
  16. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，將從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑之流量設為大於或等於從上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑之流量。
  17. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，從上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑，和從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑為同種類之溶劑。
  18. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，從上述第2溶劑供給手段流入之第2溶劑係揮發性比上述第1溶劑供給手段流入之第1溶劑之揮發性低的溶劑。
  19. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，上述控制手段於噴嘴洗淨之時，驅動噴嘴移動手段使噴嘴上下移動。
  20. 如申請專利範圍第10或11項所記載之液處理中之噴嘴洗淨及處理液乾燥防止裝置，其中，在上述漏斗狀之內周面之上方的圓筒狀胴體部設有第2流入口。
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5036664B2 (ja) * 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
JP5442232B2 (ja) * 2008-10-01 2014-03-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 薬液吐出用ノズルの待機ポット及び薬液塗布装置並びに薬液塗布方法
JP2010103131A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP5226046B2 (ja) * 2010-08-18 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及びノズルのメンテナンス方法
JP5497607B2 (ja) * 2010-10-01 2014-05-21 ファインマシーンカタオカ株式会社 カプセル型の洗浄機
JP5263284B2 (ja) * 2010-12-28 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 塗布方法、塗布装置及び記憶媒体
US9378988B2 (en) 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JP5223983B1 (ja) * 2012-05-28 2013-06-26 富士ゼロックス株式会社 回転体の製造装置及び回転体の製造方法
JP5965729B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法および基板処理装置
KR102037921B1 (ko) * 2012-10-22 2019-11-26 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
KR20150139544A (ko) * 2013-04-08 2015-12-11 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 분배 팁 세척 장치
JP6077437B2 (ja) * 2013-05-31 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびノズル洗浄方法
CN103406230B (zh) * 2013-08-08 2015-11-25 厦门精恒新自动化科技有限公司 一种点胶清洗切换装置
JP5934161B2 (ja) 2013-09-09 2016-06-15 武蔵エンジニアリング株式会社 ノズルおよび該ノズルを備える液体材料吐出装置
JP2015060932A (ja) * 2013-09-18 2015-03-30 株式会社東芝 スパイラル塗布装置
CN104549797B (zh) * 2013-10-28 2017-01-18 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种带清洗部件的液体喷洒装置
CN103995368B (zh) * 2014-01-27 2016-09-28 成都天马微电子有限公司 一种防干燥液供给系统及涂布设备
JP6211458B2 (ja) * 2014-04-30 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
DE102014107878A1 (de) * 2014-06-04 2015-12-17 Khs Gmbh Behandlungskopf sowie Behälterbehandlungsmaschine mit einem Behandlungskopf
CN104377153B (zh) * 2014-11-18 2018-07-17 通富微电子股份有限公司 一种圆片清洗机及其喷嘴移动方法、圆片移动方法
JP6527716B2 (ja) * 2015-02-27 2019-06-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JP6737436B2 (ja) * 2015-11-10 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 膜処理ユニットおよび基板処理装置
JP6473409B2 (ja) * 2015-11-10 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
JP6459938B2 (ja) * 2015-12-02 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 塗布液供給装置、塗布方法及び記憶媒体
DE102016109504A1 (de) * 2016-05-24 2017-11-30 Lutz Pumpen Gmbh Vorrichtung zur Reinigung von Förderaggregaten für fliessfähige Medien
JP6789038B2 (ja) * 2016-08-29 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6862882B2 (ja) * 2017-02-09 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP6869756B2 (ja) * 2017-03-10 2021-05-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズルクリーニング装置およびノズルクリーニング方法
JP6915498B2 (ja) 2017-10-23 2021-08-04 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
KR102099114B1 (ko) * 2018-04-16 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN108838160B (zh) * 2018-05-31 2021-07-27 武汉华星光电技术有限公司 浸槽及供液系统
JP7175122B2 (ja) * 2018-08-02 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
KR102331356B1 (ko) * 2018-12-21 2021-12-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR20220097680A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
KR102635382B1 (ko) * 2020-12-31 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
US11754923B2 (en) * 2021-03-26 2023-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Resist dispensing system and method of use
US11798800B2 (en) * 2021-06-25 2023-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for solvent recycling

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW559935B (en) * 2002-03-05 2003-11-01 Kaijo Kk An apparatus and a method for drying washed objects
US6878401B2 (en) * 2001-09-27 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
TWI244131B (en) * 2002-04-16 2005-11-21 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
US20060130750A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Cluster tool architecture for processing a substrate
US20060233952A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus
US20080023034A1 (en) * 2006-05-23 2008-01-31 Takeshi Hirao Nozzle cleaning apparatus, nozzle cleaning method, and a computer-readable storage medium storing nozzle cleaning program

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0494526A (ja) * 1990-08-11 1992-03-26 Sony Corp レジストディスペンスノズルのレジスト残り除去方法
JPH05309309A (ja) * 1992-05-11 1993-11-22 Mitsubishi Electric Corp 塗布ノズルの洗浄装置
JPH0620936A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Hoya Corp 処理液滴下用ノズルの洗浄方法及び洗浄装置
JPH06260405A (ja) 1993-03-09 1994-09-16 Seiko Epson Corp レジスト塗布装置及びその塗布方法と、ノズル洗浄方法
JP3895408B2 (ja) 1996-10-15 2007-03-22 富士通株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、およびかかるノズル洗浄装置を有する薬液塗布装置
FR2814395B1 (fr) * 2000-09-26 2003-03-28 Imaje Sa Procede et dispositif de nettoyage de buses pour imprimantes a jet d'encre, et tete d'impression et imprimante integrant un tel dispositif
JP3993496B2 (ja) * 2001-09-27 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法および塗布処理装置
JP4145110B2 (ja) * 2002-09-26 2008-09-03 東京応化工業株式会社 スリットノズル洗浄装置及び洗浄方法
TWI251857B (en) * 2004-03-09 2006-03-21 Tokyo Electron Ltd Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning device
JP4451175B2 (ja) * 2004-03-19 2010-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置および基板処理装置
JP4526288B2 (ja) * 2004-03-25 2010-08-18 東京応化工業株式会社 スリットノズル先端の調整装置及び調整方法
JP4521056B2 (ja) * 2006-05-15 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
CN100573329C (zh) * 2007-07-04 2009-12-23 友达光电股份有限公司 涂布机喷嘴清洁模块及其装置
JP5036664B2 (ja) * 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6878401B2 (en) * 2001-09-27 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
TW559935B (en) * 2002-03-05 2003-11-01 Kaijo Kk An apparatus and a method for drying washed objects
TWI244131B (en) * 2002-04-16 2005-11-21 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
US20060130750A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Cluster tool architecture for processing a substrate
US20060233952A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus
US20080023034A1 (en) * 2006-05-23 2008-01-31 Takeshi Hirao Nozzle cleaning apparatus, nozzle cleaning method, and a computer-readable storage medium storing nozzle cleaning program

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US8216390B2 (en) 2012-07-10
US20100051059A1 (en) 2010-03-04
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