CN104517871B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制在表面周缘部的处理中使用的处理液进入器件区域的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(1)具有：基板保持部；周缘部用喷出头(51)，向被基板保持部保持的基板(9)的表面周缘部喷出流体。周缘部用喷出头(51)具有多个喷嘴(50a～50d)和一体支撑多个喷嘴(50a～50d)的支撑部(500)。多个喷嘴(50a～50d)包括向表面周缘部喷出处理液的处理液喷嘴(50a、50b、50c)和向表面周缘部喷出气体的气体喷嘴(50d)，气体喷嘴(50d)相比处理液喷嘴(50a、50b、50c)配置在基板(9)的旋转方向的上游侧。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子体显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳电池用基板等(以下仅称为“基板”)的表面周缘部实施处理的技术。
背景技术
在基板中，几乎不会将器件图案(电路图案)最大限度地形成至基板的端面，大多是将器件图案形成在基板的距端面一定宽度的内侧的表面区域。
但是，在用于形成器件图案的成膜工序中，有时将膜形成至形成器件图案的区域(以下仅称为“器件区域”)的外侧。在器件区域的外侧形成的膜不仅没有必要，而且可能成为各种故障的原因。例如，在器件区域的外侧形成的膜有可能在处理工序的途中被剥落，引起成品率的下降、基板处理装置的故障等。
因此，有时进行通过蚀刻来除去在器件区域的外侧形成的薄膜的处理(所谓斜面蚀刻处理)，并提出了进行这种处理的装置(例如参照专利文献1～6等)。
专利文献1：日本特开2008-300454号公报
专利文献2：日本特开2011-066194号公报
专利文献3：日本特开2009-070946号公报
专利文献4：日本特开2006-210580号公报
专利文献5：日本特开2001-070861号公报
专利文献6：日本特开2003-264168号公报
在利用处理液对器件区域的外侧的表面周缘部进行处理的情况下，供给至表面周缘部的处理液有可能进入器件区域(具体地说，例如处理液从表面周缘部飞溅并进入器件区域)。当处理液进入器件区域时，有可能使器件图案产生不良而导致成品率的下降。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种在对基板的表面周缘部实施处理时能够抑制在表面周缘部的处理中使用的处理液进入器件区域的技术。
第一方式是一种基板处理装置，
具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
周缘部用喷出头，其向被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部喷出流体；
所述周缘部用喷出头具有：
多个喷嘴，
支撑部，其一体支撑多个所述喷嘴；
多个所述喷嘴包括：
处理液喷嘴，其向所述表面周缘部喷出处理液，
气体喷嘴，其向所述表面周缘部喷出气体；
所述气体喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。
第二方式是如第一方式所述的基板处理装置，从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
所述气体喷嘴的目标喷出位置比所述处理液喷嘴的目标喷出位置更靠基板的中心侧。
第三方式是如第一或第二方式所述的基板处理装置，所述周缘部用喷出头具有多个所述处理液喷嘴，
多个所述处理液喷嘴包括：
药液喷嘴，喷出药液，
冲洗液喷嘴，喷出冲洗液。
第四方式是如第三方式所述的基板处理装置，从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
所述冲洗液喷嘴的目标喷出位置比所述药液喷嘴的目标喷出位置更靠基板的中心侧。
第五方式是如第三或第四方式所述的基板处理装置，所述周缘部用喷出头具有多个所述药液喷嘴，
多个所述药液喷嘴包括：
第一药液喷嘴，喷出酸性药液，
第二药液喷嘴，喷出碱性药液；
在所述第一药液喷嘴和所述第二药液喷嘴之间配置有所述冲洗液喷嘴。
第六方式是如第五方式所述的基板处理装置，从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
从基板的端面至所述第一药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至所述第二药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。
第七方式是如第一至第六方式中任一方式所述的基板处理装置，多个所述喷嘴包括向所述表面周缘部喷出蒸汽的蒸汽喷嘴。
第八方式是如第七方式所述的基板处理装置，所述蒸汽喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。
第九方式是如第七或第八方式所述的基板处理装置，所述处理液喷嘴包括喷出药液的药液喷嘴，
从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
从基板的端面至所述蒸汽喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至所述药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。
第十方式是如第一至第九方式中任一方式所述的基板处理装置，所述喷嘴具有：
喷嘴主体部，其以下表面呈水平姿势的方式支撑在所述支撑部上，
喷出口，其通过在所述喷嘴主体部的所述下表面开口而形成，
流路部，其形成在所述喷嘴主体部的内部，并在下端与所述喷出口连通；
所述流路部具有倾斜流路部分，该倾斜流路部分向斜下方延伸，并在下端与所述喷出口连通，所述斜下方是指，从所述基板的中心侧起，越向下方越接近所述基板的端面侧的方向。
第十一方式是如第一至第十方式中任一方式所述的基板处理装置，该基板处理装置具有对所述基板保持部以及所述周缘部用喷出头进行控制的控制部，
所述控制部通过所述基板保持部使所述基板旋转，并且，使所述处理液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液，并使所述气体喷嘴向所述表面周缘部喷出气体。
第十二方式是如第十一方式所述的基板处理装置，从所述处理液喷嘴喷出的所述处理液是稀氢氟酸。
第十三方式是如第十一方式所述的基板处理装置，从所述处理液喷嘴喷出的所述处理液是冲洗液。
第十四方式是一种基板处理方法，包括：
工序a，将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
工序b，从处理液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液；
工序c，与所述工序b并行，从相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧的气体喷嘴，向所述表面周缘部喷出气体。
第十五方式是一种基板处理方法，包括：
工序a，使基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转，并向所述基板的表面周缘部喷出第一处理液；
工序b，在停止喷出所述第一处理液后，使在所述表面周缘部残存的所述第一处理液靠近所述基板的端面侧，并从所述端面甩掉至基板外；
工序c，在所述工序b之后，使所述基板旋转，并向所述表面周缘部喷出第二处理液。
第十六方式是如第十五方式所述的基板处理方法，所述工序b包括：
工序b1，在停止向所述表面周缘部喷出流体的状态下，使所述基板旋转；
工序b2，向所述基板的表面周缘部喷出气体。
第十七方式是如第十六方式所述的基板处理方法，所述工序b1中的基板的旋转速度大于所述工序a中的基板的旋转速度。
第十八方式是如第十五至第十七方式中任一方式所述的基板处理方法，所述基板处理方法包括工序d，在进行所述工序a，所述工序b、以及所述工序c的期间，向所述基板的表面的中央附近喷出保护气体。
所述工序b中的所述保护气体的喷出量大于所述工序a中的所述保护气体的喷出量。
第二十方式是如第十五至第十九方式中任一方式所述的基板处理方法，所述第一处理液是SC-2。
第二十一方式是如第十五方式至第十九方式中任一方式所述的基板处理方法，所述第一处理液是冲洗液。
第二十二方式是一种基板处理装置，具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转，
周缘部用喷出头，向被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部喷出流体，
控制部，对所述基板保持部以及所述周缘部用喷出头进行控制；
所述控制部，
在使所述周缘部用喷出头向通过所述基板保持部旋转的基板的表面周缘部依次喷出第一处理液和第二处理液的情况下，
在停止从所述周缘部用喷出头喷出所述第一处理液之后且在开始从所述周缘部用喷出头喷出所述第二处理液之前，
在停止从所述周缘部用喷出头喷出流体的状态下，在通过所述基板保持部使所述基板旋转规定的时间后，从所述周缘部用喷出头向所述基板的表面周缘部喷出气体。
根据第一方式，气体喷嘴相比处理液喷嘴配置在基板的旋转方向的上游侧。根据该结构，在一周前从处理液喷嘴供给并且在基板旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液由从气体喷嘴喷出的气体除去后，从处理液喷嘴向该位置供给新的处理液。因此，难以发生新供给的处理液与表面周缘部上的旧的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制在表面周缘部的处理中使用的处理液进入器件区域。
根据第二方式，在基板的表面周缘部，向比喷出处理液的位置更靠基板的中心侧的位置供给气体。根据该结构，能够利用气体将供给至表面周缘部的处理液从基板的中心侧向端面侧除去。由此，能够抑制表面周缘部上的处理液进入器件区域。
根据第三方式，喷出药液的药液喷嘴和喷出冲洗液的冲洗液喷嘴被一体支撑。根据该结构，与分别支撑各喷嘴的情况相比，能够简化装置结构，并容易进行各喷嘴的对位。
根据第四方式，在基板的表面周缘部，向比喷出药液的位置更靠基板的中心侧的位置喷出冲洗液。根据该结构，利用冲洗液将供给到表面周缘部的药液从基板的中心侧向端面侧挤走。因此，能够充分抑制药液进入器件区域，并能够充分冲洗掉药液。
根据第五方式，在喷出酸性药液的第一药液喷嘴和喷出碱性药液的第二药液喷嘴之间配置有喷出冲洗液的冲洗液喷嘴。根据该结构，例如能够抑制发生在从一个药液喷嘴喷出药液时形成的环境空气与在另一个药液喷嘴内残留的药液反应这样的状况。
根据第六方式，从基板的端面至第一药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至第二药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。因此，在基板的表面周缘部，能够向喷出酸性药液的位置喷出碱性药液。根据该结构，能够使各药液准确地作用于相同的区域。
根据第七方式，周缘部用喷出头具有喷出蒸汽的蒸汽喷嘴。根据该结构，通过从蒸汽喷嘴向表面周缘部喷出蒸汽，能够对表面周缘部进行加热。
根据第八方式，蒸汽喷嘴相比处理液喷嘴配置在基板的旋转方向的上游侧。根据该结构，能够在利用从蒸汽喷嘴喷出的蒸汽对表面周缘部内的各位置加热后，从处理液喷嘴向该位置供给处理液。因此，能够促进供给至表面周缘部的处理液和基板之间的反应。
根据第九方式，从基板的端面至蒸汽喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。因此，能够利用蒸汽对表面周缘部上的喷出药液的位置进行加热。根据该结构，能够有效促进供给到表面周缘部的药液和基板之间的反应。
根据第十方式，在喷嘴主体部的内部形成的流路部具有倾斜流路部分，该倾斜流路部分向斜下方延伸，并在下端与喷出口连通，所述斜下方是指，从基板的中心侧起，越向下方越接近基板的端面侧的方向。根据该结构，能够使从喷嘴向基板的表面周缘部喷出的流体在基板的表面周缘部流向基板的外侧。
根据第十一～十四方式，从处理液喷嘴向旋转的基板的表面周缘部喷出处理液，并且从相比处理液喷嘴配置在基板的旋转方向的上游侧的气体喷嘴向表面周缘部喷出气体。根据该结构，在一周前从处理液喷嘴供给并在基板旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液由从气体喷嘴喷出的气体除去后，从处理液喷嘴向该位置供给新的处理液。因此，难以发生新供给的处理液与表面周缘部上的旧的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制在表面周缘部的处理中使用的处理液进入器件区域。
根据第十五方式，由于进行使在表面周缘部残存的第一处理液靠近基板的端面侧来从端面甩掉至基板外的工序(液体甩掉工序)，所以第二处理液被向几乎不残存第一处理液的表面周缘部喷出。因此，难以发生所喷出的处理液与表面周缘部上的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制处理液进入器件区域。
根据第十六方式，液体甩掉工序包括在停止向表面周缘部喷出流体的状态下使基板旋转的工序和向基板的表面周缘部喷出气体的工序。根据该结构，能够将在表面周缘部残存的第一处理液在短时间内充分甩掉。
根据第十七方式，在液体甩掉工序中，基板以比较的高速的旋转速度旋转。根据该结构，能够将在表面周缘部残存的第一处理液在特别短的时间内容甩掉。
根据第十八方式，由于向基板的表面的中央附近喷出保护气体，所以器件区域从供给到表面周缘部等的处理液的环境空气等中被保护。
根据第十九方式，在液体甩掉工序中，向基板的表面的中央附近喷出比较多的保护气体。根据该结构，在液体甩掉处理中，器件区域从第一处理液的环境空气等中被充分保护。
根据第二十二方式，在停止喷出第一处理液之后且在开始喷出第二处理液之前，在停止从周缘部用喷出头喷出流体的状态下，使基板旋转规定的时间后，向基板的表面周缘部喷出气体。根据该结构，第二处理液被向几乎不残存第一处理液的表面周缘部喷出。因此，难以发生所喷出的处理液与表面周缘部上的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制处理液进入器件区域。
附图说明
图1是示意性地表示基板处理系统的概略俯视图。
图2是表示成为处理对象的基板的周缘部附近的剖视图。
图3是基板处理装置的概略立体图。
图4是基板处理装置的概略立体图。
图5是用于说明基板处理装置的结构的示意图。
图6是周缘部用喷出头的立体图。
图7是示意性地表示喷嘴的顶端附近的结构的侧剖视图。
图8是示意性地表示周缘部用喷出头所具有的一组喷嘴的目标喷出位置的一例的图。
图9是从基板的旋转方向的下游侧观察周缘部用喷出头得到的图。
图10是从基板的旋转方向的下游侧观察周缘部用喷出头得到的图。
图11是挡板构件的立体图。
图12是从上方观察杯、挡板构件、以及周缘部用喷出头配置在各自的处理位置的状态的俯视图。
图13是从箭头K观察图12的侧剖视图。
图14是表示由基板处理装置执行的动作的整体的流程的图。
图15是表示前处理的流程的图。
图16是用于说明前处理的图。
图17是表示表面周缘处理的流程的图。
图18是用于说明表面周缘处理的图。
图19是说明背面处理等的流程的图。
图20是用于说明背面处理等的图。
图21是从下侧观察变形例的周缘部用喷出头的图。
图22是示意性地表示变形例的周缘部用喷出头所具有的一组喷嘴的目标喷出位置的一例的图。
图23是从基板的旋转方向的下游侧观察变形例的周缘部用喷出头得到的图。
其中，附图标记说明如下：
100 基板处理系统
130 控制部
1 基板处理装置
2 旋转卡盘
21 旋转基座
25 保持构件
3 飞散防止部
31 杯
32 杯驱动机构
4 表面保护部
41 保护气体喷嘴
45 保护气体供给部
5 周缘处理部
51 周缘部用喷出头
55 周缘部用流体供给部
50 喷嘴
50a 第一药液喷嘴
50b 第二药液喷嘴
50c 冲洗液喷嘴
50d 气体喷嘴
50m 箱形喷嘴
50n 内侧气体喷嘴
501 喷嘴主体部
502 喷出面
503 导入流路部
504 喷出流路部
5041 铅垂流路部分
5042 倾斜流路部分
505 喷出口
506 气体喷出口
507 蒸汽喷出口
508 内侧气体喷出口
6 液体飞溅抑制部
60 挡板构件
601 挡板构件的内周壁
602 挡板构件的下表面
603 挡板构件的外周壁
604 挡板构件的上表面
605 切口
61、62 半圆弧构件
63 半圆弧构件驱动部
7 加热处理部
71 蒸汽喷嘴
72 蒸汽供给部
8 背面处理部
81 供给管
82 背面侧喷出口
83 背面用处理液供给部
9 基板
90 器件区域
91 基板的表面
911 基板的表面周缘部
92 基板的背面
93 基板的端面
Qa、Qb、Qc、Qd、Qe1、Qe2、Qf 目标喷出位置
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行说明。以下的实施方式是使本发明具体化的一例，并不是对本发明的技术范围进行限定的事例。另外，在以下参照的各图中，为了便于理解，有时将各部的尺寸和数量夸大或简化图示。
<1.基板处理系统100>
<1-1.结构>
参照图1对基板处理系统100的结构进行说明。图1是示意性地表示基板处理系统100的概略俯视图。
基板处理系统100是对多张基板9一张一张地连续处理的系统。在以下的说明中，假设在基板处理系统100中成为处理对象的基板9例如为圆形的半导体晶片。
基板处理系统100具有并排设置的多个单元(处理区)(具体地说，分度器单元110以及处理单元120)和对该多个单元110、120所具有的各动作机构等进行控制的控制部130。
<分度器单元110>
分度器单元110是用于将从装置外接受的未处理的基板9交给处理单元120，并且，将从处理单元120接受的处理完的基板9搬出到装置外的单元。分度器单元110具有：运送器载置台111，载置多个运送器C；基板搬送装置(移载机械手)IR，对各运送器C进行基板9的搬入搬出。
容纳了未处理的基板9的运送器C由OHT(OverheadHoist Transfer：高架行驶无人搬运车)等搬入并载置于运送器载置台111。未处理的基板9被从运送器C一张一张取出并在装置内处理，在装置内的处理结束的处理完的基板9再次被容纳于运送器C。容纳了处理完的基板9的运送器C由OHT等搬出到装置外部。这样，运送器载置台111作为集聚未处理的基板9以及处理完的基板9的基板集聚部发挥功能。此外，作为运送器C的形式，可以是将基板9容纳在密闭间中的FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式统一标准箱)，也可以是SMIF(Standard Mechanical Inter Face：标准机械界面)盒、将所容纳的基板9曝露在外部空气中的OC(Open Cassette：开放式盒子)。
移载机械手IR具有：手部112，通过对基板9从下方进行支撑来将基板9保持为水平姿势(基板9的主面水平的姿势)；手部驱动机构113，驱动手部112。移载机械手IR从在运送器载置台111上载置的运送器C取出未处理的基板9，将所取出的基板9在基板交接位置P交给搬送机械手CR(后述)。另外，移载机械手IR在基板交接位置P从搬送机械手CR接受处理完的基板9，并将所接受的基板9容纳于在运送器载置台111上载置的运送器C。
<处理单元120>
处理单元120是用于对基板9进行处理的单元。处理单元120具有：多个基板处理装置1；对该多个基板处理装置1进行基板9的搬入搬出的基板搬送装置(搬送机械手CR)。在此，多个(例如3个)基板处理装置1在铅垂方向上层叠，构成一个基板处理装置组10。并且，多个(在图示的例子中，4个)基板处理装置组10以包围搬送机械手CR等方式呈簇状(房状)设置。
多个基板处理装置1各自具有在内部形成处理空间的框体11。在框体11上形成有用于使搬送机械手CR的手部121插入框体内部的搬入搬出口12，基板处理装置1配置为，使该搬入搬出口12与配置有搬送机械手CR的空间相向。关于基板处理装置1的具体结构，在后面说明。
搬送机械手CR具有：手部121，对基板9从下方进行支撑来将基板9保持为水平姿势；手部驱动机构122，驱动手部121。其中，如上所述，搬送机械手CR(具体地说，搬送机械手CR的基台)配置在被多个基板处理装置组10包围的空间的中央。搬送机械手CR从指定的基板处理装置1取出处理完的基板9，将该取出的基板9在基板交接位置P交给移载机械手IR。另外，搬送机械手CR在基板交接位置P从移载机械手IR接受未处理的基板9，将该接受的基板9搬送到指定的基板处理装置1。
<控制部130>
控制部130对移载机械手IR、搬送机械手CR、以及每一组的各个基板处理装置1进行控制。作为控制部130的硬件的结构采用与一般的计算机同样的结构。即，控制部130例如具有进行各种运算处理的CPU、存储基本程序的读取专用的存储器即ROM、存储各种信息的读写自由的存储器即RAM、存储控制用软件和数据等的磁盘等。在控制部130中，作为主控制部的CPU根据在程序中记述的顺序进行运算处理，由此实现对基板处理系统100的各部进行控制的各种功能部。当然，在控制部130中实现的一部分或全部功能部也可以通过专用的逻辑电路等在硬件上实现。
<1-2.动作>
接下来，参照图1对基板处理系统100的整体动作进行说明。在基板处理系统100中，控制部130根据记述了基板9的搬送顺序以及处理条件等的方案(recipe)，对基板处理系统100具有的各部进行控制，来执行以下说明的一系列的动作。
当容纳了未处理的基板9的运送器C载置在运送器载置台111上时，移载机械手IR从该运送器C取出未处理的基板9。然后，移载机械手IR使保持有未处理的基板9的手部112移动到基板交接位置P，在基板交接位置P，将该未处理的基板9交给搬送机械手CR。在手部121上接受了未处理的基板9的搬送机械手CR将该未处理的基板9搬入至在方案中指定的基板处理装置1。此外，移载机械手IR和搬送机械手CR之间的基板9的交接既可以在手部112、121间直接进行，也可以经由在基板交接位置P设置的载置部等进行。
在搬入有基板9的基板处理装置1中，对基板9执行规定的处理。对在基板处理装置1执行的处理的流程在后面说明。
当在基板处理装置1中对基板9的处理结束时，搬送机械手CR将处理完的基板9从基板处理装置1取出。然后，搬送机械手CR使保持有处理完的基板9的手部121移动到基板交接位置P，在基板交接位置P将该处理完的基板9交给移载机械手IR。在手部112上接受了处理完的基板9的移载机械手IR将该处理完的基板9容纳在运送器C中。
在基板处理系统100中，搬送机械手CR以及移载机械手IR根据方案反复进行上述的搬送动作，并且，各基板处理装置1根据方案执行对基板9的处理。由此，对基板9的处理一个接一个地进行。
<2.基板9>
接着，参照图2，对在基板处理装置1中成为处理对象的基板9进行说明。图2是表示基板9的周缘部附近的剖视图。
在基板处理装置1中成为处理对象的基板9例如具有由硅(Si)构成的中心层901、在中心层901的外侧形成的下层膜902、以及在下层膜902的外侧形成的上层膜903这三层结构。下层膜902例如是热氧化膜(Th-SiO2)或绝缘膜(例如Hf(铪)膜、或氧化铪膜等)。另外，上层膜903例如是阻挡金属膜(例如TiN膜、TaN膜等)或金属膜(例如Al膜、W膜、NiSi膜、Cu膜等)。当然，在基板处理装置1中成为处理对象的基板9例如也可以具有中心层901和下层膜902这二层结构，也可以具有4层以上的结构。
在以下，将基板9的主面中的形成器件图案一侧的面称为“表面91”。另外，将基板9的主面中的与表面91一侧相反一侧的面称为“背面92”。进而，将表面91中的形成器件图案的区域称为“器件区域90”。另外，将表面91中的比器件区域90靠外侧的周缘区域(具体地说，例如从基板9的端面93起具有微小宽度d(例如d＝0.5mm～3.0mm(毫米))的环状区域)称为“表面周缘部911”。另外，将背面92中的从端面93起具有微小宽度d的环状区域称为“背面周缘部921”。
基板处理装置1能够将上述那样的具有多层结构的基板9作为处理对象，对基板9的表面周缘部911以及背面92进行处理(例如除去在表面周缘部911以及背面92形成的薄膜的处理)。
<3.基板处理装置1的结构>
参照图3～图5对基板处理装置1的结构进行说明。图3是基板处理装置1的概略立体图，示出构成挡板构件60的半圆弧构件61、62、杯31、以及周缘部用喷出头51配置在各自的待避位置的状态。图4也是基板处理装置1的概略立体图，而在此示出挡板构件60、杯31、以及周缘部用喷出头51配置在各自的处理位置的状态。图5是用于说明基板处理装置1的结构的示意图。
此外，在以下的说明中，“处理液”包括在药液处理中使用的“药液”和在冲洗掉药液的冲洗处理中使用的“冲洗液”。
基板处理装置1具有旋转卡盘2、飞散防止部3、表面保护部4、周缘处理部5、液体飞溅抑制部6、加热处理部7、以及背面处理部8。所述各部2～8与控制部130电连接，根据来自控制部130的指示进行动作。
<旋转卡盘2>
旋转卡盘2是以基板9的表面91朝向上方的状态将基板9保持为大致水平姿势的基板保持部，并使该基板9围绕通过其表面91的中心的铅垂的旋转轴旋转。
旋转卡盘2具有旋转基座21，该旋转基座21是比基板9大一些的圆板状的构件。在旋转基座21的下表面中央部连接有旋转轴部22。旋转轴部22以使轴线沿着铅垂方向那样的姿势配置。另外，在旋转轴部22上连接有使旋转轴部22围绕其轴线旋转驱动的旋转驱动部(例如马达)23。旋转轴部22以及旋转驱动部23容纳在筒状的壳体24内。另外，在旋转基座21的上表面的周缘部附近隔着适当的间隔设置有多个(例如6个)保持构件25。保持构件25与基板9的端面93抵接来对基板9进行在水平方向上的定位，并且，在比旋转基座21的上表面稍高的位置(即，与旋转基座21的上表面隔开规定的间隔)，将基板9保持为大致水平姿势。
在该结构中，在保持构件25在旋转基座21的上方保持基板9的状态下，当旋转驱动部23使旋转轴部22旋转时，旋转基座21围绕沿着铅垂方向的轴心旋转，由此，在旋转基座21上保持的基板9围绕通过其面内的中心的铅垂的旋转轴旋转。
其中，保持构件25以及旋转驱动部23与控制部130电连接，并在控制部130的控制下进行动作。也就是说，在旋转基座21上保持基板9的时刻、释放所保持的基板9的时刻、以及旋转基座21的旋转方式(具体地说，旋转开始时刻、旋转结束时刻、转速(即，旋转速度)等)由控制部130控制。
<飞散防止部3>
飞散防止部3挡住从被旋转基座21保持旋转的基板9飞散的处理液等。
飞散防止部3具有杯31。杯31为上端开放的筒形状的构件，以包围旋转卡盘2的方式设置。在该实施方式中，杯31例如包括内构件311、中构件312、以及外构件313这3个构件。
内构件311是上端开放的筒形状的构件，具有：圆环状的底部311a、从底部311a的内侧缘部向上方延伸的圆筒状的内壁部311b、从底部311a的外侧缘部向上方延伸的圆筒状的外壁部311c、立设在内壁部311b和外壁部311c之间的圆筒状的引导壁311d。引导壁311d从底部311a向上方延伸，上端部附近向内侧上方弯曲。内壁部311b的至少顶端附近容纳于在旋转卡盘2的壳体24设置的凸缘构件241的内侧空间。
在底部311a上形成有与内壁部311b和引导壁311d之间的空间连通的排液槽(省略图示)。该排液槽与工厂排液管道连接。另外，在该排液槽上连接有对槽内强制排气来使内壁部311b和引导壁311d之间的空间处于负压状态的排气液机构。内壁部311b和引导壁311d之间空间是用于集中在基板9的处理中使用的处理液进行排出的空间，集中在该空间内的处理液从排液槽排出。
另外，在底部311a上形成有与引导壁311d和外壁部311c之间的空间连通的第一回收槽(省略图示)。第一回收槽与第一回收罐连接。另外，在该第一回收槽上连接有对槽内强制排气来使引导壁311d和外壁部311c之间的空间处于负压状态的排气液机构。引导壁311d和外壁部311c之间的空间是用于集中在基板9的处理中使用的处理液进行回收的空间，集中在该空间内的处理液经由第一回收槽回收到第一回收罐内。
中构件312是上端开放的筒形状的构件，设置在内构件311的引导壁311d的外侧。中构件312的上部向内侧上方弯曲，其上端缘部沿着引导壁311d的上端缘部弯折。
在中构件312的下部形成有沿着内周面向下方延伸的内周壁部312a和沿着外周面向下方延伸的外周壁部312b。内周壁部312a在内构件311和中构件312接近的状态(图5所示的状态)下，容纳在内构件311的引导壁311d和外壁部311c之间。另外，外周壁部312b的下端紧贴设置在圆环状的底部312c的内侧缘部。从底部312c的外侧缘部立设有向上方延伸的圆筒状的外壁部312d。
在底部312c上形成有与外周壁部312b和外壁部312d之间的空间连通的第二回收槽(省略图示)。第二回收槽与第二回收罐连接。另外，在该第二回收槽上连接有对槽内进行强制排气来使外周壁部312b和外壁部312d之间的空间处于负压状态的排气液机构。外周壁部312b和外壁部312d之间的空间是用于集中在基板9的处理中使用的处理液进行回收的空间，集中在该空间内的处理液经由第二回收槽回收到第二回收罐内。
外构件313是上端开放的筒形状的构件，设置在中构件312的外侧。外构件313的上部向内侧上方弯曲，其上端缘部301比中构件312的上端缘部以及内构件311的上端缘部稍靠内侧并向下方弯折。在内构件311、中构件312、以及外构件313接近的状态(图5所示的状态)下，中构件312的上端缘部以及内构件311的上端缘部被外构件313的被弯折的部分覆盖。
在外构件313的下部以沿着内周面向下方延伸的方式形成有内周壁部313a。在中构件312和外构件313接近的状态(图5所示的状态)下，内周壁部313a容纳在中构件312的外周壁部312b和外壁部312d之间。
在杯31上配设有使杯升降移动的杯驱动机构32。杯驱动机构32例如由步进马达构成。在该实施方式中，杯驱动机构32使杯31具有的3个构件311、312、313独立升降。
内构件311、中构件312、以及外构件313分别受到杯驱动机构32的驱动而在上方位置和下方位置之间移动。在此，各构件311、312、313的上方位置是该构件311、312、313的上端缘部配置在保持在旋转基座21上的基板9的侧方的位置。另一方面，各构件311、312、313的下方位置是该构件311、312、313的上端缘部比旋转基座21的上表面更靠下方的位置。其中，杯驱动机构32与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，杯31的位置(具体地说，内构件311、中构件312、以及外构件313各自的位置)由控制部130控制。
关于外构件313配置在下方位置的状态(即，内构件311、中构件312、以及外构件313都配置在下方位置的状态)，以下称为“杯31位于待避位置”。在旋转基座21上未保持基板9的期间，杯31配置在待避位置。也就是说，在旋转基座21上未保持基板9的期间，杯31配置在如下位置，即，其上端缘部(即，外构件313的上端缘部)301比旋转基座21的上表面更靠下方。
另一方面，关于外构件313配置在上方位置的状态，以下称为“杯31位于处理位置”。位于处理位置的杯31的上端缘部(即，外构件313的上端缘部301)配置在保持在旋转基座21上的基板9的侧方。其中，“杯31位于处理位置”的状态包括以下三个状态。第一状态是内构件311、中构件312、以及外构件313都配置于上方位置的状态(图5所示的状态)。在该状态下，从保持在旋转卡盘2上的基板9飞散的处理液集中在内构件311的内壁部311b和引导壁311d之间的空间内，并从排液槽排出。第二状态是内构件311配置在下方位置并且中构件312以及外构件313配置在上方位置的状态。在该状态下，从保持在旋转卡盘2上的基板9飞散的处理液集中在内构件311的引导壁311d和外壁部311c之间的空间内，并回收到第一回收罐内。第三状态是内构件311以及中构件312配置在下方位置并且外构件313配置在上方位置的状态。在该状态下，从保持在旋转卡盘2上的基板9飞散的处理液集中在中构件312的外周壁部312b和外壁部312d之间的空间，并回收到第二回收罐内。
<表面保护部4>
表面保护部4向保持在旋转基座21上的基板9的表面91的中央附近供给气体(保护气体)，从供给到表面周缘部911等的处理液的环境空气等中保护器件区域90。
表面保护部4具有向保持在旋转基座21上的基板9的表面91的中央附近喷出气体的保护气体喷嘴41。保护气体喷嘴41安装在水平延伸的臂部42的顶端部。另外，臂部42的基端部与喷嘴基台43连接。喷嘴基台43以使轴线沿着铅垂方向的姿势配置，臂部42的基端部与喷嘴基台43的上端连接。
在喷嘴基台43上配置有驱动保护气体喷嘴41的驱动部44。驱动部44例如包括使喷嘴基台43围绕其轴线旋转的旋转驱动部(例如、伺服马达)、使喷嘴基台43沿着其轴线伸缩的升降驱动部(例如步进马达)。当驱动部44使喷嘴基台43转动时，保护气体喷嘴41沿水平面内的圆弧轨道移动，当驱动部44使喷嘴基台43伸缩时，保护气体喷嘴41在与基板9接近或分离的方向上移动。
保护气体喷嘴41受到驱动部44的驱动，在处理位置和待避位置之间移动。在此，保护气体喷嘴41的处理位置为如下位置：位于保持在旋转基座21上的基板9的上方，与表面91的中央附近相向且与表面91以非接触状态接近的位置。另一方面，保护气体喷嘴41的待避位置是与基板9的搬送路径不干涉的位置，例如，从上方观察，是比杯31的上端缘部301更靠外侧的位置。另外，驱动部44与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，保护气体喷嘴41的位置由控制部130控制。
在保护气体喷嘴41上连接有保护气体供给部45，该保护气体供给部45是向保护气体喷嘴41供给气体(在此，例如为氮气(N2))的配管系统。具体地说，保护气体供给部45例如具有如下结构：作为供给氮气的供给源的氮气供给源451经由安装有开闭阀453的配管452与保护气体喷嘴41连接。在该结构中，当打开开闭阀453时，从氮气供给源451供给的氮气从保护气体喷嘴41喷出。此外，向保护气体喷嘴41供给的气体也可以是除了氮气以外的气体(例如除了氮气以外的各种非活性气体、干燥空气等)。
在保护气体喷嘴41配置在处理位置的状态下，当从保护气体供给部45向保护气体喷嘴41供给气体时，从保护气体喷嘴41向保持在旋转基座21上的基板9的表面91的中央附近喷出气体(保护气体)。其中，保护气体供给部45的开闭阀453与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从保护气体喷嘴41喷出气体的喷出方式(具体地说，喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量等)由控制部130控制。
<周缘处理部5>
周缘处理部5对保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911进行处理。
<i.整体结构>
周缘处理部5具有向保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911喷出流体(在此为处理液、以及气体)的周缘部用喷出头51。周缘部用喷出头51安装在水平延伸的臂部52的顶端部。另外，臂部52的基端部与喷嘴基台53连接。喷嘴基台53以使其轴线沿着铅垂方向的姿势配置，臂部52的基端部与喷嘴基台53的上端连接。
在喷嘴基台53上配设用于驱动周缘部用喷出头51的驱动部54。驱动部54例如包括使喷嘴基台53沿其轴线旋转的旋转驱动部(例如伺服马达)和使喷嘴基台53沿其轴线伸缩的升降驱动部(例如步进马达)。当驱动部54使喷嘴基台53转动时，周缘部用喷出头51沿着水平面内的圆弧轨道移动，当驱动部54使喷嘴基台53伸缩时，周缘部用喷出头51在与基板9接近或分离的方向上移动。
周缘部用喷出头51受到驱动部54的驱动在处理位置和待避位置之间移动。在此，周缘部用喷出头51的处理位置为如下位置：位于保持在旋转基座21上的基板9的上方，与表面周缘部911相向且与表面周缘部911以非接触状态接近的位置(图4所示的位置)。其中，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分容纳于在后述的挡板构件60的内周壁601上形成的切口605内。另一方面，周缘部用喷出头51的待避位置是与基板9的搬送路径不干涉的位置，例如，从上方观察，是比杯31的上端缘部301更靠外侧的位置(图3所示的位置)。另外，驱动部54与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，周缘部用喷出头51的位置被控制部130控制。
在周缘部用喷出头51上连接有流体供给部55，该流体供给部55是向周缘部用喷出头51供给流体(具体地说，处理液以及气体)的配管系统。具体地说，流体供给部55例如组合酸类药液供给源551a、碱类药液供给源551b、冲洗液供给源551c、氮气供给源551d、多个配管552a、552b、552c、552d、以及多个开闭阀553a、553b、553c、553d而构成。
酸类药液供给源551a是供给酸性药液的供给源。在此，酸类药液供给源551a能够选择性地供给例如稀释后的氢氟酸(稀氢氟酸)(以下表示为“DHF”)和盐酸过氧化氢溶液(即，盐酸(HCl)、过氧化氢(H2O2)和纯水(DIW:去离子水)以规定的比率混合而成的药液，以下表示为“SC-2”)。酸类药液供给源551a经由安装有开闭阀553a的配管552a与周缘部用喷出头51(更具体地说，后述的“第一药液喷嘴50a”)连接。因此，当打开开闭阀553a时，从酸类药液供给源551a供给的酸性的药液(DHF或SC-2)从第一药液喷嘴50a喷出。当然，酸类药液供给源551a未必限于选择性地供给DHF以及SC-2。例如，酸类药液供给源551a也可以供给DHF、SC-2、BDHF(缓冲氢氟酸)、HF(氢氟酸)、盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸、以及它们的混合溶液等中的至少一种。
碱类药液供给源551b是供给碱性药液的供给源。在此，碱类药液供给源551b能够供给例如氨过氧化氢溶液(即，氢氧化氨(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)和纯水以规定的比率混合而成的药液，以下表示为“SC-1”)。碱类药液供给源551b经由安装有开闭阀553b的配管552b与周缘部用喷出头51(更具体地说，后述的“第二药液喷嘴50b”)连接。因此，当打开开闭阀553b时，从碱类药液供给源551b供给的碱性的药液(SC-1)从第二药液喷嘴50b喷出。此外，优选从碱类药液供给源551b供给的SC-1的温度被调节至例如60℃～80℃。当然，碱类药液供给源551b也可以供给除了SC-1以外的药液(例如，氨的水溶液等)。
冲洗液供给源551c是供给冲洗液的供给源。在此，冲洗液供给源551c例如将溶解有二氧化碳(CO2)的纯水(碳酸水)作为冲洗液进行供给。冲洗液供给源551c经由安装有开闭阀553c的配管552c与周缘部用喷出头51(更具体地说，后述的“冲洗液喷嘴50c”)连接。因此，当打开开闭阀553c时，从冲洗液供给源551c供给的冲洗液从冲洗液喷嘴50c喷出。此外，作为冲洗液，也可以使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(含氢水)、各种有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水等。
氮气供给源551d是供给气体(在此，例如为氮气(N2))的供给源。氮气供给源551d经由安装有开闭阀553d的配管552d与周缘部用喷出头51(更具体地说，后述的“气体喷嘴50d”)连接。因此，当打开开闭阀553d时，从氮气供给源551d供给的氮气从气体喷嘴50d喷出。当然，氮气供给源551d也可以供给除了氮气以外的气体(例如，除了氮气以外的各种非活性气体、干燥空气等)。
在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，当从流体供给部55向周缘部用喷出头51供给处理液(酸性药液(DHF、或SC-2)、碱性药液(SC-1)、或冲洗液)时，从周缘部用喷出头51向保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911供给该处理液。另外，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，当从流体供给部55向周缘部用喷出头51供给气体时，从周缘部用喷出头51向保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911供给气体。另外，流体供给部55所具有的开闭阀553a、553b、553c、553d各自与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从周缘部用喷出头51喷出流体的喷出方式(具体地说，喷出的流体的种类、喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量等)由控制部130控制。
<ii.周缘部用喷出头51>
在此，参照图6对周缘部用喷出头51进行具体说明。图6是周缘部用喷出头51的立体图。此外，为了便于说明，在图6中省略挡板构件60以及杯31的图示。
周缘部用喷出头51具有多个(在此为4个)喷嘴50a～50d和对该多个喷嘴50a～50d一体地进行支撑的支撑部500。
在周缘部用喷出头51所具有的一组喷嘴50a～50d中包含向表面周缘部911喷出处理液的1个以上(在此为3个)喷嘴(以下也称为“处理液喷嘴”)50a、50b、50c和向表面周缘部911喷出气体(在此为氮气)的喷嘴(以下也称为“气体喷嘴”)50d。特别是，作为该周缘部用喷出头51的处理液喷嘴50a、50b、50c，具有喷出药液的2个喷嘴(以下也称为“药液喷嘴”)50a、50b和喷出冲洗液的喷嘴(以下也称为“冲洗液喷嘴”)50c。特别是，作为该周缘部用喷出头51的药液喷嘴50a、50b，具有喷出酸性药液的喷嘴(以下还称为“第一药液喷嘴”)50a和喷出碱性药液的喷嘴(以下也称为“第二药液喷嘴”)50b。
对一组喷嘴50a～50d一体地进行支撑的支撑部500固定在上述的臂部52上。从上方观察，支撑部500为沿着表面周缘部911的弯曲成弧状的构件，一组喷嘴50a～50d沿着弯曲成弧状的支撑部500的延伸方向排列。因此，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，一组喷嘴50a～50d沿着基板9的表面周缘部911排列。此时，沿着基板9的旋转方向AR9，从上游侧开始依次排列有气体喷嘴50d、第一药液喷嘴50a、冲洗液喷嘴50c、第二药液喷嘴50b。
也就是说，在该周缘部用喷出头51中，气体喷嘴50d相比处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。因此，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置首先通过气体喷嘴50d的下方后，通过处理液喷嘴50a、50b、50c的下方。根据该结构，在从处理液喷嘴50a、50b、50c向旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置供给新的处理液之前，从气体喷嘴50d向该位置供给气体(即，喷射气体)。
因基板9的表面状态等的不同，有时存在如下情况，即：在一周前从处理液喷嘴50a、50b、50c向到达周缘部用喷出头51的下方的表面周缘部911内的各位置供给并且在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液附着在该位置。即使在这样的情况下，也能在用从气体喷嘴50d喷出的气体除去该旧的处理液后，从处理液喷嘴50a、50b、50c供给新的处理液。根据该结构，难以发生向表面周缘部911内的各位置新供给的处理液与旧的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，能够总是使新鲜的处理液作用于基板9，由此，能够提高处理效率。另外，在残存有旧的药液的位置又供给新的处理液时，保持在该位置的处理液的量暂时会变多，而如果采用在用气体除去旧的药液后供给新的处理液的结构，则难以发生在表面周缘部911内的各位置暂时保持大量的处理液的状况。其结果，能够使处理液所作用的区域的尺寸稳定。例如，能够使蚀刻用的药液所作用的区域的尺寸、即被从端面93向基板9的内侧蚀刻除去的宽度(以下仅称为“蚀刻宽度”)稳定，能够提高蚀刻宽度的控制精度。
另外，换个角度看，在该周缘部用喷出头51中，处理液喷嘴50a、50b、50c相比气体喷嘴50d配置在基板9的旋转方向AR9的下游侧。因此，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置在通过处理液喷嘴50a、50b、50c的下方后，并在基板9几乎旋转一周后，到达气体喷嘴50d的下方。根据该结构，从处理液喷嘴50a、50b、50c供给到表面周缘部911上的各位置的处理液的至少一部分在基板9几乎旋转一周的期间持续停留在表面周缘部911上，因此，能够使处理液充分作用于表面周缘部911内的各位置。
另外，在周缘部用喷出头51中，在喷出酸性药液的第一药液喷嘴50a和喷出碱性药液的第二药液喷嘴50b之间，配置有喷出冲洗液的冲洗液喷嘴50c。根据该结构，能够抑制发生例如从一个药液喷嘴喷出药液时形成的环境空气与残留在另一个药液喷嘴内的药液反应这样的状况。具体地说，例如，能够抑制发生在第一药液喷嘴50a喷出酸性药液时形成的环境空气与残留在第二药液喷嘴50b内的碱性药液反应、或者、在第二药液喷嘴50b喷出碱性药液时形成的环境空气与残留在第一药液喷嘴50a内的酸性药液反应这样的状况。
<iii.喷嘴50>
接着，参照图7对周缘部用喷出头51所具有的一组喷嘴50a～50d各自的结构进行说明。一组喷嘴50a～50d分别具有几乎相同的结构，以下，在没有对这些喷嘴50a～50d进行区別的情况下，仅称为“喷嘴50”。图7是示意性地表示喷嘴50的顶端附近的结构的侧剖视图。
喷嘴50具有喷嘴主体部501，该喷嘴主体部501具有下端变细的长条棒状的外形。喷嘴主体部501以轴向沿铅垂方向并且下表面(以下也称为“喷出面”)502为水平姿势的方式，支撑在支撑部500上。因此，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，喷出面502以与保持在旋转基座21上的基板9的表面91平行的姿势，以非接触状态接近表面周缘部911。其中，在该状态下，喷出面502和表面周缘部911之间的分离距离m为充分小的距离(例如m＝1mm左右)。
在喷嘴主体部501的内部形成有导入流路部503和与其下端连通的喷出流路部504。在导入流路部503的上端连接有上述的配管552a、552b、552c、552d中的任一个。另外，喷出流路部504的下端与在喷出面502通过开口而形成的喷出口505连通。喷出口505为例如圆形的贯通孔，其直径小于图2中的从基板9的端面93起的微小宽度d，例如为0.6mm。因此，从配管供给的流体首先保持在导入流路部503，并流入喷出流路部504，然后从喷出口505喷出。
喷出流路部504具有在途中弯折而成的形状。具体地说，喷出流路部504具有铅垂流路部分5041和与其连接的倾斜流路部分5042。铅垂流路部分5041与喷嘴主体部501的轴向平行地延伸，在下端与倾斜流路部分5042连通。倾斜流路部分5042向斜下方延伸，并在下端与喷出口505连通，该斜下方是指，从基板9的内侧(基板9的中心侧)起，越向下方越接近外侧(端面93侧)的方向。
在该喷嘴50中，经由倾斜延伸的倾斜流路部分5042从喷出口505喷出流体，因此，能够使从喷嘴50向基板9的表面周缘部911喷出的流体在表面周缘部911向基板9的外侧流动。因此，例如在从喷嘴50向表面周缘部911喷出处理液的情况下，能够抑制该处理液流入器件区域90，并且能够使处理液作用的区域的尺寸(例如蚀刻用的药液作用的区域的尺寸、即蚀刻宽度)稳定，提高其控制精度。另外，例如在从喷嘴50向表面周缘部911喷出气体的情况下，能够在表面周缘部911形成朝向基板9的外侧的气流。利用该气流，能够将表面周缘部911上的处理液和处理液的雾滴吹飞到基板9的外侧。
特别是，在该喷嘴50中，喷嘴主体部501自身并不以倾斜姿势支撑在支撑部500上，而是在喷嘴主体部501的内部形成的喷出流路部504的一部分即倾斜流路部分5042倾斜。如果在喷嘴主体部的内部形成沿其轴向笔直延伸的流路并使喷嘴主体部自身处于倾斜姿势，则喷出面处于相对于水平面倾斜的姿势。在该情况下，有可能在喷出面的最下端的附近容易产生积存液体，该积存液体会滴下(滴落)到基板9上。这样的处理液的滴落产生在基板9上的比本来应供给处理液的位置更靠内侧(基板9的中心侧)的位置，因此，即使利用从气体喷嘴50d喷出的气体也难以除去。相对于此，如本实施方式那样，通过采用并不是使喷嘴主体部501倾斜而是使在其内部形成的喷出流路部504的一部分倾斜的结构，能够将喷出面502置于水平姿势，因此难以发生上述那样的处理液的滴落。
此外，为了提高处理液作用的区域的宽度(例如蚀刻用的药液作用的蚀刻宽度)的控制精度，优选倾斜流路部分5042的延伸方向与水平面形成的角度(倾斜角度)θ在45度以上，更优选在60度以上。
<iv.目标喷出位置>
现在，将从周缘部用喷出头51所具有的一组喷嘴50a～50d分别喷出流体并到达基板9上的到达位置称为该喷嘴的“目标喷出位置”。在以下，参照图8～图10，对一组喷嘴50a～50d各自的目标喷出位置Qa～Qd进行说明。图8是示意性地表示各喷嘴50a～50d的目标喷出位置的一例的图。图9、图10是从基板9的旋转方向AR9的下游侧观察周缘部用喷出头51的图。其中，在图9中示出从周缘部用喷出头51喷出药液和气体的状态，在图10中示出从周缘部用喷出头51喷出冲洗液和气体的状态。
周缘部用喷出头51所具有的一组喷嘴50a～50d各自的目标喷出位置Qa～Qd处于在基板9的径向上相互错开的位置。即，气体喷嘴50d的目标喷出位置Qd比处理液喷嘴50a、50b、50c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc更靠基板9的径向内侧(中心侧)。进而，冲洗液喷嘴50c的目标喷出位置Qc比药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb更靠基板9的径向内侧。进而，第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa和第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb处于在径向上相同的位置。其中，“在径向上相同的位置”是指，距基板9的端面93的分离距离彼此相等的位置(即，距基板9的中心的分离距离相等的位置)。也就是说，在此，从基板9的端面93至第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa的分离距离与从基板9的端面93至第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb的分离距离相等。
作为一例，第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa以及第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb都为基板9的距端面93的距离为1.0mm的内侧的位置。另外，气体喷嘴50d的目标喷出位置Qd为距药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb还有0.5mm的基板9的内侧的位置。另外，冲洗液喷嘴50c的目标喷出位置Qc为基板9的在距端面93的距离为1.0mm～1.5mm的范围内的位置。
各喷嘴50a、50b、50c、50d配置于在基板9的径向上相互错开的位置，并被支撑部500支撑，以使喷出流体到达各自的目标喷出位置Qa、Qb、Qc、Qd。即，气体喷嘴50d相比处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的径向内侧，并被支撑部500支撑。另外，冲洗液喷嘴50c相比药液喷嘴50a、50b配置在基板9的径向内侧，并被支撑部500。另外，第一药液喷嘴50a和第二药液喷嘴50b配置于在径向上相同的位置，并被支撑部500支撑。此外，各喷嘴50a、50b、50c、50d在配置中的彼此的偏移量根据前述的倾斜流路部分5042的角度设定，以使流体到达各自的目标喷出位置Qa、Qb、Qc、Qd。
在该周缘部用喷出头51中，气体喷嘴50d的目标喷出位置Qd比处理液喷嘴50a、50b、50c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc更靠基板9的径向内侧，因此，在基板9的表面周缘部911中，向比喷出处理液的位置更靠内侧的位置供给气体。根据该结构，能够利用气体将供给到表面周缘部911上的处理液从基板9的内侧向外侧吹飞。由此，能够抑制表面周缘部911上的处理液进入器件区域90，并且能够使处理液作用的区域的尺寸(例如蚀刻用的药液作用的区域的尺寸、即蚀刻宽度)稳定，提高其控制精度。
另外，在该周缘部用喷出头51中，冲洗液喷嘴50c的目标喷出位置Qc比药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb更靠基板9的径向内侧，因此，在基板9的表面周缘部911，向比喷出药液的位置更靠内侧的位置喷出冲洗液。根据该结构，能够利用冲洗液将供给到表面周缘部911上的药液从基板9的内侧向外侧挤走。由此，能够充分抑制药液进入器件区域90，并且不残留药液残渣地充分冲洗掉药液。
另外，在该周缘部用喷出头51中，第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa和第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb位于基板9的在径向上相同的位置上，因此，在基板9的表面周缘部911中，能够向喷出酸性药液的位置喷出碱性药液。根据该结构，能够使各药液准确地作用于相同的区域。
<液体飞溅抑制部6>
再次参照图3～图5。在基板处理装置1中，在从周缘部用喷出头51向保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911喷出处理液时，有可能供给到表面周缘部911上的处理液的一部分从基板9飞散，该飞散的处理液的一部分因被在外部配置的构件弹回等而再次附着在基板9上。液体飞溅抑制部6是用于抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9上的构件。
<i.挡板构件60>
液体飞溅抑制部6具有挡板构件60。参照图3～图5、图11～图13对挡板构件60进行详细说明。图11是挡板构件60的立体图。图12是从上方观察杯31、挡板构件60、以及周缘部用喷出头51配置在各自的处理位置的状态的俯视图。图13是从图12的箭头K观察的侧剖视图。
挡板构件60是沿着基板9的表面周缘部911的整周形成的环状构件。挡板构件60在对保持在旋转基座21上的基板9进行处理的期间，从上方观察，与该基板9同心配置，并配置在以非接触状态与该基板9的表面周缘部911接近的位置(处理位置)。挡板构件60的与周向垂直的剖面优选为矩形，特别优选为正方形。
挡板构件60的内径具有比基板9的外径稍小的尺寸。因此，当从上方观察配置在处理位置的挡板构件60时，挡板构件60的内周壁601比基板9的端面93更靠内侧(基板9的中心侧)，挡板构件60的下表面602的至少内周部分与保持在旋转基座21上的基板9的表面周缘部911相向配置。也就是说，挡板构件60的内周壁601比基板9的表面周缘部更靠内侧(基板9的中心侧)，挡板构件60的下表面602局部与基板9的表面周缘部911接近相向。此时，挡板构件60的下表面602和保持在旋转基座21上的基板9的表面91之间分离距离h例如在1mm以上且1.5mm以下。
挡板构件60的外径具有大于基板9的外径且比杯31的上端缘部301的内径稍小的尺寸。因此，当从上方观察配置在处理位置的挡板构件60时，挡板构件60的外周壁603比基板9的端面93靠外侧，并以非接触状态与杯31的上端缘部301接近，且沿着上端缘部301的整周延伸。也就是说，配置在处理位置的杯31恰好同时包围旋转基座21上的基板9和挡板构件60。
上述的周缘部用喷出头51在其配置在处理位置的状态下配置在挡板构件60的内周壁601侧(即，隔着挡板构件60而与杯31一侧相反的一侧)。也就是说，在该状态下，周缘部用喷出头51所具有喷嘴50隔着挡板构件60配置在与杯31一侧相反的一侧。其中，在挡板构件60的内周壁601上形成有用于容纳周缘部用喷出头51的至少一部分的切口605，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分(具体地说，例如周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的至少一部分)容纳在该切口605内。由此，周缘部用喷出头51与挡板构件60不干涉地配置在表面周缘部911的上方的处理位置。其中，优选切口605中的与下表面602相连接的壁面部分6051在从上方观察时与基板9的端面93处于同一个面或者位于端面93的内侧(基板9的中心侧)。
在挡板构件60、周缘部用喷出头51、以及杯31配置在各自的处理位置的状态下，优选挡板构件60的下表面602配置在与周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的喷出面502相同的高度位置或比喷出面502低的位置。另外，壁面部分6051能够配置在低至不妨碍从喷嘴50喷出的流体路径的位置为止的位置。另外，优选挡板构件60的下表面602配置在与杯31的上端缘部301的下表面3011相同的高度或比下表面3011低的位置。在该实施方式中，挡板构件60的下表面602、周缘部用喷出头51的喷出面502、以及杯31的上端缘部301的下表面3011位于相同的高度位置。即，3个面602、502、3011配置在同一水平面上。
另外，在挡板构件60、以及杯31配置在各自的处理位置的状态下，优选挡板构件60的上表面604配置在与杯31的上端缘部301的上表面3012相同的高度。
<ii.抑制处理液再次附着的理由>
在从周缘部用喷出头51向表面周缘部911喷出处理液的期间，通过将挡板构件60配置在处理位置，能够抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9上。以下说明其理由。
杯31的上端缘部301的内径具有比旋转基座21的外径更大的尺寸，使得杯能够移动到比旋转基座21的上表面更靠下方的待避位置。由于旋转基座21的外径具有基板9的外径大的尺寸，因此从上方观察时，在保持在旋转基座21上的基板9的端面93和杯31的上端缘部301之间，存在环状的间隙空间。因此，与基板9的表面周缘部911相向的配置在处理位置的周缘部用喷出头51和杯31的上端缘部301之间也存在间隙空间V。该间隙空间V是从基板9飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间，在此，该间隙空间V的至少一部分被挡板构件60的一部分填埋。根据该结构，从基板9飞散的处理液的雾滴等能够漂浮的空间减小了被挡板构件60填埋的空间大小，该空间变小，相应地，在基板9的附近的处理液的漂浮量变少。其结果，能够降低处理液的雾滴等再次附着在基板9上的可能性。即，能够抑制从基板9飞散的处理液的一部分再次附着在基板9上。
特别是，在此，挡板构件60的下表面602的至少一部分与表面周缘部911相向配置，因此从基板9飞散的处理液沿着挡板构件60的下表面602被导向杯31内。由此，能够充分抑制该飞散的处理液再次附着在基板9上。
特别是，发明者们确认，通过将挡板构件60的下表面602配置在与周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的喷出面502相同的高度位置或比喷出面502低的位置，能够特别有效地抑制从基板9飞散的处理液附着在基板9(特别是器件区域90)上。
另外，发明者们确认，通过将挡板构件60的下表面602配置在与杯31的上端缘部301的下表面3011相同的高度位置或比该下表面3011低的位置，也能够特别有效地抑制从基板9飞散的处理液附着在基板9(特别是器件区域90)。
进而，在此，挡板构件60是沿着基板9的表面周缘部911的整周形成的环状的构件，因此能够在基板9的整个周向上抑制从基板9飞散的处理液再次附着在基板9。
<iii.半圆弧构件61、62>
挡板构件60由相互独立的多个弧状构件(在此，一对半圆弧构件61、62)形成，多个弧状构件处于各弧状构件的周向的端面彼此相互抵接在一起的状态。即，一对半圆弧构件61、62是具有彼此相等的直径的半圆弧状的构件，使弦方向朝向内侧，并且使周向的端面相互相向配置。当然，挡板构件60也可以是使3个以上的弧状构件处于周向的端面彼此相互抵接在一起的状态而形成的。
在一对半圆弧构件61、62上分别配置有驱动各半圆弧构件61、62的半圆弧构件驱动部63。半圆弧构件驱动部63具有：升降驱动部(例如步进马达)631，使连接有升降驱动部631的半圆弧构件61、62沿铅垂轴升降移动；进退驱动部632，使该半圆弧构件61、62在水平面内在与另一个半圆弧构件接近或分离的方向上进退移动。
各半圆弧构件61、62在旋转基座21上未保持基板9的期间，与另一个半圆弧构件分离，并配置在基板9的搬入搬出路径的外侧的位置(待避位置)。具体地说，各半圆弧构件61、62的待避位置是比旋转基座21的上表面更靠下侧的位置(即，各半圆弧构件61、62的上表面604比旋转基座21的上表面更靠下侧的位置)，且是在从上方观察时比杯31的上端缘部301更靠外侧的位置(图3所示的位置)。
在旋转基座21上保持有基板9时，升降驱动部631使配置在待避位置的各半圆弧构件61、62上升至比旋转基座21的上表面稍微靠上方的位置，接着，进退驱动部632使各半圆弧构件61、62在水平面内向接近另一个半圆弧构件的方向移动，从而形成各半圆弧构件61、62的周向的端面彼此相互抵接在一起的状态。由此，实现环状的构件即挡板构件60配置在处理位置的状态。
<iv.清洗处理>
如上所述，在旋转基座21上未保持基板9的期间，各半圆弧构件61、62以及杯31配置在各自的待避位置。其中，如上所述，在各半圆弧构件61、62以及杯31配置在各自的待避位置的状态下，各半圆弧构件61、62以及杯31相比旋转基座21的上表面都配置在下侧，各半圆弧构件61、62在杯31的上侧配置在以非接触状态接近杯31的上表面的位置。
在基板处理装置1中，在旋转基座21上未保持基板9的状态下，定期地(例如每处理一定张数的基板9)、或不定期地(例如根据来自作业人员的指示)，对旋转基座21进行清洗处理。
在旋转基座21的清洗处理中，从清洗用喷嘴(省略图示)向未保持基板9的状态下的旋转基座21的上表面的中央附近供给清洗液，并使旋转基座21旋转。这样一来，清洗液借助伴随旋转基座21的旋转带来的离心力的作用扩展到旋转基座21的整个上表面，由此对旋转基座21的整个上表面进行清洗。该清洗液最终从旋转基座21的周缘部被甩落至旋转基座21之外。在此，在对旋转基座21进行清洗处理的期间，各半圆弧构件61、62以及杯31配置在比旋转基座21的上表面更靠下的待避位置，因此从旋转基座21的周缘部被甩落至旋转基座21之外的清洗液到达杯31以及位于杯的上侧的半圆弧构件61、62。由此，对杯31、以及半圆弧构件61、62进行清洗。也就是说，在旋转基座21的清洗处理中，不仅旋转基座21，杯31、以及半圆弧构件61、62也都被清洗。
<加热处理部7>
再次参照图3～图5。加热处理部7向保持在旋转基座21上的基板9的背面92供给蒸汽(水蒸汽)、特别优选过热蒸汽(过热水蒸汽)，对基板9进行加热。
加热处理部7具有向保持在旋转基座21上的基板9的背面92喷出蒸汽的蒸汽喷嘴71。蒸汽喷嘴71配置在旋转基座21上。在蒸汽喷嘴71的上表面侧形成有多个蒸汽喷出口(省略图示)。该多个蒸汽喷出口中的至少一个蒸汽喷出口形成在选择地向保持在旋转基座21上的基板9的背面周缘部921供给蒸汽的位置。更优选形成在与背面周缘部921相向的位置。另外，从该蒸汽喷出口能够喷出比其他蒸汽喷出口更多的蒸汽。根据该结构，蒸汽喷嘴71能够重点地向基板9的背面92、特别是背面周缘部921喷出蒸汽。
在蒸汽喷嘴71上连接有蒸汽供给部72，该蒸汽供给部72是向蒸汽喷嘴71供给蒸汽的配管系统。具体地说，蒸汽供给部72例如具有如下结构：供给蒸汽的供给源即蒸汽供给源721经由安装有开闭阀723的配管722与蒸汽喷嘴71连接。在该结构中，当打开开闭阀723时，从蒸汽供给源721供给的蒸汽从蒸汽喷嘴71喷出。
此外，从蒸汽喷嘴71喷出的蒸汽优选是被加热(过加热)至充分高温(例如100℃以上且130℃以下)的过热蒸汽(过热水蒸汽)。因此，例如由供给对纯水等加热而生成的蒸汽(水蒸汽)的供给源、与供给源连接的配管、在该配管的路径途中安装的加热器构成蒸汽供给源721即可(均省略图示)。在该情况下，考虑到从供给源供给的蒸汽在通过配管等时温度下降，优选通过加热器将从供给源供给的蒸汽加热(过加热)至例如140℃～160℃左右。当然，即使供给至基板9的蒸汽(过热蒸汽)的一部分因被基板9夺取热量而被冷却，在基板9上凝缩成为水滴，该水滴也借助伴随基板9的旋转产生的离心力的作用从基板9的端面93甩落至基板9之外。因此，水滴不会附着在器件区域90。
当从蒸汽供给部72向蒸汽喷嘴71供给蒸汽时，从蒸汽喷嘴71向保持在旋转基座21上的基板9的背面92喷出蒸汽，由此基板9被加热。如上所述，该实施方式的蒸汽喷嘴71能够向背面周缘部921重点地喷出蒸汽，因此能够对背面周缘部921特别重点地进行加热。其中，蒸汽供给部72的开闭阀723与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从蒸汽喷嘴71喷出蒸汽的喷出方式(具体地说，喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量、等)由控制部130控制。
<背面处理部8>
背面处理部8对保持在旋转基座21上的基板9的背面92进行处理。具体地说，背面处理部8向保持在旋转基座21上的基板9的背面92供给处理液。
背面处理部8具有在旋转卡盘2的旋转轴部22的中空部贯通配置的供给管81。供给管81的顶端在旋转基座21的上表面形成开口，该开口形成背面侧喷出口82。
在供给管81上连接有处理液供给部83，该处理液供给部83是向供给管81供给处理液的配管系统。具体地说，处理液供给部83是组合SC-1供给源831a、DHF供给源831b、SC-2供给源831c、冲洗液供给源831d、多个配管832a、832b、832c、832d、以及多个开闭阀833a、833b、833c、833d而构成的。
SC-1供给源831a是供给SC-1的供给源。SC-1供给源831a经由安装有开闭阀833a的配管832a与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833a时，从SC-1供给源831a供给的SC-1从背面侧喷出口82喷出。
DHF供给源831b是供给DHF的供给源。DHF供给源831b经由安装有开闭阀833b的配管832b与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833b时，从DHF供给源831b供给的DHF从背面侧喷出口82喷出。
SC-2供给源831c是供给SC-2的供给源。SC-2供给源831c经由安装有开闭阀833c的配管832c与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833c时，从SC-2供给源831c供给的SC-2从背面侧喷出口82喷出。
冲洗液供给源831d是供给冲洗液的供给源。在此，冲洗液供给源831d例如将溶解有二氧化碳(CO2)的纯水(碳酸水)作为冲洗液进行供给。冲洗液供给源831d经由安装有开闭阀833d的配管832d与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833d时，从冲洗液供给源831d供给的冲洗液从背面侧喷出口82喷出。此外，作为冲洗液，也可以使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(含氢水)、各种有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水等。
当从处理液供给部83向供给管81供给处理液(SC-1、DHF、SC-2、或冲洗液)时，从背面侧喷出口82向保持在旋转基座21上的基板9的背面92的中央附近喷出该处理液。其中，处理液供给部83所具有的开闭阀833a、833b、833c、833d各自与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从背面侧喷出口82喷出处理液的喷出方式(具体地说，喷出的处理液的种类、喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量等)由控制部130控制。
<4.基板处理装置1的动作>
接着，对基板处理装置1的动作进行说明。在基板处理装置1中，在控制部130的控制下执行以下说明的一系列处理。当然，以下说明的只不过是能够在基板处理装置1中执行的处理的一例。
在基板处理装置1中，例如对一张基板9依次进行前处理(步骤S1)、表面周缘处理(步骤S2)、处理面切换处理(步骤S3)、背面处理(步骤S4)、以及干燥处理(步骤S5)(图14)。以下，对各处理具体说明。
<4-1.前处理>
参照图15、图16对前处理(步骤S1)进行说明。图15是表示前处理的流程的图。图16是用于说明前处理的图，示意性地示出在执行前处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
首先，在半圆弧构件61、62、杯31、周缘部用喷出头51、以及保护气体喷嘴41配置在各自的待避位置的状态下，搬送机械手CR将基板9以其表面91朝上的姿势配置在旋转基座21上。配置在旋转基座21上的基板9由一组保持构件25保持(步骤S101)。由此形成在旋转基座21上将基板9保持为大致水平姿势的状态。
当基板9保持在旋转基座21上时，挡板构件60移动到处理位置(步骤S102)。具体地说，半圆弧构件驱动部63的升降驱动部631使配置在待避位置的各半圆弧构件61、62上升到比旋转基座21的上表面稍微靠上方的位置，接着，半圆弧构件驱动部63的进退驱动部632使各半圆弧构件61、62在水平面内向接近另一个半圆弧构件的方向移动，以形成各半圆弧构件61、62的周向的端面彼此相互抵接在一起状态。由此，形成作为环状构件的挡板构件60配置在处理位置的状态。此外，即使旋转基座21开始旋转，配置在处理位置的挡板构件60也不旋转而保持静止状态。
当挡板构件60配置在处理位置时，接着，配置在待避位置的杯31上升，并配置在处理位置(步骤S103)。由此，形成了杯31以同时包围保持在旋转基座21上的基板9和挡板构件60的方式配置的状态。
当杯31配置在处理位置时，接着，保护气体喷嘴41从待避位置移动到处理位置。然后，从配置在处理位置的保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近开始喷出保护气体(步骤S104)。在此开始的向基板9的表面91的中央附近供给保护气体的处理持续执行到对该基板9的处理结束为止。通过持续向基板9的表面91的中央附近供给保护气体，在对该基板9进行处理的期间，器件区域90不会曝露在供给到表面周缘部911等的处理液的环境空气等中。也就是说，器件区域90从供给到表面周缘部上的处理液的环境空气中被持续保护。
此外，在此，在杯31配置在处理位置上后，开始从保护气体喷嘴41喷出保护气体。如果未等杯31上升至处理位置，就开始从保护气体喷嘴41喷出保护气体，则有可能使基板9的表面周缘部911附近的气流紊乱，发生卷起现象，导致颗粒等附着在基板9上，而如果采用在杯31配置在处理位置后开始喷出保护气体的结构，则能够避免发生这样的状况。
接着，开始使旋转基座21旋转，由此保持在旋转基座21上的基板9以水平姿势开始旋转(步骤S105)。此时的旋转基座21的转速(即，基板9的转速)例如为600rpm。该转速被适当设定为如下转速，即，在进行表面周缘处理的期间，供给到表面周缘部911的处理液不会进入器件区域90，另外，也不会移动到端部93侧(也就是说，处理液稳定地保持在应实施处理的表面周缘部911内的区域)。
接着，从蒸汽喷嘴71向旋转的基板9的背面92喷出蒸汽(预蒸(Pre-steam))(步骤S106)。当从开始喷出蒸汽起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从蒸汽喷嘴71喷出蒸汽。通过该预蒸对基板9进行加热。在对基板9的药液处理中使用的药液大多是温度越高则越促进反应的药液，结果，基板9预先通过预蒸被加热，由此，促进药液处理中的药液和基板9之间的反应。其结果，缩短药液处理的处理时间，并且抑制药液的使用量。
<4-2.表面周缘处理>
当前处理(步骤S1)结束时，接着，进行表面周缘处理(步骤S2)。参照图17、图18对表面周缘处理进行说明。图17表示表面周缘处理的流程的图。图18是用于说明表面周缘处理的图，示意性地示出在执行表面周缘处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
其中，在执行以下说明的表面周缘处理的期间，基板9以一定的转速(例如600rpm)持续旋转。另外，如上所述，在执行表面周缘处理的期间，从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体，由此，器件区域90从供给至表面周缘部911的处理液的环境空气中被保护。
<碱处理(SC-1)>
<i.药液处理>
首先，通过SC-1对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S201)。具体地说，首先，周缘部用喷出头51从待避位置移动到处理位置。然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第二药液喷嘴50b向旋转的基板9的表面周缘部911喷出SC-1。此时的SC-1的喷出流量例如在20(mL/min)以上且在50(mL/min)以下。当从开始喷出SC-1起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出SC-1。
通过该药液处理除去在基板9的表面周缘部911形成的薄膜(蚀刻处理)。其中，在进行该药液处理的期间，从蒸汽喷嘴71向基板9的背面92喷出蒸汽。此时的蒸汽的喷出流量例如在500(mL/min)以上且在2000(mL/min)以下。另外，喷出的蒸汽的温度例如在110℃以上且在130℃以下。SC-1是温度越高则越促进反应的药液，被SC-1药液处理的基板9接受蒸汽的供给而被加热，由此，促进基板9的表面周缘部911和SC-1之间的反应(即，蚀刻速率高)(所谓加热辅助)。其结果，缩短利用SC-1进行药液处理的处理时间，并且抑制SC-1的使用量。特别是，在此，由于基板9的背面周缘部921被重点加热，能够有效地促进表面周缘部911和SC-1之间的反应。
<ii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S202)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴50c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。通过该冲洗处理，冲洗掉附着在表面周缘部911上的处理液(在此为SC-1)。
<iii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S203)。液体甩掉处理是使残存在表面周缘部911上的处理液(在此为在步骤S202的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)靠近基板9的端面93侧，并从端面93甩掉至基板9外的处理。靠近端面93侧的处理液处于保持在端面93及其附近的非水平的面区域部分的状态，结果，保持在非水平的面区域部分的处理液难以发生断液现象，这样的处理液一起被甩掉至基板9外。也就是说，在使残存在表面周缘部911上的处理液靠近基板9的端面93侧之后甩掉至基板9外，从而在表面周缘部911几乎不发生液体残留，能够从基板9除去所残存的大部分处理液。
具体地说，液体甩掉处理例如如下进行。首先，在停止从周缘部用喷出头51向表面周缘部911喷出流体(处理液以及气体)的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)(步骤S2031)。由此，在表面周缘部911上残存的处理液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用，向接近基板9的端面93的方向移动，并保持在端面93及其附近的非水平的面区域部分。接着，从在处理位置配置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)(步骤S2032)。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。由此，保持在非水平的面区域部分的处理液受到气体的风压和由基板9的旋转产生的离心力的作用，一起被甩掉至基板9外。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S202的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<第一酸处理(SC-2)>
<i.药液处理>
接着，利用SC-2对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S204)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第一药液喷嘴50a向旋转的基板9的表面周缘部911喷出SC-2。当从开始喷出SC-2起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出SC-2。
通过该药液处理除去附着在基板9的表面周缘部911上的金属成分(例如Mo、Co等)等(清洗处理)。但是，在此，在该药液处理之前，进行液体甩掉处理(步骤S203)。因此，向几乎不残存冲洗液的表面周缘部911喷出SC-2。若未进行步骤S203的液体甩掉处理，就向残存有冲洗液的表面周缘部911喷出SC-2，所喷出的SC-2与残存的冲洗液碰撞而飞溅，有可能进入器件区域90。但是，在此，通过液体甩掉处理，在表面周缘部911几乎不残存冲洗液，因此，难以发生因这样的处理液的碰撞而导致处理液进入器件区域90的状况。另外，若未进行步骤S203的液体甩掉处理，则在表面周缘部911上，残存的冲洗液和所供给的SC-2有可能发生混合，但是，在进行液体甩掉处理的情况下，难以发生这样的状况。其结果，能够使所希望的浓度的SC-2适当作用于表面周缘部911。另外，还能够避免冲洗掉碱性药液SC-1的冲洗液和酸性药液SC-2的混合接触。
<ii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S205)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911上残存的处理液(即，在步骤S204的清洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的SC-2)的大部分被从基板9甩掉。在步骤S204的清洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的SC-2中包含通过清洗处理从基板9除去的金属成分等杂质，而通过在清洗处理后进行液体甩掉处理，该杂质在比较早的阶段被从基板9甩掉。因此，能够降低利用由SC-2进行的药液处理从基板9除去的杂质再次附着在基板9上的风险。
<iii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S206)。冲洗处理的具体的流程与步骤S202的处理相同。即，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴50c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。
通过该冲洗处理，冲洗掉在表面周缘部911上附着的处理液(在此为SC-2)。其中，在此，在该冲洗处理之前进行液体甩掉处理(步骤S205)，因此在表面周缘部911几乎不存在SC-2。因此，该冲洗处理的处理时间与不进行液体甩掉处理的情况相比变短。另外，在该冲洗处理中，冲洗液被向几乎不残存SC-2的表面周缘部911喷出，因此难以发生因处理液的碰撞导致处理液进入器件区域90。
<iv.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S207)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如15秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S206的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<第二酸处理(DHF)>
<i.药液处理>
接着，利用DHF对基板9的表面周缘部911进行药液处理(步骤S208)。具体地说，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的第一药液喷嘴50a向旋转的基板9的表面周缘部911喷出DHF。此时的DHF的喷出流量例如在20(mL/min)以上且在50(mL/min)以下。当从开始喷出DHF起经过了规定时间(例如10秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出DHF。
通过该药液处理除去在基板9的表面周缘部911形成的薄膜(蚀刻处理)。其中，在此，在该药液处理之前进行液体甩掉处理(步骤S207)，因此，DHF被向几乎不残存冲洗液的表面周缘部911喷出。因此，难以发生因处理液的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，在表面周缘部911上，DHF和冲洗液不会发生混合，所以能够使所希望的浓度DHF适当作用于表面周缘部911。
其中，在进行该药液处理的期间，从周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向表面周缘部911喷出气体。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。也就是说，在表面周缘部911内的各位置，在旧的DHF(即，在一周前从第一药液喷嘴50a供给并在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的DHF)被从气体喷嘴50d喷出的气体除去后，从第一药液喷嘴50a向该位置供给新的DHF。根据该结构，如上所述，能够抑制因在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液和新供给的处理液之间的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，总是能够使新鲜的DHF作用于基板9，提高处理效率。另外，根据该结构，能够避免在表面周缘部911内的各位置暂时保持大量的DHF的状况。其结果，能够使蚀刻宽度稳定，提高蚀刻宽度的控制精度。另外，当供给DHF时，表面周缘部911具有憎水性，因此，有时在表面周缘部911保持的旧的处理液局部变厚。当在该状态下供给新的处理液时，处理液容易弹起飞溅。因此，通过利用从气体喷嘴50d喷出的气体将旧的处理液向基板9的外侧吹飞，能够充分抑制该液滴等进入器件区域90。
<ii.冲洗处理>
接着，进行冲洗处理(步骤S209)。冲洗处理的具体的流程与步骤S202的处理相同。即，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的冲洗液喷嘴50c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出冲洗液。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出冲洗液。
通过该冲洗处理，冲洗掉在表面周缘部911附着的处理液(在此为DHF)。其中，也在进行该冲洗处理的期间，从周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向基板9的表面周缘部911喷出气体。此时的气体的喷出流量例如为14(L/min)。也就是说，在表面周缘部911内的各位置，在旧的冲洗液(即，在一周前从冲洗液喷嘴50c供给并在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的冲洗液)被从气体喷嘴50d喷出的气体除去后，从冲洗液喷嘴50c向该位置供给新的冲洗液。根据该结构，如上所述，能够抑制因在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液和新供给的处理液之间的碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，由于能够将包含DHF的旧的冲洗液迅速从表面周缘部911除去，并且使不包含DHF的新的冲洗液作用于基板9，所以能够提高冲洗处理的处理效率。另外，根据该结构，如上所述，在表面周缘部911弹起的处理液的液滴等被由从气体喷嘴50d喷出的气体形成的气流向基板9的外侧吹飞，所以能够充分抑制该液滴等进入器件区域90。
<iii.液体甩掉处理>
接着，进行液体甩掉处理(步骤S210)。液体甩掉处理的具体的流程是如在步骤S203说明那样的流程。即，首先，在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下，使基板9旋转规定的时间(液体靠近工序)，然后，从配置在处理位置的周缘部用喷出头51的气体喷嘴50d向旋转的基板9的表面周缘部911喷出气体(吹飞工序)。当从开始从周缘部用喷出头51喷出气体起经过了规定时间(例如5秒)时，停止从周缘部用喷出头51喷出气体。
通过该液体甩掉处理，在表面周缘部911残存的大部分处理液(即，在步骤S209的冲洗处理中未从基板9甩掉而残存在表面周缘部911上的冲洗液)被从基板9甩掉。
<4-3.处理面切换处理>
当表面周缘处理(步骤S2)结束时，接着进行处理面切换处理(步骤S3)。在处理面切换处理中，配合背面处理(步骤S4)，降低旋转基座21的旋转速度(即，基板9的旋转速度)(参照图19、图20)。即，旋转基座21的旋转速度从表面周缘处理时的旋转速度切换为比表面周缘处理时的旋转速度小的旋转速度(低速的旋转速度)。具体地说，旋转基座21的转速从表面周缘处理时的转速600rpm切换为比表面周缘处理时的转速600rpm充分小的低速的转速(例如20rpm)。
其中，如上所述，在执行处理面切换处理的期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体。
<4-4.背面处理>
当处理面切换处理(步骤S3)结束时，接着进行背面处理(步骤S4)。参照图19、图20对背面处理进行说明。图19是表示背面处理的流程的图。图20是用于说明背面处理的图，示意性地示出在执行背面处理中的各处理工序的状态下的基板处理装置1的一部分构件。
其中，如上所述，在执行背面处理的期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91的中央附近持续供给保护气体，由此，器件区域90从供给到背面92的处理液的环境空气等被保护。
在向背面92供给处理液之前，旋转基座21的旋转速度被切换为低速的转速20rpm。在此所说的“低速的旋转速度”是指如下速度：在基板9以该旋转速度旋转的状态下，供给到基板9的背面92的处理液扩展到整个背面92，且不会绕入到基板9的表面91，具体地说，例如，“低速的旋转速度”是相当于20rpm以下的转速的旋转速度。
首先，利用SC-1对基板9的背面92进行药液处理(步骤S401)。具体地说，从背面侧喷出口82向以低速的旋转速度旋转的基板9的背面92的中央附近喷出SC-1。此时的SC-1的喷出流量例如在500(mL/min)以上且在2000(mL/min)以下。供给到背面92的中央附近的SC-1受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，利用SC-1对基板9的背面92进行药液处理。在此，通过利用SC-1进行药液处理，除去在基板9的背面92形成的薄膜(蚀刻处理)。当从开始喷出SC-1起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出SC-1。
接着，进行冲洗处理(步骤S402)。具体地说，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出冲洗液。供给到背面92的中央附近的冲洗液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，冲洗掉在背面92附着的处理液(在此为SC-1)。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出冲洗液。
接着，利用SC-2对基板9的背面92进行药液处理(步骤S403)。具体地说，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出SC-2。供给到背面92的中央附近的SC-2受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，利用SC-2对背面92进行药液处理。在此，通过利用SC-2进行药液处理，除去在基板9的背面92上附着的金属成分(例如Mo、Co等)等(清洗处理)。当从开始喷出SC-2起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出SC-2。
接着，进行冲洗处理(步骤S404)。冲洗处理的具体的流程与步骤S402的处理相同。即，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出冲洗液。供给到背面92的中央附近的冲洗液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，冲洗掉在背面92上附着的处理液(在此为SC-2)。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如20秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出冲洗液。
接着，利用DHF对基板9的背面92进行药液处理(步骤S405)。具体地说，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出DHF。此时的DHF的喷出流量例如在500(mL/min)以上且在2000(mL/min)以下。供给到背面92的中央附近的DHF受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此，利用DHF对背面92进行药液处理。在此，通过利用DHF进行药液处理，除去在基板9的背面92形成的薄膜(蚀刻处理)。当从开始喷出DHF起经过了规定时间(例如10秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出DHF。
接着，进行冲洗处理(步骤S406)。冲洗处理的具体的流程与步骤S402的处理相同。即，在保持基板9以低速的旋转速度旋转的状态下，从背面侧喷出口82向基板9的背面92的中央附近喷出冲洗液。供给到背面92的中央附近的冲洗液受到伴随基板9的旋转产生的离心力的作用扩展到整个背面92，由此冲洗掉在背面92上附着的处理液(在此为DHF)。当从开始喷出冲洗液起经过了规定时间(例如22.5秒)时，停止从背面侧喷出口82喷出冲洗液。通过以上，结束背面处理。
<4-5.干燥处理>
当背面处理(步骤S4)结束时，接着，进行干燥处理(步骤S5)。在干燥处理中，在停止向基板9喷出处理液的状态下，使旋转基座21的旋转速度(即，基板9的旋转速度)从执行背面处理时的低速的旋转速度上升至比较的高速的干燥时的旋转速度(参照图19、图20)。由此，在基板9的背面92上附着的冲洗液渐渐被甩掉，最终，基板9被干燥。其中，如上所述，在执行干燥处理期间，也从保护气体喷嘴41向基板9的表面91持续供给保护气体，由此，器件区域90从处理液的环境空气等中被保护。
当从基板9开始以干燥时的旋转速度旋转起经过了规定时间时，停止旋转基座21的旋转。然后，停止从保护气体喷嘴41喷出气体，保护气体喷嘴41移动到待避位置。另外，周缘部用喷出头51、杯31、以及、半圆弧构件61、62移动到各自的待避位置。然后，一组保持构件25释放基板9，并且，搬送机械手CR将该基板9从基板处理装置1搬出。通过以上，结束对该基板9的一系列的处理。
<5.效果>
根据上述实施方式，气体喷嘴50d相比处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。根据该结构，在一周前从处理液喷嘴50a、50b、50c供给并且在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液由从气体喷嘴50d喷出的气体除去后，从处理液喷嘴50a、50b、50c向该位置供给新的处理液。因此，难以发生新供给的处理液与表面周缘部911上的旧的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制在表面周缘部911的处理中使用的处理液进入器件区域90。
另外，根据上述实施方式，在基板9的表面周缘部911中，向比喷出处理液的位置更靠内侧(基板9的中心侧)的位置供给气体。根据该结构，能够利用气体将供给到表面周缘部911上的处理液从基板9的中心侧向端面93侧除去。由此，能够抑制表面周缘部911上的处理液进入器件区域90。
另外，根据上述实施方式，喷出药液的药液喷嘴50a、50b和喷出冲洗液的冲洗液喷嘴50c被一体支撑。根据该结构，与对各喷嘴50a、50b、50c分别进行支撑的情况相比，能够使装置结构简化，容易进行各喷嘴50a、50b、50c的对位。
另外，根据上述实施方式，在基板9的表面周缘部911，向比喷出药液的位置更靠内侧的位置喷出冲洗液。根据该结构，能够利用冲洗液将供给到表面周缘部911的药液从基板9的中心侧向端面93侧挤走。因此，能够充分抑制药液进入器件区域90，并充分冲洗掉药液。
另外，根据上述实施方式，在喷出酸性药液的第一药液喷嘴50a和喷出碱性药液的第二药液喷嘴50b之间配置有喷出冲洗液的冲洗液喷嘴50c。根据该结构，能够抑制发生例如从一个药液喷嘴喷出药液时形成的环境空气与残留在另一个药液喷嘴内的药液反应这样的状况。
另外，根据上述实施方式，从基板9的端面93至第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa的分离距离和从基板9的端面93至第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb的分离距离相等。因此，在基板9的表面周缘部911，能够向喷出酸性药液的位置喷出碱性药液。根据该结构，能够使各药液准确地作用于相同的区域。
另外，根据上述实施方式，在喷嘴主体部501的内部形成的流路部具有倾斜流路部分5042，该倾斜流路部分5042向斜下方延伸，并在下端与喷出口连通，该斜下方是指，从基板的中心侧起，越向下方越接近端面93侧的方向。根据该结构，能够使从喷嘴50向基板9的表面周缘部911喷出的流体在基板9的表面周缘部911上向基板9的外侧流动。
另外，根据上述实施方式，从处理液喷嘴50a、50b、50c向旋转的基板9的表面周缘部911喷出处理液，并且从相比处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧的气体喷嘴50d向表面周缘部喷出气体(步骤S208、步骤S209)。根据该结构，在一周前从处理液喷嘴50a、50b、50c供给并且在基板9旋转一周的期间未被甩掉的旧的处理液由从气体喷嘴50d喷出的气体除去后，从处理液喷嘴50a、50b、50c向该位置供给新的处理液。因此，难以发生新供给的处理液与表面周缘部911上的旧的处理液碰撞而飞溅这样的状况。由此，能够抑制在表面周缘部911的处理中使用的处理液进入器件区域90。
另外，根据上述实施方式，进行使在表面周缘部911残存的处理液靠近基板9的端93侧并从端面93甩掉至基板9外的处理(液体甩掉处理)。根据该结构，在液体甩掉处理后向表面周缘部911供给的处理液(第二处理液)被向几乎不残存在有在液体甩掉处理前供给到表面周缘部911上的处理液(第一处理液)的表面周缘部911喷出。因此，难以发生所喷出的处理液与表面周缘部911上的处理液碰撞而飞溅这样的状况。由此，能够抑制处理液进入器件区域90。
另外，根据上述实施方式，液体甩掉处理包括在停止向表面周缘部911喷出流体的状态下使基板9旋转的工序和向基板9的表面周缘部911喷出气体的工序。根据该结构，能够在短时间内充分甩掉在表面周缘部911残存的第一处理液。
另外，根据上述实施方式，由于向基板9的表面91的中央附近喷出保护气体，所以器件区域90从供给到表面周缘部911等上的处理液的环境空气等中被保护。
另外，根据上述实施方式，在停止喷出第一处理液之后且在开始喷出第二处理液之前，在停止从周缘部用喷出头51喷出流体的状态下，在使基板9旋转规定的时间后，向基板9的表面周缘部911喷出气体。根据该结构，第二处理液被向几乎不残存第一处理液的表面周缘部911喷出。因此，难以发生所喷出的处理液与表面周缘部911上的处理液碰撞而飞溅的状况。由此，能够抑制处理液进入器件区域90。
<6.液体甩掉处理的变形例>
<6-1.第一变形例的液体甩掉处理>
在上述的实施方式中，可以在开始液体甩掉处理(步骤S203、步骤S205、步骤S207、步骤S210)的时刻(即，开始液体靠近工序的时刻)，提高旋转基座21的旋转速度(即，基板9的旋转速度)。具体地说，可以在开始液体甩掉处理的时刻，将旋转基座21的旋转速度从第一旋转速度切换至比第一旋转速度大的第二旋转速度。在该情况下，液体甩掉处理结束的同时，将旋转基座21的旋转速度从第二速度切换为原来的第一旋转速度。
也就是说，在该变形例中，液体甩掉处理中的基板9的旋转速度大于该液体甩掉处理的前后的处理(即，向表面周缘部911喷出处理液的处理)中的基板9的旋转速度。
根据该变形例，在液体甩掉处理中，基板9以比较的高速的旋转速度旋转，因此，在表面周缘部911残存的第一处理液(在步骤S203、步骤S207、以及步骤S210的情况下为冲洗液，在步骤S205的情况下为SC-2)迅速地靠近基板的端面93侧，并从基板9充分被甩掉。因此，根据该结构，能够将在表面周缘部911残存的第一处理液在特别短的时间内甩掉。
此外，可以在开始进行液体甩掉处理的时刻，将旋转基座21的旋转速度从第一旋转速度切换为比第一旋转速度大的第二旋转速度后，在液体甩掉处理的液体靠近工序结束的同时(即，在开始吹飞工序的同时)，将旋转基座21的旋转速度从第二旋转速度切换为原来的第一旋转速度。在该情况下，由于液体靠近工序中的基板9的旋转速度大于该液体靠近工序的前后的处理中的基板9的旋转速度，因此，在表面周缘部911残存的第一处理液迅速靠近基板的端面侧。因此，在该结构中也能够将在表面周缘部911残存的第一处理液在短时间内甩掉。
<6-2.第二变形例的液体甩掉处理>
另外，在上述实施方式或第一变形例中，可以在开始液体甩掉处理(步骤S203、步骤S205、步骤S207、步骤S210)的时刻(即，开始液体靠近工序的时刻)，使从保护气体喷嘴41喷出保护气体的喷出量增加。具体地说，可以在开始液体甩掉处理的时刻，将保护气体的喷出量从第一喷出量切换为比第一喷出量大的第二喷出量。在该情况下，在液体甩掉处理结束的同时，将保护气体的喷出量从第二喷出量切换为原来的第一喷出量。
也就是说，在该变形例中，液体甩掉处理中的保护气体的喷出量大于该液体甩掉处理的前后的处理(即，向表面周缘部911喷出处理液的处理)中的保护气体的喷出量。
根据该变形例，在液体甩掉处理中，向基板9的表面91的中央附近喷出比较多的保护气体，因此，在液体甩掉处理中，器件区域90从处理液的环境空气等中被充分保护。另外，利用保护气体的风压使处理液充分靠近基板的端面侧。
此外，可以在开始液体甩掉处理的时刻，将保护气体的喷出量从第一喷出量切换为比第一喷出量大的第二喷出量后，在液体甩掉处理的液体靠近工序结束的同时，将保护气体的喷出量从第二喷出量切换为原来的第一喷出量。在该情况下，液体靠近工序中的保护气体的喷出量大于该液体靠近工序的前后的处理中的保护气体的喷出量，因此，在进行液体靠近工序的期间，器件区域90从处理液的环境空气中被充分保护。另外，利用保护气体的风压使处理液充分靠近基板的端面侧。
<7.周缘部用喷出头的变形例>
参照图21对其他方式的周缘部用喷出头51a进行说明。图21是从下侧观察周缘部用喷出头51a的图。此外，在以下的说明中，对于与在上述实施方式中已说明的结构相同的结构，省略说明，并且标注相同的附图标记来表示。
<i.整体结构>
周缘部用喷出头51a具有如下结构：多个(在此为5个)喷嘴50a、50b、50c、50m、50n被支撑部500a一体支撑。在周缘部用喷出头51a所具有的一组喷嘴50a、50b、50c、50m、50n中包括与上述实施方式同样的3个处理液喷嘴50a、50b、50c(具体地说，喷出酸性药液的第一药液喷嘴50a、喷出碱性药液的第二药液喷嘴50b、以及喷出冲洗液的冲洗液喷嘴50c)。另外，在周缘部用喷出头51a所具有的一组喷嘴50a、50b、50c、50m、50n中包括向表面周缘部911喷出气体(在此为氮气)和蒸汽(特别优选为过热蒸汽)的喷嘴(箱形喷嘴)50m和向表面周缘部911喷出气体(在此为氮气)的喷嘴(内侧气体喷嘴)50n。
<ii.箱形喷嘴50m>
对箱形喷嘴50m进行说明。箱形喷嘴50m具有呈长方体状的外形的喷嘴主体部501m。喷嘴主体部501m以下表面(喷出面)502m为水平姿势的方式支撑在支撑部500a上。因此，在周缘部用喷出头51a配置在处理位置的状态下，喷出面502m以与保持在旋转基座21上的基板9的表面91平行的姿势，与表面周缘部911以非接触状态接近。
在喷出面502m上形成有沿着假想线(第一假想线)排列的的多个气体喷出口506，该假想线(第一假想线)为沿着表面周缘部911的弧状的假想线。另外，在喷出面502m上形成有沿着假想线(第二假想线)排列的多个蒸汽喷出口507，该假想线(第二假想线)为沿着表面周缘部911的弧状的假想线。其中，排列有多个气体喷出口506的第一假想线比排列有多个蒸汽喷出口507的第二假想线更靠基板9的内侧(基板9的中心侧)。也就是说，多个气体喷出口506相比多个蒸汽喷出口507，在基板9的内侧排列。
在喷嘴主体部501m的内部形成有气体用的流路部。该气体用的流路部的下端与多个气体喷出口506连通。另外，在气体用的流路部上连接有分支配管552e分支后的端部中的一个端部。分支配管552e分支前的端部与气体(例如氮气)的供给源(气体供给源)551e连接。另外，在分支配管552e的途中安装有开闭阀553e。因此，当开闭阀553e打开时，从分支配管552e供给的气体经由喷嘴主体部501m的内部的气体用的流路部从多个气体喷出口506喷出。其中，优选气体用的流路部与上述的在喷嘴主体部501(图7)的内部形成的流路部同样，形成有倾斜流路部分，该倾斜流路部分向斜下方延伸，并在下端与气体喷出口506连通，所述斜下方是指，从基板9的内侧(基板9的中心侧)起，越向下方越接近外侧(端面93侧)的方向。
另外，在喷嘴主体部501m的内部形成有蒸汽用的流路部。该蒸汽用的流路部的下端与多个蒸汽喷出口507连通。另外，蒸汽用的流路部与配管552f的一端连接。配管552f的另一端与蒸汽的供给源(蒸汽供给源)551f连接。另外，在配管552f的途中安装有开闭阀553f。因此，当开闭阀553f打开时。从配管552f供给的蒸汽经由喷嘴主体部501m的内部的蒸汽用的流路部从多个蒸汽喷出口507喷出。其中，优选从蒸汽喷出口507喷出的蒸汽是被加热(过加热)至充分高温(例如100℃以上且130℃以下)的过热蒸汽(过热水蒸汽)。因此，如上所述，由供给对纯水等加热而生成的蒸汽(水蒸汽)的供给源、与供给源连接的配管、在该配管的路径途中安装的加热器构成蒸汽供给源551f即可(均省略图示)。另外，优选蒸汽用的流路部与上述的在喷嘴主体部501的内部形成的流路部同样，形成有倾斜流路部分，该倾斜流路部分向斜下方延伸，并在下端与蒸汽喷出口507连通，所述斜下方是指，从基板9的内侧(基板9的中心侧)起，越向下方越接近外侧(端面93侧)的方向。
<iii.内侧气体喷嘴50n>
接着，对内侧气体喷嘴50n进行说明。内侧气体喷嘴50n具有喷嘴主体部501n，在从上方观察时，喷嘴主体部501n呈弯曲成沿着表面周缘部911的弧状的外形。喷嘴主体部501n以下表面(喷出面)502n为水平姿势的方式支撑在支撑部500a上。因此，在周缘部用喷出头51a配置在处理位置的状态下，喷出面502n以与保持在旋转基座21上的基板9的表面91平行的姿势，与表面周缘部911以非接触状态接近。
在喷出面502n上形成有沿着假想线排列的多个内侧气体喷出口508，该假想线为沿着表面周缘部911的弧状的假想线。
在喷嘴主体部501n的内部形成有流路部。该流路部的下端与多个内侧气体喷出口508连通。另外，该流路部与分支配管552e分支后的端部中的另一个端部连接。因此，当开闭阀553e打开时，从分支配管552e供给的气体经由喷嘴主体部501n的内部的流路部从多个内侧气体喷出口508喷出。其中，优选该流路部也与上述的在喷嘴主体部501的内部形成的流路部同样，形成有倾斜流路部分，该倾斜流路部分向斜下方延伸，并在下端与内侧气体喷出口508连通，所述斜下方是指，从基板9的内侧(基板9的中心侧)起，越向下方越接近外侧(端面93侧)的方向。
<iv.各喷嘴的配置>
对3个处理液喷嘴50a、50b、50c、箱形喷嘴50m和内侧气体喷嘴50n一体地进行支撑的支撑部500a固定在臂部52上。从上方观察，支撑部500a为弯曲成沿着表面周缘部911的弧状的构件，3个处理液喷嘴50a、50b、50c、箱形喷嘴50m沿着弯曲成弧状的支撑部500a的延伸方向排列。因此，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态，3个处理液喷嘴50a、50b、50c和箱形喷嘴50m沿着基板9的表面周缘部911排列。此时，沿着基板9的旋转方向AR9，从上游侧开始依次排列有箱形喷嘴50m、第一药液喷嘴50a、冲洗液喷嘴50c、第二药液喷嘴50b。另一方面，内侧气体喷嘴50n相比3个处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的内侧(基板9的中心侧)。
也就是说，在该周缘部用喷出头51a中，箱形喷嘴50m相比处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。因此，旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置首先通过箱形喷嘴50m的下方后，通过处理液喷嘴50a、50b、50c的下方。根据该结构，能够在从处理液喷嘴50a、50b、50c向旋转的基板9的表面周缘部911内的各位置供给新的处理液之前，从箱形喷嘴50m向该位置供给气体、蒸汽、或者这两者。
根据该结构，在表面周缘部911内的各位置附着的旧的处理液由从箱形喷嘴50m喷出的气体除去后，从处理液喷嘴50a、50b、50c供给新的处理液，因此，如上所述，能够抑制因未被甩掉的旧的处理液与新供给的处理液碰撞而导致处理液进入器件区域90。另外，根据该结构，总是使新鲜的处理液作用于基板9，能够提高处理效率。另外，根据该结构，能够避免在表面周缘部911内的各位置暂时保持大量的处理液这样的状况，使处理液所作用的区域的尺寸稳定。
进而，根据该结构，能够在刚由蒸汽对表面周缘部911内的各位置加热后，从药液喷嘴50a、50b向该位置供给新的药液，因此，能够促进表面周缘部911和药液之间的反应(所谓加热辅助)。其结果，能够缩短药液处理的处理时间，并且抑制药液的使用量。
此外，从周缘部用喷出头51a喷出蒸汽的喷出时刻在控制部130的控制下根据方案等来规定。例如，可以在利用SC-1对表面周缘部911进行药液处理的期间(步骤S201)，从周缘部用喷出头51a的箱形喷嘴50m向基板9的表面周缘部911喷出蒸汽。此时的蒸汽的喷出流量优选为2000(mL/min)。其中，还优选在从箱形喷嘴50m喷出蒸汽的期间，从箱形喷嘴50m也喷出气体。根据该结构，即使供给至基板9上的蒸汽的一部分在基板9上凝缩而成为水滴，该水滴也被从箱形喷嘴50m喷出的气体除去，因此，能够避免水滴附着在器件区域90上。
<v.目标喷出位置>
接着，参照图22、图23对周缘部用喷出头51a所具有的一组喷嘴50a、50b、50c、50m、50n各自的目标喷出位置进行说明。图22是示意性地表示各喷嘴50a、50b、50c、50m、50n的目标喷出位置的一例的图。图23是从基板9的旋转方向AR9的下游侧观察周缘部用喷出头51a的图。其中，在图23中示出从周缘部用喷出头51喷出蒸汽和气体的状态。
周缘部用喷出头51a所具有的一组喷嘴50a、50b、50c、50m、50n各自的目标喷出位置Qa、Qb、Qc、Qe1、Qe2、Qf为在基板9的径向上相互错开的位置。即，箱形喷嘴50m的气体的目标喷出位置(从气体喷出口506喷出的气体的目标喷出位置)Qe1、以及内侧气体喷嘴50n的目标喷出位置Qe2比处理液喷嘴50a、50b、50c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc更靠基板9的径向内侧(中心侧)。另外，内侧气体喷嘴50n的目标喷出位置Qe2与箱形喷嘴50m的气体的目标喷出位置Qe1处于在径向上相同的位置。也就是说，从基板9的端面93至内侧气体喷嘴50n的目标喷出位置Qe2的分离距离与从基板9的端面93至箱形喷嘴50m的气体的目标喷出位置Qe1的分离距离相等。进而，箱形喷嘴50m的蒸汽的目标喷出位置(从蒸汽喷出口507喷出的蒸汽的目标喷出位置)Qf与药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb处于在径向上相同的位置。也就是说，从基板9的端面93至目标喷出位置Qf的分离距离与从基板9的端面93至药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb的分离距离相等。
此外，处理液喷嘴50a、50b、50c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc与上述实施方式同样。即，冲洗液喷嘴50c的目标喷出位置Qc比药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb更靠基板9的径向内侧，第一药液喷嘴50a的目标喷出位置Qa和第二药液喷嘴50b的目标喷出位置Qb处于在径向上相同的位置。
在该周缘部用喷出头51a中，箱形喷嘴50m的气体的目标喷出位置Qe1比处理液喷嘴50a、50b、50c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc更靠基板9的径向内侧，因此，在基板9的表面周缘部911中，向比喷出处理液的位置更靠内侧的位置供给气体。根据该结构，如上所述，能够利用气体从基板9的内侧向外侧吹飞供给到表面周缘部911上的处理液，来除去表面周缘部911上的处理液。
另外，在该周缘部用喷出头51a中，内侧气体喷嘴50n的目标喷出位置Qe2比处理液喷嘴50a、50b、50c的目标喷出位置Qa、Qb、Qc更靠基板9的径向内侧，因此能够抑制表面周缘部911上的处理液进入器件区域90，并且能够使处理液作用的区域的尺寸(例如蚀刻宽度)稳定，提高其控制精度。
另外，在该周缘部用喷出头51a中，从基板9的端面93至箱形喷嘴50m的蒸汽的目标喷出位置Qf的分离距离与从基板9的端面93至药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb的分离距离相等。因此，在基板9的表面周缘部911中，能够向与喷出处理液的位置相同的位置喷出蒸汽。由此，能够有效促进表面周缘部911内的各位置和供给至此的药液之间的反应。
<vi.效果>
该变形例的周缘部用喷出头51a具有喷出蒸汽的箱形喷嘴50m。根据该结构，能够通过从箱形喷嘴50m向表面周缘部911喷出蒸汽，来对表面周缘部911进行加热。
另外，根据该变形例，箱形喷嘴50m相比处理液喷嘴50a、50b、50c配置在基板9的旋转方向AR9的上游侧。根据该结构，在由从箱形喷嘴50m喷出的蒸汽对表面周缘部911内的各位置进行加热后，从处理液喷嘴50a、50b、50c向该位置供给处理液。因此，能够促进供给至表面周缘部911的处理液和基板之间的反应。
另外，根据该变形例，从箱形喷嘴50m喷出蒸汽的目标喷出位置Qf与药液喷嘴50a、50b的目标喷出位置Qa、Qb处于在基板9的径向上相同的的位置。因此，能在刚供给处理液之前，利用蒸汽高效地对表面周缘部911上的要被喷出药液的位置进行加热。根据该结构，能够有效促进供给到表面周缘部911上的药液和基板9之间的反应。
<8.其他变形例>
在上述各实施方式中，在利用SC-2进行药液处理(步骤S201)、以及利用DHF进行药液处理(步骤S208)时，不向基板9的背面92供给蒸汽(不进行加热辅助)。即，在上述实施方式中，利用SC-2进行的药液处理不是蚀刻处理而是进行清洗处理的药液处理，因此省略加热辅助。另外，DHF即使没有加热辅助也能够以比较高的蚀刻速率进行蚀刻，因此，在利用DHF进行药液处理时也省略加热辅助。但是，因处理对象等而不同，在利用SC-2进行药液处理、或利用DHF进行药液处理的期间，也可以向基板9的背面92供给蒸汽。
另外，在上述各实施方式，在利用SC-1进行的药液处理(步骤S201)以及之后的冲洗处理(步骤S202)、利用SC-2进行的药液处理(步骤S204)、以及之后的冲洗处理(步骤S206)的各处理中，不从气体喷嘴50d向表面周缘部911供给气体。其原因在于，当供给SC-1或SC-2时，表面周缘部911具有亲水性，因此，供给至此的处理液的液膜因仅受到由基板的旋转产生的离心力的作用而比较稳定地保持在周缘部上，当向这种状态的表面周缘部911供给气体时，反而有可能导致发生液体飞溅。但是，因处理对象等的不同，也可以在进行上述各处理的期间，向表面周缘部911供给气体。
另外，在上述各实施方式中，在利用SC-1进行药液处理后，不进行液体甩掉处理。其原因在于，在上述实施方式中，通过利用SC-1进行的药液处理对基板9实施蚀刻处理，在蚀刻处理后不进行液体甩掉处理而进行冲洗处理，迅速地冲洗掉用于蚀刻的药液，由此能够良好地控制蚀刻宽度以及蚀刻深度。此外，当供给SC-1时，表面周缘部911具有亲水性，因此，在利用SC-1进行的药液处理结束的时刻，在表面周缘部911上残存的SC-1处于薄薄地扩展到表面周缘部911上的状态。即使向这种状态的表面周缘部911供给作为接下来的处理液的冲洗液，也比较难以发生液体飞溅。即，即使在利用SC-1进行药液处理后省略液体甩掉处理，也难以成为严重的问题。当然，因处理对象等的不同，也可以在利用SC-1进行药液处理后，进行液体甩掉处理。例如，在通过利用SC-1进行的药液处理对基板9不是实施蚀刻处理而实施清洗处理(例如除去在基板9的表面周缘部911附着的有机物等的清洗处理)的情况下，反而优选在利用SC-1进行药液处理后进行液体甩掉处理。
另外，在上述各实施方式中，在利用DHF进行药液处理后也不进行液体甩掉处理。其原因在于，上述实施方式中，通过利用DHF进行的药液处理对基板9实施蚀刻处理，如上所述，在蚀刻处理后不进行液体甩掉处理而进行冲洗处理，迅速地冲洗掉用于蚀刻的药液，由此能够良好地控制蚀刻宽度以及蚀刻深度。此外，当供给DHF时，表面周缘部911具有憎水性，因此处于在表面周缘部911上难以残存处理液的状态。并且，在上述实施方式中，在利用DHF进行药液处理的期间，从气体喷嘴50d向表面周缘部911供给气体，因此，供给到表面周缘部911上的不要的大部分DH从基板9的端面93被除去。因此，在利用DHF进行的药液处理完成的时刻(没必要进行液体甩掉处理)，在基板9的表面周缘部911上几乎不残存DHF。因此，特别缺少在利用DHF进行药液处理后进行液体甩掉处理的必要性。当然，因处理对象等的不同，也可以在利用DHF进行药液处理后进行液体甩掉处理。
另外，在上述各实施方式中，在各表面周缘处理(步骤S2)以及背面处理(步骤S4)中，使用了三种药液(SC-1、SC-2、以及DHF)的药液处理隔着冲洗处理等依次进行，但是未必使用这三种药液进行药液处理。例如，也可以使用从SC-1、SC-2、DHF、BDHF(缓冲氢氟酸)、HF(氢氟酸)、盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸或氨等水溶液、或者它们的混合溶液等中选择的1种以上的药液，对表面周缘部911或背面92进行药液处理。
另外，上述各实施方式的流体供给部55可以组合供给氢氟酸(例如49％的氢氟酸)的氢氟酸供给源、供给盐酸的盐酸供给源、供给过氧化氢的过氧化氢供给源、供给氢氧化氨的氢氧化氨供给源、供给纯水的纯水供给源、供给二氧化碳气体的二氧化碳气体供给源、供给氮气的氮气供给源、配管、开闭阀、以及混合阀等来构成。在该结构中，例如，来自氢氟酸供给源的氢氟酸和来自纯水供给源的纯水在混合阀内以规定的比率混合来生成DHF，DHF供给至周缘部用喷出头51(具体地说，第一药液喷嘴50a、501a)。另外，来自盐酸供给源的盐酸和来自过氧化氢供给源的过氧化氢在混合阀内以规定的比率混合来生成SC-2，SC-2供给至周缘部用喷出头51(具体地说，第一药液喷嘴50a)。另外，来自氢氧化氨供给源的氢氧化氨、来自过氧化氢供给源的过氧化氢和来自纯水供给源的纯水在混合阀内以规定的比率混合来生成SC-1，SC-1供给至周缘部用喷出头51(具体地说，第二药液喷嘴50b)。另外，在来自纯水供给源的纯水中溶解二氧化碳来生成冲洗液，冲洗液供给至周缘部用喷出头51(具体地说，冲洗液喷嘴50c)。
另外，在上述各实施方式中，加热处理部7使用蒸汽对基板9进行加热，但是加热处理部7也可以使用其他加热源(例如电热丝加热器、灯加热器等)对基板9进行加热。当然，使用蒸汽对基板9进行加热的方式与利用电热丝加热器或灯加热器对基板9进行加热的方式相比，能够局部短时间对基板9进行加热(进而，能够实现良好的生产能力)，因此特别优选。
另外，在上述各实施方式中，在液体甩掉处理中，依次进行液体靠近工序(步骤S2031)和吹飞工序(步骤S2032)，但液体靠近工序(步骤S2031)和吹飞工序(步骤S2032)也可以并行进行。
另外，进行液体甩掉处理的时机并不限于在上述实施方式例示的时机。例如，也可以省略在利用SC-2进行药液处理后的液体甩掉处理，也可以省略各冲洗处理之后的液体甩掉处理中的至少一个。另外，如上所述，也可以在利用SC-1进行药液处理后进行液体甩掉处理，也可以在利用DHF进行药液处理后进行液体甩掉处理。
另外，在上述各实施方式的周缘部用喷出头51中，相对于冲洗喷嘴50c，在基板9的旋转方向AR9的上游侧配置第一药液喷嘴50a，在下游侧配置第二药液喷嘴50b，但也可以相对于冲洗喷嘴50c，在基板9的旋转方向AR9的上游侧配置第二药液喷嘴50b，在下游侧配置第一药液喷嘴50a。
另外，在上述各实施方式中，在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分容纳于在挡板构件60的内周壁601形成的切口605内，但也可以在周缘部用喷出头51配置在处理位置的状态下，周缘部用喷出头51的至少一部分(具体地说，例如周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50的至少一部分)例如容纳于从挡板构件60的上表面604贯通至下表面602的贯通孔内。也就是说，配置在处理位置的周缘部用喷出头51所具有的喷嘴50隔着挡板构件60的一部分配置在与杯31相反一侧。
另外，在上述各实施方式中，在基板处理装置1中，对基板9的表面周缘部911以及背面92实施处理，但在基板处理装置1中，也可以仅对表面周缘部911或背面92进行处理。另外，在基板处理装置1中，对表面周缘部911以及背面92的至少一方实施蚀刻处理、清洗处理以外的处理(例如成膜处理)
另外，在上述各实施方式中，在基板处理装置1对基板9的表面周缘部911进行处理后，对背面92进行处理，但对表面周缘部911的处理和对背面92的处理可以并行进行。
另外，在上述各实施方式中，基板9为半导体晶片，但是基板9也可以是液晶表示装置用玻璃基板、等离子体显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳电池用基板等。
如以上那样，本发明被详细表示并记载，但上述的记载在所有的方式中仅是例示而不是限定性的。因此，本发明在其发明的范围内能对实施方式适当变形、省略。

Claims (34)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
周缘部用喷出头，其向被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部喷出流体；
所述周缘部用喷出头具有：
多个喷嘴，
支撑部，其一体支撑多个所述喷嘴；
多个所述喷嘴包括：
处理液喷嘴，其向所述表面周缘部喷出处理液，
气体喷嘴，其向所述表面周缘部喷出气体来除去所述表面周缘部上的处理液；
所述气体喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
所述气体喷嘴的目标喷出位置比所述处理液喷嘴的目标喷出位置更靠基板的中心侧。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述周缘部用喷出头具有多个所述处理液喷嘴，
多个所述处理液喷嘴包括：
药液喷嘴，其喷出药液，
冲洗液喷嘴，其喷出冲洗液。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
所述冲洗液喷嘴的目标喷出位置比所述药液喷嘴的目标喷出位置更靠基板的中心侧。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述周缘部用喷出头具有多个所述药液喷嘴，
多个所述药液喷嘴包括：
第一药液喷嘴，其喷出酸性药液，
第二药液喷嘴，其喷出碱性药液；
在所述第一药液喷嘴和所述第二药液喷嘴之间配置有所述冲洗液喷嘴。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
从基板的端面至所述第一药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至所述第二药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。
7.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
多个所述喷嘴包括向所述表面周缘部喷出蒸汽的蒸汽喷嘴。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述蒸汽喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液喷嘴包括喷出药液的药液喷嘴，
从各所述喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
从基板的端面至所述蒸汽喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至所述药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。
10.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷嘴具有：
喷嘴主体部，其以下表面呈水平姿势的方式支撑在所述支撑部上，
喷出口，其通过在所述喷嘴主体部的所述下表面开口而形成，
流路部，其形成在所述喷嘴主体部的内部，并在下端与所述喷出口连通；
所述流路部具有倾斜流路部分，该倾斜流路部分向斜下方延伸，并在下端与所述喷出口连通，所述斜下方是指，从所述基板的中心侧起，越向下方越接近所述基板的端面侧的方向。
11.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有对所述基板保持部以及所述周缘部用喷出头进行控制的控制部，
所述控制部通过所述基板保持部使所述基板旋转，并且，使所述处理液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液，并使所述气体喷嘴向所述表面周缘部喷出气体。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述处理液喷嘴喷出的所述处理液是稀氢氟酸。
13.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述处理液喷嘴喷出的所述处理液是冲洗液。
14.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
用所述气体除去旧的处理液后，从所述处理液喷嘴供给新的处理液。
15.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述支撑部沿着所述表面周缘部延伸，
多个所述喷嘴沿着所述支撑部延伸的方向排列。
16.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
周缘部用喷出头，其向被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部喷出流体；
所述周缘部用喷出头具有：
多个喷嘴，
支撑部，其一体支撑多个所述喷嘴；
多个所述喷嘴包括：
处理液喷嘴，其向所述表面周缘部喷出处理液，
气体喷嘴，其向所述表面周缘部喷出气体；
所述气体喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧，
所述周缘部用喷出头具有多个所述处理液喷嘴，
多个所述处理液喷嘴包括：
药液喷嘴，其喷出药液，
冲洗液喷嘴，其喷出冲洗液；
所述周缘部用喷出头具有多个所述药液喷嘴，
多个所述药液喷嘴包括：
第一药液喷嘴，其喷出酸性药液，
第二药液喷嘴，其喷出碱性药液；
在所述第一药液喷嘴和所述第二药液喷嘴之间配置有所述冲洗液喷嘴。
17.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
基板保持部，其将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
周缘部用喷出头，其向被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部喷出流体；
所述周缘部用喷出头具有：
多个喷嘴，
支撑部，其一体支撑多个所述喷嘴；
多个所述喷嘴包括：
处理液喷嘴，其向所述表面周缘部喷出处理液，
气体喷嘴，其向所述表面周缘部喷出气体；
所述气体喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧，
所述支撑部沿着所述表面周缘部延伸，
多个所述喷嘴沿着所述支撑部延伸的方向排列。
18.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
工序a，将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
工序b，从处理液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液；
工序c，与所述工序b并行，从与所述处理液喷嘴一体被支撑且相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧的气体喷嘴，向所述表面周缘部喷出气体来除去所述表面周缘部上的处理液。
19.如权利要求18所述的基板处理方法，其特征在于，
从各所述处理液喷嘴以及所述气体喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
所述气体喷嘴的目标喷出位置比所述处理液喷嘴的目标喷出位置更靠基板的中心侧。
20.如权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
所述工序b包括：
工序b-1，从药液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出药液，
工序b-2，从冲洗液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出冲洗液。
21.如权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
从各所述药液喷嘴以及所述冲洗液喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
所述冲洗液喷嘴的目标喷出位置比所述药液喷嘴的目标喷出位置更靠基板的中心侧。
22.如权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
所述工序b-1包括：
工序b-1-1，从第一药液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出酸性药液，
工序b-1-2，从第二药液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出碱性药液，
在所述第一药液喷嘴和所述第二药液喷嘴之间配置有所述冲洗液喷嘴。
23.如权利要求22所述的基板处理方法，其特征在于，
从各所述第一药液喷嘴以及所述第二药液喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
从基板的端面至所述第一药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至所述第二药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。
24.如权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括工序d，从蒸汽喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出蒸汽。
25.如权利要求24所述的基板处理方法，其特征在于，
所述蒸汽喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。
26.如权利要求24所述的基板处理方法，其特征在于，
所述工序b包括从药液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出药液的工序，
从各所述药液喷嘴以及所述蒸汽喷嘴喷出流体并到达基板上的位置为该喷嘴的目标喷出位置，
从基板的端面至所述蒸汽喷嘴的目标喷出位置的分离距离和从基板的端面至所述药液喷嘴的目标喷出位置的分离距离相等。
27.如权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液喷嘴以及所述气体各自喷嘴具有：
喷嘴主体部，其以下表面呈水平姿势的方式支撑在所述支撑部上，
喷出口，其通过在所述喷嘴主体部的所述下表面开口而形成，
流路部，其形成在所述喷嘴主体部的内部，并在下端与所述喷出口连通；
所述流路部具有倾斜流路部分，该倾斜流路部分向斜下方延伸，并在下端与所述喷出口连通，所述斜下方是指，从所述基板的中心侧起，越向下方越接近所述基板的端面侧的方向。
28.如权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
使所述基板旋转，并且，从所述处理液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液，并从所述气体喷嘴向所述表面周缘部喷出气体。
29.如权利要求28所述的基板处理方法，其特征在于，
从所述处理液喷嘴喷出的所述处理液是稀氢氟酸。
30.如权利要求28所述的基板处理方法，其特征在于，
从所述处理液喷嘴喷出的所述处理液是冲洗液。
31.如权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
用所述气体除去旧的处理液后，从所述处理液喷嘴供给新的处理液。
32.如权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
设置有一体支撑所述处理液喷嘴以及所述气体喷嘴的支撑部，
所述支撑部沿着所述表面周缘部延伸，
所述处理液喷嘴以及所述气体喷嘴沿着所述支撑部延伸的方向排列。
33.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
工序a，将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
工序b，从处理液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液；
工序c，与所述工序b并行，从与所述处理液喷嘴一体被支撑且相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧的气体喷嘴，向所述表面周缘部喷出气体，
所述工序b包括：
工序b-1，从药液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出药液，
工序b-2，从冲洗液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出冲洗液；
所述工序b-1包括：
工序b-1-1，从第一药液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出酸性药液，
工序b-1-2，从第二药液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出碱性药液，
在所述第一药液喷嘴和所述第二药液喷嘴之间配置有所述冲洗液喷嘴。
34.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
工序a，将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；
工序b，从处理液喷嘴向旋转的所述基板的表面周缘部喷出处理液；
工序c，与所述工序b并行，从与所述处理液喷嘴一体被支撑且相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧的气体喷嘴，向所述表面周缘部喷出气体，
设置有一体支撑所述处理液喷嘴以及所述气体喷嘴的支撑部，
所述支撑部沿着所述表面周缘部延伸，
所述处理液喷嘴以及所述气体喷嘴沿着所述支撑部延伸的方向排列。
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